TWM657510U

TWM657510U - 工作台裝置

Info

Publication number: TWM657510U
Application number: TW113201691U
Authority: TW
Inventors: 許宏戎
Original assignee: 應陞國際有限公司
Filing date: 2024-02-17
Publication date: 2024-07-01

Abstract

一種工作台裝置能連通負壓源，並包含基座單元、設於基座單元上的框體單元及多孔板。基座單元包括界定出連通於負壓源的流體通道的基座。框體單元包括底壁及連接底壁的圍壁。底壁具有彼此反向的底面及頂面。頂面具有基面部及形成有抽氣溝槽的槽面部。抽氣溝槽與流體通道連通。圍壁具有外側面及內側面。內側面具有多個成平面且相連接的第一、二面部。基面部與內側面共同界定出嵌設多孔板的容裝空間。利用頂面與抽氣溝槽的設計，及第一、二面部呈平面的設計，能避免漏真空而確實吸附晶片，避免晶片移位，進而提升封裝良率。

Description

工作台裝置

本新型是有關於一種台面裝置，特別是指一種工作台裝置。

目前的工作台能應用於晶圓切割或研磨等製程。該工作台連接於一負壓源，且主要包括一形成有多個相連通之同心圓抽氣通道之框座，及一成圓形且設置於該框座上的陶瓷板。使用該工作台時，該負壓源對該抽氣通道抽氣，並將一未經切割而成圓形的晶圓吸附於該陶瓷板上，而能對被吸附而限位之該晶圓進行切割或研磨。

因應現今之將已切割的方形晶片疊置於一晶圓上的高階封裝製程，也需要將晶片先吸附於工作台上，以進行後續封裝。然而，目前的工作台的抽氣通道，由於是由與該晶圓的形狀相似的同心圓抽氣通道所形成。例如：圓形抽氣通道製成的真空吸盤，其直徑為300mm，適用於對應12吋晶圓抽真空，但若是對於已切割之面積相對小的方形晶片來說，會有漏真空而造成吸附力不足的問題，造成所述晶片在封裝過程中會產生移位與偏移的情況，導致封裝良率過低。

因此，本新型之目的，即在提供一種能夠克服先前技術的至少一個缺點的工作台裝置。

於是，本新型工作台裝置，適用於連通於一負壓源，並包含一基座單元、一框體單元，及一多孔板。

該基座單元包括一基座。該基座界定出一適用於流體連通於一負壓源的流體通道。

該框體單元設置於該基座單元上，並包括一底壁、及一連接於該底壁的圍壁。該底壁具有一朝向該基座單元的底面，及一反向於該底面的頂面。該頂面具有一基面部，及一自該基面部凹陷且形成有一抽氣溝槽的槽面部。該抽氣溝槽與該基座單元的該流體通道流體連通。該圍壁具有彼此反向的一外側面及一內側面。該內側面具有多個成平面的第一面部。及多個成平面的第二面部。每一第二面部連接於二相鄰的所述第一面部之間，該頂面的該基面部與該圍壁的該內側面共同界定出一容裝空間。

該多孔板嵌設於該容裝空間。

本新型之功效在於：利用所述頂面與該抽氣溝槽的形狀設計，及內側面的第一、二面部呈平面的設計，能避免產生無法吸附擺放於多孔板的晶片的問題，有效提升封裝良率。

1:基座單元

11:基座

111:底座部

112:基座部

12:流體通道

2:框體單元

21:底壁

211:底面

212:頂面

213:基面部

214:槽面部

215:間隔面區

216:外周面區

22:圍壁

221:外側面

222:內側面

223:連接面

224:第一面部

225:第二面部

226:延伸面部

227:牆垛面部

23:連接流道

3:多孔板

30:容裝空間

4:抽氣溝槽

41:第一槽段

42:第二槽段

43:第一多邊形

44:第二多邊形

45:環形槽段

90:負壓源

91:連接件

L:軸線

X1:第一方向

X2:第二方向

O:圓角

W1:寬度

W2:寬度

W3:最小寬度

α:預定角度

D:深度

h:厚度

本新型之其他的特徵及功效，將於參照圖式的實施方式中清楚地呈現，其中：圖1是一立體分解圖，說明本新型工作台裝置的一第一實施例；圖2是一剖視示意圖，說明該第一實施例；圖3是圖2的局部放大圖；圖4是一俯視示意圖，說明該第一實施例的一框體單元；圖5是一俯視示意圖，說明本新型工作台裝置的一第二實施例的一框體單元；及圖6是一剖視示意圖，說明本新型工作台裝置的一第三實施例。

在本新型被詳細描述之前，應當注意在以下的說明內容中，類似的元件是以相同的編號來表示。

參閱圖1至圖4，本新型工作台裝置之一第一實施例，適用於連通於一負壓源90，並包含一基座單元1、一設置於該基座單元1上的框體單元2，及一設置於該框體單元2上的多孔板3。

該基座單元1包括一基座11。該基座11包括一連接於該負壓源90的底座部111，及一設置於該底座部111上且俯視成圓形的基座部112。該底座部111與該基座部112共同界定出一流體連通於該負壓源90的流體通道12。

該框體單元2俯視成圓形，並利用多個例如螺栓的連接件91安裝於該基座部112上。該框體單元2主要由不銹鋼(例如：SUS不銹鋼)、氧化鋁、及/或氧化鋯製成，並包括一底壁21、及一圍繞並同體連接於該底壁21的圍壁22。該圍壁22自該底壁21的底周緣往上且徑向往外延伸。

該底壁21具有一朝向且貼合於該基座部112的底面211，及一反向於該底面211的頂面212。該頂面212的輪廓俯視成一凹多邊形，該凹多邊形指的是3條以上的線段所組成的平面封閉幾何圖形，並具有2個上大於180度且小於360度的內角。該凹多邊形沿一軸線L成軸對稱。該頂面212具有一平坦的基面部213，及一自該基面部213往下凹陷的槽面部214。該底壁21形成一上下貫穿且連通於該流體通道12的連接流道23，該槽面部214形成一連通於該連接流道23的抽氣溝槽4。因此，該抽氣溝槽4與該流體通道12流體連通。

該抽氣溝槽4具有多個第一槽段41，及多個分別連通於兩相鄰的所述第一槽段41之間的第二槽段42。每一第一槽段41在一第一方向X1左右延伸，每一第二槽段42在一橫交於該第一方向X1的第二方向X2前後延伸。該第二方向X2平行於該軸線。所述第一槽段41的其中數個是以每一所述第一槽段41的至少一端部連接於對應的第二槽段42；所述第一槽段41的其中數個分別相交於對應的第二槽段42；所述第二槽段42的其中數個是以每一所述第二槽段42的至少一端部連接於對應的第一槽段41。

該抽氣溝槽4的俯視形成有內外間隔的多個第一多邊形43，每一第一多邊形43是由其中數個所述第一槽段41與其中數個第二槽段42連通組成。所述第一多邊形43與該頂面212的凹多邊形的形狀相似。此外，所述第一多邊形43之間還利用數個自頂面212的中心朝向頂面212的外周延伸的另外數個所述第一槽段41與另外數個所述第二槽段42相連通；及在至少一個所述第一多邊形43中，還利用其餘數個所述第一槽段41或其餘數個第二槽段42連通該至少一個所述第一多邊形43。

每一所述第一槽段41的一端部與相連接之對應的所述第二槽段42一端部的一連接處形成一圓角O。於本實施例的其他變化態樣中，所述連接處可形成一直角。

該圍壁22具有彼此反向的一外側面221、一內側面222，及一連接於該外側面221與該內側面222的連接面223。該內側面222自該頂面212周緣往上延伸而圍繞該頂面212周緣，並具有多個成平面的第一面部224，及多個成平面的第二面部225。每一第二面部225連接於二相鄰的所述第一面部224之間。每一第一面部224在一第一方向X1延伸，該內側面222的每一第二面部225在該第二方向X2延伸。每一所述第一面部224與相連接之所述第二面部225之間夾設一預定角度α，所述預定角度α的其中數個實質為90度，所述預定角度的另外數個實質為270度。

該外側面221高於該內側面222，且俯視成圓形。該連接面223具有一自該內側面222往該外側面221的方向橫向延伸的延伸面部226，及一連接於該延伸面部226與該外側面221的牆垛面部227。該延伸面部226概呈平面。所述連接件91穿過該延伸面部226並伸入該基座部112中。該頂面212的基面部213與該圍壁22的內側面222共同界定出一容裝空間30。

此外，該頂面212的該基面部213具有多個間隔面區215，及一外周面區216。所述間隔面區215互相間隔，且由該抽氣溝槽4所區分而出。該外周面區216位於該抽氣溝槽4與該內側面222之間，使得該抽氣溝槽4與該內側面222彼此間隔。

在一些實施例中，每一第一槽段41的寬度W1為1 mm~10mm，每一第二槽段42的寬度W2為1mm~10mm。將所述第一槽段41與所述第二槽段42控制在上述寬度範圍內，除了加工簡易之外，還有助於後續抽真空的平均程度。較佳地，每一第一槽段41的寬度W1為3mm~4mm，每一第二槽段42的寬度W2為3mm~4mm。在一些實施例中，該槽面部214對該頂面212的比例為10%~80%。藉此，能維持該抽氣溝槽4在該頂面212平均地布設。

該多孔板3以多孔隙陶瓷材料製成，而能透氣。該多孔板3的俯視形狀實質與該頂面212的俯視形狀相同，且該多孔板3擺放於該基面部213上，並嵌設於該容裝空間30，而塞抵於該圍壁22的內側面222。

使用該工作台裝置進行封裝時，啟動該負壓源90，使得氣體會經由該抽氣溝槽4、該連接流道23與該流體通道12往該負壓源90抽吸而出。藉此，該多孔板3的上表面會對擺放於其上的物品產生附吸力量；然後，可將多個欲封裝之晶片(圖未示出)擺放於該多孔板3的上表面而被吸附，再將一晶圓(圖未示出)疊置於所述晶片上，以進行後續的封裝製程(例如：Chip on Wafer on Substrate(CoWos)之晶片疊置於晶圓上，且晶圓疊置於基板上的封裝製程)，或切割製程等半導體製程步驟。由於封裝技術與切割技術並非本案重點，在此不再多加贅述。

由於本案之框體單元2的頂面212成凹多邊形，及所述抽氣溝槽4的第一槽段41與第二槽段42具有預定寬度範圍，且組成多個內外間隔且相似於所述凹多邊形的多邊形，所以該工作台裝置可以有效地對所述晶片進行吸附，且經由所述抽氣溝槽4抽氣所產生的吸附力量，能有效維持所述晶片的吸附程度，避免所述晶片因為吸附力量不足而位移的情況，進而使得利用該工作台裝置所進行的封裝製程的良率相對高。

再者，由於所述抽氣溝槽4平均地分布於該頂面212，使得所述晶片的吸附力量平均，也能進一步避免吸附力量不均而降低封裝製程良率的風險。

參閱圖5，為本新型工作台裝置的一第二實施例。該第二實施例與該第一實施例相似，其不同處在於：該頂面212的槽面部214，及該槽面部214所形成的抽氣溝槽4的形狀。

所述第一槽段41的其中數個與所述第二槽段42形成數個相間隔左右並例的第二多邊形44，且所述第一槽段41的另外數個連通所述第二多邊形44。此外，該抽氣溝槽4還具有一環形槽段45。該環形槽段45連通所述第一槽段41的其中數個與所述第二槽段42的其中數個，使得該環形槽段45連通所述第二多邊形44。

參閱圖6，為本新型工作台裝置的一第三實施例。該第三實施例與該第一實施例相似，其不同處在於：該容裝空間30的一深度D大於該多孔板3的一厚度h。

更詳細地，該容裝空間30的深度D為所述基面部213到該延伸面部226的垂直距離。該多孔板3嵌設而放於該容裝空間30中。藉此，該多孔板3除了利用負壓抽氣而吸附於該頂面212之外，還被卡嵌而定位於該安裝空間30，不易發生移位的情況。於本實施例中，該容裝空間30的深度D與該多孔板3的厚度h之差為250μm。

綜上所述，本新型工作台裝置，利用所述頂面212與所述多孔板3的形狀設計、所述抽氣溝槽4的形狀設計，及該內側面222的第一面部224與第二面部225呈平面的設計，使該工作台裝置的頂面212具有相對平均的抽氣效率，且能避免使用工作台裝置的過程中，對擺放於其上的晶片產生漏氣而無法吸附的問題，非常新穎且創新，故確實能達成本新型之目的。

惟以上所述者，僅為本新型之實施例而已，當不能以此限定本新型實施之範圍，凡是依本新型申請專利範圍及專利說明書內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本新型專利涵蓋之範圍內。