TWM586878U - 有機發光二極體顯示裝置 - Google Patents

Abstract

一種有機發光二極體顯示裝置包含基板、第一閘極電極、第一絕緣層、半導體層、源極電極、汲極電極、有機保護層、陰極電極、有機層與陽極電極。第一閘極電極設置於基板上。第一絕緣層設置於基板上，且覆蓋第一閘極電極。半導體層設置於第一絕緣層上。源極電極與汲極電極分別設置於半導體層上，其中半導體層具有裸露於源極電極與汲極電極的裸露部份，且裸露部份於基板上的正投影與第一閘極電極至少部份重疊。有機保護層覆蓋源極電極、汲極電極與半導體層。陰極電極設置於有機保護層上。有機層設置於陰極電極上。陽極電極設置於有機層上。

Description

有機發光二極體顯示裝置

本新型是有關於一種有機發光二極體顯示裝置。

有機發光二極體(Organic Light Emitting Diode，OLED)為採用發光性之有機化合物的發光元件，具有自發光特性，且其薄型化、顯示品質以及省電特性皆優於液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)。由於有機發光二極體具有廣視角、高反應速度、超薄等特性，使得有機發光二極體面板應用範圍愈來愈廣泛。

有機發光二極體面板為藉由陰極電極與陽極電極驅動，而設置於其週遭的薄膜電晶體可能會受到陰極電極與陽極電極的電壓變化影響，因而導致薄膜電晶體在控制上的複雜性與不穩定性。

本新型之一技術態樣是在提供一種有機發光二極體顯示裝置，以有效降低陰極電極與陽極電極可能對於薄膜電晶體造成的影響。

根據本新型一實施方式，一種有機發光二極體顯示裝置包含基板、第一閘極電極、第一絕緣層、半導體層、源極電極、汲極電極、有機保護層、陰極電極、有機層與陽極電極。第一閘極電極設置於基板上。第一絕緣層設置於基板上，且覆蓋第一閘極電極。半導體層設置於第一絕緣層上。源極電極與汲極電極分別設置於半導體層上，其中半導體層具有裸露於源極電極與汲極電極的裸露部份，且裸露部份於基板上的正投影與第一閘極電極至少部份重疊。有機保護層覆蓋源極電極、汲極電極與半導體層。陰極電極設置於有機保護層上。有機層設置於陰極電極上。陽極電極設置於有機層上。

於本新型之一或多個實施方式中，有機保護層之厚度為約2微米至3微米。

於本新型之一或多個實施方式中，有機發光二極體顯示裝置更包含無機保護層。無機保護層設置於有機保護層和源極電極、汲極電極與半導體層之間，且覆蓋源極電極、汲極電極與半導體層。

於本新型之一或多個實施方式中，有機發光二極體顯示裝置更包含第二閘極電極。第二閘極電極設置於無機保護層與有機保護層之間，其中第二閘極電極於半導體層上的正投影與裸露部份至少部份重疊。

於本新型之一或多個實施方式中，有機發光二極體顯示裝置更包含屏蔽層與第二絕緣層。屏蔽層設置於有機保護層與陰極電極之間，其中屏蔽層之材質為導電材質，且屏蔽層具有固定電位。第二絕緣層設置於陰極電極與屏蔽層之間。

根據本新型另一實施方式，一種有機發光二極體顯示裝置包含基板、第一閘極電極、第一絕緣層、半導體層、源極電極、汲極電極、有機保護層、陽極電極、有機層與陰極電極。第一閘極電極設置於基板上。第一絕緣層設置於基板上，且覆蓋第一閘極電極。半導體層設置於第一絕緣層上。源極電極與汲極電極分別設置於半導體層上，其中半導體層具有裸露於源極電極與汲極電極的裸露部份，且裸露部份於基板上的正投影與第一閘極電極至少部份重疊。有機保護層覆蓋源極電極、汲極電極與半導體層。陽極電極設置於有機保護層上，其中陽極電極具有裸露有機保護層的開口，開口於半導體層上的正投影與裸露部份至少部份重疊。有機層設置於陽極電極上。陰極電極設置於有機層上。

於本新型之一或多個實施方式中，有機發光二極體顯示裝置更包含屏蔽層與第二絕緣層。屏蔽層設置於有機保護層與陽極電極之間，其中屏蔽層之材質為導電材質，且屏蔽層具有固定電位。第二絕緣層設置於陽極電極與屏蔽層之間。

本新型上述實施方式藉由將陽極電極設置於有機層上，陰極電極設置於有機層下方，因為陰極電極的電位為各個畫素的共用電位，因此陰極電極的電位為固定，將不易對於薄膜電晶體造成影響，而陽極電極為設置於有機層上，與薄膜電晶體的距離較遠，因此陽極電極亦不易對於薄膜電晶體造成影響。於是，有機發光二極體顯示裝置將能有效降低陰極電極與陽極電極可能對於薄膜電晶體造成的影響。

2‧‧‧線段

100‧‧‧有機發光二極體顯示裝置

111、112‧‧‧電源線

113‧‧‧掃描線

120、130‧‧‧薄膜電晶體

131‧‧‧第一閘極電極

132‧‧‧第一絕緣層

133‧‧‧半導體層

133a‧‧‧主動層

133b‧‧‧歐姆接觸層

133e‧‧‧裸露部份

134‧‧‧源極電極

135‧‧‧汲極電極

136‧‧‧第二閘極電極

137‧‧‧無機保護層

150‧‧‧基板

151‧‧‧陽極電極

151p‧‧‧開口

152‧‧‧有機層

153‧‧‧陰極電極

154‧‧‧有機保護層

156‧‧‧屏蔽層

157‧‧‧第二絕緣層

第1圖繪示依照本新型一實施方式的有機發光二極體顯示裝置的上視示意圖。

第2圖繪示依照本新型一實施方式的有機發光二極體顯示裝置的剖面示意圖，其剖面位置為沿第1圖之線段2。

第3圖繪示依照本新型另一實施方式的有機發光二極體顯示裝置的剖面示意圖，其剖面位置為沿第1圖之線段2。

第4圖繪示依照本新型又一實施方式的有機發光二極體顯示裝置的剖面示意圖，其剖面位置為沿第1圖之線段2。

第5圖繪示依照本新型再一實施方式的有機發光二極體顯示裝置的剖面示意圖，其剖面位置為沿第1圖之線段2。

第6圖繪示依照本新型再一實施方式的有機發光二極體顯示裝置的剖面示意圖，其剖面位置為沿第1圖之線段2。

第7圖繪示依照本新型再一實施方式的有機發光二極體顯示裝置的剖面示意圖，其剖面位置為沿第1圖之線段2。

以下將以圖式揭露本新型之複數個實施方式，為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解到，這些實務上的細節不應用以限制本新型。也就是說，在本新型部分實施方式中，這些實務上的細節是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。

第1圖繪示依照本新型一實施方式的有機發光二極體顯示裝置100的上視示意圖。本新型不同實施方式提供一種有機發光二極體顯示裝置100。具體而言，有機發光二極體顯示裝置100為上發光式有機發光二極體顯示裝置。

如第1圖所繪示，有機發光二極體顯示裝置100包含複數個電源線111、112、複數個掃描線113、複數個資料線114、複數個薄膜電晶體120、130與複數個陽極電極151。電源線111、112、掃描線113、資料線114排列形成複數個矩陣單元，其中薄膜電晶體120、130與陽極電極151分別設置於矩陣單元中，以形成複數個畫素。為了增加畫素的開口率(發光區域)，陽極電極151通常會佈滿整個矩陣單元，於是將會覆蓋薄膜電晶體130。

第2圖繪示依照本新型一實施方式的有機發光二極體顯示裝置100的剖面示意圖，其剖面位置為沿第1圖之線段2。如第2圖所繪示，有機發光二極體顯示裝置100更包含基板150、有機層152、陰極電極153與有機保護層154。薄膜電晶體130包含第一閘極電極131、第一絕緣層132、半導體層133、源極電極134、汲極電極135。第一閘極電極131設置於基板150上。第一絕緣層132設置於基板150上，且覆蓋第一閘極電極131。半導體層133設置於第一絕緣層132上。源極電極134與汲極電極135分別設置於半導體層133上，其中半導體層133具有裸露於源極電極134與汲極電極135的裸露部份133e，且裸露部份133e於基板150上的正投影與第一閘極電極131至少部份重疊。有機保護層154覆蓋源極電極134、汲極電極135與半導體層133。陰極電極153設置於有機保護層154上。有機層152設置於陰極電極153上。陽極電極151設置於有機層152上。

因為陰極電極153與陽極電極151為設置於薄膜電晶體130正方上，陰極電極153與陽極電極151的電壓變化可能會影響薄膜電晶體130的操作(特別是影響半導體層133的通道)，因而導致薄膜電晶體130在控制上的複雜性與不穩定性。

藉由將陽極電極151設置於有機層152上，陰極電極153設置於有機層152下方，因為陰極電極153的電位為各個畫素的共用電位，因此陰極電極153的電位為固 定，將不易對於薄膜電晶體130造成影響，而陽極電極151為設置於有機層152上，與薄膜電晶體130的距離較遠，因此陽極電極151亦不易對於薄膜電晶體130造成影響。於是，有機發光二極體顯示裝置100將能有效降低陰極電極153與陽極電極151可能對於薄膜電晶體130造成的影響。

具體而言，薄膜電晶體130更包含無機保護層137。無機保護層137設置於有機保護層154和源極電極134、汲極電極135與半導體層133之間，且覆蓋源極電極134、汲極電極135與半導體層133。

因為源極電極134、汲極電極135與半導體層133和陰極電極153與陽極電極151被有機保護層154與無機保護層137隔開，因此將能降低源極電極134、汲極電極135與半導體層133和陰極電極153與陽極電極151之間的有效介電常數，進而有效降低陰極電極153與陽極電極151可能對於薄膜電晶體130造成的影響。

具體而言，有機保護層154之厚度為約2微米至3微米。應了解到，以上所舉之有機保護層154之厚度僅為例示，並非用以限制本新型，本新型所屬技術領域中具有通常知識者，應視實際需要，彈性選擇有機保護層154之厚度。

具體而言，半導體層133包含主動層133a與歐姆接觸層133b。主動層133a設置於第一絕緣層132上，歐姆接觸層133b設置於主動層133a上。裸露部份133e為主動層133a的一部分。更具體地說，主動層133a之材質可為非晶矽。

第3圖繪示依照本新型另一實施方式的有機發光二極體顯示裝置100的剖面示意圖，其剖面位置為沿第1圖之線段2。本實施方式的有機發光二極體顯示裝置100與前述實施方式的有機發光二極體顯示裝置100大致相同，以下主要描述其相異處。

如第3圖所繪示，有機發光二極體顯示裝置100更包含屏蔽層156與第二絕緣層157，且薄膜電晶體130沒有無機保護層137。屏蔽層156設置於有機保護層154與陰極電極153之間，其中屏蔽層156之材質為導電材質，且屏蔽層156具有固定電位。第二絕緣層157設置於陰極電極153與屏蔽層156之間。藉由屏蔽層156所產生的屏蔽效應，將能更進一步地降低陰極電極153與陽極電極151可能對於薄膜電晶體130造成的影響。

第4圖繪示依照本新型又一實施方式的有機發光二極體顯示裝置100的剖面示意圖，其剖面位置為沿第1圖之線段2。本實施方式的有機發光二極體顯示裝置100與第2圖的有機發光二極體顯示裝置100大致相同，以下主要描述其相異處。

如第4圖所繪示，薄膜電晶體130更包含第二閘極電極136。第二閘極電極136設置於無機保護層137與有機保護層154之間，其中第二閘極電極136於半導體層133上的正投影與裸露部份133e至少部份重疊。藉由設置第二閘極電極136，第一閘極電極131與第二閘極電極136 將能共同控制半導體層133的通道，因而進一步增加薄膜電晶體130的控制能力。

第5圖繪示依照本新型再一實施方式的有機發光二極體顯示裝置100的剖面示意圖，其剖面位置為沿第1圖之線段2。如第5圖所繪示，有機發光二極體顯示裝置100更包含基板150、有機層152、陰極電極153與有機保護層154。電晶體130包含第一閘極電極131、第一絕緣層132、半導體層133、源極電極134與汲極電極135。第一閘極電極131設置於基板150上。第一絕緣層132設置於基板150上，且覆蓋第一閘極電極131。半導體層133設置於第一絕緣層132上。源極電極134與汲極電極135分別設置於半導體層133上，其中半導體層133具有裸露於源極電極134與汲極電極135的裸露部份133e，且裸露部份133e於基板150上的正投影與第一閘極電極131至少部份重疊。有機保護層154覆蓋源極電極134、汲極電極135與半導體層133。陽極電極151設置於有機保護層154上，其中陽極電極151具有裸露有機保護層154的開口151p，開口151p於半導體層133上的正投影與裸露部份133e至少部份重疊。有機層152設置於陽極電極151上。陰極電極153設置於有機層152上。

藉由設置陽極電極151的開口151p於半導體層133的裸露部份133e上方，將能有效降低陽極電極151對於半導體層133之通道的影響，進而增加薄膜電晶體130的控制能力。

具體而言，薄膜電晶體130更包含無機保護層137。無機保護層137設置於有機保護層154和源極電極134、汲極電極135與半導體層133之間，且覆蓋源極電極134、汲極電極135與半導體層133。

具體而言，有機保護層154之厚度為約2微米至3微米。應了解到，以上所舉之有機保護層154之厚度僅為例示，並非用以限制本新型，本新型所屬技術領域中具有通常知識者，應視實際需要，彈性選擇有機保護層154之厚度。

第6圖繪示依照本新型另一實施方式的有機發光二極體顯示裝置100的剖面示意圖，其剖面位置為沿第1圖之線段2。本實施方式的有機發光二極體顯示裝置100與第5圖的有機發光二極體顯示裝置100大致相同，以下主要描述其相異處。

如第6圖所繪示，有機發光二極體顯示裝置100更包含屏蔽層156與第二絕緣層157，且有機發光二極體顯示裝置100沒有無機保護層137。屏蔽層156設置於有機保護層154與陽極電極151之間，其中屏蔽層156之材質為導電材質，且屏蔽層156具有固定電位。第二絕緣層157設置於陽極電極151與屏蔽層156之間。藉由屏蔽層156所產生的屏蔽效應，將能更進一步地降低陰極電極153與陽極電極151可能對於薄膜電晶體130造成的影響。

第7圖繪示依照本新型又一實施方式的有機發光二極體顯示裝置100的剖面示意圖，其剖面位置為沿第1圖之線段2。本實施方式的有機發光二極體顯示裝置 100與第5圖的有機發光二極體顯示裝置100大致相同，以下主要描述其相異處。

如第7圖所繪示，薄膜電晶體130更包含第二閘極電極136。第二閘極電極136設置於無機保護層137與有機保護層154之間，其中第二閘極電極136於半導體層133上的正投影與裸露部份133e至少部份重疊。藉由設置第二閘極電極136，第一閘極電極131與第二閘極電極136將能共同控制半導體層133的通道，因而進一步增加薄膜電晶體130的控制能力。

本新型上述實施方式藉由將陽極電極151設置於有機層152上，陰極電極153設置於有機層152下方，因為陰極電極153的電位為各個畫素的共用電位，因此陰極電極153的電位為固定，將不易對於薄膜電晶體130造成影響，而陽極電極151為設置於有機層152上，與薄膜電晶體130的距離較遠，因此陽極電極151亦不易對於薄膜電晶體130造成影響。於是，有機發光二極體顯示裝置100將能有效降低陰極電極153與陽極電極151可能對於薄膜電晶體130造成的影響。

雖然本新型已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本新型，任何熟習此技藝者，在不脫離本新型之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本新型之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

Claims (10)

1. 一種有機發光二極體顯示裝置，包含：一基板；一第一閘極電極，設置於該基板上；一第一絕緣層，設置於該基板上，且覆蓋該第一閘極電極；一半導體層，設置於該第一絕緣層上；一源極電極與一汲極電極，分別設置於該半導體層上，其中該半導體層具有裸露於該源極電極與該汲極電極的一裸露部份，且該裸露部份於該基板上的正投影與該第一閘極電極至少部份重疊；一有機保護層，覆蓋該源極電極、該汲極電極與該半導體層；一陰極電極，設置於該有機保護層上；一有機層，設置於該陰極電極上；以及一陽極電極，設置於該有機層上。
2. 如請求項1所述之有機發光二極體顯示裝置，其中該有機保護層之厚度為約2微米至3微米。
3. 如請求項1所述之有機發光二極體顯示裝置，更包含：一無機保護層，設置於該有機保護層和該源極電極、該汲極電極與該半導體層之間，且覆蓋該源極電極、該汲極電極與該半導體層。
4. 如請求項3所述之有機發光二極體顯示裝置，更包含：一第二閘極電極，設置於該無機保護層與該有機保護層之間，其中該第二閘極電極於該半導體層上的正投影與該裸露部份至少部份重疊。
5. 如請求項1所述之有機發光二極體顯示裝置，更包含：一屏蔽層，設置於該有機保護層與該陰極電極之間，其中該屏蔽層之材質為導電材質，且該屏蔽層具有一固定電位；以及一第二絕緣層，設置於該陰極電極與該屏蔽層之間。
6. 一種有機發光二極體顯示裝置，包含：一基板；一第一閘極電極，設置於該基板上；一第一絕緣層，設置於該基板上，且覆蓋該第一閘極電極；一半導體層，設置於該第一絕緣層上；一源極電極與一汲極電極，分別設置於該半導體層上，其中該半導體層具有裸露於該源極電極與該汲極電極的一裸露部份，且該裸露部份於該基板上的正投影與該第一閘極電極至少部份重疊；一有機保護層，覆蓋該源極電極、該汲極電極與該半導體層；一陽極電極，設置於該有機保護層上，其中該陽極電極具有裸露該有機保護層的一開口，該開口於該半導體層上的正投影與該裸露部份至少部份重疊；一有機層，設置於該陽極電極上；以及一陰極電極，設置於該有機層上。
7. 如請求項6所述之有機發光二極體顯示裝置，其中該有機保護層之厚度為約2微米至3微米。
8. 如請求項6所述之有機發光二極體顯示裝置，更包含：一無機保護層，設置於該有機保護層和該源極電極、該汲極電極與該半導體層之間，且覆蓋該源極電極、該汲極電極與該半導體層。
9. 如請求項8所述之有機發光二極體顯示裝置，更包含：一第二閘極電極，設置於該無機保護層與該有機保護層之間，其中該第二閘極電極於該半導體層上的正投影與該裸露部份至少部份重疊。
10. 如請求項6所述之有機發光二極體顯示裝置，更包含：一屏蔽層，設置於該有機保護層與該陽極電極之間，其中該屏蔽層之材質為導電材質，且該屏蔽層具有一固定電位；以及一第二絕緣層，設置於該陽極電極與該屏蔽層之間。