TWM569942U - Multi-frequency antenna device - Google Patents

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TWM569942U
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周志伸
葉宗壽
楊翔程
呂清霖
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詠業科技股份有限公司
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Abstract

本創作為一種多頻天線裝置，於一絕緣基體的第一表面上設置至少一第一電極層及至少一第二電極層，其中第二電極層位於第一電極層的外圍。於絕緣基體的第二表面上設置至少一第三電極層，第一表面與第二表面為隔著該絕緣基體相對的兩個表面。一導電元件穿透絕緣基體，並連接第一電極層。至少一凹槽設置於絕緣基體的側表面及/或第二表面，凹槽在第一表面的投影與第二電極層完全或部分重疊。第一電極層與第二電極層可形成不同的共振頻率，透過凹槽的設置可改變第二電極層與第三電極層之間的有效介電係數，以調整第二電極層所產生的共振頻率。

Description

多頻天線裝置
本創作是有關於一種多頻天線裝置，主要於設置電極層的絕緣基體上設置至少一凹槽，藉此以改變介於第二電極層與第三電極層之間的夾層的有效介電係數，並達到調整電極層所產生的共振頻率的目的。
相較於一般的天線，微帶天線結構能夠用以製作圓極化天線，具有平面結構、可大量生產及方便整合在主動元件或電路板…等優點，因而被大量的應用在各種無線傳輸裝置上，例如全球定位系統GPS(Global Positioning System)或無線射頻辨識(RFID)。
請參閱圖1，為習用微帶天線之立體透視圖。如圖所示，習用之微帶天線10包括一絕緣基體11、一第一導電層13、一第二導電層15及一導電元件171，其中第一導電層13位於絕緣基體11的上表面，而第二導電層15則位於絕緣基體11的下表面。導電元件171貫穿絕緣基體11、第一導電層13及第二導電層15，並電性連接第一導電層13。
設置在絕緣基體11上表面的第一導電層13可作為微帶天線10的幅射體，而設置在絕緣基體11下表面的第二導電層15則為接地面。在透過微帶天線10進行無線射頻訊號的接收時，無線射頻訊號會由第一導電層13經由導電元件171輸入，而在進行無線射頻訊號的發射時，訊號則會經由導電元件171傳送至第一導電層13，並經由第一導電層13發射無線訊號。
微帶天線10能夠接收或發射之無線訊號的頻率與第一導電層13的長度及寬度相關，此外亦與絕緣基體11的介電係數相關。若欲製作共振頻率較低的微帶天線10，便需要增加第一導電層13的長度或寬度，如此一來將會增加微帶天線10的體積及製作成本。當然亦可選用介電係數較高的絕緣基體11製作微帶天線10，以達到降低微帶天線10之共振頻率的目的，此一方式雖然可避免增加微帶天線10的體積，但同樣會增加微帶天線10的製作成本。而當絕緣基體的尺寸與介電係數選定之後，基本上，在該微帶天線上能夠形成的共振頻率就已經固定，所以，在一個絕緣基體上製作具有兩個共振頻率的微帶天線時，不容易同時精確且有效的調整兩個共振頻率。
本創作提出一種多頻天線裝置，主要於絕緣基體的上表面設置第一電極層及第二電極層，並於絕緣基體的下表面設置第三電極層，其中第二電極層位於第一電極層的外圍，且和第一電極層沒有相互接觸。絕緣基體的側表面及/或下表面上可設置至少一凹槽，該凹槽與第二電極層部分或全部重疊。該第一電極層與該第二電極層可分別形成不同的共振頻率，而透過凹槽的設置可改變介於第二電極層與第三電極層之間的夾層的有效介電係數，藉此以調整第二電極層所產生的共振頻率。
本創作提出一種多頻天線裝置，主要於絕緣基體的側表面及/或下表面及/或絕緣基體的內部設置至少一凹槽，並使得凹槽在第一表面的投影與絕緣基體上的部分電極層重疊。此外亦可調整凹槽在第一表面的投影與電極層的重疊面積及/或調整凹槽的縱向深度及/或凹槽的設置位置，以調整電極層所產生的共振頻率。
本創作提出一種多頻天線裝置，包括：一絕緣基體，包括至少一第一通孔、一第一表面、一第二表面及至少一側表面，其中第一表面與第二表面為隔著絕緣基體相對的兩個表面，且第一表面經由側表面連接第二表面，而第一通孔穿透絕緣基體；至少一第一電極層，建置於絕緣基體的第一表面；至少一第二電極層，設置在絕緣基體的第一表面，並位於第一電極層的外圍，且與第一電極層沒有相互接觸；至少一第三電極層，建置於絕緣基體的第二表面；至少一導電元件，穿過第一通孔並電性連接第一電極層，且不接觸第三電極層；及至少一凹槽，設置於絕緣基體的側表面或/及第二表面，其中凹槽在第一表面的投影與第二電極層完全或部分重疊，其中第一電極層用以產生一第一共振頻率，而第二電極層則用以產生一第二共振頻率，且第一共振頻率高於第二共振頻率。
本創作提出另一種多頻天線裝置，包括：一絕緣基體，包括至少一第一通孔、一第一表面及一第二表面，其中第一表面與第二表面為隔著絕緣基體相對的兩個表面，而第一通孔穿透絕緣基體；至少一第一電極層，建置於絕緣基體的第一表面；至少一第二電極層，設置在絕緣基體的第一表面，並位於第一電極層的外圍，且和第一電極層沒有相互接觸；至少一第三電極層，建置於絕緣基體的第二表面；一承載基體，包括至少一第二通孔、一第三表面、一第四表面及至少一側表面，其中第三表面與第四表面為隔著承載基體相對的兩個表面，且第三表面經由側表面連接第四表面，而第二通孔穿透承載基體，其中第三表面之全部或部分區域附著於絕緣基體的第二表面，且第二通孔連通絕緣基體的第一通孔；至少一導電元件，穿過第一通孔及第二通孔並電性連接第一電極層，且不接觸第三電極層；及至少一凹槽，設置於絕緣基體的側表面或/及第二表面，或/及承載基體的側表面或/及第三表面或/及第四表面，其中凹槽在第一表面的投影與第二電極層完全或部分重疊，其中第一電極層用以產生一第一共振頻率，而第二電極層則用以產生一第二共振頻率，且第一共振頻率高於第二共振頻率。
本創作還提供一種多頻天線裝置，包括：一絕緣基體，包括至少一第一通孔、一第一表面、一第二表面及至少一側表面，其中第一表面與第二表面為隔著絕緣基體相對的兩個表面，且第一表面經由側表面連接第二表面，而第一通孔穿透絕緣基體；至少一第一電極層，建置於絕緣基體的第一表面；至少一第二電極層，設置在絕緣基體的第一表面，並位於第一電極層的外圍；一承載基體，包括至少一第二通孔、一第三表面、一第四表面及至少一側表面，其中第三表面與第四表面為隔著承載基體相對的兩個表面，且第三表面經由側表面連接第四表面，而第二通孔穿透承載基體，其中第三表面之全部或部分區域附著於絕緣基體的第二表面，且第二通孔連通絕緣基體的第一通孔；至少一導電元件，穿過第一通孔及第二通孔並電性連接第一電極層；及至少一凹槽，設置於絕緣基體的側表面或/及第二表面，或/及承載基體的側表面或/及第三表面或/及第四表面，其中凹槽在第一表面的投影與第二電極層完全或部分重疊，其中第一電極層用以產生一第一共振頻率，而第二電極層則用以產生一第二共振頻率，且第一共振頻率高於第二共振頻率。
請參閱圖2及圖3，分別為本創作多頻天線裝置一實施例之頂部及底部立體示意圖。如圖所示，多頻天線裝置20主要包括一絕緣基體21、至少一第一電極層231、至少一第二電極層233、至少一第三電極層235、至少一導電元件25及至少一凹槽27。
絕緣基體21包括一第一表面211、一第二表面213、至少一側表面215及至少一第一通孔217，其中第一表面211與第二表面213為隔著絕緣基體21相對的兩個表面，例如第一表面211為頂表面，而第二表面213為底表面。此外第一表面211經由側表面215連接第二表面213，例如絕緣基體21可為一多邊型柱體或一圓柱體。第一通孔217穿透絕緣基體21，例如第一通孔217連通絕緣基體21的第一表面211及第二表面213。
第一電極層231及第二電極層233設置於絕緣基體21的第一表面211，其中第二電極層233位於第一電極層231的外圍，且第一電極層231及第二電極層233不相接觸。
在本創作一實施例中，如圖2所示，第二電極層233可緊靠著絕緣基體21的各個側表面215設置，如圖4所示。在不同實施例中，如圖2及圖6所示，第二電極層233亦可不靠著絕緣基體21的各個側表面215，並與各個側表面215之間存在一間隙212。
在本創作一實施例中，第二電極層233的數量為一個，其中第二電極層233可為連續的環狀構造，並環繞設置在第一電極層231的周圍，如圖4所示。例如第二電極層233為環狀構造，並可在絕緣基體21的第一表面211上形成一設置區域219，此設置區域219為第二電極層233所環繞出來的內部區域，而第一電極層231則設置在設置區域219內。在本創作另一實施例中，第二電極層233的數量可為複數個，且複數個第二電極層233設置在第一電極層231的外圍，如圖5所示。
在本創作一實施例中，如圖4所示，第一電極層231可不設置在設置區域219的中央或中心，也就是說偏向設置區域219的某一側邊或某一角落。例如第一電極層231可為多邊形，並可能包括四個以上的邊，其中第一電極層231的四個相對比較大的邊與第二電極層233的四個相鄰的邊之間具有四個相對應的間距。最小的間距為第一間距L1，而依順時針方向分別為第二間距L2、第三間距L3及第四間距L4，其中第一間距L1不等於第三間距L3，而第二間距L2不等於第四間距L4。
第三電極層235設置在絕緣基體21第二表面213的部份區域，如圖3所示，或者是將第三電極層235設置在絕緣基體21全部的第二表面213，如圖7所示，其中第三電極層235隔著絕緣基體與第一電極層231及/或第二電極層233相對。導電元件25穿過絕緣基體21上的第一通孔217，並電性連接第一電極層231，且不接觸第三電極層235。
具體來說，第一電極層231及/或第三電極層235亦設置穿孔，其中設置在絕緣基體21上的第一電極層231及第三電極層235的穿孔與絕緣基體21上的第一通孔217的位置，構成部分或全部重疊。導電元件25的截面積小於絕緣基體21的第一通孔217的截面積，使得導電元件25可放入基體21的第一通孔217內。在本創作一實施例中，導電元件25的一端可連接第一電極層231，而導電元件25的另一端則用以電性連接一訊號饋入端(未顯示)。
第一電極層231用以產生一第一共振頻率，而第二電極層233則用以產生一第二共振頻率，且第一共振頻率高於第二共振頻率。
凹槽27設置於絕緣基體21的側表面215及/或第二表面213，其中凹槽27在第一表面的投影與第二電極層233完全或部分重疊。在本創作一實施例中，如圖3所示，凹槽27是設置在絕緣基體21的各個側表面215。在不同實施例中，如圖8所示，凹槽27則是設置在絕緣基體21的第二表面213。此外圖3及圖8的凹槽27並未貫穿絕緣基體21，在不同實施例中，凹槽27亦可貫穿絕緣基體21。
本創作其中一個特點在於，在絕緣基體21的第二表面213及/或至少一側表面215上設置凹槽27，並使得凹槽27在第一表面的投影與設置在絕緣基體21的第一表面211上的第二電極層233完全或部分重疊。藉由凹槽27的設置，將可改變介於第二電極層233與第三電極層235之間的夾層的有效介電係數，也可以改變介於第二電極層233與多頻天線裝置20下方接地平面29之間的有效介電係數，如圖9所示，其中多頻天線裝置20設置在接地平面29(例如:電路板上的接地平面)上，並改變第二電極層233所產生的第二共振頻率的頻率值，例如：透過凹槽27的設置將可降低介於第二電極層233與第三電極層235及/或接地平面29之間的夾層的有效介電係數，並提高第二電極層233所產生的第二共振頻率。
在不同實施例中，亦可改變絕緣基體21上設置的凹槽27的位置，例如於絕緣基體21的各個側表面215上分別設置一個或多個凹槽27，如圖3所示。此外亦可僅在絕緣基體21的部分側表面215上設置一個或多個凹槽27，其中各個凹槽27以對稱的方式設置，例如凹槽27分別設置在絕緣基體21相對的側表面215，如圖10所示。當然亦可將凹槽27環繞設置在絕緣基體21的側表面215，如圖11所示。此外亦可將凹槽27設置在絕緣基體21的部分或全部的側表面215，且凹槽27沒有延伸到絕緣基體21的第一表面211及第二表面213，如圖12所示。
在實際應用時可改變凹槽27在第一表面的投影與第二電極層233的重疊面積、改變凹槽27沿著側表面215上的縱向深度及/或改變凹槽27的設置位置，以調整第二電極層233所產生的第二共振頻率，並使得第二共振頻率符合多頻天線裝置20的設計需求。
在本創作另一實施例中，絕緣基體21上的第一通孔217的數量亦可為兩個，如圖13及14所示，其中兩個第一通孔217皆穿透絕緣基體21，並分別將兩個導電元件25設置在兩個第一通孔217內，兩個導電元件25分別連接第一電極層211，且不接觸第三電極層235，並分別連接訊號饋入端(未顯示)。
請參閱圖15及圖16，分別為本創作多頻天線裝置一實施例之頂部及底部的立體分解圖。本創作實施例的多頻天線裝置30與上述實施例的多頻天線裝置20相似，主要的差別在於多頻天線裝置30還包括一承載基體39。承載基體39可由絕緣材料所製作，亦可由金屬或導電材質所製作，並包括一第三表面391、一第四表面393及至少一側表面395。第三表面391與第四表面393為隔著承載基體39相對的兩個表面，且第三表面391經由側表面395連接第四表面393。
承載基體39包括至少一第二通孔397，其中第二通孔397穿透承載基體39。承載基體39透過第三表面391之全部或部分區域附著於絕緣基體21的第二表面213，其中承載基體39的第二通孔397與絕緣基體21的第一通孔217相連通，而導電元件25則穿過第一通孔217及第二通孔397。
在本創作一實施例中，亦可於承載基體39的第四表面393上設置一第四電極層237，當然第四電極層237並非本創作的必要構件，亦非本創作權利範圍的限制。
在本創作另一實施例中，如圖17所示，承載基體39亦可包括至少一鏤空區399，其中承載基板39的鏤空區399可和絕緣基體21上凹槽27，部分區域重疊或全部重疊，甚至完全不重疊。此外鏤空區399的截面積可大於、等於或小於凹槽27的截面積。
在本創作另一實施例中，多頻天線裝置30上亦可不用設置第三電極層235及第四電極層237，具體來說多頻天線裝置30僅透過第一電極層231及第二電極層233，亦可產生兩種以上的共振頻率。
請參閱圖18及圖19，分別為本創作多頻天線裝置又一實施例之頂部及底部分解立體示意圖。如圖所示，多頻天線裝置40主要包括一絕緣基體41、至少一第一電極層431、至少一第二電極層433、至少一第三電極層435、一承載基體47、至少一導電元件45及至少一凹槽49。
絕緣基體41包括一第一表面411、一第二表面413、至少一側表面415及至少一第一通孔417，其中第一表面411與第二表面413為隔著絕緣基體41相對的兩個表面，例如第一表面411為頂表面，而第二表面413為底表面。此外第一表面411經由側表面415連接第二表面413，使得絕緣基體41為一多邊型柱體或一圓柱體。第一通孔417穿透絕緣基體41，例如第一通孔417連通絕緣基體41的第一表面411及第二表面413。
第一電極層431及第二電極層433設置於絕緣基體41的第一表面411，其中第二電極層433位於第一電極層431的外圍，且第一電極層431及第二電極層433不相接觸。
第三電極層435設置在絕緣基體41的第二表面413，並與第一電極層431及/或第二電極層433相對。導電元件45穿過絕緣基體41上的第一通孔417，並電性連接第一電極層431，且不接觸第三電極層435。
承載基體47包括一第三表面471、一第四表面473及至少一側表面475，其中第三表面471與第四表面473為隔著承載基體47相對的兩個表面。第三表面471經由側表面475連接第四表面473，而第二通孔477則穿透承載基體47。承載基體47的第三表面471之全部或部分區域附著於絕緣基體41的第二表面413，其中承載基體47的第二通孔477與絕緣基體41的第一通孔417相連通。
導電元件45穿過第一通孔417及第二通孔477，並電性連接第一電極層431，且不接觸第三電極層435。凹槽49設置於承載基體47的側表面475及/或第三表面471及/或第四表面473，其中凹槽49在第一表面的投影與第二電極層433完全或部分重疊。第一電極層431用以產生一第一共振頻率，而第二電極層433則用以產生一第二共振頻率，且第一共振頻率高於第二共振頻率。凹槽49的數量可為複數個，並以對稱的方式設置在承載基體47的側表面475及/或第三表面471及/或第四表面473。
在本創作一實施例中承載基體47可為絕緣材質，並可於承載基體47的第四表面473上設置至少一第四電極層437，並使得第四電極層437不接觸導電元件45。此外第四電極層437的面積大於第三電極層435的面積。在本創作另一實施例中，承載基體47亦可由金屬材質所製成，並使得承載基體47不接觸導電元件45。具體來說當承載基體47為金屬材質時，便不需要額外設置第四電極層437。
在本創作一實施例中，第一電極層431未接觸第二電極層433，並在第一電極層431及第二電極層433之間形成距離不等的間距，俯視圖如圖4所示。此外第一通孔417及第二通孔477的數量亦分別可為兩個，兩個第一通孔417及兩個第二通孔477分別對應連通，並分別將兩個導電元件45分別設置在兩個第一通孔417及兩個第二通孔477內，且兩個導電元件45的一端分別連接第一電極層431，不接觸第三電極層435，而導電元件45的另一端則分別連接訊號饋入端(未顯示)。
在本創作另一實施例中，多頻天線裝置40上亦可不用設置第三電極層435及/或第四電極層437，具體來說多頻天線裝置40僅透過第一電極層431及第二電極層433，便可產生兩種以上的共振頻率。此外可將至少一凹槽49設置於絕緣基體41的側表面或第二表面213，或者是設置於承載基體49的側表面或第三表面471或第四表面473，以達到調整多頻天線裝置40產生的共振頻率的目的。
請參閱圖20及圖21，分別為本創作多頻天線裝置又一實施例之頂部及底部立體示意圖。如圖所示，多頻天線裝置50主要包括一絕緣基體21、至少一第一電極層531、至少一第二電極層533、至少一導電元件25、至少一凹槽27及一承載基體59。
絕緣基體21包括一第一表面211、一第二表面213、至少一側表面215及至少一第一通孔217，其中第一表面211與第二表面213為隔著絕緣基體21相對的兩個表面，例如第一表面211為頂表面，而第二表面213為底表面。此外第一表面211經由側表面215連接第二表面213，使得絕緣基體21為一多邊型柱體或一圓柱體。第一通孔217穿透絕緣基體21，例如第一通孔217連通絕緣基體21的第一表面211及第二表面213。
第一電極層531及第二電極層533設置於絕緣基體21的第一表面211，其中第二電極層533位於第一電極層531的外圍，且第一電極層531及第二電極層533不相接觸。
凹槽27設置於絕緣基體21的側表面215及/或第二表面213，其中凹槽27在第一表面的投影與第二電極層533完全或部分重疊。第一電極層531用以產生一第一共振頻率，而第二電極層533則用以產生一第二共振頻率，且第一共振頻率高於第二共振頻率。
承載基體59包括一第三表面591、一第四表面593及至少一側表面595，其中第三表面591與第四表面593為隔著承載基體59相對的兩個表面，且第三表面591經由側表面595連接第四表面593，而第二通孔597穿透承載基體59。
承載基體59的第三表面591之全部或部分區域附著於絕緣基體21的第二表面213，其中承載基體59的第二通孔597與絕緣基體21的第一通孔217相連通。導電元件25穿過第一通孔217及第二通孔597並電性連接第一電極層531。具體來說，本創作實施例與圖15及圖16的差異處在於，本創作實施例的絕緣基體21的第二表面213上並未設置導電層。
在本創作一實施例中，承載基體59可為絕緣材質，並可於承載基體59的第四表面593上設置至少一第三電極層535，並使得第三電極層535不接觸導電元件25。在本創作另一實施例中，承載基體59亦可由金屬材質所製成，並使得承載基體59不接觸導電元件25。具體來說當承載基體59為金屬材質時，便不需要額外設置第三電極層535。
在本創作另一實施例中，除了於絕緣基體21上設置凹槽27外，亦可於承載基體39、47、59上設置凹槽49，其中承載基體39、47、59的凹槽49可面向絕緣基體21的凹槽27，例如凹槽49設置於承載基體39、47、59的上表面，使得承載基體39、47、59的凹槽49與絕緣基體21的凹槽27連通，如圖22所示。當然凹槽49亦可設置在承載基體39、47、59的下表面，使得承載基體39、47、59的凹槽49與絕緣基體21的凹槽27朝同一個方向，如圖23所示。當然，凹槽49也可以只設置在承載基體39、47、59的側表面。
以上所述者，僅為本創作之較佳實施例而已，並非用來限定本創作實施之範圍，即凡依本創作申請專利範圍所述之形狀、構造、特徵及精神所為之均等變化與修飾，均應包括於本創作之申請專利範圍內。
10‧‧‧微帶天線
11‧‧‧絕緣基體
13‧‧‧第一導電層
15‧‧‧第二導電層
171‧‧‧導電元件
20‧‧‧多頻天線裝置
21‧‧‧絕緣基體
211‧‧‧第一表面
212‧‧‧間隙
213‧‧‧第二表面
215‧‧‧側表面
217‧‧‧第一通孔
219‧‧‧設置區域
231‧‧‧第一電極層
233‧‧‧第二電極層
235‧‧‧第三電極層
237‧‧‧第四電極層
25‧‧‧導電元件
27‧‧‧凹槽
29‧‧‧接地平面
30‧‧‧多頻天線裝置
39‧‧‧承載基體
391‧‧‧第三表面
393‧‧‧第四表面
395‧‧‧側表面
397‧‧‧第二通孔
399‧‧‧鏤空區
40‧‧‧多頻天線裝置
41‧‧‧絕緣基體
411‧‧‧第一表面
413‧‧‧第二表面
415‧‧‧側表面
417‧‧‧第一通孔
431‧‧‧第一電極層
433‧‧‧第二電極層
435‧‧‧第三電極層
437‧‧‧第四電極層
45‧‧‧導電元件
47‧‧‧承載基體
471‧‧‧第三表面
473‧‧‧第四表面
475‧‧‧側表面
477‧‧‧第二通孔
49‧‧‧凹槽
50‧‧‧多頻天線裝置
531‧‧‧第一電極層
533‧‧‧第二電極層
535‧‧‧第三電極層
59‧‧‧承載基體
591‧‧‧第三表面
593‧‧‧第四表面
595‧‧‧側表面
597‧‧‧第二通孔
圖1：為習用微帶天線之立體透視圖。
圖2：為本創作多頻天線裝置一實施例之頂部的立體示意圖。
圖3：為本創作多頻天線裝置一實施例之底部的立體示意圖。
圖4：為本創作多頻天線裝置一實施例之俯視圖。
圖5：為本創作多頻天線裝置又一實施例的俯視圖。
圖6：為本創作多頻天線裝置又一實施例之頂部的立體示意圖。
圖7：為本創作多頻天線裝置又一實施例之底部的立體示意圖。
圖8：為本創作多頻天線裝置又一實施例之底部的立體示意圖。
圖9：為本創作多頻天線裝置又一實施例之頂部的立體示意圖。
圖10：為本創作多頻天線裝置又一實施例之底部的立體示意圖。
圖11：為本創作多頻天線裝置又一實施例之底部的立體示意圖。
圖12：為本創作多頻天線裝置又一實施例之頂部的立體示意圖。
圖13：為本創作多頻天線裝置又一實施例之頂部的立體示意圖。
圖14：為本創作多頻天線裝置又一實施例之底部的立體示意圖。
圖15：為本創作多頻天線裝置又一實施例之頂部的立體分解圖。
圖16：為本創作多頻天線裝置又一實施例之底部的立體分解圖。
圖17：為本創作多頻天線裝置又一實施例之底部的立體分解圖。
圖18：為本創作多頻天線裝置又一實施例之頂部的立體分解圖。
圖19：為本創作多頻天線裝置又一實施例之底部的立體分解圖。
圖20：為本創作多頻天線裝置又一實施例之頂部的立體分解圖。
圖21：為本創作多頻天線裝置又一實施例之底部的立體分解圖。
圖22：為本創作多頻天線裝置又一實施例之頂部的立體示意圖。
圖23：為本創作多頻天線裝置又一實施例之頂部的立體示意圖。

Claims (20)

  1. 一種多頻天線裝置，包括： 一絕緣基體，包括至少一第一通孔、一第一表面、一第二表面及至少一側表面，其中該第一表面與該第二表面為隔著該絕緣基體相對的兩個表面，且該第一表面經由該側表面連接該第二表面，而該第一通孔穿透該絕緣基體； 至少一第一電極層，建置於該絕緣基體的該第一表面； 至少一第二電極層，設置在該絕緣基體的該第一表面，並位於該第一電極層的外圍，且該第二電極層未接觸該第一電極層； 至少一第三電極層，建置於該絕緣基體的該第二表面； 至少一導電元件，穿過該第一通孔並電性連接該第一電極層，且不接觸該第三電極層；及 至少一凹槽，設置於該絕緣基體的該側表面或該第二表面，其中該凹槽在該第一表面的投影與該第二電極層完全或部分重疊，其中該第一電極層用以產生一第一共振頻率，而該第二電極層則用以產生一第二共振頻率，且該第一共振頻率高於該第二共振頻率，其中該凹槽用以調整該第二電極層與該第三電極層之間的有效介電係數，並經由調整該第二電極層與該第三電極層之間的有效介電係數來調整該第二共振頻率。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的多頻天線裝置，其中該凹槽環繞設置在該絕緣基體的該側表面或該第二表面。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的多頻天線裝置，其中該凹槽的數量為複數個，並以對稱的方式設置在該絕緣基體的該側表面或該第二表面。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的多頻天線裝置，其中該導電元件電性連結一訊號饋入端。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的多頻天線裝置，包括一承載基體，該承載基體包括一第三表面、一第四表面及至少一側表面，其中該第三表面與該第四表面為隔著該承載基體相對的兩個表面，該第三表面經由該側表面連接該第四表面，且該第三表面之全部或部分區域附著於該絕緣基體的第二表面，其中該承載基體包括至少一第二通孔，該第二通孔穿透該承載基體，並連通該承載基體的第一通孔，且該導電元件穿過相連通的該第一通孔及該第二通孔。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的多頻天線裝置，其中該承載基體由絕緣材料所製成。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的多頻天線裝置，其中該承載基體具有至少一個鏤空區。
  8. 如申請專利範圍第5項所述的多頻天線裝置，其中該承載基體的該第四表面設置一第四電極層，且該導電元件不接觸該第四電極層。
  9. 如申請專利範圍第5項所述的多頻天線裝置，其中該承載基體由金屬材質所製成，且該導電元件不接觸該承載基體。
  10. 如申請專利範圍第1項所述的多頻天線裝置，其中該第一電極層的四個相對比較大的邊與該第二電極層之四個分別相鄰的邊，形成四個相對應的間距，其中最小的間距為第一間距，然後依順時針方向分別為第二間距、第三間距及第四間距，其中該第一間距不等於該第三間距，該第二間距不等於該第四間距。
  11. 如申請專利範圍第1項所述的多頻天線裝置，其中該絕緣基體具有兩個第一通孔，該兩個第一通孔穿透該絕緣基體，該導電元件的數量為兩個，分別設置在該兩個第一通孔中，並分別連接該第一電極層，且不接觸該第三電極層，該兩個導電元件分別用以連接一訊號饋入端。
  12. 一種多頻天線裝置，包括： 一絕緣基體，包括至少一第一通孔、一第一表面及一第二表面，其中該第一表面與該第二表面為隔著該絕緣基體相對的兩個表面，而該第一通孔穿透該絕緣基體； 至少一第一電極層，建置於該絕緣基體的該第一表面； 至少一第二電極層，設置在該絕緣基體的該第一表面，並位於該第一電極層的外圍，且該第二電極層未接觸該第一電極層； 一承載基體，包括至少一第二通孔、一第三表面、一第四表面及至少一側表面，其中該第三表面與該第四表面為隔著該承載基體相對的兩個表面，且該第三表面經由該側表面連接該第四表面，而該第二通孔穿透該承載基體，其中該第三表面之全部或部分區域附著於該絕緣基體的第二表面，且該第二通孔連通該絕緣基體的第一通孔； 至少一導電元件，穿過該第一通孔及該第二通孔並電性連接該第一電極層；及 至少一凹槽，設置於該絕緣基體的該側表面或該第二表面，或設置於該承載基體的該側表面或該第三表面或該第四表面，其中該凹槽在第一表面的投影與該第二電極層完全或部分重疊，其中該第一電極層用以產生一第一共振頻率，而該第二電極層則用以產生一第二共振頻率，且該第一共振頻率高於該第二共振頻率。
  13. 如申請專利範圍第12項所述的多頻天線裝置，包括至少一第三電極層，建置於該絕緣基體的該第二表面，且該導電元件不接觸該第三電極層。
  14. 如申請專利範圍第12項所述的多頻天線裝置，其中該承載基體由絕緣材料所製成。
  15. 如申請專利範圍第14項所述的多頻天線裝置，包括至少一第四電極層，建置於該承載基體的該第四表面，且該第四電極層不接觸該導電元件。
  16. 如申請專利範圍第12項所述的多頻天線裝置，其中該承載基體由金屬材料所製成，且該承載基體不接觸該導電元件。
  17. 如申請專利範圍第12項所述的多頻天線裝置，其中該導電元件用於電性連結一訊號饋入端。
  18. 如申請專利範圍第12項所述的多頻天線裝置，其中該第一電極層的四個相對比較大的邊與該第二電極層的四個分別相鄰的邊，形成四個相對應的間距，其中最小的間距為第一間距，然後依順時針方向分別為第二間距、第三間距及第四間距，其中該第一間距不等於該第三間距，該第二間距不等於該第四間距。
  19. 如申請專利範圍第13項所述的多頻天線裝置，其中該絕緣基體具有兩個第一通孔，而該承載基體則具有兩個第二通孔，該絕緣基體的兩個第一通孔與該承載基體的兩個第二通孔分別對應連通，其中該導電元件的數量為兩個，且相連通的該第一通孔及該第二通孔內皆分別設置一該導電元件，該導電元件分別連接該第一電極層及一訊號饋入端，且不接觸該第三電極層。
  20. 如申請專利範圍第15項所述的多頻天線裝置，其中該絕緣基體具有兩個第一通孔，而該承載基體則具有兩個第二通孔，該絕緣基體的兩個第一通孔與該承載基體的兩個第二通孔分別對應連通，其中該導電元件的數量為兩個，且相連通的該第一通孔及該第二通孔內皆分別設置一該導電元件，該導電元件分別連接該第一電極層及一訊號饋入端，且不接觸該第四電極層。
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