TWM530477U - 一種發光二極體的光學檢測裝置 - Google Patents

Description

一種發光二極體的光學檢測裝置

本創作是有關於一種發光二極體的光學檢測裝置，且特別有關於一種用於檢測發光二極體發光強度的檢測裝置。

發光二極體的結構有水平式、垂直式以及覆晶式三種。水平式發光二極體中，其兩個電極係設置於發光層之上，因此發光層受到電極之遮蔽而降低了發射光源之面積，便降低了其發光效率。同樣地，垂直式發光二極體的其中一個電極覆蓋在發光層上，亦降低了發光效率。相對地，覆晶式發光二極體的兩個電極與發光層係設置於基板的兩個相反面上，亦即，發光層不會受到電極的影響，因而使覆晶式發光二極體具有三種結構中最佳的發光效率。同時，覆晶式發光二極體還具有較小的熱衰退，相當適合用於發光二極體照明元件。

一般而言，發光二極體晶粒必須先通過測試後才能進行實際的應用，發光二極體的測試流程係將載有發光二極體之晶圓展開後承載於一檢測裝置之載具上，接著以探針接觸電極並通以電流使得發光二極體發光，再透過收光器(例如積分球或太陽能電池)檢測發光特性，並藉由探針檢測發光二極體之電性。

請參閱第1A圖，其顯示的是一種習知發光二極體的光學檢測裝置100。此習知發光二極體的檢測裝置100包括一載具110、一收光器120及一光偵測器130。載具110包括一承載台(chuck)140以及一支撐體(holder)150支撐承載台140，該支撐體150表面具有一真空孔155。一擴張膜180(例如藍膜或白膜) 用以貼附複數待檢測的發光二極體170於其表面上並可經擴晶步驟使擴張膜180表面的複數待檢測的發光二極體170彼此以預定的距離互相間隔，一夾持內環160A與一夾持外環160B夾持擴張膜180並且固定於支撐體150外。一抽氣裝置(未顯示)連通該真空孔155以將該載具與該擴張膜180之間的氣體抽出，使擴張膜180吸附於承載台140表面。測試時，二點測器190分別連接發光二極體170表面的正電極175A及負電極175B並點亮發光二極體170，使檢測中的發光二極體170所發出的光由收光器120的收光端125射入，然後再將收光器120所收集到的光線傳送到與收光器120連接的光偵測器130以進行光學檢測。

請參照第1B圖，當使用該習知用於發光二極體的光學檢測裝置100自真空孔155抽氣時，位於真空孔155上的擴張膜180會因距離真空孔155較近而迅速貼附於真空孔155，並直接阻擋真空孔155，使得位於承載台140與擴張膜180之間的空氣無法順利排出，進而造成擴張膜180無法平整貼附於於承載台140表面，導致點測器190在檢測每一發光二極體170時，上下針的距離必須拉長才能降低載具110移動時造成發光二極體170被點測器190刮傷的機率，造成檢測速度降低。此外，擴張膜180無法平整貼附於承載台140表面也將造成點測器190在下針時滑動，或發光二極體170容易發生位移或旋轉而導致量測時電性不穩。

有鑑於此，本創作乃揭露一種適用於發光二極體的光學檢測裝置，藉以改善上述習知用於發光二極體的光學檢測裝置的缺點。

本創作之一特徵是提供一種發光二極體的光學檢測裝置，包括：一承載台，用以承載待檢測的發光二極體，該承載台之局部或全部區域之透光度具可調變性；一點測器，朝向該承載台設置，用以檢測發光二極體的電性；以及一收光器，朝向該承載台設置，以收集檢測時該發光二極體所發出的光線。

以下將詳細說明本創作實施例之製作與使用方式。然應注意的是，本創作提供許多可供應用的創作概念，其可以多種特定形式實施。文中雖然以發光二極體元件作為舉例討論之特定實施例，然其僅為製造與使用本創作之特定方式，非用以限制本創作之範圍，任何具有相似結構的半導體元件也可適用於本創作。 實施例一：

以下將配合第2A~2E圖繪示的剖面示意圖，說明根據本創作實施例一的發光二極體光學檢測裝置。

首先，請參照第2A圖，其顯示的是本創作實施例一的發光二極體的光學檢測裝置200，光學檢測裝置200包括一載具210及一收光器220，並且較佳另包含一光偵測器230及一點測器290。載具210包括一承載台(chuck)240以及一支撐體(holder)250支撐承載台240，該承載台240係用以承載待測之發光二極體270，該支撐體250設有一第一真空孔255，且該光偵測器230及該點測器290係朝向該承載台240設置。

請參照第2B圖及第2C圖，其中第2B圖繪示的是本實施例的發光二極體光學檢測裝置中之載具210的剖面圖，而第2C圖繪示的本實施例的發光二極體光學檢測裝置中之載具210的俯視圖，其中，第2B圖為沿第2C圖的剖面線B-B’所呈現的剖面圖。

請先參照第2B圖所示，該承載台240具有一第一表面240a及一第二表面240b，該第一表面240a係與該第二表面240b相對，該第一表面240a係用以承載待測之發光二極體270。該承載台240的材質可以為透明或不透明，本實施例中的承載台240係呈現透明，使光得以穿過該承載台240，藉此檢測覆晶式發光二極體之發光特性。本實施例之承載台240為以透明的石英所構成，在本創作的其他實施例中，承載台240之材質也可選用透明的壓克力或玻璃。該支撐體250係圍繞承載台240並具有一凸部251，該凸部251係凸出於該承載台240之第一表面240a，使該支撐體250之凸部251與該承載台240之第一表面240a共同界定一凹穴260。該凸部251具有一側表面250a，且該側表面250a係朝向並環繞於該凹穴260，該第一真空孔255連通於該凹穴260，且本實施例之該第一真空孔255設於該側表面250a。

另請參照第2C圖，在本實施例之發光二極體的光學檢測裝置係包含數個第一真空孔255，並且相鄰的兩個第一真空孔255之間是以一隔牆256相分隔，該數個第一真空孔255係排列且環設於該支撐體250，各該第一真空孔255可為一圓形並具有一孔徑例如約2mm；而在本創作的其他實施例中，第一真空孔255係包含寬度約2mm的一長方形氣孔，該長方形氣孔係環設於該支撐體250。

請參照第2D及2E圖，此為本創作一實施例之發光二極體光學檢測裝置使用示意圖。其中係將複數待檢測的發光二極體270貼附於擴張膜280，擴張膜280係以夾持內環262A與夾持外環262B共同固定於支撐體250。本實施例中所用的擴張膜280，其材質是藍膜，在根據本創作的實施例中，擴張膜280之材質可選用白膜、解膠膜(UV release tape)或聚苯二甲酸乙二酯(PET)。此外，為使發光二極體270在量測時的收光角度變大，可先經擴晶步驟使擴張膜280表面複數待檢測的發光二極體270彼此以預定的距離互相間隔後，再固定於夾持內環262A與夾持外環262B之間，然後再將夾持內環262A與夾持外環262B置放於載具210。藉由連通於該第一真空孔255的一抽氣裝置(未顯示)對支撐體250的第一真空孔255抽氣，使承載台240與擴張膜280之間的空氣被抽離，進而使涵蓋複數個待檢測發光二極體270的擴張膜280因受負壓而平整地吸附於承載台240表面，如第2E圖所示。

請參照第2A圖，當使用光學檢測裝置200進行發光二極體的光學檢測時，將該收光器220朝向該承載台240之第一表面240a或第二表面240b設置，並以點測器290逐一通電流至每一個發光二極體270表面的正、負電極275A、275B，以依序點亮每一個發光二極體晶粒270，並且使檢測中的發光二極體270所發出的光透過收光端225進入收光器220內，最後再將收光器220所收集到的光線傳送到與收光器220連接的光偵測器230進行後續光學檢測，該光偵測器230可以為一光譜儀，該點測器290可以為兩個探針，在檢測時分別連接於發光二極體270之正電極275A及負電極275B。當該發光二極體為覆晶式發光二極體時，該收光器230之收光端225係朝向該第二表面240a設置，且該承載台240為透明，使覆晶式發光二極體所發出的光係向下穿透承載台240，以到達位於該承載台240下方之收光器220以檢測，而當該發光二極體270為水平式或垂直式發光二極體時，則該收光器220可以朝向該承載台240之第一表面240a或第二表面240b，以於適當方向進行收光。 實施例二：

以下將配合第3A及3B圖說明一種適用於根據本創作實施例二的發光二極體光學檢測裝置的載具剖面示意圖。

首先，請參照第3A圖，其顯示的是另一個適用於根據本創作實施例二的發光二極體的光學檢測裝置的載具310。載具310大抵與實施例一的載具210相似，均包括一承載台340及一支撐體350支撐承載台340。該承載台340具有一第一表面340a及一第二表面340b，該第一表面340a係與該第二表面340b相對，該第一表面340a係用以承載待測之發光二極體。該承載台340的材質可以為透明或不透明，本實施例中的承載台340之材質是由透明石英所構成，在根據本創作的其他實施例中，承載台340之材質也可選用透明的壓克力或玻璃。

該支撐體350係圍繞承載台340並具有一凸部351，該凸部351係凸出於該承載台340之第一表面340a，使該支撐體350之凸部351與該承載台340之第一表面340a共同界定一凹穴360，該凸部351具有一側表面350a，側表面350a係朝向並環繞於該凹穴360，且該第一真空孔255設於該側表面350a而朝向該凹穴360並連通於該凹穴360。本實施例之該凸部351另包含一上表面350b，該上表面350B為凸伸於該承載台340且遠離該第一表面340a之一表面，且該上表面350b與該側表面350a相連接，本實施例之支撐體350除了有設於該凸部351的側表面350a之第一真空孔355A外，另設有第二真空孔355B，且該第二真空孔355B設於該凸部351之上表面350b。在一實施例中，該支撐體350係設有數個第一真空孔355A及/或數個第二真空孔355B，且第一真空孔355A及/或第二真空孔355B的孔徑大小約2mm，而在根據本創作的其他實施例中，兩個相鄰第一真空孔355A及/或兩個相鄰第二真空孔355B之間具有一隔牆(圖未示)，且數個第一真空孔355A及/或第二真空孔355B係環繞該凹穴360。

請參照第3B圖所示，利用本創作一實施例之發光二極體光學檢測裝置檢測時，先提供一表面包括有複數待檢測的發光二極體370的擴張膜380，並固定於夾持內環362A與夾持外環362B之間，然後再將夾持內環362A與夾持外環362B置放於載具310上，且夾持內環362A與夾持外環362B是環繞於支撐體350外。本實施例於支撐體350設有第二真空孔355B係能夠提高表面包括有複數待檢測發光二極體370的擴張膜380被負壓吸附到承載台340的吸附速率及均勻度。此外，為使發光二極體370在量測時的收光角度變大，可先經擴晶手續使擴張膜380表面的複數檢測的發光二極體370彼此以預定的距離互相間隔後，再固定於夾持內環362A與夾持外環362B之間，然後再將夾持內環362A與夾持外環362B置放於載具310上進行後續光學量測。

接著，藉由與支撐體350連接的一抽氣裝置(未顯示)對支撐體350的第一真空孔355A及第二真空孔355B抽氣，使承載台340與擴張膜380之間的空氣被抽離，進而使涵蓋複數待檢測發光二極體370的擴張膜380被負壓均勻地吸附於承載台340之第一表面340a，然後再以點測器390逐一連接每一個發光二極體370表面的正、負電極375A、375B，依序點亮每一個發光二極體370，並且使檢測中的發光二極體370所發出的光向下穿透承載台340，再如實施例一所述般，進入位在載具310下方的收光器(未顯示)及與收光器連接的光偵測器(未顯示)，進行後續光學檢測。 實施例三：

以下將配合第4A~4B圖說明一種適用於根據本創作實施例三的發光二極體光學檢測裝置的載具剖面示意圖。

首先，請參照第4A圖，其顯示的是另一個適用於根據本創作實施例三的發光二極體光學檢測裝置的載具410。載具410大抵與實施例一的載具210相似，均包括包括一承載台440及一支撐體450支撐承載台440，該承載台440具有一第一表面440a及一第二表面440b，該第一表面440a係與該第二表面440b相對，該第一表面440a係用以承載待測之發光二極體。該承載台440的材質可以為透明或不透明，本實施例中的承載台440之材質是由透明石英所構成，在根據本創作的其他實施例中，承載台440之材質也可選用透明的壓克力或玻璃。

該支撐體450係圍繞承載台440並具有一凸部451，該凸部451係凸出於該承載台440之第一表面440a，使該支撐體450之凸部451與該承載台440之第一表面440a共同界定一凹穴460，且一第三真空孔455C係設於該支撐體450上。詳而言之，該支撐體450係具有一本體452及一延伸部453，該凸部451係設於該本體452，該延伸部453連接於該本體452並朝向承載台440的方向延伸，使該本體452與該承載台440之間以該延伸部453相連接，使該本體452與該承載台440隔開一間隙454，該間隙454與該凹穴460相連通，其中，一第三真空孔455C設於該延伸部453並連通於該凹穴460。

此外，本實施例之載具410中具有數個第三真空孔455C，且相鄰的兩個第三真空孔455C之間隙設有一隔牆(圖未示)，且數個第三真空孔455C環設於該承載台440之外周緣，該第三真空孔455C的孔徑大小約2mm；而在根據本創作的其他實施例中，該載具410僅設有一個第三真空孔455C，且該第三真空孔455C環設於該承載台440的外周緣，第三真空孔355C呈現寬度約2mm的隙縫狀。

請參照第4B圖所示，利用本創作一實施例之發光二極體光學檢測裝置檢測時，先提供一表面包括有複數待檢測發光二極體470的擴張膜480，並固定於夾持內環462A與夾持外環462B之間，再將夾持內環462A與夾持外環462B置放於載具410上，且夾持內環462A與夾持外環462B是環繞於支撐體(holder)450外。此外，為使發光二極體470在量測時的收光角度變大，可先經擴晶手續使擴張膜480表面的複數待檢測發光二極體470彼此以預定的距離互相間隔後，再固定於夾持內環462A與夾持外環462B之間，然後再置放於載具410上進行後續光學量測。

接著，藉由一與支撐體450連接的抽氣裝置(未顯示)對第三真空孔455C抽氣，使承載台440與擴張膜480之間的空氣被抽離，進而使涵蓋複數待檢測的發光二極體470擴張膜480被負壓均勻地吸附於承載台440表面，然後再以點測器490逐一連接每一個發光二極體470表面的正、負電極475A、475B，點亮每一個發光二極體470，並且使發光二極體470所發出的光向下穿透承載台440，再如實施例一所述般，進入位在載具410下方的收光器(未顯示)及與收光器連接的光偵測器(未顯示)，進行後續光學檢測。 實施例四：

以下將配合第5A~5B圖說明根據本創作實施例四的發光二極體光學檢測裝置的載具中的承載台示意圖。

首先，請參照第5A圖，此為利用本創作實施例四的承載台540量測待檢測的發光二極體570時的俯視圖，承載台540可以適用於如實施例一至三中的發光二極體光學檢測裝置的載具210、310、410，並取代其對應之承載台240、340、440。該承載台540包括一種可控制光穿透度的材質，使該承載台540之局部或全部區域之透光度具可調變性，例如在量測待檢測的發光二極體570時，該承載台540包含一第一區域541及一第二區域542環繞該第一區域541。該第一區域541或/及該第二區域542之透光度係藉由一物理量分別調變，本實施例之該承載台540係具有環繞第一區域541之第二區域542。詳言之，在量測待檢側的發光二極體570時，數個待檢測的發光二極體570係對應位於該承載台540的第一區域541。該承載台540的材質可以包括液晶、電致變色物質或液態金屬，改變該承載台540之透光度的物理量可以為電或熱等，在本實施例中，相鄰的待檢測發光二極體570之間係以一走道d1隔開，且該承載台570的材料包含液晶。

請參照第5B圖所示，此為第5A圖所示之表面貼附一包括複數個彼此間隔排列之待檢測的發光二極體570的擴張膜580之承載台540的立體圖。如上面實施例所述，為使發光二極體570在量測時的收光角度變大，先經擴晶手續使擴張膜580表面的複數待檢測發光二極體570彼此以走道d1互相隔開，再進行後續光學檢測。

本實施例之承載台540表面貼附有一包括複數個彼此間隔排列之待檢測發光二極體570的擴張膜580，且每一個發光二極體570均具有一正、負電極575A、575B。當擴張膜580被吸附在承載台540之第一表面540a後，係先定位待檢測的發光二極體570的位置，以利於後續將該承載台540區分為該第一區域541及該第二區域542；接著，改變該承載台540之透光度，使該第一區域541具有與該第二區域542不同的透光度，且該第一區域541涵蓋數個發光二極體570及走道d1，使數個發光二極體570及走道d1對應位於第一區域541上；及量測置於該第一區域541之該發光二極體570的放光特性。

本實施例之發光二極體的光學檢測方法係先藉由掃描置放有該發光二極體570之承載台540的影像，以定位擴張膜580上的待檢測的發光二極體570之位置後，藉由控制承載台540內液晶分子的排列方向，使涵蓋數個待檢測的發光二極體570及數個走道d1之第一區域541下方的承載台540轉變成一透光區，而其餘未涵蓋發光二極體570之第二區域542的液晶分子則不改變排列方向，而形成與該第一區域541具有不同透光率的該第二區域542。本實施例中，該第一區域541之透光率係高於該第二區域542之透光率。接著以朝向該承載台540設置的點測器590依序接觸每一個發光二極體570的正、負極575A、575B進行檢測，待檢測的發光二極體570所發出的光線穿透第一區域541，再如實施例一所述般，進入位在其下方的收光器(未顯示)及與收光器連接的光檢測器(未顯示)，進行後續光學檢測。其中，檢測位在周圍處的發光二極體晶粒570時，因鄰近的其他發光二極體570反射所導致的檢測誤差，可藉由位在第一區域541周圍的第二區域542的反射光加以補償，使得位在擴張膜580上的各個待檢測的發光二極體570具有相同或接近的檢測環境，避免在量測發光二極體570發光特性時，因發光二極體570的位置不同而造成量測誤差過大。在根據本創作的其他實施例中，可控制光穿透度的材質也可選擇電致變色物質或液態金屬等。 實施例五：

以下將配合第6A~6B圖說明根據本創作實施例五的發光二極體光學檢測裝置的載具中的承載台示意圖。

首先，請參照第6A圖，此為利用本創作實施例五的承載台640量測待檢測的發光二極體670時的俯視圖，該承載台640可以適用於如實施例一至三中的發光二極體光學檢測裝置的載具210、310、410，並取代其對應之承載台240、340、440。本實施例的承載台640與實施例四的承載台540相似，該承載台640包括一種可控制光穿透度的材質，使其局部或全部區域之透光度具可調變性，例如在量測待檢測的發光二極體670時，該承載台640包含一第一區域641及一第二區域642，以在量測待檢測的發光二極體670時，藉由一物理量調整第一區域641或/及該第二區域642之透光度。該承載台640的材質可以包括液晶、電致變色物質或液態金屬，其中改變該承載台640之透光度的物理量可以為電或熱等。惟，本實施例與上述實施例四的差異在於：檢測時，該承載台640的第一區域641僅涵蓋單一個待檢測的發光二極體670，意即僅一個待檢測的發光二極體670係對應位於該第一區域641，如第6A圖之最左下之發光二極體670。

請參照第6B圖，此為第6A圖所示之表面貼附一包括複數個彼此間隔排列之待檢測的發光二極體670的擴張膜之承載台640的立體圖。透過實施例五之承載台640進行光學量測的方法包含：將數個發光二極體670置於該承載台640上；定位該發光二極體670的位置；改變該承載台640之透光度，使該承載台640區分為一第一區域641及一第二區域642，該第一區域641僅涵蓋一個待檢測的發光二極體670，其中該第一區域641為透光區並具有一透光度高於該第二區域642之透光度；及量測置於該第一區域641之該發光二極體670的放光特性。實施例五之承載台640係包含液晶材料，且透過施加電壓改變該第一區域641及/或該第二區域642的透光度。

本實施例之發光二極體的光學檢測方法係先藉由掃描置放有該發光二極體670之承載台640的影像，以定位擴張膜680上的數個待檢測發光二極體670之位置後，藉由控制承載台640內液晶分子的排列方向，使涵蓋一個待檢測的發光二極體670之區域下方的承載台640轉變成該透光區，而其餘未涵蓋發光二極體670之區域的液晶分子則不改變排列方向，而形成與該第一區域641具有不同透光率的該第二區域642。本實施例中，該第一區域641之透光率係高於該第二區域642。接著以點測器690接觸每一個發光二極體670的正、負極675A、675B進行檢測時，待檢測的發光二極體670所發出的光線穿透第一區域641，再如實施例一所述般，進入位在其下方的收光器(未顯示)及與收光器連接的光偵測器 (未顯示)，進行後續光學檢測。其中，檢測位在周圍處的發光二極體晶粒670時，因鄰近的其他發光二極體晶粒670的光反射所導致的檢測誤差，可藉由位在第一區域641周圍的第二區域642的反射光加以補償，使得位在擴張膜680上的各個待檢測的發光二極體670具有相同或接近的檢測環境，避免在量測發光二極體670發光特性時，因發光二極體670的位置不同而造成量測誤差過大。

利用本實施例的該承載台640進行發光二極體670之光學特性量測的方法與第四實施例相似，主要差異在於本實施例之承載台640的第一區域641的位置係隨著不同量測目標之發光二極體670所在的位置而改變。詳言之，該承載台640上係具有數個發光二極體670，如第6A圖所示的第一發光二極體671、第二發光二極體672及第三發光二極體673等，本實施例之發光二極體的光學特性量測方法係分別依序量測上述第一、第二及第三發光二極體671、672、673，舉例而言，當量測第一發光二極體671的光學特性時，係調整承載台640之第一區域641的位置，使第一區域641對應位於第一發光二極體671且第二區域642則對應位於其餘發光二極體，使得僅有待檢測的第一發光二極體671下方的承載台641為透光區，以避免鄰近的其他發光二極體670(如672、673)對第一發光二極體671的光學特性量測造成反射而產生非預期性的影響，藉此更進一步提升量測準確度。同理，當欲量測第二發光二極體672、第三發光二極體673時，則調整承載台640之第一區域641的位置，使第一區域641對應位於第二發光二極體672或第三發光二極體673，且第二區域642則對應位於其餘發光二極體670，使所量測的發光二極體670周圍具有相同或接近的檢測環境。 實施例六：

以下將配合第7A~7C圖說明根據本創作實施例六的發光二極體光學檢測裝置的載具中的承載台示意圖。

首先，請參照第7A圖，此為利用本創作實施例六的承載台740量測待檢測的發光二極體770時的俯視圖，該承載台740可以適用於如實施例一至三中所述的發光二極體光學檢測裝置的載具210、310、410，並取代其對應之承載台240、340、440。本實施例的承載台740與實施例四或五之承載台540或640相似，該承載台740包括一種可控制光穿透度的材質，使其局部或全部區域之透光度具可調變性，以在量測待檢測的發光二極體770時，藉由一物理量調整第一區域741或/及該第二區域742之透光度，該承載台740的材質可以包括液晶、電致變色物質或液態金屬，改變該承載台740之透光度的物理量可以為電或熱等。

請參照第7B圖，此為第7A圖所示之表面貼附一包括複數個彼此間隔排列之待檢測的發光二極體770的擴張膜780之承載台740的立體側視圖。請參照第7C圖所示，本實施例之承載台740係與上述實施例四或五相似，惟本實施例之承載台740另包含一反射層783，並透過一導光元件784將發光二極體770所放射的光收集送至收光器720中。詳言之，該承載台740包含一第一表面740a及相對於該第一表面740a之一第二表面740b，該第一表面740a係用以承載待檢測的發光二極體770，該反射層783係設於該第二表面740b上，且該反射層783與該第二表面740b之間具有一反射腔781，且該導光元件784具有一集光端784a，該集光端784a係結合於該承載盤740的反射腔781。其中，反射層783是由具高反射係數的材質所構成，本實施自所選用的高反射係數的材質是硫酸鋇。此外，在根據本創作的其他實施例中，該反射層783也可選擇銀、鋁等材料或布拉格反射鏡(DBR)結構等。透過實施例六之承載台740進行光學量測的方法包含：將數個發光二極體770置於該承載台740上；定位該發光二極體770的位置；改變該承載台740之透光度，使該承載台740區分為一第一區域741及一第二區域742，該第一區域741涵蓋一個或數個發光二極體770，其中該第一區域741為透光區並具有高於該第二區域742之透光度；及量測置於該第一區域741之該發光二極體770的放光特性。本實施例之承載台740係包含液晶材料，且透過施加電壓改變該第一區域741及/或該第二區域742的透光度。

本實施例之發光二極體的光學檢測方法係先藉由掃描置放有該發光二極體770之承載台740的影像，以定位確認擴張膜780上的數個待檢測發光二極體770之位置後，藉由控制承載台740內液晶分子的排列方向，使涵蓋一個或一個以上待檢測的發光二極體770之區域下方的承載台740轉變成透光之第一區域741，而其餘未涵蓋發光二極體770之區域的液晶分子則不改變排列方向，而形成與該第一區域741具有不同透光率的該第二區域742。本實施例中，該第一區域741之透光率係高於該第二區域742。請參照第7C圖所示，接著以點測器790依序接觸每一個發光二極體770的正、負極775A、775B進行檢測時，待檢測的發光二極體770所發出的光線穿透第一區域741進入該反射腔781，光線藉由反射腔781及反射層783有效地反射，使光線導引至導光元件784之集光端784a收集並送入該收光器720中，再透過光偵測器730進行後續光學檢測。其中，檢測位在邊緣的發光二極體晶粒770時，因鄰近的其他發光二極體晶粒770反射所導致的環境差異，可藉由位在第一區域741周圍的第二區域742的反射加以補償，使得位在擴張膜780上的各個待檢測的發光二極體770具有相同或接近的檢測環境，避免在量測發光二極體770發光特性時，因發光二極體770的位置不同而造成量測誤差過大。 實施例七、八：

以下將配合第8A-8C圖說明根據本創作實施例七及八的發光二極體光學檢測裝置的示意圖。

第8A圖揭示本創作實施例七的發光二極體光學檢測裝置800，大部分構件如實施例一所述包括一載具210、一收光器820以及一光偵測器830。其中，該載具210包含一承載台240，該承載台240設有一第一表面240a及相對於該第一表面240a之一第二表面240b，且該第一表面240a係用以承載待檢測的發光二極體270之一發光面271；該收光器820具有一收光端825及一出光端826，且該收光端825係朝向承載台240之第二表面240b設置，以收集該發光二極體270所發出的光線，並由該出光端826傳送至該光偵測器830；該光偵測器830耦接至該收光器820，以偵測該收光器820所收集到的光線。該發光二極體光學檢測裝置800另包含一波長轉換件850，該波長轉換件850係設於該待檢測發光二極體270之發光面271與該收光器820之出光端826之間。本實施例之該波長轉換元件850係設於收光器820的收光端825與承載台840之第二表面840b之間，且較佳地，該波長轉換元件850可拆裝地結合於該收光器820之收光端825。

請參照第8B圖所示，此為本創作實施例八之發光二極體光學檢測裝置的示意圖，實施例八的發光二極體光學檢測裝置800’大致與實施例七之發光二極體光學檢測裝置800相同，具有一載具210、一收光器820、一光偵測器830及波長轉換件850，差異在於實施例八的波長轉換件850是設置在收光器820之出光端826，且較佳地，該波長轉換件850可拆裝地結合於該收光器820之出光端826。

該波長轉換件850係使發光二極體270所發出具第一波長的光線(例如藍光)，部分通過波長轉換元件850並被轉換成具第二波長的光線(例如黃光、紅光或綠光)，並且具有第一、第二波長的光線混合以形成白光。具有該波長轉換元件850的發光二極體的光學檢測裝置800、800’，係能模擬發光二極體270在加入螢光粉及膠體封裝所形成之發光二極體封裝體的發光特性，藉由封裝前預先量測評估發光特性是否符合封裝後的規格，以達到提高客戶滿意度及降低客訴率等功效。

在上述實施例七、八中，波長轉換元件850包含螢光粉薄膜，且波長轉換元件850可視需要設計成片狀或板狀之可拆換形式，使發光二極體270所發出的第一波長光線在通過不同的波長轉換元件850後可獲得具不同第二波長的光線。此外，在一實施例中，波長轉換元件850包含具第一放射波長之一第一波長轉換件850A，以及具第二放射波長的一第二波長轉換件850B，該第一波長轉換件850A與該第二波長轉換件850B係可以被發光二極體270之放光所激發，且第一放射波長與第二放射波長不同。具體而言，該波長轉換元件850亦可以如第8C圖所示為一轉盤式結構，該波長轉換元件850包括有複數個具有不同放射波長的第一波長轉換件850A、第二波長轉換件850B、第三波長轉換件850C、第四波長轉換件850D、第五波長轉換件850E及第六波長轉換件850F，且該波長轉換元件850係可轉動已選擇所需的波長轉換件850對位結合於該收光器820的該收光端825或出光端826，使該波長轉換元件850可被發光二極體270所發出具第一波長的光線激發而產生具不同第二波長的光線。

本實施例之發光二極體270係未封裝，例如為發光二極體晶片或晶粒，並透過波長轉換元件850以預先模擬發光二極體270封裝後放光特性。而第8C圖所示之波長轉換元件850包括有複數個具有不同放射波長的第一波長轉換件850A、第二波長轉換件850B及第三波長轉換件850C等，當欲模擬發光二極體270包含不同波長轉換件的封裝條件的放光特性時，僅需使相應的波長轉換件850A、850B、或850C等對位於出光端825或收光端826，不必拆裝及更換波長轉換件，以提高測試效率。

此外，實施例七、八雖以實施例一所示的載具210例示說明，但載具210也可以根據本創作的實施例二至六所揭示的載具取代，在此不再贅述。 實施例九：

以下將配合第9圖說明一種根據本創作實施例九的發光二極體光學檢測裝置的示意圖。

實施例九的發光二極體光學檢測裝置800″，其構造大抵與上述實施例七、八的發光二極體光學檢測裝置800、800′大致相同，主要差異在於本實施例的發光二極體光學檢測裝置800″的波長轉換元件850是設置於承載台240，波長轉換元件850可以結合於承載台240的第一表面240a或第二表面240b，舉例而言，當波長轉換元件850結合於第一表面240a時，使得發光二極體270之發光面271所發出具第一波長的光線(例如藍光)，部分通過波長轉換元件850而被轉換成具第二波長的光線(例如黃光、紅光或綠光)，進而在通過承載台240後，使收光器820可收集到具有第一、第二波長的光線混合的光(例如白光)，然後再由光偵測器830進一步分析。本實施例之承載台240對於第一波長及第二波長的光線係具有高穿透度。

波長轉換元件850如實施例七、八所述般包含螢光粉薄膜，此外，波長轉換元件850亦可以如第8C圖所示地選擇包含數個波長轉換件(850A~850F)；載具210也可以根據本創作的實施例二至六所揭示的載具取代，在此不再贅述。 實施例十：

以下將配合第8B、10圖說明一種根據本創作實施例十的發光二極體光學檢測裝置的示意圖。

請先參照第8B圖所示，本實施例的發光二極體光學檢測裝置包括一如實施例八(第8B圖)所示的載具210、一收光器820以及一光偵測器830。載具210、收光器820及光偵測器830等各構件已如上述實施例八所述，惟本實施例的發光二極體光學檢測裝置另包含一導光元件884及一調整元件860，收光器820及光偵測器830係透過導光元件884互相耦接。本實施例的導光元件884係結合於收光器820之出光端826，導光元件884舉例為光纖等，且調整元件860較佳係可動地結合於該收光器820之出光端826。

請另參照第10圖所示，該調整元件860包含一主體861、一第一開孔862、一第二開孔863、一第一調光件864及一第二調光件865，且該第一調光件864及該第二調光件865係分別結合於該第一開孔862及該第二開孔863中，該發光二極體的光學檢測裝置係可以透過該調整元件860調整由待測的發光二極體之放射光進入該光偵測器830的光強度。舉例而言，在一實施例中，該第一開孔862及該第二開孔863的尺寸不同，在另一實施例中，該第一調光件864及該第二調光件865係具有不同的透光率，以透過該些開孔862、863的大小或該些調光件864、865的透光率控制進入到光偵測器830的光量。本實施例之調整元件860之主體861是可轉動地結合於該收光器820之出光端826，以透過轉動該調整元件860的主體861，選擇性地將該第一開孔862或第二開孔863(即第一調光件864或第二調光件865)對位於該收光器820之出光端826，藉此改變由該收光器820透過導光元件884進入到該光偵測器830的光強度。另外，該調整元件860亦可以另設有數個開孔及數個調光件，該調整元件860的開孔及調光件的數目並不以本實施例為限。

除了透過可動地結合於該收光器820的調整元件860以外，另一實施例則藉由控制導光元件884與收光器820之出光端826的距離，以改變透過導光元件884進入光偵測器830的光強度。詳言之，在一實施例中，導光元件884具有一集光端884a，集光端884a係可移動地結合於收光器820之出光端826，使本實施例的發光二極體光學檢測裝置能夠透過改變集光端884a與該出光端826的距離，調整透過導光元件884輸入至光偵測器830的光量。

當使用本實施例之發光二極體光學檢測裝置量測不同發光二極體的光學特性時，由於不同的發光二極體之亮度有落差，為避免待測發光二極體的亮度超過光偵測器830所能讀取的極限值，在量測前可以透過轉動或移動調整元件860或導光元件884，調整後續進入到光偵測器830的光強度，藉此節省為量測不同亮度的樣品而需更換硬體設備或建立軟體參數的人力及時間成本，以達到增加機台利用率，並節省工程人員校正時間等功效。

雖然本創作已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本創作，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本創作之精神和範圍內，當可更動與組合上述各種實施例。

100‧‧‧習知發光二極體光學檢測裝置
200、800、800′、800″‧‧‧發光二極體光學檢測裝置
110、210、310、410‧‧‧載具
120、220、720、820‧‧‧收光器
125、225、725、825‧‧‧收光端
130、230、730、830‧‧‧光偵測器
140、240、340、440、540、640、740‧‧‧承載台
150、250、350、450‧‧‧支撐體
155‧‧‧真空孔
160A‧‧‧夾持內環
160B‧‧‧夾持外環
170、270、370、470、570、670、770‧‧‧發光二極體
175A、275A、375A、475A、575A、675A、775A‧‧‧正電極
175B、275B、375B、475B、575B、675B、775B‧‧‧負電極
180、280、380、480、580、680、780‧‧‧擴張膜
190、290、390、490、590、690、790‧‧‧點測器
240a、340a、440a、540a、640a、740a‧‧‧第一表面
240b、340b、440b、540b、640b、740b‧‧‧第二表面
250a、350a、450a‧‧‧側表面
350b、450b‧‧‧上表面
251、351、451‧‧‧凸部
255、355A‧‧‧第一真空孔
256‧‧‧隔牆
355B‧‧‧第二真空孔
260、360、460‧‧‧凹穴
262A、362A、462A‧‧‧夾持內環
262B、362B、462B‧‧‧夾持外環
271‧‧‧發光面
452‧‧‧本體
453‧‧‧延伸部
454‧‧‧間隙
455C‧‧‧第三真空孔
541、641、741‧‧‧第一區域
542、642、742‧‧‧第二區域
671‧‧‧第一發光二極體
672‧‧‧第二發光二極體
673‧‧‧第三發光二極體
781‧‧‧反射腔
783‧‧‧反射層
784、884‧‧‧導光元件
784a、884a‧‧‧集光端
826‧‧‧出光端
850‧‧‧波長轉換元件
850A‧‧‧第一波長轉換件
850B‧‧‧第二波長轉換件
850C‧‧‧第三波長轉換件
850D‧‧‧第四波長轉換件
850E‧‧‧第五波長轉換件
850F‧‧‧第六波長轉換件
860‧‧‧調整元件
861‧‧‧主體
862‧‧‧第一開孔
863‧‧‧第二開孔
864‧‧‧第一調光件
865‧‧‧第二調光件
d1‧‧‧走道

第1A~1B圖繪示的是習知一種發光二極體的光學檢測裝置剖面示意圖。

第2A圖繪示的是根據本創作實施例一的發光二極體光學檢測裝置。

第2B、2D、2E圖繪示的是根據本創作實施例一的發光二極體光學檢測裝置的載具剖面示意圖。

第2C圖繪示的是根據本創作實施例一的發光二極體光學檢測裝置的載具俯視圖。

第3A~3B圖繪示的是根據本創作實施例二的發光二極體光學檢測裝置的載具剖面示意圖。

第4A~4B圖繪示的是根據本創作實施例三的發光二極體光學檢測裝置的載具剖面示意圖。

第5A~5B圖繪示的是根據本創作實施例四的發光二極體光學檢測裝置的承載台示意圖。

第6A~6B圖繪示的是根據本創作實施例五的發光二極體光學檢測裝置的承載台示意圖。

第7A~7C圖繪示的是根據本創作實施例六的發光二極體光學檢測裝置的承載台示意圖。

第8A~8C圖繪示的是根據本創作實施例七、八的發光二極體光學檢測裝置的剖面示意圖。

第9圖繪示的是根據本創作實施例九的發光二極體光學檢測裝置的剖面示意圖。

第10圖繪示的是根據本創作實施例十的發光二極體光學檢測裝置的剖面示意圖。

200‧‧‧發光二極體檢測裝置

210‧‧‧載具

220‧‧‧收光器

225‧‧‧收光端

230‧‧‧光偵測器

240‧‧‧承載台

250‧‧‧支撐體

251‧‧‧凸部

255‧‧‧第一真空孔

260‧‧‧凹穴

262A‧‧‧夾持內環

262B‧‧‧夾持外環

270‧‧‧發光二極體

275A‧‧‧正電極

275B‧‧‧負電極

280‧‧‧擴張膜

290‧‧‧點測器

Claims (7)

1. 一種發光二極體的光學檢測裝置，包括：一承載台，用以承載待檢測的發光二極體，該承載台之局部或全部區域之透光度具可調變性；一點測器，朝向該承載台設置，用以檢測發光二極體的電性；以及一收光器，朝向該承載台設置，以收集檢測時該發光二極體所發出的光線。
2. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體的光學檢測裝置，該承載台包含一第一區域及一第二區域，該第一區域或/及該第二區域之透光度係藉由一物理量分別調變。
3. 如申請專利範圍第2項所述的發光二極體的光學檢測裝置，該第一區域的透光度高於該第二區域的透光度，且該第二區域係環繞該第一區域。
4. 如申請專利範圍第2項所述的發光二極體的光學檢測裝置，該第一區域係涵蓋一個或一個以上待檢測的發光二極體。
5. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體的光學檢測裝置，該承載台的材質包括液晶、電致變色物質或液態金屬。
6. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體的光學檢測裝置，該承載台設有一第一表面、與該第一表面相對的一第二表面及一反射層，該第一表面係用以承載該發光二極體，該反射層設於第二表面，且該反射層與該承載台之第二表面之間具有一反射腔。
7. 如申請專利範圍第6項所述的發光二極體的光學檢測裝置，該反射層的材質包括銀、鋁或硫酸鋇，或者該反射層具有布拉格反射鏡結構(DBR)。