TWM481772U - 流體噴頭 - Google Patents
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Description
本新型是有關於一種流體噴頭，特別是指一種能保持半導體晶圓或顯示器用基板等基板清潔的流體噴頭。
半導體晶圓是經過多個製程步驟。由於每道晶圓製程步驟都有潛在性的污染源，晶圓表面會有殘留物，會導致缺陷生成及元件特性失效。在清洗製程中，而利流體噴頭對晶圓進行處理，清除顆粒及污染物，而保持晶圓表面的清潔。
參閱圖1與圖2，為習知流體噴頭包括一具有一腔室111的噴頭本體11、一設置於該噴頭本體11上方並連通腔室111且供水流入的進氣管12，及一設置於該噴頭本體11後側並連通該腔室111且供空氣流入的進液管13。該噴頭本體11還具有兩個位於該腔室111左右兩側的側面112(圖1中僅示意該等側面112的其中一側面112)、一縱向延伸且兩相反端分別連接於該等側面112的分隔柱113，及多數個彼此相間隔並連通該腔室111與外界之間，且相反於該進氣管12一側的流道114。該分隔柱113供空氣流入時分成兩股，當水流入該腔室111時，因該分隔柱113
及該腔室111的設計使水在腔室111中，產生擾流。接著，水與空氣從該流道114流出。因此，使用流體噴頭清洗晶圓表面，導致清洗效果不佳，而影響後續製程的良率。
因此，本新型之目的，即在提供一種提升清潔效果的流體噴頭。
於是，本新型流體噴頭，包含：一噴頭本體，包括一沿一第一方向延伸的容室，及至少一連通該容室的噴射流道，該噴射流道具有一連通該容室的入口，及一相反於該入口且連通外界的出口；一進氣管，設置於該噴頭本體的上方並連通該容室的頂側，且位於相反該噴射流道一側；及一進液管，沿該第一方向延伸進入該容室，該進液管具有數量對應該噴射流道的入口數量且位於該入口位置上方的出液口。
較佳地，該流體噴頭包含多數個噴射流道，彼此沿該第一方向相間隔地形成於該噴頭本體，該進液管具有數量對應該噴射流道的入口數量且位於該等入口上方的出液口。
較佳地，其中，該容室具有一連通該進氣管的上段，及一連通該上段與該等噴射流道的入口的下段，該下段的寬度是朝鄰近該等入口方向漸縮。
較佳地，其中，該等噴射流道呈狹長狀。
本新型之功效在於：透過流體噴頭的設計，以
及供應處理液及氣體至流體噴頭，使處理液流出噴射流道能加速，從而增加清洗或去除基板表面的塗佈物質或汙染物質的能力和效率，有助於後續製程處理，進而提升產品良率。
2‧‧‧基板
3‧‧‧噴頭本體
31‧‧‧容室
311‧‧‧上段
312‧‧‧下段
32‧‧‧噴射流道
321‧‧‧入口
322‧‧‧出口
4‧‧‧氣體
5‧‧‧進氣管
6‧‧‧處理液
7‧‧‧進液管
71‧‧‧出液口
D1‧‧‧第一方向
本新型之其他的特徵及功效，將於參照圖式的較佳實施例詳細說明中清楚地呈現，其中：圖1與圖2是說明習知技術的剖視示意圖；圖3是一剖視示意圖，說明本新型流體噴頭的一第一較佳實施例；圖4與圖6是說明利用雙流體通過流體噴頭的清洗基板過程的示意圖；圖5是一局部放大圖，說明一容室；圖7是一剖視示意圖，說明本新型流體噴頭的一第二較佳實施例；及圖8是說明利用雙流體通過流體噴頭的清洗基板過程的示意圖。
在本新型被詳細描述之前，應當注意在以下的說明內容中，類似的元件是以相同的編號來表示。
下列較佳實施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本新型可用以實施之特定實施例。本新型所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「前」、「後」、「左」、「右」
等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用來說明，而非用來限制本新型。
參閱圖3至圖5，本新型流體噴頭之第一較佳實施例適用對一基板2清洗。該流體噴頭包含一噴頭本體3、一供氣體4流入的進氣管5，及一供處理液6流入的進液管7。在本實施例中，該處理液6為水。
該噴頭本體3包括一沿該第一方向D1延伸的容室31，及多數個彼此沿該第一方向D1相間隔且連通該容室31的噴射流道32。各該噴射流道32位於相反於該進氣管5一側，並具有一連通該容室31的入口321，及一相反於該入口321且連通外界的出口322。較佳地，該容室31具有一連通該進氣管5的上段311，及一連通該上段311與該等噴射流道32的入口321的下段312。該上段311是寬度相同，而該下段312的寬度是朝鄰近該等入口321方向漸縮，且該等噴射流道32的管徑與長度設計呈狹長狀，有助於處理液6流經該容室31及該等噴射流道32，使流體速度提升。
該進氣管5設置於該噴頭本體3的上方，並連通該容室31的頂側。
該進液管7由沿該第一方向D1延伸進入該容室31。該進液管7具有數量對應該等噴射流道32的入口321數量且對應該等入口321位置上方的出液口71。
須說明的是圖3是採用剖視圖的方式，而該噴頭本體3的容室31沿該第一方向D1的兩相反側應該是封
閉狀態，該進液管7應該是連通外界且沿該第一方向D1穿伸該噴頭本體3的容室31。
以下說明利用本實施例是利用雙流體通過流體噴頭的清洗基板2過程。
氣體4藉由該進氣管5進入該容室31時，因該進液管7位於該進氣管5下方的設置方式，使得該氣體4流經該進液管7起到了阻礙而分成兩股，再使該氣體4往下流，避免該氣體4直接向下衝擊，而能達到平均推力；同時，由於是大量該處理液6通入該進液管7後，先往該第一方向D1流，接著透過該出液口71，而使該處理液6更易擴散向下流至該容室31，由於該進液管7的出液口71與各個噴射流道32的入口321位置相對應，因此自該出液口71流出的處理液6會快速的流入各個噴射流道32的入口321，此時該氣體4平均推進該處理液6流經對應的噴射流道32而加速從出口322噴出。
若是大量的該處理液6湧入該進液管7時，該處理液6會平均蓄積在該容室31，該氣體4平均推進該處理液6流經對應的該噴射流道32而加速噴出，且透過前述設計可使各個噴射流道32的噴出處理液6速率相同，大幅提升噴射均勻度。如圖6所示，由於該基板2表面並非平整，而是有起伏突起的區塊，而透過該噴頭本體3的該等噴射流道32設置更可清潔因地形上難以伸入的區域。
參閱圖7與圖8，是本新型流體噴頭之第二較佳實施例與第一較佳實施例大致相同，其差異在於該噴頭本
體3僅包括一噴射流道32，該進液管7僅具有一個對應該入口321位置上方的出液口71。在本實施例中，該噴射流道32的細部結構與第一實施例的各該噴射流道32的細部結構相同。第二實施例利用雙流體通過流體噴頭的清洗基板2過程與第一實施例雙流體通過流體噴頭的清洗基板2過程相同，在此不詳細說明。
綜上所述，透過該流體噴頭的設計，以及供應該處理液6及該氣體4至流該容室31，使該氣體4平均推進處理液6流出所述噴射流道32後能加速，從而增加清洗或去除該基板2表面的塗佈物質或汙染物質的能力和效率，有助於後續製程處理，進而提升產品良率，故確實能達成本新型之目的。
惟以上所述者，僅為本新型之較佳實施例而已，當不能以此限定本新型實施之範圍，即大凡依本新型申請專利範圍及專利說明書內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本新型專利涵蓋之範圍內。
3‧‧‧噴頭本體
31‧‧‧容室
32‧‧‧噴射流道
321‧‧‧入口
322‧‧‧出口
5‧‧‧進氣管
7‧‧‧進液管
71‧‧‧出液口
D1‧‧‧第一方向
Claims (4)
- 一種流體噴頭，包含：一噴頭本體，包括一沿一第一方向延伸的容室，及至少一連通該容室的噴射流道，該噴射流道具有一連通該容室的入口，及一相反於該入口且連通外界的出口；一進氣管，設置於該噴頭本體的上方並連通該容室的頂側，且位於相反該噴射流道一側；及一進液管，沿該第一方向延伸進入該容室，該進液管具有數量對應該噴射流道的入口數量且對應該入口位置上方的出液口。
- 如請求項1所述流體噴頭，包含多數個噴射流道，彼此沿該第一方向相間隔地形成於該噴頭本體，該進液管具有數量對應該噴射流道的入口數量且位於該等入口上方的出液口。
- 如請求項2所述流體噴頭，其中，該容室具有一連通該進氣管的上段，及一連通該上段與該等噴射流道的入口的下段，該下段的寬度是朝鄰近該等入口方向漸縮。
- 如請求項2所述流體噴頭，其中，該等噴射流道呈狹長狀。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW103205096U TWM481772U (zh) | 2014-03-25 | 2014-03-25 | 流體噴頭 |
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| TW103205096U TWM481772U (zh) | 2014-03-25 | 2014-03-25 | 流體噴頭 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TWM481772U true TWM481772U (zh) | 2014-07-11 |
Family
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| TW103205096U TWM481772U (zh) | 2014-03-25 | 2014-03-25 | 流體噴頭 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| TW (1) | TWM481772U (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI690990B (zh) * | 2014-09-29 | 2020-04-11 | 日商思可林集團股份有限公司 | 基板處理方法及基板處理裝置 |
| CN117855112A (zh) * | 2024-03-08 | 2024-04-09 | 江苏京创先进电子科技有限公司 | 一种喷流块、喷流装置及划片机 |
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2014
- 2014-03-25 TW TW103205096U patent/TWM481772U/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| CN117855112B (zh) * | 2024-03-08 | 2024-05-10 | 江苏京创先进电子科技有限公司 | 一种喷流块、喷流装置及划片机 |
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