TWM474200U - 觸控感測裝置及其製作方法 - Google Patents
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Description
本創作係關於一種輸入介面,尤指一種觸控感測裝置。
觸控技術近年來蓬勃發展,許多消費性電子產品均有與觸控功能結合的產品問世。目前觸控面板的技術中較常見包括電阻式、電容式以及光學式等。其中電容式觸控面板由於具有高準確率、多點觸控、高耐用性以及高觸控解析度等特點,已逐漸成為目前中高階消費性電子產品使用之主流觸控技術。
習知的觸控感測裝置表面區域可大略分為透視部及周邊部,周邊部位於透視部之至少一側。透視部設置有用於觸控感應的感測層等元件。周邊部設置有用於信號傳遞的周邊引線等元件。一般來說,透視部與周邊部的元件因其功能或材料的不同而分開製作。為提高產品品質及良率,因應不同需求而需要額外對應設置不同元件,例如,為避免周邊引線及感測層被氧化或受其他製程的影響,需要分別在周邊引線及感測層上設置保護層;為提高觸控感測裝置的視覺外觀效果,需要在透視部對應設置光學補償等功能元件,如此導致製程及結構複雜化。
本創作提供一種觸控感測裝置,利用同一元件的設置可達成兩種使用目的,故可簡化製程步驟及結構。
藉此,本創作之一較佳實施例提供一種觸控感測裝置,包括基板、周邊引線、橋接元件、導電圖案層、絕緣層與折射率匹配保護層。基板包括一透視部及一周邊部,周邊部位於透視部之至少一側。周邊引線設置於周邊部上。橋接元件設置於透視部上。導電圖案層設置於透視部上,且導電圖案層包括一圖案部分與一非圖案部分,圖案部分包括至少一第一軸向電極以及複數個第二導電單元,第一軸向電極與部分之周邊引線電性連接,相鄰第二導電單元透過橋接元件電性連接,且第二導電單元與另一部分之周邊引線電性連接。絕緣層包括一第一部分以及一第二部分,第一部分係覆蓋於周邊引線上,第二部分係設置於橋接元件與導電圖案層之間。折射率匹配保護層覆蓋於導電圖案層上,且折射率匹配保護層的設置使圖案部分與非圖案部分的折射率相匹配。
本創作之觸控感測裝置,同一絕緣層之第一部分與第二部分分別位於周邊部與透視部上,絕緣層之第一部分在周邊部用於周邊引線的保護層的作用,絕緣層之第二部分在透視部用於使導電圖案層之第一軸向電極與橋接元件相互絕緣的作用。另外,折射率匹配保護層可使導電圖案層的圖案部分與該非圖案部分的折射率相匹配,對導電圖案層同時具有折射率匹配以及保護效果,藉此,利用同一元件的設置可達成兩種使用目的,故可簡化製程步驟及結構。
100‧‧‧觸控感測裝置
110‧‧‧基板
120‧‧‧遮光層
130‧‧‧折射率匹配層
140‧‧‧金屬層
140B‧‧‧橋接元件
140T‧‧‧周邊引線
150‧‧‧絕緣層
151‧‧‧第一部分
151V‧‧‧第一開口
152‧‧‧第二部分
152P‧‧‧絕緣塊
160‧‧‧透明導電層
160P‧‧‧導電圖案層
161P‧‧‧圖案部分
162P‧‧‧非圖案部分
160X‧‧‧第一軸向電極
160Y‧‧‧第二導電單元
170‧‧‧折射率匹配保護層
200‧‧‧觸控感測裝置
280‧‧‧黏結層
290‧‧‧顯示面板
300‧‧‧觸控感測裝置
350‧‧‧絕緣層
351‧‧‧第一部分
351V‧‧‧第一開口
352‧‧‧第二部分
352V‧‧‧第二開口
400‧‧‧觸控感測裝置
R1‧‧‧透視部
R2‧‧‧周邊部
X‧‧‧第一方向
Y‧‧‧第二方向
Z‧‧‧垂直投影方向
第1圖至第4圖繪示了本創作之第一較佳實施例之觸控感測裝置的製作方法示意圖。
第5圖繪示了本創作之第一較佳實施例之觸控感測裝置的示意圖。
第6圖繪示了本創作之折射率匹配保護層的折射率分布示意圖。
第7圖繪示了本創作之第二較佳實施例之觸控感測裝置的示意圖。
第8圖繪示了本創作之第三較佳實施例之觸控感測裝置的示意圖。
第9圖為沿第8圖中之B-B’剖線所繪示之剖面示意圖。
第10圖繪示了本創作之第四較佳實施例之觸控感測裝置的示意圖。
第11圖為沿第10圖中之C-C’剖線所繪示之剖面示意圖。
本說明書及後續的申請專利範圍當中使用了某些詞彙來指稱特定的元件。所屬領域中具有通常知識者應可理解,製作商可能會用不同的名詞來稱呼同樣的元件。本說明書及後續的申請專利範圍並不以名稱的差異來做為區別元件的方式,而是以元件在功能上的差異來做為區別的基準。在通篇說明書及後續的請求項當中所提及的「包括」係為一開放式的用語,故應解釋成「包括但不限定於」。再者,為使熟習本創作所屬技術領域之一般技藝者能更進一步了解本創作,下文特列舉本創作之數個較佳實施例,並配合所附圖式,詳細說明本創作的構成內容。需注意的是圖式僅以說明為目的,並未依照原尺寸作圖。此外,在文中使用例如”第一”與”第二”等敘述,僅用以區別不同的元件,並不對其產生順序之限制。
請參考第1圖至第6圖。第1圖至第4圖繪示了本創作之第一較佳實施例之觸控感測裝置的製作方法示意圖。第5圖繪示了本實施例之觸控感測裝置的示意圖。第6圖繪示了本創作之折射率匹配保護層的折射率分布示意圖。其中,第4圖可視為沿第5圖中之A-A’剖線所繪示之剖面示意圖。為了方便說明,本創作之各圖式僅為示意以更容易了解本創作,其詳細的比例可依照設計的需求進行調整。
本實施例提供一種觸控感測裝置的製作方法,包括下列步驟。首
先,如第1圖所示,提供一基板110,基板110包括一透視部R1以及一周邊部R2,周邊部R2位於透視部R1之至少一側,在本創作之其他實施例中,周邊部R2可視需要圍繞透視部R1的四周,但並不以此為限。基板110可包括硬質基板例如玻璃基板與陶瓷基板或可撓式基板(flexible substrate)例如塑膠基板或其他適合材料所形成之基板。此外,基板110亦可為一保護基板例如蓋板或保護玻璃(cover glass),但並不以此為限。接著,於基板110之周邊部R2上可選擇性地形成一遮光層120,遮光層120可包括色阻、油墨或其他適合的遮光材料,遮光層120可透過濺鍍及微影蝕刻製程形成。在透視部R1上可選擇性地形成一折射率匹配(index matching)層130,折射率匹配層130可全面覆蓋透視部R1區域,另,折射率匹配層130亦可延伸至周邊部R2區域,位於周邊部R2區域的折射率匹配層130與遮光層120於一垂直於基板110之垂直投影方向Z上重疊,換句話說,折射率匹配層130可在遮光層120之前形成於周邊部R2上,或是在遮光層120之後形成於遮光層120上(如第1圖所示)。本實施例之折射率匹配層130較佳可包括一二氧化鈦(TiO2
)與二氧化矽(SiO2
)的化合物或一由五氧化二鈮(Nb2
O5
)與二氧化矽(SiO2
)所組成的雙層結構,而此雙層結構中五氧化二鈮係位於較靠近基板110的一側,但並不以此為限。折射率匹配層130在本實施例中可為一整面的膜層,可透過印刷、塗布或濺鍍等製程形成,故可不需微影蝕刻製程對折射率匹配層130進行圖案化製程。
之後,如第2圖所示,在透視部R1區域形成一橋接元件140B於折射率匹配層130上,換句話說,上述之折射率匹配層130係形成於橋接元件140B與透視部R1之間。此外,本實施例亦可另形成一週邊引線140T,周邊引線140T包括有兩部分,其分別電性連接於後續形成之第一軸向電極(如第5圖160X所示)及第二導電單元(如第5圖160Y所示)。本實施例之折射率匹配層130如若前所述可延伸至周邊部R2上,且折射率匹配層130是在遮光
層120之後形成於遮光層120上,折射率匹配層130係至少部分位於遮光層120與周邊引線140T之間(如第2圖所示);若折射率匹配層130在遮光層120之前延伸形成於周邊部R2上,折射率匹配層130可位於遮光層120與周邊部R2之間;若折射率匹配層130並未延伸至周邊部R2區域,則周邊引線140T可直接形成於遮光層120上,但並不以此為限,總括而言,若在周邊部R2區域存在遮光層120及/或折射率匹配層130,則遮光層120及/或折射率匹配層130不論其堆疊順序為何皆是形成於周邊引線140T與周邊部R2之間,但若在周邊部R2區域不存在遮光層120及折射率匹配層130,則周邊引線140T可直接形成於周邊部R2上,而在透視部R1區域上若不存在折射率匹配層130,則橋接元件140B可直接形成於透視部R1上,此情況將於後續實施例再次詳述之。為了讓圖式可以清楚地顯示,在第2圖中僅繪出一個橋接元件140B做為代表,然而,觸控感測裝置通常具有多個橋接元件140B。值得說明的是,本實施例之橋接元件140B與周邊引線140T較佳係由對同一導電材料(例如一金屬層140)進行圖案化製程所形成,但並不以此為限,亦可分屬不同導電材料而各自形成。金屬層140可包括金屬導電材料例如鋁、銅、銀、鉻、鈦、鉬之其中至少一者、上述材料之複合層或上述材料之合金,但並不以此為限。本實施例之遮光層120係形成於周邊部R2與周邊引線140T之間,可用以遮蔽周邊引線140T而避免周邊引線140T自第2圖中的基板110下方被識別出,藉此可提高觸控感測裝置的視覺外觀效果。
然後,如第3圖所示,形成一絕緣層150。絕緣層150包括一第一部分151及一第二部分152,第一部分151覆蓋於周邊引線140T上而對周邊引線140T具有保護效果,第二部分152覆蓋於橋接元件140B上,亦可說是設置於橋接元件140B與後續形成之導電圖案層(如第4圖所示之導電圖案層160P)之間。絕緣層150可包括無機材料例如氮化矽(silicon nitride)、氧化矽(silicon oxide)與氮氧化矽(silicon oxynitride)、有機材料例如丙烯酸類樹脂
(acrylic resin)或其它適合之絕緣材料,絕緣層150可透過濺鍍及微影蝕刻製程或印刷製程形成。在本實施例中,第二部分152包括複數個相互分離的絕緣塊152P(第3圖僅示其中一個絕緣塊152P),絕緣塊152P位於橋接元件140B與後續形成之第一軸向電極(如第4圖所示之第一軸向電極160X)之間,以使橋接元件140B與第一軸向電極相互電性絕緣。此外,絕緣層150之第一部分151包括至少一第一開口151V,且第一開口151V至少暴露部分周邊引線140T,以使後續形成的導電圖案層(如第4圖所示之導電圖案層160P)可透過第一開口151V與周邊引線140T形成電性連接。此外,絕緣層150中的第一開口151V亦可用以使周邊引線140T可與其他外部元件例如軟性電路板或積體電路電性連接,但並不以此為限。值得說明的是,由於同一絕緣層150係同時接觸且覆蓋橋接元件140B與周邊引線140T,故周邊引線140T上除了第一開口151V所暴露的部分外皆可被絕緣層150保護,故可不需另外再形成保護層來保護周邊引線140T,且絕緣層150在透視部R1區域內產生絕緣塊的作用,藉此利用同一元件的設置而達成兩種使用目的,進而可達到簡化製程步驟與結構的效果。此外,本實施例之絕緣層150係僅覆蓋部分位於透視部R1上的折射率匹配層130,故可減小絕緣層150的顏色與折射率對於外觀品質的影響。
然後,如第4圖與第5圖所示,於透視部R1區域上形成一導電圖案層160P,導電圖案層160P包括一圖案部分161P與一非圖案部分162P。之後,於導電圖案層160P上形成一折射率匹配保護層170,且使折射率匹配保護層170覆蓋於導電圖案層160P上,折射率匹配保護層170可使導電圖案層160P之圖案部分161P與非圖案部分162P的折射率相匹配,從而使得圖案部分161P的圖形不可見,藉此形成如第4圖與第5圖中所示之觸控感測裝置100。在本實施例中,導電圖案層160P較佳係由對一透明導電材料(例如透明導電層160)進行圖案化製程所形成,但並不以此為限。透明導電層160可包
括例如氧化銦錫(indium tin oxide,ITO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide,IZO)、氧化鋁鋅(aluminum zinc oxide,AZO)或其他適合的透明導電材料。更進一步說明,本實施例之導電圖案層160P係用以形成進行觸控感測的電極,如第5圖所示,圖案部分161P包括一第一軸向電極160X以及複數個第二導電單元160Y,第一軸向電極160X係沿一第一方向X延伸,第二導電單元160Y係沿一第二方向Y排列,第一軸向電極160X與第二導電單元160Y相互電性絕緣,且第一軸向電極160X與部分之周邊引線140T電性連接,相鄰第二導電單元160Y透過橋接元件140B電性連接,且第二導電單元160Y與另一部分之周邊引線140T形成電性連接。第一方向X係大體上垂直於第二方向Y,但並不以此為限。在本創作之其他較佳實施例中,導電圖案層160P亦可視需要用以形成其他形狀與其他排列方式之透明電極。通常由於導電圖案層160P的圖案部分161P與非圖案部分162P的折射率不同,故圖案部分161P易被使用者看見,造成觸控感測裝置視覺外觀效果不佳。本實施例的折射率匹配保護層170可使得導電圖案層160P之圖案部分161P與非圖案部分162P的折射率相匹配,換句話講,圖案部分161P的反射光線與非圖案部分162P的反射光線分別透過折射率匹配保護層170之後較均勻且一致的射出,從而使得圖案部分161P的圖形可見度降低,同時折射率匹配保護層170對導電圖案層160P亦具有保護的效果。另請注意,如第4圖與第5圖所示,折射率匹配保護層170較佳可包括一二氧化鈦(TiO2
)與二氧化矽(SiO2
)的化合物。此外,折射率匹配保護層170的折射率較佳係介於1.67至1.68之間,但並不以此為限。舉例來說,如第4圖與第6圖所示,折射率匹配保護層170可於380奈米至800奈米的波長範圍中呈現折射率由1.74遞減至1.64之變化。值得說明的是,在本實施例中,折射率匹配層130的材料特性可視其各自分別上下兩側材料的折射率狀況來進行搭配調整。舉例來說,當基板具有一折射率nS
,折射率匹配層130具有一折射率n1
,導電圖案層160P具有一折射率nT
,則n1
較佳係大體上等於nS
與nT
的乘積開根號,也就是n1
≒(nS
*nT
),藉以達到
折射率匹配以降低導電圖案層160P明顯度的效果。折射率匹配保護層170與折射率匹配層130對導電圖案層160P均具有折射率匹配作用,使得導電圖案層160P可見度降至最低甚或不可見。值得說明的是,本實施例之折射率匹配保護層170較佳係未與周邊引線140T於垂直投影方向Z上互相重疊,故絕緣層150之第一開口151V可不被折射率匹配保護層170覆蓋,因此折射率匹配保護層170可不需為了覆蓋位於周邊部R2的周邊引線140T而須藉由較複雜且成本較高之微影蝕刻製程於折射率匹配保護層170對應於周邊引線140T的區域另外再形成接觸開孔,故可因此達到製程簡化的效果。也就是說,本實施例之折射率匹配保護層170可僅藉由凸板例如APR(Asahikasei photosensitive resin)板以轉印的方式成膜,藉以達到簡化製程的效果,但本創作並不以此為限。在本創作的其他較佳實施例中亦可視需要以其他製程例如濺鍍(sputter)、化學氣相沉積(chemical vapor deposition,CVD)、噴墨印刷(inkjet printing)、狹縫塗布(slit coating)、旋塗(spin coating)、噴塗(spray coating)或滾輪塗布(roller coating)等方式形成折射率匹配保護層170。此外,在本創作的其他較佳實施例中亦可視需要使得折射率匹配保護層170延伸至周邊部R2之上並與周邊引線140T於垂直投影方向Z上至少部分互相重疊,藉以達到加強保護的效果。
如第4圖與第5圖所示,本實施例之觸控感測裝置100包括基板110、遮光層120、折射率匹配層130、橋接元件140B、周邊引線140T、絕緣層150、導電圖案層160P與折射率匹配保護層170。基板110包括透視部R1與周邊部R2,周邊部R2位於透視部R2之至少一側。遮光層120係設置於周邊部R2上且位於周邊部R2與周邊引線140T之間。折射率匹配層130係設置於基板110上並位於橋接元件140B與透視部R1之間。在本實施例中,折射率匹配層130更延伸至周邊部R2上,且折射率匹配層130係至少部分設置於遮光層120與周邊引線140T之間,但並不以此為限。橋接元件140B係
設置於折射率匹配層130上並位於透視部R1之上。周邊引線140T係設置於遮光層120上並位於周邊部R2上。絕緣層150包括第一部分151以及第二部分152,第一部分151係覆蓋於周邊引線140T上,第二部分152係設置於橋接元件140B與導電圖案層160P之間,且第二部分152包括複數個相互分離的絕緣塊152P。各絕緣塊152P係位於橋接元件140B與第一軸向電極160X之間以使第一軸向電極160X與橋接元件140B相互電性絕緣。導電圖案層160P係至少部分設置於透視部R1區域上,在本實施例中導電圖案層160P係設置於折射率匹配層130與絕緣層150上,導電圖案層160P包括圖案部分161P與非圖案部分162P,圖案部分161P包括至少一第一軸向電極160X以及複數個第二導電單元160Y,第一軸向電極161X與部分之周邊引線140T電性連接,相鄰第二導電單元160Y係透過橋接元件140B電性連接,且第二導電單元160Y係與另一部分之周邊引線140T電性連接。折射率匹配保護層170係覆蓋於導電圖案層160P之上,折射率匹配保護層170的設置使圖案部分161P與非圖案部分162P的折射率相匹配。本實施例之觸控感測裝置100中的各部件特徵與材料特性以於上述製作方法中說明,故在此並不再贅述。
本實施例之觸控感測裝置100係利用同一絕緣層150之第一部分151與第二部分152分別位於周邊部R2與透視部R1的所在區域,絕緣層150之第一部分151在周邊部R2區域用於周邊引線140T的保護層的作用,絕緣層150之第二部分152在透視部R1區域用於使導電圖案層160P之第一軸向電極160X與橋接元件140B相互絕緣的作用。另外,設置折射率匹配保護層170,使其對導電圖案層160P同時具有折射率匹配以及保護效果,藉此,利用同一元件的設置可達成兩種使用目的,故可簡化製程步驟及結構。此外,在本實施例中,導電圖案層160P係以折射率匹配保護層170形成保護效果,而周邊引線140T係以絕緣層150的第一部分151形成保護效果。另外,在形成導電圖案層160P之前,周邊引線140T大部分已被絕緣層150的第一部分
151所覆蓋,絕緣層150可對周邊引線140T產生保護作用,故可減少形成導電圖案層160P的製程對已形成的周邊引線140T產生影響,進而提高良率。
下文將針對本創作之不同實施例進行說明,且為簡化說明,以下說明主要針對各實施例不同之處進行詳述,而不再對相同之處作重覆贅述。此外,本創作之各實施例中相同之元件係以相同之標號進行標示,以利於各實施例間互相對照。
請參考第7圖。第7圖繪示了本創作之第二較佳實施例之觸控感測裝置的示意圖。如第7圖所示,本實施例之觸控感測裝置200與上述第一較佳實施例之間的不同處在於觸控感測裝置200更包括一顯示面板290與一黏結層280,其中黏結層280係設置於顯示面板290與折射率匹配保護層170之間。換句話說,本實施例之觸控感測裝置200的製作方法係更包括提供顯示面板290,並於折射率匹配保護層170與顯示面板290之間形成黏結層280,用以黏結顯示面板290與基板110。顯示面板290可包括液晶顯示面板、有機發光二極體(OLED)顯示面板、電濕潤(electro-wetting)顯示面板、電子墨水(e-ink)顯示面板、電漿(plasma)顯示面板或一場發射(FED)顯示面板,但並不以此為限。黏結層280可包括固態光學膠(optical clear adhesive,OCA)、感壓膠(pressure sensitive adhesive,PSA)或其他適合之黏結材料。此外,值得說明的是,在本實施例中,折射率匹配保護層170的材料特性可視其各自分別上下兩側材料的折射率狀況來進行搭配調整。舉例來說,當導電圖案層160P具有一折射率nT
,折射率匹配保護層170具有一折射率n2
,黏結層280具有一折射率nP
,則n2
較佳係大體上等於nP
與nT
的乘積開根號,也就是n2
≒(nP
*nT
),藉以達到折射率匹配以降低導電圖案層160P明顯度的效果,但並不以此為限。此外,本實施例之觸控感測裝置200可視為一觸控顯示裝置,且後續各實施例亦可視需要設置如本實施例之顯示面板290與黏結層
280。
請參考第8圖與第9圖。第8圖繪示了本創作之第三較佳實施例之觸控感測裝置的示意圖。第9圖為沿第8圖中之B-B’剖線所繪示之剖面示意圖。如第8圖與第9圖所示,本實施例之觸控感測裝置300包括基板110、遮光層120、折射率匹配層130、橋接元件140B、周邊引線140T、一絕緣層350、導電圖案層160P與折射率匹配保護層170。絕緣層350係設置於折射率匹配層130、橋接元件140B與周邊引線140T之上,且絕緣層350係直接接觸周邊引線140T與橋接元件140B。絕緣層350包括一第一部分351以及一第二部分352,第一部分351係覆蓋於周邊引線140T上,且第二部分352係設置於橋接元件140B與導電圖案層160P之間。與上述第一較佳實施例之間的不同處在於本實施例之絕緣層350係以整面覆蓋方式形成於基板110上,且絕緣層350之第一部分351包括複數第一開口351V,而絕緣層350之第二部分352包括至少一第二開口352V。第一開口351V係至少暴露部分周邊引線140T,且導電圖案層160P係透過第一開口351V與周邊引線140T形成電性連接。橋接元件140B透過第二開口352V電性連接相鄰之第二導電單元160Y。本實施例之觸控感測裝置300除了絕緣層350的形狀與分布之外,其各部件的設置位置、材料特性以及製作方式與上述第一較佳實施例相似,故在此並不再贅述。
值得說明的是,在上述各實施例中,橋接元件140B可由對一透明導電材料進行圖案化製程所形成,但並不以此為限,藉由以透明導電材料形成透視部R1中的橋接元件140B,可進一步降低透視部R1中橋接元件140B的可識別度,進而達到改善外觀視效的目的。
請參考第10圖與第11圖。第10圖繪示了本創作之第四較佳實施
例之觸控感測裝置的示意圖。第11圖為沿第10圖中之C-C’剖線所繪示之剖面示意圖。如第10圖與第11圖所示,本實施例之觸控感測裝置400包括基板110、橋接元件140B、周邊引線140T、絕緣層150、導電圖案層160P與折射率匹配保護層170。也就是說,相較於上述第一較佳實施例,本實施例之觸控感測裝置400並不包括遮光層與折射率匹配層。因此,本實施例之觸控感測裝置400的製作方法包括下列步驟。首先,提供基板110,基板110包括透視部R1以及周邊部R2,周邊部R2位於透視部R1之至少一側。然後,於周邊部R2上形成周邊引線140T,於透視部R1上形成橋接元件140B。之後,於透視部R1上形成導電圖案層160P,導電圖案層160P包括圖案部分161P與非圖案部分162P,圖案部分161P包括至少一第一軸向電極160X以及複數個第二導電單元160Y,第一軸向電極160X與部分之周邊引線140T電性連接,相鄰第二導電單元160Y透過橋接元件140B電性連接,且第二導電單元160Y係與另一部分周邊引線140T電性連接。然後,形成絕緣層150,絕緣層150包括第一部分151及第二部分152,第一部分151覆蓋於周邊引線140T上,且第二部分152設置於橋接元件140B與導電圖案層160P之間。最後,形成折射率匹配保護層170於導電圖案層160P之上,且折射率匹配保護層170係覆蓋透視部R1。本實施例之觸控感測裝置400除了不具有遮光層與折射率匹配層之外,其周邊引線140T可採用透明導電材料形成,以使周邊引線140T可視度降低,橋接元件140B可採用透明或非透明導電材料形成,當周邊引線140T與橋接元件140B採用相同材料時,周邊引線140T與橋接元件140B可在同一步驟中形成。其它各部件的設置位置、材料特性以及製作方式與上述第一較佳實施例相似,故在此並不再贅述。在本實施例中,絕緣層150之第二部分152包括複數個相互分離的絕緣塊152P,然而在另一實施例中,絕緣層150也可如第三實施例(如第8圖及第9圖所示)的結構,即絕緣層350係以整面覆蓋方式形成於基板110上,且絕緣層350之第一部分包括複數第一開口,絕緣層350之第二部分包括至少一第二開口。
綜合以上所述,本創作之觸控感測裝置及其製作方法,係利用單一絕緣層同時覆蓋分別位於透視部區域的橋接元件與周邊部區域的周邊引線,絕緣層之第一部分在周邊部用於周邊引線的保護層的作用,絕緣層之第二部分在透視部用於使導電圖案層之第一軸向電極與橋接元件相互絕緣的作用。另外,折射率匹配保護層對於導電圖案層同時具有折射率匹配以及保護效果,藉此,利用同一元件的設置可達成兩種使用目的,故可簡化製程步驟及結構。另外,因此折射率匹配保護層可不需為了覆蓋周邊引線而採用較複雜且成本較高之微影蝕刻製程,進而可達到製程簡化的目的。
100‧‧‧觸控感測裝置
110‧‧‧基板
120‧‧‧遮光層
130‧‧‧折射率匹配層
140‧‧‧金屬層
140B‧‧‧橋接元件
140T‧‧‧周邊引線
150‧‧‧絕緣層
151‧‧‧第一部分
151V‧‧‧第一開口
152‧‧‧第二部分
160‧‧‧透明導電層
160P‧‧‧導電圖案層
170‧‧‧折射率匹配保護層
R1‧‧‧透視部
R2‧‧‧周邊部
Z‧‧‧垂直投影方向
Claims (13)
- 一種觸控感測裝置,包括:一基板,包括一透視部以及一周邊部,該周邊部位於該透視部之至少一側;一周邊引線,設置於該周邊部上;一橋接元件,設置於該透視部上;一導電圖案層,設置於該透視部上,該導電圖案層包括一圖案部分與一非圖案部分,該圖案部分包括至少一第一軸向電極以及複數個第二導電單元,該第一軸向電極與部分之該周邊引線電性連接,相鄰該等第二導電單元係透過該橋接元件電性連接,且該等第二導電單元係與另一部分之該周邊引線電性連接;一絕緣層,包括一第一部分以及一第二部分,該第一部分係覆蓋於該周邊引線上,且該第二部分係設置於該橋接元件與該導電圖案層之間;以及一折射率匹配保護層,覆蓋於該導電圖案層上,且該折射率匹配保護層的設置使該圖案部分與該非圖案部分的折射率相匹配。
- 如請求項1所述之觸控感測裝置,更包括一遮光層,設置於該周邊部與該周邊引線之間。
- 如請求項2所述之觸控感測裝置,更包括一折射率匹配層,設置於該橋接元件與該透視部之間。
- 如請求項3所述之觸控感測裝置,其中該折射率匹配層更延伸至該周邊部上,且該折射率匹配層係至少部分設置於該遮光層與周邊引線之間。
- 如請求項3所述之觸控感測裝置,其中該基板具有一折射率nS ,該折射率 匹配層具有一折射率n1 ,該導電圖案層具有一折射率nT ,且n1 等於nS 與nT 的乘積開根號。
- 如請求項1所述之觸控感測裝置,更包括一顯示面板與一黏結層,其中該黏結層係設置於該顯示面板與該折射率匹配保護層之間。
- 如請求項6所述之觸控感測裝置,其中該導電圖案層具有一折射率nT ,該折射率匹配保護層具有一折射率n2 ,該黏結層具有一折射率nP ,且n2 等於nP 與nT 的乘積開根號。
- 如請求項1所述之觸控感測裝置,其中該折射率匹配保護層包括一二氧化鈦(TiO2 )與二氧化矽(SiO2 )的化合物。
- 如請求項3所述之觸控感測裝置,其中該折射率匹配層包括一二氧化鈦(TiO2 )與二氧化矽(SiO2 )的化合物或一由五氧化二鈮(Nb2 O5 )與二氧化矽(SiO2 )所組成的雙層結構。
- 如請求項1所述之觸控感測裝置,其中該絕緣層的該第一部分包括至少一第一開口,該第一開口係至少暴露部分該周邊引線,且該導電圖案層係透過該第一開口與該周邊引線形成電性連接。
- 如請求項1所述之觸控感測裝置,其中該絕緣層之該第二部分包括複數個相互分離的絕緣塊,各該絕緣塊係位於該橋接元件與該第一軸向電極之間以使該第一軸向電極與該橋接元件相互電性絕緣。
- 如請求項1所述之觸控感測裝置,其中該絕緣層之該第二部分包括複數個第二開口,該橋接元件透過該等第二開口電性連接相鄰之該等第二導電 單元。
- 如請求項1所述之觸控感測裝置,其中該橋接元件與該周邊引線係具有相同的導電材料。
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