TWM469546U - 觸控電極結構 - Google Patents

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Lu-Hsing Lee
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Description

觸控電極結構
本發明涉及觸控技術，特別是涉及一種觸控電極結構。
傳統的觸控電極結構製造工藝中，最主要的步驟包括電極結構的形成和連接電極結構的信號引綫的形成，在這兩個步驟中，分別需要用到用於定義電極圖形的掩膜和用於定義信號引綫連接區域的掩膜。在傳統的製造工藝中，掩膜在完成以上制程步驟之後，一般都需要額外的步驟去除。
另一方面，為了使得觸控電極結構在應用於觸控顯示裝置時具有良好的視覺效果，在形成觸控感測區結構之後，觸控電極結構上通常需要增加額外的光學層，以調節觸控裝置的顯示效果。
因此傳統的觸控電極結構製造工藝不但流程繁瑣，而且在顯示效果的調整方面需要付出額外的成本。
基於此，有必要提供一種觸控電極結構的製造工藝，其具有較少的工藝步驟且較好的視覺效果。
本新型之觸控電極結構，包括：一基板，該基板界定有一感 測區與一圍繞於該感測區的引綫區；一電極層，設置於該基板上，且該電極層分為一蝕刻區與一非蝕刻區；一第一防蝕刻光學層，設置於該電極層的非蝕刻區上；一第二防蝕刻光學層，設置於該第一防蝕刻光學層和該基板上，且該第一防蝕刻光學層與該第二防蝕刻光學層至少裸露部分位於該引綫區內的該非蝕刻區的電極層；一信號引綫，設置於該引綫區內，且電性連接該裸露的非蝕刻區的電極層。
通過調節第一防蝕刻光學層和第二防蝕刻層之折射率，可减輕蝕刻後蝕刻區和非蝕刻區存在的外觀差異。
S101-S108、S201-S207‧‧‧步驟
10、20‧‧‧觸控顯示裝置
11、21‧‧‧蓋板
11a、21a‧‧‧遮蔽層
12‧‧‧第一觸控電極結構
13‧‧‧第二觸控電極結構
12a、13a、22a、22c‧‧‧觸控電極組件
12b、13b、22b‧‧‧基板
14、24‧‧‧顯示模組
22‧‧‧觸控電極結構
110、210‧‧‧基板
130a‧‧‧電極層
130b、230b‧‧‧電極層
140、240‧‧‧保護層
150、250‧‧‧第一防蝕刻光學層
160、260‧‧‧第二防蝕刻光學層
161‧‧‧鏤空區域
170、270‧‧‧信號引綫
S1‧‧‧第一表面
S2‧‧‧第二表面
A1‧‧‧感測區
A2‧‧‧引綫區
A3‧‧‧接合區
A4‧‧‧顯示區
A5‧‧‧裝飾區
G‧‧‧粘合層
M‧‧‧蝕刻區
N‧‧‧非蝕刻區
B-B’C-C’‧‧‧剖面線
圖1為一實施例觸控電極結構的工藝流程圖。
圖2a~圖2h為為圖1所示工藝流程圖中各個步驟所對應的觸控電極結構的俯視圖。
圖2a’~圖2f’、圖2g’-1、圖2h’-1分別為圖2a~圖2h沿B-B’方向的剖視圖，圖2g’-2、圖2h’-2分別為圖2g和圖2h沿C-C’方向的剖視圖。
圖2i-1和圖2i-2分別為一實施例觸控電極結構蝕刻區與非蝕刻區的剖面圖。
圖3a~圖3c為形成本新型另一實施例觸控電極結構的俯視圖。
圖3a’、圖3b’-1、圖3c’-1分別為圖3a~圖3c沿B-B’的剖視圖，圖3b’-2、圖3c’-2分為圖3b和圖3c沿C-C’方向的剖視圖。
圖4a~圖4b為本新型第三實施例觸控電極結構的俯視圖。
圖5為另一實施例觸控電極結構的工藝流程圖。
圖6a為採用圖5所示工藝流程圖中部分步驟所對應的觸控電極結構的俯視 圖；圖6a’-1為圖6a沿B-B’的剖視圖，圖6a’-2為圖6a沿C-C’的剖視圖。
圖7a為一種採用本新型觸控顯示裝置的俯視圖。
圖7b為對應於圖7a觸控顯示裝置的剖面圖。
圖8a繪示了本新型又一實施例的觸控電極結構。
圖8b和圖8c為對應於圖8a的觸控電極結構第二表面上觸控組件的俯視圖。
圖9為採用一種圖8a觸控電極結構的觸控顯示裝置的剖視圖。
圖10和圖11為兩種可用於本新型觸控電極結構中電極層的圖示。
如圖1所述，圖1繪示了一種可用於製造本新型觸控電極結構的工藝流程圖。該製造工藝流程包括以下步驟。
S101：準備一基板。參考圖2a’和圖2a，基板110採用可透視的材料，如玻璃基板或者聚對苯二甲酸類塑料(Polyethylene terephthalate，PET)。基板110可為平面或者曲面形狀，以適應不同的觸控產品。基板110還可為硬質基板或可擾式基板。基板110具有第一表面S1和第二表面S2，第一表面S1與第二表面S2相對。基板110界定有感測區A1(圖2a虛綫包圍的區域)和圍繞於感測區A1的引綫區A2。
S102：形成一電極層於基板上。參考圖2b’和圖2b，電極層130a形成於基板110的第一表面S1上。電極層130a可以採用奈米銀絲(Silver Nano-Wire，SNW)層、碳奈米管(Carbon nanotube，CNT)層、石墨烯(Graphene)層、高分子導電(Conductive Polymer)層以及氧化金屬(ITO、AZO……Gel) 層等可透視的材料。形成電極層130a的方式可以採用沉積、濺射等工藝。
S103：形成一保護層於電極層上。參考圖2c’和圖2c，於電極層130a上形成保護層140。對於奈米銀絲等易被氧化的材料，保護層140將電極層130a與空氣隔離，進而有助於提高電極層130的抗氧化能力。同時，由於奈米銀絲材料自身具有一定的疏密度，保護層140可通過奈米銀絲的間隙與基板接觸，通過選用與基板110有較佳附著力的材料，有助於提高奈米銀絲在基板110的附著力。保護層140的材料採用可透視的絕緣材料，如二氧化矽。保護層的厚度為50nm至500nm。
S104：形成一第一防蝕刻光學層於保護層上。參考圖2d’和圖2d，第一防蝕刻光學層150形成於保護層140上。第一防蝕刻光學層150具有圖案化的形狀，用以定義電極層的電極結構。該第一防蝕刻光學層150可以採用壓克力聚合物(Acrylate Polymer)和環氧樹脂(Epoxide Resin)等可透視的絕緣材料製成。形成第一防蝕刻光學層150的方式可以採用印刷(printing)工藝。第一防蝕刻光學層的厚度為0.05um至5um。
S105：蝕刻未被該第一防蝕刻光學層遮擋的該電極層，則經蝕刻後的該電極層分為一蝕刻區與一非蝕刻區。參考圖2e’和圖2e，經蝕刻後，電極層130b包含蝕刻區M和非蝕刻區N。在蝕刻過程中，由於保護層140的厚度較薄，蝕刻液可滲透保護層140，進而對蝕刻區M的電極層130a進行蝕刻。圖2e和圖2e所示的電極層130b，非蝕刻區N形成與第一防蝕刻光學層150所定義的圖形相同的電極結構，在本實施例中，電極結構包含複數條沿第一軸向排列的感測電極，且各感測電極自感測區A1延伸至引綫區A2。蝕刻電極層130a可採用不完全蝕刻的工藝，即在確保蝕刻區M的電極層130b 與非蝕刻區N的電極層130b電性絕緣的前提下，僅蝕刻掉部分蝕刻區M的電極層130b。採用不完全蝕刻的工藝，可避免蝕刻區M與非蝕刻區N電極層色差過大。在另一實施例中，亦可採用完全蝕刻的工藝。
S106：形成一第二防蝕刻光學層，第二防蝕刻光學層至少裸露部分位於引綫區內的第一防蝕刻光學層。參考圖2f’和圖2f，第二防蝕刻光學層160形成於第一防蝕刻光學層150和保護層140上，第二防蝕刻光學層160用以定義信號引綫的連接區域。第二防蝕刻光學層160裸露部分位於引綫區A2內的第一防蝕刻光學層150。第二防蝕刻光學層160採用壓克力聚合物(Acrylate Polymer)和環氧樹脂(Epoxide Resin)等可透視的絕緣材料製成。形成第二防蝕刻光學層160可以採用印刷(printing)工藝。第二防蝕刻光學層160的厚度為0.05um至5um。
S107：蝕刻未被第二防蝕刻光學層遮擋的第一防蝕刻光學層和保護層，使得引綫區內的非蝕刻區的電極層至少部分裸露。參考圖2g’-1、圖2g’-2和圖2g，採用蝕刻工藝蝕刻未被第二防蝕刻光學層160遮擋的第一防蝕刻層160和保護層140，使非蝕刻區N的電極層130b部分裸露。
S108：形成一信號引綫。參考圖2h’-1、圖2h’-2和圖2h，信號引綫170形成於基板110上，且信號引綫170位於引綫區A2內，信號引綫170電性連接裸露的非蝕刻區N的電極層130b。在本實施例中，各信號引綫170的一端分別與各感測電極電性連接，各信號引綫170的另一端彙聚至一接合區A3。需說明的是，接合區A3的數目和位置可根據感測電極的數目做調整。會聚至接合區A3的信號引綫170通過接合一軟性電路板連接至一控制器上(圖未示)，幷借由控制器處理由信號引綫170所傳遞的信號。信號引綫170 可採用氧化銦錫等可透視的導電材料、銀、鋁等金屬材料、或鉬鋁鉬等合金材料，或前述之組合。
參考圖2h’-1、圖2h’-2和圖2h，經過上述工藝所得到的觸控電極結構，該觸控電極結構包括：基板110，基板110界定有感測區A1與圍繞於感測區的引綫區A2；電極層130b，設置於基板110上，且電極層130b分為蝕刻區M與非蝕刻區N；保護層140，設置於該電極層130b與該基板110上；第一防蝕刻光學層150，設置於電極層130b的非蝕刻區N的保護層140上；第二防蝕刻光學層160，設置於保護層140與第一防蝕刻光學層150上，且保護層140、第一防蝕刻光學層150與第二防蝕刻光學層160裸露部分位於引綫區A2內的非蝕刻區N的電極層130b；信號引綫170，設置於引綫區A2內，且電性連接裸露的非蝕刻區N的電極層130b。在本實施例中，信號引綫170位於基板110上。本實施例觸控電極結構各部件的其它特性，在形成工藝中已詳述，故此處不再贅述。
另請同時參考圖2h’-1、圖2h’-2、圖2i-1和圖2i-2，位於感測區A1內的蝕刻區M的電極層上依次形成有保護層140、第二防蝕刻光學層160，非蝕刻區N的電極層上依次形成有保護層140、第一防蝕刻光學層150和第二防蝕刻光學層160。通過調節保護層140、第一防蝕刻光學層150、第二防蝕刻光學層160的折射率，可减輕經蝕刻後蝕刻區M和非蝕刻區N存在的外觀差異，以確保後續將本觸控電極結構應用於觸控顯示裝置時，可取得較佳的視覺效果。在一實施例中，第一防蝕刻光學層150的折射率至少比保護層140的折射率大0.1，第二防蝕刻光學層160的折射率至少比第一防蝕刻光學層150的折射率大0.1。保護層140、第一防蝕刻光學層150、第二防蝕 刻光學層160的折射率可根據不同電極層材料的折射率作調整。另，保護層140的厚度可為至50nm至500nm，該厚度範圍可確保在蝕刻電極層130a時，蝕刻液較易滲透；第一防蝕刻光學層150和第二防蝕刻光學層160的厚度可為為0.05um至5um，該厚度範圍有利於確保整體觸控電極結構的光穿透率。此外，相比於傳統的製造工藝，本實施例的工藝流程中沒有涉及去除用於定義電極層130a的電極圖形的掩膜以及去除用以定義信號引綫連接區域的掩膜的步驟，因此工藝步驟會更少，制程的時間也會更短，可以提高該工藝的效率。
在本新型的另一實施例中，第二防蝕刻光學層上形成有鏤空區域，保護層和第一防蝕刻光學層上形成有對應於鏤空區域的貫穿孔，信號引綫形成於第二保護層上，且通過鏤空區域及貫穿孔電性連接裸露的非蝕刻區的電極層。更具體地，可參考以下詳細說明。
參考圖3a’和圖3a，與前述實施例不同之處在於，於步驟S106形成的第二防蝕刻光學層160包含有鏤空區域161，第二防蝕刻光學層160通過鏤空區域161裸露部分位於引綫區A2內的第一防蝕刻光學層150。在本實施例中，鏤空區域161裸露出位於引綫區A2內的各感測電極上的第一防蝕刻光學層150。
進一步參考圖3b’-1、圖3b’-2和圖3b，可採用與前一實施例相同的工藝，蝕刻鏤空區域161處的第一防蝕刻光學層150和保護層140，即可在第一防蝕刻光學層150和保護層140上形成對應於鏤空區域161的貫穿孔。
進一步參考圖3c’-1、圖3c’-2和圖3c，可採用與前一實施 例相同的工藝，於引綫區A2內形成信號引綫170，信號引綫170形成於第二防蝕刻光學層160上，且通過鏤空區域161及貫穿孔電性連接各感測電極。本實施例觸控電極結構的其它特性與前一實施例相同，此處不再贅述。
另請參考圖4a和圖4b，於步驟S107形成如圖2g或圖3a的觸控電極結構之後，可包含一去除第二防蝕刻光學層160的步驟，即本新型的觸控電極結構可僅通過調節保護層140和第一防蝕刻光學層150折射率，達到减輕經蝕刻後蝕刻區M和非蝕刻區N存在的外觀差異的目的。
另請參考圖5、圖6a’-1、圖6a’-2和圖6a，圖5繪示了另一種可用於製造本新型觸控電極結構的工藝流程圖，圖6a’-1、圖6a’-2和圖6a為一種採用圖5所繪示的工藝流程形成的觸控電極結構。與圖1所繪示的工藝流程不同之處在於，當電極層採用氧化金屬(ITO、AZO……Gel)層等抗氧化能力和附著力較好的材料時，可省略形成保護層的步驟，即直接形成第一防蝕光學層於電極層上(步驟203)，然後蝕刻未被第一防蝕光學層遮擋的電極層(步驟204)，然後形成第二防蝕刻光學層(步驟205)，第二防蝕刻光學層至少裸露部分位於引綫區內的第一防蝕刻光學層，然後蝕刻未被第二防蝕刻光學層遮擋的第一防蝕刻光學層，裸露出位於引綫區內的非蝕刻區的電極層，最後形成信號引綫。圖5所繪示的工藝的其它特性與圖1所繪示的工藝相同，此處不再贅述。
如圖6a’-1、圖6a’-2和圖6a’所繪示，依據圖5的制程工藝，形成的觸控電極結構包括：基板210，基板210界定有感測區A1與圍繞於感測區的引綫區A2；電極層230b，設置於基板210上，且電極層230b分為蝕刻區M與非蝕刻區N；第一防蝕刻光學層250，設置於電極層230b的非蝕刻 區N上；第二防蝕刻光學層260，設置於該第一防蝕刻光學層250和該基板210上，且第一防蝕刻光學層250與第二防蝕刻光學層260裸露部分位於引綫區A2內的非蝕刻區N的電極層230b；信號引綫270，設置於引綫區A2內，且電性連接裸露的非蝕刻區N的電極層。在本實施例中，信號引綫270設置於基板210上。在另一實施例中，第二防蝕刻光學層260上形成有鏤空區域，第一防蝕刻光學層250上形成有對應於鏤空區域的貫穿孔，信號引綫270通過鏤空區域及貫穿孔與位於引綫區A2內的非蝕刻區N的電極層230b電性連接。本實施例觸控電極結構的其它特性與前述實施例相同，此處不再贅述。
請參考圖7a和圖7b，圖7a繪示了一種採用本新型觸控電極結構的觸控顯示裝置的上視圖，圖7b繪示了一種對應於圖7a觸控顯示裝置的剖視圖。在本實施例中，觸控顯示裝置10具有一顯示區A4和一圍繞於顯示區A4的裝飾區A5，包含有依次層叠的蓋板11、第一觸控電極結構12、第二觸控電極結構13、顯示模組14，這些組件通過粘合層G進行接合。其中，蓋板11採用可透視的材料，如玻璃。蓋板11可為平面或者曲面等形狀，以適應不同的觸控產品。在本實施例中，蓋板11與第一觸控電極結構12接合的一側，位於裝飾區A5的部分形成有遮蔽層11a，遮蔽層11a形成有鏤空的圖案，如功能區塊圖案或Logo。在另一實施例中，裝飾層11a亦可設置於蓋板11非接合面的一側。遮蔽層11a可採用有色油墨或有色光阻等材料。蓋板11非接合面的一側還可形成有抗眩層、抗污層等功能層。第一觸控電極結構12和第二觸控電極結構13可採用前述實施例的觸控電極結構，其中12b和13b為基板，12a和13a為形成於基板上觸控電極組件。較佳地，第一觸控電極結構12和第二觸控電極結構13上的感測電極相互垂直。形成於裝飾區A5內的遮蔽層11a 用以遮蔽第一觸控電極結構12和第二觸控電極結構13引綫區A2內的信號引綫。顯示模組14可採用液晶顯示面板或其它顯示面板。粘合層G採用可透視的粘合材料，如固態光學膠(Solid Optical Clear Adhesive)、液態光學膠(Liquid Optical Clear Adhesive)。在本實施例中，粘合層G為整面性的分布。在其它實施例中，粘合層G可為局部分布，如僅分布於裝飾區A5。
參考圖8a，圖8a繪示了本新型另一觸控電極結構的示意圖，在於基板110的第一表面S1形成觸控電極組件之後，可進一步採用圖1(或圖5)的製造工藝，於基板110的第二表面S2形成觸控電極組件。更具體地，如圖8b或圖8c所示，基板110第二表面S2上的觸控電極組件包含圖案化的電極層230b，電極層230b由複數條沿第二軸向排列的感測電極組成。第二表面S2的觸控電極組件的其它特性與前述實施例相同，此處不再贅述。
參考圖9，圖9繪示了一種採用圖8a觸控電極結構的觸控顯示裝置。觸控顯示裝置20包含有依次層叠的蓋板21、觸控電極結構22、顯示模組24，該些組件通過粘合層G進行接合。其中蓋板21的周邊形成有遮蔽層21a。觸控電極結構22包含基板22b，基板22b的第一表面和第二表面分別形成有觸控電極組件22a和22c。蓋板21、遮蔽層21a、顯示模組24、粘合層G的其它特性與圖5b所繪示的觸控顯示裝置10相同，此處不再贅述。
參考圖10和圖11，本新型可用以形成其它類型的單層的觸控電極結構，如圖10中的對稱分布的三角形結構，以及如圖11所示的交錯的梳狀結構。
相比於傳統的製造工藝，本新型的工藝流程中沒有涉及去除用於定義電極層的電極圖形的蝕刻掩膜以及去除用以定義信號引綫的連接 區域的掩膜的步驟，因此工藝步驟會更少，制程的時間也會更短，可以提高該工藝的效率。同時本新型通過調節第一防蝕刻光學層和第二防蝕刻層的折射率，可减輕蝕刻後蝕刻區和非蝕刻區存在的外觀差異，進而有助於提高觸控顯示裝置的外觀效果。
以上所述實施例僅表達了本新型的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但幷不能因此而理解為對本新型專利範圍的限制。應當指出的是，對於本領域的普通技術人員來說，在不脫離本新型構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬本新型的保護範圍。因此，本新型專利的保護範圍應以所附權利要求為准。
130b‧‧‧電極層
150‧‧‧第一防蝕刻光學層
160‧‧‧第二防蝕刻光學層
170‧‧‧信號引綫
A1‧‧‧感測區
A2‧‧‧引綫區
A3‧‧‧接合區
B-B’C-C’‧‧‧剖面線

Claims (10)

  1. 一種觸控電極結構，包括：一基板，該基板界定有一感測區與一圍繞於該感測區的引綫區；一電極層，設置於該基板上，且該電極層分為一蝕刻區與一非蝕刻區；一第一防蝕刻光學層，設置於該電極層的非蝕刻區上；一第二防蝕刻光學層，設置於該第一防蝕刻光學層和該基板上，且該第一防蝕刻光學層與該第二防蝕刻光學層至少裸露部分位於該引綫區內的該非蝕刻區的電極層；一信號引綫，設置於該引綫區內，且電性連接該裸露的非蝕刻區的電極層。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之觸控電極結構，其中所述電極層上更形成有一保護層，且該保護層設置於該電極層與該第一防蝕刻光學層之間。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之觸控電極結構，其中所述保護層的厚度為至50nm至500nm。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之觸控電極結構，其中所述第一防蝕刻光學層的折射率至少比所述保護層的折射率大0.1。
  5. 如申請專利範圍第1或4項所述之觸控電極結構，其中所述第二防蝕刻光學層的折射率至少比所述第一防蝕刻光學層的折射率大0.1。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之觸控電極結構，其中所述第二防蝕刻光學層上形成有鏤空區域，所述第一防蝕刻光學層上形成有對應於該鏤空區域的貫穿孔，所述信號引綫位於該第二防蝕刻光學層上，且通過該鏤空 區域及該貫穿孔電性連接該裸露的非蝕刻區的電極層。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之觸控電極結構，其中所述信號引綫設置於該基板上。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之觸控電極結構，其中所述第一防蝕刻光學層的厚度為0.05um至5um。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之觸控電極結構，其中所述第二防蝕刻光學層的厚度為0.05um至5um。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之觸控電極結構，其中所述第一防蝕刻光學層和第二防蝕刻光學層採用可透視的絕緣材料。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105094412A (zh) * 2014-05-21 2015-11-25 胜华科技股份有限公司 触控面板与触控显示装置

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9760227B2 (en) * 2013-01-30 2017-09-12 Fujian Kechuang Photoelectric Co., Ltd. OGS captive touch panel and method for manufacturing same
CN104793786A (zh) * 2015-03-26 2015-07-22 无锡格菲电子薄膜科技有限公司 石墨烯触摸屏传感器的制造方法
CN111625143B (zh) * 2020-05-26 2024-04-12 京东方科技集团股份有限公司 触控基板及其制作方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI258029B (en) * 2003-09-09 2006-07-11 Tpo Displays Corp Touching liquid crystal display equipment
CN101261560A (zh) * 2008-04-17 2008-09-10 张树峰 触摸屏电极制造方法
EP2113827B8 (en) * 2008-04-30 2018-09-19 InnoLux Corporation Touch input device
KR101219242B1 (ko) 2009-01-16 2013-01-07 삼성디스플레이 주식회사 터치 스크린 패널 및 그 제조방법
US8525809B2 (en) * 2009-07-02 2013-09-03 Applied Vacuum Coating Technologies Co., Ltd. Digital capacitive touch panel structure
TW201142682A (en) * 2010-02-12 2011-12-01 Wintek Corp Surface capacitive touch panel and its fabrication method
TWI402569B (zh) * 2010-09-30 2013-07-21 Wei Chuan Chen 觸控面板之製造方法
KR101322998B1 (ko) * 2010-10-01 2013-10-29 엘지디스플레이 주식회사 정전용량 방식 터치 스크린 패널
US8963886B2 (en) * 2011-07-13 2015-02-24 Flatfrog Laboratories Ab Touch-sensing display panel
CN202351830U (zh) * 2011-09-09 2012-07-25 宸鸿科技(厦门)有限公司 触控堆叠结构
TWI581135B (zh) * 2011-09-30 2017-05-01 加拿都公司 觸感薄膜、觸感裝置及電子裝置
TWI485585B (zh) * 2012-02-17 2015-05-21 Innocom Tech Shenzhen Co Ltd 複合層結構及具有其之觸控顯示裝置
KR101469487B1 (ko) * 2012-09-18 2014-12-05 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN203117930U (zh) * 2012-12-18 2013-08-07 宸鸿光电科技股份有限公司 触控电极结构

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105094412A (zh) * 2014-05-21 2015-11-25 胜华科技股份有限公司 触控面板与触控显示装置

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