TWM464807U - 晶圓清洗裝置 - Google Patents

Description

晶圓清洗裝置

本新型關於半導體積體電路製造技術領域，尤其關於一種晶圓清洗裝置。

對於半導體產業而言，隨著半導體器件關鍵尺寸的不斷縮小以及新材料的引入，在半導體器件的製造過程中，對半導體基板如晶圓表面的潔淨度要求越來越嚴苛，同時，由於半導體器件關鍵尺寸的縮小使得清洗的工藝窗口變窄，進而使既要滿足基板清洗效率又要儘量減小基板表面刻損和結構損壞變得不那麽容易。而現如今，對於基板上的污染物的去除能力以及基板表面的刻損和結構損壞程度的要求越來越高，基板上的污染物如顆粒、有機物和金屬通常需要用化學反應或物理力作用來克服化學鍵的引力或物理粘附力從而被去除。

目前基板清洗仍以濕式清洗為主，濕式清洗通常分為槽式清洗和單片清洗兩種方式。槽式清洗能同時處理若干片基板，具有很高的清洗效率，然而，隨著半導體器件關鍵尺寸的縮小，槽式清洗已經越來越無法適應濕式清洗的要求。槽式清洗的最大缺點是污染物去除率受到一定的限制，這是因為即使在清洗中使用高純度的化學試劑與去離子水，從基板上清洗下來的污染物仍然存在於清洗 液中，會對基板造成二次污染。為了避免基板被二次污染，單片清洗正逐步取代槽式清洗，單片清洗能有效防止基板的二次污染。在基板的清洗過程中，新的化學試劑和去離子水不斷地供應到基板的表面，而用過的化學試劑與去離子水直接排出並被回收。此外，成品率也是轉型到單片清洗的一個重要因素，透過使用單片清洗可以有效提高100納米及以下工藝的成品率。與槽式清洗相比，單片清洗具有清洗效果好，清洗液回收率高，能有效防止交叉污染等優勢，不過產能相比槽式清洗而言比較低。

在一些工藝中，為了獲得較佳的清洗效果，需要採用槽式清洗和單片清洗相結合的方式對基板進行清洗，而現有的槽式清洗裝置和單片清洗裝置是完全獨立分開的兩套裝置，基板在槽式清洗裝置中清洗並乾燥後，再放入單片清洗裝置中清洗和乾燥，從而導致清洗工藝週期長，清洗成本高，且兩套裝置佔用空間大。

本新型的目的在於提供一種晶圓清洗裝置，該裝置不僅能夠對晶圓進行槽式清洗和單片清洗，而且該裝置能夠縮短晶圓清洗工藝週期，降低清洗成本，此外，該裝置佔用空間小。

為達到上述目的，本新型提供的一種晶圓清洗裝置，包括：主體框架、晶圓裝載埠、晶圓傳送裝置、槽式清洗裝置及單片清洗裝置。晶圓裝載埠設置於主體框架的外側端，晶圓傳送裝置、槽式清洗裝置及單片清洗裝置 設置於主體框架內。晶圓裝載埠接收和放置晶圓盒，晶圓盒存放晶圓。槽式清洗裝置開設有用於傳送晶圓的第一晶圓進出口，槽式清洗裝置用於一片或多片晶圓的浸泡清洗。單片清洗裝置開設有用於傳送晶圓的第二晶圓進出口，單片清洗裝置用於單片晶圓的清洗和乾燥。晶圓傳送裝置在晶圓裝載埠的晶圓盒、槽式清洗裝置及單片清洗裝置之間傳送晶圓。

綜上所述，本新型晶圓清洗裝置透過將槽式清洗裝置和單片清洗裝置集成於主體框架內，由一套晶圓傳送裝置完成晶圓的傳送，縮短了晶圓清洗工藝週期，降低了生產成本，且集成於一套裝置後佔用空間縮小。

110‧‧‧主體框架

120‧‧‧晶圓裝載埠

130‧‧‧晶圓傳送裝置

131‧‧‧傳送機械手

131’‧‧‧傳送機械手

132‧‧‧溶液接收器

133‧‧‧機械手安裝台

134‧‧‧機械手驅動裝置

135‧‧‧支架板

136‧‧‧支座

137‧‧‧限位塊

138‧‧‧排液口

140‧‧‧槽式清洗裝置

140’‧‧‧槽式清洗裝置

141‧‧‧隔板

141’‧‧‧外殼

142‧‧‧第一晶圓進出口

142’‧‧‧第一晶圓進出口

143‧‧‧槽式清洗槽

143’‧‧‧槽式清洗槽

144‧‧‧密封蓋

144’‧‧‧密封蓋

145‧‧‧密封擋板

145’‧‧‧密封擋板

146‧‧‧支撐架

146’‧‧‧支撐架

147‧‧‧升降機構

147’‧‧‧升降機構

148‧‧‧翻轉機構

148’‧‧‧翻轉機構

149‧‧‧晶圓卡盒

150‧‧‧單片清洗裝置

151‧‧‧第二晶圓進出口

152‧‧‧風機篩檢程式機組

153‧‧‧架體

154‧‧‧架板

155‧‧‧密封圈

160‧‧‧氮氣保護裝置

160’‧‧‧氮氣保護裝置

1311‧‧‧凹槽

1311’‧‧‧凹槽

1312‧‧‧通孔

1312’‧‧‧通孔

1313’‧‧‧凸起

1411’‧‧‧排氣口

1431‧‧‧內槽

1432‧‧‧外槽

1433‧‧‧出液口

1441‧‧‧頂壁

1442‧‧‧側壁

1443‧‧‧後壁

1444‧‧‧導流槽

第1圖揭示了根據本新型的晶圓清洗裝置的結構示意圖。

第2圖揭示了根據本新型的晶圓清洗裝置的又一結構示意圖。

第3圖揭示了根據本新型的晶圓傳送裝置的結構示意圖。

第4圖揭示了根據本新型的晶圓傳送裝置的又一結構示意圖。

第5圖揭示了根據本新型的晶圓傳送裝置的傳送機械手的一實施例的結構示意圖。

第6圖揭示了根據第5圖的沿VI-VI的剖面結構示意 圖。

第7圖揭示了根據本新型的晶圓傳送裝置的傳送機械手的又一實施例的結構示意圖。

第8圖揭示了根據本新型的槽式清洗裝置的結構示意圖。

第9圖揭示了根據本新型的槽式清洗裝置的槽式清洗槽的結構示意圖。

第10圖揭示了根據本新型的槽式清洗裝置的密封蓋的結構示意圖。

第11圖揭示了根據本新型的密封蓋的剖視圖。

第12圖揭示了根據本新型的槽式清洗裝置打開密封蓋的結構示意圖。

第13圖揭示了根據本新型的槽式清洗裝置打開密封蓋的又一結構示意圖。

第14圖揭示了根據本新型的槽式清洗裝置的又一結構示意圖。

第15圖揭示了根據本新型的槽式清洗裝置的又一實施例的結構示意圖。

第16圖揭示了根據本新型的單片清洗裝置的結構示意圖。

第17圖揭示了根據第16圖的沿XVII-XVII的剖面結構示意圖。

第18圖揭示了根據第17圖的B處的局部放大圖。

為詳細說明本新型的技術內容、構造特徵、所達成的目的及功效，下面將結合實施例並配合圖式予以詳細說明。

參閱第1圖和第2圖，揭示了根據本新型的晶圓清洗裝置的結構示意圖。該晶圓清洗裝置包括主體框架110、晶圓裝載埠120、晶圓傳送裝置130、槽式清洗裝置140及單片清洗裝置150。晶圓裝載埠120設置於主體框架110的外側端，晶圓裝載埠120接收和放置晶圓盒(圖中未示)，晶圓盒存放待清洗或清洗完畢的晶圓。晶圓裝載埠120的數量不限於一個，可以根據晶圓清洗裝置的處理能力選擇合適數量的晶圓裝置埠120。晶圓傳送裝置130、槽式清洗裝置140及單片清洗裝置150分別集成於主體框架110內。

如第3圖和第4圖所示，晶圓傳送裝置130包括傳送機械手131、溶液接收器132及機械手安裝台133。傳送機械手131用於在晶圓裝載埠120的晶圓盒、槽式清洗裝置140及單片清洗裝置150之間傳送晶圓。傳送機械手131和溶液接收器132均裝配在機械手安裝台133上，溶液接收器132位於傳送機械手131的下方，工藝處理時，溶液接收器132接收從傳送機械手131上滴落的溶液，以避免傳送機械手131上的溶液滴落至晶圓清洗裝置內，污染晶圓清洗裝置。溶液接收器132大致呈漏斗形，溶液接收器132的底部開設有排液口138，溶液接收器132內的溶液從排液口138排出。

晶圓傳送裝置130還包括機械手驅動裝置134、支架板135及支座136。機械手安裝台133裝配在支架板135上，機械手驅動裝置134驅動支架板135沿支座136垂直上升或下降，從而帶動機械手安裝台133垂直上升或下降。由於傳送機械手131和溶液接收器132裝配在機械手安裝台133上，因而，傳送機械手131和溶液接收器132隨機械手安裝台133垂直上升或下降，以調節傳送機械手131和溶液接收器132在垂直方向的高度。支座136的頂端設置有一對限位塊137，支架板135沿支座136垂直上升至限位塊137處時，支架板135停止上升。機械手驅動裝置134可以選用氣缸。

通常設置有兩個或兩個以上的傳送機械手131，較佳的，至少設置兩個傳送機械手131，其中一個傳送機械手131用於傳送乾態晶圓，一個傳送機械手131用於傳送濕態晶圓，用於傳送濕態晶圓的傳送機械手131位於用於傳送乾態晶圓的傳送機械手131的下方。傳送機械手131可以選用本領域技術人員熟知的機械手，但在工藝處理時，傳統機械手存在一弊端，即清洗溶液會堆積在機械手上，使用傳統機械手取放晶圓時，晶圓粘附在機械手上不易脫落。為了解決此弊端，本新型對傳統機械手實施了改進，如第5圖和第6圖所示，本新型傳送機械手131上用於承載晶圓的一面開設有大致呈V型的凹槽1311，凹槽1311的開口寬度大致與傳送機械手131末指端的寬度一致。凹槽1311內開設有數個通孔1312，堆積在傳送機械手 131上的清洗溶液彙集於凹槽1311內，並從通孔1312滴落至傳送機械手131下方的溶液接收器132內。

參閱第7圖，揭示了根據本新型的傳送機械手的又一實施例的結構示意圖。該傳送機械手131’上用於承載晶圓的一面開設有大致呈V型的凹槽1311’，凹槽1311’內開設有數個通孔1312’。與前述實施例的不同之處在於，本實施例的傳送機械手131’上用於承載晶圓的一面還設置有數個台階狀的凸起1313’，傳送晶圓時，該數個凸起1313’托起晶圓，目的是儘量減少晶圓與傳送機械手131’的接觸面積，進而減少晶圓與傳送機械手131’之間的粘附力，以利於晶圓的取放。

參閱第8圖、第12圖至第14圖同時結合第1圖和第2圖，槽式清洗裝置140包括隔板141，隔板141將槽式清洗裝置140與晶圓傳送裝置130隔離，隔板141的前側設置晶圓傳送裝置130，隔板141的背側設置槽式清洗裝置140。隔板141上開設有用於傳送晶圓的第一晶圓進出口142，傳送機械手131透過該第一晶圓進出口142將晶圓放入槽式清洗裝置140或從槽式清洗裝置140內取出。設置於隔板141背側的槽式清洗裝置140包括槽式清洗槽143、密封蓋144、密封擋板145、支撐架146、升降機構147、翻轉機構148及晶圓卡盒149。槽式清洗槽143、密封蓋144及密封擋板145形成一密閉空間，以用於一片或多片晶圓的工藝處理。密封擋板145固定安裝在槽式清洗槽143上。升降機構147安裝在支撐架146上，升降機構147與密封蓋 144連接，升降機構147驅動密封蓋144上升或下降，以打開或閉合該密閉空間。用於放置並卡持晶圓的晶圓卡盒149裝配在密封蓋144上，翻轉機構148驅動晶圓卡盒149翻轉，以使晶圓卡盒149水平佈置於密封蓋144內或豎直懸掛於密封蓋144下。

如第9圖所示，槽式清洗槽143具有內槽1431和外槽1432。內槽1431存放清洗溶液如TMAH、NMP、IPA、DIW或丙酮等，晶圓卡盒149豎直懸掛於密封蓋144下並豎直收容於內槽1431以用於一片或多片晶圓的浸泡清洗。內槽1431的槽口呈鋸齒型，以防止清洗溶液堆積於內槽1431槽口的頂面，如果清洗溶液較粘稠，使用一段時間後，清洗溶液可能會凝固於內槽1431槽口的頂面，設計成鋸齒型後，清洗溶液不會堆積於內槽1431槽口的頂面。外槽1432的底面為傾斜的斜坡面，且在斜坡面的坡底部開設有出液口1433。出液口1433與一泵(圖中未示)的進液口連接，泵的出液口與槽式清洗槽的內槽1431連接。在泵的出液口與槽式清洗槽的內槽1431之間設置有加熱裝置(圖中未示)。內槽1431中的清洗溶液透過內槽1431的槽口溢出至外槽1432，由於外槽1432的底面為傾斜的斜坡面，外槽1432中的清洗溶液彙集於斜坡面的坡底部，並透過出液口1433、泵及加熱裝置後再供應至內槽1431，以構成清洗溶液的循環使用。

密封蓋144扣合於槽式清洗槽143上，以形成上述密閉空間。如第10圖和第11圖所示，密封蓋144具 有頂壁1441和與頂壁1441連接的兩側壁1442及後壁1443。密封蓋144的頂壁1441、兩側壁1442及後壁1443圍成一容納空間以收容晶圓卡盒149。密封蓋144的頂壁1441為前高後低的傾斜斜面。密封蓋144的後壁1443的底部形成有導流槽1444。工藝處理時，如果槽式清洗槽143的內槽1431內的清洗溶液溫度較高，清洗溶液汽化為蒸汽，為了防止蒸汽泄漏，密封蓋144扣合於槽式清洗槽143上，且連同密封擋板145形成上述密閉空間。蒸汽上升至密封蓋144的頂壁1441後，蒸汽在密封蓋144的頂壁1441液化，液化後的清洗溶液沿密封蓋144的頂壁1441流至密封蓋144的後壁1443後流入導流槽1444，然後清洗溶液從導流槽1444流入槽式清洗槽143的外槽1432，並透過出液口1433、泵及加熱裝置後再供應至內槽1431，以構成清洗溶液的循環使用。

參閱第12圖至第14圖，使用該槽式清洗裝置140清洗晶圓時，傳送機械手131從晶圓裝載埠120處的晶圓盒取出待清洗的晶圓，此時，升降機構147驅動密封蓋144上升至工藝所需的高度，翻轉機構148驅動晶圓卡盒149翻轉，以使晶圓卡盒149水平佈置於密封蓋144內。然後，傳送機械手131透過第一晶圓進出口142將晶圓水平放置於晶圓卡盒149內。放入數片晶圓至晶圓卡盒149後，翻轉機構148驅動晶圓卡盒149翻轉，以使晶圓卡盒149豎直懸掛於密封蓋144下。升降機構147驅動密封蓋144下降，槽式清洗槽143、密封蓋144及密封擋板145形成密 閉空間，懸掛於密封蓋144下的晶圓卡盒149收容於槽式清洗槽143的內槽1431，以浸泡清洗晶圓。晶圓清洗完畢後，升降機構147驅動密封蓋144上升，打開密閉空間，翻轉機構148驅動晶圓卡盒149翻轉，以使晶圓卡盒149水平佈置於密封蓋144內，傳送機械手131透過第一晶圓進出口142從晶圓卡盒149內水平取出晶圓。

隔板141的背側設置有氮氣保護裝置160，該氮氣保護裝置160位於第一晶圓進出口142的上方。氮氣保護裝置160用於向傳送機械手131吹氮氣，儘量使傳送機械手131保持乾的狀態，以免晶圓粘附在傳送機械手131上。

為了提高晶圓清洗裝置的使用壽命，本新型揭示了槽式清洗裝置的又一實施例，如第15圖所示，在該實施例中，隔板141由外殼141’取代，該外殼141’具有頂壁、底壁、前壁、後壁及兩側壁(其中有一側壁在圖中未顯示)，外殼141’的頂壁、底壁、前壁、後壁及兩側壁圍成了一密閉的收容空間。槽式清洗裝置140’的槽式清洗槽143’、密封蓋144’、密封擋板145’、支撐架146’、升降機構147’、翻轉機構148’及晶圓卡盒均收容於該密閉的收容空間。外殼141’的側壁開設有排氣口1411’，該排氣口1411’與排氣裝置(圖中未示)相連，顯然，排氣口1411’不限於開設在外殼141’的側壁，例如，外殼141’的後壁也可以開設該排氣口1411’。外殼141’的前壁開設有第一晶圓進出口142’。氮氣保護裝置160’設置在外 殼141’的前壁並收容於該密閉的收容空間。氮氣保護裝置160’位於第一晶圓進出口142’的上方。工藝處理時，氮氣保護裝置160’一直向第一晶圓進出口142’處吹氮氣，透過外殼141’的內外壓力差阻止外殼141’內的氣體泄漏。透過設置外殼141’，槽式清洗裝置140’內清洗溶液和氣體不會泄漏至晶圓清洗裝置內，因而可以提高晶圓清洗裝置的使用壽命。

參閱第16圖至第18圖，單片清洗裝置150用於單片晶圓的清洗和乾燥。單片清洗裝置150開設有用於傳送晶圓的第二晶圓進出口151。單片清洗裝置150的頂部設置有風機篩檢程式機組(FFU)152。單片清洗裝置150的底部開設有排氣口(圖中未示)。單片清洗裝置150是一個完全密封的裝置，單片清洗裝置150內的氣體只能透過排氣口排出。為了達到單片清洗裝置150的完全密封性，本新型使用了大量密封圈以密封單片清洗裝置150，例如，單片清洗裝置150具有架體153及安裝於架體153上的架板154，架體153與架板154的安裝處設置有密封圈155。單片清洗裝置150內設置有超/兆聲波裝置，可以對單片清洗裝置150內的晶圓進行超/兆聲波清洗。單片清洗裝置150內的清洗溶液可以為TMAH、NMP、IPA、DIW或丙酮等。

本新型在槽式清洗裝置140和單片清洗裝置150內分別設有火焰探測器和滅火器噴頭，目的是保證槽式清洗裝置140和單片清洗裝置150的安全性。

為了保證槽式清洗裝置140/140’和單片清洗 裝置150的密封性，本新型分別在第一晶圓進出口142/142’及第二晶圓進出口151處設置有感應門，只有當傳送機械手131需要透過第一晶圓進出口142/142’或第二晶圓進出口151取放晶圓時，感應門才打開，其餘時間段，感應門關閉。

本新型晶圓清洗裝置清洗晶圓的過程如下：傳送機械手131從晶圓裝載埠120處的晶圓盒取出待清洗的晶圓，此時，升降機構147驅動密封蓋144上升至工藝所需的高度，翻轉機構148驅動晶圓卡盒149翻轉，以使晶圓卡盒149水平佈置於密封蓋144內。然後，傳送機械手131透過第一晶圓進出口142將晶圓水平放置於晶圓卡盒149內。放入數片晶圓至晶圓卡盒149後，翻轉機構148驅動晶圓卡盒149翻轉，以使晶圓卡盒149豎直懸掛於密封蓋144下。升降機構147驅動密封蓋144下降，槽式清洗槽143、密封蓋144及密封擋板145形成密閉空間，懸掛於密封蓋144下的晶圓卡盒149收容於槽式清洗槽143的內槽1431，以浸泡清洗晶圓。晶圓清洗完畢後，升降機構147驅動密封蓋144上升，打開密閉空間，翻轉機構148驅動晶圓卡盒149翻轉，以使晶圓卡盒149水平佈置於密封蓋144內，傳送機械手131透過第一晶圓進出口142從晶圓卡盒149內水平取出晶圓。然後，傳送機械手131透過第二晶圓進出口151將晶圓放入單片清洗裝置150內進行清洗和乾燥。晶圓在單片清洗裝置150內清洗和乾燥後，傳送機械手131透過第二晶圓進出口151從單片清洗裝置150 內取出晶圓並將晶圓放回至晶圓裝載埠120處的晶圓盒。

為了提高單片晶圓的處理效率，通常設置有兩個或兩個以上單片清洗裝置150，在本新型中，設置有兩個單片清洗裝置150，該兩個單片清洗裝置150層疊設置於主體框架110內。將晶圓放入頂層的單片清洗裝置150或從頂層的單片清洗裝置150內取出晶圓時，機械手驅動裝置134驅動支架板135沿支座136垂直上升，從而帶動機械手安裝台133垂直上升，使傳送機械手131與頂層的單片清洗裝置150的第二晶圓進出口151位於相同的高度。將晶圓放入底層的單片清洗裝置150或從底層的單片清洗裝置150內取出晶圓時，機械手驅動裝置134驅動支架板135沿支座136垂直下降，從而帶動機械手安裝台133垂直下降，使傳送機械手131與底層的單片清洗裝置150的第二晶圓進出口151位於相同的高度。

本新型晶圓清洗裝置透過將槽式清洗裝置140和單片清洗裝置150集成於主體框架110內，由一套晶圓傳送裝置130完成晶圓的傳送，縮短了晶圓清洗工藝週期，降低了生產成本，且集成於一套裝置後佔用空間縮小。

綜上所述，本新型晶圓清洗裝置透過上述實施方式及相關圖式說明，己具體、詳實的揭露了相關技術，使本領域的技術人員可以據以實施。而以上所述實施例只是用來說明本新型，而不是用來限制本新型的，本新型的權利範圍，應由本新型的申請專利範圍來界定。至於本文中所述元件數目的改變或等效元件的代替等仍都應屬於本 新型的權利範圍。

110‧‧‧主體框架

120‧‧‧晶圓裝載埠

130‧‧‧晶圓傳送裝置

141‧‧‧隔板

142‧‧‧第一晶圓進出口

150‧‧‧單片清洗裝置

Claims (20)

1. 一種晶圓清洗裝置，其特徵在於，包括：主體框架、晶圓裝載埠、晶圓傳送裝置、槽式清洗裝置及單片清洗裝置，所述晶圓裝載埠設置於主體框架的外側端，所述晶圓傳送裝置、槽式清洗裝置及單片清洗裝置設置於主體框架內，其中，所述晶圓裝載埠接收和放置晶圓盒，晶圓盒存放晶圓；所述槽式清洗裝置開設有傳送晶圓的第一晶圓進出口，槽式清洗裝置浸泡清洗一片或多片晶圓；所述單片清洗裝置開設有傳送晶圓的第二晶圓進出口，單片清洗裝置清洗和乾燥單片晶圓；所述晶圓傳送裝置在晶圓裝載埠的晶圓盒、槽式清洗裝置及單片清洗裝置之間傳送晶圓。
2. 根據請求項1所述的晶圓清洗裝置，其特徵在於，所述晶圓傳送裝置包括至少一傳送機械手、溶液接收器及機械手安裝台，所述傳送機械手和溶液接收器裝配在機械手安裝台上，溶液接收器位於傳送機械手的下方，溶液接收器接收從傳送機械手上滴落的溶液。
3. 根據請求項2所述的晶圓清洗裝置，其特徵在於，所述溶液接收器呈漏斗形，溶液接收器的底部開設有排液口，溶液接收器內的溶液從排液口排出。
4. 根據請求項2所述的晶圓清洗裝置，其特徵在於，所述傳送機械手上承載晶圓的一面開設有凹槽，凹槽內開設有數個通孔。
5. 根據請求項4所述的晶圓清洗裝置，其特徵在於，所述傳送機械手上承載晶圓的一面設置有數個凸起，凸起托 起晶圓。
6. 根據請求項2所述的晶圓清洗裝置，其特徵在於，所述晶圓傳送裝置還包括機械手驅動裝置、支架板及支座，所述機械手安裝台裝配在支架板上，機械手驅動裝置驅動支架板沿支座垂直上升或下降。
7. 根據請求項1所述的晶圓清洗裝置，其特徵在於，所述槽式清洗裝置包括槽式清洗槽、密封蓋、密封擋板、支撐架、升降機構、翻轉機構及晶圓卡盒，所述槽式清洗槽、密封蓋及密封擋板形成一密閉空間，所述密封擋板固定安裝在槽式清洗槽上，所述升降機構安裝在支撐架上，升降機構與密封蓋連接，升降機構驅動密封蓋上升或下降，打開或閉合該密閉空間，所述晶圓卡盒裝配在密封蓋上，所述翻轉機構驅動晶圓卡盒翻轉，晶圓卡盒水平佈置於密封蓋內或豎直懸掛於密封蓋下。
8. 根據請求項7所述的晶圓清洗裝置，其特徵在於，所述槽式清洗槽具有內槽和外槽，所述晶圓卡盒收容於內槽浸泡清洗一片或多片晶圓，內槽槽口呈鋸齒型。
9. 根據請求項8所述的晶圓清洗裝置，其特徵在於，所述槽式清洗槽的外槽的底面為傾斜的斜坡面，且在斜坡面的坡底部開設有出液口。
10. 根據請求項9所述的晶圓清洗裝置，其特徵在於，所述槽式清洗槽的外槽的出液口與一泵的進液口連接，泵的出液口與槽式清洗槽的內槽連接。
11. 根據請求項10所述的晶圓清洗裝置，其特徵在於，所述泵的出液口與槽式清洗槽的內槽之間設置有加熱裝置。
12. 根據請求項7所述的晶圓清洗裝置，其特徵在於， 所述密封蓋扣合於槽式清洗槽上形成所述密閉空間，密封蓋具有頂壁、兩側壁及後壁，頂壁為前高後低的傾斜的斜面，後壁的底部形成有導流槽。
13. 根據請求項7所述的晶圓清洗裝置，其特徵在於，所述槽式清洗裝置還包括隔板，所述晶圓傳送裝置設置於隔板的前側，所述槽式清洗槽、密封蓋、密封擋板、支撐架、升降機構、翻轉機構及晶圓卡盒設置於隔板的背側，所述第一晶圓進出口開設於隔板上。
14. 根據請求項7所述的晶圓清洗裝置，其特徵在於，所述槽式清洗裝置還包括外殼，所述外殼的頂壁、底壁、前壁、後壁及兩側壁圍成了一密閉的收容空間，所述槽式清洗槽、密封蓋、密封擋板、支撐架、升降機構、翻轉機構及晶圓卡盒均收容於該密閉的收容空間，所述外殼開設有排氣口及所述第一晶圓進出口。
15. 根據請求項1所述的晶圓清洗裝置，其特徵在於，還包括氮氣保護裝置，所述氮氣保護裝置設置在槽式清洗裝置內且位於槽式清洗裝置的第一晶圓進出口的上方。
16. 根據請求項1所述的晶圓清洗裝置，其特徵在於，所述單片清洗裝置是一個完全密封的裝置，所述單片清洗裝置設置有風機篩檢程式機組並開設有排氣口，單片清洗裝置內的氣體僅能夠透過單片清洗裝置的排氣口排出。
17. 根據請求項16所述的晶圓清洗裝置，其特徵在於，所述單片清洗裝置具有架體及安裝於架體上的架板，架體與架板的安裝處設有密封圈。
18. 根據請求項1所述的晶圓清洗裝置，其特徵在於，所述單片清洗裝置內設置有超/兆聲波裝置。
19. 根據請求項1所述的晶圓清洗裝置，其特徵在於，所述第一晶圓進出口及第二晶圓進出口處分別設置有感應門。
20. 根據請求項1所述的晶圓清洗裝置，其特徵在於，所述槽式清洗裝置及單片清洗裝置內分別設有火焰探測器和滅火器噴頭。