TWM384394U - Transparent conductive film substrate structure with a buffer layer - Google Patents
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M384394 五、新型說明: 【新型所屬之技術領域】 本創作係與一種透明導電膜有關,特別是指一種具緩衝層 之透明導電膜基板構造。 【先前技術】 按,透明導電膜為具良好光學穿透度及導電性的金屬氧化 物,因此被廣泛應用為光電元件、平面顯示器、觸控面板以及 太陽能電池等元件之透明導電電極。而以往透明導電膜皆沉積 #於玻璃基板上,但玻璃卻重量大、财衝擊性差與不可撓等缺 點,近年來,隨著攜帶型消費性電子產品的曰新月異和軟性電 子產品之進步,產品之輕量化、财衝擊及彎曲性之需求的提 高,因此將透明導電膜沉積於高分子基板上之應用成為一種趨 勢。透明導電膜成長於高分子基板時會因耐熱性不佳而造成基 板彎曲,熱膨脹係數之差異造成薄膜應力問題,且高分子基板 易吸收水氣問題也會影響透明導電膜沉積過程中之化學計量 比,因而限制透明導電膜的生長與品質。此外,沉積透明導電 φ膜之高分子基板也面臨彎曲特性如彎曲程度(Bending „ ability)、彎曲壽命等問題,是以,習知技術與結構實有待加 以改善之必要。 【新型内容】 本創作主要目的在提供一種具緩衝層之透明導電膜基板 構造,使可具有防阻水氣及改善機械應力之效用。 本創作具緩衝層之透明導電膜基板構造,其係包含有一基 材、至少一緩衝層及一透明導電膜,該基板係大體為一板體, 且其表面上係設有緩衝層,同時,該緩衝層於對應該基材另侧 係更設有該透明導電膜。 3 M384394 本創作藉由於基材與透明導電膜間設置緩衝層,而達到防 阻水氣及減缓透明導電膜與基材間的應力,並使透明導電膜不 易破裂。 【實施方式】 首先,請參閱第一圖所示,為本創作第一實施例之結構示 意圖,其包含有: 一基材10,係大體為一板體,且於本創作實施例中該基 材10係為聚對苯二甲酸乙二醇(PET)材質,並可彈性彎折。 至少一緩衝層20,係設於該基材10之表面上,而於本創 作第一實施例中該基材10相對側之表面上係分別設有一緩衝 層20,且該等缓衝層20係為二氧化矽(Si〇2)材質,同時,該 等緩衝層20係很緻密且具有阻氣及阻水之效用。 一透明導電膜30,係設於其中一緩衝層20之表面上,且 對應位於該基材10的另側,於本創作實施例中該透明導電膜 30係為氧化銦錫(Indium tin oxide, I TO)透明導電膜。 為供進一步瞭解本創作構造特徵、運用技術手段及所預期 達成之功效,茲將本創作使用方式加以敘述,相信當可由此而 對本創作有更深入且具體之瞭解,如下所述: 仍請參閱第一圖所示,於成長第一實施例之結構時,係在 該基材10上先濺鍍上該等缓衝層20,其次再於該缓衝層20 上濺鍍該透明導電膜30,而完成本創作第一實施例之基板構 造,於本創作實施例中該緩衝層20係可防阻水氣並明顯改善 該透明導電膜30在該基材10上的機械特性,其主要是因為缓 衝層20可以減緩該透明導電膜30與該基材10間的應力,使 該透明導電膜30不易破裂。 請配合參閱第二圖所示,為本創作第二實施例之結構示意 4 M384394 圖;本創作第二實施例與上述第一實施例大體皆為相同,而主 要不同處係在於,該基材10相對側之表面上係分別設有一緩 衝層20及一硬化層40,而該緩衝層20於對應該基材10另側 表面係再設有該透明導電膜30,其中,該硬化層40係具有耐 磨耗之效用。 再請配合參閱第三圖所示,為本創作第三實施例之結構示 意圖;本創作第三實施例與上述第二實施例大體皆為相同,而 主要不同處係在於,該硬化層40於對應該基材10另側之表面 鲁係再設有一緩衝層2 0。 請同時配合參閱第四圖所示,為本創作第四實施例之結構 示意圖;本創作第四實施例與上述第二實施例大體皆為相同, 而主要不同處係在於,該緩衝層20與該透明導電膜30間係再 設有一緩衝層20,且該緩衝層20係為二氧化鈦(Ti〇2)。 茲,再將本創作之特徵及其可達成之預期功效陳述如下: 本創作具緩衝層之透明導電膜基板構造係先將基材上鍍 有緩衝詹,並再沉積透明導電膜於緩衝層上,而使可藉由緩衝 φ層之特性而達到防阻水氣及減緩透明導電膜與基材間的應 .力,使透明導電膜不易破裂。 綜上所述,本創作在同類產品中實有其極佳之進步實用 性,同時遍查國内外關於此類結構之技術資料,文獻中亦未發 現有相同或近似的構造存在在先,是以,本創作實已具備新型 專利要件,爰依法提出申請。 惟,以上所述者,僅係本創作之較佳可行實施例而已,故 舉凡應用本創作說明書及申請專利範圍所為之等效結構變 化,理應包含在本創作之專利範圍内。 5 M384394 【圖式簡單說明】 第一圖係本創作第一實施例之結構示意圖。 第二圖係本創作第二實施例之結構示意圖。 第三圖係本創作第三實施例之結構示意圖。 第四圖係本創作第四實施例之結構示意圖。 【主要元件符號說明】 10 基材 20 緩衝層 30 透明導電膜 40 硬化層
Claims (1)
- M384394 六、申請專利範圍: 1、 一種具緩衝層之透明導電膜基板構造,其主要係包含 有: 一基材,係大體為一板體; 至少一緩衝層,係設於該基材一側表面上;以及, 一透明導電膜,係設於該緩衝層之表面上,且對應位於該 基材的另側。 2、 依申請專利範圍第1項所述之具缓衝層之透明導電膜 ‘基板構造,其中,該基材係為聚對苯二曱酸乙二醇(PET)材質, 且可彈性彎折。 3、 依申請專利範圍第1項所述之具緩衝層之透明導電膜 基板構造,其中,該基材於對應該缓衝層另側之表面係設有另 一緩衝層。 4、 依申請專利範圍第1項所述之具緩衝層之透明導電膜 基板構造,其中,該基材於對應該緩衝層另側之表面係設有一 硬化層。 φ 5、依申請專利範圍第4項所述之具緩衝層之透明導電膜 . 基板構造,其中,該硬化層於對應該基材另側之表面係設有另 一缓衝層。 6、依申請專利範圍第4項所述之具緩衝層之透明導電膜 基板構造,其中,該緩衝層與該透明導電膜間係設有另一缓衝
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TW99202871U TWM384394U (en) | 2010-02-10 | 2010-02-10 | Transparent conductive film substrate structure with a buffer layer |
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TW99202871U TWM384394U (en) | 2010-02-10 | 2010-02-10 | Transparent conductive film substrate structure with a buffer layer |
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TWM384394U true TWM384394U (en) | 2010-07-11 |
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ID=50601252
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TW99202871U TWM384394U (en) | 2010-02-10 | 2010-02-10 | Transparent conductive film substrate structure with a buffer layer |
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Cited By (1)
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CN103814348A (zh) * | 2011-09-21 | 2014-05-21 | 日本写真印刷株式会社 | 静电电容式触摸传感器及包括该触摸传感器的显示装置 |
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Cited By (2)
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CN103814348A (zh) * | 2011-09-21 | 2014-05-21 | 日本写真印刷株式会社 | 静电电容式触摸传感器及包括该触摸传感器的显示装置 |
CN103814348B (zh) * | 2011-09-21 | 2015-09-09 | 日本写真印刷株式会社 | 静电电容式触摸传感器及包括该触摸传感器的显示装置 |
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