TWI839576B - 極端紫外線曝光裝置中之標線片 - Google Patents
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Abstract
一種用於極端紫外線曝光裝置的標線片及一種製造標線片的方法，標線片包括：基板，包括邊緣區域及主區域；多層結構，位於主區域及邊緣區域上，多層結構的側壁上覆於邊緣區域上；頂蓋層，覆蓋多層結構的上表面及側壁、以及基板的邊緣區域的至少一部分；以及吸收層，位於頂蓋層上，吸收層覆蓋基板的邊緣區域上頂蓋層的整個上表面，其中由頂蓋層及吸收層而成的堆疊式結構位於基板的邊緣區域的上表面上，且由頂蓋層及吸收層而成的堆疊式結構的側壁垂直於基板的上表面。
Description
實施例是有關於一種極端紫外線（EUV）曝光裝置中之標線片。
曝光製程可使用極端紫外線（extreme ultraviolet，EUV）曝光裝置。
所述實施例可藉由提供一種用於EUV曝光裝置的標線片來達成，所述標線片包括：基板，包括邊緣區域及主區域；多層結構，位於所述基板的所述主區域上及所述邊緣區域的一部分上，所述多層結構的側壁上覆於所述基板的所述邊緣區域上；頂蓋層，覆蓋所述多層結構的上表面及所述側壁、以及所述基板的所述邊緣區域的至少一部分；以及吸收層，位於所述頂蓋層上，所述吸收層覆蓋所述基板的所述邊緣區域上所述頂蓋層的整個上表面，其中由所述頂蓋層及所述吸收層而成的堆疊式結構位於所述基板的所述邊緣區域的上表面上，且由所述頂蓋層及所述吸收層而成的所述堆疊式結構的側壁垂直於所述基板的上表面。
所述實施例可藉由提供一種用於EUV曝光裝置的標線片來達成，所述標線片包括：基板，包括邊緣區域及主區域；多層結構，位於所述基板的所述主區域上及所述邊緣區域的一部分上，所述多層結構的側壁上覆於所述基板的所述邊緣區域上；頂蓋層，覆蓋所述多層結構的上表面及所述側壁、以及所述基板的所述邊緣區域的至少一部分；以及吸收層，位於所述頂蓋層上，所述吸收層覆蓋所述多層結構的所述上表面、所述多層結構的所述側壁及所述基板的所述邊緣區域上所述頂蓋層的整個上表面，其中自所述多層結構的末端至所述基板的末端的最短距離為1.8毫米（mm）至2.0毫米。
所述實施例可藉由提供一種用於EUV曝光裝置的標線片來達成，所述標線片包括：基板；多層結構，位於所述基板上；頂蓋層，覆蓋所述多層結構的上表面及側壁以及所述基板的邊緣區域的上表面；以及吸收層，位於所述頂蓋層上，其中所述吸收層覆蓋所述多層結構的所述側壁及所述基板的所述邊緣區域上所述頂蓋層的整個上表面。
所述實施例可藉由提供一種製造用於EUV曝光裝置的標線片的方法來達成，所述方法包括：在基板的主區域上及邊緣區域的一部分上形成多層結構，使得所述多層結構的側壁位於所述基板的所述邊緣區域上；形成初步頂蓋層（preliminary capping layer），所述初步頂蓋層覆蓋所述多層結構的上表面及側壁、以及所述基板的所述邊緣區域的上表面的一部分；在所述初步頂蓋層上形成初步吸收層，使得所述初步吸收層覆蓋所述基板的所述邊緣區域上所述初步頂蓋層的整個上表面；以及蝕刻所述基板的所述邊緣區域的所述上表面上所述初步頂蓋層的及所述初步吸收層的邊緣部分，以形成由頂蓋層及吸收層而成的堆疊式結構，其中所述堆疊式結構覆蓋所述多層結構的所述上表面及所述側壁、以及所述基板的所述邊緣區域的上表面的一部分，且由所述頂蓋層及所述吸收層而成的所述堆疊式結構的側壁垂直於所述基板的上表面。
圖1是EUV曝光裝置的方塊圖。圖2示出在EUV曝光裝置中對目標的曝光。
參照圖1及圖2，EUV曝光裝置10可包括光源20、照射系統30、標線片40及光學系統50。EUV曝光裝置10可被設計成將EUV光輻照至目標基板60上的光阻層上。
光源20可產生波長在約1奈米（nm）與約100奈米之間的EUV光。在實施方案中，光源20可產生波長為約13.5奈米的EUV光。EUV光可由電漿源、雷射感應源、放電氣體電漿源等產生。
照射系統30可包括將EUV光引導至標線片40的光學構件。在實施方案中，照射系統30可包括鏡系統、透鏡等。
標線片40可形成用於照射至目標基板60上的光阻層上的經圖案化光。標線片40可被裝載於靜電卡盤上，且因此標線片40可固定於靜電卡盤上。
光學系統50可將自標線片40反射的光引導至目標基板60上。
在下文中，主要闡述EUV曝光裝置中所包括的標線片40。標線片40可與曝光遮罩或光罩作為相同的用語來使用。此外，以下闡述的剖視圖主要示出標線片中基板的邊緣部分。
圖3是根據示例性實施例的標線片的剖視圖。圖4是根據示例性實施例的標線片的平面圖。
圖3是沿著圖4中的線C-C'截取的剖視圖。圖3主要示出基板的邊緣部分。
參照圖3及圖4，標線片40可包括基板100。
基板100可包含低熱膨脹材料，例如經摻雜氧化矽或石英、矽、碳化矽及黑金剛石。在實施方案中，基板100可包含摻雜有TiO2
的SiO2
。
基板100的上表面可包括主區域A（在其中或其上可形成用於形成電路圖案的主圖案）及邊緣區域B（在其中或其上可不形成主圖案）。邊緣區域B可位於基板100的邊緣部分處，且可環繞主區域A。
邊緣區域B可包括第一區域I及第二區域II。第一區域I可與主區域A相鄰，且可包括多層結構102的末端部分（例如，多層結構102的末端可上覆於或位於邊緣區域B的第一區域I上）。第二區域II可包括基板100的末端，且可不包括多層結構102（例如，多層結構102可不延伸至或上覆於第二區域II上）。在實施方案中，第二區域II可為自多層結構102的末端至基板100的末端的區域或者介於多層結構102的末端至基板100的末端之間的區域。
為了使用電子束來圖案化遮罩，多層結構102的邊緣部分可被電性接地。多層結構102的末端可與基板100的邊緣部分相鄰。在實施方案中，第二區域II的距離或寬度，例如自多層結構102的末端至基板100的末端的最短距離，可為2.0毫米或更小。在實施方案中，第二區域II的寬度可為1.8毫米至2.0毫米。
多層結構102可位於基板100的主區域A及第一區域I上。多層結構102可為用於反射EUV光的反射層。在多層結構102中，可交替地堆疊有多個層102a及102b。在實施方案中，多層結構102可包括其中重複地堆疊多組鉬層/矽層（Mo/Si）的結構或者其中重複地堆疊多組鉬層/鈹層（Mo/Be）的結構。
在多層結構102中，可交替及重複地堆疊具有不同折射率的多個層以具有預定厚度。因此，由於相位匹配及/或強度總和，EUV光可藉由相長干涉（constructive interference）自多層結構102反射。在實施方案中，每一層的厚度可為2奈米至7奈米。在多層結構102中，交替堆疊的層的組數可為約20至100。多層結構102的總厚度可為200奈米至400奈米。在實施方案中，多層結構102的總厚度可為250奈米至300奈米。
在實施方案中，多層結構102可位於基板100的主區域A的整個上表面上。多層結構102的末端可位於第一區域I上。多層結構102的側壁可位於或上覆於第一區域I上。
多層結構102的長度或尺寸（在水平方向上）可自其頂部分至底部分（例如，自遠離基板100的一部分至靠近基板100的一部分）逐漸增加。在實施方案中，在多層結構102的側壁與基板100的上表面之間或由多層結構102的側壁與基板100的上表面形成的角度可為鈍角。在實施方案中，多層結構102可具有斜的側壁坡度或斜度。
頂蓋層104a可位於多層結構102的上表面及側壁上，且位於基板100的第二區域II的一部分上。頂蓋層104a可幫助保護多層結構102。在實施方案中，頂蓋層104a可幫助防止多層結構102的氧化。
在實施方案中，頂蓋層104a可包含釕（Ru）。在實施方案中，頂蓋層104a可包含包括釕及矽的材料。在實施方案中，頂蓋層104a的厚度可為1奈米至10奈米。在實施方案中，頂蓋層104a的厚度可為3奈米至4奈米。
頂蓋層104a可覆蓋多層結構102的上表面及多層結構102的側壁。在實施方案中，頂蓋層104a可延伸至基板100的第二區域II上。因此，多層結構102可由頂蓋層104a充分保護。
吸收層106a可位於頂蓋層104a上。
基板100的主區域A上的吸收層106a可具有經圖案化形狀。經圖案化吸收層可用作形成電路圖案的主圖案130。另外，經圖案化吸收層的一部分可用作使基板100對齊的對齊鍵圖案112。對齊鍵圖案112可位於主區域A的邊緣部分上。
基板100的邊緣區域B上的吸收層106a可完全覆蓋頂蓋層104a的上表面。在實施方案中，頂蓋層104a及吸收層106a可堆疊於多層結構102的上表面及側壁上以及基板100的第二區域II的所述一部分上。在實施方案中，基板100的邊緣區域B上的吸收層106a可幫助保護頂蓋層104a。
吸收層106a可吸收EUV光。吸收層106a可包括單層或多層。在實施方案中，吸收層106a可包含鉭（例如，非複合鉭）或鉭化合物。在實施方案中，吸收層106a可包含TaN或TaBN。在實施方案中，吸收層106a可包含鉬、鈀、鋯、矽化鎳、鈦、氮化鈦、鉻、氧化鉻、氧化鋁、鋁-銅合金等。在實施方案中，吸收層106a的厚度可為40奈米至80奈米。在實施方案中，吸收層106a的厚度可為50奈米至60奈米。在實施方案中，吸收層106a的厚度可大於頂蓋層104a的厚度。本文所用的用語「或」不是排他性用語，例如，「A或B」將包括A、B或A及B。
如上所述，由頂蓋層104a及吸收層106a而成的堆疊式結構可覆蓋多層結構102的上表面以及多層結構102的側壁。此外，所述堆疊式結構可延伸至基板100的第二區域II。亦即，由頂蓋層104a及吸收層106a而成的堆疊式結構的末端部分可設置於自多層結構102的末端部分至基板100的末端部分的區域中。
由頂蓋層104a及吸收層106a而成的堆疊式結構的側壁可自或相對於基板100的上表面具有垂直坡度（例如，由頂蓋層104a及吸收層106a而成的堆疊式結構的側壁可垂直於基板100的上表面）。在實施方案中，由頂蓋層104a及吸收層106a而成的堆疊式結構可位於基板100的最外側處。基板100的最外側上的堆疊式結構可自或相對於基板100的上表面具有垂直側壁。在實施方案中，由頂蓋層104a及吸收層106a而成的堆疊式結構的側壁可包括彼此共面的最外表面。
在平面圖中，由頂蓋層104a及吸收層106a而成的堆疊式結構的側壁可具有均勻的粗糙度，例如，不具有橫向突出部分。在下文中，粗糙度是指在平面圖中側壁的粗糙度（例如，邊緣輪廓）。在平面圖中，由頂蓋層104a及吸收層106a而成的堆疊式結構的邊緣部分可具有一個邊界（例如，可為平整的），且可不包括突出部分。
標線片40可被裝載於靜電卡盤上，且在靜電卡盤與標線片40之間可施加有強電場。因此，標線片40可固定於靜電卡盤上。頂蓋層104a可具有導電性。
若頂蓋層104a的側壁的一部分突出，或者頂蓋層104a的側壁粗糙度不好，則強電場可能會集中於頂蓋層104a的側壁的突出部分處。因此，在頂蓋層104a的突出部分處可能會出現電弧，且標線片40可能會出現缺陷。然而，在根據示例性實施例的標線片40中，頂蓋層104a的側壁可不具有突出部分（例如，可為平整的），且頂蓋層104a的側壁粗糙度可為良好的。因此，在標線片40處可能不會產生電弧。
在執行一個或幾個曝光製程之後，可執行用於移除標線片40上的顆粒的清潔製程。在標線片40的清潔製程期間，可能會部分地移除頂蓋層104a，或者可能會發生剝離（lift-off）。例如，由於清潔製程，可能會容易地移除多層結構102的邊緣部分上的頂蓋層104a，或者可能會發生剝離。
在根據示例性實施例的標線片40中，邊緣區域B上的頂蓋層104a的上表面可被吸收層106a完全覆蓋。因此，在標線片40的清潔製程期間，邊緣區域B上的頂蓋層104a可由厚度較頂蓋層104a的厚度大的吸收層106a保護，且因此可不會部分地移除頂蓋層104a，或者可不會發生剝離。標線片40可具有優異的耐久性。
圖5至圖14是根據示例性實施例製造標線片的方法中的階段的剖視圖。
所述剖視圖中的每一者示出標線片的一部分。
參照圖5，基板100可包括主區域A及邊緣區域B。邊緣區域B可包括與主區域A相鄰的第一區域I及包括基板100的末端或外邊緣的第二區域II。
可在基板100的主區域A及第一區域I上形成多層結構102。在實施方案中，多層結構102可被形成為使得自多層結構102的末端至基板100的末端的最短距離可為2.0毫米或更小。在實施方案中，多層結構102可被形成為使得自多層結構102的末端至基板的末端的最短距離可為1.8毫米至2.0毫米。
在實施方案中，可藉由交替地沈積鉬/矽（Mo/Si）來形成多層結構102。在實施方案中，可藉由交替地沈積鉬/鈹（Mo/Be）來形成多層結構102。
在實施方案中，可藉由物理氣相沈積、化學氣相沈積、原子層沈積等形成多層結構102中所包括的層。
當在基板100的主區域A及第一區域I上形成多層結構102時，多層結構102中所包括的層中的每一者的末端的厚度可小於其他部分的厚度。此外，多層結構102在水平方向上的長度可自其頂部分至底部分逐漸增加。在實施方案中，在多層結構102的側壁與在多層結構102的側壁之外基板100的上表面之間或由多層結構102的側壁與在多層結構102的側壁之外基板100的上表面形成的角度可為鈍角。在實施方案中，多層結構102可具有斜的側壁坡度。
參照圖6，可形成初步頂蓋層104，以覆蓋多層結構102的表面及基板100的第二區域II的至少一部分的表面。
在實施方案中，可藉由物理氣相沈積、化學氣相沈積、原子層沈積等形成初步頂蓋層104。
在實施方案中，初步頂蓋層104可形成為具有1奈米至10奈米的厚度。在實施方案中，初步頂蓋層104可形成為具有3奈米至4奈米的厚度。
初步頂蓋層104的末端的厚度可略小於初步頂蓋層104的其他部分的厚度。
參照圖7，可形成初步吸收層106，以覆蓋初步頂蓋層104、及基板100的第二區域II的暴露表面的至少一部分。
在實施方案中，可藉由物理氣相沈積、化學氣相沈積、原子層沈積等形成初步吸收層106。
在實施方案中，初步吸收層106可形成為具有40奈米至80奈米的厚度。在實施方案中，初步吸收層106可形成為具有50奈米至60奈米的厚度。在實施方案中，初步吸收層106的厚度可大於初步頂蓋層104的厚度。
初步吸收層106的末端的厚度可略小於初步吸收層106的其他部分的厚度。
初步頂蓋層104及初步吸收層106可堆疊於基板100的第二區域II上。
參照圖8及圖9，可塗佈初步第一光阻層110，以覆蓋初步吸收層106及基板100。此後，可執行其中移除初步第一光阻層110的預定寬度的邊緣部分的第一邊緣珠移除（edge bead removal，EBR）製程，使得可移除初步第一光阻層110的邊緣珠。因此，可藉由第一EBR製程形成第一光阻層110a。
第一光阻層110a的末端可位於自多層結構102的末端至基板100的末端的區域或者多層結構102的末端至基板100的末端之間的區域中。第一光阻層110a的末端可位於第二區域II上由初步頂蓋層104及初步吸收層106而成的堆疊式結構上。
因此，第一光阻層110a可形成為覆蓋主區域A、第一區域I上及第二區域II的一部分上的初步吸收層106。在第二區域II的其他部分上初步吸收層106的邊緣部分可被暴露出（例如，未被第一光阻層110a覆蓋）。暴露出的初步吸收層106可包括初步吸收層106的具有相對薄厚度的末端部分。
在實施方案中，可藉由光學EBR製程來執行第一EBR製程。光學EBR製程可包括初步第一光阻層110的邊緣部分的曝光製程、曝光後烘焙製程及顯影製程，且可移除初步第一光阻層110的邊緣部分。在光學EBR製程中，於曝光製程中使用的光源可例如包括雷射束、電子束（E束）、離子束（ion beam或ion-beam）等。
當執行光學EBR製程時，初步第一光阻層110的邊緣部分可被準確地移除預定的寬度或量。因此，第一光阻層的邊緣部分的粗糙度可為均勻的。
在用於移除基板100上的初步第一光阻層的邊緣部分的第一EBR製程中，使用溶劑可能並非是較佳的。溶劑可能不會均勻地施加至初步第一光阻層的邊緣部分，且溶劑可能不會準確地移除初步第一光阻層的預定寬度的邊緣部分。藉由使用溶劑執行EBR製程而形成的第一光阻層的邊緣粗糙度可較藉由執行光學EBR製程而形成的第一光阻層110a的邊緣粗糙度更差（例如，更粗糙）。
參照圖10，可藉由對第一光阻層110a執行光學製程（photo process）來形成第一光阻圖案110b。
在實施方案中，主區域A的邊緣部分上的第一光阻層110a可藉由光學製程被圖案化。第一光阻圖案110b可用作形成用於使基板100對齊的對齊鍵圖案的蝕刻遮罩。
邊緣區域B上的第一光阻層110a可不藉由光學製程被圖案化。因此，第一光阻圖案110b可覆蓋第一區域I上及第二區域II的一部分上的初步吸收層106。另外，在基板的第二區域II的其他部分上初步吸收層106的邊緣部分可由第一光阻圖案110b暴露出。
參照圖11，可使用第一光阻圖案110b作為蝕刻遮罩來蝕刻第二區域上的初步吸收層106及初步頂蓋層104以及主區域上的初步吸收層106，以形成吸收層106a及頂蓋層104a。
主區域A上的初步吸收層106可藉由蝕刻製程被蝕刻，使得可形成用於使基板100對齊的對齊鍵圖案112。對齊鍵圖案112可位於主區域A的邊緣部分上。
初步吸收層106的及初步頂蓋層104的邊緣部分可藉由蝕刻製程被蝕刻，使得可形成吸收層106a及頂蓋層104a。由吸收層106a及頂蓋層104a而成的堆疊式結構的末端（例如，側壁）可位於或上覆於基板100的第二區域II上。初步吸收層106及初步頂蓋層104中的每一者的末端的厚度可小於在主區域A上初步吸收層106及初步頂蓋層104中的每一者的厚度。當主區域A上的初步吸收層106藉由蝕刻製程被蝕刻時，初步吸收層106的及初步頂蓋層104的邊緣部分可完全被蝕刻（例如，完全被移除）。
蝕刻製程可包括各向異性蝕刻製程。在實施方案中，由頂蓋層104a及吸收層106a而成的堆疊式結構的側壁可自或相對於基板100的上表面具有垂直坡度（例如，可垂直於基板100的上表面）。
在實施方案中，在蝕刻製程中用作蝕刻遮罩的第一光阻圖案110b的邊緣部分可具有優異的粗糙度。第一光阻圖案110b的邊緣輪廓可被轉印至吸收層106a及頂蓋層104a。因此，頂蓋層104a可不具有橫向突出部分，且頂蓋層104a的側壁可具有優異的粗糙度。
由頂蓋層104a及吸收層106a而成的堆疊式結構可覆蓋多層結構102的上表面以及多層結構102的側壁。此外，堆疊式結構可延伸至第二區域II上。在實施方案中，由頂蓋層104a及吸收層106a而成的堆疊式結構的末端可位於多層結構102的末端與基板100的末端之間（例如，橫向之間）的區域上。
參照圖12及圖13，可塗佈初步第二光阻層120，以覆蓋吸收層106a及基板100。此後，可對初步第二光阻層120執行第二EBR製程，以形成第二光阻層120a。
第二光阻層120a可覆蓋由頂蓋層104a及吸收層106a而成的堆疊式結構。因此，第二光阻層120a的末端可位於由頂蓋層104a及吸收層106a而成的堆疊式結構的側壁與基板100的末端之間的區域上。由頂蓋層104a及吸收層106a而成的堆疊式結構可不被第二光阻層120a暴露出（例如，可被第二光阻層120a覆蓋）。
第二光阻層120a可形成為覆蓋主區域A、第一區域I上及第二區域II的一部分上吸收層106a的上表面及側壁。基板100的邊緣部分的上表面可被第二光阻層120a暴露出。
在實施方案中，第二EBR製程可為光學EBR製程。所述光學EBR製程可與參照圖8及圖9所示的光學EBR製程實質上相同。
在後續製程中，可不使用第二光阻層120a的邊緣部分來蝕刻基板100上的層。因此，第二光阻層120a的邊緣部分的粗糙度可並非為重要的。
在實施方案中，可使用溶劑來執行第二EBR製程。在實施方案中，可沿著基板100的邊緣部分引入溶劑，以移除初步第二光阻層120的邊緣部分。
參照圖14，可藉由對第二光阻層120a執行光學（例如，微影）製程來形成第二光阻圖案120b。
主區域A上的吸收層106a上的第二光阻層120a可藉由光學製程被圖案化。第二光阻圖案120b可用作圖案化用於形成電路圖案的主圖案的蝕刻遮罩。
再次參照圖3，可使用第二光阻圖案120b作為蝕刻遮罩來蝕刻吸收層106a，以形成標線片40。
在實施方案中，主區域A上的吸收層106a可藉由蝕刻製程被圖案化，使得可在主區域A上形成用於形成電路圖案的主圖案130。
主圖案130之間的頂蓋層104a可被暴露出（例如，透過主圖案130）。在使用EUV光的曝光製程中，EUV光可自暴露出的頂蓋層104a及其下方的多層結構102反射。此外，用於形成半導體晶片的目標基板上的光阻層可由所反射的EUV光曝光。
在蝕刻製程中，在基板100的邊緣區域B上由頂蓋層104a及吸收層106a而成的堆疊式結構可不被蝕刻。因此，由頂蓋層104a及吸收層106a而成的堆疊式結構的側壁可自或相對於基板100的上表面具有垂直坡度。
標線片40可包括基板100的邊緣區域B上由頂蓋層104a及吸收層106a而成的堆疊式結構。由頂蓋層104a及吸收層106a而成的堆疊式結構可覆蓋多層結構102的上表面以及多層結構102的側壁，且所述堆疊式結構可延伸至基板100的第二區域II的上表面上。
在標線片40中，頂蓋層104a的側壁可具有良好的粗糙度，而不具有橫向突出部分。因此，可能不會由於頂蓋層104a的橫向突出部分而在標線片40處出現電弧。此外，邊緣區域B上的頂蓋層104a的上表面可被吸收層106a完全覆蓋，使得標線片40可具有優異的耐久性。
圖15是根據示例性實施例的標線片的剖視圖。
除了多層結構的側壁的形狀之外，圖15所示的標線片可與圖3所示的標線片實質上相同。因此，可省略多餘或重複的說明。
參照圖15，多層結構142的側壁可實質上垂直於基板100的上表面。
在實施方案中，頂蓋層104a及吸收層106a可形成於多層結構142的垂直側壁及上表面上以及基板100的第二區域II的一部分上。
在實施方案中，自多層結構142的末端至基板100的末端的最短距離可為2.0毫米或更小。在實施方案中，自多層結構142的末端至基板100的末端的最短距離可為1.8毫米至2.0毫米。
由頂蓋層104a及吸收層106a而成的堆疊式結構的側壁可自或相對於基板100的上表面具有垂直坡度。在實施方案中，由頂蓋層104a及吸收層106a而成的堆疊式結構可位於基板100的最外側處。基板100的最外側上的堆疊式結構可自基板100的上表面具有垂直坡度。
圖16至圖21是根據示例性實施例製造標線片的方法中的階段的剖視圖。
參照圖16，可在基板100上（例如，在基板100的第一區域I、第二區域II及主區域A上）形成多層140。
在實施方案中，可藉由交替地沈積鉬/矽（Mo/Si）來形成多層140。在實施方案中，可藉由交替地沈積鉬/鈹（Mo/Be）來形成多層140。
多層140形成於基板100的主區域A及第一區域I上，且多層140中所包括的層中的每一者的末端的厚度可小於其他部分的厚度。在實施方案中，多層140可相對於基板100的表面具有斜的或傾斜的側壁坡度。
可在多層140上塗佈光阻層。可圖案化所述光阻層以在多層140上形成光阻圖案144。光阻圖案144可覆蓋主區域A及第一區域I（例如，邊緣區域B的一部分）上的多層140的上表面。上覆於第二區域II上的多層140的表面可被光阻圖案144暴露出（例如，可不被光阻圖案144覆蓋）。
參照圖17，可使用光阻圖案144作為蝕刻遮罩來蝕刻多層140，以形成多層結構142。
在實施方案中，多層結構142的側壁可垂直於基板100的上表面。
在實施方案中，多層結構142可位於基板100的主區域A的整個上表面上。多層結構142的末端可位於第一區域I上。在實施方案中，多層結構142的側壁可位於第一區域I上（例如，可與第一區域I的外邊緣對齊）。
在實施方案中，多層結構142可被形成為使得自多層結構142的末端至基板100的末端的最短距離可為2.0毫米或更小。在實施方案中，自多層結構142的末端至基板100的末端的最短距離可為1.8毫米至2.0毫米。
此後，可移除光阻圖案144。
參照圖18，可形成初步頂蓋層104，以覆蓋多層結構142的表面及基板100的第二區域II的至少一部分的表面。可形成初步吸收層106，以覆蓋初步頂蓋層104及基板100的第二區域II的暴露表面的至少一部分。
所述製程可與參照圖6及圖7所示的製程實質上相同。
參照圖19，可塗佈初步第一光阻層，以覆蓋初步吸收層106及基板100。可對初步第一光阻層執行第一EBR製程，以形成第一光阻層。此後，可藉由對第一光阻層執行光學製程來形成第一光阻圖案110b。
所述製程可與參照圖8至圖10所示的製程實質上相同。
參照圖20，可使用第一光阻圖案110b作為蝕刻遮罩來蝕刻第二區域II上的初步吸收層106及初步頂蓋層104以及主區域A上的初步吸收層106，以形成吸收層106a及頂蓋層104a。
所述製程可與參照圖11所示的製程實質上相同。
主區域A上的初步吸收層106的一部分可被蝕刻以形成對齊鍵圖案112。
在基板100的邊緣區域B上由頂蓋層104a及吸收層106a而成的堆疊式結構的側壁可相對於基板100的上表面具有垂直坡度。頂蓋層104a的側壁可不具有突出部分，且可具有優異的粗糙度。
參照圖21，可塗佈初步第二光阻層，以覆蓋吸收層106a及基板100。可對初步第二光阻層執行第二EBR製程，以形成第二光阻層。此後，可藉由對第二光阻層執行光學製程來形成第二光阻圖案120b。
所述製程可與參照圖12至圖14所示的製程實質上相同。
再次參照圖15，可使用第二光阻圖案120b作為蝕刻遮罩來蝕刻吸收層106a，以形成標線片。
作為總結及回顧，在使用EUV曝光裝置的曝光製程中，由於靜電卡盤與標線片（例如，曝光遮罩）之間的強電場，在所述標線片的一部分處可能會出現電弧。
一或多個實施例可提供EUV曝光裝置中的具有減少的缺陷及高耐久性的標線片。
一或多個實施例可提供製造EUV曝光裝置中的標線片的方法。
根據示例性實施例，位於標線片的邊緣部分處的頂蓋層可具有良好的粗糙度。因此，即使在EUV曝光製程期間在靜電卡盤與標線片之間可能產生強電場，亦可能不會對頂蓋層的邊緣部分施加高電場。頂蓋層的邊緣部分處的電弧可降低。
另外，頂蓋層及吸收層可覆蓋多層結構的側壁及基板的與所述側壁相鄰的邊緣部分。吸收層可形成於頂蓋層上，且吸收層可在標線片清潔期間保護標線片的邊緣部分。因此，可提高標線片的耐久性。
在標線片中，多層結構的側壁可具有垂直坡度。
標線片的電弧可降低。此外，標線片可具有優異的耐久性。
本文中已揭露各示例性實施例，且雖然採用了特定用語，但所述用語應僅以一般且說明性意義而非出於限制目的來加以使用及解釋。在一些情形中，如此項技術中具有通常知識者自本申請案提交時起即明瞭，除非另有具體指示，否則結合特定實施例所述的特徵、特性、及/或元件可單獨使用，或者可與結合其他實施例所述的特徵、特性、及/或元件組合使用。因此，熟習此項技術者將理解，在不背離以下申請專利範圍中所陳述的本發明精神及範圍的條件下，可在形式及細節上作出各種改變。
10:EUV曝光裝置
20:光源
30:照射系統
40:標線片
50:光學系統
60:目標基板
100:基板
102、142:多層結構
102a、102b:層
104:初步頂蓋層
104a:頂蓋層
106:初步吸收層
106a:吸收層
110:初步第一光阻層
110a:第一光阻層
110b:第一光阻圖案
112:對齊鍵圖案
120:初步第二光阻層
120a:第二光阻層
120b:第二光阻圖案
130:主圖案
140:多層
144:光阻圖案
A:主區域
B:邊緣區域
C-C':線
I:第一區域
II:第二區域
藉由參照附圖詳細闡述示例性實施例，熟習此項技術者將明瞭各特徵，附圖中：
圖1是EUV曝光裝置的方塊圖。
圖2示出在EUV曝光裝置中對目標的曝光。
圖3是根據示例性實施例的標線片的剖視圖。
圖4是根據示例性實施例的標線片的平面圖。
圖5至圖14是根據示例性實施例製造標線片的方法中的階段的剖視圖。
圖15是根據示例性實施例的標線片的剖視圖。
圖16至圖21是根據示例性實施例製造標線片的方法中的階段的剖視圖。
40:標線片
100:基板
102:多層結構
104a:頂蓋層
106a:吸收層
112:對齊鍵圖案
130:主圖案
A:主區域
B:邊緣區域
I:第一區域
II:第二區域
Claims (20)
- 一種用於極端紫外線曝光裝置的標線片，所述標線片包括： 基板，包括邊緣區域及主區域； 多層結構，位於所述基板的所述主區域上及所述邊緣區域的一部分上，所述多層結構的側壁上覆於所述基板的所述邊緣區域上； 頂蓋層，覆蓋所述多層結構的上表面及所述側壁、以及所述基板的所述邊緣區域的至少一部分；以及 吸收層，位於所述頂蓋層上，所述吸收層覆蓋所述基板的所述邊緣區域上所述頂蓋層的整個上表面， 其中： 由所述頂蓋層及所述吸收層而成的堆疊式結構位於所述基板的所述邊緣區域的上表面上，且 由所述頂蓋層及所述吸收層而成的所述堆疊式結構的側壁垂直於所述基板的上表面。
- 如請求項1所述的用於極端紫外線曝光裝置的標線片，其中所述多層結構的所述側壁相對於所述基板的表面傾斜。
- 如請求項1所述的用於極端紫外線曝光裝置的標線片，其中所述吸收層的厚度大於所述頂蓋層的厚度。
- 如請求項3所述的用於極端紫外線曝光裝置的標線片，其中： 所述吸收層的所述厚度為40奈米至80奈米，且 所述頂蓋層的所述厚度為1奈米至10奈米。
- 如請求項1所述的用於極端紫外線曝光裝置的標線片，其中自所述多層結構的末端至所述基板的末端的最短距離為1.8毫米至2.0毫米。
- 如請求項1所述的用於極端紫外線曝光裝置的標線片，其中由所述頂蓋層及所述吸收層而成的所述堆疊式結構的末端位於所述多層結構的末端與所述基板的末端之間。
- 如請求項1所述的用於極端紫外線曝光裝置的標線片，其中所述吸收層覆蓋所述多層結構的所述上表面、所述多層結構的所述側壁及所述基板的所述邊緣區域的所述上表面上所述頂蓋層的所述整個上表面。
- 如請求項1所述的用於極端紫外線曝光裝置的標線片，其中所述頂蓋層包含非複合釕或者包括釕及矽的材料。
- 如請求項1所述的用於極端紫外線曝光裝置的標線片，其中所述吸收層包含非複合鉭、鉭化合物、鉬、鈀、鋯、矽化鎳、非複合鈦、氮化鈦、非複合鉻、氧化鉻、氧化鋁或鋁-銅合金。
- 如請求項1所述的用於極端紫外線曝光裝置的標線片，其中所述多層結構具有其中重複地堆疊多組鉬層/矽層的結構或者其中重複地堆疊多組鉬層/鈹層的結構。
- 一種用於極端紫外線曝光裝置的標線片，所述標線片包括： 基板，包括邊緣區域及主區域； 多層結構，位於所述基板的所述主區域上及所述邊緣區域的一部分上，所述多層結構的側壁上覆於所述基板的所述邊緣區域上； 頂蓋層，覆蓋所述多層結構的上表面及所述側壁、以及所述基板的所述邊緣區域的至少一部分；以及 吸收層，位於所述頂蓋層上，所述吸收層覆蓋所述多層結構的所述上表面、所述多層結構的所述側壁及所述基板的所述邊緣區域上所述頂蓋層的整個上表面， 其中自所述多層結構的末端至所述基板的末端的最短距離為1.8毫米至2.0毫米。
- 如請求項11所述的用於極端紫外線曝光裝置的標線片，其中由所述頂蓋層及所述吸收層而成的堆疊式結構的末端位於所述多層結構的所述末端與所述基板的所述末端之間。
- 如請求項11所述的用於極端紫外線曝光裝置的標線片，其中所述多層結構的所述側壁相對於所述基板的表面傾斜。
- 如請求項11所述的用於極端紫外線曝光裝置的標線片，其中： 由所述頂蓋層及所述吸收層而成的堆疊式結構位於所述基板的所述邊緣區域的上表面上，且 由所述頂蓋層及所述吸收層而成的所述堆疊式結構的側壁垂直於所述基板的上表面。
- 如請求項11所述的用於極端紫外線曝光裝置的標線片，其中： 所述吸收層的厚度為40奈米至80奈米，且 所述頂蓋層的厚度為1奈米至10奈米。
- 一種用於極端紫外線曝光裝置的標線片，所述標線片包括： 基板； 多層結構，位於所述基板上； 頂蓋層，覆蓋所述多層結構的上表面及側壁以及所述基板的邊緣區域的上表面；以及 吸收層，位於所述頂蓋層上， 其中所述吸收層覆蓋所述多層結構的所述側壁及所述基板的所述邊緣區域上所述頂蓋層的整個上表面。
- 如請求項16所述的用於極端紫外線曝光裝置的標線片，其中： 由所述頂蓋層及所述吸收層而成的堆疊式結構位於所述基板的所述邊緣區域的所述上表面上，且 由所述頂蓋層及所述吸收層而成的所述堆疊式結構的側壁垂直於所述基板的上表面。
- 如請求項16所述的用於極端紫外線曝光裝置的標線片，其中自所述多層結構的末端至所述基板的末端的最短距離為1.8毫米至2.0毫米。
- 如請求項16所述的用於極端紫外線曝光裝置的標線片，其中由所述頂蓋層及所述吸收層而成的堆疊式結構的末端位於所述多層結構的末端與所述基板的末端之間。
- 如請求項16所述的用於極端紫外線曝光裝置的標線片，其中： 所述吸收層的厚度為40奈米至80奈米，且 所述頂蓋層的厚度為1奈米至10奈米。
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Citations (12)
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|---|---|---|---|---|
| US20040131947A1 (en) * | 2003-01-07 | 2004-07-08 | International Business Machines Corporation | Reflective mask structure and method of formation |
| US7927770B2 (en) * | 2008-10-30 | 2011-04-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Defect correction method for EUV mask |
| KR20110091217A (ko) * | 2010-02-05 | 2011-08-11 | 주식회사 하이닉스반도체 | Ｅｕｖ 마스크 및 그 형성방법 |
| US8105735B2 (en) * | 2008-04-23 | 2012-01-31 | Asahi Glass Company, Limited | Reflective mask blank for EUV lithography and reflective mask for EUV lithography |
| US9953833B2 (en) * | 2012-01-31 | 2018-04-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Semiconductor mask blanks with a compatible stop layer |
| US10007174B2 (en) * | 2013-10-11 | 2018-06-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Extreme ultraviolet lithography process and mask |
| US20190004416A1 (en) * | 2017-06-30 | 2019-01-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lithography Mask and Method |
| TW201907445A (zh) * | 2017-05-16 | 2019-02-16 | 美商蘭姆研究公司 | 消除微影製程中隨機過程的良率衝擊 |
| US20190101817A1 (en) * | 2017-09-29 | 2019-04-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Extreme ultraviolet mask and method of manufacturing the same |
| TW201928513A (zh) * | 2017-12-04 | 2019-07-16 | 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 | 用於預測層變形之系統及方法 |
| TW201945859A (zh) * | 2018-03-16 | 2019-12-01 | 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 | 檢測系統、微影設備及檢測方法 |
| CN110837203A (zh) * | 2018-08-17 | 2020-02-25 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 光罩的制造方法 |
-
2020
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- 2020-09-22 US US17/028,049 patent/US11409193B2/en active Active
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Patent Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040131947A1 (en) * | 2003-01-07 | 2004-07-08 | International Business Machines Corporation | Reflective mask structure and method of formation |
| US8105735B2 (en) * | 2008-04-23 | 2012-01-31 | Asahi Glass Company, Limited | Reflective mask blank for EUV lithography and reflective mask for EUV lithography |
| US7927770B2 (en) * | 2008-10-30 | 2011-04-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Defect correction method for EUV mask |
| KR20110091217A (ko) * | 2010-02-05 | 2011-08-11 | 주식회사 하이닉스반도체 | Ｅｕｖ 마스크 및 그 형성방법 |
| US9953833B2 (en) * | 2012-01-31 | 2018-04-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Semiconductor mask blanks with a compatible stop layer |
| US10007174B2 (en) * | 2013-10-11 | 2018-06-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Extreme ultraviolet lithography process and mask |
| TW201907445A (zh) * | 2017-05-16 | 2019-02-16 | 美商蘭姆研究公司 | 消除微影製程中隨機過程的良率衝擊 |
| US20190004416A1 (en) * | 2017-06-30 | 2019-01-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lithography Mask and Method |
| US20190101817A1 (en) * | 2017-09-29 | 2019-04-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Extreme ultraviolet mask and method of manufacturing the same |
| TW201928513A (zh) * | 2017-12-04 | 2019-07-16 | 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 | 用於預測層變形之系統及方法 |
| TW201945859A (zh) * | 2018-03-16 | 2019-12-01 | 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 | 檢測系統、微影設備及檢測方法 |
| CN110837203A (zh) * | 2018-08-17 | 2020-02-25 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 光罩的制造方法 |
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