TWI830896B - 基板處理裝置 - Google Patents

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Abstract

[課題]效率佳地加熱基板之下面周緣部。 [解決手段]根據本揭示的基板處理裝置具備保持部和加熱機構。保持部係以能夠旋轉之方式保持基板之下面中央部。加熱機構係對基板之下面供給被加熱的流體。再者，加熱機構具備複數鰭片、熱源、流體導入部和流體吐出部。複數鰭片係在基板之下方並且保持部之外方沿著基板之圓周方向而被配置。熱源加熱複數鰭片。流體導入部係對複數鰭片導入流體。流體吐出部係朝基板之下面吐出藉由通過複數鰭片而被加熱的流體。

Description

基板處理裝置
本發明係關於基板處理裝置。
以往，在半導體製造工程中，對半導體晶圓或玻璃基板等之基板進行使用藥液的濕蝕刻。
在專利文獻1中揭示一面加熱基板之周緣部一面進行濕蝕刻的技術。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2011-54932號公報
[發明所欲解決之課題]
本揭示係提供可以效率佳地加熱基板之下面周緣部的技術。 [用以解決課題之手段]
根據本揭示之一態樣的基板處理裝置具備保持部和加熱機構。保持部係以能夠旋轉之方式保持基板之下面中央部。加熱機構係對基板之下面供給被加熱的流體。再者，加熱機構具備複數鰭片、熱源、流體導入部和流體吐出部。複數鰭片係在基板之下方並且保持部之外方，沿著基板之圓周方向被配置。熱源加熱複數鰭片。流體導入部係將流體導入至複數鰭片。流體吐出部係對基板之下面吐出藉由通過複數鰭片而被加熱的流體。 [發明之效果]
若藉由本揭示時，可以效率佳地加熱基板之下面周緣部。
以下，針對用以實行根據本揭示的基板處理裝置之型態(以下，記載為「實施型態」)一面參照圖面一面予以詳細說明。另外，並非藉由該實施型態，限定根據本揭示的基板處理裝置者。再者，各實施型態可以在不使處理內容矛盾的範圍下適當組合。再者，在以下之各實施型態中，針對相同的部位標示相同的符號，省略重複的說明。
再者，在以下參照的各圖面中，為了使說明容易理解，有表示規定彼此正交之X軸方向、Y軸方向及Z軸方向，將Z軸正方向設為垂直向上方向的直角座標系。再者，有將以垂直軸為旋轉中心的旋轉方向稱為θ方向之情形。
[基板處理裝置之全體構成] 首先，針對實施型態所涉及之基板處理裝置之構成，參照圖1及圖2進行說明。圖1及圖2係表示實施型態所涉及之基板處理裝置之構成的示意圖。
如圖1及圖2所示般，實施型態所涉及之基板處理裝置1具備處理容器10、保持部20、加熱機構30、下面供給部40、下方杯體50、外方杯體60和上面供給部70。
處理容器10收容保持部20、加熱機構30、下面供給部40、下方杯體50、外方杯體60及上面供給部70。
保持部20係以能夠旋轉之方式保持晶圓W。具體而言，保持部20具備真空挾盤21、軸部22和驅動部23。真空挾盤21係藉由抽真空吸附保持晶圓W。真空挾盤21之直徑小於晶圓W，吸附保持晶圓W之下面中央部。軸部22係在前端部水平地支持真空挾盤21。驅動部23係被連接於軸部22之基端部，使軸部22繞垂直軸旋轉。
加熱機構30係被配置在晶圓W之下方並且保持部20之外方。具體而言，加熱機構30係被配置在保持部20和下方杯體50之間。
加熱機構30係藉由對被保持在保持部20之晶圓W之下面，供給被加熱的流體，加熱晶圓W之下面周緣部。具體而言，加熱機構30具備被排列配置在晶圓W之圓周方向的複數吐出口35b，從該些複數吐出口35b對晶圓W之下面供給被加熱的流體。
另外，晶圓W之下面周緣部係從晶圓W之端面起例如寬度1～5mm左右的環狀區域。
下面供給部40係藉由對晶圓W之下面周緣部供給藥液，蝕刻晶圓W之下面周緣部。依此，例如可以除去被形成在晶圓W之下面周緣部的膜，或洗淨晶圓W之下面周緣部。
如圖2所示般，下面供給部40具備下面噴嘴41、配管42、閥體43、流量調整器44和藥液供給源45。下面噴嘴41被配置在晶圓W之下方，朝向晶圓W之下面周緣部，朝上吐出藥液。配管42連接下面噴嘴41和藥液供給源45。閥體43係被設置在配管42之中途部，開關配管42。流量調整器44係被設置在配管42之中途部，調整在配管42流動的藥液之流量。藥液供給源45係貯留例如藥液的液槽。
作為藥液，可以使用例如氫氟酸(HF)、稀氫氟酸(DHF)、硝酸氫氟酸等。硝酸氫氟酸係氟酸(HF)和硝酸(HNO3 )的混合液。
另外，即使下面供給部40具備使下面噴嘴41在水平方向移動的移動機構亦可。在此情況，下面供給部40可以在晶圓W之下面中的處理位置和晶圓W外方中的退避位置之間，使下面噴嘴41移動。
下方杯體50係在晶圓W之下方配置在加熱機構30之外方的圓環狀之構件。下方杯體50係由例如PTFE (聚四氟乙烯)或PFA(全氟烷氧基烷烴)等之氟樹脂等之耐藥品性高的構件形成。
外方杯體60係被配置成包圍晶圓W之環狀的構件，承接從晶圓W飛散的藥液等。在外方杯體60之底部形成排液口61。藉由外方杯體60被承接的藥液等被貯留在藉由外方杯體60和下方杯體50而形成的空間之後，從排液口61被排出至基板處理裝置1之外部。
上面供給部70具備上面噴嘴71、臂部72和移動機構73。上面噴嘴71係在較晶圓W更上方使吐出口朝下之狀態下被配置，對晶圓W之上面吐出藥液或沖洗液。作為沖洗液，使用例如DIW(去離子水)。臂部72係在水平方向延伸，在前端部支持上面噴嘴71。移動機構73被連接於臂部72之基端部，使臂部72沿著例如水平方向(在此，X軸方向)移動。依此，可以使上面噴嘴71在晶圓W之上方中的處理位置和晶圓W之外方中的退避位置之間移動。
再者，如圖1所示般，實施型態所涉及的基板處理裝置1具備控制裝置100。控制裝置100為例如電腦，具備控制部101和記憶部102。記憶部102係藉由例如RAM、快閃記憶體(Flash Memory)等之半導體記憶體元件或硬碟、光碟等之記憶裝置被實現，記憶控制在基板處理裝置1被實行的各種處理的程式。控制部101包含具有CPU (Central Processing Unit)、ROM(Read Only Memory)、RAM(Random Access Memory)、輸入輸出埠等的微電腦或各種電路，藉由讀出被記憶於記憶部102之程式而予以實行來控制基板處理裝置1之動作。
另外，如此之程式被記錄於藉由電腦可讀取之記憶媒體，即使為從其記憶媒體被安裝於控制裝置100之記憶部102者亦可。作為藉由電腦可讀取之記憶媒體，例如有硬碟(HD)、軟碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等。
[加熱機構之構成] 接著，針對加熱裝置30之構成，參照圖3～圖7進行說明。圖3為實施型態所涉及之加熱機構30之示意剖面圖。再者，圖4為實施型態所涉及之加熱機構30之示意斜視圖，圖5為實施型態所涉及的加熱機構30之示意側面圖。再者，圖6為實施型態所涉及之加熱機構30之示意俯視圖，圖7為實施型態所涉及的加熱機構30之示意底面圖。
如圖3所示般，加熱機構30具備本體部31、複數鰭片32、熱源33、流體導入部34和流體吐出部35。再者，加熱機構30具備隔熱材36、複數第2曲徑構件37。
(本體部31) 本體部31係由例如鋁等之熱傳導率高的材料形成。本體部31具有圓環形狀(參照圖4)，被配置在保持部20和下方杯體50之間。
在本體部31之上部，形成朝向本體部31之徑向外方延伸的圓環狀之第1凸緣部31a。在第1凸緣部31a之上面開口複數吐出口35b(參照圖4及圖6)。再者，在第1凸緣部31a設置從第1凸緣部31a之端部朝向徑向內方缺口的缺口部31b。在缺口部31b配置下面噴嘴41(參照圖1)。
再者，在本體部31之內周部，形成朝向本體部31之徑向內方(即是，保持部20)延伸的圓環狀之第2凸緣部31c。在第2凸緣部31c之上面，形成複數第2曲徑構件37。
再者，如圖3所示般，本體部31在外周部具有複數密封構件31d，經由複數密封構件31d而抵接於下方杯體50。複數密封構件31d係例如O型環，在後述複數鰭片32更上方及下方分別設置一個。
另外，即使在本體部31之至少上面，換言之，至少與晶圓W之下面相向的面，藉由例如具有耐藥品性的材料被塗佈亦可。作為具有耐藥品性的材料，可以使用例如PTFE或PFA等之氟樹脂。如此一來，藉由以耐藥品性高的材料塗佈有可能產生藥液附著之部位，可以提高加熱效率，並且抑制藥液所致的本體部31之腐蝕等。
(鰭片32) 複數鰭片32係在晶圓W之下方並且保持部20之外方沿著晶圓W之圓周方向而配置。具體而言，複數鰭片32被形成在本體部31之外周部。再者，複數鰭片32被配置在較晶圓W之周緣部更靠徑向內方。
複數鰭片32之各個係沿著本體部31之圓周方向(即是，晶圓W之圓周方向)而延伸(參照圖4及圖5)。再者，複數鰭片32係在高度方向隔著間隔而被排列配置(參照圖3及圖5)。依此，在高度方向鄰接的鰭片32彼此之間，形成沿著本體部31之圓周方向而延伸的流路部32a。再者，複數鰭片32係在圓周方向彼此隔著間隔而被排列配置。依此，在圓周方向鄰接的鰭片32彼此之間，形成沿著垂直方向而延伸的流路部32b。
(熱源33) 熱源33係配置在複數鰭片32之附近，加熱複數鰭片32。熱源33具有沿著複數鰭片32之疊層方向(Z軸方向)而延伸的複數發熱體33a。發熱體33a係例如以金屬製之管線覆蓋例如鎳鉻合金線的棒狀構件，從本體部31之下方被***至本體部31之內部。
如圖3所示般，在被***至本體部31內之狀態，發熱體33a朝較複數鰭片32之中被配置在最上段的鰭片32更上方並且較被配置在最下段的鰭片32更下方延伸。再者，如圖7所示般，複數發熱體33a係沿著本體部31之圓周方向彼此隔著間隔而被排列配置。
如此一來，藉由沿著本體部31之圓周方向排列配置沿著複數鰭片32之疊層方向而延伸的複數發熱體33a，可以均等地加熱複數鰭片32。
再者，複數發熱體33a被配置在較複數鰭片32更靠本體部31之徑向內方。換言之，複數鰭片32被配置在較複數發熱體33a更靠本體部31之徑向外方。如此一來，藉由將複數鰭片32配置在本體部31之更外周側，比起將複數鰭片32配置在本體部31之內周側之情況，可以更增大複數鰭片32之表面積。因此，例如不會使本體部31大型化，可以提升晶圓W之下面周緣部之加熱效率。
(流體導入部34) 流體導入部34具備複數導入口34a、配管34b、閥體34c、流量調整器34d和流體供給源34e。
如圖7所示般，複數導入口34a係被開口在本體部31之下面，沿著本體部31之圓周方向彼此隔著間隔而被排列配置。在此，雖然表示形成三個導入口34a之情況的例，但是導入口34a之數量不限定於三個。若流體導入部34至少具有一個導入口34a即可。
配管34b連接複數導入口34a和流體供給源34e。閥體34c被設置在配管34b之中途部，開關配管34b。流量調整器34d係被設置在配管34b之中途部，調整在配管34b流動的流體之流量。流體供給源34e係例如貯留流體的液槽。在實施型態中，流體供給源34e貯留常溫的N2 氣體。
流體導入部34如上述般被構成，被貯留在流體供給源34e的常溫N2 氣體，經由配管34b被供給至複數導入口34a，從複數導入口34a朝向最下段之鰭片32之下面被吐出(參照圖3)。
(流體吐出部35) 流體吐出部35具備複數流入口35a，和複數吐出口35b，和複數流路35c。
複數流入口35a被配置在較晶圓W之周緣部更靠徑向內方，流入藉由通過複數鰭片32被加熱的流體。
具體而言，複數流入口35a在與複數鰭片32之中被配置在最上段的鰭片32相向的表面開口，沿著本體部31之圓周方向彼此隔著間隔而被排列配置。
複數吐出口35b被形成在本體部31中的第1凸緣部31a之上面，沿著本體部31之圓周方向彼此隔著間隔而被排列配置(參照圖4及圖6)。流路35c連通流入口35a和吐出口35b。
如圖3所示般，複數吐出口35b被形成在較複數導入口34a更靠本體部31之徑向外方。即是，在晶圓W之徑向，複數吐出口35b比起複數流入口35a被配置在更接近於晶圓W之下面周緣部的位置。
(隔熱材36) 隔熱材36被配置在較保持部20更外方，並且較複數鰭片32及熱源33更內方。具體而言，隔熱材36被設置在本體部31之內周面及第2凸緣部31c之下面。另外，即使隔熱材36也被設置在第2凸緣部31c之內亦可。如此一來，藉由設置隔熱材36，可以抑制從藉由熱源33被加熱的本體部31而發出的熱傳達至保持部20之情形。
(第2曲徑構件37) 複數第2曲徑構件37具有圓環形狀，彼此隔著間隔而被配置成同心圓狀(參照圖4及圖6)。
在真空挾盤21之下面形成有複數第1曲徑構件25。複數第1曲徑構件25具有圓環形狀，彼此隔著間隔而被配置成同心圓狀。
複數第2曲徑構件37係在高度方向與複數第1曲徑構件25交疊，並且被配置成彼此不同。
當保持部20及晶圓W旋轉時，藉由旋轉所致的迴旋流，冷(不被加熱)的空氣通過真空挾盤21和本體部31之間隙而進入至晶圓W和本體部31之間隙，依此有加熱機構30之加熱效率下降之虞。
對此，實施型態所涉及之基板處理裝置1成為在保持部20和本體部31之間隙，設置藉由複數第1曲徑構件25和複數第2曲徑構件37所形成的曲徑構造。藉由在如此的位置設置曲徑構造，因冷(不被加熱)的空氣不進入至晶圓W和本體部31之間隙，故可以抑制加熱機構30之加熱效率下降之情形。
(加熱機構30之動作) 如圖3所示般，加熱機構30和下方杯體50係經由被設置在加熱機構30之外周部的環狀密封構件31d而抵接。環狀密封構件31d分別被設置在複數鰭片32之上方及下方。因此，複數鰭片32成為被配置在藉由加熱機構30、下方杯體50及上下的密封構件31d包圍的空間(以下，記載為「加熱空間」)內的狀態。
在加熱機構30中，首先，本體部31藉由熱源33被加熱。藉由本體部31被加熱，被形成在本體部31之複數鰭片32被加熱。
接著，從導入口34a朝向複數鰭片32之中最下段的鰭片32之下面吐出常溫N2 氣體。如此一來，在加熱機構30中，常溫N2 氣體從加熱空間之下方被供給。
被供給至加熱空間的常溫N2 氣體藉由被配置在加熱空間的複數鰭片32被加熱。此時，N2 氣體係藉由通過在高度方向鄰接的鰭片32間的間隙亦即流路部32a，和在圓周方向鄰接的鰭片32間之間隙亦即流路部32b，在加熱空間均勻地擴散。如此一來，藉由使N2 氣體在加熱空間均勻地擴散，可以效率佳地進行複數鰭片32所致的N2 氣體之加熱。
再者，加熱空間之入口亦即導入口34a被形成在加熱空間之下方，加熱空間之輸出亦即流入口35a被形成在加熱空間之上方。因此，在加熱空間，形成從下方朝向上方的N2 氣體之氣流。依此，可以使被導入至加熱空間的N2 氣體確實地接觸於在高度方向排列的複數鰭片32。依此，可以效率佳地進行複數鰭片32所致的N2 氣體的加熱。
再者，如上述般，因加熱空間係藉由下方杯體50及密封構件31d而被密閉，故可以抑制被加熱的N2 氣體從流入口35a以外之處漏出之情形。依此，可以效率佳地進行複數鰭片32所致的N2 氣體的加熱。
再者，因下方杯體50係由氟樹脂等之耐藥品性高的構件形成，故比本體部31，其熱傳導率較低。因此，下方杯體50也當作加熱空間之隔熱材而發揮機能。因此，不用另外設置隔熱材，可以抑制來自加熱空間的放熱。
流入至流入口35a的被加熱之N2 氣體(以下，記載為「熱N2 氣體」)係通過流路35c而從吐出口35b朝向晶圓W之下面被吐出。依此，藉由熱N2 氣體被供給至晶圓W之下面周緣部，晶圓W之下面周緣部被加熱。藉由邊加熱晶圓W之下面周緣部，邊從下面噴嘴41對晶圓W之下面周緣部供給藥液，可以在短時間完成藥液所致的晶圓W之下面周緣部之蝕刻處理。
吐出口35b係被配置在較流入口35a更靠晶圓W之徑向外方。如此一來，藉由在晶圓W之徑向上，將吐出口35b配置在比起流入口35a更接近於晶圓W之下面周緣部的位置，可以盡可能地減少加熱的N2 氣體到達至晶圓W之下面周緣部為止的熱損失。因此，可以更有效率地加熱晶圓W之下面周緣部。
如此一來，若藉由實施型態所涉及之加熱機構30時，可以效率佳地加熱晶圓W之下面周緣部。
近年來，隨著基板之薄型化或大直徑化，容易在基板上產生翹曲，為了矯正如此基板的翹曲使成為平坦狀態，發展真空挾盤的大直徑化。再者，近年來，有欲在更寬廣的範圍蝕刻基板之下面周緣部的要求，隨此，有下面噴嘴被配置在較以往更靠基板內側的傾向。由於如此之狀況，被配置在保持部和下面噴嘴之間的加熱機構之設置空間有窄小化的傾向。
對此，若藉由實施型態所涉及之加熱機構30時，因可以效率佳地加熱晶圓W之下面周緣部，故可以使本體部31小型化，並可以容易對窄小空間設置本體部31。
(變形例) 圖8係與第1變形例有關的加熱機構之示意剖面圖。如圖8所示般，與第1變形例所涉及之加熱機構30A具備本體部31A。本體部31A具有與上述實施型態所涉及之本體部31相同的形狀。
第1變形例所涉及之本體部31A被分割成形成複數鰭片32之第1本體部31A1，和形成流體吐出部35A之第2本體部31A2。第1本體部31A1具有圓筒形狀，在外周部形成複數鰭片32。再者，第2本體部31A2具有直徑大於第1本體部31A1並且薄型的圓筒形狀，藉由在第1本體部31A1之上部安裝第2本體部31A2，形成與本體部31相同形狀的本體部31A。
第1變形例所涉及之流體吐出部35A具有被形成在第1本體部31A1的第1流路35c1，和被形成在第2本體部31A2的第2流路35c2。第1流路35c1係沿著垂直方向而延伸的直線狀的流路。第1流路35c1和第2流路35c2係藉由在第1本體部31A1組裝第2本體部31A2彼此連接，成為與上述實施型態所涉及之流路35c相同形狀的流路。
如此一來，本體部31A被構成能分割成形成複數鰭片32之第1本體部31A1，和形成流體吐出部35A之第2本體部31A2。藉由構成能分割，例如因若在第1本體部31A1，僅形成第1流路35c1及第2流路35c2之中的直線狀的第1流路35c1即可，故成為容易製造第1本體部31A1。
再者，藉由將本體部31A構成能分割成第1本體部31A1和第2本體部31A2，能夠以不同的材料形成第1本體部31A1和第2本體部31A2。
例如，第1本體部31A1比起第2本體部31A2係由熱傳導率較高的材料形成，即使第2本體部31A2比起第1本體部31A1係由耐藥品性較高的材料形成亦可。在此情況，第1本體部31A1係由例如鋁等之金屬形成，第2本體部31A2係由例如PTFE或PFA等之氟樹脂形成。
藉由如此地構成，例如可以提高加熱效率，並且抑制藥液所致的本體部31A之腐蝕等。
再者，藉由第2本體部31A2比起第1本體部31A1係以熱傳導率較低的材料形成，故可以降低熱N2 氣體在第1流路35c1流通之時的熱損失。因此，可以提高晶圓W之下面周緣部之加熱效率。
在上述實施型態中，雖然針對具有各鰭片32沿著圓周方向延伸之形狀之情況的例而予以說明，但是即使各鰭片32沿著高度方向延伸亦可。
圖9係與第2變形例有關的加熱機構之示意剖面圖。再者，圖10係第2變形例所涉及之加熱機構具備的鰭片之示意斜視圖。
如圖9及圖10所示般，第2變形例所涉及之加熱機構30B具備沿著高度方向而延伸的複數鰭片32B。複數鰭片32B被形成在加熱機構30B之本體部31B之外周部，在圓周方向隔著間隔而被排列配置。
如圖10所示般，在各鰭片32B使鰭片32B從外緣部朝向內側凹陷的流路部321在高度方向隔著間隔而排列配置複數。如此一來，藉由對鰭片32B形成複數流路部321，可以使N2 氣體均勻地擴散於加熱空間。
在上述實施型態中，針對基板處理裝置1具備圓環狀之本體部31，複數鰭片32被配置成圓環狀之情況的例予以說明。但是，若本體部31及複數鰭片32沿著晶圓W之圓周方向而配置即可，不一定要圓環狀。例如，即使加熱機構之本體部在俯視被形成圓弧狀亦可，在此情況下，即使複數鰭片在圓弧狀之本體部之外周部或內周部被配置成圓弧狀亦可。
在上述實施型態中，針對基板處理裝置1具備下面噴嘴41，藉由從下面噴嘴41對晶圓W之下面周緣部供給藥液，蝕刻晶圓W之下面周緣部之情況的例予以說明。不限定於此，即使基板處理裝置1例如藉由邊使用加熱機構30、30A、30B而加熱晶圓W之下面周緣部，邊使用上面噴嘴71對晶圓W之上面周緣部供給藥液，蝕刻晶圓W上面之周緣部亦可。再者，即使基板處理裝置1邊使用加熱機構30、30A、30B而加熱晶圓W之下面周緣部，邊使用上面噴嘴71而對晶圓W之上面中央部供給藥液亦可。依此，因可以抑制在晶圓W之外周部的藥液之溫度下降，故可以抑制蝕刻處理之面內均勻性的下降。
在上述實施型態中，雖然針對常溫之N2 氣體從流體導入部34被供給之情況的例予以說明，但是即使從流體導入部34被供給的流體為N2 氣體以外之惰性氣體(例如，氬氣)亦可。再者，從流體導入部34被供給的流體不限定於惰性氣體，即使為乾空氣等之空氣、其他氣體亦可。再者，從流體導入部34被供給的流體即使為水蒸氣等之蒸氣亦可，即使為水等之液體亦可。
如上述般，實施型態所涉及的基板處理裝置(以基板處理裝置1作為一例)具備保持部(以保持部20作為一例)，和加熱機構(以加熱機構30、30A、30B作為一例)。保持部係以能夠旋轉之方式保持基板(以晶圓W作為一例)之下面中央部。加熱機構係對被保持於保持部之基板的下面，供給被加熱之流體(以熱N2 氣體作為一例)。再者，加熱機構具備複數鰭片(以複數鰭片32作為一例)，和熱源(以熱源33作為一例)，和流體導入部(以流體導入部34作為一例)，和流體吐出部(以流體吐出部35、35A作為一例)。複數鰭片係在基板之下方並且保持部之外方沿著基板之圓周方向而被配置。熱源加熱複數鰭片。流體導入部係將流體(以常溫的N2 氣體作為一例)導入至複數鰭片。流體吐出部係朝基板之下面吐出藉由通過複數鰭片而被加熱的流體。
藉由在基板之下方並且保持部之外方，沿著基板之圓周方向配置複數鰭片，可以效率佳地將藉由複數鰭片被加熱的流體供給至基板之下面周緣部。因此，可以提升基板之下面周緣部之加熱效率。再者，因可以效率佳地加熱基板之下面周緣部，故可以使加熱機構小型化，可以容易對窄小空間設置加熱機構。
即使複數鰭片在高度方向隔著間隔被排列配置亦可。依此，例如，沿著基板之徑向排列配置複數鰭片之情況，可以抑制在基板之徑向的加熱機構之尺寸。因此，即使加熱機構之設置空間在基板之徑向為窄小的情況，亦可以容易對如此的窄小空間設置加熱機構。
即使複數鰭片在圓周方向隔著間隔被排列配置亦可。藉由如此地配置，可以在圓周方向鄰接的鰭片間形成沿著高度方向的流路(以流路部32b作為一例)。藉由流體沿著如此之流路部32b流動，流體均勻地接觸於在圓周方向排列的複數鰭片。因此，可以效率佳地加熱流體，可以更提升基板之下面周緣部之加熱效率。
即使熱源具有在高度方向延伸的發熱體(以發熱體33a作為一例)亦可。依此，可以均等地加熱被排列在高度方向的複數鰭片。
即使複數鰭片被配置在較熱源更外方亦可。藉由將複數鰭片配置在較熱源更外方，比起將複數鰭片配置在較熱源更內方之情況，可以增大複數鰭片之表面積。因此，例如不會使加熱機構大型化，可以提升基板之下面周緣部之加熱效率。
實施型態所涉及之基板處理裝置進一步具備被配置在較保持部更外方，並且較複數鰭片及熱源更內方的隔熱材(以隔熱材36作為一例)亦可。依此，可以抑制從加熱機構發出的熱傳至保持部之情形。
即使流體吐出部具備流入口(以流入口35a作為一例)，和吐出口(以吐出口35b作為一例)，和流路(以流路35c作為一例)亦可。流入口被配置在較基板之周緣部更內方，藉由通過複數鰭片而被加熱的流體流入。吐出口係被配置在較流入口更外方，朝向基板之下面開口。流路連通流入口和吐出口。
如此一來，藉由在基板之徑向上，將吐出口配置在比流入口更靠近基板之下面周緣部的位置，可以盡可能地減少被加熱的流體到達至基板之下面周緣部為止的熱損失。因此，可以更有效率地加熱基板之下面周緣部。
即使加熱機構(以本體部31A作為一例)，具備形成複數鰭片之第1本體部(以第1本體部31A1作為一例)，和與第1本體部不同個體，形成流體吐出部(以流體吐出部35A作為一例)的第2本體部(以第2本體部31A2作為一例)亦可。在此情況，即使第1本體部比起第2本體部以熱傳導率更高的材料形成亦可，第2本體部比起第1本體部以耐藥品性更高的材料形成亦可。依此，可以邊提高加熱效率，邊抑制藥液所致的加熱機構之腐蝕等。
即使加熱機構(以本體部31作為一例)係至少與基板之下面相向的面藉由具有耐藥品性之材料而被塗佈亦可。藉由以耐藥品性高的材料塗佈有可能產生藥液附著之部位，可以提高加熱效率，並且抑制藥液所致的加熱機能之腐蝕等。
即使實施型態所涉及之基板處理裝置具備對基板之下面周緣部吐出藥液之噴嘴(以下面噴嘴41作為一例)亦可。藉由邊以加熱機構加熱基板之下面周緣部，邊從噴嘴對基板之下面周緣部供給藥液，可以在短時間完成藥液所致的基板之下面周緣部之蝕刻處理。
即使保持部具備在圓周方向延伸，彼此隔著間隔而被配置的複數第1曲徑構件(以第1曲徑構件25作為一例)亦可。在此情況，即使加熱機構具備在圓周方向延伸，被配置成與複數第1曲徑構件彼此不同的複數第2曲徑構件(以第2曲徑構件37作為一例)亦可。
因藉由在保持部和加熱機構之間隙，設置曲徑構造，冷(不被加熱)的空氣難進入至基板和加熱機構的間隙，故可以抑制加熱機構之加熱效率下降之情形。
此次所揭示之實施型態所有方面都應視為例示而非限制性。實際上，上述實施型態能以多種型態呈現。再者，上述實施型態即使在不脫離附件的申請專利範圍及其要旨，以各種型態進行省略、置換、變更亦可。
W:晶圓 1:基板處理裝置 10:處理容器 20:保持部 21:真空挾盤 30:加熱機構 31:本體部 32:鰭片 33:熱源 34:流體導入部 35:流體吐出部
[圖1]係表示實施型態所涉及之基板處理裝置之構成之示意圖。 [圖2]係表示實施型態所涉及之基板處理裝置之構成之示意圖。 [圖3]為實施型態所涉及之加熱機構之示意剖面圖。 [圖4]為實施型態所涉及之加熱機構之示意斜視圖。 [圖5]為實施型態所涉及之加熱機構之示意側視圖。 [圖6]為實施型態所涉及之加熱機構之示意俯視圖。 [圖7]為實施型態所涉及之加熱機構之示意底面圖。 [圖8]為第1變形例所涉及之加熱機構之示意剖面圖。 [圖9]為第2變形例所涉及之加熱機構之示意剖面圖。 [圖10]為第2變形例所涉及之加熱機構所具備的鰭片之示意斜視圖。
W:晶圓
1:基板處理裝置
20:保持部
21:真空挾盤
23:驅動部
25:第1曲徑構件
30:加熱機構
31:本體部
31a:第1凸緣部
31c:第2凸緣部
31d:密封構件
32:鰭片
33:熱源
33a:發熱體
34:流體導入部
34a:導入口
34b:配管
34c:閥體
34d:流量調整器
34e:流體供給源
35:流體吐出部
35a:流入口
35b:吐出口
35c:流路
36:隔熱材
37:第2曲徑構件
50:下方杯體

Claims (11)

  1. 一種基板處理裝置，具備：保持部，其係以能夠旋轉之方式保持基板之下面中央部；和加熱機構，其係對上述基板之下面，供給被加熱的流體，上述加熱機構具備：複數鰭片，其係在上述基板之下方並且上述保持部之外方，沿著上述基板之圓周方向而被配置；熱源，其係加熱上述複數鰭片；流體導入部，其係對上述複數鰭片導入上述流體；及流體吐出部，其係對上述基板之下面吐出藉由通過上述複數鰭片而被加熱的上述流體。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中上述複數鰭片係在高度方向隔著間隔而被排列配置。
  3. 如請求項2之基板處理裝置，其中上述複數鰭片係在上述圓周方向隔著間隔而被排列配置。
  4. 如請求項2或3之基板處理裝置，其中上述熱源具有在上述高度方向延伸的發熱體。
  5. 如請求項1至3中之任一項之基板處理裝置，其中上述複數鰭片係被配置在上述熱源之外方。
  6. 如請求項1至3中之任一項之基板處理裝 置，其中進一步具備被設置在上述保持部之外方，並且上述複數之鰭片及上述熱源之內方的隔熱材。
  7. 如請求項1至3中之任一項之基板處理裝置，其中上述流體吐出部具備：流入口，其係被配置在較上述基板之周緣部更內方，流入藉由通過上述複數鰭片而被加熱的上述流體；和吐出口，其係被配置在較上述流入口更外方，朝向上述基板之下面開口；及流路，其係連通上述流入口和上述吐出口。
  8. 如請求項1至3中之任一項之基板處理裝置，其中上述加熱機構具備：第1本體部，其係形成上述複數鰭片；和第2本體部，其係與上述第1本體部不同個體，形成上述流體吐出部，上述第2本體部係由氟樹脂形成，上述第1本體部比起上述第2本體部係由熱傳導率較高的材料形成。
  9. 如請求項1至3中之任一項之基板處理裝置，其中上述加熱機構係至少與上述基板之下面相向的面藉由氟樹脂而被塗佈。
  10. 如請求項1至3中之任一項之基板處理裝置，其中具備對上述基板之下面周緣部吐出藥液的噴嘴。
  11. 如請求項1至3中之任一項之基板處理裝置，其中上述保持部具備在上述圓周方向延伸，且彼此隔著間隔而被配置的複數第1鰭片構件，上述加熱機構係具備在上述圓周方向延伸，且被配置成與上述複數第1鰭片構件彼此不同的複數第2鰭片構件。
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