TWI827230B - 半導體結構及其製造方法、記憶體晶片、電子設備 - Google Patents

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Abstract

本公開實施例涉及半導體領域,提供一種半導體結 構及其製造方法、記憶體晶片、電子設備,半導體結構包括:基底,所述基底上具有堆疊結構,所述堆疊結構包括在第一方向排列的多個記憶體單元組,所述記憶體單元組包括多層在第二方向排列的多個記憶體單元;所述堆疊結構還包括在所述第二方向排列的多條平行信號線,每條所述平行信號線連接一層所述記憶體單元;在所述第一方向排列的多個引線柱,所述多個引線柱與所述多條平行信號線沿第三方向排佈,且所述引線柱與所述平行信號線連接。本公開實施例至少可以提高半導體結構的積體度。

Description

半導體結構及其製造方法、記憶體晶片、電子設備
本發明是有關於一種半導體,且特別是有關於一種半導體結構及其製造方法、記憶體晶片、電子設備。
半導體結構包括多個記憶體單元,記憶體單元需要與週邊電路連接以執行存儲功能。半導體結構的積體度越高,則其可容納的記憶體單元的數目越多,半導體結構的性能也更為優異。然而,目前半導體結構內的空間浪費較多;此外,受制於物理特性的因素,記憶體單元的體積已達到縮放極限;受制於製程因素,記憶體單元的堆疊層數也難以提高。
因此,亟需一種新架構的半導體結構,以提高半導體結構的積體度。
本發明提供一種半導體結構及其製造方法、記憶體晶片、電子設備,至少有利於提高半導體結構的積體度。
根據本公開一些實施例,本公開實施例一方面提供一種半導體結構,其中,半導體結構包括:基底,基底上具有堆疊結構,堆疊結構包括在第一方向排列的多個記憶體單元組,記憶體單元組包括多層在第二方向排列的多個記憶體單元;堆疊結構還包括在第二方向排列的多條平行信號線,每條平行信號線連接一層記憶體單元;在第一方向排列的多個引線柱,多個引線柱與多條平行信號線沿第三方向排佈,且引線柱與平行信號線連接。
根據本公開一些實施例,本公開實施例另一方面還提供一種半導體結構,其中,半導體結構包括:基底,基底上具有堆疊結構,堆疊結構包括在第一方向排列的多個記憶體單元組,記憶體單元組包括多層在第二方向排列的多個記憶體單元;堆疊結構還包括在第二方向排列的多條平行信號線,每條平行信號線連接一層記憶體單元;在第一方向排列且沿第二方向延伸的多個引線柱,多個引線柱在基底表面的正投影與平行信號線在基底表面的正投影至少部分重疊,且引線柱與平行信號線連接。
根據本公開一些實施例,本公開實施例又一方面還提供一種半導體結構的製造方法,其中,製造方法包括:提供基底;在基底上形成堆疊結構,堆疊結構包括在第一方向排列的多個記憶體單元組,記憶體單元組包括多層在第二方向排列的多個記憶體單元;堆疊結構還包括在第二方向排列的多條平行信號線,每 條平行信號線連接一層記憶體單元;形成在第一方向排列的多個引線柱,多個引線柱與多條平行信號線沿第三方向排佈,且引線柱與平行信號線連接。
根據本公開一些實施例,本公開實施例再一方面還提供一種半導體結構的製造方法,其中,製造方法包括:提供基底;在基底上形成堆疊結構,堆疊結構包括在第一方向排列的多個記憶體單元組,記憶體單元組包括多層在第二方向排列的多個記憶體單元;堆疊結構還包括在第二方向排列的多條平行信號線,每條平行信號線連接一層記憶體單元;形成在第一方向排列且沿第二方向延伸的多個引線柱,多個引線柱在基底表面的正投影與平行信號線在基底表面的正投影至少部分重疊,且引線柱與平行信號線連接。
根據本公開一些實施例,本公開實施例還提供一種記憶體晶片,記憶體晶片包括如前所述的半導體結構。
根據本公開一些實施例,本公開實施例還提供一種電子設備,電子設備包括如前所述的記憶體晶片。
本公開實施例提供的技術方案至少具有以下優點:
在本公開一些實施例中,堆疊結構包括在第二方向排列的多條平行信號線,每條平行信號線連接堆疊結構內的一層記憶體單元,多個引線柱與多條平行信號線沿第三方向排佈,且引線柱與平行信號線連接。即在第三方向上,引線柱直接與平行信號線相連,從而有利於減少臺階個數或者不再單獨設置臺階區,進 而提高半導體結構的積體度。
在本公開另一些實施例中,多個引線柱沿第二方向延伸,且多個引線柱在基底表面的正投影與平行信號線在基底表面的正投影至少部分重疊。即,引線柱與平行信號線通過交叉設置的方式直接相連,因此,從而有利於減少臺階個數或者不再單獨設置臺階區,進而提高半導體結構的積體度。
3:平行信號線
4:垂直信號線
5:引線柱
6:介質層
8:通孔
12:絕緣層
13:刻蝕阻擋層
14:隔離層
21:源極/汲極摻雜區
22:通道區
31:接觸區
32:暴露區
51:接觸部
52:延伸部
71:罩幕層
72:開口
73:犧牲層
81:第1通孔
82:第2通孔
83:第3通孔
84:第4通孔
85:第5通孔
100:記憶體單元區
200:臺階區
300:引線柱
211:第一源極/汲極摻雜區
212:第二源極/汲極摻雜區
811:第1子通孔
821:第2子通孔
A-A1:剖線
BL:位元線
C:電容
T:電晶體
TC:記憶體單元
TC0:記憶體單元組
WL:字元線
X:第一方向
Y:第三方向
Z:第二方向
此處的附圖被併入說明書中並構成本說明書的一部分,示出了符合本公開的實施例,並與說明書一起用於解釋本公開的原理。顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本公開的一些實施例,對於本領域普通技術人員而言,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
圖1示出了一種半導體結構的俯視圖。
圖2示出了圖1的局部放大圖。
圖3示出了圖2在A-A1方向上的剖面圖。
圖4至圖5分別示出了本公開一實施例提供的兩種半導體結構的立體圖。
圖6至圖10分別示出了本公開一實施例提供的半導體結構的不同局部側視示意圖。
圖11至圖13、圖24分別示出了本公開一實施例提供的半導 體結構的不同局部剖面示意圖。
圖14至圖23、圖25至圖28分別示出了本公開一實施例提供的半導體結構的不同俯視示意圖。
圖29至圖30分別示出了本公開另一實施例提供的兩種半導體結構的立體圖。
圖31、圖32、圖34、圖36分別示出了本公開另一實施例提供的半導體結構的不同剖面示意圖。
圖33示出了圖32的局部放大圖。
圖35示出了圖34的局部放大圖。
圖37示出了圖36的局部放大圖。
圖38至圖44分別示出了本公開另一實施例提供的半導體結構的不同俯視示意圖。
圖45至圖56示出了本公開又一實施例提供的半導體結構的製造方法中各步驟對應的結構示意圖。
圖57至圖60示出了本公開再一實施例提供的半導體結構的製造方法中各步驟對應的結構示意圖。
由背景技術可知,半導體結構的積體度有待進一步提高。以下將對此進行詳細說明。圖1為一種半導體結構的俯視圖,圖2為圖1中虛線圈內臺階的放大圖,圖3為圖2在A-A1方向上的剖面圖。參考圖1至圖3,半導體結構包括記憶體單元區100和臺階 區200。記憶體單元區100內具有多層記憶體單元。臺階區200內具有多個臺階,每個臺階與每層記憶體單元一一對應設置。臺階內可以設置連接層(圖中未示出),臺階上可設置引線柱300,引線柱300通過臺階內的連接層與記憶體單元電連接,從而將記憶體單元引出,以便於記憶體單元與週邊電路連接。然而,隨著記憶體單元堆疊層數的增加,臺階區200所佔用的面積會越來越大。比如,若共有64層記憶體單元,相應地,則需要64個臺階,越底層的臺階的面積會越大。若最頂層的臺階的面積為0.25μm2,則最底層的臺階的面積為64*0.25=16μm2。參考圖3,每個臺階以下的連接層僅僅起到支撐和電連接的作用,從而造成底層空間的浪費。因此,半導體結構的積體度有待進一步提高。
本公開實施例提供一種半導體結構,在此半導體結構中,多個引線柱與多條平行信號線沿第三方向排佈,且引線柱與平行信號線連接;或者,多個引線柱沿第二方向延伸,且多個引線柱在基底表面的正投影與平行信號線在基底表面的正投影至少部分重疊。即,引線柱與平行信號線通過並排設置或交叉設置的方式直接相連,因此,無需通過臺階區的連接層將引線柱與平行信號線連接,從而提高半導體結構內的空間利用率,進而提高半導體結構的積體度。
下面將結合附圖對本公開的各實施例進行詳細的闡述。然而,本領域的普通技術人員可以理解,在本公開各實施例中,為了使讀者更好地理解本公開實施例而提出了許多技術細節。但 是,即使沒有這些技術細節和基於以下各實施例的種種變化和修改,也可以實現本公開實施例所要求保護的技術方案。
如圖4至圖28所示,本公開一實施例提供一種半導體結構,半導體結構包括:基底(圖中未示出),基底上具有堆疊結構,堆疊結構包括在第一方向X排列的多個記憶體單元組TC0,記憶體單元組TC0包括多層在第二方向Z排列的多個記憶體單元TC;堆疊結構還包括在第二方向Z排列的多條平行信號線3,每條平行信號線3連接一層記憶體單元TC;在第一方向X排列的多個引線柱5,多個引線柱5與多條平行信號線沿第三方向Y排佈,且引線柱5與平行信號線3連接。
即,引線柱5在基底表面上的正投影的邊緣與平行信號線3在基底表面上的正投影的邊緣相接。換言之,引線柱5的至少部分側壁與平行信號線3的側壁直接相連,而無需通過臺階區的連接層間接地相連,從而可以減少連接層和臺階的個數,進而有利於提高半導體結構的積體度。
以下將結合附圖對半導體結構進行詳細說明。
首先需要說明的是,圖6至圖10為局部側視示意圖,為了更加直觀,圖6至圖9中未將其示出半導體結構內用於隔離和支撐引線柱5的結構示出。圖10示出了用於隔離和支撐引線柱5的結構。
在一些實施例中,參考圖6至圖10,每條平行信號線3至少與一個引線柱5連接。即每條平行信號線3都可以直接與引 線柱5連接,從而被引線柱5引出。因此,可以不再單獨設置臺階區,從而能夠較大程度地提高半導體結構的空間利用率,且有利於簡化生產製程。
例如,參考圖6至圖8,多條平行信號線3與多個引線柱5一一對應連接。即,每條平行信號線3均與一個引線柱5連接,從而有利於減少平行信號線3與引線柱5的連接位置,生產製程更簡單。在另一些實施例中,參考圖9,一條平行信號線3也可以與多個引線柱5連接,從而可以增大平行信號線3與引線柱5的接觸面積,降低接觸電阻。
在一些實施例中,參考圖4至圖13,引線柱5在第二方向Z延伸。即,多個引線柱5相互平行,且引線柱5的延伸方向與記憶體單元TC的堆疊的方向相同。如此,有利於簡化生產製程,並提高半導體結構的均一性。例如,記憶體單元TC的堆疊的方向為第二方向Z,第二方向Z垂直於基底表面。
參考圖4至圖11,需要說明的是,對於與非頂層的平行信號線3相連的引線柱5,此引線柱5會與多層的平行信號線3相鄰設置,但是基於引線柱5的引出功能可知,每個引線柱5只連接一個平行信號線3,而不會同時連接兩條平行信號線3,否則會發生信號的錯亂。為便於理解,將與引線柱5相連的平行信號線3稱之為對應層的平行信號線3。引線柱5與對應層的平行信號線3以外的平行信號線3絕緣設置。此外,將引線柱5劃分為層疊設置的接觸部51和延伸部52,接觸部51與對應層的平行信號 線3同層設置,且二者相互連接。延伸部52與對應層上方的平行信號線3相鄰設置,但相互絕緣。
相應地,參考圖5至圖13,堆疊結構還可以包括介質層6。介質層6至少位於引線柱5朝向對應層上方的平行信號線3的側壁,且介質層6的下表面高於與引線柱5相連的平行信號線3。即,介質層6用於將引線柱5與對應層以外的平行信號線3相隔離,以避免發生錯誤的電連接。具體地,介質層6可以環繞引線柱5的延伸部52的側壁。介質層6的材料可以為氮化矽或氧化矽等低介電常數材料。
在一些實施例中,參考圖4至圖10,與不同平行信號線3連接的引線柱5在第二方向Z上的長度不同,且引線柱5的底部與平行信號線3相連。例如,與頂層的平行信號線3連接的引線柱5在第二方向Z上的長度最小,與底層的平行信號線3連接的引線柱5在第二方向Z上的長度最短,如此,有利於節省材料,進而降低生產成本,還有利於簡化生產製程。在另一些實施例中,引線柱5的長度也可以相同,但引線柱5只與對應層的平行信號線3連接,而與對應層上方及下方的平行信號線3絕緣設置。
為增大引線柱5與平行信號線3的接觸面積,以減小接觸電阻,引線柱5的底面可以與對應層的平行信號線3的底面齊平;或者,引線柱5的底面可以略低於對應層的平行信號線3的底面。在另一些實施例中,引線柱5的底面也可以高於對應層的平行信號線3的底面,但需要低於對應層的平行信號線3的頂面。
在一些實施例中,參考圖6至圖7,相鄰引線柱5等在第一方向X上等間距排佈。即配平相鄰引線柱5之間的間距,從而提高半導體結構的均一性。
參考圖6,引線柱5可以按照在第二方向Z上的長度大小依次排佈。在另一些實施例中,參考圖7,引線柱5的長度也可以不依次遞增或遞減,而是長短交替,從而避免長度較大的引線柱5之間產生較大的寄生電容。
在另一些實施例中,參考圖8,相鄰引線柱5的間距與正對面積成正比。需要說明的是,相鄰引線柱5的正對面積與寄生電容的大小呈正比關係。因此,若相鄰引線柱5的正對面積越大,則可相應增加二者的間距從而降低寄生電容。
在一些實施例中,參考圖10至圖12,堆疊結構還包括在第二方向Z排列的多層刻蝕阻擋層13;每層刻蝕阻擋層13與至少一個引線柱5的底面相接。具體地,形成引線柱5的方法可以包括:採用刻蝕製程在平行信號線3的一側形成通孔8(參考圖53),在通孔8中沉積導電材料以形成引線柱5。因此,通孔8的位置決定了引線柱5的位置。刻蝕阻擋層13能夠起到停止刻蝕的作用,從而實現自對準的功能,以避免通孔8發生過刻蝕或刻蝕程度不足的問題。也就是說,刻蝕阻擋層13與隔離層14在第二方向Z上交替設置,刻蝕阻擋層13與相鄰兩層平行信號線3之間的間隙正對,隔離層14與平行信號線3同層設置,且隔離層14與刻蝕阻擋層13與選擇刻蝕比較大。例如,隔離層14的材料可 以為氧化矽,刻蝕阻擋層13的材料可以為氮化矽。此外,刻蝕阻擋層13也可以起到隔離的作用。
在另一些實施例中,參考圖13,也可以在平行信號線3的一側只設置隔離層14,而不設置刻蝕阻擋層13。相應地,在形成通孔8的過程中,通過刻蝕時間來控制通孔8的深度。如此,可以只採用一種刻蝕劑,從而有利於簡化製造製程。
參考圖4至圖5,圖11至圖28,記憶體單元TC包括在第三方向Y排列的通道區22和源極/汲極摻雜區21,源極/汲極摻雜區21位於通道區22的兩側。即,記憶體單元TC至少包括電晶體T。在另一些實施例中,記憶體單元TC還可以包括電容C,電晶體T和電容C在第三方向Y上排列。例如,在動態隨機存取記憶體(Dynamic Random Access Memory,DRAM)中,記憶體單元TC包括一個電晶體T和一個電容C。在另一些實施例中,記憶體單元TC也可以只包括電晶體T,比如,在靜態隨機存取記憶體(Static Random Access Memory,SRAM)中,其記憶體單元TC由六個電晶體T構成,又比如無電容C雙柵量子阱單晶體管TDRAM(Capacitorless Double Gate Quantum Well Single Transistor DRAM,1T DRAM)中,其記憶體單元TC由一個雙柵電晶體T構成。
參考圖4至圖5,堆疊結構還包括垂直信號線4,垂直信號線4沿第二方向Z延伸,並與同一記憶體單元組TC0的多層記憶體單元TC連接。平行信號線3和垂直信號線4中的一者為位元 線BL,另一者為字元線WL。位元線BL與源極/汲極摻雜區21相連,字元線WL與通道區22相連。與位元線BL相連的源極/汲極摻雜區21稱之為第一源極/汲極摻雜區211,與位元線BL間隔設置的源極/汲極摻雜區21稱之為第二源極/汲極摻雜區212。
以下將分為位元線BL和字元線WL兩種情況,對平行信號線3與引線柱5的位置關係進行詳細說明。
在平行信號線3為位元線BL時,平行信號線3與引線柱5主要具有如下幾種位置關係:
示例一,參考圖14至圖18,引線柱5和記憶體單元TC分別位於平行信號線3在第三方向Y排列的相對兩側,即引線柱5位於平行信號線3遠離記憶體單元TC的一側。如此,可以更加靈活地設置引線柱5的排列位置和尺寸大小。
具體地,參考圖14,在一些實施例中,引線柱5與記憶體單元組TC0在第三方向Y上正對。如此,有利於提高位置排佈的均一性。在另一些實施例中,參考圖15,引線柱5與記憶體單元組TC0在第一方向X上交錯排列,即引線柱5可以與相鄰記憶體單元組TC0之間的空間正對。在另一些實施例中,參考圖16,引線柱5同時與記憶體單元組TC0以及相鄰記憶體單元組TC0之間的空間相對設置。在另一些實施例中,參考圖17,部分引線柱5與相鄰記憶體單元組TC0之間的空間正對,部分引線柱與記憶體單元組TC0正對。
繼續參考圖14至圖17,為降低相鄰引線柱5之間的寄生 電容,相鄰引線柱5之間的間隙可以與至少一個記憶體單元組TC0相對設置。此外,參考圖14至圖16,為增加半導體結構的均一性,相鄰引線柱5之間的間距可以相同。此外,參考圖17,還可以根據不同正對面積,調整相鄰引線柱5之間的間距,從而平衡不同引線柱5之間的寄生電容。
在一些實施例中,參考圖14至圖17,引線柱5在第一方向X上的寬度等於記憶體單元組TC0的寬度,如此,有利於統一不同結構的特徵尺寸,以簡化生產製程。在另一些實施例中,參考圖18,引線柱5在第一方向X上的寬度大於記憶體單元組TC0的寬度,如此,有利於增大引線柱5與對應層的平行信號線3的接觸面積,從而降低接觸電阻。
另外,引線柱5的在第一方向X上的寬度還可以大於或等於相鄰記憶體單元組TC0的間距。如此,有利於增大引線柱5與對應層的平行信號線3的接觸面積,從而降低接觸電阻。
另外,參考圖18,引線柱5在第一方向X上的寬度大於引線柱5在第三方向Y上的寬度。需要說明的是,平行信號線3在第一方向X上的長度很長,因此,引線柱5在第一方向X上具有充足的容納空間。為了在增加引線柱5的橫截面積的同時,提高半導體空間的利用率,可以對引線柱5在第一方向X上和第三方向Y上設置一定的寬度差。
示例二,參考圖19至圖20,引線柱5和記憶體單元TC位於平行信號線3的同一側。即,引線柱5可以位於相鄰記憶體 單元組TC0之間。如此,有利於充分利用堆疊結構內的空間位置,從而提高空間利用率。
繼續參考圖19至圖20,為降低相鄰引線柱5之間的寄生電容,相鄰引線柱5之間至少可以間隔兩個記憶體單元組TC0。此外,參考圖19,為增加半導體結構的均一性,相鄰引線柱5之間的間隔的記憶體單元組TC0的數量可以相同。此外,參考圖20,還可以根據不同正對面積,調整相鄰引線柱5間隔的記憶體單元組TC0的數量,從而平衡不同引線柱5之間的寄生電容。
在一些實施例中,參考圖19至圖20,引線柱5在第三方向Y上的寬度大於引線柱5在第一方向X上的寬度。如此,既能夠降低相鄰記憶體單元組TC0的間距,從而降低堆疊結構在基底表面所佔據的面積大小;還能夠增大引線柱5的橫截面積,從而降低引線柱5的接觸電阻。在另一些實施例中,引線柱5在第三方向Y上的寬度也可以等於引線柱5在第一方向X上的寬度。
需要說明的是,示例一和示例二還可以相互結合,即部分引線柱5位於平行信號線3的一側,另一部分引線柱5位於平行信號線3的另一側。
在一些實施例中,參考圖14至圖20,記憶體單元組TC0的每層的儲存單元數量為一個。在另一個實施例中,參考圖21至圖22,記憶體單元組TC0的每層記憶體單元TC的數量為兩個,且兩個記憶體單元TC分別位於平行信號線3在第三方向Y排列上的相對兩側。由於記憶體單元組TC0的記憶體單元TC的數量 增加,半導體結構的存儲容量也相應增強。
在一些實施例中,參考圖21,部分引線柱5可以位於一堆疊結構的相鄰記憶體單元組TC0之間,部分引線柱5可以位於另一堆疊結構的相鄰記憶體單元組TC0之間。即,多個引線柱5位於平行信號線3的不同兩側。舉例而言,相鄰引線柱5位於平行信號線3的不同側。換言之,相鄰兩個引線柱5在第一方向X上相互錯開,從而可以減小寄生電容。
在另一些實施例中,參考圖22,所有引線柱5位於平行信號線3的同一側,從而有利於提高引線柱5的排列方式的均一性,以簡化半導體的製造製程。
值得注意的是,在一些實施例中,一個引線柱5可以只用於引出一個堆疊結構的平行信號線3。在另一些實施例中,一個引線柱5還可以被兩個堆疊結構所共用。具體地,參考圖23至圖24,圖23為俯視圖,圖24為圖23在第三方向Y上的剖面圖,相鄰兩個堆疊結構的平行信號線3相向設置,引線柱5位於相鄰堆疊結構的平行信號線3之間,且相鄰堆疊結構的同一層的平行信號線3至少通過一個引線柱5電連接。由於引線柱5可以被兩個堆疊結構共用,因此,可以減少引線柱5的數量,從而有利於縮小半導體結構的體積。
需要說明的是,雖然兩個堆疊結構的平行信號線3互相電連接,但是平行信號線3所對應的記憶體單元TC仍然受到不同字元線WL的控制,因此,兩個堆疊結構的記憶體單元TC依然可 以獨立控制。
在平行信號線3為字元線WL時,平行信號線3與引線柱主要具有如下幾種位置關係:
首先,需要說明的是,字元線WL與通道區22存在多種位置關係。比如,字元線WL可以包覆整個通道區22,或者,字元線WL可以與通道區22的頂面和/或底面相連。若字元線WL包覆整個通道區22,則字元線WL側壁的面積更大。由於字元線WL的側壁與引線柱5的側壁相連,因此,更大的字元線WL側壁面積有利於增大字元線WL與引線柱5的接觸面積,從而降低接觸電阻。若字元線WL位於通道區22的頂面和底面,為增加接觸面積,引線柱5可以同時與位於通道區22頂面和底面的字元線WL相連。
在一些實施例中,參考圖25至圖27,所有引線柱5位於平行信號線3的同一側,從而有利於提高引線柱5的排列方式的均一性,以簡化半導體的製造製程。例如,參考圖25,所有引線柱5位於平行信號線3靠近第一源極/汲極摻雜區211的一側;參考圖26至圖27,所有引線柱5位於平行信號線3靠近第二源極/汲極摻雜區212的一側。
參考圖25至圖27,為降低寄生電容,相鄰引線柱5之間可以至少間隔有兩個記憶體單元組TC0。此外,參考圖25和圖26,為提高半導體結構的均一性,可使得相鄰引線柱5之間具有相同數目的記憶體單元組TC0。或者,參考圖27,還可以根據不同正 對面積,調整相鄰引線柱5間隔的記憶體單元組TC0的數量,從而平衡不同引線柱5之間的寄生電容。
在另一些實施例中,參考圖28,部分引線柱5可以位於平行信號線3的一側,部分引線柱5可以位於平行信號線3的另一側。例如,相鄰引線柱5位於平行信號線3的不同側,即,引線柱5可以在第一方向X上交錯排列,從而降低寄生電容。
綜上所述,在本公開一實施例中,多個引線柱5與多條平行信號線沿第三方向Y排佈,且引線柱5與平行信號線3連接。即,引線柱5和平行信號線3在基底表面上的正投影的邊緣相接。由於引線柱5與平行信號線3直接相連,因而可以減少連接層和臺階的數量,從而提高半導體結構的積體度。
如圖29至圖44所示,本公開另一實施例提供一種半導體結構,此半導體結構與前述實施例中的半導體結構大致相同,主要區別在於:此半導體結構的多個引線柱5在基底表面的正投影與平行信號線3在基底表面的正投影至少部分重疊。此半導體結構與前述實施例提供的半導體結構相同或相似的部分請參考前述實施例中的詳細說明,在此不再贅述。
半導體結構包括:基底(圖中未示出),基底上具有堆疊結構,堆疊結構包括在第一方向X排列的多個記憶體單元組TC0,記憶體單元組TC0包括多層在第二方向Z排列的多個記憶體單元TC;堆疊結構還包括在第二方向Z排列的多條平行信號線3,每條平行信號線3連接一層記憶體單元TC;在第一方向X排列且沿 第二方向Z延伸的多個引線柱5,多個引線柱5在基底表面的正投影與平行信號線3在基底表面的正投影至少部分重疊,且引線柱5與平行信號線3連接。
即,引線柱5至少利用部分平行信號線3的空間位置,與平行信號線3通過交叉設置的方式直接相連,因此,從而有利於減少臺階個數或者不再單獨設置臺階區,進而提高半導體結構的積體度。
以下將結合附圖對此半導體結構進行詳細說明。
參考圖29至圖37,引線柱5位於對應層的平行信號線3的頂面上,且引線柱5的底面與對應層的平行信號線3的頂面相連。在另一些實施例中,引線柱5的底部還可以嵌入對應層的平行信號線3的內部;或者,引線柱5的底部還可以貫穿對應層的平行信號線3,即引線柱5的側壁也可以與對應層的平行信號線3相連。
參考圖29至圖30以及圖32、圖34和圖36,至少一個引線柱5貫穿至少一個平行信號線3,也就是說,多個引線柱5中的至少一個引線柱5與非頂層的平行信號線3相連。需要說明的是,對於與非頂層的平行信號線3相連的引線柱5,除了需要利用對應層的平行信號線3的空間位置外,還需要佔用對應層上方的平行信號線3的空間位置。因此,引線柱5會貫穿位於對應層上方的平行信號線3。參考圖31,對於與頂層的平行信號線3相連的引線柱5,此引線柱5無需貫穿對應層以外的平行信號線3。
需要說明的是,引線柱5雖然貫穿位於對應層5上方的平行信號線3,但並未將對應層上方的平行信號線3完全截斷。
具體地,參考圖29至圖44,平行信號線3包括在第三方向Y排列的接觸區31和暴露區32;引線柱5與接觸區31相連,並露出暴露區32;第三方向Y垂直於第二方向Z且平行於基底表面。也就是說,引線柱5與對應層的平行信號線3的接觸區31相連,並貫穿位於對應層上方的平行信號線3的接觸區31,且露出所有平行信號線3的暴露區32。對應層上方的平行信號線3雖然被貫穿,但是由於暴露區32仍被保留,因此,平行信號線3不會被完全截斷,平行信號線3仍然能夠與同一層的記憶體單元TC相連。
在一些實施例中,參考圖32至圖33,圖33示出了圖32中對應層的平行信號線3和引線柱5的局部放大圖,暴露區32位於接觸區31的相對兩側,引線柱5在基底表面的正投影與接觸區31在基底表面的正投影重合。也就是說是說,接觸區31位於平行信號線3的中間位置,引線柱5與對應層的平行信號線3的中心相連,並貫穿位於對應層上方的平行信號線3的中心,平行信號線3的暴露區32未被截斷,平行信號線3仍然能夠與同一層的記憶體單元TC相連。
在另一些實施例中,參考圖34至圖38,圖35示出了圖34中對應層的平行信號線3和引線柱5的局部放大圖,圖37示出了圖36中對應層的平行信號線3和引線柱5的局部放大圖,圖38 為圖36所示的半導體結構的俯視示意圖。平行信號線3具有在第三方向Y排列的相對兩側,暴露區32位於相對兩側中的一側,接觸區31位於相對兩側中的另一側。即引線柱5與對應層的平行信號線3的一側相連,並露出平行信號線3的另一側,引線柱5貫穿對應層上方的平行信號線3的一側,對應層上方的平行信號線3的另一側未被貫穿。
在一個例子中,參考圖34至圖35,引線柱5在基底表面的正投影與暴露區32在基底表面的正投影重合,即在平行於基底的方向上,引線柱5利用的是平行信號線3的空間位置,而不會超出平行信號線3,從而有利於提高引線柱5與平行信號線3的緊湊程度,以提高空間利用率。
在另一個例子中,參考圖36至圖38,引線柱5相對于接觸區31呈凸出設置。即,引線柱5相對于平行信號線3的一側呈凸出設置。也就是說,引線柱5僅部分底面與接觸區31接觸相連。凸出設置可以降低引線柱5貫穿的對應層上方的平行信號線3的面積,從而降低對應層上方的平行信號線3的電阻;同時,還可以保證引線柱5具有較大的橫截面積,從而降低引線柱5的電阻。
需要說明的是,在一些實施例中,平行信號線3可以為長條狀,即平行信號線3在基底表面的正投影為矩形。在另一些實施例中,平行信號線3還可以包括相連的主體部和凸出部,主體部為長條狀,凸出部可以為方塊狀或鋸齒狀等形狀,即,凸出部在第一方向X上的長度小於主體部在第一方向X上的長度。主 體部和凸出部可以在第三方向Y上排列。主體部與記憶體單元阻TC0相連,凸出部與引線柱5相連。例如,引線柱5的底面可以與對應層的凸出部的頂面相連,如此,引線柱5可以無需貫穿對應層上方的主體部,從而有利於降低對應層上方的平行信號線3的電阻。
參考圖29至圖30,記憶體單元TC包括在第三方向Y排列的通道區22和源極/汲極摻雜區21,源極/汲極摻雜區21位於通道區22的兩側。即,記憶體單元TC至少包括電晶體T。在另一些實施例中,記憶體單元TC還可以包括電容C,電晶體T和電容C在第三方向Y上排列。源極/汲極摻雜區21可以包括第一源極/汲極摻雜區211和第二源極/汲極摻雜區212,第一源極/汲極摻雜區211可以位元線BL相連,第二源極/汲極摻雜區212可以位於通道區22遠離第一源極/汲極摻雜區211的一側。
堆疊結構還包括垂直信號線4,垂直信號線4沿第二方向Z延伸,並與同一記憶體單元組TC0的多層記憶體單元TC連接。平行信號線3和垂直信號線4中的一者為位元線BL,另一者為字元線WL,位元線BL與源極/汲極摻雜區21相連,字元線WL與通道區22相連。
以下將分為位元線BL和字元線WL兩種情況,對平行信號線3與引線柱5的位置關係進行詳細說明。
在平行信號線3為位元線BL時,平行信號線3與引線柱5主要具有如下幾種位置關係:
示例一,參考圖38至圖39,引線柱5與記憶體單元組TC0在第三方向Y上正對。如此,有利於提高位置排佈的均一性。
示例二,參考圖40,引線柱5與記憶體單元TC在第一方向X上交錯設置排列。即引線柱5可以與相鄰記憶體單元組TC0之間的空間正對。
示例三,參考圖41,引線柱5同時與記憶體單元組TC0以及相鄰記憶體單元組TC0之間的空間相對設置。
需要說明的是,在平行信號線3為位元線BL時,為了避免引線柱5切斷對應層上方的平行信號線3與記憶體單元TC的連接關係,暴露區32可以位於靠近記憶體單元TC的一側,接觸區31可以位於遠離記憶體單元TC的一側;或者,暴露區32可以位於接觸區31的相對兩側。
在一些實施例中,參考圖42,記憶體單元組TC0的每層記憶體單元TC的數量為兩個,且兩個記憶體單元TC分別位於平行信號線3的在第三方向Y排列的相對兩側。此時,一條引線柱5通過平行信號線3引出的更多的記憶體單元TC,從而有利於提高半導體結構的積體度。
在平行信號線3為字元線WL時,平行信號線3與引線柱5主要具有如下幾種位置關係:
示例一,參考圖43,引線柱5位於相鄰記憶體單元組TC0之間,即引線柱5與通道區22相互錯開,從而可以避免引線柱5截斷位於對應層上方的記憶體單元TC,從而減少失效的記憶體單 元TC的數量。
示例二,參考圖44,引線柱5在基底表面上的正投影與通道區22在基底表面的正投影具有重疊。即,引線柱5可以利用通道區22的位置引出平行信號線3,從而有利於減小相鄰記憶體單元組TC0之間的間距,以提高記憶體單元組TC0的緊湊程度,進而提高半導體結構的失效率。
綜上所述,在本公開另一實施例中,引線柱5和平行信號線3在基底表面上的正投影的邊緣具有重疊。即,引線柱5可以利用平行信號線3本身的空間位於與平行信號線3直接相連,因而可以減少連接層和臺階的數量,從而提高半導體結構的積體度。
如圖45至圖56所示,本公開再一實施例提供一種半導體結構的製造方法,需要說明的是,為了便於描述以及清晰地示意出半導體結構製作方法的步驟,圖45至圖56均為半導體結構的局部結構示意圖。以下將結合附圖對本申請一實施例提供的半導體結構的製造方法進行詳細說明。
提供基底;在基底上形成堆疊結構,堆疊結構包括在第一方向X排列的多個記憶體單元組TC0,記憶體單元組TC0包括多層在第二方向Z排列的多個記憶體單元TC;堆疊結構還包括在第二方向Z排列的多條平行信號線3,每條平行信號線3連接一層記憶體單元TC。
例如,記憶體單元TC可以包括電晶體T和電容C。具體 地,形成電晶體T的步驟可以包括:形成多層間隔設置的主動層,每一主動層包括多個主動結構;對主動結構進行摻雜處理,以形成源極/汲極摻雜區21、通道區22;在通道區22的表面形成柵介質層。也就是說,記憶體單元TC包括在第三方向Y排列的通道區22和源極/汲極摻雜區21,源極/汲極摻雜區21位於通道區22的兩側;第三方向Y與基底表面平行。此外,還需要在相鄰層的電晶體T之間形成絕緣層12,以隔離相鄰電晶體T。形成電容C的步驟可以包括:形成電容支撐層,以及位於電容支撐層內的電容孔;在電容孔的內壁形成下電極,在下電極的表面形成電容介質層,在電容介質層的表面形成上電極。下電極、電容介質層和上電極構成電容C。
形成在第一方向X排列的多個引線柱5,多個引線柱5與多條平行信號線沿第三方向Y排佈,且引線柱5與平行信號線3連接。
以下將對引線柱5的形成方法進行詳細說明。
首先需要說明的是,多條平行信號線3包括在第二方向Z上依次排佈的第1平行信號線至第N平行信號線,N為大於1的正整數。第1平行信號線位於頂層,第N平行信號線位於底層。
參考圖45至圖56,形成通孔8,通孔8包括第1通孔至第N通孔,第1通孔的露出第1平行信號線的側壁;第N通孔露出第1平行信號線至第N平行信號線的側壁。
以下將以平行信號線3為位元線BL為例,對形成通孔8 的步驟進行詳細說明。
參考圖45至圖46,在平行信號線3的側壁形成隔離結構。在一些實施例中,隔離結構可以包括交替設置的刻蝕阻擋層13和隔離層14。隔離層14與平行信號線3同層設置,刻蝕阻擋層13與相鄰平行信號線3之間的絕緣層12(參考圖10)正對設置。在另一些實施例中,隔離結構可以只包括隔離層14,且隔離層14覆蓋平行信號線3和絕緣層12的側壁。
繼續參考圖45至圖46,形成罩幕層71,罩幕層71具有N個開口72;N為大於1的正整數;開口72位於平行信號線3的一側。示例的,罩幕層71可以為光刻膠層,對光刻膠層進行光刻,以形成開口72。或者,罩幕層71還可以為層疊設置的硬罩幕層71和光刻膠層,對光刻膠層光刻後,再刻蝕硬罩幕層71,以形成開口72。
參考圖47至圖48,沿開口72刻蝕頂層的隔離層14,直至露出頂層的刻蝕阻擋層13,從而形成多個第1子通孔811,第1子通孔811露出第1平行信號線的側壁,其中一個第1子通孔811作為第1通孔81。
參考圖49至圖50,形成填充第1子通孔811的犧牲層73。例如,在第1子通孔811中沉積氧化矽等低介電常數材料以作為犧牲層73。
繼續參考圖49至圖50,圖案化罩幕層71,以使罩幕層71具有N-1個開口72。具體地,可以再次旋塗光刻膠層,並對光 刻膠層進行光刻,以形成開口72。
參考圖51至圖52,沿著開口72刻蝕犧牲層73和第二層的隔離層14,從而形成了第N-1個第2子通孔821,其中一個第2子通孔821作為第2通孔82。
參考圖53至圖54,重複形成犧牲層73、圖案化罩幕層71以及刻蝕的步驟,直至露出第N平行信號線3的側壁,即露出第N層刻蝕阻擋層的頂面。
至此,基於圖49至圖54,可以形成通孔8,通孔8包括第1通孔8至第N通孔8。例如,參考圖53至圖54,可以形成第1通孔81、第2通孔82、第3通孔83、第4通孔84和第5通孔85。在需要說明的是,在第一方向X上,依次排佈的第1通孔81、第2通孔82、第3通孔83、第4通孔84和第5通孔85的深度依次遞增。在其他實施例中,在第一方向X上,依次排佈的第1通孔81、第2通孔82、第3通孔83、第4通孔84和第5通孔85的深度可不遞增或遞減,而是深淺交替,從而避免後續形成的引線柱5中,深度大的引線柱5之間的寄生電容過大。
需要說明的是,在平行信號線3為字元線WL時,形成通孔8的步驟與前述步驟相似,主要區別在於,刻蝕位於相鄰記憶體單元組TC0之間的絕緣層12以形成通孔8。其他有關形成罩幕層71和形成犧牲層73等步驟可參考前述詳細說明。
參考圖55至圖56,在第1通孔81至第N通孔的底部分別形成第1接觸部至第N接觸部,第1接觸部至第N接觸部分別 與第1平行信號至第N平行信號線3同層設置,且接觸部51覆蓋對應層的平行信號線3的側壁。
繼續參考圖55至圖56,形成接觸部51後,在通孔8的側壁形成介質層6。例如,通過化學氣相沉積製程在通孔8的側壁和接觸部51的表面形成初始介質層;去除位於接觸部51表面的初始介質層,位於通孔8側壁的初始介質層作為介質層6。
繼續參考圖55至圖56,形成填充通孔8的延伸部52,接觸部51與延伸部52構成引線柱5。例如,在通孔8中沉積銅、鋁、鈦或鎢等金屬以作為引線柱5。
需要說明的是,上述形成引線柱5的方法僅為示例性說明,而不限於此,可以根據引線柱5的具體結構對引線柱5的方法進行調整。
如圖57至圖60所示,本公開又一實施例提供一種半導體結構的製造方法。此半導體結構的製造方法與前述半導體結構的製造方法大致相同,相同或相似的部分請參考前述實施例的詳細說明。為了便於描述以及清晰地示意出半導體結構製作方法的步驟,圖57至圖60均為半導體結構的局部結構示意圖。以下將結合附圖對半導體結構的製造方法進行詳細說明。
提供基底;在基底上形成堆疊結構,堆疊結構包括在第一方向X排列的多個記憶體單元組TC0,記憶體單元組TC0包括多層在第二方向Z排列的多個記憶體單元TC;堆疊結構還包括在第二方向Z排列的多條平行信號線3,每條平行信號線3連接一 層記憶體單元TC。
有關堆疊結構的形成方法可參考前述實施例的詳細說明。
參考圖57至圖60,形成在第一方向X排列且沿第二方向Z延伸的多個引線柱5,多個引線柱5在基底表面的正投影與平行信號線3在基底表面的正投影至少部分重疊,且引線柱5與平行信號線3連接。
以下將對引線柱5的製造方法進行詳細說明。
首先需要說明的是,多條平行信號線3包括在第二方向Z上依次排佈的第1平行信號線至第N平行信號線,N為大於1的正整數。第1平行信號線位於頂層,第N平行信號線位於底層。
參考圖57至圖58,形成通孔8,通孔8包括第1通孔81至第N通孔,第1通孔81的露出第1平行信號線的頂面;第N通孔貫穿第1平行信號線至第N-1平行信號線,且露出第N平行信號線的頂面。
形成通孔8的步驟與前述實施例大致相同,主要區別在於,通孔8貫穿平行信號線3,因此,需刻蝕平行信號線3。此外,若引線柱5利用記憶體單元組TC0的位置,則形成通孔8時還需刻蝕通道區22以及位於上下層記憶體單元TC之間的絕緣層12;若引線柱5利用相鄰記憶體單元組TC0之間的位置,則形成通孔8時還需刻蝕相鄰記憶體單元TC之間的絕緣層12。其他有關形成罩幕層71和形成犧牲層73的步驟可參考前述實施例中的詳細說 明。
參考圖59至圖60,在通孔8的側壁形成介質層6。具體地,在通孔8的內壁形成初始介質層,去除位於通孔8底壁的初始介質層,以露出對應層的平行信號線3,位於通孔8側壁的初始介質層作為介質層6。形成填充通孔8的引線柱5,引線柱5的底面與平行信號線3電連接。
綜上,在本公開實施例中,刻蝕平行信號線3以形成通孔8,形成填充通孔8的介質層6和引線柱5。如此,引線柱5可以利用平行信號線3的空間位置,直接與平行信號線3實現電連接,從而可以減少臺階數目或者不形成單獨的臺階區,進而有利於提高半導體結構的積體度。
本公開實施例還提供一種記憶體晶片,包括前述實施例提供的半導體結構。
記憶體晶片是用來存儲程式和各種資料資訊的記憶部件。例如,記憶體晶片可以為隨機存取記憶體晶片或唯讀記憶體晶片,舉例而言,隨機存取記憶體晶片可以包括動態隨機存取記憶體或靜態隨機記憶體。由於前述半導體結構的積體度較高,從而有利於實現記憶體晶片的微型化。
本公開實施例還提供一種電子設備,包括前述實施例提供的記憶體晶片。
例如,電子設備可以為電視、電腦、手機或平板等設備。電子設備可以包括電路板和封裝結構,記憶體晶片可焊接於電路 板上,並受到封裝結構的保護。此外,電子設備還可以包括電源,用於向記憶體晶片提供上作電壓。
在本說明書的描述中,參考術語“一些實施例”、“例如”等的描述意指結合該實施例或示例描述的具體特徵、結構、材料或者特點包含於本公開的至少一個實施例或示例中。在本說明書中,對上述術語的示意性表述不必須針對的是相同的實施例或示例。而且,描述的具體特徵、結構、材料或者特點可以在任一個或多個實施例或示例中以合適的方式結合。此外,在不相互矛盾的情況下,本領域的技術人員可以將本說明書中描述的不同實施例或示例以及不同實施例或示例的特徵進行結合和組合。
儘管上面已經示出和描述了本公開的實施例,可以理解的是,上述實施例是示例性的,不能理解為對本公開的限制,本領域的普通技術人員在本公開的範圍內可以對上述實施例進行變化、修改、替換和變型,故但凡依本公開的請求項和說明書所做的變化或修飾,皆應屬於本公開專利涵蓋的範圍之內。
3:平行信號線
4:垂直信號線
21:源極/汲極摻雜區
22:通道區
211:第一源極/汲極摻雜區
212:第二源極/汲極摻雜區
BL:位元線
C:電容
T:電晶體
TC:記憶體單元
TC0:記憶體單元組
WL:字元線
X:第一方向
Y:第三方向
Z:第二方向

Claims (36)

  1. 一種半導體結構,包括:基底,所述基底上具有堆疊結構,所述堆疊結構包括在第一方向排列的多個記憶體單元組,所述記憶體單元組包括多層在第二方向排列的多個記憶體單元;所述堆疊結構還包括在所述第二方向排列的多條平行信號線,每條所述平行信號線連接一層所述記憶體單元;以及在所述第一方向排列的多個引線柱,所述多個引線柱與所述多條平行信號線沿第三方向排佈,且所述引線柱與所述平行信號線連接。
  2. 如請求項1所述的半導體結構,其中所述每條所述平行信號線至少與一個所述引線柱連接。
  3. 如請求項2所述的半導體結構,其中所述多條所述平行信號線與多個所述引線柱一一對應連接。
  4. 如請求項1所述的半導體結構,其中所述引線柱在所述第二方向延伸。
  5. 如請求項1所述的半導體結構,其中與不同所述平行信號線連接的所述引線柱在所述第二方向上的長度不同,且所述引線柱的底部與所述平行信號線相連。
  6. 如請求項1所述的半導體結構,其中相鄰所述引線柱在所述第一方向上等間距排佈;或者,相鄰所述引線柱的間距與正對面積成正比。
  7. 如請求項1所述的半導體結構,其中所述堆疊結構還包括:在所述第二方向排列的多層刻蝕阻擋層;每層刻蝕阻擋層與至少一個所述引線柱的底面相接。
  8. 如請求項1所述的半導體結構,其中所述堆疊結構還包括:介質層,至少位於所述引線柱朝向所述平行信號線的側壁,且所述介質層的下表面高於與所述引線柱相連的所述平行信號線。
  9. 如請求項1所述的半導體結構,其中所述記憶體單元包括在所述第三方向排列的通道區和源極/汲極摻雜區,所述源極/汲極摻雜區位於所述通道區的兩側。
  10. 如請求項9所述的半導體結構,其中所述平行信號線為位元線,所述位元線與所述源極/汲極摻雜區相連。
  11. 如請求項10所述的半導體結構,其中所述引線柱和所述記憶體單元分別位於所述平行信號線在所述第三方向排列的相對兩側。
  12. 如請求項11所述的半導體結構,其中所述引線柱在所述第一方向上的寬度大於或等於記憶體單元組的寬度;和/或,所述引線柱的在所述第一方向上的寬度大於或等於相鄰所述記憶體單元組的間距;和/或,所述引線柱在所述第一方向上的寬度大於所述引線柱在所述第三方向上的寬度。
  13. 如請求項11所述的半導體結構,其中所述引線柱與所述記憶體單元組在所述第三方向上正對;或者,所述引線柱與所述記憶體單元組在所述第一方向上交錯排列。
  14. 如請求項10所述的半導體結構,其中所述引線柱和所述記憶體單元位於所述平行信號線的同一側。
  15. 如請求項14所述的半導體結構,其中所述引線柱在所述第三方向上的寬度大於所述引線柱在所述第一方向上的寬度。
  16. 如請求項10所述的半導體結構,其中相鄰兩個堆疊結構的所述平行信號線相向設置,所述引線柱位於相鄰所述堆疊結構的所述平行信號線之間,且相鄰所述堆疊結構的同一層的所述平行信號線至少通過一個所述引線柱電連接。
  17. 如請求項10所述的半導體結構,其中所述記憶體單元組的每層所述記憶體單元的數量為兩個,且兩個所述記憶體單元分別位於所述平行信號線在所述第三方向排列的相對兩側。
  18. 如請求項17所述的半導體結構,其中相鄰所述引線柱位於所述平行信號線的不同側;或者,所有所述引線柱位於所述平行信號線的同一側。
  19. 如請求項9所述的半導體結構,其中所述所述平行信號線為字元線,所述字元線與所述通道區相連。
  20. 如請求項19所述的半導體結構,其中相鄰所述引線柱位於所述平行信號線的不同側;或者,所有所述引線柱位於所述平行信號線的同一側。
  21. 一種半導體結構,包括:基底,所述基底上具有堆疊結構,所述堆疊結構包括在第一方向排列的多個記憶體單元組,所述記憶體單元組包括多層在第二方向排列的多個記憶體單元;所述堆疊結構還包括在所述第二方向排列的多條平行信號線,每條所述平行信號線連接一層所述記憶體單元;以及在所述第一方向排列且沿第二方向延伸的多個引線柱,所述多個引線柱在基底表面的正投影與平行信號線在基底表面的正投影至少部分重疊,且所述引線柱與所述平行信號線連接。
  22. 如請求項21所述的半導體結構,其中至少一個所述引線柱貫穿至少一個所述平行信號線。
  23. 如請求項21所述的半導體結構,其中所述平行信號線包括在第三方向排列的接觸區和暴露區;所述引線柱與所述接觸區相連;所述第三方向垂直於所述第二方向且平行於所述基底表面。
  24. 如請求項23所述的半導體結構,其中所述平行信號線具有在所述第三方向排列的相對兩側,所述暴露區位於所述相對兩側中的一側,所述接觸區位於所述相對兩側中的另一側,所述引線柱相對於所述接觸區凸出設置。
  25. 如請求項21所述的半導體結構,其中所述記憶體單元包括在第三方向排列的通道區和源極/汲極摻雜區,所述源極/汲極摻雜區位於所述通道區的兩側。
  26. 如請求項25所述的半導體結構,其中所述平行信號線為位元線,且所述位元線與所述源極/汲極摻雜區相連。
  27. 如請求項26所述的半導體結構,其中所述引線柱與所述記憶體單元組在所述第三方向上正對;或者,所述引線柱與所述記憶體單元在所述第一方向上交錯排列。
  28. 如請求項25所述的半導體結構,其中所述平行信號線為字元線,且所述字元線與所述通道區相連。
  29. 如請求項28所述的半導體結構,其中所述所述引線柱位於相鄰所述記憶體單元組之間;或者,所述引線柱在所述基底表面的正投影與所述通道區在所述基底表面的正投影具有重疊。
  30. 如請求項21所述的半導體結構,其中所述平行信號線具有在第三方向排列的相對兩側;所述記憶體單元組的每層所述記憶體單元的數量為兩個,且兩個所述記憶體單元分別位於所述平行信號線的在所述第三方向排列的相對兩側。
  31. 一種半導體結構的製造方法,包括:提供基底;在所述基底上形成堆疊結構,所述堆疊結構包括在第一方向排列的多個記憶體單元組,所述記憶體單元組包括多層在第二方 向排列的多個記憶體單元;所述堆疊結構還包括在第二方向排列的多條平行信號線,每條所述平行信號線連接一層所述記憶體單元;以及形成在第一方向排列的多個引線柱,所述多個引線柱與所述多條平行信號線沿第三方向排佈,且所述引線柱與所述平行信號線連接。
  32. 如請求項31所述的半導體結構的製造方法,其中多條所述平行信號線包括在所述第二方向上依次排佈的第1平行信號線至第N平行信號線,N為大於1的正整數;所述製造方法包括:形成第1通孔至第N通孔,所述第1通孔的露出所述第1平行信號線的側壁;所述第N通孔露出所述第1平行信號線至第N平行信號線的側壁;在所述第1通孔至第N通孔的底部分別形成第1接觸部至第N接觸部,所述第1接觸部至所述第N接觸部分別覆蓋所述第1平行信號至所述第N平行信號線的側壁;形成所述接觸部後,在所述通孔的側壁形成介質層;以及形成填充所述通孔的延伸部,所述接觸部與所述延伸部構成所述引線柱。
  33. 一種半導體結構的製造方法,包括:提供基底;在所述基底上形成堆疊結構,所述堆疊結構包括在第一方向 排列的多個記憶體單元組,所述記憶體單元組包括多層在第二方向排列的多個記憶體單元;所述堆疊結構還包括在第二方向排列的多條平行信號線,每條所述平行信號線連接一層所述記憶體單元;以及形成在所述第一方向排列且沿第二方向延伸的多個引線柱,所述多個引線柱在基底表面的正投影與平行信號線在基底表面的正投影至少部分重疊,且所述引線柱與所述平行信號線連接。
  34. 如請求項33所述的半導體結構的製造方法,其中多條所述平行信號線包括在所述第二方向上依次排佈的第1平行信號線至第N平行信號線,N為大於1的正整數;所述製造方法包括:形成第1通孔至第N通孔,所述第1通孔的露出所述第1平行信號線的頂面;所述第N通孔貫穿所述第1平行信號線至第N-1平行信號線,且露出所述第N平行信號線的頂面;在所述通孔的側壁形成介質層;以及形成填充所述通孔的所述引線柱。
  35. 一種記憶體晶片,包括如請求項1至20及請求項21至30中任一項所述的半導體結構。
  36. 一種電子設備,包括請求項35所述的記憶體晶片。
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