TWI822984B - 積層器件晶片之製造方法 - Google Patents
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Abstract
[課題]從器件晶片的貼合面良好地去除加工屑。
[解決手段]在本實施形態中，是在第1晶圓分割步驟中分割第1晶圓而得到第1晶片後，在研磨步驟中，藉由使用了研磨墊及研磨漿料的CMP研磨來研磨第1晶片的第1正面。藉此，能夠良好地去除附著或熔接於第1晶片的第1正面的加工屑。從而，變得可在之後的貼合步驟中，將第1晶片的第1正面與第2器件的第2正面良好地貼合。其結果，可以提高有關於積層器件晶片之製造的良率。
Description
本發明是有關於一種積層器件晶片之製造方法。
以往，在製造包含複數層器件之積層器件晶片時，是如專利文獻1及專利文獻2所示，藉由使用了切割刀片的切割加工來分割重疊的二片晶圓、或者藉由以雷射光線的照射所進行之燒蝕加工來進行分割。
又，為了提升積層器件晶片的生產性，在專利文獻3揭示的技術中，是將已分割的器件晶片貼合於形成在其他晶圓上的器件。之後，藉由分割此晶圓，來製造積層器件晶片。
專利文獻1 特開2015-191961號公報
專利文獻2 特開2016-178162號公報
專利文獻3 特開2015-233049號公報
但是，在專利文獻3的技術中，會有下述情況：欲貼合到其他晶圓的器件之已分割的器件晶片的貼合面上，附著有在分割加工中所產生的加工屑(切割屑或碎屑)。此時，容易使器件晶片對其他晶圓的器件的貼合變得不完全。
又，也可考慮以下作法：藉由噴附高壓洗淨水來將器件晶片的貼合面變乾淨。但是，若洗淨水的壓力變高時，會有將器件晶片從黏著膠帶吹跑
的可能性。又，在器件晶片的貼合面熔接有加工屑的情況下，欲藉由高壓的洗淨水去除加工屑是困難的。
本發明之目的在於：可在製造積層器件晶片時，從器件晶片的貼合面良好地去除加工屑。
本發明的積層器件晶片之製造方法(本製造方法)是製造積層器件晶片的積層器件晶片之製造方法，用以製造包含第1器件與第2器件的前述積層器件晶片，前述第1器件是形成在以複數條分割預定線所區劃出的第1晶圓的正面的各區域，前述第2器件是形成在以複數條分割預定線所區劃出的第2晶圓的正面的各區域，前述積層器件晶片之製造方法包含以下步驟：第1晶圓分割步驟，藉由將包含環形框架、黏著膠帶與該第1晶圓之工件組的該第1晶圓沿著該分割預定線分割而形成複數個第1晶片，前述黏著膠帶是貼附於該環形框架以堵塞該環形框架的開口，前述第1晶圓是將背面貼附於該黏著膠帶；研磨步驟，該第1晶圓分割步驟後，藉由以研磨墊研磨第1正面，而從該第1正面去除加工屑，前述第1正面是在複數個該第1晶片中成為貼合面的面，且包含該第1器件；洗淨步驟，該研磨步驟後，藉由對該第1晶片的該第1正面側供給洗淨水來洗淨該第1晶片；拾取步驟，該洗淨步驟後，使該第1晶片從該黏著膠帶離開；準備步驟，實施用於將該第1晶片的該第1正面與該第2晶圓中的該第2器件的貼合面即第2正面設成可相貼合的準備；貼合步驟，使該第1晶片的該第1正面面對該第2器件的該第2正面，並將該第2正面與該第1正面相貼合；及
積層器件晶片製造步驟，該貼合步驟後，藉由沿著該第2晶圓的該分割預定線分割該第2晶圓，而製造一個個的積層器件晶片。
又，在本製造方法中，亦可為：該準備步驟包含：第1準備步驟，藉由對該第1晶片的該第1正面照射大氣壓電漿而使該第1正面活性化；及第2準備步驟，藉由對該第2晶圓的該第2器件的該第2正面照射大氣壓電漿而使該第2正面活性化。
在本製造方法中，是在第1晶圓分割步驟中分割第1晶圓而得到第1晶片後，在研磨步驟中研磨第1晶片的第1正面。藉此，可以良好地去除已附著或熔接於第1晶片的第1正面的加工屑。因此，變得可在之後的貼合步驟中，良好地將第1晶片的第1正面與第2器件的第2正面相貼合。其結果，可以提高有關於積層器件晶片之製造的良率。
又，在本製造方法中，亦可在準備步驟中，藉由對第1晶圓的第1正面照射大氣壓電漿而使第1正面活性化，並且藉由對第2器件的第2正面照射大氣壓電漿而使第2正面活性化。藉此，在貼合步驟中，可藉由混合接合(hybrid bonding)來將第1正面與第2正面相貼合。藉此，可以不需要用於貼合的接著劑。
2a:第1正面
2b:第1背面
3,13:分割預定線
4:第1器件
10:正面保護膠帶
12a:第2正面
12b:第2背面
14:第2器件
20:磨削裝置
21:第1工作夾台
22:第1保持面
23:磨削部
24:第1主軸
25:磨削輪
26:磨削磨石
30:切割裝置
31:第2工作夾台
32:第2保持面
33:切割部
34:第2主軸
35:切割刀片
40:研磨裝置
41:第3工作夾台
42:第3保持面
43:研磨部
44:第3主軸
44a:研磨漿料供給路
45:研磨板
46:研磨墊
50:旋轉洗淨裝置
51:旋轉工作台
52:第4保持面
53:旋轉洗淨部
54:洗淨噴嘴
55:水平移動機構
56:軸桿
57:支撐構件
58:水供給源
59,74:空氣供給源
60:拾取裝置
61:支撐台
62:夾持夾具
63:第1吸引構件
65,73:吸引源
66:頂推構件
67:頂推銷
70:貼合裝置
71:工作夾台
72:第2吸引構件
75:電漿產生器
76:電漿氣體供給源
77:高頻電源
A,B,C,D,E,G,M:箭頭
C1:第1晶片
F:環形框架
Fa:開口
T:切割膠帶
SC:積層器件晶片
W1:第1晶圓
W2:第2晶圓
WS:工件組
圖1是顯示晶圓的立體圖。
圖2是顯示磨削步驟的截面圖。
圖3是顯示裝設步驟的說明圖。
圖4是顯示包含第1晶圓的工件組的說明圖。
圖5是顯示第1晶圓分割步驟的截面圖。
圖6是顯示研磨步驟的截面圖。
圖7是顯示洗淨步驟的截面圖。
圖8是顯示拾取步驟的截面圖。
圖9是顯示準備步驟的截面圖。
圖10是顯示貼合步驟的截面圖。
圖11是顯示積層器件晶片製造步驟的截面圖。
在本實施形態之積層器件晶片之製造方法中，所使用的是第1晶圓與第2晶圓之2片晶圓。
如圖1所示，第1晶圓W1是圓板狀的矽基板，前述矽基板具有作為正面之第1正面2a、及作為背面之第1背面2b。在第1晶圓W1的第1正面2a，在藉由格子狀的複數條分割預定線3所區劃出的區域的每一個中形成有第1器件4。
另一方面，第2晶圓W2也具有與第1晶圓W1同樣之圖1所示的構成。亦即，第2晶圓W2是具有第2正面12a及第2背面12b之圓板狀的矽基板，且在第2正面12a中的藉由分割預定線13所區劃出的區域的每一個中形成有第2器件14。
再者，第1器件4及第2器件14各自形成在第1晶圓W1的第1正面2a及第2晶圓W2的第2正面12a。因此，第1正面2a及第2正面12a也各自為第1器件4及第2器件14的正面。又，第1正面2a也可為藉由分割第1晶圓W1而得到的第1晶片的正面。
因此，在以下，有時也會使用如「第1器件4的第1正面2a」、「第2器件14的第2正面12a」及「第1晶片的第1正面2a」的表現。
接著，說明本實施形態的各步驟。
[磨削步驟]
在此步驟中，如圖2所示，是將第1晶圓W1設置在具備有第1工作夾台21及磨削部23的磨削裝置20。
此時，將第1晶圓W1中的形成有第1器件4的第1正面2a藉由作為保護構件的正面保護膠帶10來覆蓋。
第1工作夾台21具備有可連通於未圖示的吸引源之由多孔材等所構成的第1保持面22。
並且，如圖2所示，將第1晶圓W1的正面保護膠帶10側吸引保持在第1保持面22。藉此，第1晶圓W1是以其第1背面2b向上露出的狀態被固定於第1工作夾台21。
磨削裝置20的磨削部23具備有第1主軸24、及可和第1主軸24一起旋轉的磨削輪25。在磨削輪25的底面將複數個磨削磨石26配設成環狀。
並且，在磨削步驟中，第1工作夾台21朝例如箭頭A方向旋轉。進一步地使磨削部23的磨削輪25一邊朝箭頭A方向旋轉一邊下降。然後，磨削磨石26對第1晶圓W1的第1背面2b一邊按壓一邊磨削。藉此，可將第1晶圓W1薄化。
[裝設步驟]
在此步驟中，如圖3所示，是使用已在磨削步驟中薄化之第1晶圓W1、與環形框架F及切割膠帶T而形成工件組WS。
亦即，首先，使具有開口Fa之環狀的環形框架F的中心與第1晶圓W1的中心一致，來使第1晶圓W1配置在開口Fa內。接著，將圓形狀的切割膠帶T貼附到環形框架F與第1晶圓W1的第1背面2b。
藉此，可形成工件組WS。
之後，將正面保護膠帶10從已透過切割膠帶T被支撐在環形框架F之第1晶圓W1的第1正面2a剝離。藉此，如圖4所示，可在工件組WS上露出第1晶圓W1的第1正面2a。
[第1晶圓分割步驟]
在此步驟中，是藉由沿著分割預定線3分割工件組WS的第1晶圓W1，而形成包含第1器件4的複數個第1晶片。
在此步驟中，是如圖5所示，將包含第1晶圓W1之工件組WS設置在具備有第2工作夾台31及切割部33的切割裝置30。
第2工作夾台31具備有可連通於未圖示的吸引源之由多孔材等所構成的第2保持面32。
在分割步驟中，是如圖5所示，將第1晶圓W1的第1背面2b隔著切割膠帶T吸引保持在第2保持面32。又，環形框架F是被未圖示之夾持夾具所保持。藉此，第1晶圓W1是以其第1正面2a向上露出的狀態被固定於第2工作夾台31。
切割裝置30的切割部33具備有具有水平方向之旋轉軸的第2主軸34、以及可和第2主軸34一起旋轉的切割刀片35。
然後，在切割步驟中，是一邊使第2主軸34朝箭頭B方向旋轉一邊使切割部33下降。此外，使保持有第1晶圓W1的第2工作夾台31在水平面內朝與第2主軸34的旋轉軸正交的方向移動。
藉此，切割刀片35沿著設置在第1晶圓W1的第1正面2a中的第1器件4之間的分割預定線3來切斷第1晶圓W1。
其結果，將第1晶圓W1分割成複數個第1晶片C1，第1晶圓W1的第1正面2a成為第1晶片C1的第1正面2a。再者，第1晶片C1是在其第1正面2a，具有一個個第1器件4。此第1正面2a成為第1晶片C1的貼合面。
[研磨步驟]
在此步驟中，是藉由以研磨墊研磨第1正面2a，而從第1正面2a去除加工屑，前述第1正面2a是在複數個第1晶片C1中成為貼合面的面，且包含第1器件4。
在此步驟中，是如圖6所示，將已分割成複數個第1晶片C1的第1
晶圓W1，直接以和環形框架F以及切割膠帶T為一體之工件組WS的形態，從切割裝置30取下並設置到研磨裝置40。
研磨裝置40具備有第3工作夾台41及研磨部43。第3工作夾台41具備有可連通於未圖示的吸引源之由多孔材等所構成的第3保持面42。
在研磨步驟中，是如圖6所示，與分割步驟同樣地將第1晶圓W1的第1背面2b隔著切割膠帶T吸引保持於第3保持面42。又，環形框架F是被未圖示之夾持夾具所保持。藉此，第1晶圓W1是以其第1正面2a向上露出的狀態被固定於第3工作夾台41。
研磨裝置40的研磨部43具備有第3主軸44、及可和第3主軸44一起旋轉的研磨板45。研磨板45的底面配設有平板狀的研磨墊46。
並且，在研磨步驟中，第3工作夾台41是例如朝箭頭C方向旋轉。此外，研磨部43之研磨板45一邊朝箭頭C方向旋轉一邊下降。並且，研磨墊46一邊按壓第1晶圓W1的第1正面2a(亦即第1晶片C1的第1正面2a)一邊進行研磨。
又，可在由研磨墊46進行的研磨時，透過第3主軸44內的研磨漿料供給路44a將研磨漿料供給至第1晶片C1的第1正面2a與研磨墊46之間。
因此，形成有貫通於研磨板45與研磨墊46之中心的貫通孔，且已通過研磨漿料供給路44a的研磨漿料是通過貫通孔而供給到第1晶片C1的第1正面2a與研磨墊46之間。
又，亦可將研磨漿料供給到未被研磨墊46覆蓋的第1晶圓W1的第1正面2a。又，亦可將研磨漿料供給到接觸於第1晶圓W1的第1正面2a之研磨墊46未接觸於第1正面2a的研磨面。
又，亦可進行成將所供給之研磨漿料滯留在第1晶圓W1的外周與環形框架F的內周之間的切割膠帶T上，來對研磨面供給所滯留的研磨漿料。
藉由這樣的研磨，可從第1晶片C1的第1正面2a去除在先前的步驟
中已附著或已熔接之磨削屑、切割屑以及碎屑等之加工屑。再者，研磨去除量為例如3nm~5nm之範圍。
[洗淨步驟]
在此步驟中，是藉由將洗淨水供給至第1晶片C1的第1正面2a側，而洗淨第1晶片C1。
在這個步驟中，是如圖7所示，在第1正面2a之研磨後，將包含複數個第1晶片C1的第1晶圓W1直接以和環形框架F及切割膠帶T為一體之工件組WS的形態，從研磨裝置40取下並設置到旋轉洗淨裝置50。
旋轉洗淨裝置50具備有旋轉工作台51及旋轉洗淨部53。旋轉工作台51具備有可連通於未圖未的吸引源之由多孔材等所構成的第4保持面52。
在洗淨步驟中，是如圖7所示，與研磨步驟等同樣地將第1晶圓W1的第1背面2b隔著切割膠帶T吸引保持於第4保持面52。又，環形框架F是被未圖示之夾持夾具所保持。藉此，第1晶圓W1是以其第1正面2a向上露出的狀態被固定於旋轉工作台51。
旋轉洗淨裝置50的旋轉洗淨部53具備有洗淨噴嘴54、及用於使洗淨噴嘴54在水平方向上移動的水平移動機構55。
水平移動機構55具有在水平方向上延伸之軸桿56、及支撐洗淨噴嘴54之支撐構件57。支撐構件57可以直接以已支撐(保持)有洗淨噴嘴54的狀態，沿著軸桿56在水平方向上移動。又，對洗淨噴嘴54連接有水供給源58及空氣供給源59。
並且，在洗淨步驟中，旋轉工作台51是例如朝箭頭D方向旋轉。此外，藉由支撐構件57，可讓已配置於第1晶圓W1的上方之洗淨噴嘴54如箭頭E所示地在水平方向上移動。
此時，可將從水供給源58所供給的水與從空氣供給源59所供給的
空氣之混合物即雙流體洗淨水，從洗淨噴嘴54噴射出。
如此進行，可將雙流體洗淨水噴射於第1晶圓W1中的大致所有的第1晶片C1的第1正面2a，而洗淨第1晶片C1。
再者，在洗淨步驟中，在上述雙流體洗淨中有以下情形：於第1晶片C1較小時致使第1晶片C1飛離切割膠帶T。又，有以下情形：要從第1晶圓W1的第1正面2a去除研磨漿料時，會耗費許多時間。作為其對策，亦可使洗淨構件接觸於第1晶圓W1來將第1晶圓W1的第1正面2a洗淨。作為洗淨構件，可使用刷子(brush)、SOFROUS®海棉。再者，刷子宜使用擦洗刷(scrub brush)。
[拾取步驟]
在此步驟中，是使第1晶片C1從切割膠帶T離開。亦即，從切割膠帶T拾取第1晶片C1。
在此步驟中，首先，是於第1晶片C1的洗淨後選擇應被拾取(亦即良品的)第1晶片C1。在此選擇中，是例如藉由測定器等探針來檢查各第1晶片C1的適當與否(完成品質)。然後，將已檢查合格者選擇作為應拾取之第1晶片C1。
之後，如圖8所示，將包含複數個第1晶片C1之第1晶圓W1，直接以和環形框架F及切割膠帶T為一體之工件組WS的形態，從旋轉洗淨裝置50取下並設置到拾取裝置60。
拾取裝置60具備有筒狀的支撐台61。支撐台61是支撐工件組WS中的環形框架F之支撐台，並具備有用於支撐環形框架F之複數個夾持夾具62。
在拾取步驟中，是如圖8所示，藉由以具備有夾持夾具62的支撐台61支撐環形框架F，而將第1晶圓W1在其第1正面2a向上露出的狀態下固定。
又，拾取裝置60在支撐台61的內部的第1晶圓W1的下方具備有頂推構件66。頂推構件66具有可在上下方向上移動的頂推銷67。
此外，拾取裝置60具備有配置於第1晶圓W1的上方，且可連通於吸引源65
的第1吸引構件63。
並且，在拾取步驟中，是頂推構件66從下方藉由頂推銷67將應拾取的第1晶片C1朝上方頂推。此外，將已被頂推的第1晶片C1藉由第1吸引構件63吸引保持，而從切割膠帶T拾取。第1吸引構件63是將所拾取的第1晶片C1搬送到預定的保管場所。
如此進行而將第1晶片C1中的所有的良品的第1晶片C1搬送到保管場所。
[準備步驟]
在此步驟中，是實施用於將第1晶片C1的第1正面2a與第2晶圓W2中的第2器件14的貼合面即第2正面12a設成可相貼合的準備。
在此步驟中，首先，是藉由使圖1所示的第2晶圓W2和環形框架F及切割膠帶T一體化，而形成和圖4所示之第1晶圓W1之構成同樣的工件組WS。
之後，如圖9所示，將第2晶圓W2的工件組WS設置在貼合裝置70。
貼合裝置70具備有保持第2晶圓W2的工作夾台71、保持第1晶片C1的第2吸引構件72、以及產生大氣壓電漿的電漿產生器75。
工作夾台71是構成為藉由使吸引源連通於保持面而吸引保持第2晶圓W2。
並且，如圖9所示，將第2晶圓W2的第2背面12b隔著切割膠帶T吸引保持在工作夾台71上。又，環形框架F是被未圖示之夾持夾具所保持。藉此，第2晶圓W2是以其第2正面12a向上露出的狀態被固定於工作夾台71。
接著，選擇應使用的(亦即良品的)第2器件14。在此選擇中，是例如藉由測定器等的探針來檢查各第2器件14的適當與否(完成品質)。然後，將已檢查合格者選擇作為應使用的第2器件14。例如，可對不合格的(亦即不良品的)第2器件14施行標記。
第2吸引構件72已接地，並且構成為可連通於吸引源73。在準備步驟中，第2吸引構件72是將已在拾取步驟中被搬送到預定的保管場所之良品的第
1晶片C1從其第1背面2b側吸引保持。亦即，第1晶片C1是以已將貼合面即第1正面2a露出的狀態被第2吸引構件72所吸引保持。
並且，第2吸引構件72是將已吸引保持的第1晶片C1配置在1個應使用的第2器件14的上方。
電漿產生器75是連接於例如供給氬氣或氦氣等稀有氣體的電漿氣體供給源76、及高頻電源77。
並且，在準備步驟中，是將電漿產生器75的前端配置在已保持於第2吸引構件72的第1晶圓W1的第1正面2a、與其下方的第2器件14的第2正面12a之間。
此外，電漿產生器75是使用稀有氣體及高頻電力來生成大氣壓電漿，且從其前端朝上下方向照射大氣壓電漿。
藉此，可對第1晶片C1的第1正面2a照射大氣壓電漿，而將第1正面2a活性化(第1準備步驟)。同樣地，可對第2器件14的第2正面12a照射大氣壓電漿，而將第2正面12a活性化(第2準備步驟)。
在此，第1器件4之第1正面2a及第2器件14之第2正面12a露出有矽(Si)及銅(電極材料)。並且，藉由上述之活性化，可在第1正面2a及第2正面12a形成SiON及SiN等的氮化膜、以及SiO2等的氧化膜。
[貼合步驟]
在此步驟中，是使第1晶片C1的第1正面2a與第2晶圓W2中的第2器件14的第2正面12a相面對，而將第2正面12a與第1正面2a相貼合。
亦即，在此步驟中，是如圖10所示，讓保持有第1晶片C1的第2吸引構件72如箭頭G所示地下降，其中前述第1晶片C1具有已在準備步驟中被活性化的第1正面2a。
藉此，可將第1晶片C1的第1正面2a朝位於其下方之第2器件14的經
活性化的第2正面12a按壓。藉此，可將第1正面2a與第2正面12a進行混合接合。
亦即，如上述，因為對第1正面2a及第2正面12a，已將其等活性化，所以除了銅之外，還形成有SiON及SiN等的氮化膜、以及SiO2等的氧化膜。從而，可藉由按壓第1正面2a與第2正面12a而產生氧化膜(或氮化膜)彼此的結合，並藉由這些來接合第1正面2a與第2正面12a。
其結果，可容易地接合1個良品的第1晶片C1、與1個良品的第2器件14。
之後，可將第2吸引構件72連接於圖10所示之空氣供給源74。藉此，可使第2吸引構件72從第1晶片C1分開。
並且，可藉由重複上述之準備步驟及貼合步驟，而對應使用之全部的良品的第2器件14的每一個接合良品的第1晶片C1。
[積層器件晶片製造步驟]
在此步驟中，是在貼合步驟之後，藉由沿著第2晶圓W2的分割預定線13來分割第2晶圓W2，而製造一個個的積層器件晶片。
在此步驟中，是如圖11所示，將第1晶圓W1已接合於第2器件14之狀態的第2晶圓W2設置到圖5所示之切割裝置30。亦即，將第2晶圓W2以第2器件14及第1晶片C1露出的狀態，固定在切割裝置30的第2工作夾台31。
然後，在積層器件晶片製造步驟中，是一邊使第2主軸34朝箭頭B方向旋轉一邊使切割部33下降。此外，使保持有第2晶圓W2的第2工作夾台31在水平面內在與第2主軸34的旋轉軸正交的方向上移動。
藉此，切割刀片35沿著設置在第2晶圓W2的第2器件14之間的分割預定線13切斷第2晶圓W2。
其結果，可以將第2晶圓W2分割，而得到包含每個各1個第1晶片C1的第1器件4及第2器件14之積層器件晶片SC。
再者，在圖11中，藉由箭頭M所示之第2晶圓W2的部分是顯示為
檢查不合格的不良品的第2器件14。
如以上，在本實施形態中，是在第1晶圓分割步驟中分割第1晶圓W1而得到第1晶片C1後，在研磨步驟中研磨第1晶片C1的第1正面2a。藉此，能夠良好地去除附著或熔接於第1晶片C1的第1正面2a的加工屑。從而，變得可在之後的貼合步驟中，將第1晶片C1的第1正面2a與第2器件14的第2正面12a良好地貼合。其結果，可以提高有關於積層器件晶片SC之製造的良率。
又，在本實施形態中，是在研磨步驟中對第1晶片C1的第1正面2a實施有使用了研磨漿料之CMP(化學機械研磨，Chemical Mechanical Polishing)研磨。像這樣的CMP研磨，是在第1晶圓W1的製造時對第1器件4的正面(亦即第1正面2a)所實施的研磨。因此，可以在研磨步驟中抑制第1正面2a劣化之情形。
又，在本實施形態中，是在準備步驟中，藉由對第1晶圓W1的第1正面2a照射大氣壓電漿而使第1正面2a活性化，並且藉由對第2器件14的第2正面12a照射大氣壓電漿而使第2正面12a活性化。藉此，可以在貼合步驟中，藉由混合接合來將第1正面2a與第2正面12a相貼合。藉此，可以不需要用於貼合的接著劑。
又，在本實施形態中，是在已分割第1晶圓W1之後將良品的第1晶片C1拾取並貼合到第2晶圓W2中的良品的第2器件14，之後分割第2晶圓W2而得到積層器件晶片SC。藉此，可提高有關於積層器件晶片SC之製造的良率。
亦即，若在將第1晶片C1貼合至第2晶圓W2後進行分割，會有將不良品的第1晶片C1貼合到良品的第2器件14、或將良品的第1晶片C1貼合到不良品的第2器件14之情形，而導致不良品的積層器件晶片SC增加且使良率惡化。
再者，在本實施形態中，是在研磨步驟中，透過第3主軸44內的研磨漿料供給路44a，將研磨漿料供給至第1晶片C1的第1正面2a與研磨墊46之間。亦可取代於此而將水供給至第1正面2a與研磨墊46之間。
又，在本實施形態中，是在準備步驟中，藉由大氣壓電漿將第1晶片C1的第1正面2a及第2器件14的第2正面12a活性化。亦可取代於此或除此之外，在準備步驟中，對第1正面2a及第2正面12a塗佈接著劑。
在此情況下，可在貼合步驟中，藉由接著劑來接合第1正面2a與第2正面12a。
2a:第1正面
2b:第1背面
40:研磨裝置
41:第3工作夾台
42:第3保持面
43:研磨部
44:第3主軸
44a:研磨漿料供給路
45:研磨板
46:研磨墊
C:箭頭
C1:第1晶片
F:環形框架
W1:第1晶圓
WS:工件組
Claims (2)
- 一種積層器件晶片之製造方法，用以製造包含第1器件與第2器件的前述積層器件晶片，前述第1器件是形成在以複數條分割預定線所區劃出的第1晶圓的正面的各區域，前述第2器件是形成在以複數條分割預定線所區劃出的第2晶圓的正面的各區域，前述積層器件晶片之製造方法包含以下步驟：第1晶圓分割步驟，藉由將包含環形框架、黏著膠帶與該第1晶圓之工件組的該第1晶圓沿著該分割預定線分割而形成複數個第1晶片，前述黏著膠帶是貼附於該環形框架以堵塞該環形框架的開口，前述第1晶圓是將背面貼附於該黏著膠帶；研磨步驟，該第1晶圓分割步驟後，藉由以研磨墊研磨第1正面，而從該第1正面除去加工屑，前述第1正面是在複數個該第1晶片中成為貼合面的面，且包含該第1器件；洗淨步驟，該研磨步驟後，藉由對該第1晶片的該第1正面側供給洗淨水來洗淨該第1晶片；拾取步驟，該洗淨步驟後，使該第1晶片從該黏著膠帶離開；準備步驟，實施用於將該第1晶片的該第1正面與該第2晶圓中的該第2器件的貼合面即第2正面設成可相貼合的準備；貼合步驟，使該第1晶片的該第1正面面對該第2器件的該第2正面，並將該第2正面與該第1正面相貼合；及積層器件晶片製造步驟，該貼合步驟後，藉由沿著該第2晶圓的該分割預定線分割該第2晶圓，而製造一個個的積層器件晶片。
- 如請求項1之積層器件晶片之製造方法，其中該準備步驟包含：第1準備步驟，藉由對該第1晶片的該第1正面照射大氣壓電漿而使該第1正 面活性化；及第2準備步驟，藉由對該第2晶圓的該第2器件的該第2正面照射大氣壓電漿而使該第2正面活性化。
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