TWI819623B - 電漿製程系統的載體吸附機構 - Google Patents
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Abstract
本申請提供一種電漿製程系統的載體吸附機構，其設於一真空電漿製程腔體內並用於對一待製程基板進行電漿製程，真空電漿製程腔體內設有一第一電極，載體吸附機構包含一與第一電極對應設置的第二電極板及至少一吸附件。第二電極板與第一電極之間形成一電漿製程空間，第二電極板相鄰電漿製程空間之一表面具有一附加區及一外露區；至少一吸附件設於附加區，至少一吸附件吸附待製程基板以使待製程基板固定於第二電極板上。藉此，本申請同時具備讓待製程基板不翹曲及散熱快速的優點。
Description
本申請係有關一種吸附機構，特別是指一種電漿製程系統的載體吸附機構。
隨著時代的變遷，科技產業也日益進步，尤其半導體產業更是越發成熟。而晶片及電路載板的製作過程中，需要對待製程物進行表面清潔、蝕刻處理等製程，除了利用一般熟知的乾蝕刻、濕蝕刻技術之外，電漿製程技術亦在半導體及電路板產業佔有一席之地。
其中，於電漿製程中，由於電路載板會因為熱因素而發生翹曲的情況，因此電路載板通常都是以夾持以及拉撐的方式固定於電漿製程腔體內，以此防止電路載板產生翹曲。然而，傳統夾持跟拉撐是連動的動作，因此容易發生夾持過緊無法拉開的情況，或是拉開力道大於夾持力道而產生滑移問題，使得電路載板在電漿製程中並無法確實的被固定於電漿製程腔體內，電路載板仍然會產生翹曲的情況，進而導致電路載板的製程良率下降的問題。
本申請之主要目的，在於解決以往電路載板因為電漿製程中的熱因素而產生翹曲的情況，而導致電路載板的製程良率下降的問題。
為達上述目的，本申請一項實施例提供一種電漿製程系統的載體吸附機構，其設於一真空電漿製程腔體內並用於對一待製程基板進行電漿製程，真空電漿製程腔體內設有一第一電極，載體吸附機構包含一與第一電極對應設置的第二電極板及至少一吸附件。第二電極板與第一電極之間形成一電漿製程空間，第二電極板相鄰電漿製程空間之一表面具有一附加區及一外露區；至少一吸附件設於附加區，至少一吸附件吸附待製程基板以使待製程基板固定於第二電極板上。
於本申請另一實施例中，附加區、外露區及吸附件各具有複數個，且附加區與外露區為間隔排列形成於第二電極板之表面。
於本申請另一實施例中，附加區與外露區為長條形，且於第二電極板之表面呈條紋狀排列。
於本申請另一實施例中，附加區與外露區為方形，且於第二電極板之表面呈陣列狀排列。
於本申請另一實施例中，各附加區更包括有一連接段，任兩對角相鄰的附加區透過連接段彼此相連。
於本申請另一實施例中，吸附件之形狀對應於兩相連的附加區，並包含連接段之區域。
於本申請另一實施例中，各附加區更包括有一連接段，任兩對角相鄰的附加區透過連接段彼此相連，連接彼此的兩附加區不與其他附加區相連。
於本申請另一實施例中，連接彼此的兩附加區與其他附加區之間的最小間隔介於0.01mm至1mm。
於本申請另一實施例中，吸附件之形狀對應於兩相連的附加區，並包含連接段之區域。
於本申請另一實施例中，外露區於第二電極板之表面呈田字形排列，而使附加區呈矩形。
於本申請另一實施例中，外露區係自田字形排列更進一步的延伸出對角線外露出，而使附加區呈三角形。
於本申請另一實施例中，附加區與外露區對應於第二電極板之形狀並於第二電極板之表面呈同心排列。
於本申請另一實施例中，第二電極板更具有設於外露區的至少一輸氣口及至少一抽氣口，至少一抽氣口之位置相對遠離至少一輸氣口之位置，至少一輸氣口輸入一散熱氣體至外露區，並由至少一抽氣口將散熱氣體從外露區抽出。
於本申請另一實施例中，附加區凹陷於第二電極板之表面，使外露區相對凸出附加區，並使貼附有吸附件之附加區的高度高於外露區0.01mm至0.6mm。
於本申請另一實施例中，第二電極板為一中空板體結構而使第二電極板內部具有一通有冷卻流體之冷卻通道。
於本申請另一實施例中，更包括有一限位單元，其設於第二電極板相鄰第一電極之一側，並使待製程基板被夾設於限位單元及第二電極板之間，限位單元為中間鏤空之框體形狀，並夾制固定待製程基板之外周緣。
於本申請另一實施例中，限位單元之材質為絕緣材質。
藉此，本申請透過吸附件的高吸附力將待製程基板吸附定位於第二電極板上，並透過限位單元進一步的限制待製程基板的位置，以此有效的防止待製程基板在電漿製程中發生翹曲的情況。
為便於說明本申請於上述創作內容一欄中所表示的中心思想，茲以具體實施例表達。實施例中各種不同物件係按適於列舉說明之比例，而非按實際元件的比例予以繪製，合先敘明。
請參閱圖1至圖11所示，係揭示本申請實施例之電漿製程系統的載體吸附機構100，其設於一真空電漿製程腔體1內並用於對一待製程基板200進行電漿製程，真空電漿製程腔體1內設有一第一電極300，載體吸附機構100設於第一電極300之一側，載體吸附機構100包含一第二電極板10以及至少一吸附件20。其中，待製程基板200可以是電路複合載板（例如PCB、FPC等）、晶圓或晶片等，凡指需要進行電漿清潔、蝕刻、鍍膜製程的物體都可為本案所請敘述的待製程基板200。
第二電極板10，其係對應第一電極300設置並位於第一電極300之一側，第二電極板10與第一電極300之間形成有一電漿製程空間400，待製程基板200係於電漿製程空間400內進行電漿製程，第二電極板10相鄰電漿製程空間400之表面具有一附加區11及一外露區12。其中，於本申請實施例中，附加區11及外露區12係為複數個，附加區11與外露區12為間隔排列於第二電極板10之表面。
至少一吸附件20，其設於附加區11，吸附件20吸附待製程基板200以使待製程基板200固定於第二電極板10上，讓待製程基板200在進行電漿製程的過程中，不會任意移位並防止待製程基板200產生翹曲的情況。其中，吸附件20係透過靜電吸附方式或矽膠吸附方式吸附待製程基板200，但不限於此。
更進一步的，吸附件20包括有一吸附層21及一黏貼層22，吸附層21設於吸附件20靠近第一電極300之一側，黏貼層22設於吸附件20遠離第一電極300之另一側。吸附件20係透過黏貼層22黏設於附加區11；吸附層21係透過靜電吸附方式或黏膠吸附方式吸附待製程基板200，本案所請主要在於能夠不另用額外電力，而能重複吸貼的材料皆為本案之範圍。進一步舉例來說，靜電吸附方式可利用PVC材質的靜電膜，而於一片體表面形成厚度約0.15mm的膜體；黏膠吸附方式則主要利用聚氨酯(PU)、矽膠材質或壓敏膠材質(例如雙面黏性不同的雙面膠)，目的在於形成片狀可重複黏貼的材料。以上僅為舉例說明，並不以此為限。
另外，本申請之載體吸附機構100更包含有一限位單元30，限位單元30設於第二電極板10相鄰第一電極300之一側，並使待製程基板200被夾設於限位單元30及第二電極板10之間，以此進一步的防止待製程基板200產生翹曲的情況。其中，如圖1及圖4所示，限位單元30為中間鏤空之框體形狀，並藉由第二電極板10而於待製程基板200之一側邊緣進行加壓，以此進一步的防止待製程基板200遇熱而呈翹曲狀。更進一步的，限位單元30之材質為絕緣材質，因此限位單元30在待製程基板200進行電漿製程時，限位單元30並不會因為電漿製程中的熱因素而發生變形的情況，所以限位單元30能夠在不影響待製程基板200之製程狀況下，進一步的防止待製程基板200產生翹曲的情況。
如圖2所示，並請同時參閱圖4，係為本申請之第一實施例，於此實施例中，附加區11、外露區12及吸附件20各具有複數個，且附加區11與外露區12為間隔排列形成於第二電極板10之表面。更進一步的，附加區11與外露區12為長條形，且附加區11與外露區12於第二電極板10之表面呈條紋狀排列。
如圖3至圖7所示，係為本申請之第二實施例，於此實施例中，附加區11與外露區12為方形，且附加區11與外露區12於第二電極板10之表面呈陣列狀排列，其中，各附加區11包括有一連接段111，任兩對角相鄰的附加區11透過連接段111彼此相連，且連接彼此的兩附加區11不與其他附加區11相連。
如圖5及圖6所示，於本申請第二實施例中，附加區11係凹陷於第二電極板10之表面，使外露區12相對凸出附加區11，而吸附件20於貼附於附加區11後，因為吸附件20亦具有厚度之關係，使得貼附有吸附件20後之附加區11整體與外露區12之間具有一高度差，其中，貼附有吸附件20之附加區11的高度高於外露區12的高度，且所述高度差介於0.01mm至0.6mm；連接彼此的兩附加區11與其他附加區11之間具有一間隔D，間隔D介於0.01mm至1mm；吸附件20之形狀對應於附加區11之形狀，而於本實施例中，吸附件20並未形成於連接段111上，因此使得連接段111形成凹陷區域，使用者可透過凹陷區域的連接段111方便進一步移除並更換吸附件20。
如圖5及圖6所示，於本申請第二實施例中，第二電極板10具有設於外露區12的至少一輸氣口121及至少一抽氣口122，抽氣口122之位置相對遠離輸氣口121之位置，輸氣口121連接於一儲氣模組(圖中未示)，輸氣口121從所述儲氣模組輸入一散熱氣體至外露區12，並由抽氣口122將所述散熱氣體從外露區12抽出，以此透過所述散熱氣體的流動，將電漿製程所產生的熱能帶出外露區12，達到加強散熱效率之功效。
其中，由於貼附有吸附件20之附加區11與外露區12之間具有所述高度差，且連接彼此的兩附加區11與其他附加區11之間具有間隔D，使得散熱氣體能夠流通各外露區12之間，將電漿製程所產生的熱能帶出外露區12。另外，為了強調所述散熱氣體能夠於外露區12流動，圖6之待製程基板200以及外露區12與待製程基板200間的距離並未按實際比例予以繪製，實際上，外露區12與待製程基板200間的距離非常小(可能僅約0.01mm至0.6mm，上述尺寸非限制距離範圍，僅為舉例說明)。
如圖7所示，於本申請第二實施例中，第二電極板10為一中空板體結構而使第二電極板10內部具有一通有冷卻流體之冷卻通道13，藉此，在待製程基板200進行電漿製程時，冷卻通道13能夠透過冷卻流體的流動，將第二電極板10上的熱能帶走，以此達到加強散熱效率之功效。更進一步的，如圖7所示，冷卻通道13能夠配合附加區11及外露區12的形狀而呈蜿蜒狀，靠近外露區12的表面，以此更進一步的提高散熱效率。
如圖8所示，並請同時參閱圖4，係為本申請之第三實施例，其與第二實施例的不同之處在於，吸附件20之形狀係對應於附加區11之形狀，且吸附件20之黏貼區域包含連接段111之區域，增加吸附件20的置入或移除效率。另外，於本申請其他實施例中，連接彼此的兩附加區11亦能夠與其他附加區11相連，以此使吸附件20於第二電極板10之表面呈長條狀連接，使用者僅需將吸附件20的一端拉起，便能夠將連接一串的吸附件20一起移除，因此可更快速的將吸附件20黏設於第二電極板10之表面或是從第二電極板10之表面移除。
如圖9所示，並請同時參閱圖4，係為本申請之第四實施例，其與第三實施例的不同之處在於，外露區12於第二電極板10之表面呈田字形排列，而使附加區11呈矩形，其中，附加區11具有複數移除區112，移除區112係自各該附加區11之四個角落向外延伸形成，以此讓使用者能夠快速的將吸附件20從第二電極板10之表面移除。
如圖10所示，並請同時參閱圖4，係為本申請之第五實施例，其與第四實施例的不同之處在於，外露區12除了於第二電極板10之表面呈田字形排列之外，外露區12係自田字形排列更進一步的延伸出對角線外露出，而使附加區11呈三角形。
如圖11所示，並請同時參閱圖4，係為本申請之第六實施例，其與第五實施例的不同之處在於，附加區11與外露區12係對應於第二電極板10之形狀並於第二電極板10之表面呈同心排列。
藉此，本創作具有以下優點：
1.本申請係透過吸附件20的高吸附力將待製程基板200吸附定位於第二電極板10上，以此有效的防止待製程基板200在電漿製程中發生翹曲的情況。
2.本申請的限位單元30為絕緣材質，因此在待製程基板200進行電漿製程時，限位單元30並不會因為電漿製程中的熱因素而發生變形的情況，所以限位單元30能夠在不影響待製程基板200之製程狀況下，進一步的防止待製程基板200產生翹曲的情況。
3.本申請具有輸氣口121及抽氣口122的設計，使得本申請能夠透過散熱氣體在外露區12的流動，達到加強散熱效率之功效。並且，第二電極板10所設置的冷卻通道13，亦能夠更進一步的提高散熱效率。
雖然本申請是以一個最佳實施例作說明，精於此技藝者能在不脫離本創作精神與範疇下作各種不同形式的改變。以上所舉實施例僅用以說明本創作而已，非用以限制本創作之範圍。舉凡不違本創作精神所從事的種種修改或改變，俱屬本創作申請專利範圍。
1:真空電漿製程腔體
100:載體吸附機構
200:待製程基板
300:第一電極
400:電漿製程空間
10:第二電極板
11:附加區
111:連接段
112:移除區
12:外露區
121:輸氣口
122:抽氣口
13:冷卻通道
20:吸附件
21:吸附層
22:黏貼層
30:限位單元
D:間隔
[圖1]係本申請實施例之電漿製程系統的載體吸附機構之實施狀態示意圖，用於表示本申請設於真空電漿製程腔體中。
[圖2]係本申請第一實施例之電漿製程系統的載體吸附機構之立體外觀示意圖。
[圖3]係本申請第二實施例之電漿製程系統的載體吸附機構之立體外觀示意圖。
[圖4]係本申請第二實施例之電漿製程系統的載體吸附機構之立體***示意圖。
[圖5]係本申請第二實施例之電漿製程系統的載體吸附機構之局部放大示意圖。
[圖6]係本申請第二實施例之電漿製程系統的載體吸附機構之剖面放大示意圖。
[圖7]係本申請第二實施例之電漿製程系統的載體吸附機構之剖面放大示意圖，用以表示第二電極板具有冷卻通道。
[圖8]係本申請第三實施例之電漿製程系統的載體吸附機構之立體外觀示意圖以及局部放大圖，其中，局部放大圖用以表示吸附件之黏貼區域包含連接段之區域。
[圖9]係本申請第四實施例之電漿製程系統的載體吸附機構之立體外觀示意圖。
[圖10]係本申請第五實施例之電漿製程系統的載體吸附機構之立體外觀示意圖。
[圖11]係本申請第六實施例之電漿製程系統的載體吸附機構之立體外觀示意圖。
200:待製程基板
10:第二電極板
11:附加區
111:連接段
12:外露區
121:輸氣口
20:吸附件
21:吸附層
22:黏貼層
30:限位單元
D:間隔
Claims (18)
- 一種電漿製程系統的載體吸附機構，其設於一真空電漿製程腔體內並用於對一待製程基板進行電漿製程，該真空電漿製程腔體內設有一第一電極，該載體吸附機構包含： 一與該第一電極對應設置的第二電極板，其與該第一電極之間形成一電漿製程空間，該第二電極板相鄰該電漿製程空間之一表面具有一附加區及一外露區；以及 至少一吸附件，其設於該附加區，該至少一吸附件吸附該待製程基板以使該待製程基板固定於該第二電極板上。
- 如請求項1所述之電漿製程系統的載體吸附機構，其中，該附加區、該外露區及該至少一吸附件各具有複數個，且該些附加區與該些外露區為間隔排列形成於該第二電極板之表面。
- 如請求項2所述之電漿製程系統的載體吸附機構，其中，該些附加區與該些外露區為長條形，且於該第二電極板之表面呈條紋狀排列。
- 如請求項2所述之電漿製程系統的載體吸附機構，其中，該些附加區與該些外露區為方形，且於該第二電極板之表面呈陣列狀排列。
- 如請求項4所述之電漿製程系統的載體吸附機構，其中，各該附加區更包括有一連接段，任兩對角相鄰的該附加區透過該連接段彼此相連。
- 如請求項5所述之電漿製程系統的載體吸附機構，其中，該些吸附件之形狀對應於兩相連的該附加區，並包含該連接段之區域。
- 如請求項4所述之電漿製程系統的載體吸附機構，其中，各該附加區更包括有一連接段，任兩對角相鄰的該附加區透過該連接段彼此相連，連接彼此的該兩附加區不與其他附加區相連。
- 如請求項7所述之電漿製程系統的載體吸附機構，其中，連接彼此的該兩附加區與其他附加區之間的最小間隔介於0.01mm至1mm。
- 如請求項7所述之電漿製程系統的載體吸附機構，其中，該些吸附件之形狀對應於兩相連的該附加區，並包含該連接段之區域。
- 如請求項2所述之電漿製程系統的載體吸附機構，其中，該些外露區於該第二電極板之表面呈田字形排列，而使該些附加區呈矩形。
- 如請求項10所述之電漿製程系統的載體吸附機構，其中，該些外露區係自田字形排列更進一步的延伸出對角線外露出，而使該些附加區呈三角形。
- 如請求項2所述之電漿製程系統的載體吸附機構，其中，該些附加區與該些外露區對應於該第二電極板之形狀並於該第二電極板之表面呈同心排列。
- 如請求項2至12中任一項所述之電漿製程系統的載體吸附機構，其中，該第二電極板更具有設於該外露區的至少一輸氣口及至少一抽氣口，該至少一抽氣口之位置相對遠離該至少一輸氣口之位置，該至少一輸氣口輸入一散熱氣體至該外露區，並由該至少一抽氣口將該散熱氣體從該外露區抽出。
- 如請求項13所述之電漿製程系統的載體吸附機構，其中，該些附加區凹陷於該第二電極板之表面，使該些外露區相對凸出該些附加區，並使貼附有該些吸附件之該些附加區的高度高於該些外露區0.01mm至0.6mm。
- 如請求項2至12中任一項所述之電漿製程系統的載體吸附機構，其中，該些附加區凹陷於該第二電極板之表面，使該些外露區相對凸出該些附加區，並使貼附有該些吸附件之該些附加區的高度高於該些外露區0.01mm至0.6mm。
- 如請求項1所述之電漿製程系統的載體吸附機構，其中，該第二電極板為一中空板體結構而使該第二電極板內部具有一通有冷卻流體之冷卻通道。
- 如請求項1所述之電漿製程系統的載體吸附機構，更包括有一限位單元，其設於該第二電極板相鄰該第一電極之一側，並使該待製程基板被夾設於該限位單元及該第二電極板之間，該限位單元為中間鏤空之框體形狀，並夾制固定該待製程基板之外周緣。
- 如請求項17所述之電漿製程系統的載體吸附機構，其中，該限位單元之材質為絕緣材質。
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| TW111119216A TWI819623B (zh) | 2022-05-24 | 2022-05-24 | 電漿製程系統的載體吸附機構 |
Country Status (1)
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| TW (1) | TWI819623B (zh) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20150318258A1 (en) * | 2012-09-28 | 2015-11-05 | Intel Corporation | Die warpage control for thin die assembly |
| KR20160110089A (ko) * | 2015-03-09 | 2016-09-21 | 인텔 코포레이션 | Rfi 및 si 리스크를 경감시키는 온 패키지 플로팅 금속/보강재 접지 |
| TWI681497B (zh) * | 2015-04-04 | 2020-01-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 基板保持方法、基板保持裝置、處理方法及處理裝置 |
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| TW202203072A (zh) * | 2020-07-07 | 2022-01-16 | 以色列商納米尺寸技術領域股份有限公司 | 用於印刷電路之表面互補介電性遮罩、其製造方法及用途 |
-
2022
- 2022-05-24 TW TW111119216A patent/TWI819623B/zh active
Patent Citations (5)
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
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