TW202013580A - 晶圓整平吸盤結構及其方法 - Google Patents

Abstract

本發明係有關一種晶圓整平吸盤結構及其方法，由至少一吸盤模組先行吸附晶圓達成大面積的晶圓整平效果，以利後續吸嘴模組或多孔陶瓷模組分別針對晶圓須加工部份或晶圓須加工部份外區域來實行二次晶圓整平；其一，由吸嘴模組透過吸嘴吸氣孔之吸氣產生模擬真空，對著晶圓須加工部份實施二次晶圓整平；另，晶圓須加工部份外區域由該多孔陶瓷單元吸附該晶圓實行二次晶圓整平。

Description

晶圓整平吸盤結構及其方法

本發明係關於一種晶圓加工前置整平裝置及其方法，特別關於晶圓翹曲問題進而促成後續加工失敗率提高，透過先整平晶圓大範圍翹曲，再對已被實行整平之晶圓執行二次整平，避免一次性整平導致晶圓內部的應力釋放破壞晶圓結構。

半導體業在奈米級製程越走越遠，各類製程也需因應晶圓規格的變化，在基本面積變大上帶來各式挑戰；再，半導體製造業持續致力於更大的產能，並且逐漸增加晶圓上每單位面積中的電路，因此也縮減所製程之結構的最小特徵尺寸。

其中，在晶圓之面積變大情況下，保持晶圓表面之平面度變得困難；又，因最小特徵尺寸變小導致晶圓加工工段種類更多，施於表面之應力殘留更趨於複雜，因此首要保持晶圓於加工時之平整。

以下例舉數篇先前技術文獻，多個相關專利如下：US 61/667,659揭示用於固持一晶圓或晶圓子堆疊之真空吸頭之使用，在某些實施方案中，由一真空吸頭以可幫助減少一晶圓或晶圓子堆疊之彎曲之一方式固持該晶圓或晶圓子堆疊。舉例而言，一種在一晶圓上形成特徵之方法包含將一晶圓放置於一真空吸頭上。面對真空吸頭之晶圓之一第一表面包含朝向真空吸頭突出之特徵，該真空吸頭包含其上安 置一非黏性、柔軟、彈性及非磨蝕性材料之一凹入表面以使得晶圓之特徵與真空吸頭之凹入表面上之材料接觸。晶圓之第一表面在其周邊附近之部分與包含一真空通道之真空吸頭之一***區段接觸。該方法包含產生一真空以將晶圓固持至真空吸頭且隨後使一複製工具與晶圓之一第二表面接觸以在晶圓之第二表面上形成經複製特徵。

TW I327351揭示有關將一基材固持於一晶圓吸盤的方法。該方法的特徵在於：朝該晶圓吸盤加速該基材的一部份以產生該基材朝向晶圓吸盤的移行速度，及在該基材達到晶圓吸盤之前減低該速度。以此方式，則該基材部份與晶圓吸盤的衝擊力會大為減少，此相信可以減低該基材之結構完整性和在該基材上的料層及/或該晶圓吸盤受損的可能性。

TW I606545揭示一種真空夾具，包括：承載總成、密封單元、夾具連接頭及至少一個真空管。承載總成具有凹槽，凹槽內設有至少一個第一真空孔。密封單元包括密封圈，密封圈凸起形成真空槽，密封圈開設有至少一個第二真空孔，密封圈固定設置在承載總成的凹槽內，密封圈的第二真空孔與承載總成的第一真空孔相連通。夾具連接頭具有至少一個抽氣口及與抽氣口相連通的至少一個抽氣孔，夾具連接頭與承載總成固定連接。真空管將承載總成的第一真空孔與夾具連接頭的抽氣孔連通。本發明真空夾具藉由設置密封圈，使得真空夾具具有良好的氣密性，從而使晶圓能夠穩固夾持於真空夾具上。

然，現今因晶圓尺寸緣故導致翹曲嚴重的情況下，一次性的吸盤整平容易造成晶圓因應力殘留產生結構破壞，且未針對須加工區域加強。

因此，為解決以上問題，本發明之主要目的係在提供一種晶圓整平吸盤結構及其方法，以改善上述之問題。

有鑑於以上問題，本發明係提供一種晶圓整平吸盤結構及其方法，由至少一吸盤模組先行吸附晶圓達成大面積的晶圓整平效果，再針對晶圓須加工部份或晶圓須加工部份外區域來實行二次晶圓整平。

因此，本發明之主要目的係在提供一種晶圓整平吸盤結構及其方法，經由後續吸嘴模組針對晶圓須加工部份區域來實行二次晶圓整平，以增加加工部分平整度。

本發明再一目的係在提供一種晶圓整平吸盤結構及其方法，藉由多孔陶瓷模組分別針對晶圓須加工部份外區域來實行二次晶圓整平，以增加晶圓整體平整度。

本發明再一目的係在提供一種晶圓整平吸盤結構及其方法，利用增設一工作環於加工缺口，可增加晶圓加工時之平面度。

本發明再一目的係在提供一種晶圓整平吸盤結構及其方法，為達成上述目的，本發明所使用的主要技術手段是採用以下技術方案來實現的。本發明為一種晶圓整平吸盤結構，用於整平一晶圓之翹曲，其包含一承載模組、至少一吸盤模組及複數吸嘴模組；該承載模組包含一工作平台、至少一吸盤裝設孔及一加工缺口，該加工缺口邊緣具備複數吸嘴設置孔，該吸盤裝設孔設於該工作平台內，該加工缺口設於該工作平台一角；該吸盤模組包含一白努力吸盤及一進氣孔，該白努力吸盤設置於該吸盤裝設孔中，該白努力吸盤透過該進氣孔之進氣產生白努力現 象；該吸嘴模組包含一吸嘴單元及一吸嘴吸氣孔，該吸嘴單元設置於該吸嘴設置孔中，該吸嘴單元透過該吸嘴吸氣孔之吸氣產生模擬真空；其特徵在於，當該晶圓放置於該工作平台上，由該白努力吸盤針對該晶圓之大範圍翹曲整平，接著該加工缺口附近之小範圍翹曲整平由該些吸嘴單元吸附該晶圓實行。

為達成上述目的，本發明所使用的次要技術手段是採用以下技術方案來實現的。本發明為一種晶圓整平吸盤結構，用於整平一晶圓之翹曲，其包含一承載模組、至少一吸盤模組及一多孔陶瓷模組；該承載模組包含、一工作平台、至少一吸盤裝設孔、一加工缺口及至少一多孔陶瓷裝設孔，該多孔陶瓷裝設孔設於該工作平台內，該多孔陶瓷裝設孔包圍該吸盤裝設孔，該加工缺口設於該工作平台一角；該吸盤模組包含一白努力吸盤及一進氣孔，該白努力吸盤設置於該吸盤裝設孔中，該白努力吸盤透過該進氣孔之進氣產生白努力現象；該多孔陶瓷模組包含一多孔陶瓷單元及一多孔陶瓷吸氣孔，該多孔陶瓷單元設置於該多孔陶瓷設置孔中，該多孔陶瓷單元透過該多孔陶瓷吸氣孔之吸氣產生模擬真空；其特徵在於，當該晶圓放置於該工作平台上，由該白努力吸盤針對該晶圓之大範圍翹曲整平，接著該加工缺口外之小範圍翹曲整平由該多孔陶瓷單元吸附該晶圓實行。

本發明的目的及解決其技術問題還可採用以下技術措施步驟進一步實現。

前述的結構，該承載模組包含一工作環，該工作環設置於該加工缺口另一側。

另，為達成上述目地，本發明所使用的再一主要技術手段是採用以下技術方案來實現的。本發明為一種晶圓整平吸盤方式，用於整平一晶圓之翹曲，其步驟如下：步驟A：首先，將一晶圓放置於一工作平台上；步驟B：由該工作平台內之至少一白努力吸盤針對該晶圓大範圍翹曲整平：步驟C：由設於該工作平台之複數吸嘴單元將該晶圓接近該工作平台一加工缺口之範圍翹曲整平。

又，為達成上述目地，本發明所使用的再一次要技術手段是採用以下技術方案來實現的。本發明為一種晶圓整平吸盤方式，用於整平一晶圓之翹曲，其步驟如下：步驟A：首先，將一晶圓放置於一工作平台上；步驟B：由該工作平台內之至少一白努力吸盤針對該晶圓大範圍翹曲整平：步驟C1：由設於該工作平台之一多孔陶瓷單元將該晶圓除了該工作平台之一加工缺口外之範圍翹曲整平。

本發明的目的及解決其技術問題還可採用以下技術措施步驟進一步實現。

前述的方法，其中步驟B之後，由一整平治具從該晶圓上方壓下。

前述的方法，其中步驟B之後，由設置於該加工缺口另一側之該承載模組之一工作環輔助保持該晶圓之外圍平整。

相較於習知技術，本發明具有功效在於：(1)改變晶圓整平方法，減少現有晶圓之加工區整平效果差之缺點；(2)由吸盤針對晶圓大面積整平，再實施二次整平避免多孔陶瓷吸附不易的問題；(3)分成二次整平晶圓降低應力破壞結構；(4)藉由工作環協助，使晶圓之加工區整平 之功效提昇。

1‧‧‧晶圓

10‧‧‧承載模組

11‧‧‧工作平台

12‧‧‧吸盤裝設孔

13‧‧‧加工缺口

14‧‧‧多孔陶瓷設置孔

15‧‧‧工作環

20‧‧‧吸盤模組

21‧‧‧白努力吸盤

22‧‧‧進氣孔

30‧‧‧吸嘴模組

31‧‧‧吸嘴單元

32‧‧‧吸嘴吸氣孔

40‧‧‧多孔陶瓷模組

41‧‧‧多孔陶瓷單元

42‧‧‧多孔陶瓷吸氣孔

51‧‧‧步驟A

52‧‧‧步驟B

521‧‧‧步驟B1

522‧‧‧步驟B2

53‧‧‧步驟C

531‧‧‧步驟C1

第1a圖：為本發明第一實施型態之第一流程圖。

第1b圖：為本發明第一實施型態之第二流程圖。

第2a圖：為本發明第二實施型態之第一流程圖。

第2b圖：為本發明第二實施型態之第二流程圖。

第3a圖：為本發明第一實施型態之吸盤結構示意圖。

第3b圖：為本發明第一實施型態之吸盤結構與晶圓示意圖。

第4圖：為本發明第一實施型態之吸盤結構之***圖。

第5圖：為本發明第一實施型態之吸盤結構之側視圖。

第6a圖：為本發明第一實施型態之吸盤結構與工作環之示意圖。

第6b圖：為本發明第一實施型態之工作環與晶圓示意圖。

第7a圖：為本發明第一實施型態之第一示意圖。

第7b圖：為本發明第一實施型態之第二示意圖。

第7c圖：為本發明第一實施型態之第三示意圖。

第8a圖：為本發明第二實施型態之吸盤結構示意圖。

第8b圖：為本發明第二實施型態之吸盤結構與晶圓示意圖。

第9圖：為本發明第二實施型態之吸盤結構之***圖。

第10a圖：為本發明第二實施型態之吸盤結構與工作環之示意圖。

第10b圖：為本發明第二實施型態之工作環與晶圓示意圖。

第11a圖：為本發明第二實施型態之第一示意圖。

第11b圖：為本發明第二實施型態之第二示意圖。

第11c圖：為本發明第二實施型態之第三示意圖。

為了讓本發明之目的、特徵與功效更明顯易懂，以下特別列舉本發明之第一實施型態：首先，請參閱第3a圖，可見本發明之第一實施型態由一承載模組(10)、二吸盤模組(20)及複數吸嘴模組(30)所構成。

其中，再見第4圖，該承載模組(10)包含一工作平台(11)、至少一吸盤裝設孔(12)及一加工缺口(13)，該加工缺口(13)邊緣具備複數吸嘴設置孔(131)，該吸盤裝設孔(12)設於該工作平台(11)內，該加工缺口(13)設於該工作平台(11)一角。

具體而言，該工作平台(11)功效為承載須加工之晶圓，其一般具備旋轉位移的功能，並設於精密XY工作台上以配合加工做出平面位移；另，該吸盤裝設孔(12)功效為裝設該吸盤模組(20)之貫穿工作平台(11)之孔洞；又，該加工缺口(13)功效為提供晶圓放置於該工作平台(11)時，由下方施於雷射加工之缺口；其，該吸嘴設置孔(131)功效為裝設該吸嘴模組(30)之貫穿工作平台(11)之孔洞。

其中，由第4圖可見，該吸盤模組(20)包含一白努力吸盤(21)及一進氣孔(22)，該白努力吸盤(21)設置於該吸盤裝設孔(12)中，該白努力吸盤(21)透過該進氣孔(22)之進氣產生白努力現象。

實際來說，該吸盤模組(20)功效為提供晶圓整平，其中該白努力吸盤(21)是由進氣孔(22)供給端供應的氣體會從該白努力吸盤 (21)的內部圓筒狀側面的噴口高速噴出，並在該白努力吸盤(21)內部的筒狀空間內形成旋轉氣流，並形成負壓(旋風效應)，氣流在該白努力吸盤(21)和晶圓(1)之間的空間中形成穩定的層流，並造成晶圓上下表面之間的壓力差，最終形成對晶圓的吸附力；而，實務上該白努力吸盤(21)和晶圓(1)之間非直接接觸。

其中，從第4圖所示，該吸嘴模組(30)包含一吸嘴單元(31)及一吸嘴吸氣孔(32)，該吸嘴單元(31)設置於該吸嘴設置孔(131)中，該吸嘴單元(31)透過該吸嘴吸氣孔(32)之吸氣產生模擬真空。

大體情況，該吸嘴模組(30)功效為吸附整平晶圓之用，該吸嘴單元(31)採用了真空原理，即用真空負壓來吸附工件以達到夾持工件的目的，當真空幫浦啟動後，經吸嘴吸氣孔(32)通氣，由吸嘴單元(31)內部的空氣被抽走，形成了真空狀態；此時，吸嘴單元(31)內部的空氣壓力低於吸嘴單元(31)外部的大氣壓力，工件在外部壓力的作用下被吸起，此時吸盤內部的真空度越高，吸盤與工件之間貼的越緊；實務上因該些吸嘴模組(30)共用一真空幫浦，如其一吸嘴模組(30)與工件未達成負壓環境(距離過大)，其餘吸嘴模組(30)將一併無法達成吸附功效。

較佳者，如第6a圖所示，該承載模組(10)包含一工作環(15)，該工作環(15)設置於該加工缺口(13)另一側；工作環(15)係為消除晶圓(1)加工部份之外圍缺乏支撐導致的翹曲(見第6b圖)。

又，請參考第1a圖所示之流程圖，其由步驟A(51)、步驟B(52)、步驟C(53)所構成。

其中，見第1a及3b圖所示，該步驟A(51)係為將一晶圓(1) 放置於一工作平台(11)上。

此步驟A(51)係為整平晶圓(1)做準備。

再，見第1a、3a及3b圖所示，該步驟B(52)係為由該工作平台(11)內之至少一白努力吸盤(21)針對該晶圓(1)大範圍翹曲整平。

此步驟B(52)係由白努力吸盤(21)以進氣孔(22)供給端供應的氣體形成負壓，氣流在該白努力吸盤(21)和晶圓(1)之間的空間中形成穩定的層流，並造成晶圓上下表面之間的壓力差，最終形成對晶圓的吸附力，藉此整平翹曲之該晶圓(1)。

最後，見第1a圖所示，該步驟C(53)係為由設於該工作平台(11)之複數吸嘴單元(31)將該晶圓(1)接近該工作平台(11)之一加工缺口(13)之範圍翹曲整平。

此步驟C(53)係真空幫浦啟動後，經吸嘴吸氣孔(32)通氣，由吸嘴單元(31)內部的空氣被抽走，形成了真空狀態，該晶圓(1)在外部壓力的作用下被吸起，藉此整平翹曲之該晶圓(1)。

較佳著，可於第1a圖步驟B(52)與步驟C(53)間增加步驟B1(521)及步驟B2(522)，請再參考第1b圖之步驟B1(521)及步驟B2(522)表示；步驟B1(521)詳細描述如下，步驟B(52)之後，由一整平治具從該晶圓(1)上方壓下；步驟B2(522)詳細描述如下，步驟B(52)之後，由設置於該加工缺口(13)另一側之該承載模組(10)之一工作環(15)輔助保持該晶圓(1)之外圍平整。

在此步驟B1(521)主要目的為增加晶圓(1)另一面之整平治具來提升整平效果；而，該步驟B2(522)係為消除晶圓(1)加工部 份之外圍缺乏支撐導致的翹曲。

以下就以本發明一種晶圓整平吸盤結構及其方法之第一實施型態為例，針對本發明的實施過程做一詳細的說明如下所示。

首先，請參閱第5圖呈現，該承載模組(10)之該工作平台(11)上設有該吸盤模組(20)之該些白努力吸盤(21)、該吸嘴模組(30)之該些吸嘴單元(31)。

再，如3b或6b圖所示，將晶圓(1)置於該工作平台(11)上；此時，見第7a圖，可見白努力吸盤(21)與吸嘴單元(31)未與晶圓(1)實際接觸，而吸嘴單元(31)與晶圓(1)距離分別為W與X。

接著，如7b圖所示，由該工作平台(11)內之至少一白努力吸盤(21)針對該晶圓(1)大範圍翹曲整平；此時，見第7b圖，可見白努力吸盤(21)與吸嘴單元(31)未與晶圓(1)實際接觸，而吸嘴單元(31)與晶圓(1)距離分別為W`與X`。

最後，見第7c圖所示，由設於該工作平台(11)之複數吸嘴單元(31)將該晶圓(1)接近該工作平台(11)之一加工缺口(13)之範圍翹曲整平；此時，見第7c圖，可見白努力吸盤(21)與吸嘴單元(31)與晶圓(1)實際接觸。

如第2a、2b、8a、8b、9、10a、10b、11a、11b及11c圖所示，為本發明一種晶圓整平吸盤結構及其方法之第二實施型態；在第一實施型態與第1a、1b、3a、3b、4、5、6a、6b、7a、7b及7c圖中已說明的特徵與第2a、2b、8a、8b、9、10a、10b、11a、11b及11c圖相同者，於第2a、2b、8a、8b、9、10a、10b、11a、11b及11c圖的符號標示或省略不再贅述。第二實施 型態與第一實施型態的主要差異在於由第二實施型態之該多孔陶瓷模組(40)替換第一實施型態之該吸嘴模組(30)。

首先，請參閱第3a圖，可見本發明之第二實施型態由一承載模組(10)、二吸盤模組(20)及一多孔陶瓷模組(40)所構成。

其中，再見第9圖，該承載模組(10)包含、一工作平台(11)、至少一吸盤裝設孔(12)、一加工缺口(13)及至少一多孔陶瓷裝設孔(14)，該多孔陶瓷裝設孔(14)設於該工作平台(11)內，該多孔陶瓷裝設孔(14)包圍該吸盤裝設孔(12)，該加工缺口(13)設於該工作平台(11)一角。

具體而言，該多孔陶瓷裝設孔(14)功效為裝設該多孔陶瓷模組(40)之貫穿工作平台(11)之孔洞。

其中，由第9圖可見，該吸盤模組(20)包含一白努力吸盤(21)及一進氣孔(22)，該白努力吸盤(21)設置於該吸盤裝設孔(12)中，該白努力吸盤(21)透過該進氣孔(22)之進氣產生白努力現象。

其中，從第9圖所示，該多孔陶瓷模組(40)包含一多孔陶瓷單元(41)及一多孔陶瓷吸氣孔(42)，該多孔陶瓷單元(41)設置於該多孔陶瓷設置孔(14)中，該多孔陶瓷單元(41)透過該多孔陶瓷吸氣孔(42)之吸氣產生模擬真空。

大體情況，該多孔陶瓷模組(40)功效為吸附整平晶圓之用，其中該多孔陶瓷單元(41)是由多孔陶瓷吸氣孔(42)供給，即用真空負壓來吸附工件以達到夾持工件的目的；該多孔陶瓷單元(41)的氣孔為均勻排列，具有高性能，高精密的均勻吸附力。

較佳者，如第10a圖所示，該承載模組(10)包含一工作環 (15)，該工作環(15)設置於該加工缺口(13)另一側；工作環(15)係為消除晶圓(1)加工部份之外圍缺乏支撐導致的翹曲(見第10b圖)。

又，請參考第2a圖所示之流程圖，其由步驟A(51)、步驟B(52)、步驟C1(531)所構成。

其中，見第2a圖所示，該步驟A(51)係為將一晶圓(1)放置於一工作平台(11)上。

再，見第2a圖所示，該步驟B(52)係為由該工作平台(11)內之至少一白努力吸盤(21)針對該晶圓(1)大範圍翹曲整平。

最後，見第2a圖所示，該步驟C1(531)係為由設於該工作平台(11)之一多孔陶瓷單元(41)將該晶圓(1)除了該工作平台(11)之一加工缺口(13)外之範圍翹曲整平。

此步驟C1(531)係真空幫浦啟動後，經多孔陶瓷吸氣孔(42)通氣，由多孔陶瓷單元(41)內部的空氣被抽走，形成了真空狀態，該晶圓(1)在外部壓力的作用下被吸起，藉此整平翹曲之該晶圓(1)。

較佳著，可於第2a圖步驟B(52)與步驟C(53)間增加步驟B1(521)及步驟B2(522)，請再參考第2b圖之步驟B1(521)及步驟B2(522)表示；步驟B1(521)詳細描述如下，步驟B(52)之後，由一整平治具從該晶圓(1)上方壓下；步驟B2(522)詳細描述如下，步驟B(52)之後，由設置於該加工缺口(13)另一側之該承載模組(10)之一工作環(15)輔助保持該晶圓(1)之外圍平整。

以下就以本發明一種晶圓整平吸盤結構及其方法之第二實施型態為例，針對本發明的實施過程做一詳細的說明如下所示。

首先，如8b或10b圖所示，將晶圓(1)置於該工作平台(11)上；此時，見第11a圖，可見白努力吸盤(21)與多孔陶瓷單元(41)未與晶圓(1)實際接觸，而多孔陶瓷單元(41)與晶圓(1)距離分別為Y與Z。

接著，如11b圖所示，由該工作平台(11)內之至少一白努力吸盤(21)針對該晶圓(1)大範圍翹曲整平；此時，見第7b圖，可見白努力吸盤(21)與多孔陶瓷單元(41)未與晶圓(1)實際接觸，而多孔陶瓷單元(41)與晶圓(1)距離分別為Y`與Z`。

最後，見第11c圖所示，由設於該工作平台(11)之多孔陶瓷單元(41)將該晶圓(1)接近該工作平台(11)之一加工缺口(13)外之範圍翹曲整平；此時，見第11c圖，可見白努力吸盤(21)與多孔陶瓷單元(41)與晶圓(1)實際接觸。

因此本發明之功效有別於一般晶圓整平吸盤，此於半導體業內當中實屬首創，符合發明專利要件，爰依法俱文提出申請。

惟，需再次重申，以上所述者僅為本發明之較佳實施型態，舉凡應用本發明說明書、申請專利範圍或圖式所為之等效變化，仍屬本發明所保護之技術範疇，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

51‧‧‧步驟A

52‧‧‧步驟B

53‧‧‧步驟C

Claims (7)

1. 一種晶圓整平吸盤結構，用於整平一晶圓之翹曲，其包含一承載模組、至少一吸盤模組及複數吸嘴模組；該承載模組包含一工作平台、至少一吸盤裝設孔及一加工缺口，該加工缺口邊緣具備複數吸嘴設置孔，該吸盤裝設孔設於該工作平台內，該加工缺口設於該工作平台一角；該吸盤模組包含一白努力吸盤及一進氣孔，該白努力吸盤設置於該吸盤裝設孔中，該白努力吸盤透過該進氣孔之進氣產生白努力現象；該吸嘴模組包含一吸嘴單元及一吸嘴吸氣孔，該吸嘴單元設置於該吸嘴設置孔中，該吸嘴單元透過該吸嘴吸氣孔之吸氣產生模擬真空；其特徵在於，當該晶圓放置於該工作平台上，由該白努力吸盤針對該晶圓之大範圍翹曲整平，接著該加工缺口附近之小範圍翹曲整平由該些吸嘴單元吸附該晶圓實行。
2. 一種晶圓整平吸盤結構，用於整平一晶圓之翹曲，其包含一承載模組、至少一吸盤模組及一多孔陶瓷模組；該承載模組包含、一工作平台、至少一吸盤裝設孔、一加工缺口及至少一多孔陶瓷裝設孔，該多孔陶瓷裝設孔設於該工作平台內，該多孔陶瓷裝設孔包圍該吸盤裝設孔，該加工缺口設於該工作平台一角；該吸盤模組包含一白努力吸盤及一進氣孔，該白努力吸盤設置於該吸盤裝設孔中，該白努力吸盤透過該進氣孔之進氣產生白努力現象；該多孔陶瓷模組包含一多孔陶瓷單元及一多孔陶瓷吸氣孔，該多孔陶瓷單元設置於該多孔陶瓷設置孔中，該多孔陶瓷單元透過該多孔陶瓷吸氣孔之吸氣產生模擬真空；其特徵在於，當該晶圓放置於該工作平台上，由該白努力吸盤針對該晶圓之大範圍翹曲整平，接著該加工缺口外之小範圍翹曲整平由該多孔陶瓷單元吸附該晶圓實行。
3. 如專利申請範圍第1或2之結構，該承載模組包含一工作環，該工作環設置於該加工缺口另一側。
4. 一種晶圓整平吸盤方式，用於整平一晶圓之翹曲，其步驟如下：步驟A：首先，將一晶圓放置於一工作平台上； 步驟B：由該工作平台內之至少一白努力吸盤針對該晶圓大範圍翹曲整平；步驟C：由設於該工作平台之複數吸嘴單元將該晶圓接近該工作平台一加工缺口之範圍翹曲整平。
5. 一種晶圓整平吸盤方式，用於整平一晶圓之翹曲，其步驟如下：步驟A：首先，將一晶圓放置於一工作平台上；步驟B：由該工作平台內之至少一白努力吸盤針對該晶圓大範圍翹曲整平；步驟C1：由設於該工作平台之一多孔陶瓷單元將該晶圓除了該工作平台之一加工缺口外之範圍翹曲整平。
6. 如專利申請範圍第4或5之方法，其中步驟B之後，由一整平治具從該晶圓上方壓下。
7. 如專利申請範圍第4或5之方法，其中步驟B之後，由設置於該加工缺口另一側之該承載模組之一工作環輔助保持該晶圓之外圍平整。

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