TWI819373B - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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TWI819373B
TWI819373B TW110133306A TW110133306A TWI819373B TW I819373 B TWI819373 B TW I819373B TW 110133306 A TW110133306 A TW 110133306A TW 110133306 A TW110133306 A TW 110133306A TW I819373 B TWI819373 B TW I819373B
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篠原智之
岡田吉文
沖田展彬
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日商斯庫林集團股份有限公司
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Abstract

本發明之基板處理裝置包含基板處理部與基板搬送部。基板處理部包含構成為可保持基板之上側保持裝置及下側保持裝置。於基板處理部中,下側保持裝置設置於上側保持裝置之下方。因此,可由上側保持裝置保持基板之高度位置,與可由下側保持裝置保持基板之高度位置不同。基板搬送部具有保持基板之第1及第2手。第2手位於較第1手為下方。由第1手對上側保持裝置移交或接收基板。由第2手對下側保持裝置接收或移交基板。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係關於一種對基板進行特定處理之基板處理裝置及基板處理方法。
為了對用於液晶顯示裝置或有機EL(Electro Luminescence:電致發光)顯示裝置等之FPD(Flat Panel Display:平板顯示器)用基板、半導體基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板或太陽能電池用基板等各種基板進行各種處理,使用基板處理裝置。為了清洗基板,使用基板清洗裝置。
日本專利第5904169號公報所記載之基板清洗裝置具備保持晶圓之背面周緣部之2個吸附墊、保持晶圓之背面中央部之旋轉夾盤、及清洗晶圓之背面之刷。2個吸附墊保持晶圓且橫向移動。於該狀態下,以刷清洗晶圓之背面中央部。其後,旋轉夾盤自吸附墊接收晶圓,旋轉夾盤保持晶圓之背面中央部且旋轉。於該狀態下,以刷清洗晶圓之背面周緣部。
日本專利第5904169號公報中,記載有作為基板處理裝置,進而組入有上述基板清洗裝置之塗佈、顯影裝置。該塗佈、顯影裝置 中,設置有各自包含光阻膜形成模組、顯影模組及基板清洗裝置等之複數個處理區塊。於包含上述基板清洗裝置之複數個處理區塊之間,藉由搬送機構搬送晶圓。基板清洗裝置中,於保持於特定之高度位置之支持銷與搬送機構之間進行晶圓之交接。
為降低基板處理所需之成本,謀求提高基板處理裝置之產能。
本發明之目的在於提供一種可提高產能之基板處理裝置及基板處理方法。
(1)依照本發明之一態樣之基板處理裝置具備:第1基板處理部,其包含:構成為可於第1高度位置保持第1基板的第1基板保持部、及構成為可於低於第1高度位置之第2高度位置保持第2基板的第2基板保持部;基板搬送部,其包含:構成為可保持第1基板的第1搬送保持部、及構成為可於較第1搬送保持部更下方處保持第2基板的第2搬送保持部;及搬送控制部,其進行以如下方式控制基板搬送部之第1控制:藉由第1搬送保持部對第1基板保持部移交或接收第1基板,且藉由第2搬送保持部對第2基板保持部接收或移交第2基板。
該基板處理裝置中,藉由第1搬送保持部進行對第1基板保持部移交或接收第1基板之動作,藉由第2搬送保持部進行對第2基板保持部接收或移交第2基板之動作。藉此,對第1基板處理部進行第1及第2基板之更換。其結果,可提高基板處理裝置之產能。
(2)亦可為,基板處理裝置進而具備:第1基板支持部,其構成為可支持第1基板,且於第1基板之下方支持第3基板;基板搬送部進 而包含:第3搬送保持部,其構成為可於較第1搬送保持部更下方處保持第3基板;搬送控制部於進行第1控制之前,進行以如下方式控制基板搬送部之第2控制:在第1基板及第3基板被支持於第1基板支持部之狀態下,藉由第1搬送保持部接收被支持於第1基板支持部之第1基板,且藉由第3搬送保持部接收被支持於第1基板支持部之第3基板。
該情形時,於第1基板處理部與基板搬送部之間進行第1及第2基板之交接之前,藉由第1及第3搬送保持部,自第1基板支持部接收第1及第3基板。藉此,可將由第1搬送保持部保持之第1基板搬送至第1基板處理部。又,可將由第3搬送保持部保持之第3基板搬送至與第1基板處理部不同之其他基板處理部。
(3)亦可為,基板處理裝置進而具備第2基板支持部,其構成為可支持第2基板;搬送控制部於以第2搬送保持部接收第2基板之方式進行第1控制後,進行以如下方式控制基板搬送部之第3控制:將由第2搬送保持部接收到之第2基板移交給第2基板支持部。
該情形時,將第1基板處理部中保持於第2高度位置之第2基板搬送至第2基板支持部。
(4)亦可為,基板處理裝置進而具備第2基板處理部,該第2基板處理部包含:構成為可於第3高度位置保持第3基板的第3基板保持部、及構成為可於低於第3高度位置之第4高度位置保持第4基板的第4基板保持部,基板搬送部進而包含:第3搬送保持部,其構成為可於較第1搬送保持部更下方處保持第3基板;及第4搬送保持部,其構成為可於較第3搬送保持部更下方處保持第4基板;搬送控制部進行以如下方式控制基板搬送部之第4控制:藉由第3搬送保持部對第3基板保持部移交或接收第3基 板,且藉由第4搬送保持部對第4基板保持部接收或移交第4基板。
該情形時,藉由第3搬送保持部進行對第3基板保持部移交或接收第3基板之動作,藉由第4搬送保持部進行對第4基板保持部接收或移交第4基板之動作。藉此,對第2基板處理部進行第3及第4基板之更換。其結果,可提高基板處理裝置之產能。
(5)亦可為,基板處理裝置進而具備:第1基板支持部,其構成為可支持第1基板,且於第1基板之下方支持第3基板;搬送控制部於進行第1及第4控制之前,進行以如下方式控制基板搬送部之第5控制:在第1基板及第3基板被支持於第1基板支持部之狀態下,藉由第1搬送保持部接收被支持於第1基板支持部之第1基板,且藉由第3搬送保持部接收被支持於第1基板支持部之第3基板。
該情形時,於第1基板處理部與基板搬送部之間進行第1及第2基板之交接前,且於第2基板處理部與基板搬送部之間進行第3及第4基板之交接前,藉由第1及第3搬送保持部自第1基板支持部接收第1及第3基板。藉此,可將由第1搬送保持部保持之第1基板搬送至第1基板處理部。又,可將由第3搬送保持部保持之第3基板搬送至第2基板處理部。
(6)亦可為,基板處理裝置進而具備:第2基板支持部,其構成為可支持第2基板且可於第2基板之下方支持第4基板;搬送控制部以由第2搬送保持部接收第2基板之方式進行第1控制後,進行以如下方式控制基板搬送部之第6控制:將由第2搬送保持部接收到之第2基板移交給第2基板支持部,且以由第4搬送保持部接收第4基板之方式進行第4控制後,進行以如下方式控制基板搬送部之第7控制:將由第4搬送保持部接收到之第4基板移交給第2基板支持部。
該情形時,將第1基板處理部中保持於第2高度位置之第2基板搬送至第2基板支持部。又,將第2基板處理部中保持於第4高度位置之第4基板搬送至第2基板支持部。如此,由於將第2及第4基板搬送至共通之第2基板支持部,故與將第2及第4基板個別地搬送至互不相同之2個基板支持部之情形相比,縮短第2及第4基板之搬送時間。
(7)亦可為,第1高度位置與第2高度位置之間之距離,與第1搬送保持部中保持第1基板之部分、及第2搬送保持部中保持第2基板之部分間之上下方向之距離相等或大致相等。該情形時,可進而提高基板處理裝置之產能。
(8)亦可為,第1基板保持部構成為可藉由與第1基板之外周端部之複數個部分抵接而保持第1基板,第2基板保持部構成為可藉由吸附第2基板之下表面中央部而保持第2基板,第1基板處理部進而包含清洗部,其構成為可清洗由第1基板保持部保持之第1基板之下表面中央部,且可清洗包圍由第2基板保持部保持之第2基板之下表面中央部的下表面外側區域。
該情形時,第1基板處理部中,清洗於第1高度位置由第1基板保持部保持之第1基板之下表面中央部,清洗於第2高度位置由第2基板保持部吸附保持之第2基板之下表面外側區域。藉此,清洗基板之下表面整體。
(9)依照本發明之另一態樣之基板處理方法包含以下步驟:藉由包含於基板搬送部且構成為可保持第1基板之第1搬送保持部,進行對包含於第1基板處理部且構成為可於第1高度位置保持第1基板之第1基板保持部移交或接收第1基板的第1動作;及藉由包含於基板搬送部且構成為 可於較第1搬送保持部更下方處保持第2基板之第2搬送保持部,進行對包含於第1基板處理部且構成為可於低於第1高度位置之第2高度位置保持第2基板之第2基板保持部接收或移交第2基板的第2動作。
該基板處理方法中,藉由第1搬送保持部進行對第1基板保持部移交或接收第1基板之第1動作,藉由第2搬送保持部進行對第2基板保持部接收或移交第2基板之第2動作。藉此,對第1基板處理部進行第1及第2基板之更換。其結果,可提高基板處理裝置之產能。
(10)亦可為,基板處理方法進而包含以下步驟:於進行第1及第2動作之前,在第1基板及第3基板被支持於構成為可支持第1基板且於第1基板之下方支持第3基板之第1基板支持部之狀態下,藉由第1搬送保持部接收被支持於第1基板支持部之第1基板,且藉由構成為可於較第1搬送保持部更下方處保持第3基板之第3搬送保持部,接收被支持於第1基板支持部之第3基板。
該情形時,於第1及第2動作之前,藉由第1及第3搬送保持部,自第1基板支持部接收第1及第3基板。藉此,可將由第1搬送保持部保持之第1基板搬送至第1基板處理部。又,可將由第3搬送保持部保持之第3基板搬送至與第1基板處理部不同之其他基板處理部。
(11)亦可為,基板處理方法進而包含以下步驟:以由第2搬送保持部接收第2基板之方式進行第1及第2動作後,將由第2搬送保持部接收之第2基板移交給構成為可支持第2基板之第2基板支持部。
該情形時,將第1基板處理部中保持於第2高度位置之第2基板搬送至第2基板支持部。
(12)亦可為,基板處理方法進而包含以下步驟:藉由包含 於基板搬送部且構成為可於較第1搬送保持部更下方處保持第3基板之第3搬送保持部,進行對包含於第2基板處理部且構成為可於第3高度位置保持第3基板之第3基板保持部移交或接收第3基板的第3動作;及藉由包含於基板搬送部且構成為可於較第3搬送保持部更下方處保持第4基板之第4搬送保持部,進行對包含於第2基板處理部且構成為可於低於第3高度位置之第4高度位置保持第4基板之第4基板保持部接收或移交第4基板的第4動作。
該情形時,藉由第3搬送保持部進行對第3基板保持部移交或接收第3基板之第3動作,藉由第4搬送保持部進行對第4基板保持部接收或移交第4基板之第4動作。藉此,對第2基板處理部進行第3及第4基板之更換。其結果,可提高基板處理裝置之產能。
(13)亦可為,基板處理方法進而包含以下步驟:於進行第1~第4動作之前,在第1基板及第3基板被支持於構成為可支持第1基板且於第1基板之下方支持第3基板之第1基板支持部之狀態下,藉由第1搬送保持部接收被支持於第1基板支持部之第1基板,且藉由第3搬送保持部接收被支持於第1基板支持部之第3基板。
該情形時,於第1~第4動作之前,藉由第1及第3搬送保持部,自第1基板支持部接收第1及第3基板。藉此,可將由第1搬送保持部保持之第1基板搬送至第1基板處理部。又,可將由第3搬送保持部保持之第3基板搬送至第2基板處理部。
(14)亦可為,基板處理方法進而包含以下步驟:於以由第2搬送保持部接收第2基板之方式進行第1及第2動作之後,將由第2搬送保持部接收到之第2基板移交給構成為可支持第2基板且構成為可於第2基板之下方支持第4基板之第2基板支持部;以及,於以由第4搬送保持部接收 第4基板之方式進行第3及第4動作之後,將由第4搬送保持部接收到之第4基板移交給第2基板支持部。
該情形時,將第1基板處理部中保持於第2高度位置之第2基板搬送至第2基板支持部。又,將第2基板處理部中保持於第4高度位置之第4基板搬送至第2基板支持部。如此,由於將第2及第4基板搬送至共通之第2基板支持部,故與將第2及第4基板個別地搬送至互不相同之2個基板支持部之情形相比,縮短第2及第4基板之搬送時間。
1:基板清洗裝置
2:單元殼體
2a:底面部
2b:側壁部
2c:側壁部
2d:側壁部
2e:側壁部
2x:搬入搬出口
10A:上側保持裝置
10B:上側保持裝置
11A:下夾盤
11B:下夾盤
12A:上夾盤
12B:上夾盤
13A:下夾盤驅動部
13B:下夾盤驅動部
14A:上夾盤驅動部
14B:上夾盤驅動部
20:下側保持裝置
21:吸附保持部
22:吸附保持驅動部
30:台座裝置
31:線性導件
32:可動台座
33:台座驅動部
40:交接裝置
41:支持銷
42:銷連結構件
43:銷升降驅動部
50:下表面清洗裝置
51:下表面刷
52:液體噴嘴
53:氣體噴出部
54:升降支持部
54u:上表面
55:移動支持部
55a:下表面刷旋轉驅動部
55b:下表面刷升降驅動部
55c:下表面刷移動驅動部
56:下表面清洗液供給部
57:噴出氣體供給部
60:杯裝置
61:處理杯
62:杯驅動部
70:上表面清洗裝置
71:旋轉支持軸
72:臂
73:噴霧噴嘴
74:上表面清洗驅動部
75:上表面清洗流體供給部
80:端部清洗裝置
81:旋轉支持軸
82:臂
83:斜面刷
84:斜面刷驅動部
90:開閉裝置
91:擋板
92:擋板驅動部
100:基板處理裝置
110:傳載區塊
111:控制部
120:處理區塊
140:載體載置台
150:搬送部
161:清洗部
162:清洗部
163:搬送部
200:傳載機械手
210:手支持構件
220:搬送驅動部
300:主機械手
310:手支持構件
320:搬送驅動部
a1~a24:箭頭
a51:箭頭
a52:箭頭
C:載體
D1:手間距離
D2:手間距離
D3:手間距離
DH:支架間距離
Ia~Id:手
Ma~Md:手
PASS1:基板載置部
PASS2:基板載置部
rp:平面基準位置
W:基板
W1:基板
W2:基板
圖1係本發明之一實施形態之基板處理裝置之模式性俯視圖。
圖2係圖1之J-J線處之基板處理裝置之模式性剖視圖。
圖3係本發明之一實施形態之基板清洗裝置之模式性俯視圖。
圖4係顯示圖3之基板清洗裝置之內部構成之外觀立體圖。
圖5係顯示本發明之一實施形態之基板清洗裝置之控制系統之構成之方塊圖。
圖6係用以說明圖3之基板清洗裝置之動作之一例之模式圖。
圖7係用以說明圖3之基板清洗裝置之動作之一例之模式圖。
圖8係用以說明圖3之基板清洗裝置之動作之一例之模式圖。
圖9係用以說明圖3之基板清洗裝置之動作之一例之模式圖。
圖10係用以說明圖3之基板清洗裝置之動作之一例之模式圖。
圖11係用以說明圖3之基板清洗裝置之動作之一例之模式圖。
圖12係用以說明圖3之基板清洗裝置之動作之一例之模式圖。
圖13係用以說明圖3之基板清洗裝置之動作之一例之模式圖。
圖14係用以說明圖3之基板清洗裝置之動作之一例之模式圖。
圖15係用以說明圖3之基板清洗裝置之動作之一例之模式圖。
圖16係用以說明圖3之基板清洗裝置之動作之一例之模式圖。
圖17係用以說明圖3之基板清洗裝置之動作之一例之模式圖。
圖18係用以說明圖1之主機械手對基板清洗裝置之動作之一例之圖。
圖19係顯示處理區塊中之主機械手之具體動作模式之一例之圖。
圖20係顯示處理區塊中之主機械手之具體動作模式之另一例之圖。
圖21係顯示另一實施形態之主機械手之動作模式之一例之圖。
圖22係顯示另一實施形態之主機械手之動作模式之另一例之圖。
以下,使用圖式,針對本發明之實施形態之基板處理裝置及基板處理方法進行說明。以下之說明中,基板係指半導體基板(晶圓)、液晶顯示裝置或有機EL(Electro Luminescence)顯示裝置等FPD(Flat Panel Display)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、或太陽能電池用基板等。又,本實施形態中,基板之上表面為電路形成面(正面),基板之下表面為與電路形成面為相反側之面(背面)。又,本實施形態中,基板除凹口外具有圓形狀。
[1]基板處理裝置之構成
圖1係本發明之一實施形態之基板處理裝置之模式性俯視圖,圖2係J-J線處之基板處理裝置100之模式性剖視圖。如圖1所示,本實施形態之基板處理裝置100具有傳載區塊110及處理區塊120。傳載區塊110及處理區塊120以彼此相鄰之方式設置。
傳載區塊110包含複數個(本例中為4個)載體載置台140及 搬送部150。複數個載體載置台140連接於搬送部150,以空出間隔排成一行之方式配置。於各載體載置台140上,載置收納複數塊基板W之載體C。
於搬送部150,設置有傳載機械手200及控制部111。傳載機械手200包含複數個(本例中為4個)手Ia、Ib、Ic、Id、手支持構件210及搬送驅動部220。
複數個手Ia~Id構成為可分別保持複數個基板W,以於上下方向依一定間隔排列之狀態,設置於手支持構件210上。手支持構件210以於一方向延伸之方式形成,將複數個手Ia~Id可於該一方向進退地支持。搬送驅動部220構成為可於水平方向(複數個載體載置台140排列之方向)移動,可繞鉛直軸旋轉並升降地支持手支持構件210。再者,搬送驅動部220包含複數個馬達及氣缸等,為了由複數個手Ia~Id搬送複數個基板W,使手支持構件210於水平方向移動,使手支持構件210繞鉛直軸旋轉、升降。又,搬送驅動部220使複數個手Ia~Id於水平方向進退。控制部111包含含有CPU(Central Processing Unit:中央處理單元)(中央運算處理裝置)、RAM(Random Access Memory:隨機存取記憶體)及ROM(Read Only Memory:唯讀記憶體)及記憶裝置之電腦等,控制基板處理裝置100內之各構成部。
處理區塊120包含清洗部161、162及搬送部163。清洗部161、搬送部163及清洗部162以與搬送部150相鄰且依序排列之方式配置。清洗部161、162中,上下積層配置有複數個(例如3個)基板清洗裝置1。關於基板清洗裝置1之構成及動作之細節於下文敘述。
於搬送部163,設置有主機械手300。主機械手300包含複 數個(本例中4個)手Ma、Mb、Mc、Md、手支持構件310及搬送驅動部320。複數個手Ma~Md構成為可分別保持複數個基板W,以於上下方向排列之狀態設置於手支持構件310上。
圖2中,於對白框內顯示複數個手Ma~Md及其周邊部之放大側視圖。如該對白框內所示,複數個手Ma、Mb、Mc、Md依序自上而下地排列。以下之說明中,將可由一個手保持基板W之高度位置,與可由另一個手保持基板W之高度位置之間之距離稱為手間距離。
圖2之例中,手Ma、Mb之手間距離D1、與手Mc、Md之手間距離D3彼此相等,例如為10mm。另一方面,手Mb、Mc之手間距離D2大於手間距離D1、D3,例如為24mm。主機械手300搬送基板W時,自4個手Ma~Md確定手間距離彼此相等之二組手對。各手對中,一手用於自一個基板清洗裝置1搬出處理後之基板W,另一手用於對該一個基板清洗裝置1搬入未處理之基板W。
例如,將一組手對定為Ma、Mb之情形時,將另一組手對定為Mc、Md。該情形時,手Ma、Mb分別作為本發明之第1搬送保持部及第2搬送保持部發揮功能,手Mc、Md分別作為本發明之第3搬送保持部及第4搬送保持部發揮功能。另一方面,一組手對定為手Ma、Mc之情形時,另一組手對定為手Mb、Md。該情形時,手Ma、Mc分別作為本發明之第1搬送保持部及第2搬送保持部發揮功能,手Mb、Md分別作為本發明之第3搬送保持部及第4搬送保持部發揮功能。另,上述手間距離D1、D2、D3亦可彼此相等。
手支持構件310以於一個方向延伸之方式形成,將複數個手Ma~Md可於該一個方向分別獨立進退地支持。搬送驅動部320將手支 持構件310可繞鉛直軸旋轉且升降地支持。再者,搬送驅動部320包含複數個馬達及氣缸等,為了由複數個手Ma~Md搬送複數個基板W,使手支持構件310繞鉛直軸旋轉、升降。又,搬送驅動部320使複數個手Ma~Md於水平方向進退。
於傳載區塊110與處理區塊120間,上下積層配置有用以於傳載機械手200與主機械手300之間進行基板W交接之複數個(例如20個左右)基板載置部PASS1、PASS2。複數個基板載置部PASS1位於較複數個基板載置部PASS2為上方。
複數個基板載置部PASS2為了將基板W自傳載機械手200移交給主機械手300而使用。複數個基板載置部PASS1為了將基板W自主機械手300移交給傳載機械手200而使用。
該基板處理裝置100中,傳載機械手200將未處理之基板W自載置於複數個載體載置台140上之複數個載體C之任一載體C取出。又,傳載機械手200將取出之未處理之基板W載置於複數個基板載置部PASS2之任一者。再者,傳載機械手200接收載置於複數個基板載置部PASS1之任一者之已處理之基板W,並將其收容於空的載體C內。
又,主機械手300接收載置於複數個基板載置部PASS2之任一者之未處理之基板W。接著,主機械手300將已處理之基板W自清洗部161、162之複數個基板清洗裝置1中,收容有已處理之基板W之基板清洗裝置1搬出。又,主機械手300將自基板載置部PASS2接收到之未處理之基板W搬入至已處理之基板W已被搬出之基板清洗裝置1。再者,主機械手300將自基板清洗裝置1搬出之基板W載置於複數個基板載置部PASS1之任一者。針對主機械手300對基板W之搬送動作之細節於下文敘述。
[2]基板清洗裝置之構成
圖3係本發明之一實施形態之基板清洗裝置之模式性俯視圖,圖4係顯示圖3之基板清洗裝置1之內部構成之外觀立體圖。本實施形態之基板清洗裝置1中,為明確位置關係,定義互相正交之X方向、Y方向及Z方向。於圖3及圖4以後的特定圖中,適當以箭頭表示X方向、Y方向及Z方向。X方向及Y方向於水平面內互相正交,Z方向相當於鉛直方向。
如圖3所示,基板清洗裝置1具備上側保持裝置10A、10B、下側保持裝置20、台座裝置30、交接裝置40、下表面清洗裝置50、杯裝置60、上表面清洗裝置70、端部清洗裝置80及開閉裝置90。該等構成要件設置於單元殼體2內。圖4中,單元殼體2以虛線顯示。
單元殼體2具有矩形之底面部2a、及自底面部2a之4條邊朝上方延伸之4個側壁部2b、2c、2d、2e。側壁部2b、2c互相對向,側壁部2d、2e互相對向。於側壁部2b之中央部,形成有矩形開口。該開口為基板W之搬入搬出口2x,於對單元殼體2搬入及搬出基板W時使用。圖4中,搬入搬出口2x以粗虛線顯示。以下之說明中,將Y方向中自單元殼體2之內部通過搬入搬出口2x朝向單元殼體2之外側之方向(自側壁部2c朝向側壁部2b之方向)稱為前方,將其相反方向(自側壁部2b朝向側壁部2c之方向)稱為後方。
於側壁部2b之搬入搬出口2x之形成部分及其附近區域,設有開閉裝置90。開閉裝置90包含構成為可將搬入搬出口2x開閉之擋板91、及驅動擋板91之擋板驅動部92。圖4中,擋板91以粗二點鏈線顯示。擋板驅動部92以對基板清洗裝置1搬入及搬出基板W時將搬入搬出口2x打開之方式驅動擋板91。又,擋板驅動部92以於基板清洗裝置1中進行基板 W之清洗處理時將搬入搬出口2x關閉之方式驅動擋板91。
於底面部2a之中央部設置有台座裝置30。台座裝置30包含線性導件31、可動台座32及台座驅動部33。線性導件31包含2條導軌,以俯視時自側壁部2b附近於Y方向延伸至側壁部2c附近之方式設置。可動台座32設置成可於線性導件31之2條導軌上沿Y方向移動。台座驅動部33包含例如脈衝馬達,使可動台座32於線性導件31上沿Y方向移動。
於可動台座32上,以於Y方向排列之方式設置有下側保持裝置20及下表面清洗裝置50。下側保持裝置20包含吸附保持部21及吸附保持驅動部22。吸附保持部21係所謂之旋轉夾盤,具有可吸附保持基板W之下表面之圓形吸附面,且構成為可繞於上下方向延伸之軸(Z方向之軸)旋轉。圖3中,以二點鏈線顯示由下側保持裝置20吸附保持之基板W之外形。以下之說明中,藉由吸附保持部21吸附保持基板W時,將基板W之下表面中應由吸附保持部21之吸附面吸附之區域稱為下表面中央部。另一方面,將基板W之下表面中包圍下表面中央部之區域稱為下表面外側區域。
吸附保持驅動部22包含馬達。吸附保持驅動部22之馬達以旋轉軸朝上方突出之方式,設置於可動台座32上。吸附保持部21安裝於吸附保持驅動部22之旋轉軸之上端部。又,於吸附保持驅動部22之旋轉軸,形成有用以於吸附保持部21中吸附保持基板W之吸引路徑。該吸引路徑連接於未圖示之吸氣裝置。吸附保持驅動部22使吸附保持部21繞上述旋轉軸旋轉。
於可動台座32上,於下側保持裝置20附近進而設置有交接裝置40。交接裝置40包含複數根(本例中為3根)支持銷41、銷連結構件42及銷升降驅動部43。銷連結構件42以俯視時包圍吸附保持部21之方式形 成,連結複數根支持銷41。複數根支持銷41以藉由銷連結構件42互相連結之狀態,自銷連結構件42朝上方延伸一定長度。銷升降驅動部43使銷連結構件42於可動台座32上升降。藉此,複數根支持銷41相對於吸附保持部21相對升降。
下表面清洗裝置50包含下表面刷51、2個液體噴嘴52、氣體噴出部53、升降支持部54、移動支持部55、下表面刷旋轉驅動部55a、下表面刷升降驅動部55b及下表面刷移動驅動部55c。移動支持部55設置成於可動台座32上之一定區域內可相對於下側保持裝置20於Y方向移動。如圖4所示,於移動支持部55上,可升降地設置有升降支持部54。升降支持部54具有於遠離吸附保持部21之方向(本例中為後方)朝斜下方傾斜之上表面54u。
如圖3所示,下表面刷51藉由例如PVA(聚乙烯醇)海綿或分散有研磨粒之PVA海綿形成,具有可與基板W之下表面接觸之圓形清洗面。又,下表面刷51以清洗面朝向上方,且清洗面可繞通過該清洗面之中心於上下方向延伸之軸旋轉之方式,安裝於升降支持部54之上表面54u。下表面刷51之清洗面之面積大於吸附保持部21之吸附面之面積。
2個液體噴嘴52各自位於下表面刷51附近且以液體噴出口朝向上方之方式,安裝於升降支持部54之上表面54u上。於液體噴嘴52,連接有下表面清洗液供給部56(圖5)。下表面清洗液供給部56對液體噴嘴52供給清洗液。液體噴嘴52於由下表面刷51清洗基板W時,將自下表面清洗液供給部56供給之清洗液供給至基板W之下表面。本實施形態中,使用純水(去離子水)作為供給至液體噴嘴52之清洗液。另,作為供給至液體噴嘴52之清洗液,亦可使用碳酸水、臭氧水、氫水、電解離子水、 SC1(氨水與過氧化氫水之混合溶液)或TMAH(四甲基氫氧化銨)等取代純水。
氣體噴出部53係具有於一方向延伸之氣體噴出口之縫隙狀氣體噴射噴嘴。氣體噴出部53以俯視時位於下表面刷51與吸附保持部21之間,且氣體噴射口朝向上方之方式,安裝於升降支持部54之上表面54u。於氣體噴出部53,連接有噴出氣體供給部57(圖5)。噴出氣體供給部57對氣體噴出部53供給氣體。本實施形態中,使用氮氣作為供給至氣體噴出部53之氣體。氣體噴出部53於由下表面刷51清洗基板W時及後述之基板W之下表面之乾燥時,將自噴出氣體供給部57供給之氣體噴射至基板W之下表面。該情形時,於下表面刷51與吸附保持部21之間,形成於X方向延伸之帶狀之氣簾。作為供給至氣體噴出部53之氣體,亦可使用氬氣或氦氣等惰性氣體取代氮氣。
下表面刷旋轉驅動部55a包含馬達,於由下表面刷51清洗基板W時使下表面刷51旋轉。下表面刷升降驅動部55b包含步進馬達或氣缸,使升降支持部54相對於移動支持部55升降。下表面刷移動驅動部55c包含馬達,使移動支持部55於可動台座32上於Y方向移動。此處,可動台座32中下側保持裝置20之位置固定。因此,利用下表面刷移動驅動部55c使移動支持部55於Y方向移動時,移動支持部55相對於下側保持裝置20相對移動。以下之說明中,將可動台座32上最接近下側保持裝置20時之下表面清洗裝置50之位置稱為接近位置,將可動台座32上離下側保持裝置20最遠時之下表面清洗裝置50之位置稱為離開位置。
於底面部2a之中央部,進而設置有杯裝置60。杯裝置60包含處理杯61及杯驅動部62。處理杯61以俯視時包圍下側保持裝置20及台 座裝置30之方式可升降地設置。圖4中,處理杯61以虛線顯示。杯驅動部62根據下表面刷51要清洗基板W之下表面之哪個部分,使處理杯61於下杯位置與上杯位置之間移動。下杯位置為處理杯61之上端部位於較由吸附保持部21吸附保持之基板W下方之高度位置。又,上杯位置為處理杯61之上端部位於較吸附保持部21上方之高度位置。
於較處理杯61上方之高度位置,以俯視時隔著台座裝置30對向之方式,設置有一對上側保持裝置10A、10B。上側保持裝置10A包含下夾盤11A、上夾盤12A、下夾盤驅動部13A及上夾盤驅動部14A。上側保持裝置10B包含下夾盤11B、上夾盤12B、下夾盤驅動部13B及上夾盤驅動部14B。
下夾盤11A、11B相對於俯視時通過吸附保持部21之中心於Y方向(前後方向)延伸之鉛直面對稱配置,且設置成於共通之水平面內可於X方向移動。下夾盤11A、11B各自具有可自基板W之下方支持基板W之下表面周緣部之2根支持片。下夾盤驅動部13A、13B使下夾盤11A、11B以下夾盤11A、11B互相靠近之方式,或以下夾盤11A、11B互相遠離之方式移動。
上夾盤12A、12B與下夾盤11A、11B同樣,相對於俯視時通過吸附保持部21之中心於Y方向(前後方向)延伸之鉛直面對稱配置,且設置成可於共通之水平面內於X方向移動。上夾盤12A、12B各自具有構成為與基板W之外周端部之2個部分抵接,而可保持基板W之外周端部之2根保持片。上夾盤驅動部14A、14B使上夾盤12A、12B以上夾盤12A、12B互相靠近之方式,或以上夾盤12A、12B互相遠離之方式移動。
如圖3所示,於處理杯61之一側,以俯視時位於上側保持 裝置10B附近之方式,設置有上表面清洗裝置70。上表面清洗裝置70包含旋轉支持軸71、臂72、噴霧噴嘴73及上表面清洗驅動部74。
旋轉支持軸71以於上下方向延伸之方式,且可升降、可旋轉地由上表面清洗驅動部74支持於底面部2a上。臂72如圖4所示,於較上側保持裝置10B上方之位置,以自旋轉支持軸71之上端部於水平方向延伸之方式設置。於臂72之前端部,安裝有噴霧噴嘴73。
於噴霧噴嘴73,連接上表面清洗流體供給部75(圖5)。上表面清洗流體供給部75對噴霧噴嘴73供給清洗液及氣體。本實施形態中,使用純水作為供給至噴霧噴嘴73之清洗液,使用氮氣作為供給至噴霧噴嘴73之氣體。噴霧噴嘴73於清洗基板W之上表面時,將自上表面清洗流體供給部75供給之清洗液與氣體混合,產生混合流體,將產生之混合流體朝下方噴射。
另,作為供給至噴霧噴嘴73之清洗液,亦可使用碳酸水、臭氧水、氫水、電解離子水、SC1(氨水與過氧化氫水之混合溶液)或TMAH(四甲基氫氧化銨)等取代純水。又,作為供給至噴霧噴嘴73之氣體,亦可使用氬氣或氦氣等惰性氣體取代氮氣。
上表面清洗驅動部74包含1個或複數個脈衝馬達及氣缸等,使旋轉支持軸71升降,且使旋轉支持軸71旋轉。根據上述構成,藉由於由吸附保持部21吸附保持並旋轉之基板W之上表面上,使噴霧噴嘴73圓弧狀移動,可清洗基板W之上表面整體。
如圖3所示,於處理杯61之另一側,以俯視時位於上側保持裝置10A附近之方式,設置有端部清洗裝置80。端部清洗裝置80包含旋轉支持軸81、臂82、斜面刷83及斜面刷驅動部84。
旋轉支持軸81以於上下方向延伸之方式,且可升降、可旋轉地由斜面刷驅動部84支持於底面部2a上。臂82如圖4所示,於較上側保持裝置10A上方之位置,以自旋轉支持軸81之上端部於水平方向延伸之方式設置。於臂82之前端部,以朝下方突出且可繞上下方向之軸旋轉之方式,設置有斜面刷83。
斜面刷83由例如PVA海綿或分散有研磨粒之PVA海綿形成,上半部具有倒圓錐梯形形狀,且下半部具有圓錐梯形形狀。根據該斜面刷83,可於外周面之上下方向之中央部分清洗基板W之外周端部。
斜面刷驅動部84包含1個或複數個脈衝馬達及氣缸等,使旋轉支持軸81升降,且使旋轉支持軸81旋轉。根據上述構成,使斜面刷83之外周面之中央部分與由吸附保持部21吸附保持並旋轉之基板W之外周端部接觸,藉此可清洗基板W之外周端部整體。
此處,斜面刷驅動部84進而包含內置於臂82內之馬達。該馬達使設置於臂82之前端部之斜面刷83繞上下方向之軸旋轉。因此,清洗基板W之外周端部時,藉由使斜面刷83旋轉,基板W之外周端部中斜面刷83之清洗力提高。
[3]基板處理裝置100之控制系統
圖5係顯示本發明之一實施形態之基板處理裝置100之控制系統之構成之方塊圖。如上所述,圖1之控制部111包含CPU、RAM、ROM及記憶裝置。RAM作為CPU之作業區域使用。ROM記憶系統程式。記憶裝置記憶控制程式。藉由使CPU於RAM上執行記憶於記憶裝置之基板處理程式,而控制基板處理裝置100之各部之動作。
如圖5所示,控制部111控制基板處理裝置100所包含之複 數個基板清洗裝置1。此時,控制部111主要為了接收搬入至基板清洗裝置1之基板W,並於吸附保持部21之上方位置加以保持,而針各基板清洗裝置1,控制下夾盤驅動部13A、13B及上夾盤驅動部14A、14B。又,控制部111主要為了由吸附保持部21吸附保持基板W,且使吸附保持之基板W旋轉,而控制吸附保持驅動部22。
又,控制部111主要為了使可動台座32相對於由上側保持裝置10A、10B保持之基板W移動,而控制台座驅動部33。又,控制部111為了使基板W於由上側保持裝置10A、10B保持之基板W之高度位置、與由吸附保持部21保持之基板W之高度位置之間移動,而控制銷升降驅動部43。
又,控制部111為了清洗基板W之下表面,而控制下表面刷旋轉驅動部55a、下表面刷升降驅動部55b、下表面刷移動驅動部55c、下表面清洗液供給部56及噴出氣體供給部57。又,控制部111為了由處理杯61接住清洗由吸附保持部21吸附保持之基板W時自基板W飛散之清洗液,而控制杯驅動部62。
又,控制部111為了清洗由吸附保持部21吸附保持之基板W之上表面,而控制上表面清洗驅動部74及上表面清洗流體供給部75。又,控制部111為了清洗由吸附保持部21吸附保持之基板W之外周端部,而控制斜面刷驅動部84。再者,控制部111為了於基板清洗裝置1中搬入及搬出基板W時開閉單元殼體2之搬入搬出口2x,而控制擋板驅動部92。
又,控制部111為了於複數個載體C與複數個基板載置部PASS1、PASS2之間搬送基板W、及為了於複數個基板載置部PASS1、PASS2與複數個基板清洗裝置1之間搬送基板W,而控制搬送驅動部220、 320。
另,圖5之例中,控制部111除傳載機械手200及主機械手300之動作外,還控制複數個基板清洗裝置1之動作,但本發明不限定於此。複數個基板清洗裝置1之各自之動作亦可藉由於每個基板清洗裝置1設置控制部,由設置於各基板清洗裝置1之控制部進行。
[4]基板清洗裝置1之動作
圖6~圖17係用以說明圖3之基板清洗裝置1之動作之一例之模式圖。圖6~圖17之各者中,上段顯示基板清洗裝置1之俯視圖。又,中段顯示沿Y方向觀察之下側保持裝置20及其周邊部之側視圖,下段顯示沿X方向觀察之下側保持裝置20及其周邊部之側視圖。中段之側視圖與圖3之A-A線側視圖對應,下段之側視圖與圖3之B-B線側視圖對應。另,為了容易理解基板清洗裝置1之各構成要件之形狀及動作狀態,上段之俯視圖與中段及下段之側視圖之間,一部分構成要件之縮放比率不同。又,圖6~圖17中,處理杯61以二點鏈線顯示,且基板W之外形以粗一點鏈線顯示。
於對基板清洗裝置1搬入基板W前之初始狀態下,開閉裝置90之擋板91將搬入搬出口2x關閉。又,如圖3所示,下夾盤11A、11B維持下夾盤11A、11B之間之距離充分大於基板W之直徑之狀態。又,上夾盤12A、12B亦維持上夾盤12A、12B之間之距離充分大於基板W之直徑之狀態。又,台座裝置30之可動台座32以俯視時吸附保持部21之中心位於處理杯61之中心之方式配置。又,於可動台座32上,下表面清洗裝置50配置於接近位置。又,下表面清洗裝置50之升降支持部54處於下表面刷51之清洗面(上端部)位於較吸附保持部21下方之位置之狀態。又,交接裝置40處於複數個支持銷41位於較吸附保持部21下方之狀態。再者,杯 裝置60中,處理杯61位於下杯位置。以下之說明中,將俯視時處理杯61之中心位置稱為平面基準位置rp。又,將俯視時吸附保持部21之中心位於平面基準位置rp時之底面部2a上之可動台座32之位置稱為第1水平位置。
對基板清洗裝置1之單元殼體2內搬入基板W。具體而言,於即將搬入基板W前,擋板91將搬入搬出口2x打開。其後,如圖6中以粗實線箭頭a1所示,圖1之主機械手300之手Ma通過搬入搬出口2x,將基板W搬入至單元殼體2內之大致中央位置。此時,由手Ma保持之基板W如圖6所示,位於下夾盤11A及上夾盤12A與下夾盤11B及上夾盤12B之間。
接著,如圖7中以粗實線箭頭a2所示,以下夾盤11A、11B之複數個支持片位於基板W之下表面周緣部之下方之方式,使下夾盤11A、11B互相靠近。於該狀態下,使手Ma下降,自搬入搬出口2x退出。藉此,保持於手Ma之基板W之下表面周緣部之複數個部分由下夾盤11A、11B之複數個支持片支持。手Ma退出後,擋板91將搬入搬出口2x關閉。
接著,如圖8中以粗實線箭頭a3所示,以上夾盤12A、12B之複數個保持片與基板W之外周端部抵接之方式,使上夾盤12A、12B互相靠近。藉由使上夾盤12A、12B之複數個保持片與基板W之外周端部之複數個部分抵接,由下夾盤11A、11B支持之基板W進而由上夾盤12A、12B保持。如此,由上側保持裝置10A、10B保持之基板W之中心於俯視時與平面基準位置rp重合或大致重合。此時,如圖8之中段之側視圖所示,由上夾盤12A、12B保持之基板W之高度位置相當於本發明之第1及第3高度位置。又,如圖8中以粗實線箭頭a4所示,以吸附保持部21與平面基準位置rp離開特定距離,且下表面刷51之中心位於平面基準位置rp之方式,使可動台座32自第1水平位置朝前方移動。此時,將位於底面部2a上 之可動台座32之位置稱為第2水平位置。
接著,如圖9中以粗實線箭頭a5所示,以下表面刷51之清洗面與基板W之下表面中央部接觸之方式,使升降支持部54上升。又,如圖9中以粗實線箭頭a6所示,使下表面刷51繞上下方向之軸旋轉(自轉)。藉此,附著於基板W之下表面中央部之污染物質藉由下表面刷51被物理性剝離。
圖9之下段,於對白框內顯示下表面刷51與基板W之下表面接觸部分之放大側視圖。如該對白框內所示,於下表面刷51與基板W接觸之狀態下,液體噴嘴52及氣體噴出部53保持於接近基板W之下表面之位置。此時,液體噴嘴52如白色箭頭a51所示,於下表面刷51附近之位置朝基板W之下表面噴出清洗液。藉此,藉由將自液體噴嘴52供給至基板W之下表面之清洗液引導至下表面刷51與基板W之接觸部,由清洗液沖洗由下表面刷51自基板W之背面去除之污染物質。如此,下表面清洗裝置50中,液體噴嘴52與下表面刷51一起安裝於升降支持部54。藉此,可由下表面刷51對基板W之下表面之清洗部分效率良好地供給清洗液。因此,減少清洗液之消耗量,且抑制清洗液之過度飛散。
另,清洗基板W之下表面時之下表面刷51之旋轉速度維持為自液體噴嘴52供給至基板W之下表面之清洗液不會飛散至下表面刷51之側方之程度之速度。
此處,升降支持部54之上表面54u於遠離吸附保持部21之方向上朝斜下方傾斜。該情形時,含有污染物質之清洗液自基板W之下表面落下至升降支持部54上之情形時,將由上表面54u接住之清洗液朝遠離吸附保持部21之方向引導。
又,由下表面刷51清洗基板W之下表面時,氣體噴出部53如圖9之對白框內之白色箭頭a52所示,於下表面刷51與吸附保持部21之間之位置,朝基板W之下表面噴射氣體。本實施形態中,氣體噴出部53以氣體噴射口於X方向延伸之方式,安裝於升降支持部54上。該情形時,自氣體噴出部53對基板W之下表面噴射氣體時,於下表面刷51與吸附保持部21之間,形成於X方向延伸之帶狀氣簾。藉此,防止由下表面刷51清洗基板W之下表面時,含有污染物質之清洗液向吸附保持部21飛散。因此,防止由下表面刷51清洗基板W之下表面時,含有污染物質之清洗液附著於吸附保持部21,而將吸附保持部21之吸附面保持清潔。
另,圖9之例中,氣體噴出部53如白色箭頭a52所示,自氣體噴出部53朝下表面刷51朝斜上方噴射氣體,但本發明不限定於此。氣體噴出部53亦可以自氣體噴出部53朝基板W之下表面沿Z方向之方式噴射氣體。
接著,於圖9之狀態下,當基板W之下表面中央部之清洗完成時,停止下表面刷51之旋轉,以下表面刷51之清洗面與基板W離開特定距離之方式,使升降支持部54下降。又,停止自液體噴嘴52朝基板W噴出清洗液。此時,繼續自氣體噴出部53朝基板W噴射氣體。
其後,如圖10中以粗實線箭頭a7所示,以吸附保持部21位於平面基準位置rp之方式,使可動台座32朝後方移動。即,可動台座32自第2水平位置移動至第1水平位置。此時,藉由繼續自氣體噴出部53朝基板W噴射氣體,由氣簾將基板W之下表面中央部依序乾燥。
接著,如圖11中以粗實線箭頭a8所示,以下表面刷51之清洗面位於較吸附保持部21之吸附面(上端部)下方之方式,使升降支持部54 下降。又,如圖11中以粗實線箭頭a9所示,以上夾盤12A、12B之複數個保持片自基板W之外周端部離開之方式,使上夾盤12A、12B互相遠離。此時,基板W成為由下夾盤11A、11B支持之狀態。
其後,如圖11中粗實線箭頭a10所示,以複數根支持銷41之上端部位於較下夾盤11A、11B略上方之方式,使銷連結構件42上升。藉此,由下夾盤11A、11B支持之基板W由複數個支持銷41接收。
接著,如圖12中以粗實線箭頭a11所示,使下夾盤11A、11B互相遠離。此時,下夾盤11A、11B移動至俯視時不與由複數個支持銷41支持之基板W重合之位置。藉此,上側保持裝置10A、10B皆返回至初始狀態。
接著,如圖13中以粗實線箭頭a12所示,以複數根支持銷41之上端部位於較吸附保持部21下方之方式,使銷連結構件42下降。藉此,支持於複數個支持銷41上之基板W由吸附保持部21接收。於該狀態下,吸附保持部21吸附保持基板W之下表面中央部。如此,由下側保持裝置20吸附保持之基板W之中心於俯視時與平面基準位置rp重合或大致重合。此時,如圖13之中段及下段之側視圖所示,由吸附保持部21吸附保持之基板W之高度位置相當於本發明之第2及第4高度位置。與銷連結構件42之下降之同時或於銷連結構件42之下降完成後,如圖13中粗實線箭頭a13所示,使處理杯61自下杯位置上升至上杯位置。藉此,位於第2高度位置之基板W位於較處理杯61之上端部下方。
接著,如圖14中以粗實線箭頭a14所示,吸附保持部21繞上下方向之軸(吸附保持驅動部22之旋轉軸之軸心)旋轉。藉此,吸附保持於吸附保持部21之基板W以水平姿勢旋轉。
接著,使上表面清洗裝置70之旋轉支持軸71旋轉並下降。藉此,如圖14中以粗實線箭頭a15所示,使噴霧噴嘴73移動至基板W上方之位置,並以噴霧噴嘴73與基板W間之距離成為預先確定之距離之方式下降。於該狀態下,噴霧噴嘴73對基板W之上表面噴射清洗液與氣體之混合流體。又,使旋轉支持軸71旋轉。藉此,如圖14中以粗實線箭頭a16所示,噴霧噴嘴73於旋轉之基板W上方之位置移動。藉由對基板W之上表面整體噴射混合流體,而清洗基板W之上表面整體。
又,由噴霧噴嘴73清洗基板W之上表面時,端部清洗裝置80之旋轉支持部81亦旋轉、下降。藉此,如圖14中以粗實線箭頭a17所示,使斜面刷83移動至基板W之外周端部上方之位置。又,使斜面刷83之外周面之中央部分以與基板W之外周端部接觸之方式下降。於該狀態下,使斜面刷83繞上下方向之軸旋轉(自轉)。藉此,附著於基板W之外周端部之污染物質藉由斜面刷83而被物理性剝離。自基板W之外周端部剝離之污染物質由自噴霧噴嘴73噴射至基板W之混合流體之清洗液沖洗。
再者,由噴霧噴嘴73清洗基板W之上表面時,以下表面刷51之清洗面與基板W之下表面外側區域接觸之方式,使升降支持部54上升。又,如圖14中以粗實線箭頭a18所示,下表面刷51繞上下方向之軸旋轉(自轉)。再者,液體噴嘴52朝基板W之下表面噴出清洗液,氣體噴出部53朝基板W之下表面噴射氣體。於該狀態下,如圖14中粗實線箭頭a19所示,進而使移動支持部55於可動台座32上,於接近位置與離開位置之間進退動作。如此,藉由移動支持部55,以下表面刷51與基板W之下表面接觸之狀態於水平方向移動,藉此擴大基板W之下表面中可由下表面刷51清洗之範圍。藉此,由下表面刷51遍及整體清洗由吸附保持部21吸附保持 並旋轉之基板W之下表面外側區域。
接著,當基板W之上表面、外周端部及下表面外側區域之清洗完成時,停止自噴霧噴嘴73向基板W噴射混合流體。又,如圖15中以粗實線箭頭a20所示,噴霧噴嘴73移動至處理杯61之一側之位置(初始狀態之位置)。又,如圖15中以粗實線箭頭a21所示,斜面刷83移動至處理杯61之另一側之位置(初始狀態之位置)。再者,停止下表面刷51之旋轉,以下表面刷51之清洗面與基板W離開特定距離之方式,使升降支持部54下降。又,停止自液體噴嘴52向基板W噴出清洗液、及自氣體噴出部53向基板W噴射氣體。於該狀態下,吸附保持部21高速旋轉,藉此甩掉附著於基板W之清洗液,將基板W整體乾燥。
接著,如圖16中以粗實線箭頭a22所示,處理杯61自上杯位置下降至下杯位置。藉此,位於第2高度位置之基板W位於較處理杯61之上端部上方。又,以備將新的基板W搬入至單元殼體2內,如圖16中以粗實線箭頭a23所示,使下夾盤11A、11B互相靠近至可支持新的基板W之位置。
最後,將基板W自基板清洗裝置1之單元殼體2內搬出。具體而言,於即將搬出基板W之前,擋板91將搬入搬出口2x打開。其後,如圖17中以粗實線箭頭a24所示,圖1之主機械手300之手Mb通過搬入搬出口2x進入單元殼體2內。接著,手Mb接收吸附保持部21上之基板W,自搬入搬出口2x退出。手Mb退出後,擋板91將搬入搬出口2x關閉。
[5]主機械手300對基板清洗裝置1之動作之一例
圖18係用以說明圖1之主機械手300對基板清洗裝置1之動作之一例之圖。圖18中,藉由複數個側視圖,以時間順序顯示對基板清洗裝置1搬入 及搬出基板W1、W2時之主機械手300之動作。於各側視圖中,模式性顯示基板清洗裝置1之上側保持裝置10A、10B及下側保持裝置20、與主機械手300之手Ma、Mb。在本例中,進行對一個基板清洗裝置1搬入及搬出基板W之一組手對乃由手Ma、Mb構成。又,手Ma、Mb之手間距離D1,和由上側保持裝置10A、10B保持之基板W之高度位置與由下側保持裝置20吸附保持之基板W之高度位置之間之距離(以下,稱為支架間距離)DH大致相等。
在以下之說明中,為容易區分已處理基板W與未處理基板W,將未處理基板W適當稱為基板W1,將已處理(本例中為清洗處理)基板W適當稱為基板W2。
如圖18之最上段之側視圖所示,在初始狀態下,於下側保持裝置20保持著已處理基板W2。又,於主機械手MR之手Ma保持著未處理基板W1。再者,於初始狀態下,手Mb配置為於較下側保持裝置20之上端部略為下方之位置,與下側保持裝置20對向。又,手Ma配置為於較上側保持裝置10A、10B之上端部略下方之位置,與上側保持裝置10A、10B對向。
首先,搬出保持於下側保持裝置20之基板W2。該情形時,如圖18之第2段所示,手Mb前進至由下側保持裝置20保持之基板W2下方之位置。
接著,如圖18之第3段所示,手Mb上升,接收保持於下側保持裝置20之基板W2。又,接收到基板W2之手Mb自基板清洗裝置1後退,如圖18之第4段所示,將基板W2自基板清洗裝置1搬出。再者,手Ma上升至較上側保持裝置10A、10B略上方之位置。
接著,如圖18之第5段所示,以基板W1位於上側保持裝置10A、10B之上方之方式,手Ma前進。又,手Ma下降,如圖18之第6段所示,將保持於手Ma之基板W1移交給上側保持裝置10A、10B。其後,基板W1由上側保持裝置10A、10B保持,手Ma自基板清洗裝置1後退,如圖18之第7段所示,自基板清洗裝置1退出。如此,進行對基板清洗裝置1更換未處理之基板W1與已清洗處理之基板W2。
上述更換時,手Mb自下側保持裝置20接收基板W2時,手Mb位於與下側保持裝置20之吸附保持部21(圖4)大致相同之位置。此時,手Ma之高度位置較手Mb更靠近上側保持裝置10A、10B之高度位置。又,主機械手300之手Ma將基板W1移交給基板清洗裝置1之上側保持裝置10A、10B時,手Ma位於與上側保持裝置10A、10B大致相同之高度。此時,手Mb之高度位置較手Ma更靠近下側保持裝置20之吸附保持部21(圖4)之高度位置。
因此,於手Mb自下側保持裝置20接收基板W2之接收動作(圖18之第2段及第3段動作),與手Ma將基板W1移交給上側保持裝置10A、10B之移交動作(圖18之第5段及第6段動作)之間,應使手Ma、Mb於上下方向移動之距離減少。即,與在基板清洗裝置1與主機械手300之間,僅於一個高度位置進行基板W1、W2交接之情形相比,應使手Ma、Mb於上下方向移動之距離減少。其結果,可提高基板清洗裝置1之產能。
根據上述理由,主機械手300中,二組手對以手間距離彼此相等之方式,且以該等手間距離接近基板清洗裝置1之支架間距離DH之方式確定。另,較佳為手間距離D1與支架間距離DH彼此相等或大致相等。該情形時,可充分減小於各手對之一手之接收動作與另一手之移交動 作之間,應使該手對於上下方向移動之距離。因此,基板清洗裝置1之產能進而提高。
[6]使用4個手Ma~Md之處理區塊120中主機械手300之動作模式
以下之說明中,適當將設置於圖1之處理區塊120之複數個基板清洗裝置1中之一個基板清洗裝置1稱為基板清洗裝置1A,適當將複數個基板清洗裝置1中之另一基板清洗裝置1稱為基板清洗裝置1B。
處理區塊120中,主機械手300基本上依基板載置部PASS2、一個基板清洗裝置1A、另一個基板清洗裝置1B及基板載置部PASS1之順序存取,藉此可搬送2塊基板W。
圖19係顯示處理區塊120中主機械手300之具體動作模式之一例之圖。圖19中,主機械手300分別存取基板載置部PASS2、一個基板清洗裝置1A、另一個基板清洗裝置1B及基板載置部PASS1時,由各手Ma~Md進行之動作依白色箭頭之時間順序表示。於初始狀態下,於複數個基板載置部PASS2分別載置未處理之複數個基板W1,複數個基板載置部PASS1為空的狀態。又,於處理區塊120內之複數個基板清洗裝置1內,由下側保持裝置20保持已處理之基板W2。
此處,圖19之動作模式中,主機械手300之4個手Ma~Md中,最上部之手Ma與自上起第3段之手Mc構成一組手對。又,自上起第2段之手Mb與最下部之手Md構成另一組手對。因此,本例中,手Ma作為本發明之第1搬送保持部發揮功能,手Mc作為本發明之第2搬送保持部發揮功能。又,手Mb作為本發明之第3搬送保持部發揮功能,手Md作為本發明之第4搬送保持部發揮功能。
如圖19所示,主機械手300首先藉由使手支持構件310(圖1)旋轉及升降,使手Ma、Mb與2個基板載置部PASS2對向。於該狀態下,主機械手300藉由使手Ma、Mb進退,自2個基板載置部PASS2接收未處理之2塊基板W1。
接著,主機械手300藉由使手支持構件310(圖1)旋轉及升降,使手Ma、Mc與基板清洗裝置1A對向。於該狀態下,主機械手300藉由進行手Ma之移交動作,將未處理之基板W1移交給基板清洗裝置1A之上側保持裝置10A、10B(參照圖18之第5段及第6段側視圖)。又,主機械手300藉由進行手Mc之接收動作,自基板清洗裝置1A之下側保持裝置20接收已處理之基板W2(參照圖18之第2段及第3段側視圖)。另,手Ma之移交動作及手Mc之接收動作可依序進行,可依其相反順序進行,亦可同時並行進行。
接著,主機械手300藉由使手支持構件310(圖1)旋轉及升降,使手Mb、Md與基板清洗裝置1B對向。於該狀態下,主機械手300藉由進行手Mb之移交動作,將未處理之基板W1移交給基板清洗裝置1B之上側保持裝置10A、10B(參照圖18之第5段及第6段側視圖)。又,主機械手300藉由進行手Md之接收動作,自基板清洗裝置1B之下側保持裝置20接收已處理之基板W2(參照圖18之第2段及第3段側視圖)。另,手Mb之移交動作及手Md之接收動作可依序進行,可依其相反順序進行,亦可同時並行進行。
接著,主機械手300藉由使手支持構件310(圖1)旋轉及升降,使手Mc、Md與2個基板載置部PASS1對向。於該狀態下,主機械手300藉由使手Mc、Md進退,將已處理之2塊基板W2移交給2個基板載置部 PASS1。
圖20係顯示處理區塊120中主機械手300之具體動作模式之另一例之圖。圖20中,與圖19之例同樣,主機械手300分別存取基板載置部PASS2、一個基板清洗裝置1A、另一個基板清洗裝置1B及基板載置部PASS1時,由各手Ma~Md進行之動作依白色箭頭之時間順序顯示。於初始狀態下,於複數個基板載置部PASS2分別載置未處理之複數個基板W1,複數個基板載置部PASS1為空的狀態。又,於處理區塊120內之複數個基板清洗裝置1內,由下側保持裝置20保持已處理之基板W2。
此處,圖20之動作模式中,主機械手300之4個手Ma~Md中,上側之2個手Ma、Mb構成一組手對。又,下側之2個手Mc、Md構成另一組手對。因此,本例中,手Ma作為本發明之第1搬送保持部發揮功能,手Mb作為本發明之第2搬送保持部發揮功能。又,手Mc作為本發明之第3搬送保持部發揮功能,手Md作為本發明之第4搬送保持部發揮功能。
如圖20所示,主機械手300首先藉由使手支持構件310(圖1)旋轉及升降,而使手Ma、Mc與2個基板載置部PASS2對向。於該狀態下,主機械手300藉由使手Ma、Mc進退,而自2個基板載置部PASS2接收未處理之2塊基板W1。
接著,主機械手300藉由使手支持構件310(圖1)旋轉及升降,而使手Ma、Mb與基板清洗裝置1A對向。於該狀態下,主機械手300藉由進行手Ma之移交動作,將未處理之基板W1移交給基板清洗裝置1A之上側保持裝置10A、10B(參照圖18之第5段及第6段側視圖)。又,主機械手300藉由進行手Mb之接收動作,自基板清洗裝置1A之下側保持裝置 20接收已處理之基板W2(參照圖18之第2段及第3段側視圖)。另,手Ma之移交動作及手Mb之接收動作可依序進行,可依其相反順序進行,亦可同時並行進行。
接著,主機械手300藉由使手支持構件310(圖1)旋轉及升降,而使手Mc、Md與基板清洗裝置1B對向。於該狀態下,主機械手300藉由進行手Mc之移交動作,將未處理之基板W1移交給基板清洗裝置1B之上側保持裝置10A、10B(參照圖18之第5段及第6段側視圖)。又,主機械手300藉由進行手Md之接收動作,自基板清洗裝置1B之下側保持裝置20接收已處理之基板W2(參照圖18之第2段及第3段側視圖)。另,手Mc之移交動作及手Md之接收動作可依序進行,可依其相反順序進行,亦可同時並行進行。
接著,主機械手300藉由使手支持構件310(圖1)旋轉及升降,而使手Mb、Md與2個基板載置部PASS1對向。於該狀態下,主機械手300藉由使手Mb、Md進退,而將已處理之2塊基板W2移交給2個基板載置部PASS1。
[7]基板處理裝置100之效果
基板清洗裝置1中,上側保持裝置10A、10B位於較下側保持裝置20上方。又,就主機械手300確定之各組手對中之一手位於較另一手上方。
此種構成中,對基板清洗裝置1更換未處理之基板W1與已清洗處理之基板W2時,藉由各組手對中之一手進行對上側保持裝置10A、10B移交未處理基板W1之移交動作,藉由另一手進行對下側保持裝置20接收已處理之基板W2之接收動作。藉此,減少於一手之移交動作與另一手之接收動作之間應移動(應升降)之該手對之距離。又,基板處理裝 置100具有複數個基板清洗裝置1。藉此,可不使基板W反轉,於一個基板清洗裝置1內清洗基板W之上表面及下表面。作為其等之結果,處理區塊120中基板W之搬送效率及清洗效率提高,藉此可提高基板處理裝置100之產能。
再者,基板清洗裝置1中,位於互不相同之位置之上側保持裝置10A、10B及下側保持裝置20構成為可對主機械手300之複數個手Ma~Md交接基板W。因此,無須為了搬入及搬出基板W,而於基板清洗裝置1內搬送基板W。因此,搬送基板W所需之時間縮短。又,該情形時,由於無須於基板清洗裝置1內搬送基板W之構成(所謂區域搬送機構),故抑制基板清洗裝置1之構成之複雜化。
[8]其他實施形態
(1)上述實施形態之基板清洗裝置1中,將基板W之下表面依下表面中央部及下表面外側區域之順序清洗,但本發明不限定於此。基板清洗裝置1中,亦可將基板W之下表面依下表面外側區域及下表面中央部之順序清洗。
例如,搬入至基板清洗裝置1之基板W亦可首先由下側保持裝置20吸附保持,於由下側保持裝置20吸附保持之狀態下,清洗下表面外側區域、外周端部及上表面。其後,亦可於由下側保持裝置20保持之基板W移交給上側保持裝置10A、10B並保持之狀態下,清洗基板W之下表面中央部。清洗後之基板W亦可自上側保持裝置10A、10B搬出至單元殼體2之外部。
如此,基板清洗裝置1中,搬入之基板W由下側保持裝置20保持,且搬出由上側保持裝置10A、10B保持之基板W之情形時,主機 械手300亦可依照以下之動作模式進行基板W之搬送。
圖21係顯示其他實施形態之主機械手300之動作模式之一例之圖。圖21之例中,於初始狀態下,於複數個基板載置部PASS2分別載置未處理之複數個基板W1,複數個基板載置部PASS1為空的狀態。又,於處理區塊120內之複數個基板清洗裝置1內,由上側保持裝置10A、10B保持已處理之基板W2。
此處,圖21之動作模式中,主機械手300之4個手Ma~Md中,最上部之手Ma與自上起第3段之手Mc之構成一組手對。又,自上起第2段之手Mb與最下部之手Md構成另一組手對。因此,本例中,手Ma作為本發明之第1搬送保持部發揮功能,手Mc作為本發明之第2搬送保持部發揮功能。又,手Mb作為本發明之第3搬送保持部發揮功能,手Md作為本發明之第4搬送保持部發揮功能。
如圖21所示,主機械手300藉由手Mc、Md,自2個基板載置部PASS2接收未處理之2塊基板W1。接著,主機械手300使手Ma、Mc與基板清洗裝置1A對向。於該狀態下,主機械手300藉由進行手Ma之接收動作,自上側保持裝置10A、10B接收已處理之基板W2。又,主機械手300藉由進行手Mc之移交動作,將未處理之基板W1移交給基板清洗裝置1A之下側保持裝置20。
接著,主機械手300使手Mb、Md與基板清洗裝置1B對向。於該狀態下,主機械手300藉由進行手Mb之接收動作,自基板清洗裝置1B之上側保持裝置10A、10B接收已處理之基板W2。又,主機械手300藉由進行手Md之移交動作,將未處理之基板W1移交給基板清洗裝置1B之下側保持裝置20。接著,主機械手300藉由手Ma、Mb,將未處理之2塊 基板W2移交給2個基板載置部PASS1。
或者,主機械手300亦可依照以下之動作模式進行基板W之搬送。圖22係顯示另一實施形態之主機械手300之動作模式之另一例之圖。圖22之例中,於初始狀態下,於複數個基板載置部PASS2分別載置未處理之複數個基板W1,複數個基板載置部PASS1為空的狀態。又,於處理區塊120內之複數個基板清洗裝置1內,由上側保持裝置10A、10B保持已處理之基板W2。
此處,圖22之動作模式中,主機械手300之4個手Ma~Md中,上側之2個手Ma、Mb構成一組手對。又,下側之2個手Mc、Md構成另一組手對。因此,本例中,手Ma作為本發明之第1搬送保持部發揮功能,手Mb作為本發明之第2搬送保持部發揮功能。又,手Mc作為本發明之第3搬送保持部發揮功能,手Md作為本發明之第4搬送保持部發揮功能。
如圖22所示,主機械手300藉由手Mb、Md,自2個基板載置部PASS2接收未處理之2塊基板W1。接著,主機械手300使手Ma、Mb與基板清洗裝置1A對向。於該狀態下,主機械手300藉由進行手Ma之接收動作,自上側保持裝置10A、10B接收已處理之基板W2。又,主機械手300藉由進行手Mb之移交動作,將未處理之基板W1移交給基板清洗裝置1A之下側保持裝置20。
接著,主機械手300使手Mc、Md與基板清洗裝置1B對向。於該狀態下,主機械手300藉由進行手Mc之接收動作,自基板清洗裝置1B之上側保持裝置10A、10B接收已處理之基板W2。又,主機械手300藉由進行手Md之移交動作,將未處理之基板W1移交給基板清洗裝置1B 之下側保持裝置20。接著,主機械手300藉由手Ma、Mc,將未處理之2塊基板W2移交給2個基板載置部PASS1。
(2)上述實施形態之基板處理裝置100中,於處理區塊120設置複數個基板清洗裝置1,作為對基板W進行特定處理之第1及第2基板處理部,但本發明不限定於此。
亦可於基板處理裝置100,設置進行清洗處理以外之處理之處理部,作為對基板W進行特定處理之第1及第2基板處理部。作為此種處理部,列舉可對基板W實施加熱處理及冷卻處理之熱處理裝置。
該熱處理裝置中,例如於殼體內之底面部配置可將基板W加熱之加熱板,於殼體內之頂部配置將基板W冷卻之冷卻板。又,設置使基板W於加熱板與冷卻板間移動之基板升降裝置。再者,基板升降裝置構成為可於殼體之下部(加熱板之附近位置)接收應搬入之基板W,構成為可於殼體之上部(冷卻板之附近位置)將應搬出之基板W移交給主機械手300。
(3)上述實施形態之傳載機械手200具有4個手Ia、Ib、Ic、Id,但傳載機械手200亦可具有2個、3個、5個或6個等複數個手。
又,與傳載機械手200同樣,上述實施形態之主機械手300具有4個手Ma、Mb、Mc、Md,但主機械手300可僅具有2個手Ma、Mb,亦可僅具有3個手Ma、Mb、Mc。或者,主機械手300亦可具有5個以上之手。
另,圖1之構成中,主機械手300具有3個手Ma~Mc之情形時,將基板W保持於3個手Ma、Mb、Mc中之2個手之情形時,其餘手亦為空的狀態。因此,使用僅具備3個手Ma~Mc之主機械手300之情形 時,可以與圖19~圖22之例基本相同之動作模式進行基板W之搬送。
[9]技術方案之各構成要件與實施形態之各要件之對應關係
以下,針對技術方案之各構成要件與實施形態之各要件之對應例進行說明。上述實施形態中,基板W1為第1及第3基板之例,上側保持裝置10A、10B為第1及第3基板保持部之例,基板W2為第2及第4基板之例,下側保持裝置20為第2及第4基板保持部之例,基板清洗裝置1為第1及第2基板保持部之例,手Ma為第1搬送保持部之例,手Mb或手Mc與手Md為第2搬送保持部之例,控制部111為搬送控制部之例,基板處理裝置100為基板處理裝置之例。
又,基板載置部PASS2為第1基板支持部之例,手Mb或手Mc為第3搬送保持部之例,手Md為第4搬送保持部之例,下表面清洗裝置50為清洗部之例。
作為技術方案之各構成要件,亦可使用具有技術方案所記載之構成或功能之其他各種要件。
10A:上側保持裝置
10B:上側保持裝置
20:下側保持裝置
D1:手間距離
DH:支架間距離
Ma:手
Mb:手
W1:基板
W2:基板

Claims (14)

  1. 一種基板處理裝置,其具備:第1基板處理部,其包含:構成為可於第1高度位置保持第1基板的第1基板保持部、及構成為可於低於上述第1高度位置之第2高度位置保持第2基板的第2基板保持部;基板搬送部,其包含:構成為可保持上述第1基板的第1搬送保持部、及構成為可於較上述第1搬送保持部更下方處保持上述第2基板的第2搬送保持部;及搬送控制部,其進行以如下方式控制上述基板搬送部之第1控制:藉由上述第1搬送保持部對上述第1基板保持部移交或接收上述第1基板,且藉由上述第2搬送保持部對上述第2基板保持部接收或移交上述第2基板;上述第1基板處理部對由上述第1基板保持部保持之上述第1基板進行預先確定之第1處理,對由上述第2基板保持部保持之上述第2基板進行與上述第1處理不同之第2處理。
  2. 如請求項1之基板處理裝置,其進而具備:第1基板支持部,其構成為可支持上述第1基板,且於上述第1基板之下方支持第3基板;上述基板搬送部進而包含第3搬送保持部,其構成為可於較上述第1搬送保持部更下方處保持上述第3基板;上述搬送控制部於進行上述第1控制之前,進行以如下方式控制上述基板搬送部之第2控制:在上述第1基板及上述第3基板被支持於上述第1基板支持部之狀 態下,藉由上述第1搬送保持部接收被支持於上述第1基板支持部之上述第1基板,且藉由上述第3搬送保持部接收被支持於上述第1基板支持部之上述第3基板。
  3. 如請求項2之基板處理裝置,其進而具備:構成為可支持上述第2基板的第2基板支持部,上述搬送控制部於以上述第2搬送保持部接收上述第2基板之方式進行上述第1控制後,進行以如下方式控制上述基板搬送部之第3控制:將由上述第2搬送保持部接收到之上述第2基板移交給上述第2基板支持部。
  4. 如請求項1之基板處理裝置,其進而具備第2基板處理部,該第2基板處理部包含:構成為可於第3高度位置保持第3基板的第3基板保持部、及構成為可於低於上述第3高度位置之第4高度位置保持第4基板的第4基板保持部;上述基板搬送部進而包含:第3搬送保持部,其構成為可於較上述第1搬送保持部更下方處保持上述第3基板;及第4搬送保持部,其構成為可於較上述第3搬送保持部更下方處保持上述第4基板;上述搬送控制部進行以如下方式控制上述基板搬送部之第4控制:藉由上述第3搬送保持部對上述第3基板保持部移交或接收上述第3基板,且藉由上述第4搬送保持部對上述第4基板保持部接收或移交上述第4基板。
  5. 如請求項4之基板處理裝置,其進而具備:第1基板支持部,其構成 為可支持上述第1基板,且於上述第1基板之下方支持上述第3基板;上述搬送控制部於進行上述第1及第4控制之前,進行以如下方式控制上述基板搬送部之第5控制:在上述第1基板及第3基板被支持於上述第1基板支持部之狀態下,藉由上述第1搬送保持部接收被支持於上述第1基板支持部之上述第1基板,且藉由上述第3搬送保持部接收被支持於上述第1基板支持部之上述第3基板。
  6. 如請求項5之基板處理裝置,其進而具備:第2基板支持部,該第2基板支持部構成為可支持上述第2基板且可於上述第2基板之下方支持上述第4基板;上述搬送控制部以由上述第2搬送保持部接收上述第2基板之方式進行上述第1控制後,進行以如下方式控制上述基板搬送部之第6控制:將由上述第2搬送保持部接收到之上述第2基板移交給上述第2基板支持部,且以由上述第4搬送保持部接收上述第4基板之方式進行上述第4控制後,進行以如下方式控制上述基板搬送部之第7控制:將由上述第4搬送保持部接收到之上述第4基板移交給上述第2基板支持部。
  7. 如請求項1至6中任一項之基板處理裝置,其中上述第1高度位置與上述第2高度位置之間之距離,和上述第1搬送保持部中保持上述第1基板之部分、與上述第2搬送保持部中保持上述第2基板之部分之間之上下方向之距離相等或大致相等。
  8. 如請求項1至6中任一項之基板處理裝置,其中上述第1基板保持部構成為可藉由與上述第1基板之外周端部之複數個部分抵接而保持上述第1基板,上述第2基板保持部構成為可藉由吸附上述第2基板之下表面中央部而保持上述第2基板,上述第1基板處理部包含:清洗部,其構成為可清洗由上述第1基板保持部保持之上述第1基板之上述下表面中央部作為上述第1處理,且可清洗包圍由上述第2基板保持部保持之上述第2基板之上述下表面中央部的下表面外側區域作為上述第2處理。
  9. 一種基板處理方法,其包含以下步驟:藉由包含於基板搬送部且構成為可保持第1基板之第1搬送保持部,進行對包含於第1基板處理部且構成為可於第1高度位置保持上述第1基板之第1基板保持部移交或接收上述第1基板的第1動作;藉由包含於上述基板搬送部且構成為可於較上述第1搬送保持部更下方處保持第2基板之第2搬送保持部,進行對包含於上述第1基板處理部且構成為可於低於上述第1高度位置之第2高度位置保持上述第2基板之第2基板保持部接收或移交上述第2基板的第2動作;及在上述第1基板處理部,對由上述第1基板保持部保持之上述第1基板進行第1處理,對由上述第2基板保持部保持之上述第2基板進行與上述第1處理不同之第2處理。
  10. 如請求項9之基板處理方法,其進而包含以下步驟:於進行上述第1及第2動作之前,在上述第1基板及上述第3基板被支持於構成為可支持上述第1基板且於上述第1基板之下方支持第3基板之第1基板支持部之狀態下,藉由上述第1搬送保持部接收被支持於上述第1基板支持部之上述第1基板,且藉由構成為可於較上述第1搬送保持部更下方處保持上述第3基板之第3搬送保持部,接收被支持於上述第1基板支持部之上述第3基板。
  11. 如請求項9或10之基板處理方法,其進而包含以下步驟:以由上述第2搬送保持部接收上述第2基板之方式進行上述第1及第2動作後,將由上述第2搬送保持部接收到之上述第2基板移交給構成為可支持上述第2基板之第2基板支持部。
  12. 如請求項9之基板處理方法,其進而包含以下步驟:藉由包含於上述基板搬送部且構成為可於較上述第1搬送保持部更下方處保持第3基板之第3搬送保持部,進行對包含於第2基板處理部且構成為可於第3高度位置保持上述第3基板之第3基板保持部移交或接收上述第3基板的第3動作;及藉由包含於上述基板搬送部且構成為可於較上述第3搬送保持部更下方處保持第4基板之第4搬送保持部,進行對包含於上述第2基板處理部且構成為可於低於上述第3高度位置之第4高度位置保持上述第4基板之第4基板保持部接收或移交上述第4基板的第4動作。
  13. 如請求項12之基板處理方法,其進而包含以下步驟:於進行上述第1~第4動作之前,在上述第1基板及上述第3基板被支持於構成為可支持上述第1基板且於上述第1基板之下方支持上述第3基板之第1基板支持部之狀態下,藉由上述第1搬送保持部接收被支持於上述第1基板支持部之上述第1基板,且藉由上述第3搬送保持部接收被支持於上述第1基板支持部之上述第3基板。
  14. 如請求項13之基板處理方法,其進而包含以下步驟:於以由上述第2搬送保持部接收上述第2基板之方式進行上述第1及第2動作之後,將由上述第2搬送保持部接收到之上述第2基板移交給構成為可支持上述第2基板且構成為可於上述第2基板之下方支持上述第4基板之第2基板支持部;及於以由上述第4搬送保持部接收上述第4基板之方式進行上述第3及第4動作之後,將由上述第4搬送保持部接收到之上述第4基板移交給上述第2基板支持部。
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