TWI815903B - 黏著片的製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明揭示一種黏著片的製造方法，包括：準備黏著片前驅物的步驟，所述黏著片前驅物具有基材及設置於基材上的黏著劑層；以及對黏著片前驅物中的黏著劑層的與基材相反一側的面實施電漿處理的步驟。

Description

黏著片的製造方法
本發明是有關於一種黏著片的製造方法、切晶-黏晶一體型帶的製造方法、半導體裝置的製造方法、黏著劑的處理方法、被黏著體的固定方法及被黏著體的剝離方法。
黏著劑用於工業領域的各種用途中。於工業上，通常藉由調整交聯密度來控制黏著力(由交聯密度等引起的黏著劑自身的體(bulk)特性)。
另一方面，已知有藉由對被黏著體實施表面處理來提高被黏著體與黏著劑的黏著性的方法。例如，於專利文獻1中記載有藉由對合成樹脂製品(被黏著體)實施電漿處理，從而合成樹脂製品與塗膜的黏著性提高。另外，於專利文獻2中記載有：於黏著片中，藉由對塑膠膜基材(被黏著體)實施電漿處理等而可提高塑膠膜基材表面對黏著劑層的錨固性。該些專利文獻中，就提高黏著性的觀點而言，均揭示有對被黏著體實施表面處理。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：日本專利特開昭59-100143號公報
專利文獻2：日本專利特開2011-068718號公報
但是，現有的黏著劑於黏著力的方面尚有改善的餘地。因此，本發明的主要目的在於提供一種黏著片的製造方法，其能夠製造具有黏著力優異的黏著劑層的黏著片。
作為被黏著體與黏著劑的黏著性的影響因素，除了黏著劑的黏著力(黏著劑自身的體特性)以外，亦有黏著劑相對於被黏著體的親和容易度(潤濕性)。但是，根據本發明者等人的研究而判明：於調整黏著劑的交聯密度來控制黏著劑的黏著力的方法中，黏著力與潤濕性存在所謂的權衡(trade off)的關係。例如，若以黏著力提高的方式調整交聯密度，則顯示出黏著劑對被黏著體的潤濕性下降的傾向。並且，基於該見解進一步研究的結果發現，藉由對黏著劑層實施電漿處理而非對被黏著體實施電漿處理，可降低被處理面的接觸角，提高黏著力，從而完成本發明。
本發明的一方面提供一種黏著片的製造方法，包括：準備黏著片前驅物的步驟，所述黏著片前驅物具有基材及設置於基材上的黏著劑層；以及對黏著片前驅物中的黏著劑層的與基材相反一側的面實施電漿處理的步驟。
電漿處理可為使用大氣壓電漿的電漿處理。電漿處理的處理溫度可低於基材的熔點或黏著劑層的熔點中任一較低者的溫度。
黏著片的製造方法可進而包括於已實施電漿處理的黏著劑層的與基材相反一側的面上貼附保護材的步驟。保護材可為貼附於已實施電漿處理的黏著劑層一側的面藉由電漿處理進行了處理者。
於另一方面，本發明提供一種藉由所述製造方法而獲得的黏著片。
於又一方面，本發明提供一種切晶-黏晶一體型帶的製造方法，包括：對於藉由所述製造方法而獲得的黏著片，於已實施電漿處理的黏著劑層的與基材相反一側的面上形成接著劑層的步驟。
於又一方面，本發明提供一種藉由所述製造方法而獲得的切晶-黏晶一體型帶。
於又一方面，本發明提供一種半導體裝置的製造方法，包括：將藉由所述製造方法而獲得的切晶-黏晶一體型帶的接著劑層貼附於半導體晶圓的步驟；將半導體晶圓、接著劑層及已實施電漿處理的黏著劑層單片化的步驟；自已實施電漿處理的所述黏著劑層拾取附著有接著劑層的半導體元件的步驟；以及經由接著劑層，將半導體元件接著於半導體元件搭載用支撐基板的步驟。
於又一方面，本發明提供一種黏著劑的處理方法，包括：對黏著劑實施電漿處理的步驟。電漿處理可為使用大氣壓電漿的電漿處理。電漿處理的處理溫度可低於黏著劑的熔點。
於又一方面，本發明提供一種被黏著體的固定方法，包 括：經由藉由所述方法進行了處理的黏著劑，將第二被黏著體貼附於第一被黏著體的步驟。另外，於又一方面，本發明提供一種被黏著體的剝離方法，包括：利用水來對藉由所述方法進行了固定的被黏著體的第一被黏著體與黏著劑的界面或第二被黏著體與黏著劑的界面的至少一者進行處理，將第一被黏著體及第二被黏著體剝離的步驟。
根據本發明，可提供一種黏著片的製造方法，其能夠製造具有黏著力優異的黏著劑層的黏著片。另外，根據本發明，可提供一種使用藉由此種製造方法而獲得的黏著片的切晶-黏晶一體型帶的製造方法。另外，根據本發明，可提供一種使用藉由此種製造方法而獲得的切晶-黏晶一體型帶的半導體裝置製造方法。進而，根據本發明，可提供一種黏著劑的處理方法、被黏著體的固定方法及被黏著體的剝離方法。
10:基材
20、20Aa:黏著劑層
20A:電漿處理後的黏著劑層
30、50:保護材
40、40a:接著劑層
60:帶接著劑層的半導體元件
70:打線接合線
72:頂針
74:抽吸夾頭
80:半導體元件搭載用支撐基板
80a:表面
92:樹脂密封材
94:焊球
100:黏著片前驅物
110:黏著片
120:帶保護材的黏著片
130:切晶-黏晶一體型帶
140:帶保護材的切晶-黏晶一體型帶
200:半導體裝置
A:電漿處理
W:半導體晶圓
Wa:半導體元件
Ws:主面
圖1(a)~圖1(d)是示意性表示黏著片的製造方法的一實施形態的剖面圖。圖1(a)、圖1(b)、圖1(c)及圖1(d)是示意性表示各步驟的剖面圖。
圖2(a)~圖2(c)是示意性地表示切晶-黏晶一體型帶的製造方法的一實施形態的剖面圖。圖2(a)、圖2(b)及圖2(c)是示意性表示各步驟的剖面圖。
圖3(a)~圖3(f)是示意性表示半導體裝置的製造方法的一實施形態的剖面圖。圖3(a)、圖3(b)、圖3(c)、圖3(d)、圖3(e)及圖3(f)是示意性表示各步驟的剖面圖。
圖4是示意性表示半導體裝置的一實施形態的剖面圖。
以下，適宜參照圖式來對本發明的實施形態進行說明。但本發明並不限定於以下實施形態。以下實施形態中，除特別明示的情況以外，其構成要素(亦包含步驟等)並非必需。各圖中的構成要素的大小為概念性的大小，構成要素間的大小的相對關係並不限定於各圖所示的關係。
本說明書中的數值及其範圍亦同樣如此，並非限制本發明者。本說明書中，使用「~」來表示的數值範圍表示包含「~」的前後所記載的數值分別作為最小值及最大值的範圍。於本說明書中階段性地記載的數值範圍內，一數值範圍所記載的上限值或下限值亦可替換成另一階段記載的數值範圍的上限值或下限值。另外，於本說明書中所記載的數值範圍內，該數值範圍的上限值或下限值可替換成實施例中所示的值。
於本說明書中，(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯或與其對應的甲基丙烯酸酯。
[黏著片的製造方法]
圖1(a)~圖1(d)是示意性表示黏著片的製造方法的一實施形態的剖面圖。本實施形態的黏著片的製造方法包括：準備具 有基材及設置於基材上的黏著劑層的黏著片前驅物的步驟(黏著片前驅物的準備步驟)；以及對黏著片前驅物中的黏著劑層的與基材相反一側的面實施電漿處理的步驟(電漿處理的實施步驟)。本實施形態的黏著片的製造方法可進而包括於已實施電漿處理的黏著劑層的與基材相反一側的面上貼附保護材的步驟(保護材的配置步驟)。
<黏著片前驅物的準備步驟>
於本步驟中，準備作為電漿處理的對象的黏著片前驅物100(參照圖1(a))。黏著片前驅物100具有基材10、及設置於基材10上的黏著劑層20。
基材10只要為具有較藉由電漿處理而產生的熱更高的熔點(或者分解點或軟化點)者，則並無特別限制，可使用在黏著劑的領域中所使用的基材膜。基材膜較佳為於黏晶步驟中能夠擴張(expand)。作為此種基材膜，例如可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯膜等聚酯系膜；聚四氟乙烯膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚甲基戊烯膜、聚乙酸乙烯酯膜等聚烯烴系膜；聚氯乙烯膜、聚醯亞胺膜等塑膠膜等。基材10可對供形成黏著劑層20的面實施電暈處理等表面處理。
黏著劑層20是包含黏著劑成分的層。構成黏著劑層20的黏著劑成分只要為具有較藉由電漿處理而產生的熱更高的熔點(或者分解點或軟化點)者，則並無特別限制，較佳為於室溫(25℃)下具有黏著力，且對積層於黏著劑層20上的層(例如後述的 接著劑層)具有密接力者。構成黏著劑層20的黏著劑成分亦可含有基體樹脂(base resin)。作為基體樹脂，例如可列舉丙烯酸系樹脂、合成橡膠、天然橡膠、聚醯亞胺樹脂等。就減少黏著劑成分的殘膠的觀點而言，基體樹脂較佳為具有可與後述的交聯劑等反應的羥基、羧基等官能基。基體樹脂可為藉由紫外線、放射線等高能量射線而硬化的樹脂或者藉由熱而硬化的樹脂。基體樹脂較佳為藉由高能量射線而硬化者，更佳為藉由紫外線而硬化者(紫外線硬化型基體樹脂)。
於使用藉由高能量射線而硬化的樹脂作為基體樹脂的情況下，亦可視需要而併用光聚合起始劑。光聚合起始劑例如可列舉：芳香族酮化合物、安息香醚化合物、苯偶醯化合物、酯化合物、吖啶化合物、2,4,5-三芳基咪唑二聚物等。
為了調整黏著力，黏著劑成分亦可含有能夠與基體樹脂的官能基形成交聯結構的交聯劑。交聯劑較佳為具有選自由環氧基、異氰酸酯基、氮丙啶基及三嗪基所組成的群組中的至少一種官能基。交聯劑可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。
為了維持由電漿處理所帶來的效果，有效的是調整交聯劑的含量。相對於基體樹脂100質量份，交聯劑的含量較佳為5質量份以上，更佳為7質量份以上，進而佳為10質量份以上。若相對於基體樹脂100質量份而交聯劑的含量為5質量份以上，則有可抑制由電漿處理所帶來的效果衰減的傾向。相對於基體樹脂100質量份，交聯劑的含量可為30質量份以下。若相對於基體樹 脂100質量份而交聯劑的含量為30質量份以下，則有容易維持由電漿處理所帶來的效果的傾向，且有可抑制黏著劑層與保護材的密接性下降的傾向。
黏著劑成分亦可含有其他成分。作為其他成分，例如可列舉：以促進基體樹脂與光聚合起始劑的交聯反應為目的而添加的胺、錫等觸媒；以適當地調整黏著特性為目的而添加的松香系、萜烯樹脂系等增黏劑(tackifier)；各種界面活性劑等。
於一實施形態中，黏著劑層20可為包含如下黏著劑成分的層，所述黏著劑成分含有具有羥基的丙烯酸系樹脂及具有異氰酸酯基的交聯劑。
作為基體樹脂的具有羥基的丙烯酸系樹脂，可藉由使包含具有羥基的(甲基)丙烯酸酯的單體成分聚合而獲得。聚合方法可自各種自由基聚合等公知的聚合方法中適宜選擇，例如可為懸浮聚合法、溶液聚合法、塊狀聚合法等。
於所述聚合方法中使單體成分聚合的情況下，亦可視需要而使用聚合起始劑。作為此種聚合起始劑，例如可列舉：過氧化酮、過氧化縮酮、過氧化氫、二烷基過氧化物、二醯基過氧化物、過氧化碳酸酯、過氧化酯、2,2'-偶氮雙異丁腈、2,2'-偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)、2,2'-偶氮雙(4-甲氧基-2'-二甲基戊腈)等。
具有黏著劑層20的黏著片前驅物100可使用公知的方法進行製造。黏著片前驅物100例如可藉由以下製造方法而獲得，所述製造方法包括：利用分散介質來稀釋黏著劑層用的材料，製 備清漆的步驟；將所得的清漆塗敷於所述基材10上的步驟；以及自所塗敷的清漆中去除分散介質的步驟。
黏著片前驅物100中的黏著劑層20的厚度可為0.1μm~30μm。若黏著劑層20的厚度為0.1μm以上，則有可確保充分的黏著力的傾向。若黏著劑層20的厚度為30μm以下，則有經濟上有利的傾向。
黏著片前驅物100整體的厚度(基材10及黏著劑層20的合計厚度)可為5μm~150μm、50μm~150μm或100μm~150μm。
黏著片前驅物100可於實施電漿處理之前，於黏著劑層20的與基材10相反一側的面上貼附有保護材。保護材可使用與後述的保護材30中所例示者相同的保護材。
<電漿處理的實施步驟>
於本步驟中，對黏著片前驅物100中的黏著劑層20的與基材10相反一側的面實施電漿處理(圖1(b)的A)(參照圖1(b))。藉此，可製造具有已實施電漿處理A的黏著劑層(電漿處理後的黏著劑層20A)的黏著片110(參照圖1(c))。
電漿為構成氣體的分子部分地或完全地電離，分成陽離子及電子而自由地運動的狀態。藉由使用電漿狀態的氣體來對黏著劑層的與基材相反一側的面進行處理，而於黏著劑層的表面進行化學反應，賦予含氧的親水性基，被處理面的接觸角降低，可提高潤濕性。利用該反應，能夠提高黏著片前驅物的黏著劑層20 的黏著力。
電漿處理並無特別限制，就成本、處理能力、及減少損傷的觀點而言，可為使用大氣壓電漿的電漿處理。使用大氣壓電漿的電漿處理例如可使用超高密度大氣壓電漿單元(富士機械製造股份有限公司製造，商品名：FPB-20型號II(TYPE II))來實施。
關於電漿處理的處理溫度，就避免因電漿處理而對基材10及黏著劑層20造成損傷的觀點而言，較佳為以低於基材10的熔點或黏著劑層20的熔點中任一較低者的溫度來進行。電漿處理較佳為以在進行處理的時間內黏著片前驅物100(基材10及黏著劑層20)不產生褶皺、撓曲等的方式，即，黏著片不顯著地發生熱變形的方式，一邊調整處理溫度、處理速度等條件一邊進行。若產生褶皺、撓曲等，則有妨礙電漿處理時的裝置運轉之虞。電漿處理的溫度條件例如可為300℃以下、250℃以下、或200℃以下。
電漿處理可調整處理面積。因此，可對黏著片前驅物100中的黏著劑層20的與基材10相反一側的面的一部分或全部實施電漿處理。若對黏著劑層20的面的一部分實施電漿處理，則由於可調整被處理面的接觸角，而可於同一面，容易地分開形成接觸角低的部分(即，黏著劑層的黏著力高的部分)及接觸角高的部分(即，黏著劑層的黏著力低的部分)。
<保護材的配置步驟>
本步驟中，於已實施電漿處理的黏著劑層(電漿處理後的黏著劑層20A)的與基材10相反一側的面上貼附保護材30(參照圖1(d))。藉此，可獲得帶保護材的黏著片120。貼附保護材30的方法可使用公知的方法來進行貼附。
保護材30並無特別限制，可使用在黏著劑的領域中所使用的保護膜。作為保護膜，例如可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯膜等聚酯系膜；聚四氟乙烯膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚甲基戊烯膜、聚乙酸乙烯酯膜等聚烯烴系膜；聚氯乙烯膜、聚醯亞胺膜等塑膠膜等。另外，保護膜可使用紙、不織布、金屬箔等。保護材30的電漿處理後的黏著劑層20A側的面，亦可藉由矽酮系剝離劑、氟系剝離劑、長鏈烷基丙烯酸酯系剝離劑等脫模劑來進行處理。
保護材30可為保護材30的貼附於電漿處理後的黏著劑層20A一側的面藉由電漿處理進行了處理者。藉由使用利用電漿處理進行了處理者作為保護材30，而有可長期維持電漿處理後的黏著劑層20A的潤濕性提高的狀態的傾向。
保護材30的厚度並無特別限制，可為5μm~500μm、10μm~200μm或15μm~100μm。
[切晶-黏晶一體型帶的製造方法]
圖2(a)~圖2(c)是示意性地表示切晶-黏晶一體型帶的製造方法的一實施形態的剖面圖。本實施形態的切晶-黏晶一體型帶130的製造方法包括：對於藉由所述製造方法而獲得的黏著片 110，於電漿處理後的黏著劑層20A的與基材10相反一側的面(已實施電漿處理的面)上形成接著劑層40的步驟(參照圖2(a)、圖2(b))。
接著劑層40是包含接著劑成分的層。作為構成接著劑層40的接著劑成分，例如可列舉：熱硬化性接著劑成分、光硬化性接著劑成分、熱塑性接著劑成分、氧反應性接著劑成分等。就接著性的觀點而言，接著劑層較佳為包含熱硬化性接著劑成分。
就接著性的觀點而言，熱硬化性接著劑成分較佳為包含環氧樹脂及可成為環氧樹脂的硬化劑的酚樹脂。
環氧樹脂只要為分子內具有環氧基者，則可並無特別限制地使用。作為環氧樹脂，例如可列舉：雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、雙酚A酚醛清漆型環氧樹脂、雙酚F酚醛清漆型環氧樹脂、含二環戊二烯骨架的環氧樹脂、二苯乙烯型環氧樹脂、含三嗪骨架的環氧樹脂、含茀骨架的環氧樹脂、三苯酚甲烷型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、伸二甲苯基型環氧樹脂、聯苯芳烷基型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、多官能酚類、蒽等多環芳香族類的二縮水甘油醚化合物等。該些可單獨使用一種或將兩種以上組合使用。以接著劑層總量為基準，環氧樹脂的含量可為2質量%~50質量%。
酚樹脂只要為分子內具有酚性羥基者，則可並無特別限制地使用。作為酚樹脂，例如可列舉：苯酚、甲酚、間苯二酚、 鄰苯二酚、雙酚A、雙酚F、苯基苯酚、胺基苯酚等酚類及/或α-萘酚、β-萘酚、二羥基萘等萘酚類與甲醛等具有醛基的化合物，於酸性觸媒下縮合或共縮合而獲得的酚醛清漆型酚樹脂；由烯丙基化雙酚A、烯丙基化雙酚F、烯丙基化萘二醇、苯酚酚醛清漆、苯酚等酚類及/或萘酚類與二甲氧基對二甲苯或雙(甲氧基甲基)聯苯所合成的苯酚芳烷基樹脂、萘酚芳烷基樹脂等。該些可單獨使用一種或將兩種以上組合使用。以接著劑層總量為基準，酚樹脂的含量可為2質量%~50質量%。
作為其他成分，接著劑層40亦可包含：三級胺、咪唑類、四級銨鹽類等硬化促進劑；氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、矽酸鈣、矽酸鎂、氧化鈣、氧化鎂、氧化鋁、氮化鋁、硼酸鋁晶鬚、氮化硼、結晶質二氧化矽、非晶質二氧化矽等無機填料等。以接著劑層總量為基準，其他成分的含量可為0質量%~20質量%。
於黏著片110中，對黏著劑層20的與基材10相反一側的面的一部分或全部實施電漿處理。於對黏著劑層20的與基材10相反一側的面的一部分實施電漿處理的情況下，接著劑層40可以覆蓋黏著劑層20的已實施電漿處理的面的一部分或全部的方式形成，亦可以覆蓋黏著劑層20的未實施電漿處理的面的一部分或全部的方式形成。另外，接著劑層40亦可以覆蓋黏著劑層20的已實施電漿處理的面及黏著劑層20的未實施電漿處理的面兩方的面的一部分或全部的方式形成。於對黏著劑層20的全部實施電漿處 理的情況下，接著劑層40可以覆蓋黏著劑層20的已實施電漿處理的面的一部分或全部的方式形成。
作為於電漿處理後的黏著劑層20A的與基材10相反一側的面上形成接著劑層40的方法，例如可列舉：使用公知的方法，將接著劑成分成形為膜狀，將所得的膜狀接著劑貼合於電漿處理後的黏著劑層20A的與基材10相反一側的面的方法。如上所述，可獲得切晶-黏晶一體型帶130(參照圖2(b))。
切晶-黏晶一體型帶130可於接著劑層40的與黏著劑層20A相反一側的面上具備保護材50。保護材50並無特別限制，可使用切晶-黏晶一體型帶中所使用的保護膜。作為保護膜，例如可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯膜等聚酯系膜；聚四氟乙烯膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚甲基戊烯膜、聚乙酸乙烯酯膜等聚烯烴系膜；聚氯乙烯膜、聚醯亞胺膜等塑膠膜等。如上所述，可獲得帶保護材的切晶-黏晶一體型帶140(參照圖2(c))。
[半導體裝置(半導體封裝體)的製造方法]
圖3(a)~圖3(f)是示意性表示半導體裝置的製造方法的一實施形態的剖面圖。本實施形態的半導體裝置的製造方法包括：將藉由所述製造方法而獲得的切晶-黏晶一體型帶130的接著劑層40貼附於半導體晶圓W的步驟(晶圓層壓步驟，參照圖3(a)、圖3(b))；將半導體晶圓W、接著劑層40及已實施電漿處理的黏著劑層(電漿處理後的黏著劑層20A)單片化的步驟(切晶步驟，參照圖3(c))；視需要對已實施電漿處理的黏著劑層(電 漿處理後的黏著劑層20A)(經由基材10)照射紫外線的步驟(紫外線照射步驟，參照圖3(d))；自已實施電漿處理的黏著劑層(黏著劑層20Aa)拾取附著有接著劑層40a的半導體元件Wa(帶接著劑層的半導體元件60)的步驟(拾取步驟，參照圖3(e))；以及經由接著劑層40a，將帶接著劑層的半導體元件60接著於半導體元件搭載用支撐基板80的步驟(半導體元件接著步驟，參照圖3(f))。
<晶圓層壓步驟>
首先，將切晶-黏晶一體型帶130配置於規定的裝置。繼而，於半導體晶圓W的主面Ws，經由接著劑層40而貼附切晶-黏晶一體型帶130(參照圖3(a)、圖3(b))。半導體晶圓W的電路面較佳為設置於與主面Ws為相反側的面。
<切晶步驟>
其次，對半導體晶圓W、接著劑層40及電漿處理後的黏著劑層20A進行切晶(參照圖3(c))。此時，亦可將基材10的一部分切晶。如此，切晶-黏晶一體型帶130亦作為切晶片發揮功能。
<紫外線照射步驟>
對於電漿處理後的黏著劑層20A，可視需要(經由基材10)照射紫外線(參照圖3(d))。於黏著劑成分中的基體樹脂為藉由紫外線而硬化者(紫外線硬化型基體樹脂)的情況下，該黏著劑層20A硬化，可降低黏著劑層20A與接著劑層40之間的接著力。於紫外線照射中，較佳為使用波長200nm~400nm的紫外線。紫 外線照射條件較佳為將照度及照射量分別調整為30mW/cm2~240mW/cm2的範圍及200mJ/cm2~500mJ/cm2的範圍。
<拾取步驟>
其次，藉由將基材10擴張而使經切晶的帶接著劑層的半導體元件60彼此分開，並且利用抽吸夾頭74抽吸自基材10側由頂針72頂起的帶接著層的半導體元件60，且自黏著劑層20Aa進行拾取(參照圖3(e))。於對黏著劑層20的與基材10相反一側的面的一部分實施電漿處理的情況下，黏著劑層20Aa的接著劑層40a側的面可為經實施電漿處理的面，亦可為未實施電漿處理的面，亦可為包括經實施電漿處理的面及未實施電漿處理的面兩方的面。再者，帶接著劑層的半導體元件60具有半導體元件Wa及接著劑層40a。半導體元件Wa為半導體晶圓W藉由切晶而分割出者，接著劑層40a為接著劑層40藉由切晶而分割出者。黏著劑層20Aa為電漿處理後的黏著劑層20A藉由切晶而分割出者。當拾取帶接著劑層的半導體元件60時，黏著劑層20Aa可殘留在基材10上。於拾取步驟中，未必需要將基材10擴張，但藉由將基材10擴張，可進一步提高拾取性。
由頂針72產生的頂起量可適當設定。進而，就確保對極薄晶圓亦充分的拾取性的觀點而言，例如亦可進行兩段或三段的頂起。另外，亦可藉由使用抽吸夾頭74的方法以外的方法來拾取帶接著劑層的半導體元件60。
<半導體元件接著步驟>
於拾取帶接著劑層的半導體元件60後，藉由熱壓接並經由接著劑層40a將帶接著劑層的半導體元件60接著於半導體元件搭載用支撐基板80(參照圖3(f))。半導體元件搭載用支撐基板80上可接著多個帶接著劑層的半導體元件60。
本實施形態的半導體裝置的製造方法視需要可進而包括：藉由打線接合線70而將半導體元件Wa與半導體元件搭載用支撐基板80電性連接的步驟；以及於半導體元件搭載用支撐基板80的表面80a上，使用樹脂密封材92對半導體元件Wa進行樹脂密封的步驟。
圖4是示意性表示半導體裝置的一實施形態的剖面圖。圖4所示的半導體裝置200可藉由經過所述步驟而製造。半導體裝置200亦可於半導體元件搭載用支撐基板80的與表面80a相反一側的面形成有焊球94，用於與外部基板(母板(mother board))的電性連接。
[黏著劑的處理方法]
一實施形態的黏著劑的處理方法包括：對黏著劑實施電漿處理的步驟。黏著劑可與所述黏著片的製造方法中所例示的黏著劑相同。電漿處理可與所述黏著片的製造方法中所例示的電漿處理相同。電漿處理可為使用大氣壓電漿的電漿處理。電漿處理的處理溫度可低於黏著劑的熔點。
[被黏著體的固定方法]
一實施形態的被黏著體的固定方法包括：經由藉由所述方法 進行了處理的黏著劑，將第二被黏著體貼附於第一被黏著體的步驟。作為第一被黏著體及第二被黏著體，並無特別限制，可列舉金屬被黏著體(不鏽鋼(SUS)、鋁等)、非金屬被黏著體(聚碳酸酯、玻璃等)等。被黏著體的固定條件可根據黏著劑的種類、以及第一被黏著體及第二被黏著體的種類而適當設定。
[被黏著體的剝離方法]
一實施形態的被黏著體的剝離方法包括：利用水來對藉由所述方法進行了固定的被黏著體的第一被黏著體與黏著劑的界面或第二被黏著體與黏著劑的界面的至少一者進行處理(與水接觸)，將第一被黏著體及第二被黏著體剝離的步驟。相較於未實施電漿處理的黏著劑，已實施電漿處理的黏著劑的親水性基多，藉由利用水來進行處理(與水接觸)，而有容易剝離的傾向。再者，當剝離第一被黏著體及第二被黏著體時，黏著劑可附著於第一被黏著體或第二被黏著體的任一者上，亦可自第一被黏著體及第二被黏著體脫離。
[實施例]
以下，基於實施例對本發明進行具體說明，但本發明並不限定於該些實施例。
(實施例1)
[黏著片的製作]
<黏著片前驅物的準備>
依據溶液聚合法，使作為單體的丙烯酸2-乙基己酯及甲基丙 烯酸甲酯、以及作為含官能基的單體的丙烯酸羥基乙酯及丙烯酸聚合，藉此獲得具有羥基的丙烯酸系樹脂。具有羥基的丙烯酸系樹脂的重量平均分子量為40萬，玻璃轉移點為-38℃。
重量平均分子量是使用東曹(Tosoh)股份有限公司製造的SD-8022/DP-8020/RI-8020作為凝膠滲透層析(gel permeation chromatography，GPC)裝置，使用日立化成股份有限公司製造的凝膠組件(Gel pack)GL-A150-S/GL-A160-S作為管柱，以及使用四氫呋喃作為溶離液來測定聚苯乙烯換算的重量平均分子量(Mw)。
玻璃轉移點是藉由以下的關係式(FOX式)而算出。
1/Tg=Σ(Xi/Tgi)
[所述式中，Tg表示共聚物的玻璃轉移點(K)。Xi表示各單體的質量分率，X1+X2+...+Xi+...+Xn=1。Tgi表示各單體的均聚物的玻璃轉移點(K)]
使用三合一馬達(three-one motor)及攪拌翼，相對於具有羥基的丙烯酸系樹脂100質量份而調配12質量份的多官能異氰酸酯交聯劑(三菱化學股份有限公司製造，商品名「麥太科(MITEC)NY730A-T」)，並進行攪拌，藉此獲得黏著劑層形成用清漆。
使用敷料器，將所得的黏著劑層形成用清漆，以黏著劑 層的厚度成為10μm的方式，一邊調整間隙一邊塗敷於基材膜A(厚度38μm的聚對苯二甲酸乙二酯膜)上。於使所塗敷的黏著劑層形成用清漆於80℃下乾燥5分鐘後，將表面已實施電暈處理的基材膜B(厚度80μm的聚烯烴系膜)層壓於黏著劑層上，並於室溫(25℃)下放置2週，充分地進行老化，藉此獲得具有基材膜A/黏著劑層/基材膜B的構成的黏著片前驅物。
<電漿處理的實施>
剝去黏著片前驅物的基材膜A，使用超高密度大氣壓電漿單元(富士機械製造股份有限公司製造，商品名：FPB-20 TYPE II)，對黏著片前驅物中的黏著劑層的與基材膜B相反一側的面實施電漿處理，製作黏著片。其後，於已實施電漿處理的黏著劑層的面上，配置保護材(聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)膜)，獲得實施例1的帶保護材的黏著片。
(電漿處理的條件)
加熱器的使用：不使用
照射速度：500mm/秒
照射距離：5mm
狹縫噴嘴：20mm寬
使用氣體：氮氣及空氣
氣體流量：氮氣60L/分鐘、空氣21L/分鐘
重覆數：1次(照射方法：20mm寬×8線)
樣品尺寸：150mm×150mm
再者，調整照射距離、照射速度、加熱器設定等，且以處理溫度為100℃以下的方式進行設定，以使在進行處理的時間內黏著片前驅物100(基材10及黏著劑層20)不產生褶皺、撓曲等。
(實施例2)
對保護材的黏著劑層側的面，實施與對黏著劑層所實施的電漿處理相同的電漿處理(重覆數：1次)，除此以外，以與實施例1相同的方式進行，獲得實施例2的帶保護材的黏著片。
(實施例3)
將保護材的電漿處理的重覆數自1次變更為4次，除此以外，以與實施例2相同的方式進行，獲得實施例3的帶保護材的黏著片。
(實施例4)
將黏著劑層的電漿處理的重覆數自1次變更為4次，除此以外，以與實施例1相同的方式進行，獲得實施例2的帶保護材的黏著片。
(實施例5)
對保護材的黏著劑層側的面，實施與對黏著劑層所實施的電漿處理相同的電漿處理(重覆數：1次)，除此以外，以與實施例4相同的方式進行，獲得實施例5的帶保護材的黏著片。
(實施例6)
將保護材的電漿處理的重覆數自1次變更為4次，除此以外，以與實施例5相同的方式進行，獲得實施例6的帶保護材的黏著 片。
(比較例1)
未對黏著劑層實施電漿處理，除此以外，以與實施例1相同的方式進行，獲得比較例1的帶保護材的黏著片。
[評價]
<水對黏著劑層的已實施電漿處理的面的接觸角的測定>
對於實施例1~實施例6及比較例1的帶保護材的黏著片，測定水對已實施電漿處理的面的接觸角。測定中，使用接觸角計(協和界面化學股份有限公司製造，商品名：卓普馬斯特(Drop Master)300)。藉由以下方式進行測定：將帶保護材的黏著片的保護材剝離，於黏著劑層的已實施電漿處理的面滴加水作為探針液體。測定條件是將溫度設為23℃~28℃，將探針液體的液滴量設為1.5μL，將測定時機設為探針的液滴下後5秒。將測定的試行數設為10次，求出所得的數值的中位數作為接觸角θ。將結果示於表1中。
Figure 108119835-A0305-02-0023-1
<黏著劑層對SUS基板的剝離強度的測定>
將實施例1、實施例2及比較例1的帶保護材的黏著片切成寬度10mm、長度70mm以上，且將保護材自帶保護材的黏著片剝離後貼附於SUS板(SUS430BA)，將其作為初期的測定樣品。貼附於SUS板時，利用3kg的錘輥在樣品上往返3次。將剝離引導帶(王子塔克(OJITAC)公司製造，EC帶)切成寬度10mm，於樣品的前端黏貼10mm左右，固定於荷重元(load cell)的前端。以剝離的進展與帶寬度平行的方式對荷重元的位置進行微調。另外，將初期的測定樣品冷藏(5℃)保管3個月，將其作為經過3個月的測定樣品。對於該些測定樣品，以剝離角度30度、剝離速度50mm/分鐘進行SUS基板與黏著劑層的剝離，求出剝離強度。另外，SUS基板是在使用前利用丙酮清洗後使用。將結果示於表2中。另外，表2中的數值是將比較例1的剝離強度的數值作為基準的相對值。
Figure 108119835-A0305-02-0024-2
可推測，於使用例如以其他丙烯酸系樹脂、合成橡膠、天然橡膠、聚醯亞胺樹脂等為基體樹脂者來代替實施例1~實施例6的帶保護材的黏著片中的黏著劑層的情況下，亦可獲得同樣的效 果。
與比較例1的帶保護材的黏著片相比，實施例1~實施例6的帶保護材的黏著片中，黏著劑層的已實施電漿處理的面的接觸角降低，黏著劑層的潤濕性提高。另外，與比較例1的帶保護材的黏著片相比，實施例1、實施例2的帶保護材的黏著片的剝離強度提高，黏著力提高。另外，由實施例1與實施例2的對比而判明，藉由亦對保護材實施電漿處理，可長期維持實施了電漿處理的效果。由該些結果可確認到，本發明的製造方法能夠製造黏著力優異的黏著片。
10:基材
20:黏著劑層
20A:電漿處理後的黏著劑層
30:保護材
100:黏著片前驅物
110:黏著片
120:帶保護材的黏著片
A:電漿處理

Claims (3)

  1. 一種黏著片的製造方法，包括：準備黏著片前驅物的步驟，所述黏著片前驅物具有基材、及設置於所述基材上的黏著劑層；對所述黏著片前驅物中之所述黏著劑層的與所述基材相反側的面實施電漿處理的步驟；以及於已實施電漿處理的所述黏著劑層的與所述基材相反側的面上貼附保護材的步驟，其中所述保護材的貼附於已實施電漿處理的所述黏著劑層的一側的面藉由電漿處理進行了處理。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的黏著片的製造方法，其中所述電漿處理為使用大氣壓電漿的電漿處理。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的黏著片的製造方法，其中所述電漿處理的處理溫度小於所述基材的熔點或所述黏著劑層的熔點中任一較低者的溫度。
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