TWI803008B - 一種不使用遮蔽層之基材結構之圖案化方法 - Google Patents
一種不使用遮蔽層之基材結構之圖案化方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI803008B TWI803008B TW110136979A TW110136979A TWI803008B TW I803008 B TWI803008 B TW I803008B TW 110136979 A TW110136979 A TW 110136979A TW 110136979 A TW110136979 A TW 110136979A TW I803008 B TWI803008 B TW I803008B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- conductive
- groove
- substrate structure
- layer
- width
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本發明提供一種不使用遮蔽層之基材結構之圖案化方法、以及一種基材結構。其中，不使用遮蔽層之基材結構之圖案化方法包括以下步驟：提供一導電絕緣之基材結構，所述導電絕緣之基材結構具有一絕緣導熱層及一形成在所述絕緣導熱層之上的導電層；以機械加工方式移除局部的所述導電層以形成至少有一導電凹槽，且使所述導電凹槽之厚度與所述導電層之厚度形成有一預定厚度比；以蝕刻加工方式移除所述導電凹槽下方的一預留導電層而使所述導電凹槽形成為導電溝槽，從而得到最終的具有圖案化之厚導電層之基材結構。
Description
本發明涉及了一種基材結構，具體來說是涉及了一種不使用遮蔽層之基材結構之圖案化方法、以及一種基材結構。
目前針對金屬加工形成線路圖形，通常是以蝕刻加工方式來完成。但是對厚金屬進行蝕刻加工形成線路圖形會耗費大量的化學藥液，而對厚金屬進行機械加工形成線路圖形則極易對基底造成破壞。
有鑑於此，本發明人本於多年從事相關產品之開發與設計，有感上述缺失之可改善，乃特潛心研究並配合學理之運用，終於提出一種設計合理且有效改善上述缺失之本發明。
本發明所要解決的技術問題在於，針對現有技術的不足提供一種不使用遮蔽層之基材結構之圖案化方法、以及一種基材結構。
為了解決上述的技術問題，本發明提供一種不使用遮蔽層之基材結構之圖案化方法，包括：(a)提供一導電絕緣之基材結構，所述導電絕緣之基材結構具有一絕緣導熱層及一形成在所述絕緣導熱層之上的導電層；(b)以機械加工方式移除局部的所述導電層以形成至少有一導電凹槽，且使所述導電凹槽之厚度與所述導電層之厚度形成有一預定厚度比，並使所述導電凹槽之槽開口與槽底壁分別具有一第一預留寬度及一第二預留寬度，從而使所述導電絕緣之基材結構形成為一預處理之基材結構；
(c)以蝕刻加工方式移除所述導電凹槽之槽底壁下方至所述導電層之底面界定的一預留導電層而使所述導電凹槽形成為導電溝槽，且所述導電溝槽之側壁與所述導電層之表面間形成有一特徵夾角，從而得到最終的具有圖案化之厚導電層之基材結構。
在一優選實施例中，所述絕緣導熱層是以高分子材料與導熱粉粒混合之複合材料所製成。
在一優選實施例中，所述導電層之厚度是介於0.5至6mm時，使所述導電凹槽之厚度與所述導電層之厚度形成的所述預定厚度比是介於0.8：1至1：1之間。
在一優選實施例中，所述第二預留寬度與所述第一預留寬度形成有一預定寬度比，所述預定寬度比是介於0.8：1至1：1之間。
在一優選實施例中，所述導電溝槽之溝槽口形成有一第一寬度，所述導電溝槽之兩側壁間形成有一第二寬度，並且所述第一寬度與所述第一預留寬度的差值加上所述第二寬度與所述第二預留寬度的差值的總和為所述預留導電層之厚度的0.5至2.5倍。
在一優選實施例中，所述特徵夾角為一大於等於90°的特徵夾角。
為了解決上述的技術問題，本發明另提供一種基材結構，包括有一絕緣導熱層及一形成在所述絕緣導熱層之上的導電層；其中，所述導電層形成至少有一導電凹槽，且所述導電凹槽是通過機械加工方式移除局部的所述導電層所形成，並且所述導電凹槽之厚度與所述導電層之厚度形成有一預定厚度比，且所述導電凹槽之槽開口與所述導電凹槽之槽底壁分別具有一第一預留寬度及一第二預留寬度，並且所述第二預留寬度與所述第一預留寬度形成有一預定寬度比。
在一優選實施例中，所述導電層之厚度是介於0.5至6mn，並且所述導電凹槽之厚度與所述導電層之厚度形成的所述預定厚度比是介於0.8：1至1：1之間。
在一優選實施例中，所述導電凹槽是通過銑削加工方式移除局部的所述導電層所形成的一金屬導電凹槽。
在一優選實施例中，所述導電凹槽是通過車削加工方式移除局部的所述導電層所形成的一金屬導電凹槽。
在一優選實施例中，所述導電凹槽是通過電火光加工方式移除局部的所述導電層所形成的一金屬導電凹槽。
為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與圖式，然而所提供的圖式僅用於提供參考與說明，並非用來對本發明加以限制。
700:導電絕緣之基材結構
800:預處理之基材結構
900:具有圖案化之厚導電層之基材結構
10:絕緣導熱層
20:導電層
201:底面
202:表面
21:導電凹槽
211:槽開口
212:槽底壁
22:導電溝槽
221:溝槽口
222:側壁
T,T1,T2:厚度
W1,W2,W1a,W2a:寬度
θ:特徵夾角
圖1為本發明一實施例的基材結構的側視示意圖。
圖2為本發明一實施例的基材結構的側視示意圖。
圖3為本發明一實施例的基材結構的側視示意圖。
以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開有關的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不背離本發明的構思下進行各種修改與變更。另外，本發明的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。另外，本文中所
使用的術語“或”，應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。
請一併參閱圖1至圖3所示，本發明實施例提供一種不使用遮蔽層之基材結構之圖案化方法，主要包括有以下步驟。
如圖1所示，首先，(a)提供一導電絕緣之基材結構700，所述導電絕緣之基材結構700具有一絕緣導熱層10及一形成在所述絕緣導熱層10之上的導電層20。
進一步說，所述絕緣導熱層10是以高分子材料與導熱粉粒(e.g.陶瓷粉粒)混合之複合材料所製成，以達到絕緣及導熱效果。並且，所述導電層20是以金屬製成具預定厚度的厚導電層。在一優選實施例中，所述導電層20之厚度T是介於0.5至6mm之間。
接著，如圖2所示，(b)以機械加工方式移除局部的所述導電層20以形成至少有一導電凹槽21，且使所述導電凹槽21之厚度T1與所述導電層20之厚度T形成有一預定厚度比(T1：T)，也就是機械加工去除的金屬厚度(深度)與導電層20之厚度T具相關性，並使所述導電凹槽21之槽開口211與槽底壁212分別具有一第一預留寬度W1及一第二預留寬度W2，以將所述導電層20加工而形成圖案化之前身，從而使圖1所示的導電絕緣之基材結構700形成為圖2所示的預處理之基材結構800，即預成品。
在一優選實施例中，是以銑削加工方式移除局部的所述導電層20以形成至少有一所述導電凹槽21。
在一優選實施例中，是以車削加工方式移除局部的所述導電層20以形成至少有一所述導電凹槽21。
在一優選實施例中，是以電火光加工方式移除局部的所述導電層20以形成至少有一所述導電凹槽21。
另外，所述導電凹槽21之槽底壁212形成的第二預留寬度W2與所述導電凹槽21之槽開口211形成的第一預留寬度W1更形成有一預定寬度比(W2：W1)，且所述預定寬度比是介於0.8：1至1：1之間。
最後，如圖3所示，(c)以蝕刻加工方式(例如非等向蝕刻)移除圖2示出的導電凹槽21之槽底壁212下方至導電層20之底面201界定的一預留導電層(也就是所述導電凹槽21之槽底壁212正下方所殘留之導電層)而使所述導電凹槽21形成為導電溝槽22，且使所述導電溝槽22之側壁222與所述導電層20之表面202間形成有一特徵夾角θ，從而得到最終的具有圖案化之厚導電層之基材結構900。
進一步說，為了達到蝕刻後使得所述導電溝槽22之溝槽口221形成有預定的第一寬度W1a且所述導電溝槽22之兩側壁222(於厚度T2位置)間形成有預定的第二寬度W2a，需使蝕刻後的第一寬度W1a與蝕刻前的第一預留寬度W1的差值，加上蝕刻後的第二寬度W2a與蝕刻前的第二預留寬度W2的差值的總和，為預留導電層之厚度T2的0.5至2.5倍。並且，可以達到蝕刻後使得所述導電溝槽22之側壁222與所述導電層20之表面202間形成有一大於等於(≧)90°的特徵夾角θ。
並且，所述導電層20之厚度T是介於0.5至6mm時，使所述導電凹槽21之厚度T1與所述導電層20之厚度T形成的預定厚度比(T1：T)是介於0.8：1至1：1之間。
並且，根據以上所述，本發明實施例亦提供一種基材結構，例如可以是圖2示出的預處理之基材結構800，其具有一絕緣導熱層10及一形成在所述絕緣導熱層10之上的導電層20。其中，所述導電層20形成至少有一導電凹槽21，且所述導電凹槽21是通過機械加工方式移除局部的所述導電層20所形成，並且所述導電凹槽21之厚度T1與所述導電層20之厚度T
形成有一預定厚度比(T1：T)，且所述導電凹槽21之槽開口211與所述導電凹槽21之槽底壁212分別具有一第一預留寬度W1及一第二預留寬度W2，並且所述第二預留寬度W2與所述第一預留寬度W1形成有一預定寬度比(W2：W1)。
在一優選實施例中，所述導電凹槽21是通過銑削加工方式移除局部的所述導電層20所形成的一金屬導電凹槽。
在一優選實施例中，所述導電凹槽21是通過車削加工方式移除局部的所述導電層20所形成的一金屬導電凹槽。
在一優選實施例中，所述導電凹槽21是通過電火光加工方式移除局部的所述導電層20所形成的一金屬導電凹槽。
在一優選實施例中，所述導電層20之厚度T是介於0.5至6mm，且所述導電凹槽21之厚度T1與所述導電層20之厚度T形成的預定厚度比(T1：T)是介於0.8：1至1：1之間。
在一優選實施例中，所述第二預留寬度W2與所述第一預留寬度W1形成的預定寬度比(W2：W1)是介於0.8：1至1：1之間。
再者，本發明實施例亦提供一種基材結構，例如可以是圖3示出的具有圖案化之厚導電層之基材結構900，其具有一絕緣導熱層10及一形成在所述絕緣導熱層10之上的導電層20。其中，所述導電層20形成至少有一裸露出所述絕緣導熱層10的導電溝槽22，且所述導電溝槽22是通過機械加工與無遮蔽層的蝕刻加工方式所形成，從而使得所述導電溝槽22之側壁222與所述導電層20之表面202間形成有一大於等於(≧)90°的特徵夾角θ。
綜合以上所述，本發明提供的一種不使用遮蔽層之基材結構之圖案化方法，其可以通過「提供一導電絕緣之基材結構，所述導電絕緣
之基材結構具有一絕緣導熱層及一形成在所述絕緣導熱層之上的導電層」、「以機械加工方式移除局部的所述導電層以形成至少有一導電凹槽，且使所述導電凹槽之厚度與所述導電層之厚度形成有一預定厚度比，並使所述導電凹槽之槽開口與槽底壁分別具有一第一預留寬度及一第二預留寬度，從而使所述導電絕緣之基材結構形成為一預處理之基材結構」、「以蝕刻加工方式移除所述導電凹槽之槽底壁下方至所述導電層之底面界定的一預留導電層而使所述導電凹槽形成為導電溝槽，且所述導電溝槽之側壁與所述導電層之表面間形成有一特徵夾角，從而得到最終的具有圖案化之厚導電層之基材結構」的技術方案，使得具預定厚度的導電層能夠通過機械加工預形成有導電凹槽，且使機械加工所形成的導電凹槽之厚度與導電層之厚度形成有預定厚度比，以利於後續進行蝕刻加工，且可節約蝕刻化學藥液的用量，加快生產速度並節省生產成本，除此之外，通過預形成有導電凹槽，可有效避免直接破壞、震動破壞或擊穿導電層之下的絕緣導熱層，導致接合性、絕緣性及導熱性大幅下降的問題。
以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例，並非因此侷限本發明的申請專利範圍，所以凡是運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的申請專利範圍內。
800:預處理之基材結構
10:絕緣導熱層
20:導電層
201:底面
21:導電凹槽
211:槽開口
212:槽底壁
T,T1,T2:厚度
W1,W2:寬度
Claims (5)
- 一種不使用遮蔽層之基材結構之圖案化方法，包括：(a)提供一導電絕緣之基材結構，所述導電絕緣之基材結構具有一絕緣導熱層及一形成在所述絕緣導熱層之上的導電層；(b)以機械加工方式移除局部的所述導電層以形成至少有一導電凹槽，且使所述導電凹槽之厚度與所述導電層之厚度形成有一預定厚度比，並使所述導電凹槽之槽開口與槽底壁分別具有一第一預留寬度及一第二預留寬度，從而使所述導電絕緣之基材結構形成為一預處理之基材結構；其中，所述導電層之厚度是介於500至6000μm，使所述導電凹槽之厚度與所述導電層之厚度形成的所述預定厚度比是介於0.8：1至1：1之間；(c)以蝕刻加工方式移除所述導電凹槽之槽底壁下方至所述導電層之底面界定的一預留導電層而使所述導電凹槽形成為導電溝槽，且所述導電溝槽之側壁與所述導電層之表面間形成有一特徵夾角，從而得到最終的具有圖案化之厚導電層之基材結構。
- 如請求項1所述的不使用遮蔽層之基材結構之圖案化方法，其中，所述絕緣導熱層是以高分子材料與導熱粉粒混合之複合材料所製成。
- 如請求項1所述的不使用遮蔽層之基材結構之圖案化方法，其中，所述第二預留寬度與所述第一預留寬度形成有一預定寬度比，所述預定寬度比是介於0.8：1至1：1之間。
- 如請求項1所述的不使用遮蔽層之基材結構之圖案化方法， 其中，所述導電溝槽之溝槽口形成有一第一寬度，所述導電溝槽之兩側壁間形成有一第二寬度，並且所述第一寬度與所述第一預留寬度的差值加上所述第二寬度與所述第二預留寬度的差值的總和為所述預留導電層之厚度的0.5至2.5倍。
- 如請求項1所述的不使用遮蔽層之基材結構之圖案化方法，其中，所述特徵夾角為一大於等於90°的特徵夾角。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW110136979A TWI803008B (zh) | 2021-10-05 | 2021-10-05 | 一種不使用遮蔽層之基材結構之圖案化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW110136979A TWI803008B (zh) | 2021-10-05 | 2021-10-05 | 一種不使用遮蔽層之基材結構之圖案化方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202316450A TW202316450A (zh) | 2023-04-16 |
| TWI803008B true TWI803008B (zh) | 2023-05-21 |
Family
ID=86943187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW110136979A TWI803008B (zh) | 2021-10-05 | 2021-10-05 | 一種不使用遮蔽層之基材結構之圖案化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| TW (1) | TWI803008B (zh) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1671270A (zh) * | 2004-03-17 | 2005-09-21 | 三星电子株式会社 | 制造带式线路基底的方法 |
| TW201345346A (zh) * | 2012-04-20 | 2013-11-01 | Leading Tech Comm Inc | 線路圖案的製造方法 |
| CN104902690A (zh) * | 2015-05-26 | 2015-09-09 | 广州杰赛科技股份有限公司 | 一种电路板的制作方法 |
| TW202106135A (zh) * | 2019-07-30 | 2021-02-01 | 聚鼎科技股份有限公司 | 電路基板的製作方法 |
-
2021
- 2021-10-05 TW TW110136979A patent/TWI803008B/zh active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1671270A (zh) * | 2004-03-17 | 2005-09-21 | 三星电子株式会社 | 制造带式线路基底的方法 |
| TW201345346A (zh) * | 2012-04-20 | 2013-11-01 | Leading Tech Comm Inc | 線路圖案的製造方法 |
| CN104902690A (zh) * | 2015-05-26 | 2015-09-09 | 广州杰赛科技股份有限公司 | 一种电路板的制作方法 |
| TW202106135A (zh) * | 2019-07-30 | 2021-02-01 | 聚鼎科技股份有限公司 | 電路基板的製作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW202316450A (zh) | 2023-04-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103687312B (zh) | 镀金线路板制作方法 | |
| JP2004022990A (ja) | シリコン基板のスルーホールプラギング方法 | |
| TW200403765A (en) | Semiconductor device and its manufacturing method, circuit substrate and electronic machine | |
| US9585257B2 (en) | Method of forming a glass interposer with thermal vias | |
| CN106024735B (zh) | 具有嵌埋式热电装置的玻璃中介层 | |
| CN104347492A (zh) | 具有高深宽比的通孔结构及多晶片互联的制造方法 | |
| JPS61501668A (ja) | 集積回路構成要素の電気的絶縁領域製造方法 | |
| JP2003297918A5 (zh) | ||
| TWI327876B (en) | Circuit board having electrical connecting structure and fabrication method thereof | |
| TWI803008B (zh) | 一種不使用遮蔽層之基材結構之圖案化方法 | |
| TWI674824B (zh) | 金屬基高熱傳導基板的製造方法 | |
| JPH01185947A (ja) | 半導体装置製造方法 | |
| TWM624700U (zh) | 具有厚導電層之基材結構 | |
| TWI795012B (zh) | 具有厚導電層之基材結構之蝕刻成形方法、以及具有厚導電層之基材結構 | |
| JPH0157495B2 (zh) | ||
| TWM623302U (zh) | 一種基材結構 | |
| TWI700023B (zh) | 電路基板的製作方法 | |
| JPS61180458A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US20220022311A1 (en) | Embedded component structure and manufacturing method thereof | |
| JPS63188959A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| TW457591B (en) | Method of manufacturing contact structure | |
| TW201639430A (zh) | 電路板之填孔方法及其所製成的電路板 | |
| JPS5893328A (ja) | 絶縁層の平担化方法 | |
| TWI839946B (zh) | 導熱式電路載板的製造方法 | |
| TW201403749A (zh) | 基板的貫穿孔設置導體之方法 |