TWI794438B - 晶片位置測定裝置 - Google Patents

Abstract

本發明之課題在於提供如下一種裝置：於分割拍攝之視野內無定位基準之參照用標記之情形時，即使並不怎麼使用高精度之定位機構，亦可以高精度測定晶片零件之位置。 本發明之晶片位置測定裝置具備基板保持部、分割成複數個分割攝像區域進行拍攝之攝像部、算出晶片零件之位置之晶片位置算出部、相對移動部、及控制部；且 於分割攝像區域包含至少2個以上之晶片零件，且，該晶片零件中之至少1個晶片零件係作為隣接之分割攝像區域之兩者所含之重複攝像晶片零件設定； 晶片位置算出部係 根據與先拍攝之分割攝像區域所含之其他晶片零件之位置關係，算出重複攝像晶片零件各者之位置； 將後拍攝之分割攝像區域所含之重複攝像晶片零件除外之其他晶片零件各者之位置，根據與該重複攝像晶片零件之位置關係算出。

Description

晶片位置測定裝置

本發明係關於測定分開配置於晶圓等基板上之複數個晶片零件各者之位置之晶片位置測定裝置者。

半導體器件或電子器件等之製造步驟中，有於半導體晶圓或玻璃、樹脂等基板上配置(例如圖案化或安裝等)晶片零件，或自經擴展之晶圓拾取完成切割之晶片零件之步驟。且，有進行該等晶片零件是否以特定之精度配置之良否檢查，或進行保持於哪個位置之位置測定，並將該等晶片零件與其他零件或配線等安裝、積層等之步驟(例如參照專利文獻1~3)。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開平10-189672號公報

[專利文獻2]日本專利特開2006-135237號公報

[專利文獻3]日本專利第4768731號公報

若於分割拍攝之視野內有定位基準之參照用標記，則可藉由測定與參照標記之相對位置(XY座標等)，而測定晶片零件各者之位置。因此，不會過度要求載物台機構所謀求之定位精度。

但，於分割拍攝之視野內無定位基準之參照用標記之情形時，需要基於拍攝分割視野內之場所之靜止位置資訊及該分割視野內之晶片零件之位置資訊，測定各個晶片零件之位置。因此，謀求較晶片測定之位置精度更高精度之攝像位置精度，需要使用利用雷射測長儀等之高精度之載物台。

因此，本發明係鑑於上述問題點而完成者，其目的係提供如下一種裝置：於分割拍攝之視野內無定位基準之參照用標記之情形時，即使並不怎麼使用高精度之定位機構，亦可以高精度測定晶片零件之位置。

為解決以上問題，本發明之一態樣之特徵在於：其係測定分開配置於基板上之複數個晶片零件各者之位置之晶片位置測定裝置，且具備：基板保持部，其保持基板；攝像部，其將設定於基板上之特定區域分割成複數個分割攝像區域進行拍攝；晶片位置算出部，其基於攝像部所拍攝之圖像，算出分割攝像區域內所含之晶片零件各者之位置； 相對移動部，其使基板保持部與攝像部相對移動；及控制部，其驅動控制相對移動部，且一面變更設定於基板上之分割攝像區域之場所，一面對攝像部輸出攝像觸發；且於分割攝像區域包含至少2個以上之晶片零件，且，該晶片零件中之至少1個晶片零件係作為隣接之分割攝像區域之兩者所含之重複攝像晶片零件設定；晶片位置算出部係根據與先拍攝之分割攝像區域所含之其他晶片零件之位置關係，算出重複攝像晶片零件各者之位置，將後拍攝之分割攝像區域所含之重複攝像晶片零件除外之其他晶片零件各者之位置，根據與該重複攝像晶片零件之位置關係算出。

根據上述發明，可以較定位機構之定位精度更高之精度測定晶片零件之位置。

1:晶片位置測定裝置

1f:裝置框架

2:基板保持部

3:攝像部

4:相對移動部

5:晶片位置算出部

6:尺度修正部

20:基板載置台

30:鏡筒

31:照明部

32:半反射鏡

33a:對物透鏡

33b:對物透鏡

34:物鏡旋轉器機構

35:攝像相機

41:X軸滑塊

42:Y軸滑塊

43:旋轉機構

C:晶片零件(括號內之數字係排列位置)

CN:控制部

dx1~dx10:偏移量

dx20~dx24:偏移量

dxk:間隔

dxm:間隔

dy1~dy6:偏移量

dy10:偏移量

dy20~dy24:偏移量

dy40:偏移量

F:分割攝像區域(括號內之數字係攝像之順序)

FMa:基準標記

FMk:基準標記

FMq:基準標記

FMz:基準標記

L1:照明光

L2:自基板側入射之光(反射光、散射光)

M:重複攝像區域

M(1)~M(4):重複攝像區域

MW:主基板

Rxm:間隔

Ryq:間隔

Vs:箭頭

W:基板

x:方向

X11，Y11~X71，Y71:位置

X12，Y12~X52，Y52:位置

X111，Y111:位置

y:方向

z:方向

θ:方向

δxa:偏移量

δxk:偏移量

圖1係顯示將本發明具體化之形態之一例之全體構成之概略圖。

圖2係顯示將本發明具體化之形態之一例之攝像情況之概念圖。

圖3係顯示將本發明具體化之形態之一例之晶片零件各者之位置關係之俯視圖。

圖4係顯示將本發明具體化之其他形態之一例之晶片零件各者之位置關係之俯視圖。

圖5係顯示將本發明具體化之其他形態之一例之主基板與分割攝像區域之位置關係之俯視圖。

圖6係顯示將本發明具體化之其他形態之一例之分割攝像區域與晶片零件各者之位置關係之俯視圖。

以下，針對用以實施本發明之形態，一面使用圖式一面進行說明。另，以下之說明中，將正交座標系統之3軸設為X、Y、Z，將水平方向表現為X方向、Y方向，將垂直於XY平面之方向(即，重力方向)表現為Z方向。又，Z方向係將與重力相反之方向表現為上，將重力作用之方向表現為下。又，將以Z方向為中心軸旋轉之方向設為θ方向。

圖1係顯示將本發明具體化之形態之一例之全體構成之概略圖。於圖1概略性地顯示構成本發明之晶片位置測定裝置1之各部。

晶片位置測定裝置1係測定分開配置於基板W上之複數個晶片零件C各者之位置者。具體而言，晶片位置測定裝置1具備基板保持部2、攝像部3、相對移動部4、晶片位置算出部5、控制部CN等。

基板保持部2係保持基板W者。

具體而言，基板保持部2係一面將基板W自下表面側保持水平狀態一面支撐者。更具體而言，基板保持部2具備上表面水平之基板載置台20。

基板載置台20在與基板W接觸之部分設有槽部或孔部，該等槽部或 孔部經由切換閥等連接於真空泵等負壓產生機構。且，基板保持部2可藉由將該等槽部或孔部切換成負壓狀態或大氣釋放狀態，而保持或解除保持基板W。

攝像部3係將設定於基板W上之特定區域分割成複數個分割攝像區域進行拍攝者。此處所言之設定於基板W上之特定區域，係包含配置於基板W上之成為位置測定對象之所有晶片零件之區域(換言之，大的區域)。且，攝像部3係將該特定區域分割成複數個分割攝像區域(換言之，小的區域。亦稱為局部區域)進行拍攝者。

具體而言，晶片零件之排列(個數或間距等)或要求測定精度因每個品種而異，分割攝像區域之尺寸或位置係與每個品種關聯並登錄於控制部CN等。

更具體而言，攝像部3具備鏡筒30、照明部31、半反射鏡32、對物透鏡33a、33b、物鏡旋轉器機構34、攝像相機35等。

鏡筒30係將照明部31、半反射鏡32、對物透鏡33a、33b、物鏡旋轉器機構34、攝像相機35等以特定之姿勢固定，而引導照明光或觀察光者。鏡筒30經由連結配件等(未圖示)安裝於裝置框架1f。

照明部31係放出拍攝所需之照明光L1者。具體而言，照明部31可例示雷射二極體或金屬鹵化物燈、氙氣燈、LED(Light Emitting Diode：發光二極體)照明等。

半反射鏡32係使自照明部31放出之照明光L1反射並照射於基板W側，使自基板W側入射之光(反射光、散射光)L2通過攝像相機35側者。

對物透鏡33a、33b係以各不相同之特定之觀察倍率，使工件W上之攝像區域之像成像於攝像相機35者。

物鏡旋轉器機構34係切換使用對物透鏡33a、33b之何者者。具體而言，物鏡旋轉器機構34係基於手動或來自外部之信號控制，每特定角度旋轉及靜止者。

攝像相機35係拍攝工件W上之攝像區域F，取得圖像者。取得之圖像係作為影像信號或影像資料，輸出至外部(本發明中係後述細節之晶片位置算出部)。

相對移動部4係使基板保持部2與攝像部3相對移動者。

具體而言，相對移動部4係具備X軸滑塊41、Y軸滑塊42及旋轉機構43而構成。

X軸滑塊41係安裝於裝置框架1f上，使Y軸滑塊42於X方向以任意速度移動，於任意位置靜止者。具體而言，X軸滑塊係以於X方向延伸之1對導軌、於該導軌上移動之滑塊部、及使滑塊部移動及靜止之滑塊驅動部構成。滑塊驅動部可以組合有藉由來自控制部CN之信號控制而旋轉並靜止之伺服馬達或脈衝馬達與滾珠螺桿機構者，或線性馬達機構等構成。又，於X軸滑塊41，具備用以檢測滑塊部之當前位置或移動量之編碼器。另，該編碼器可例示以特定間距於稱為線性標度尺之直線狀構件雕刻細小凹凸者，或檢測使滾珠螺桿旋轉之馬達之旋轉角度之旋轉編碼器等。

Y軸滑塊42係基於自控制部CN輸出之控制信號，使旋轉機構43於Y 方向以任意速度移動，於任意位置靜止者。具體而言，Y軸滑塊係以於Y方向延伸之1對導軌、於該導軌上移動之滑塊部、及使滑塊部移動及靜止之滑塊驅動部構成。滑塊驅動部可以組合有藉由來自控制部CN之信號控制而旋轉並靜止之伺服馬達或脈衝馬達與滾珠螺桿機構者，或線性馬達機構等構成。又，於Y軸滑塊42，具備用以檢測滑塊部之當前位置或移動量之編碼器。另，該編碼器可例示以特定間距於稱為線性標度尺之直線狀構件雕刻細小凹凸者，或檢測使滾珠螺桿旋轉之馬達之旋轉角度之旋轉編碼器等。

旋轉機構43係使基板載置台20於θ方向以任意速度旋轉，以任意角度靜止者。具體而言，旋轉機構43可例示直驅馬達等藉由來自外部機器之信號控制而以任意角度旋轉/靜止者。於旋轉機構43之旋轉側之構件之上，安裝有基板保持部2之基板載置台20。

由於相對移動部4採用此種構成，故可於保持成為檢查對象之基板W之狀態下，使基板W相對於攝像部3於XYθ方向分別獨立或複合地以特定速度或角度相對移動，或以任意位置、角度靜止。

控制部CN可擔負例如如以下之功能或作用。

‧對基板保持部2保持/解除控制基板W

‧控制物鏡旋轉器機構34，切換對物透鏡

‧對攝像相機35輸出攝像觸發

‧相對移動部4之驅動控制：一面監視X軸滑塊41、Y軸滑塊22、旋 轉機構23之當前位置，一面輸出驅動用信號之功能

‧攝像位置之登錄

‧基板品種之切換

即，控制部CN可驅動控制相對移動部4，且一面變更設定於基板W上之分割攝像區域之場所，一面對攝像部3輸出攝像觸發。再者，可根據檢查品種，切換攝像倍率或視野尺寸，一面改變拍攝之間隔一面輸出攝像觸發，可取得期望之分割攝像圖像。

另，攝像觸發之輸出可例示如下方式。

‧一面於X方向掃描移動，一面每移動特定距離使照明光L1發光極短時間(所謂頻閃發光)之方式。

‧或者，於特定位置移動及靜止，照射照明光L1並拍攝(所謂步進&重複)之方式。

又，所謂攝像觸發，意指對攝像相機35或圖像處理裝置(未圖示)之圖像捕獲指示、照明光L1之發光指示等。具體而言，作為攝像觸發，(實例1)於可以攝像相機35拍攝之時間(所謂曝光時間)之期間，使照明光L1頻閃發光，或(實例2)於照射照明光L1之時間內進行拍攝。或者，攝像觸發不限於對攝像相機35之指示，亦可為(實例3)對取得圖像之圖像處理裝置之圖像捕獲指示。藉此，亦可對應於自攝像相機35逐次輸出影像信號或影像資料之形態。

更具體而言，控制部CN係以電腦或可程式化邏輯控制器等(即硬體)、及其執行程式等(即軟體)構成。再者，控制部CN具備本發明之晶片位置算出部5、尺度修正部6等，作為以硬體及軟體構成之功能區塊之一部分。

圖2係顯示將本發明具體化之形態之一例之攝像情況之概念圖。

圖2顯示攝像部3之攝像相機45相對於基板W於箭頭Vs所示方向相對移動，且拍攝分開配置於基板W上之複數個晶片零件C(1，1)~C(9，2)之情況。

具體而言，以分割攝像區域F(1)、F(2)、F(3)、F(4)之順序進行拍攝，分割攝像區域F(1)中，拍攝晶片零件C(1，1)~C(3，2)，分割攝像區域F(2)中，拍攝晶片零件C(3，1)~C(5，2)，分割攝像區域F(3)中，拍攝晶片零件C(5，1)~C(7，2)，分割攝像區域F(4)中，拍攝晶片零件C(7，1)~C(9，2)。

且，分割攝像區域F(1)與分割攝像區域F(2)係以不僅互相隣接，且一部分區域於兩者被重複拍攝之方式設定。將該隣接且被重複拍攝之區域稱為重複攝像區域M(1)。同樣地，將分割攝像區域F(2)與分割攝像區域F(3)之重複攝像區域稱為M(2)，將分割攝像區域F(3)與分割攝像區域F(4)之重複攝像區域稱為M(3)。

且，於分割攝像區域中包含至少2個以上晶片零件，且，該晶片零件中之至少1個晶片零件係作為隣接之分割攝像區域之兩者所含之重複攝像 晶片零件設定。

具體而言，以於重複攝像區域M(1)中包含晶片零件C(3，1)、C(3，2)，於重複攝像區域M(2)中包含晶片零件C(5，1)、C(5，2)，於重複攝像區域M(3)中包含晶片零件C(7，1)、C(7，2)之方式，設定分割攝像區域F(1)~F(4)之攝像位置。

晶片位置算出部5係基於攝像部3所拍攝之圖像，算出分割攝像區域內所含之晶片零件各者之位置者。再者，晶片位置算出部5係根據與先拍攝之上述分割攝像區域所含之其他晶片零件之位置關係，算出重複攝像晶片零件各者之位置，將後拍攝之上述分割攝像區域所含之上述重複攝像晶片零件除外之其他晶片零件各者之位置，根據與該重複攝像晶片零件之位置關係算出者。

圖3係顯示將本發明具體化之形態之一例之晶片零件各者之位置關係之俯視圖。圖3例示分割攝像區域F(1)、F(2)與各晶片零件C(1，1)~C(5，2)之位置關係。

具體而言，晶片位置算出部5係算出拍攝之分割攝像區域F(1)所含之晶片零件C(1，1)~C(3，2)之相互位置者。例如，以晶片零件各者之左下角之位置為基準，算出以下。

‧晶片零件C(2，1)相對於晶片零件C(1，1)之X方向之偏移量dx1及Y方向之偏移量dy1

‧晶片零件C(3，1)相對於晶片零件C(2，1)之X方向之偏移量dx2及Y方向之偏移量dy2

‧晶片零件C(1，2)相對於晶片零件C(1，1)之X方向之偏移量dx20及Y方向之偏移量dy20

‧晶片零件C(2，2)相對於晶片零件C(1，2)之X方向之偏移量dx21及Y方向之偏移量dy21

‧晶片零件C(3，2)相對於晶片零件C(2，2)之X方向之偏移量dx22及Y方向之偏移量dy22

更具體而言，若將晶片零件C(1，1)之位置設為(X11，Y11)，則晶片位置算出部5基於如以下之計算式，算出晶片零件各者之位置。

‧晶片零件C(2，1)之位置(X21，Y21)=(X11+dx1，Y11+dy1)

‧晶片零件C(3，1)之位置(X31，Y31)=(X11+dx1+dx2，Y11+dy1+dy2)

‧晶片零件C(1，2)之位置(X12，Y12)=(X11+dx20，Y11+dy20)

‧晶片零件C(2，2)之位置(X22，Y22)=(X11+dx20+dx21，Y11+dy20+dy21)

‧晶片零件C(3，2)之位置(X32，Y32)=(X11+dx20+dx21+dx22，Y11+dy20+dy21+dy22)

接著，算出拍攝之分割攝像區域F(2)所含之晶片零件C(3，1)~C(5，2)之相互位置。與上述同樣地，以晶片零件各者之左下角之位置為基準，算出以下。

‧晶片零件C(4，1)相對於晶片零件C(3，1)之X方向之偏移量dx3及Y方向之偏移量dy3

‧晶片零件C(5，1)相對於晶片零件C(4，1)之X方向之偏移量dx4及Y方向之偏移量dy4

‧晶片零件C(4，2)相對於晶片零件C(3，2)之X方向之偏移量dx23及Y方向之偏移量dy23

‧晶片零件C(5，2)相對於晶片零件C(4，2)之X方向之偏移量dx24及Y方向之偏移量dy24

更具體而言，晶片位置算出部5基於如以下之計算式，算出各者之位置。

‧由於晶片零件C(3，1)或晶片零件C(3，2)之位置如上述，故晶片零件C(4，1)之位置為(X11+dx1+dx2+dx3，Y11+dy1+dy2+dy3)

‧晶片零件C(5，1)之位置為(X11+dx1+dx2+dx3+dx4，Y11+dy1+dy2+dy3+dy4)

‧晶片零件C(4，2)之位置為(X11+dx20+dx21+dx22+dx23，Y11+dy20+dy21+dy22+dy23)

‧晶片零件C(5，2)之位置為(X11+dx20+dx21+dx22+dx23+dx24，Y11+dy20+dy21+dy22+dy23+dy24)

針對其他晶片零件C(6，1)等之位置，與上述同樣地算出。

由於採用此種構成，故發明之晶片位置測定裝置1可以最初之攝像區域所含之1個晶片零件之位置為基準，算出其他晶片零件各者之位置。

[其他形態]

另，於上述，顯示為了算出晶片零件各者之位置，而測定相鄰晶片零件彼此之X方向之間隔或Y方向之偏移量，累積地算出之步驟。

該情形時，位於最後拍攝之分割攝像區域之晶片零件各者之位置係之前的晶片零件彼此之間隔或偏移量之相加。因此，測定解析度以下之誤差蓄積於各個間隔或偏移量中，誤差累積於位於自成為最初基準之晶片零件遠離之部位之晶片零件之算出位置。於是，產生無法對所有晶片零件，以期望精度測定之擔憂。為消除此種擔憂(即，防止累積誤差之產生)，較佳為以如下述(1)、(2)之任一者或兩者所示之步驟算出位置。

(1)根據相對於成為1個基準之晶片零件之間隔或偏移量，算出1個分割攝像區域內之晶片零件各者之位置。

圖4係顯示將本發明具體化之其他形態之一例之晶片零件各者之位置關係之俯視圖。圖4例示分割攝像區域F(1)、F(2)與各晶片零件C(1，1)~C(5，2)之位置關係。

具體而言，晶片位置算出部5可如以下算出拍攝之分割攝像區域F(1)所含之晶片零件C(1，1)、C(2，1)、C(5，1)、C(6，1)等之相互位置。

‧晶片零件C(2，1)之位置(X21，Y21)根據晶片零件C(2，1)相對於晶片零件C(1，1)之X方向之偏移量dx1及Y方向之偏移量dy1，為(X21，Y21)=(X11+dx1，Y11+dy1)

‧晶片零件C(5，1)之位置(X51，Y51)根據晶片零件C(5，1)相對於晶片零件C(1，1)之X方向之偏移量dx4及Y方向之偏移量dy4，為(X51，Y51)=(X11+dx4，Y11+dy4)

‧晶片零件C(6，1)之位置(X61，Y61)根據晶片零件C(6，1)相對於晶片零件C(1，1)之X方向之偏移量dx5及Y方向之偏移量dy5，為(X51，Y51)=(X11+dx5，Y11+dy5)

再者，晶片位置算出部5可如以下算出拍攝之分割攝像區域F(2)所含之晶片零件C(6，1)、C(7，1)、C(11，1)等之相互位置。

‧晶片零件C(7，1)之位置(X71，Y71)根據晶片零件C(7，1)相對於晶片零件C(6，1)之X方向之偏移量dx6及Y方向之偏移量dy6，為(X71，Y71)=(X61+dx6，Y61+dy6)

‧晶片零件C(11，1)之位置(X111，Y111)根據晶片零件C(11，1)相對於晶片零件C(6，1)之X方向之偏移量dx10及Y方向之偏移量dy10，為(X111，Y111)=(X61+dx10，Y61+dy10)

另，此處說明了著眼於晶片零件C(1，1)~C(6，1)算出位置之步驟，但對於其他晶片C(2，1)~C(11，3)，亦可同樣地(即，以晶片零件C(1，1)、C(6，1)為基準)算出各者之位置。

(2)使用主基板算出分割攝像區域之測定位置，對晶片零件各者之位置進行尺度修正。

具體而言，設為除了上述晶片位置測定裝置1之構成外，亦具備尺度修正部之構成。且，將複數個基準標記之相互位置已知之主基板保持於上述基板保持部，基於配置於主基板之上述基準標記之相互位置，進行對於以上述晶片位置算出部算出之上述晶片零件各者之位置之修正。

圖5係顯示將本發明具體化之其他形態之一例之主基板與分割攝像區域之位置關係之俯視圖。於圖5例示複數個基準標記FMa、FMk、FMq、FMz之相互位置已知之主基板MW之俯視圖。

若將主基板MW保持於晶片位置測定裝置1之基板保持部2並使之相對移動，則成為如於分割攝像區域F(a)、F(k)之視野，觀察基準標記FMa、FMk之配置。且，基準標記FMa、FMk分別為圓形，該等圓之中心係於X方向以間隔Rxm配置。另，該間隔dxm藉由高精度之測長裝置(例如，組合有使用雷射干涉儀之移動機構、及標記位置檢測裝置等者)，已知正確位置(亦稱為相對距離、相對座標)。具體而言，將該間隔Rxm設為100.00mm，於以下進行說明。

首先，於晶片位置算出部5中以上述步驟算出分割攝像區域F(a)中觀察到之晶片零件C(a，1)與分割攝像區域F(k)中觀察到之C(k，1)之相互位置，例如將互相之X方向之間隔dxk設為100.10mm。

且，將晶片零件C(a，1)相對於基準標記FMa之X方向之偏移量設為δxa，將晶片零件C(k，1)相對於基準標記FMk之X方向之偏移量設為 δxk，以晶片位置算出部5算出各者之偏移量後，例如將δxa設為0.01mm，將δxk設為0.01mm。於是，晶片位置算出部5中，基準標記FMa、FMk之間隔dxm算出為100.12mm。但，由於原本應算出為100.00mm，故將該等值之比例Rxm/dxm(=100.00/100.12=0.9988)作為尺度修正係數而預先登錄，加上該係數而算出晶片零件各者之X方向之位置。即，上述例之情形時，若以100.10mm算出修正前之dxk，則加上尺度修正係數，將修正後之dxk值輸出為100.10×0.9988=99.98mm。

另，上述例示了對於晶片零件C(k，1)之尺度修正，但如此算出之尺度修正係數亦可適應於算出其他晶片零件之位置之情形。又，上述說明了對於X方向進行尺度修正之步驟，但對於Y方向亦可同樣地(Y方向之情形時，以基準標記FMa、FMq之間隔Ryq等為基準)算出尺度修正係數，考慮該尺度修正係數，算出晶片零件各者之Y方向之位置。

藉由設為此種構成，可減輕或消除位於遠處之晶片零件之測定位置之累積誤差。

[其他形態]

另，於上述，於以相對移動部4之X軸滑塊41與Y軸滑塊42之正交度為期望之精度加以組裝之前提下進行了說明。但，為方便組裝機器，於X軸滑塊41與Y軸滑塊42之正交度略微偏移，或無法期待偏移之改善之情形，或謀求更高精度之測定之情形時，較佳以如下之步驟或構成，修正並算出晶片零件各者之位置。

具體而言，使用主基板MW修正正交度。於主基板MW，如圖5所示，基準標記FMa、FMk、FMq、FMz各者之中心位置配置於縱Ryq×橫Rxm之長方形或正方形之矩形之頂點。因此，使相對移動部4之X軸滑塊41或Y軸滑塊42移動，以攝像部3拍攝該等基準標記FMa、FMk、FMq、FMz，取得各者之中心位置。且，由使相對移動部4之X軸滑塊41移動而拍攝基準標記FMa、FMk時之X方向之間隔及Y方向之偏移量、及使Y軸滑塊42移動而拍攝基準標記FMa、FMq時之Y方向之間隔及X方向之偏移量，算出X軸滑塊41與Y軸滑塊42之正交度偏移何種程度。且，晶片位置算出部5中，以消除因該正交度所致之偏移量之方式，修正並算出晶片零件各者之位置。

若為此種構成，則以晶片位置算出部5算出之晶片零件各者之位置可減小或防止因相對移動部4之X軸滑塊41與Y軸滑塊42之正交度之偏移所致之位置測定之誤差。

[其他形態]

另，於上述，於相對移動部4之X軸滑塊41與Y軸滑塊42之直線度(亦稱為線直度、直進度)對晶片零件各者之位置測定無影響之前提下，進行了詳細說明。但，機器構成上，有與移動方向正交之方向上略微蜿蜒，分割攝像區域於θ方向傾斜之情況。於是，於分割攝像區域之X方向與Y方向上，包含因於θ方向偏移而產生之誤差，故產生對晶片零件各者之位置測定造成影響之擔憂。

為減輕或消除此種擔憂(即，取得圖像之θ方向之偏移之影響)，於應用本發明時，較佳為分割攝像區域中包含至少2行以上之上述晶片零件，且，該晶片零件中之至少1行晶片零件預先作為隣接之上述分割攝像區域之兩者所含之重複攝像晶片零件而設定。且，晶片位置算出部5中，算出後拍攝之上述分割攝像區域所含之重複攝像晶片零件除外之其他晶片零件各者之位置時，由複數個重複攝像晶片零件之位置關係(即，X方向及Y方向之位置)，算出θ方向之偏移成分，修正該偏移成分，算出晶片零件各者之位置。

若為此種形態，則即使一面相對移動一面取得之分割攝像區域之圖像於θ方向略微傾斜，亦可消除該傾斜之影響，以期望之精度算出各個晶片零件之位置。

[其他形態]

另，於上述，顯示於1個分割攝像區域排列有縱2×橫3之合計6個晶片零件之例(圖2、3)，或於1個分割攝像區域排列有縱3×橫6之合計18個晶片零件之例(圖4)，一面例示其中縱1行之晶片零件作為重複攝像晶片，於隣接之分割攝像區域之兩者被拍攝之形態，一面進行詳細說明。

但，可將該縱橫之晶片零件之數量適當增減，應用本發明。例如，若增加縱橫之晶片零件之數量(例如，設定為縱30×橫40)，則可增加每單位時間可處理之基板之塊數(所謂WPH)。另一方面，若減少縱橫之晶片數 量，則可縮小攝像視野尺寸(亦稱為提高攝像之倍率)，提高像素解析度，謀求測定精度之提高。

即，應用本發明時，1個分割攝像區域中包含至少2個晶片，其中1者作為重複攝像晶片設定即可。

[變化例]

另，於上述，顯示了對於分開配置於基板上之晶片零件C(1，1)~C(9，2)，以分割攝像區域F(1)、F(2)、F(3)、F(4)之順序，於X方向變更分割攝像區域，且測定該分割攝像區域所含之晶片零件各者之位置之具體步驟等。但，於應用本發明時，不僅於X方向設定重複攝像區域，於X方向相對移動，亦可於Y方向設定重複攝像區域，於Y方向相對移動，基於先拍攝之圖像所含之重複攝像晶片之位置關係，算出其他晶片零件各者之位置。或者，亦可如圖6所例示，於XY方向兩者設定重複攝像區域M(1)~M(4)，於晶片位置算出部5，如下述算出晶片零件各者之位置。

‧以C(1，1)之位置為基準，算出分割攝像區域F(1)之晶片零件C(1，1)~C(6，2)各者之位置。

‧以C(6，1)等之位置為基準，算出分割攝像區域F(2)之晶片零件C(7，1)~C(11，2)各者之位置。

‧以C(6，3)等之位置為基準，算出分割攝像區域F(m)之晶片零件C(6，4)~C(11，5)各者之位置。

‧以C(6，3)等之位置為基準，算出分割攝像區域F(m+1)之晶片零件C(1，4)~C(5，5)各者之位置。

[其他變化例]

另，於上述，作為算出晶片位置算出部5之各晶片零件之位置之具體例，顯示了以各晶片零件之左下角之位置為基準之例。但，於應用本發明時，亦可以各晶片零件之中央或重心位置、其他角之位置為基準算出。

又，於上述，例示了同軸落射方式作為照明部31，但亦可為透過照明或斜光照明、環形照明、穹頂照明等。

[應用例]

另，於上述，著眼於晶片位置測定進行了詳細說明。但，亦可為於具備檢查晶片零件之破裂或缺損、劃痕或污垢之功能之檢查裝置，或具備雷射照射或分配器、噴墨等之加工功能之裝置等中組入有(利用)本發明之構成。

3‧‧‧攝像部

35‧‧‧攝像相機

C‧‧‧晶片零件(括號內之數字係排列位置)

F‧‧‧分割攝像區域(括號內之數字係攝像之順序)

Vs‧‧‧箭頭

W‧‧‧基板

x‧‧‧方向

y‧‧‧方向

z‧‧‧方向

Claims (2)

1. 一種晶片位置測定裝置，其特徵在於：其係測定分開配置於基板上之複數個晶片零件各者之位置者，且具備：基板保持部，其保持上述基板；攝像部，其將設定於上述基板上之特定區域分割成複數個分割攝像區域進行拍攝；晶片位置算出部，其基於上述攝像部所拍攝之圖像，算出上述分割攝像區域內所含之上述晶片零件各者之位置；相對移動部，其使上述基板保持部與上述攝像部相對移動；及控制部，其驅動控制上述相對移動部，且一面變更設定於上述基板上之上述分割攝像區域之場所，一面對上述攝像部輸出攝像觸發；且於上述分割攝像區域包含至少2個以上之上述晶片零件，且，該晶片零件中之至少1個晶片零件係作為隣接之上述分割攝像區域之兩者所含之重複攝像晶片零件而設定；上述晶片位置算出部係：根據與先拍攝之上述分割攝像區域所含之其他晶片零件之位置關係，算出上述重複攝像晶片零件各者之位置；將後拍攝之上述分割攝像區域所含之上述重複攝像晶片零件除外之其他晶片零件各者之位置，根據與該重複攝像晶片零件之位置關係算出；且上述晶片位置測定裝置具備尺度修正部，其係：使上述基板保持部保持複數個基準標記之相互位置為已知之主基 板，基於配置於上述主基板之上述基準標記之相互位置，進行對於由上述晶片位置算出部算出之上述晶片零件各者之位置之修正。
2. 如請求項1之晶片位置測定裝置，其中於上述分割攝像區域中包含至少2行以上之上述晶片零件，且，該晶片零件中之至少1行晶片零件係作為隣接之上述分割攝像區域之兩者所含之重複攝像晶片零件設定。

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