TWI791580B - 對準圖案的設定方法 - Google Patents

對準圖案的設定方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI791580B
TWI791580B TW107126863A TW107126863A TWI791580B TW I791580 B TWI791580 B TW I791580B TW 107126863 A TW107126863 A TW 107126863A TW 107126863 A TW107126863 A TW 107126863A TW I791580 B TWI791580 B TW I791580B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
alignment pattern
setting
image
wafer
area
Prior art date
Application number
TW107126863A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201913844A (zh
Inventor
渡部晃司
宮田諭
Original Assignee
日商迪思科股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商迪思科股份有限公司 filed Critical 日商迪思科股份有限公司
Publication of TW201913844A publication Critical patent/TW201913844A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI791580B publication Critical patent/TWI791580B/zh

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

[課題]提供一種對準圖案的設定方法,即使對準圖案不包含特徵部分,也可抑制對準精度的降低。 [解決手段]對準圖案的設定方法具備:拍攝包含晶圓的切割道的交叉部之圖像之拍攝步驟;在顯示有包含交叉部之圖像之裝置的操作畫面中,指定2個以上包含切割道與相異器件間的界線之區域之指定步驟;製作包含所有指定之區域之全體圖之全體圖製作步驟;在全體圖中,將指定之區域以外進行遮蓋之遮蓋步驟;將經過遮蓋之全體圖設定為對準圖案之設定步驟;及儲存對準圖案與切割道的寬度方向的中心間的距離之儲存步驟。

Description

對準圖案的設定方法
發明領域 本發明是關於一種對準圖案(alignment pattern)的設定方法,是在分割晶圓時,設定檢測加工位置時所使用之對準圖案。
發明背景 將矽、藍寶石、鎵等作為母材之圓板狀的半導體晶圓或光器件晶圓等的晶圓,藉由正面的格子狀的分割預定線所區劃之複數個區域中,形成有器件。晶圓是藉由雷射加工裝置或切割裝置等的加工裝置,沿著分割預定線而被分割成一個個的器件(例如,參照專利文獻1)。
專利文獻1等所示之加工裝置,是藉由全自動加工而分割前述之晶圓時,將預先設定之對準圖案,與拍攝了加工對象的晶圓之圖像,實施圖案匹配(pattern matching)等的圖像處理,而執行對於晶圓進行加工機構的位置整合之對準,並且執行判定加工機構所加工之加工位置是否適當之切口檢查(kerf check)。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1:日本專利特開2014-203836號公報
發明概要 發明欲解決之課題 為了執行前述之對準及切口檢查,專利文獻1等所示之加工裝置的加工對象的晶圓在每個器件上形成有對準圖案,並且為了避免被誤認為是其他部分,對準圖案較佳的是包含其他部分沒有之特徵部分。
本發明是有鑑於此問題點而作成者,其目的在於提供一種對準圖案的設定方法,即使是對準圖案沒有包含特徵部分,也可抑制對準精度的降低。 用以解決課題之手段
為了解決上述課題並達成目的,本發明的對準圖案的設定方法,是將正面形成有藉由複數條切割道而被區劃成格子狀之器件之晶圓,沿著該切割道分割時,用以檢測該切割道的位置的對準圖案的設定方法,該對準圖案的設定方法之特徵在於具備:拍攝包含該切割道的交叉部之圖像之拍攝步驟;在顯示有包含該交叉部之圖像之裝置的操作畫面之中,指定至少2個以上包含該切割道與器件間的界線之區域之指定步驟;製作包含所有的指定區域之全體圖之全體圖製作步驟;在該全體圖中,將指定之區域以外進行遮蓋之遮蓋步驟;將被遮蓋之全體圖設定為對準圖案之設定步驟;及儲存該對準圖案的任一區域、與該切割道的寬度方向的中心間的距離之儲存步驟。
在前述對準圖案的設定方法中,其中該指定步驟也可將避開形成於該切割道之構件或是加工痕之位置,指定為該區域。
在前述對準圖案的設定方法中,其中該指定步驟也可藉由描繪顯示有包含該交叉部之圖像之裝置的操作畫面,來指定該區域。 發明效果
即使對準圖案不包含特徵部分,本發明的對準圖案的設定方法也可具有抑制對準精度的降低之效果。
用以實施發明之形態 針對用於實施本發明之形態(實施形態),參照圖式並且詳細地進行說明。本發明並非因以下實施形態所記載之內容而受到限定的發明。又,在以下所記載之構成要件中,包含所屬技術領域中具有通常知識者可輕易設想得到的或實質上是相同的。此外,以下所記載之構成是可適當組合的。又,在不脫離本發明之要旨的範圍內,可進行各種構成之省略、置換或變更。
[實施形態1] 依據圖式來說明本發明的實施形態1之對準圖案的設定方法。圖1是顯示實施實施形態1之對準圖案的設定方法的雷射加工裝置之構成例的立體圖。圖2是圖1所示之雷射加工裝置的加工對象之晶圓的立體圖。
實施形態1之對準圖案的設定方法是半導體製程等所使用之加工裝置在分割圖1及圖2所示之晶圓100時所實施之方法。加工裝置是藉由雷射加工而分割晶圓100之圖1所示的雷射加工裝置1、或者是切割晶圓100以進行分割之切割裝置。
晶圓100是以矽、藍寶石、鎵等為母材之圓板狀的半導體晶圓與光器件晶圓。如圖2所示,晶圓100在正面101形成有被複數條切割道102區劃成格子狀的器件103。又,晶圓100在切割道102上形成有構件,即TEG (Test Element Group,測試元件群)104。TEG104是由金屬等所形成,並且是用以發現器件103的設計、製造上的問題的測試圖案。TEG104配置在晶圓100的切割道102的預先設定之規定位置上。
又,在實施形態1中,雖然TEG104的配置位置與各個切割道102不同,但本發明之晶圓100也可具備與TEG104的配置位置相同之複數條切割道102。再者,圖2顯示了配置在部分的切割道102上之TEG104,省略了配置於其他切割道102上之TEG104。又,在實施形態1中,雖然晶圓100是在切割道102上形成構件,即TEG104,但本發明並不限定於TEG104,也可形成CMP (Chemical Mechanical Polishing,化學機械拋光)用的虛擬(dummy)圖案以作為構件。CMP的虛擬圖案是在CMP研磨時,為了均等地磨削晶圓100以抑制厚度的不一致,而在切割道102上形成圖案者,且圖案是由金屬、氧化膜或是樹脂等構成。又,在實施形態1中,晶圓100藉由將黏著膠帶110貼附在正面101的背面側的背面105上,並且將環狀框架111貼附在黏著膠帶110的外周上,而與環狀框架111成為一體。
如圖1所示,作為加工裝置的一例的雷射加工裝置1,具備:工作夾台10,藉由保持面11而吸引保持晶圓100,並且藉由旋轉驅動源而可繞軸心旋轉;雷射光線照射單元20,將對於保持在工作夾台10上之晶圓100具有吸收性之波長的雷射光線,照射在晶圓100上;圖未示之X軸移動單元,使工作夾台10在X軸方向上移動;及圖未示之Y軸移動單元,使工作夾台10在Y軸方向上移動。又,雷射加工裝置1具備:載置收納雷射加工前後的晶圓100之匣盒30,並且使匣盒30在Z軸方向上昇降之匣盒昇降部40;在匣盒30與工作夾台10之間搬送晶圓100之圖未示之搬送單元;拍攝保持在工作夾台10之晶圓100之拍攝單元50;及控制各構成要件之電腦,即控制單元60。
雷射光線照射單元20具備加工頭21,前述加工頭21對保持在工作夾台10上的晶圓100相向,且照射雷射光線。拍攝單元50安裝在雷射光線照射單元20的加工頭21上。拍攝單元50具備將保持在工作夾台10之晶圓100的正面101進行攝影之CCD(Charge Coupled Device)拍攝元件等。拍攝單元50將拍攝而得之圖像輸出至控制單元60。
控制單元60是分別控制雷射加工裝置1的上述之構成要件,並使雷射加工裝置1實施對晶圓100之加工動作的單元。再者,控制單元60是電腦。控制單元60具有運算處理裝置、儲存裝置及輸入輸出介面裝置,該運算處理裝置具有如CPU(central processing unit,中央處理單元,)的微處理器,該儲存裝置具有如ROM(read only memory,唯讀記憶體)或RAM(random access memory,隨機存取記憶體)之記憶體。
控制單元60的運算處理裝置是依照儲存於儲存裝置中之電腦程式實施運算處理,並將用於控制雷射加工裝置1的控制訊號透過輸入輸出介面裝置輸出至雷射加工裝置1的上述之構成要件。又,控制單元60是與顯示單元70及輸入單元80相連接,前述顯示單元70是顯示加工動作的狀態或圖像等,前述輸入單元80是在操作人員登錄加工內容資訊等之時使用。
顯示單元70包含液晶顯示器(liquid crystal display)、有機EL顯示器(organic electro-luminescence display),或者是無機EL顯示器(Inorganic electro-luminescence display)等的顯示器件。顯示器件的畫面71即為操作畫面。顯示單元70將文字、圖像、記號及圖形等顯示於畫面內。又,顯示單元70顯示拍攝單元50拍攝而得之圖像。
輸入單元80具備重疊在構成顯示單元70之顯示器件的畫面71上之觸控面板81,及鍵盤等的圖未示之外部輸入裝置。觸控面板81檢測手指、筆,或是觸控筆等的接觸或接近。觸控面板81可檢測複數個手指、筆或是觸控筆等接觸或是接近時的觸控面板81上的位置。在以下的說明中,將觸控面板81所檢測之複數個手指、筆及觸控筆等接觸或接近時之位置,表示為「檢測位置」。輸入單元80將手指等的接觸或接近及檢測位置輸出至控制單元60。
雷射加工裝置1從雷射光線照射單元20的加工頭21照射雷射光線於晶圓100上,並且藉由X軸移動單元、旋轉驅動源及Y軸移動單元,而使工作夾台10與加工頭21沿著切割道102進行相對地移動並實施燒蝕加工,以在切割道102上形成雷射加工溝。在實施形態1中,將藉由雷射加工裝置1而在切割道102上形成有雷射加工溝之晶圓100,沿著雷射加工溝被切斷等,而分割成一個個的器件103。
又,在雷射加工裝置1中,控制單元60將拍攝單元50拍攝而得之圖像輸出至顯示單元70,並且顯示於顯示單元70上。在晶圓100的雷射加工前,控制單元60執行使晶圓100與加工頭21進行對位之對準,並且在晶圓100的雷射加工中執行切口檢查,前述切口檢查是用以判定是否可容許實際形成於切割道102之雷射加工溝的位置,及形成於雷射加工溝的寬度方向的兩側緣之碎片的大小。雷射加工裝置1在執行對準時,使控制單元60將預先儲存於儲存裝置之對準圖案200與拍攝單元50拍攝而得之圖像,實施圖案匹配等的圖像處理。
接著,說明實施形態1之對準圖案的設定方法。圖3是顯示實施形態1之對準圖案的設定方法的流程之流程圖。圖4是顯示圖3所示之對準圖案的設定方法的拍攝步驟中所得到之圖像的一例之圖式。圖5是顯示在圖4所示之圖像中,實施圖3所示之對準圖案的設定方法的指定步驟之一例之圖式。圖6是將圖5所示之圖像的主要部分放大顯示之圖式。圖7是顯示在圖5所示之圖像中,實施圖3所示之對準圖案的設定方法的全體圖製作步驟之一例之圖式。圖8是顯示在圖7所示之圖像中,實施圖3所示之對準圖案的設定方法的遮蓋步驟之一例之圖式。圖9是顯示在對準圖案的設定方法的儲存步驟中所儲存之對準圖案與切割道間的距離等的一例之圖式。
實施形態1之對準圖案的設定方法(以下,簡稱為設定方法),是在晶圓100的切割道102上形成雷射加工溝,並且將晶圓100沿著切割道102而分割成一個個的器件103時,設定用以檢測切割道102的位置的對準圖案200之方法。對準圖案200是一種當雷射加工裝置1的控制單元60檢測在切割道102上加工雷射加工溝之位置(座標資訊)(亦即,執行對準)時所使用的圖案匹配之圖像資訊,且是藉由實施形態1之設定方法而設定,並儲存在儲存裝置中。再者,在實施形態1中,位置(座標資訊)顯示了從晶圓100的預先設定之基準位置的X軸方向及Y軸方向的座標。
設定方法是首先操作員將收納與環狀框架111成為一體之晶圓100之匣盒30,載置於雷射加工裝置1的匣盒昇降部40上,然後,操作員操作輸入單元80,而將執行對準時拍攝單元50拍攝之晶圓100的正面101的位置登錄於控制單元60。再者,在實施形態1中,執行對準時拍攝之晶圓100的正面101的位置,是可拍攝各個切割道102交叉之交叉部106(如圖2所示)之位置。如圖3所示,設定方法具備拍攝步驟ST1、指定步驟ST2、全體圖製作步驟ST3、遮蓋步驟ST4、設定步驟ST5及儲存步驟ST6。
拍攝步驟ST1是拍攝包含晶圓100的切割道102的交叉部106之圖像300(如圖4所示)之步驟。在拍攝步驟ST1中,當操作員操作輸入單元80,並輸入對準圖案200的設定開始指示時,控制單元60在搬送單元中從匣盒30取出1片雷射加工前的晶圓100,並且載置於工作夾台10的保持面11上,而使晶圓100被吸引保持在工作夾台10的保持面11上。
接著,控制單元60藉由X軸移動單元而使工作夾台10朝向雷射光線照射單元20的加工頭21的下方移動,並且使工作夾台10配置在安裝於加工頭21之拍攝單元50的下方且執行保持於工作夾台10之晶圓100的對準時所進行拍攝之位置上,使拍攝單元50拍攝晶圓100的正面101。如圖4所示,控制單元60將圖像300顯示於顯示單元70的操作畫面,即畫面71上,該圖像300包含拍攝單元50拍攝而得之晶圓100的正面101的切割道102的交叉部106。再者,由於圖像300是拍攝單元50拍攝而得之圖像,因此是以規定的灰階而顯示有光的強弱之圖像,亦即為具有濃淡之圖像。設定方法是當圖像300顯示於顯示單元70的畫面71時,則進入指定步驟ST2。
指定步驟ST2是在顯示有包含交叉部106之圖像300之裝置中,即顯示單元70的畫面71中,指定至少2個以上之區域400之步驟,區域400包含切割道102與相異器件103間的界線。實施形態中,在指定步驟ST2,操作員在顯示於顯示單元70的畫面71之圖像300中,使觸控筆90接觸並在區域400的外緣上移動,藉由觸控筆90進行描繪,前述區域400是包含切割道102與各器件103間之界線,且圍繞避開配置於切割道102之TEG104之位置。
在指定步驟ST2中,控制單元60從輸入單元80的觸控面板81的觸控筆90的檢測位置,來檢測觸控筆90在畫面71上移動之軌跡,以作為區域400的外緣的位置,並且儲存於儲存裝置中。再者,雖然在實施形態1中,指定步驟ST2中是以觸控筆90進行描繪,但本發明不限定於觸控筆90,也可以手指或是筆等來描繪。
再者,當控制單元60檢測並儲存區域400的外緣的位置時,輸入單元80的觸控面板81以顯示單元70的畫面71的像素(pixel)單位來檢測觸控筆90的位置,並將觸控面板81的觸控筆90的檢測位置的畫素數值化,例如為「1」,且將檢測位置以外之畫素數值化,例如為「0」。控制單元60從前述數值化之像素的位置,及在執行登錄後之對準時,拍攝單元50所拍攝之晶圓100的正面101的位置等,來計算區域400的外緣的位置,並且指定為區域400。又,在指定步驟ST2中,如圖5所示,控制單元60在顯示單元70的畫面71中,顯示所指定之區域400。又,實施形態1中,在指定步驟ST2雖然指定了4個區域400,但本發明並不限定於4個,只要指定2個以上的區域400即可。
再者,若區域400的外緣如圖6所示地而斷開,如圖6中的虛線所示,控制單元60將斷開的兩端401、402之間以通過最短的線來連結,來計算區域400的外緣的位置。如此,在指定步驟ST2中,操作員將包含顯示於顯示單元70的畫面71之圖像300的切割道102與器件103間的界線且避開配置於切割道102之TEG104的位置,指定為區域400,並至少指定2個以上之區域400。又,在指定步驟ST2中,操作員藉由觸控筆90描繪顯示有顯示單元70的圖像300之畫面71,來指定區域400。設定方法是當操作員操作輸入單元80,而輸入區域400的指定已結束之指令時,則進入全體圖製作步驟ST3。
全體圖製作步驟ST3是製作包含指定步驟ST2所指定之所有的區域400之全體圖500的步驟。在全體圖製作步驟ST3中,控制單元60計算在指定之各區域400的X軸方向及Y軸方向各自的座標中最大的座標與最小的座標。控制單元60計算在所有的區域400的X軸方向的複數個最大座標中的最大X軸方向座標501,及複數個最小座標中的最小X軸方向座標502,並且計算在所有的區域400的Y軸方向的複數個最大座標中的最大Y軸方向座標503,及複數個最小座標中的最小Y軸方向座標504。
控制單元60將最大X軸方向座標501、最小X軸方向座標502、最大Y軸方向座標503與最小Y軸方向座標504所圍繞之區域,製作成全體圖500。在全體圖製作步驟ST3中,如圖7所示,控制單元60將全體圖500顯示於顯示單元70的畫面71上。設定方法是當控制單元60製作全體圖500時,則進入遮蓋步驟ST4。
遮蓋步驟ST4是在全體圖500中,遮蓋指定之區域400以外的步驟。在遮蓋步驟ST4中,控制單元60將顯示於顯示單元70之全體圖500中的所有的區域400的外側,如圖8之網格所示,進行變黑之圖像處理,而形成遮罩510。亦即,在遮蓋步驟ST4中,控制單元60將全體圖500中的所有的區域400的外側,形成為遮罩510。再者,本發明在遮蓋步驟ST4中,控制單元60也可將顯示於顯示單元70之全體圖500中的所有的區域400的外側,進行變白之圖像處理,而形成遮罩510。設定方法是當控制單元60形成遮罩510時,則進入設定步驟ST5。
設定步驟ST5是將形成有遮罩510之全體圖500,設定為對準圖案200的步驟。在設定步驟ST5中,控制單元60將包含以規定灰階的光的強弱所顯示之各區域400與遮罩510之全體圖500,設定為對準圖案200,並儲存於儲存裝置中。設定方法是當控制單元60儲存對準圖案200時,則進入儲存步驟ST6。
儲存步驟ST6是儲存對準圖案200的任一區域400及與切割道102的寬度方向的中心107間的距離201(如圖9所示)之步驟。再者,本發明在儲存步驟ST6中,也可儲存任一區域400與切割道102的端部之間的距離,簡而言之,可儲存任一區域400與切割道102的任意位置間的距離。在儲存步驟ST6中,操作員操作輸入單元80,並且輸入對準圖案200的複數個區域400中的任一者與切割道102的寬度方向的中心107間的距離201,且控制單元60將輸入之距離201儲存於儲存裝置,並如圖9所示,在顯示單元70的畫面71上顯示切割道102的中心107。設定方法是當控制單元60儲存距離201時則結束。
如上所述,設定有對準圖案200之雷射加工裝置1的控制單元60,在執行對準時,使拍攝單元50拍攝在晶圓100的正面101中的預先登錄之對準執行時所拍攝的位置。控制單元60在執行對準時,在拍攝單元50所拍攝而得之圖像、及對準圖案200的區域400的圖像,實施圖案匹配等的圖像處理。控制單元60基於圖像處理的結果,從拍攝單元50拍攝而得之圖像等,來算出切割道102的位置。
控制單元60使工作夾台10繞著軸心旋轉,而使互相正交之切割道102中的一者與X軸方向平行,並且使晶圓100與雷射光線照射單元20的加工頭21進行對位,而使雷射光線從區域400照射在成為儲存步驟ST6所儲存之距離201之位置上。然後,控制單元60令旋轉驅動源將晶圓100繞著軸心旋轉90度,且使互相正交之切割道102中的另一者的對準與其中一者同樣地被執行。然後,控制單元60根據加工條件,並藉由X軸移動單元、Y軸移動單元與旋轉驅動源,使雷射光線照射單元20的加工頭21與晶圓100沿著切割道102進行相對地移動,而在切割道102上形成雷射加工溝。
在實施形態1之設定方法是在指定步驟ST2中指定4個包含切割道102與相異器件103間的界線之區域400。因此,設定方法會將包含複數條切割道102與器件103間的界線之區域400,包含在對準圖案200中。其結果為,由於設定方法可使用複數個包含複數條切割道102與器件103間的界線之區域400來進行對準,因此即使區域400,即對準圖案200不包含特徵部分,也可抑制對準精度的降低。
又,實施形態1之設定方法是在指定步驟ST2中,將避開配設在切割道102之TEG104的位置指定為區域400,並且在遮蓋步驟ST4中,將全體圖500的區域400的外側形成為遮罩510。因此,可抑制設定方法所設定之對準圖案200包含配設於切割道102上的TEG104。其結果為,由於設定方法是可抑制對準圖案200包含反射光之TEG104,因此可抑制對準精度的降低。
又,在實施形態1之設定方法中,由於藉由描繪顯示單元70的畫面71來指定區域400,因此可輕易地指定區域400,並且可輕易地設定對準圖案200。
[實施形態2] 依據圖式來說明本發明的實施形態2之對準圖案的設定方法。圖10是顯示實施形態2之對準圖案的設定方法的指定步驟的圖像的一例之圖式。圖11是顯示實施實施形態2之對準圖案的設定方法的指定步驟後的圖像的一例之圖式。再者,圖10及圖11是對與實施形態1相同的部分附加相同的符號且省略說明。
實施形態2之對準圖案的設定方法(以下,簡稱為設定方法),除了指定步驟ST2與實施形態1不同之外,其他與實施形態1的設定方法是相同的。
在實施形態2之設定方法的指定步驟ST2中,如圖10所示,控制單元60在顯示單元70的畫面71所顯示之圖像300內,顯示指定區域600,並且依照操作員從輸入單元80的操作,而使指定區域600在圖像300上移動。當操作員從輸入單元80輸入決定指定區域600的位置的操作時,如圖11所示,控制單元60將決定後之指定區域600,與實施形態1同樣地指定為前述之區域400(計算外緣的位置並儲存)。再者,在實施形態2中,雖然指定區域600的平面形狀為矩形,且圖像300上僅顯示指定區域600的各個角部601,但在本發明中,指定區域600的形狀及顯示方法並不限定於實施形態2所示者。
實施形態2之設定方法是在指定步驟ST2中,指定4個包含切割道102與相異器件103間的界線之區域400。因此,設定方法會是將包含複數條切割道102與器件103間的界線之複數個區域400,包含在對準圖案200中,並且與實施形態1同樣地,即使區域400,即對準圖案200不包含特徵部分,也可抑制對準精度的降低。
[實施形態3] 依據圖式來說明本發明的實施形態3之對準圖案的設定方法。圖12是顯示實施形態3之對準圖案的設定方法在拍攝步驟所得到之圖像的一例的圖式。圖13是顯示在實施形態3之對準圖案的設定方法的拍攝步驟所得到之圖像中,實施指定步驟後之一例之圖式。再者,圖12及圖13,是對與實施形態1相同的部分附加相同的符號且省略說明。
如圖12所示,實施形態3之對準圖案的設定方法(以下,簡稱為設定方法),除了在晶圓100的各切割道102上配置有作為加工痕即雷射刻槽(laser grooving)痕之外,其他與實施形態1的設定方法相同。在晶圓100的正面101上形成有低介電值絕緣體被膜(Low-k膜)之情況下,為了抑制因切割加工而低介電值絕緣體被膜剝離等,而在各切割道102的寬度方向的兩端分別形成雷射刻槽痕108。雷射刻槽痕108是在各切割道102的寬度方向的兩端上,施行利用雷射光線之燒蝕加工,而形成為與切割道102平行之所謂雷射加工溝。再者,低介電值絕緣體被膜是由如SiOF或是BSG(SiOB)的無機物系的膜、與聚醯亞胺(polyimide)系或是聚對二甲苯(parylene)系等的聚合物膜,即有機物系的膜而構成。
在實施形態3之設定方法的指定步驟ST2中,操作員以觸控筆90描繪區域400的外緣,且控制單元60計算區域400的外緣的位置,而指定為區域400,前述區域400是如下的位置:包含顯示於顯示單元70的畫面71之圖像300的切割道102與各器件103間的界線,且圍繞避開配置於切割道102上之TEG104及雷射刻槽痕108。又,在指定步驟ST2中,如圖13所示,控制單元60在顯示單元70的畫面71中顯示被指定之區域400。如此一來,雖然在實施形態3之設定方法的指定步驟ST2中,將避開TEG104及雷射刻槽痕108之位置指定為區域400,但本發明在切割道102上未配置TEG104,而僅配置有雷射刻槽痕108之情況下,在指定步驟ST2中,宜將避開雷射刻槽痕108之位置指定為區域400。亦即,本發明是在指定步驟ST2中,將避開TEG104或CMP用的虛擬圖案等的構件,與加工痕之雷射刻槽痕108的至少一者之位置,指定為區域400。
實施形態3之設定方法是在指定步驟ST2中,指定4個包含切割道102與相異器件103間的界線之區域400。因此,設定方法與實施形態1同樣地,即使區域400即對準圖案200不包含特徵部分,也可抑制對準精度的降低。
又,實施形態3之設定方法是在指定步驟ST2中,將避開配設於切割道102之TEG104及雷射刻槽痕108之位置指定為區域400。其結果為,設定方法可抑制對準圖案200包含反射光之TEG104及雷射刻槽痕108,因此可抑制對準精度的降低。
再者,本發明並不受限於上述實施形態。亦即,在不脫離本發明的主旨的範圍內可進行各種變形而實施。再者,在前述之實施形態1及實施形態2中,雖然揭露了以雷射加工裝置1作為加工裝置的一例,但本發明的對準圖案的設定方法也可用於切割裝置中。
1‧‧‧雷射加工裝置10‧‧‧工作夾台11‧‧‧保持面100‧‧‧晶圓101‧‧‧正面102‧‧‧切割道103‧‧‧器件104‧‧‧TEG(構件)105‧‧‧背面106‧‧‧交叉部107‧‧‧中心108‧‧‧雷射刻槽痕110‧‧‧黏著膠帶111‧‧‧環狀框架20‧‧‧雷射光線照射單元21‧‧‧加工頭200‧‧‧對準圖案201‧‧‧距離30‧‧‧匣盒300‧‧‧圖像40‧‧‧匣盒昇降部400‧‧‧區域401、402‧‧‧兩端50‧‧‧拍攝單元500‧‧‧全體圖501‧‧‧最大X軸方向座標502‧‧‧最小X軸方向座標503‧‧‧最大Y軸方向座標504‧‧‧最小Y軸方向座標510‧‧‧遮罩60‧‧‧控制單元600‧‧‧指定區域601‧‧‧角部70‧‧‧顯示單元(裝置)71‧‧‧畫面(操作畫面)80‧‧‧輸入單元81‧‧‧觸控面板90‧‧‧觸控筆X、Y、Z‧‧‧方向ST1‧‧‧拍攝步驟ST2‧‧‧指定步驟ST3‧‧‧全體圖製作步驟ST4‧‧‧遮蓋步驟ST5‧‧‧設定步驟ST6‧‧‧儲存步驟
圖1是顯示實施實施形態1之對準圖案的設定方法之雷射加工裝置的構成例之立體圖。 圖2是圖1所示之雷射加工裝置的加工對象的晶圓的立體圖。 圖3是顯示實施形態1之對準圖案的設定方法的流程之流程圖。 圖4是顯示在圖3所示之對準圖案的設定方法的拍攝步驟中所得到之圖像的一例之圖式。 圖5是顯示在圖4所示之圖像實施了圖3所示之對準圖案的設定方法的指定步驟之一例之圖式。 圖6是顯示將圖5所示之圖像的主要部分放大之圖式。 圖7是顯示在圖5所示之圖像實施了圖3所示之對準圖案的設定方法的全體圖製作步驟之一例之圖式。 圖8是顯示在圖7所示之圖像實施了圖3所示之對準圖案的設定方法的遮蓋步驟之一例之圖式。 圖9是顯示在對準圖案的設定方法的儲存步驟中所儲存之對準圖案與切割道間的距離等的一例之圖式。 圖10是顯示實施形態2之對準圖案的設定方法的指定步驟的圖像的一例之圖式。 圖11是顯示實施實施形態2之對準圖案的設定方法的指定步驟後的圖像的一例之圖式。 圖12是顯示在實施形態3之對準圖案的設定方法的拍攝步驟中所得到之圖像的一例之圖式。 圖13是顯示在實施形態3之對準圖案的設定方法的拍攝步驟中所得到之圖像,實施指定步驟後之一例之圖式。
ST1‧‧‧拍攝步驟
ST2‧‧‧指定步驟
ST3‧‧‧全體圖製作步驟
ST4‧‧‧遮蓋步驟
ST5‧‧‧設定步驟
ST6‧‧‧儲存步驟

Claims (6)

  1. 一種對準圖案的設定方法,是將正面形成有藉由複數條切割道而被區劃成格子狀之器件之晶圓,沿著該切割道分割時,用以檢測該切割道的位置,該對準圖案的設定方法之特徵在於具備:拍攝步驟,拍攝包含該切割道的交叉部之圖像;指定步驟,在顯示有包含該交叉部之圖像之裝置的操作畫面之中,指定至少2個以上包含該切割道與器件間的界線之區域;全體圖製作步驟,製作包含所有的指定區域之全體圖;遮蓋步驟,將該全體圖中的指定之區域的外側形成為遮罩;設定步驟,將包含該指定之各區域與該遮罩之全體圖設定為對準圖案;及儲存步驟,儲存該對準圖案的任一個該區域,與該切割道間的距離。
  2. 如請求項1的對準圖案的設定方法,其中拍攝該晶圓所得到的圖像、及該對準圖案的該區域的圖像被實施圖像處理,並基於圖像處理的結果,來算出該切割道的位置。
  3. 如請求項1的對準圖案的設定方法,其中在該全體圖製作步驟中,將以在指定步驟中指定的該區域的X軸方向及Y軸方向各自的座標當中最大的座標及最小 的座標所圍繞之區域,製作成全體圖。
  4. 如請求項1、2或3的對準圖案的設定方法,其中該指定步驟是將避開形成於該切割道之構件或者是加工痕之位置,指定為該區域。
  5. 如請求項1、2或3的對準圖案的設定方法,其中該指定步驟是藉由描繪顯示有包含該交叉部之圖像之裝置的操作畫面,來指定該區域。
  6. 如請求項4的對準圖案的設定方法,其中該指定步驟是藉由描繪顯示有包含該交叉部之圖像之裝置的操作畫面,來指定該區域。
TW107126863A 2017-09-08 2018-08-02 對準圖案的設定方法 TWI791580B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017-173116 2017-09-08
JP2017173116A JP6979312B2 (ja) 2017-09-08 2017-09-08 アライメントパターンの設定方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201913844A TW201913844A (zh) 2019-04-01
TWI791580B true TWI791580B (zh) 2023-02-11

Family

ID=65663020

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107126863A TWI791580B (zh) 2017-09-08 2018-08-02 對準圖案的設定方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP6979312B2 (zh)
CN (1) CN109473389B (zh)
TW (1) TWI791580B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7366626B2 (ja) * 2019-07-31 2023-10-23 キヤノン株式会社 判断装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60244803A (ja) * 1984-05-21 1985-12-04 Disco Abrasive Sys Ltd 自動精密位置合せシステム
JP2008112882A (ja) * 2006-10-31 2008-05-15 Okayama Univ クリームはんだ印刷の不良検出方法および装置
JP2014203836A (ja) * 2013-04-01 2014-10-27 株式会社ディスコ ターゲットパターン設定方法、及び、キーパターン検出方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0327043A (ja) * 1989-06-23 1991-02-05 Fuji Photo Film Co Ltd 湿し水不要感光性平版印刷版
JP6607639B2 (ja) * 2015-12-24 2019-11-20 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60244803A (ja) * 1984-05-21 1985-12-04 Disco Abrasive Sys Ltd 自動精密位置合せシステム
JP2008112882A (ja) * 2006-10-31 2008-05-15 Okayama Univ クリームはんだ印刷の不良検出方法および装置
JP2014203836A (ja) * 2013-04-01 2014-10-27 株式会社ディスコ ターゲットパターン設定方法、及び、キーパターン検出方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2019050258A (ja) 2019-03-28
CN109473389B (zh) 2024-03-15
JP6979312B2 (ja) 2021-12-08
TW201913844A (zh) 2019-04-01
CN109473389A (zh) 2019-03-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI683718B (zh) 雷射加工裝置
JP7137930B2 (ja) 被加工物の加工方法
TWI603424B (zh) Plate with alignment mark
TWI606501B (zh) Processing device
JP2009158648A (ja) ウエーハの分割方法
TWI791580B (zh) 對準圖案的設定方法
JP2024096180A (ja) 加工装置
JP6955975B2 (ja) ウェーハの加工方法
TW202200963A (zh) 加工裝置
CN107186366B (zh) 激光加工装置
JP6004761B2 (ja) ダイシング方法
CN113146064A (zh) 加工装置
JP4436641B2 (ja) 切削装置におけるアライメント方法
JP6177075B2 (ja) 加工方法
CN113496933A (zh) 对准标记的设定方法和加工装置
JP2015075347A (ja) アライメント方法
JP7138031B2 (ja) 被加工物の加工方法
TW202238358A (zh) 加工裝置
JP2024087252A (ja) 加工装置及び登録方法
JP2022188409A (ja) 加工装置及びストリート検出条件の登録方法
JP2022081254A (ja) 加工装置
TW202338946A (zh) 被加工物的加工方法
JP2024078930A (ja) 加工装置及びキーパターンの登録方法
JP2023006378A (ja) 加工装置、及びアライメント条件の登録方法
JP2013175643A (ja) 粘着テープ及び粘着テープを用いたウェーハのレーザー加工方法