TWI783234B - 加熱部、溫度控制系統、處理裝置及半導體裝置之製造方法 - Google Patents

加熱部、溫度控制系統、處理裝置及半導體裝置之製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI783234B
TWI783234B TW109119397A TW109119397A TWI783234B TW I783234 B TWI783234 B TW I783234B TW 109119397 A TW109119397 A TW 109119397A TW 109119397 A TW109119397 A TW 109119397A TW I783234 B TWI783234 B TW I783234B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
output
temperature
control
mentioned
circuit
Prior art date
Application number
TW109119397A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202105644A (zh
Inventor
小杉哲也
上野正昭
杉浦忍
杉下雅士
Original Assignee
日商國際電氣股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商國際電氣股份有限公司 filed Critical 日商國際電氣股份有限公司
Publication of TW202105644A publication Critical patent/TW202105644A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI783234B publication Critical patent/TWI783234B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
    • F27B17/00—Furnaces of a kind not covered by any preceding group
    • F27B17/0016—Chamber type furnaces
    • F27B17/0025—Especially adapted for treating semiconductor wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Control Of Resistance Heating (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

本發明之課題在於提供一種提高爐內溫度分佈之均勻性的構成。 本發明之解決手段為提供一種構成，其係分割設置於複數個控制區者，其至少包含設於每個控制區且藉由發熱而使反應管內之溫度上升之發熱部，各控制區內之輸出電路係並聯電路，於構成該並聯電路之電路中的任一者以上設置輸出可變用元件。

Description

加熱部、溫度控制系統、處理裝置及半導體裝置之製造方法
本發明係關於一種加熱部、溫度控制系統、處理裝置及半導體裝置之製造方法。
已知作為基板處理裝置之一例，具有半導體製造裝置，且作為半導體製造裝置之一例，具有直立型裝置。於直立型裝置中進行有以下之作業：將作為多段地保持複數個基板(以下，也稱為晶圓)之基板保持部的晶舟，於保持有基板之狀態下搬入反應管內之處理室，一面於複數個區域內進行溫度控制一面以既定之溫度處理基板。
例如，專利文獻1揭示有一種技術，其使控制閥開閉而調整自開口部朝反應管噴射之氣體的流量及流速，藉此而使在複數個區域之間降溫時之溫度差均勻。此外，專利文獻2揭示有一種技術，其並行地執行由加熱器單元進行之加熱及由自控制閥供給之氣體進行的冷卻，以追隨既定之升溫率及既定之降溫率。如此，近年來伴隨著微細化，對晶圓間的膜厚均勻性之要求變高，而正在進行提高基板處理中之爐內溫度分佈之均勻性。 [先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：國際公開2018/105113號 專利文獻2：國際公開2018/100826號
(發明所欲解決之問題)
本揭示之目的在於提供一種進一步提高爐內溫度分佈之均勻性的構成。 (解決問題之技術手段)
根據本揭示之一態樣，提供一種構成，其係分割設置於複數個控制區者，其至少包含設於每個控制區且藉由發熱而使反應管內之溫度上升之發熱部，各控制區內之電阻電路係並聯電路，於構成該並聯電路之電路中的任一者以上設置輸出可變用元件。 (對照先前技術之功效)
根據本揭示之構成，可提高爐內溫度分佈之均勻性。
以下，參照圖式，對本揭示之一實施形態進行說明。
於本實施形態中，如圖1及圖2所示，本揭示之基板處理裝置10係構成為實施半導體裝置之製造方法中之成膜步驟之處理裝置。
圖1所示之基板處理裝置10具備作為被支撐之直立型之反應管的製程管11，且製程管11係由相互地配置為同心圓之外管12與內管13構成。外管12係使用石英(SiO2 )，且被一體成形為上端封閉、下端開口之圓筒形狀。內管13係被形成為上下兩端開口之圓筒形狀。內管13之筒中空部係形成供後述之晶舟搬入之處理室14，且內管13之下端開口構成用以使晶舟出入的爐口15。如後述，晶舟31係構成為於長排地排列晶圓之狀態下保持複數片晶圓。因此，內管13之內徑係設定為大於作為進行處理之基板的晶圓1之最大外徑(例如，直徑300mm)。
外管12與內管13之間的下端部係藉由被建構為大致圓筒形狀之歧管16而氣密性地密封。為了進行外管12及內管13之交換等，歧管16可分別裝卸自如地被安裝於外管12及內管13。藉由將歧管16支撐於框體2，以使製程管11成為被垂直裝設之狀態。以下之說明中，也有可能於附圖中僅顯示外管12作為製程管11。
藉由外管12與內管13之間隙而形成之排氣通道17係構成為橫截面形狀呈恆定寬度之圓環形狀。如圖1所示，成為於歧管16之側壁的上部連接有排氣管18之一端，且排氣管18連通於排氣通道17之最下端部的狀態。於排氣管18之另一端連接有藉由壓力控制器21控制之排氣裝置19，且於排氣管18之途中連接有壓力感測器20。壓力控制器21係構成為根據來自壓力感測器20之測定結果而反饋控制排氣裝置19。
於歧管16之下方係配設為氣體導入管22連通於內管13之爐口15，於該氣體導入管22連接有供給原料氣體或惰性氣體之氣體供給裝置23。氣體供給裝置23係構成為藉由氣體流量控制器24控制。自氣體導入管22導入爐口15之氣體流通於內管13之處理室14內而通過排氣通道17並由排氣管18排出。
封閉下端開口之密封蓋25係自垂直方向下側接合於歧管16。密封蓋25係被建構為與歧管16之外徑大致等徑之圓盤形狀，且構成為藉由設於框體2之待機室3之晶舟升降器26而可於垂直方向升降。晶舟升降器26係由馬達驅動之進給螺桿裝置及波紋管等構成，且晶舟升降器26之馬達27係構成為藉由驅動控制器28控制。於密封蓋25之中心線上配置有旋轉軸30而可被旋轉自如地支撐，旋轉軸30係構成為藉由旋轉機構29而旋轉驅動，該旋轉機構29作為由驅動控制器28控制之馬達。晶舟31被垂直地支撐於旋轉軸30之上端。
晶舟31具備上下一對之端板32、33、及垂直架設於其等之間的三根保持構件34，於三根保持構件34上沿長邊方向等間隔地刻劃有多條保持槽35。三根保持構件34上被刻劃於同層之保持槽35、35、35彼此成為相互對向且開口。於晶舟31中，將晶圓1***三根保持構件34之同層之保持槽35之間，藉此將複數片晶圓1排列保持為水平且中心相互對齊的狀態。於晶舟31與旋轉軸30之間配置有隔熱蓋部36。旋轉軸30係被構成為藉由將晶舟31支撐為自密封蓋25之上面升起的狀態，以使晶舟31之下端與爐口15之位置間隔適當的距離。隔熱蓋部36係成為將爐口15附近隔熱。
作為加熱部之加熱器單元40係同心圓地配置於製程管11之外側，且以被支撐於框體2之狀態設置。加熱器單元40具備外殼41。外殼41係使用不銹鋼(SUS)，且形成為上端封閉、下端開口之筒形、較佳為圓筒形狀。外殼41之內徑及全長係被設定為大於外管12之外徑及全長。此外，如圖2所示，加熱器單元40自上端側至下端側被分割為7個控制區U1、U2、CU、C、CL、L1、L2，而作為複數個加熱區域(加熱控制區)。
於外殼41內設置有作為本揭示之一實施形態之隔熱構造體42。本實施形態之隔熱構造體42係形成為筒形、較佳形成為圓筒形狀，且該圓筒體之側壁部43被形成為複數層構造。亦即，隔熱構造體42具備：側壁外層45，其配置於側壁部43中之外側；及側壁內層44，其配置於側壁部43中之內側，且於側壁外層45與側壁內層44之間具備有分隔部105及作為緩衝部之環形緩衝106，該分隔部105係於上下方向將側壁部43隔離為複數個區(區域)，該環形緩衝106係設於該分隔部105與鄰接之分隔部105之間。
並且，環形緩衝106係構成為根據其長度而藉由作為狹縫之分隔部106a來分割為複數個。亦即，設置有根據區域之長度而將環形緩衝106分割成複數個之分隔部106a。於本說明書中，也可將分隔部105稱為第一分隔部105，且將分隔部106a稱為第二分隔部106a。此外，也可將分隔部105稱為隔離成複數個冷卻區的隔離部。上述控制區CU、C、CL、L1、L2與環形緩衝106係設置為分別對向，且各控制區之高度與環形緩衝106之高度成為大致相同構成。另一方面，其上之控制區U1、U2之高度及與其等之控制區對向的環形緩衝106之高度係構成為不同。具體而言，與控制區U1、U2對向之環形緩衝106之高度係被構成為低於各區的高度，因此可將冷卻空氣90高效率地供給於各個控制區。藉此，可使供給於控制區U1、U2之冷卻空氣90與供給於其他控制區之冷卻空氣90成為同等，即使於控制區U1、U2中也可進行與控制區CU、C、CL、L1、L2相同之溫度控制。
尤其是，由於與加熱排氣管道82側之內側空間75之控制區U1對向之環形緩衝106之高度被構成為低於各個區的高度之1/2，因此可高效率地將冷卻空氣90供給於控制區U1。藉此，即使於最靠近排氣側之控制區U1，也可進行與其他控制區相同之溫度控制。
並且，配置於最上部之分隔部105係位於較晶舟31之基板處理區域高且較製程管11之高度更低的位置(與內管13之高度大致相同的位置)，配置於上部第二個之分隔部105係位於與被載置於晶舟31之上端部的晶圓1大致相同的高度位置，因此可高效率地將冷卻空氣90吹送至製程管11之排氣側(未載置晶圓1之部分)，從而可與相當於晶舟31之基板處理區域的製程管11相同地進行冷卻。其結果，成為可均勻地冷卻整個製程管11之構成。
此外，於每區設置有作為逆向擴散防止部之抑制節流器104。並且，構成為，藉由該逆向擴散防止體104a之開閉，冷卻空氣90經由氣體導入路107而被供給於環形緩衝106。然後，構成為，供給於環形緩衝106之冷卻空氣90流動於設在圖2中未圖示之側壁內層44內之氣體供給流路，且自包含該氣體供給流路之供給路徑的一部分即開口孔將冷卻空氣90供給於內側空間75。
再者，構成為，當未自未圖示之氣體源供給冷卻空氣90時，該逆向擴散防止體104a成為蓋，以使內側空間75之環境氣體不會逆流。也可構成為按區改變該逆向擴散防止體104a之開啟壓力。此外，於側壁外層45之外周面與外殼41之內周面之間設置有作為毯狀層的隔熱布111，以吸收金屬的熱膨脹。
然後，構成為，被供給於環形緩衝106之冷卻空氣90流動於設在圖2中未圖示之側壁內層44內的氣體供給流路，將冷卻空氣90自開口孔供給於內側空間75。
如圖1及圖2所示，作為頂部之頂壁部80以封閉內側空間75之方式覆蓋於隔熱構造體42之側壁部43之上端側。於頂壁部80呈環狀形成有排氣口81，該排氣口81係作為排出內側空間75之環境氣體之排出路徑的一部分，且排氣口81之上游側端即下端連通於內側空間75。排氣口81之下游側端連接於排氣管道82。
其次，對基板處理裝置10之動作進行說明。
如圖1所示，將預先指定之片數的晶圓1裝填於晶舟31之後，藉由晶舟升降器26而使密封蓋25上升，而將保持晶圓1群之晶舟31搬入內管13之處理室14(晶舟裝載)。到達上限後之密封蓋25壓接於歧管16，從而成為將製程管11之內部密封之狀態。晶舟31在一直被支撐於密封蓋25之狀態下存放於處理室14內。
接著，藉由排氣管18對製程管11之內部進行排氣。此外，溫度控制器(溫度控制部)64對發熱體驅動裝置63進行時序控制，藉由設於側壁部43之發熱體56而將製程管11之內部加熱至目標溫度。製程管11內部之實際上升溫度與溫度控制器64之時序控制的目標溫度之誤差係藉由根據熱電偶65之測量結果之反饋控制而被校正。此外，晶舟31藉由旋轉機構29而旋轉。再者，於圖1中，雖然僅僅記載4個熱電偶65，但其係按圖2所示之每個控制區U1、U2、CU、C、CL、L1、L2而設於發熱體56之附近。關於加熱器單元40之構成及控制之詳細內容，容待稍後進行說明。此外，除了熱電偶65外，也可於製程管11內設置熱電偶。
若製程管11之內部壓力及溫度、晶舟31之旋轉在整體上成為恆定之穩定狀態，則藉由氣體供給裝置23而將原料氣體自氣體導入管22導入製程管11之處理室14。藉由氣體導入管22導入之原料氣體係流通內管13之處理室14，且通過排氣通路17而由排氣管18排出。當流通處理室14時，藉由熱CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沉積)反應而於晶圓1上形成既定的膜，該熱CVD反應係因原料氣體接觸於被加熱至既定處理溫度之晶圓1而引起。
若經過既定之處理時間，則於停止導入處理氣體之後，自氣體導入管22將氮氣等之沖洗氣體導入製程管11之內部。同時，作為冷卻氣體之冷卻空氣90經由逆向擴散防止體104a而自吸氣管101供給於氣體導入路107。供給之冷卻空氣90暫時存積於環形緩衝106內，且經由氣體供給流路108而自複數個開口孔110吹送至內側空間75。自開口孔110吹送至內側空間75之冷卻空氣90係藉由排氣口81及排氣管道82而被排出。
由於整個加熱器單元40藉由冷卻空氣90之流動而被強制地冷卻，因此隔熱構造體42與製程管11一起被快速地冷卻。再者，為了將內側空間75與處理室14隔離，可使用冷卻空氣90作為冷卻氣體。然而，為了進一步提高冷卻效果，或防止因空氣中之雜質在高溫下腐蝕發熱體56，亦可使用氮氣等之惰性氣體作為冷卻氣體。
當處理室14之溫度下降至既定溫度時，藉由晶舟升降器26而使被支撐於密封蓋25上之晶舟31下降，並自處理室14搬出(晶舟卸載)。
然後，藉由重複進行上述動作，藉由基板處理裝置10而對晶圓1實施成膜處理。
如圖3所示，作為控制部之控制用電腦200具有：電腦本體203，其包含CPU(Central Precessing Unit，中央處理單元)201及記憶體202等；作為通信部之通信IF(Interface，介面)204；作為記憶部之記憶裝置205；及作為操作部之顯示/輸入裝置206。亦即，控制用電腦200包含作為普通之電腦之構成部分。
CPU 201係構成操作部之中樞，以執行記憶於記憶裝置205之控制程式，且根據來自顯示/輸入裝置206之指示而執行記錄於記憶裝置205之配方(例如，製程用配方)。再者，製程用配方當然也包含圖4所示之後述之步驟S1至步驟S6之溫度控制。
此外，作為記憶CPU 201之動作程式等之記錄媒體207，可使用ROM(Read Only Memory，唯讀記憶體)、EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory，電子抹除式可複寫唯讀記憶體)、快閃記憶體、硬碟等。其中，RAM(Random Access Memory，隨機存取記憶體)係作為CPU之工作區等而發揮功能。
通信IF 204係與壓力控制器21、氣體流量控制器24、驅動控制器28及溫度控制器64(也可將其等統稱為副控制器)電性連接，且可交換與每個零件之動作相關的資料。此外，其還與後述之閥控制部300電性連接，從而可交換用以控制多重冷卻單元之資料。
於本揭示之實施形態中，雖然舉例說明了控制用電腦200，但不限於此，可使用普通之電腦系統來實現。例如，也可藉由自儲存有用以執行上述處理之程式的CDROM(Compact Disc Read Only Memory，唯讀光碟)、USB(Universal Serial Bus，通用序列匯流排)等之記錄媒體207將該程式安裝於通用電腦中，以執行上述處理。此外，也可使用分別包含通信線路、通信網絡、通信系統等之通信IF 204。於該情況下，例如，也可於通信網絡之揭示板上揭示該程式，且經由網絡疊加於載波上而提供。然後，啟動如此被提供之程式，且於OS(Operating System，作業系統)之控制下與其他應用程式相同地執行，藉此可執行上述處理。
接著，使用圖4及圖5，對基板處理裝置10中進行之成膜處理的一例進行說明。圖5所示之符號S1〜S6表示進行圖4之各步驟S1〜S6。
步驟S1係使爐內之溫度穩定在相對較低的溫度T0之處理。於步驟S1中，晶圓1尚未***爐內。
步驟S2係將保持於晶舟31之晶圓1朝爐內***之處理。由於此時晶圓1之溫度低於爐內之溫度T0，因此將晶圓1朝爐內***後之結果，爐內之溫度變得暫時低於T0，但經過一段時間之後，爐內之溫度藉由溫度控制器64等而再次穩定於溫度T0。例如，於溫度T0為室溫之情況下，該步驟也可省略，而非必須之步驟。
步驟S3係藉由加熱器單元40而使爐內之溫度自溫度T0升高至用以於晶圓1上實施成膜處理之目標溫度T1之處理。
步驟S4係為了於晶圓1上實施成膜處理而將爐內之溫度維持在目標溫度T1並使其穩定的處理。
步驟S5係於成膜處理結束後，藉由後述之冷卻單元100及加熱器單元40而再次使爐內之溫度自溫度T1逐漸降低至較低之溫度T0之處理。此外，也可關閉加熱器單元40，同時藉由冷卻單元100而自處理溫度T1快速地冷卻至溫度T0。
步驟S6係將已實施成膜處理之晶圓1與晶舟31一起自爐內取出的處理。
於殘留有應實施成膜處理之未處理晶圓1之情況下，將晶舟31上之已處理完畢晶圓1與未處理之晶圓1交換，且重複其等之步驟S1〜S6之一系列處理。
步驟S1〜S6之處理中，均為對於目標溫度而使爐內溫度處於預定之微小溫度範圍內，且於獲得在預先設定之時間持續該狀態之穩定狀態後，朝下一步驟前進。或者，最近，為了增加一定時間內之晶圓1之成膜處理片數，故而亦有以如下方式進行之情形，即，於步驟S1、S2、S5、S6等中未獲得穩定狀態即轉移至下一步驟。
加熱器單元40具有設於每個控制區U1、U2、CU、C、CL、L1、L2之電阻電路。雖然圖6顯示了控制區CU、C之電阻電路，但控制區U2、CU、CL及L1係與控制區C相同之構成。由於U1及L2非並聯電路，因此電路構成與CU及C不同。各電阻電路至少包含發熱體56，該發熱體56藉由發熱而使製程管11內之溫度上升，且設定為使各控制區內之發熱體56之電阻值成為均等。亦即，作為發熱部之發熱體56被分割設置於複數個控制區(U1、U2、CU、C、CL、L1、L2)。發熱體56例如由碳加熱器等之電阻加熱器構成。
如圖6所示，控制區CU內之作為輸出電路的電阻電路51係具備發熱體56a-1、56b-1之並聯電路，發熱體56a-1及56b-1並聯配置於端子51a、51b之間。控制區CU內之發熱體56係由電阻值相同之發熱體56a-1及56b-1構成。更具體而言，發熱體56a-1之一端連接於端子51a，另一端連接於端子51b。此外，發熱體56b-1之一端連接於端子51b，另一端經由輸出可變用元件即電力調整器51c而連接於端子51a。藉此，可使輸出至發熱體56a之電力與輸出至發熱體56b-1之電力不同。例如，假若將電力調整器51c設為既定電阻值之電阻，則可使輸出至發熱體56a-1之電力大於輸出至發熱體56b-1之電力。
此外，發熱體56a-1配置於控制區CU之上側，發熱體56b-1配置於控制區CU之下側。藉此，可使輸出至控制區CU之上側的發熱體56a之電力大於輸出至控制區CU之下側的發熱體56b-1之電力，從而可於控制區CU內之上下方向，對發熱體輸出不同的電力。
發熱體驅動裝置63將已藉由電力調整器63b調整交流電源63a-1之輸出後之電壓供給於端子51a、51b之間。電力調整器63b係由閘流體構成，該閘流體之陽極連接於交流電源63a-1之一端，該閘流體之陰極連接於端子51a，來自溫度控制器64的控制信號被輸入該閘流體之閘極。交流電源63a-1之另一端連接於端子51b。
如圖6所示，作為控制區C內之輸出電路之電阻電路52係具備發熱體56a-2及56b-2之並聯電路，發熱體56a-2及56b-2並聯配置於端子52a、52b之間。控制區C內之發熱體56也由發熱體56a-2及56b-2構成。更具體而言，發熱體56a之一端連接於端子52a，另一端連接於端子52b。此外，發熱體56b之一端連接於端子52b，另一端經由作為輸出可變用元件之電力調整器52c而連接於端子52a。藉此，可使輸出至發熱體56a-2之電力與輸出至發熱體56b-2的電力不同。例如，假若將電力調整器52c設為既定之電阻值的電阻，則可使輸出至發熱體56a-2之電力大於輸出至發熱體56b-2的電力。
此外，發熱體56b-2配置於控制區C之上側，且發熱體56a-2配置於控制區C之下側。藉此，可使輸出至控制區C之上側的發熱體56b-2之電力小於輸出至控制區C之下側的發熱體56a-2之電力， 從而可於控制區C內之上下方向，對發熱體輸出不同的電力。
發熱體驅動裝置63將已藉由電力調整器63c調整交流電源63a-2之輸出後的電壓供給於端子52a、52b之間。電力調整器63c係由閘流體構成，該閘流體之陽極連接於交流電源63a-2的一端，該閘流體之陰極連接於端子52a，來自溫度控制器64的控制信號被輸入該閘流體之閘極。交流電源63a-2之另一端連接於端子52b。
於圖6中，2個發熱體係並聯連接，但也可將3個以上之發熱體並聯連接。亦即，於控制區中排列配置有2個以上之發熱體。此外，電力調整器只要設於至少一個發熱體上即可。亦即，電阻電路51、52係並聯電路，且構成為，於構成該並聯電路之電路中的任一個以上設置電力調整器51c、52c。
溫度控制器64根據由熱電偶65檢測之溫度來調整供給於發熱體56之電力，而控制為檢測之溫度。此外，溫度控制器64藉由對各控制區之電阻電路之端子供給不同的電壓，對控制區之每個電阻電路供給不同的電力。此外，由於電阻電路係構成為使得對未設置有電力調整器之電路輸出之電力大於對連接有電力調整器之電路輸出的電力，因此，溫度控制器64只要對各控制區之電阻電路的端子供給電壓，即可於各控制區內對構成並聯電路之每個電路供給不同的電力。藉此，溫度控制器64可於各控制區內之上下方向供給不同的電力。
使用圖7，對加熱器單元40之控制區內之電力平衡調整之必要性進行說明。圖7顯示將全控制區之電力輸出(壁面負載密度)設為共通，且在溫度穩定之狀態下的爐內溫度分佈。其中，壁面負載密度係壁面之每單位面積的加熱器輸出。此時，朝爐內供給N2 氣體，且爐內壓力為33Pa。即使將發熱體之電阻值及施加電壓保持恆定而將電力輸出保持恆定，仍會因來自製程管11之頂部或爐口部之放熱之影響而於製程管11之上下端(控制區L1、L2)產生溫度降低，進而於製程管11之爐內溫度分佈中產生200℃以上的溫度差。
使用圖8至圖12，對加熱器單元40之控制區內之電力平衡調整方法進行說明。其中，以位於晶圓區域之控制區U2、CU、C、CL、L1之溫度分佈變得均勻之方式調整控制區U1、U2、CU、C、CL、L1、L2的電力輸出。
首先，使用圖8、圖9，對使用圖12之比較例之電阻電路而使各控制區內之電力輸出恆定的情況進行說明。圖8為以控制區U2、CU、C、CL、L1之晶圓區域的溫度分佈成為均勻之方式調整後之比較例之控制區U1、U2、CU、C、CL、L1、L2之電力輸出分佈。
如圖12所示，相對於圖6之實施形態之電阻電路51及52，比較例之電阻電路61、62之各者於發熱體56b與端子51a之間不具備電力調整器51c，而於發熱體56b與端子52a之間不具備電力調整器52c。因為發熱體56a與發熱體56b具有相同之電阻值，因此各控制區內之電力輸出恆定，因而成為如圖8所示之階段狀之電力輸出分佈。於圖8中，以實線REALITY顯示該電力分佈。與此相對，以虛線DREAM顯示用以使爐內溫度均勻之理想電力輸出分佈。DREAM係基於圖7之溫度分佈與圖8之電力實際測量值而得之估計值。REALITY係於各控制區之中央附近以與DREAM一致之方式進行電力輸出。隨著控制區越是位於製程管11之上側及下側，則REALITY與DREAM之差越大。
圖9為與圖8之電力分佈對應的爐內溫度分佈。與圖7相同，此時朝爐內供給有N2 氣體，且爐內壓力為33Pa。如圖9所示，因圖8中之REALITY與DREAM之差值，會產生0.4〜1.0℃的溫度差。
接著，使用圖10、圖11，對使用圖6之電阻電路的電力輸出平衡之調整進行說明。圖10之實線NEW顯示使用圖6之電阻電路調整電力輸出平衡後之電力輸出分佈。圖10之虛線DREAM係與圖8之DREAM相同之理想電力輸出分佈。
於控制區CU中，使用圖6之電阻電路而使上側之發熱體56a之輸出電力大於下側之發熱體56b之輸出電力。控制區U2之電阻電路與圖7之控制區CU的電阻電路51相同，且上側之發熱體的輸出電力大於下側之發熱體的輸出電力。此外，控制區U1之電阻電路與圖12之控制區CU的電阻電路61相同，且將上側與下側之發熱體的輸出電力設為相同。
於控制區C中，使用圖6之電阻電路而使下側之發熱體56a之輸出電力大於上側之發熱體56a之輸出電力。控制區CL之電阻電路與圖6之控制區C的電阻電路52相同，且下側之發熱體的輸出電力大於上側之發熱體的輸出電力。此外，控制區L1之電阻電路與圖7之控制區C的電阻電路52相同，且下側之發熱體的輸出電力大於上側之發熱體的輸出電力。此外，控制區U1、L2之電阻電路係串聯連接，且將上側與下側之發熱體的輸出電力設為相同。
藉此，可作為如圖10之NEW所示之電力輸出分佈。於控制區U1及L2中，NEW係於中央附近以與DREAM一致之方式進行電力輸出。於控制區U2〜L1中，NEW係於上側及下側各者中央附近以與DREAM一致之方式進行電力輸出。圖10之NEW與DREAM之差量可設為小於圖8之REALITY與DREAM之差量。
圖11顯示圖10之電力輸出分佈下之爐內溫度分佈。與圖7相同，此時朝爐內供給有N2 氣體，且爐內壓力為33Pa。各控制區U2、CU、C、CL、L1之晶圓區域內的溫度差為0.2℃以下，相較於比較例，其之爐內溫度分佈之均勻性更為提高。如此，根據本實施形態，由於不僅可於晶圓區域內之各控制區之間調整電力輸出，而且可調整各控制區內之電力輸出，因此可於晶圓之間使爐內溫度分佈均勻。再者，於圖10中，雖將各控制區U2、CU、C、CL、L1內分別設成分割為兩部分之構成，但本發明不限於該形態，可於各控制區U2、CU、C、CL、L1中分別設定分割數，且可於各控制區U2、CU、C、CL、L1中使分割數不同。
雖然對電力調整器51c、52c係由電阻構成之例進行了說明，但不限於此，也可由閘流體或IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極電晶體)等構成。作為另一實施形態，圖13顯示由閘流體構成電力調整器之情況的電阻電路。
如圖13所示，控制區CU內之作為輸出電路之電阻電路71係具備發熱體56a及56b之並聯電路，發熱體56a及56b係並聯配置於端子51f、51b之間。控制區CU內之發熱體56係由電阻值相同之發熱體56a及56b構成。更具體而言，發熱體56a之一端經由端子51a及電力調整器63b而連接於端子51f，且另一端連接於端子51b。此外，發熱體56b之一端連接於端子51b，另一端經由作為輸出可變用元件之電力調整器51e而連接於端子51f。與電力調整器63b相同，電力調整器51e係由閘流體構成。
變形例之電阻電路71係由加熱器單元40之一部分及發熱體驅動裝置63之一部分構成。亦即，與電阻電路51不同，電阻電路71包含電力調整器51e。電阻電路71將藉由電力調整器63b根據來自溫度控制器64的控制信號來調整交流電源63a之輸出後之電壓供給於端子51a、51b之間。此外，將藉由電力調整器51e根據來自溫度控制器64的控制信號來調整交流電源63a之輸出後之電壓供給於端子51d、51b之間。由於發熱體56a及發熱體56b係將端子51b作為共通，且自同相之交流電源63a供電，因此電阻電路71也為並聯電路的一種。
藉由被輸入電力調整器63b之閘流體的閘極之控制信號及被輸入電力調整器51e之閘流體的閘極之控制信號，可使輸出至發熱體56a之電力與輸出至發熱體56b之電力不同。例如，藉由將輸入電力調整器63b之閘流體之閘極的電壓設定為大於輸入電力調整器51e之閘流體之閘極的電壓，可使輸出至發熱體56a之電力大於輸出至發熱體56b之電力。
此外，發熱體56a配置於控制區CU之上側，且發熱體56b配置於控制區CU之下側。藉此，可使輸出至控制區CU之上側的發熱體56a之電力大於輸出至控制區CU之下側的發熱體56b之電力，且可於控制區CU內之上下方向對發熱體輸出不同的電力。
如圖13所示，控制區C內之電阻電路72係具備發熱體56a及56b之並聯電路，發熱體56a及56b係並聯配置於端子52f、52b之間。控制區C內之發熱體56係由電阻值相同之發熱體56a及56b構成。更具體而言，發熱體56a之一端經由端子52a及電力調整器63c而連接於端子52f，且另一端連接於端子52b。此外，發熱體56b之一端連接於端子52b，另一端經由作為輸出可變用元件之電力調整器52e而連接於端子52f。與電力調整器63c相同，電力調整器52e係由閘流體構成。
變形例之電阻電路72係由加熱器單元40之一部分及發熱體驅動裝置63之一部分構成。亦即，與電阻電路52不同，電阻電路72包含電力調整器63c。電阻電路72將藉由電力調整器52e根據來自溫度控制器64的控制信號來調整交流電源63a之輸出後之電力供給於端子52a、52b之間。此外，於端子52d及52b之間供給有藉由電力調整器52e根據來自溫度控制器64之控制信號來調整交流電源63a之輸出後的電力。
藉由被輸入電力調整器63c之閘流體之閘極的控制信號及被輸入電力調整器52e之閘流體之閘極的控制信號，可使輸出至發熱體56a之電力與輸出至發熱體56b之電力不同。例如，藉由使輸入電力調整器63c之閘流體之閘極的控制信號與輸入電力調整器52e之閘流體之閘極的控制信號不同，可使輸出至發熱體56a之電力大於輸出至發熱體56b之電力。
此外，發熱體56b配置於控制區C之上側，且發熱體56a配置於控制區C之下側。藉此，可使輸出至控制區C之上側的發熱體56b之電力小於輸出至控制區C之下側的發熱體56a之電力等，而使其不同，從而可於控制區C內之上下方向對2個發熱體分別輸出不同的電力。
以下，使用圖14及圖15，對變形例中之分別調整輸出至發熱體56a之電力及輸出至發熱體56b之電力的構成進行說明。其中，對各控制區中的CU區說明如下。
如圖14所示，溫度控制器64取入由溫度檢測部641(圖2之熱電偶65)檢測之溫度。此外，溫度控制器64除了自作為上位控制器之控制用電腦200接收設定溫度值外，還接收平衡參數。
控制用電腦200對於一個控制區而分別於上部及下部設定輸出比率而作為平衡參數。以下之說明中，將上部之輸出比率記載為Upper_Ratio，且將下部之輸出比率記載為Lower_Ratio。如圖15所示，平衡參數可藉由按每一溫度帶來保持參數，而藉由來自控制用電腦200之指示進行切換。根據自控制用電腦200指示之平衡參數，以電力平衡調整部642來對一個控制區決定上部與下部之輸出。再者，圖15為各控制區中之CU區之平衡參數的數值例。
於溫度控制器64中，以由控制用電腦200指示之設定溫度與藉由溫度檢測部641檢測之溫度一致之方式，藉由溫度控制運算部643實施溫度控制運算，以決定控制運算結果。
接著，以電力平衡調整部642根據以下之式(1)至式(3)決定相對於一個控制區之上部與下部之電力(有效值)。 上部電力輸出=控制運算結果×Upper_Ratio …(1) 下部電力輸出=控制運算結果×Lower_Ratio …(2) Upper_ratio + Lower_Ratio = 2.0            …(3) 其中，控制運算結果、上部電力輸出及下部電力輸出係以百分比顯示之數字。
使用圖16，對電力平衡調整部642之上部與下部之輸出的計算例進行說明。
圖16為使用圖15中之溫度帶為600℃之參數之計算例。假設溫度控制運算部643之控制運算結果為75.0％，則如圖16所示，電力平衡調整部642使用Upper_Ratio = 1.07、Lower_Ratio = 0.93作為600℃之平衡參數，根據式(1)至式(3)計算上部電力輸出及下部電力輸出。 上部電力輸出= 75.0％×1.07 = 80.25％ 下部電力輸出= 75.0％×0.93 = 69.75％ 其中，該計算之上部電力輸出的80.25％被供給於第一電力供給部644，計算之下部電力輸出的69.75％被供給於第二電力供給部645。
藉由將Upper_Ratio與Lower_Ratio之和始終保持為2.0，即使上下之電力平衡變化，作為一個控制區之總電壓也不會變化，因此溫度波形不會大幅變化，無需重新調整例如PID(Proportional Integral Derivative, 比例積分微分)控制時之PID值之控制參數。藉此，儘管來自溫度控制器64之電力如先前那樣被供給於各控制區，仍可於各控制區內之上下方向供給不同的電力。
如圖15所示，平衡參數可藉由按每一溫度帶保持複數個參數而藉由來自控制用電腦200之指令來進行切換。此外，藉由對一個控制區設定多於2個之平衡參數，可容易對更細分割之區域提供不同的電力。
圖17(a)顯示比較例之爐內溫度分佈與各控制區的電力，圖17(b)顯示變形例之爐內溫度分佈與各控制區的電力。圖17(c)為顯示控制區U2〜L1之產品區域中之電力平衡之平衡參數的一例。
如上述，於本揭示之上述2個實施形態中，由於在各控制區內設置複數個輸出電路，且可調整自每個輸出電路輸出之電力，因此可將各控制區內分割而分別輸出不同的壁面負載密度。藉此，可相對於目標溫度，將各控制區U2、CU、C、CL、L1之晶圓區域內之溫度差抑制在0.2℃以下。
亦即，若以圖17為例，藉由減小CU區之Lower_Ratio，使自CU區對C區之影響變小，進而降低CU區與C區的邊界附近(C區上部)之(溫度)波形。藉由降低C區上部之溫度，以增加整個C區之波形(＝可大量提供電力)，進而將C區保持於0.2℃以內。此外，於CL區中，藉由減小L1區之Upper_Ratio，以降低CL區與L1區之間的邊界附近之波形，且藉由降低整個CL區之波形，將CL區保持於0.2℃以下。如此，於利用輸出可變元件之本實施形態中，由於在考慮上述鄰接之各區之溫度波形的影響下設定平衡參數，因此可將各區之晶圓區域內之溫度差減小至溫度差非常接近0℃。
與本揭示之上述2個實施形態相同，作為對一個控制區之上部及下部供給不同之電力的方法，可考慮設置2個控制區之控制區擴大方式。經比較控制區擴大方式與本變形例，作為本變形例之優點列舉如下。(1)於本實施形態中，雖然於一個控制區分別具備熱電偶、溫度檢測部，但由於可以電力平衡調整部計算複數個輸出，因此與控制區擴大方式比較，於成本方面佔優。(2)於本實施形態中，由於總電壓相對於一個控制區不變化，因此溫度波形不會大幅變化，與控制區擴大方式比較，可減緩調整之複雜性。(3)尤其是，於本變形例中，藉由使用平衡參數作為控制參數之一，可於不改造裝置之情況下變更電力平衡功能之有無使用。例如，假設為Upper_Ratio = 100％、Lower_Ratio = 100％之設定，則可與無電力平衡功能之情況相同地供給電力。
此外，本揭示不僅可應用於半導體製造裝置，而且還可應用於如LCD(Liquid Crystal Display，液晶顯示器)裝置般之處理玻璃基板之裝置。
此外，本揭示係關於一種半導體製造技術，尤其是關於一種熱處理技術，該熱處理技術係於將被處理基板收容於處理室中且藉由加熱裝置加熱之狀態下實施處理，且本揭示可應用於能有效地利用於基板處理裝置者，該基板處理裝置例如被使用於對組入了半導體積體電路裝置(半導體裝置)之半導體晶圓實施氧化處理、擴散處理、為了離子植入後之載體活化及平坦化而藉由回流、退火及熱CVD反應而進行之成膜處理等。
＜本揭示之較佳態樣＞ 以下，附記本揭示之較佳態樣。
(附記1) 根據本揭示之一態樣，提供一種加熱部(加熱器單元40)，其係分割設置於複數個控制區者；其構成為：至少包含設於每個上述控制區且藉由發熱而使反應管(製程管11)內之溫度上升之發熱部(發熱體56)，各控制區內之電路係並聯電路，且於構成該並聯電路之輸出電路中之任一者以上設置輸出可變用元件。
(附記2) 於附記1之加熱部中，較佳為，上述輸出可變用元件係選自由電阻、閘流體、IGBT構成之群組中的至少一者。
(附記3) 於附記1之加熱部中，較佳為，上述輸出電路係於上述控制區內排列配設兩個以上。
(附記4) 根據本揭示之另一態樣，提供一種溫度控制系統，其具備：加熱部(加熱器單元40)，其係分割設置於複數個控制區者，且構成為：至少包含設於每個上述控制區且藉由發熱而使反應管(製程管11)內之溫度上升之發熱部(發熱體56)，各控制區內之輸出電路係並聯電路，且於構成該並聯電路之電路中之任一者以上設置輸出可變用元件；檢測部(熱電偶65)，其設於每個上述控制區，且設於上述發熱部之附近；及溫度控制部(溫度控制器64)，其根據以上述檢測部檢測之溫度，調整供給於上述發熱部的電力，而控制為上述檢測之溫度。
(附記5) 於附記4之溫度控制系統中，較佳為，上述溫度控制部係構成為對每個上述控制區輸出不同的電力。
(附記6) 於附記4之溫度控制系統中，較佳為，上述溫度控制部係構成為於上述控制區內之上下方向輸出不同的電力。
(附記7) 於附記5之溫度控制系統中，較佳為，上述溫度控制部係構成為於上述控制區內對構成上述並聯電路之每個輸出電路輸出不同的電力。
(附記8) 於附記4之溫度控制系統中，較佳為，上述溫度控制部係構成為於上述控制區內輸出與構成上述並聯電路之每個輸出電路之電阻值對應的電力。
(附記9) 於附記8之溫度控制系統中，較佳為，上述溫度控制部係構成為使輸出至未設置有上述輸出可變用元件之輸出電路之電力大於輸出至連接有上述輸出可變用元件之輸出電路之電力。
(附記10) 於附記4之溫度控制系統中，較佳為，更具有調整部，其調整自連接有上述輸出可變用元件之輸出電路輸出的電力，上述調整部係構成為可對每個上述輸出電路輸出不同的電力。
(附記11) 於附記10之溫度控制系統中，較佳為，更具有溫度控制運算部643，其以預先指示之設定溫度與藉由溫度檢測部641(熱電偶65)檢測之溫度一致之方式實施溫度控制運算，上述調整部係構成為藉由以上述溫度控制運算部643運算之控制信號的比率決定對上述輸出電路的輸出。
(附記12) 根據本揭示之又一態樣，提供一種處理裝置，其至少具備：加熱部(加熱器單元40)，其係分割設置於複數個控制區者，且構成為：至少包含設於每個上述控制區且藉由發熱而使反應管(製程管11)內之溫度上升之發熱部(發熱體56)，各控制區內之輸出電路係並聯電路，且於構成該並聯電路之電路中之任一者以上設置輸出可變用元件。
(附記13) 根據本揭示之再一態樣，提供一種半導體裝置之製造方法，其具有以下步驟：藉由加熱部(加熱器單元40)，一面加熱配置於上述反應管內之基板，一面進行處理，該加熱部(加熱器單元40)係分割設置於複數個控制區者，且構成為：至少包含設於每個上述控制區且藉由發熱而使反應管(製程管11)內之溫度上升之發熱部(發熱體56)，各控制區內之輸出電路係並聯電路，且於構成該並聯電路之電路中之任一者以上設置輸出可變用元件。
1:晶圓 2:框體 3:待機室 10:基板處理裝置 11:製程管(反應管) 12:外管 13:內管 14:處理室 15:爐口 16:歧管 17:排氣通道 18:排氣管 19:排氣裝置 20:壓力感測器 21:壓力控制器 22:氣體導入管 23:氣體供給裝置 24:氣體流量控制器 25:密封蓋 26:晶舟升降器 27:馬達 28:驅動控制器 29:旋轉機構 30:旋轉軸 31:晶舟 32、33:端板 34:保持構件 35:保持槽 36:隔熱蓋部 40:加熱器單元(加熱部) 41:外殼 42:隔熱構造體 43:側壁部 44:側壁內層 45:側壁外層 51、52、61、62、71、72:電阻電路 51a、51b、51d、51f:端子 51c、51e、52c、52e、63c:電力調整器(輸出可變用元件) 52a、52b、52d、52f:端子 56、56a、56b:發熱體(發熱部) 56a-1、56b-1:發熱體 56a-2、56b-2:發熱體 63:發熱體驅動裝置 63a、63a-1、63a-2:交流電源 63b:電力調整器 64:溫度控制器(溫度控制部) 65:熱電偶 75:內側空間 80:頂壁部 81:排氣口 82:排氣管道 90:冷卻空氣 100:冷卻單元 101:進氣管 104:逆止阻尼器 104a:逆向擴散防止體 105:分隔部 106:環形緩衝 106a:分隔部 107:氣體導入路徑 108:氣體供給通道 110:開口孔 111:隔熱布 200:控制用電腦 201:CPU(中央處理單元) 202:記憶體 203:電腦本體 204:通信IF(介面) 205:記憶裝置 206:顯示/輸入裝置 207:記錄媒體 300:閥控制部 641:溫度檢測部 642:電力平衡調整部 643:溫度控制演算部 644:第一電力供給部 645:第二電力供給部 U1、U2、CU、C、CL、L1、L2: 控制區
圖1為顯示本揭示之一實施形態之基板處理裝置之局部切斷前視圖。 圖2為本揭示之一實施形態之基板處理裝置之前視剖視圖。 圖3為顯示本揭示之一實施形態之基板處理裝置之控制電腦的硬體構成之圖。 圖4為顯示與本揭示之一實施形態之成膜處理中的與溫度相關之處理的一例之流程圖。 圖5為顯示圖4所示之流程圖中的爐內之溫度變化之圖。 圖6為顯示本揭示之一實施形態之電阻電路的圖。 圖7為顯示將全控制區之電力輸出設為共通，且在溫度穩定之狀態下的爐內溫度分佈之圖。 圖8為顯示比較例之各控制區的電力輸出分佈之圖。 圖9為顯示與圖8之電力分佈對應的爐內溫度分佈之圖。 圖10為顯示使用圖6之電阻電路而對電力輸出平衡進行調整後的電力輸出分佈之圖。 圖11為顯示與圖10之電力分佈對應的爐內溫度分佈之圖。 圖12為顯示比較例之電阻電路的圖。 圖13為顯示本揭示之另一實施形態(變形例)之電阻電路的圖。 圖14為顯示本揭示之另一實施形態(變形例)之溫度控制器的構成之圖。 圖15為顯示本揭示之另一實施形態(變形例)之平衡參數的一例之圖。 圖16為顯示使用圖15中之溫度帶為600℃的參數之計算例之圖。 圖17(a)為顯示比較例中之電力分佈及爐內溫度分佈之圖。圖17(b)為顯示變形例中之電力分佈及爐內溫度分佈之圖。圖17(c)為顯示每個控制區之平衡參數的圖。

Claims (14)

  1. 一種加熱部，其係分割設置於複數個控制區且各控制區具備有輸出電路的加熱部，該加熱部具有：發熱部，其設於每個上述控制區且藉由發熱而使反應管內之溫度上升；及輸出可變用元件，其構成為可調整自上述發熱部所輸出的電力，被設於上述各控制區中之位於基板區域的控制區的上述輸出電路為並聯電路，該輸出可變用元件係被設於構成上述並聯電路的電路中之任一者以上，該發熱部係配置於構成位於上述基板區域之控制區之上述並聯電路的上述電路。
  2. 如請求項1之加熱部，其中，上述輸出可變用元件係選自由電阻、閘流體、IGBT構成之群組中的至少一者。
  3. 如請求項1之加熱部，其中，上述電路係於上述控制區內排列配設兩個以上。
  4. 如請求項1之加熱部，其中，上述發熱部係個別地設於每個上述電路。
  5. 一種溫度控制系統，其具備：加熱部，其係分割設置於複數個控制區且各控制區具備有輸出電路的加熱部；該加熱部具有：發熱部，其設於每個上述控制區且藉由發熱而使反應管內之溫度上升；及輸出可變用元件，其構成為可調整自上述發熱部所輸出的電力，被設於上述各控制區中之位於基板區域的控制區的上述輸出電路為並聯電路，該輸出可變用元件係被設於構成上述並聯電 路的電路中之任一者以上，該發熱部係配置於構成位於上述基板區域之控制區之上述並聯電路的上述電路；及溫度控制部，其調整供給於上述發熱部的電力，而控制上述反應管內之溫度。
  6. 如請求項5之溫度控制系統，其中，上述溫度控制部係構成為對每個位於上述基板區域的控制區輸出不同的電力。
  7. 如請求項5之溫度控制系統，其中，上述溫度控制部係構成為於位於上述基板區域的控制區內之上下方向輸出不同的電力。
  8. 如請求項5之溫度控制系統，其中，上述溫度控制部係構成為於位於上述基板區域的控制區內對構成上述並聯電路之每個電路輸出不同的電力。
  9. 如請求項5之溫度控制系統，其中，上述溫度控制部係構成為於位於上述基板區域的控制區內輸出與構成上述並聯電路之每個電路之電阻值對應的電力。
  10. 如請求項9之溫度控制系統，其中，上述溫度控制部係構成為使輸出至未設置有上述輸出可變用元件之電路之電力大於輸出至連接有上述輸出可變用元件之電路之電力。
  11. 如請求項5之溫度控制系統，其中，更具有調整部，該調整部係調整自連接有上述輸出可變用元件之電路輸出的電力，上述調整部係構成為可對每個上述電路輸出不同的電力。
  12. 如請求項11之溫度控制系統，其中，更具有溫度控制運算部，該溫度控制運算部以預先指示之設定溫度與藉由溫度檢測部而檢 測之溫度一致之方式實施溫度控制運算，上述調整部係構成為藉由上述溫度控制運算部所運算之控制信號的比率而決定對上述電路的輸出。
  13. 一種處理裝置，其具備加熱部，該加熱部係分割設置於複數個控制區且各控制區具備有輸出電路的加熱部，該加熱部具有：發熱部，其設於每個上述控制區且藉由發熱而使反應管內之溫度上升；及輸出可變用元件，其構成為可調整自上述發熱部所輸出的電力，被設於上述各控制區中之位於基板區域的控制區的上述輸出電路為並聯電路，該輸出可變用元件係被設於構成上述並聯電路的電路中之任一者以上，該發熱部係配置於構成位於上述基板區域之控制區之上述並聯電路的上述電路。
  14. 一種半導體裝置之製造方法，其具有以下步驟：一面藉由加熱部進行加熱，一面對配置於反應管內之基板進行處理之步驟；其中，該加熱部係分割設置於複數個控制區且各控制區具備有輸出電路的加熱部，該加熱部具有：發熱部，其設於每個上述控制區且藉由發熱而使上述反應管內之溫度上升；及輸出可變用元件，其構成為可調整自上述發熱部所輸出的電力，被設於上述各控制區中之位於基板區域的控制區的上述輸出電路為並聯電路，該輸出可變用元件係被設於構成上述並聯電路的電路中之任一者以上，該發熱部係配置於構成位於上述基板區域之控制區之上述並聯電路的上述電路。
TW109119397A 2019-06-12 2020-06-10 加熱部、溫度控制系統、處理裝置及半導體裝置之製造方法 TWI783234B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019-109838 2019-06-12
JP2019109838 2019-06-12
JP2020073076A JP7101718B2 (ja) 2019-06-12 2020-04-15 加熱部、温度制御システム、処理装置および半導体装置の製造方法
JP2020-073076 2020-04-15

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202105644A TW202105644A (zh) 2021-02-01
TWI783234B true TWI783234B (zh) 2022-11-11

Family

ID=73838045

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109119397A TWI783234B (zh) 2019-06-12 2020-06-10 加熱部、溫度控制系統、處理裝置及半導體裝置之製造方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7101718B2 (zh)
KR (1) KR102472671B1 (zh)
SG (1) SG10202005542RA (zh)
TW (1) TWI783234B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102584448B1 (ko) 2020-10-29 2023-10-04 주식회사 케이디파인켐 열안정성이 향상된 열전달 유체 조성물

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000339039A (ja) * 1999-05-25 2000-12-08 Tokyo Electron Ltd 加熱手段の温度制御方法、その装置及び熱処理装置
TW200718263A (en) * 2005-08-19 2007-05-01 Mrl Ind Inc Fault tolerant element and combination with fault tolerant circuit

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55159584A (en) * 1979-05-31 1980-12-11 Canon Kk Heater controller
JP2004288775A (ja) 2003-03-20 2004-10-14 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体製造装置
KR100849012B1 (ko) * 2005-02-17 2008-07-30 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 열처리 장치 및 열처리 방법
JP5098806B2 (ja) 2008-05-21 2012-12-12 東京エレクトロン株式会社 電力使用系の断線予測装置及び熱処理装置
JP2013062361A (ja) * 2011-09-13 2013-04-04 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置、温度制御システム、熱処理方法、温度制御方法及びその熱処理方法又はその温度制御方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
EP3361794B1 (en) 2016-01-25 2021-07-07 Guangdong Oppo Mobile Telecommunications Corp., Ltd. Method and device for controlling detachment of mobile terminal
JP6611666B2 (ja) 2016-05-16 2019-11-27 東京エレクトロン株式会社 載置台システム、基板処理装置及び温度制御方法
JP2018125439A (ja) 2017-02-01 2018-08-09 株式会社国際電気セミコンダクターサービス 半導体装置の製造方法、基板冷却方法および基板処理装置
KR20180100826A (ko) 2017-03-02 2018-09-12 정상준 그래파이트 기반 발열체를 이용한 발열 시스템

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000339039A (ja) * 1999-05-25 2000-12-08 Tokyo Electron Ltd 加熱手段の温度制御方法、その装置及び熱処理装置
TW200718263A (en) * 2005-08-19 2007-05-01 Mrl Ind Inc Fault tolerant element and combination with fault tolerant circuit

Also Published As

Publication number Publication date
TW202105644A (zh) 2021-02-01
KR20200142462A (ko) 2020-12-22
SG10202005542RA (en) 2021-01-28
JP2020205406A (ja) 2020-12-24
KR102472671B1 (ko) 2022-12-01
JP7101718B2 (ja) 2022-07-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6170847B2 (ja) 断熱構造体、加熱装置、基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP6752851B2 (ja) クーリングユニット、基板処理装置、および半導体装置の製造方法
JP6306151B2 (ja) 基板処理装置、断熱構造体及び半導体装置の製造方法
US20230383411A1 (en) Substrate processing apparatus and non-transitory computer-readable recording medium
TWI669411B (zh) Substrate processing apparatus, cooling unit, heat insulating structure, and method of manufacturing semiconductor device
US11043402B2 (en) Cooling unit, heat insulating structure, and substrate processing apparatus
TWI783234B (zh) 加熱部、溫度控制系統、處理裝置及半導體裝置之製造方法
TW201351078A (zh) 熱處理設備及控制該設備之方法
JP2004119804A (ja) 半導体製造装置
US20200393197A1 (en) Heater, temperature control system, and processing apparatus
JP2008166321A (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
CN112466775A (zh) 基板处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质
US20230257883A1 (en) Substrate processing apparatus, recording medium, and method of manufacturing semiconductor device
US20230416919A1 (en) Substrate processing apparatus and temperature regulation method
KR20050088989A (ko) 열처리 장치 및 열처리 방법