JP2018125439A - 半導体装置の製造方法、基板冷却方法および基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】処理枚数の大小にかかわらずに各ウエハに対する処理を適切化する技術を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、複数枚の基板を保持する基板保持具を処理室１４に搬入する搬入工程と、処理室の基板を処理する処理工程と、処理工程の後に基板保持具を処理室から搬出する搬出工程と、を行う。搬入工程と搬出工程との少なくとも一方では、基板保持具が保持する基板の枚数に応じた速度で基板保持具を移動させる。速度は、実測結果やシミュレーション結果等に基づいて事前に特定されて記憶装置に保持しているものを使用する。
【選択図】図２

Description

本発明は、半導体装置の製造方法、基板冷却方法および基板処理装置に関する。

半導体装置の製造工程で用いられる装置の一例として、いわゆる縦型基板処理装置が知られている。縦型基板処理装置は、多枚数（例えば１００〜１５０枚程度）のウエハをボート（基板保持具）に積載し、そのボートをプロセスチューブ（処理炉）内に搬入した状態で、各ウエハに対する処理を一括して行うように構成されている（例えば特許文献１参照）。

特開２００３−１０９９６２号公報

近年、縦型基板処理装置に対しては、多枚数ウエハの一括処理のみならず、多品種少量生産にも対応することが求められている。ただし、処理するウエハ枚数の大小によって各ウエハの処理状況にばらつきが生じてしまうことは、場合によって各ウエハに対する処理が不適切なものとなってしまうおそれがあるため、半導体装置の品質や信頼性等を高める上では好ましくない。

本発明は、処理枚数の大小にかかわらずに各ウエハに対する処理の適切化を図ることのできる半導体装置の製造方法、基板冷却方法および基板処理装置を提供する。

本発明の一態様によれば、
複数枚の基板を保持する基板保持具を処理室に搬入する搬入工程と、前記処理室の前記基板を処理する処理工程と、前記処理工程の後に前記基板保持具を前記処理室から搬出する搬出工程と、を有し、前記搬入工程と前記搬出工程との少なくとも一方では、前記基板保持具が保持する前記基板の枚数に応じた速度で前記基板保持具を移動させる技術が提供される。

本発明によれば、処理枚数の大小にかかわらずに各ウエハに対する処理の適切化を図ることが可能となる。

本発明の一実施形態に係る基板処理装置の概略構成例を示す模式図である。 本発明の一実施形態に係る基板処理装置が備える予備室の詳細構成例を示す縦断面図である。 本発明の一実施形態に係る基板処理装置が備える処理室の詳細構成例を示す模式図である。 本発明の一実施形態に係る基板処理装置が備えるコントローラの構成例を示すブロック図である。 本発明の一実施形態に係る基板処理装置が備える多分割のヒータ部の運用例を示す模式図である。 本発明の一実施形態に係る基板処理装置におけるウエハ温度と温度センサによる測定温度との相関関係の一具体例を示す説明図である。

＜本発明の一実施形態＞
以下に、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。

（１）基板処理装置の全体構成
先ず、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の全体の概略構成について説明する。

先ず、基板処理装置の１つである縦型炉を具備し、シリコンウエハ等から半導体装置を製造する基板処理装置について、図１に於いて概略を説明する。

基板処理装置１は半導体製造ラインを構成する様に設置され、基板処理装置１への基板の搬送は、カセット等の基板搬送容器に基板（以下、ウエハともいう。）１０を収納して行われている。

図１中、符号２は基板処理装置１の前面に設けられた材料搬入出部（カセット授受ステージ）であり、符号３はカセットに装填された材料を一時的に収納する基板搬送容器収納手段（カセット棚）、符号４はカセット授受ステージ２とカセット棚３との間に設けられた１組のカセット搬送手段であり、カセット搬送手段４はカセット授受ステージ２とカセット棚３との間でカセット５を搬送する。

基板処理装置１の後部上方にはヒータユニット（後述する）、ヒータユニット内部に設けられる処理室（後述する）を有する処理炉６が設けられている。処理炉６の下方には昇降機構（昇降手段）であるボートエレベータ７が設けられ、ボート８を搬送する搬送機構として動作する。また、昇降機構７は基板保持具であるボート８を昇降させ、処理炉６にボート８を装入、引出しする。

昇降機構７とカセット棚３との間に基板移載機９が設けられ、基板移載機９はカセット棚３に収納されたカセット５と降下状態の昇降機構７との間で基板１０の移載を行う。

人若しくは外部搬送装置によりカセット５がカセット授受ステージ２に投入され、カセット搬送手段４がカセット授受ステージ２のカセット５をカセット棚３に搬送する。カセット棚３は、単にカセット５を一時的に保管するバッファ収納部と基板１０の移載に供されるカセット５を収納する移載対象部とを有している。

基板移載機９はカセット棚３の移載対象部のカセット５に対して基板１０の移載が可能であり、カセット搬送手段４は、バッファ収納部と移載対象部との間でのカセット５の搬送も行う。すなわち、基板１０の移載に供されるカセット５をバッファ収納部から移載対象部に移動し、また移載対象部からバッファ収納部へ搬送する。例えば、１バッチで１００枚の基板１０をボートに搭載して処理する場合は、２５枚の基板１０の入ったカセットを４回、バッファ収納部から移載対象部へ搬送する必要がある。

基板移載機９はカセット棚３のカセット５から未処理基板をボート８に移載し、未処理基板はボート８に保持された状態で、昇降機構７により処理室（後述する）に装入される。ボート８が装入された状態では、処理室は気密状態であり、ヒータユニット（後述する）で基板１０が加熱され、反応ガスが導入されつつ排気され、所定の処理圧力、処理温度に維持され、レシピに設定されたステップが実行されることで基板１０が処理される。

基板１０の処理が完了すると、昇降機構７によりボート８が引出され、処理済基板が基板移載機９により、ボート８からカセット棚３に収納されている空のカセット５に移載され、処理済基板を収納するカセット（以下、処理済カセットともいう。）５がカセット搬送手段４によりカセット授受ステージ２に払出され、人または外部搬送装置によりカセット授受ステージ２から処理済カセット５が搬出される。未処理基板を収納するカセット（以下、未処理カセットともいう。）５がバッファ収納部から移載対象部へカセット搬送手段４により搬送される。また、外部搬送装置によりカセット授受ステージ２へ搬入された未処理カセット５をカセット授受ステージ２からカセット棚３のバッファ収納部へ搬送する。

基板処理装置１内で一度に処理可能な基板１０の枚数（材料の量）は上限があり、処理する枚数は基板１枚から上限の間で所要枚数が処理される。上限は、ボート８が基板１０を保持可能な枚数、例えば数カセット分の基板１０である。

１バッチ分の基板１０の数が数カセット分に相当する場合、カセット搬送手段４は次バッチ処理準備工程で、処理済カセット５のカセット授受ステージ２への搬送動作、カセット授受ステージ２からの未処理カセット５のバッファ収納部への搬送動作、未処理カセット５をバッファ収納部から移載対象部へ移動する搬送動作をシリーズに順次行う。

カセット５の投入時期（カセット５のカセット授受ステージ２への搬入時期）について、半導体製造ラインが自動化されていない場合は、作業者が基板処理装置１内に空き状態、例えばカセット棚３に空きがあるかどうか、また処理待ち材料発生（処理炉６で基板１０が処理されておらず、基板１０の装入待ち状態）であるかどうかを監視し、両方が揃った時点で、次処理の準備を開始する。

図２に示す基板処理装置１は、縦型基板処理装置として構成されたものであり、基板としてのウエハ１０に対して所定の処理を行う。そのために、基板処理装置１は、ウエハ１０を処理する処理室１４と、処理前後のウエハ１０を一時的に収容する予備室１５とを備えており、これらが上下に隣接して設けられている。

（２）予備室の詳細構成
図２に示すように、予備室１５は、ウエハ１０を保持するボート８を収容可能な空間の一例であり、蓋体１８を介して処理室１４と気密に連通するように配置されている。ボート８は、複数枚（例えば、５０〜１５０枚程度）のウエハ１０を保持する基板保持具として機能するもので、各ウエハ１０の中心を揃えて垂直方向に整列させた状態で、それぞれを水平に保持するように構成されている。

予備室１５には、熱伝導性のよい金属板（例えばアルミニウム板）によって構成された冷却壁２３が設けられている。また、冷却壁２３には、一端に冷却ガスを供給する為の孔が設けられ、他端に冷却ガスを吸収する開口部が設けられている。そして、予備室１５は、冷却壁２３によって、ボート８を収容する移載室２２と、ボート８を昇降させる昇降機構７を収容する昇降機構室２１とに仕切られている。なお、冷却壁２３は、冷却機構が内部に埋め込まれている構成としてもよい。

また、昇降機構室２１側の冷却壁２３の一端には、クーリングユニット２８が設けられている。このクーリングユニット２８から移載室２２に冷却ガスが供給されるように構成されている。処理炉６から搬出されたボート８に載置されたウエハ１０は、この冷却ガスにより冷却される。また、冷却ガスは、移載室２２内に自然酸化膜の形成を抑制する為、酸素(Ｏ_２)濃度を所定値以下にする必要があるので、窒素(Ｎ_２)ガスなどの不活性ガスが好ましい。

（温度センサ）
図２に示すように、予備室１５の冷却壁２３の他端には、温度センサ７１が設けられている。温度センサ７１は、移載室２２でボート８に保持されているウエハ１０の温度を間接的に測定するためのものである。ここで「間接的に」とは、ウエハ１０自体の温度を直接測定するのではなく、ウエハ１０自体の温度を推認し得るようにその周囲の温度を測定することを意味する。温度センサ７１の設置箇所は、予備室１５であれば特に限定されることはないが、ウエハ１０からの熱影響を受けやすい適度な位置に設置することが好ましい。具体的には、設置箇所の一例として、ウエハ１０を通過した後の不活性ガスが衝突する冷却壁２３の他端に温度センサ７１を装着することが考えられる。また、温度センサ７１の構成自体についても、処理室１４で処理されたウエハ１０の温度（最も高温になることが想定される温度）を測定可能なものであれば、その測定手法、分解能、測定精度等が特に限定されるものではない。

温度センサ７１は、予備室１５の外部に設置された温度調節器７２と電気的に接続されており、その温度調節器７２に対して温度測定結果である検出信号を出力するようになっている。温度調節器７２は、温度センサ７１から受け取った検出信号に基づき、詳細を後述するように、必要に応じてコントローラ５７に対して発報信号を出力するものである。

（３）処理室の詳細構成
次に、基板処理装置１における処理室１４の詳細構成について、図３を参照しながら説明する。

（処理室）
予備室１５の上方側には、処理室１４が設けられている。処理室１４は、ウエハ１０に対する処理を行うための処理空間を構成するものであり、石英ガラスによって上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成された反応管としてのプロセスチューブ８１内に構成されている。つまり、反応管８１の筒中空部は、ボート８によって整列した状態に保持された複数枚のウエハ１０が搬入される処理室１４を実質的に形成している。したがって、反応管８１の内径は、取り扱うウエハ１０の最大外径よりも大きくなるように設定されている。また、反応管８１の下端には炉口部としてのマニホールド８６が設けられている。そのため、反応管８１の下端には、炉口部８６の下端開口を閉塞する蓋体としてのシールキャップ１８が、垂直方向下側から当接されるようになっている。

反応管８１の下端部の炉口部８６には、排気管８２が接続されている。炉口部８６は、反応管８１と同様に円筒形状に設けられている。排気管８２は、図示せぬ排気装置に接続されており、処理室１４を排気し得るようになっている。

また、反応管８１には、ガス導入管８３が一体的に構成されている。ガス導入管８３は、反応管８１の側面に沿って下方側から上方側に敷設されており、ガス導入管８３の一端は、反応管８１の上端部において処理室１４に連通するように接続されている。ガス導入管８３の他端は、原料ガス等の処理ガスを供給する処理ガス供給装置および不活性ガス等のキャリアガスを供給するキャリアガス供給装置（ただし、いずれも不図示）に接続されている。このようなガス導入管８３によって反応管８１内に導入された処理ガスまたはキャリアガスは、その反応管８１内に構成された処理室１４を流下して、排気管８２によって排気されるようになっている。

（ヒータユニット）
反応管８１の外側は、断熱カバー８４によって全体的に被覆されている。断熱カバー８４の内側には、反応管８１内の基板１０を加熱するヒータ部(加熱部)としてのヒータユニット８５ａ〜８５ｊが、反応管８１の周囲を包囲するように同心円に設備されている。以後、８５ａ〜８５ｊを８５と称することがある。

ヒータ部８５は、例えば熱源となる電気抵抗体を用いて構成されており、反応管８１の長さ方向において複数に細かく分割されて配置されている。本実施形態において、ヒータ部８５は、下側から順に、第一ヒータ部８５ａ、第二ヒータ部８５ｂ、第三ヒータ部８５ｃ・・・第十ヒータ部８５ｊに十分割されている。これらのヒータ部８５は、詳細を後述するように、コントローラ５７からの指示に従いつつ、図示せぬ温度コントローラによって互いに連携および独立してシーケンス制御されるように構成されている。

ところで、ヒータ部８５は、反応管８１の内部を加熱する際に、その加熱対象領域を４分割または５分割された複数のゾーンに分割し、それぞれのゾーン毎に温度制御をするようになっている。本実施形態においては、例えば、下側から順に、ロア（Ｌ）ゾーン、センタロア（ＣＬ）ゾーン、センタアッパ（ＣＵ）ゾーン、アッパ（Ｕ）ゾーンの４つのゾーンに四分割する。
その一方で、ヒータ部８５は、上述したように、第一ヒータ部８５ａ、第二ヒータ部８５ｂ、第三ヒータ部８５ｃ・・・第十ヒータ部８５ｊに十分割されている。つまり、ヒータ部８５は、加熱対象領域の各ゾーンの数よりも多分割に構成されている。

（４）コントローラの構成
次に、基板処理装置１におけるコントローラ５７の詳細構成について、図４を参照しながら説明する。

（ハードウエア構成）
コントローラ５７は、基板処理装置１を構成する各部の動作を制御する制御部（制御手段）として機能するものであり、コンピュータ装置によって構成されたものである。さらに詳しくは、コントローラ５７は、図４（ａ）に示すように、液晶ディスプレイ等の表示とタッチパネルやキースイッチ等の操作が画面上で行える表示装置５８に接続して用いられるもので、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）等の組み合わせからなる演算装置５７ａ、フラッシュメモリやＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）等の記憶装置５７ｂ、外部インタフェース等のデータ入出力部５７ｃといったハードウエア資源を備えて構成されている。これらのうち、記憶装置５７ｂは、内部記録媒体５７ｄを有している。また、データ入出力部５７ｃは、ネットワーク６２を介して図示せぬ外部コンピュータに接続されているとともに、副制御部としてのサブコントローラ５９と接続されている。なお、コントローラ５７は、内部記録媒体５７ｄの代わりに、外部記録媒体５７ｅをデータ入出力部５７ｃに接続して設けてもよく、また、内部記録媒体５７ｄと外部記録媒体５７ｅの両方を用いたものであってもよい。

つまり、コントローラ５７は、コンピュータ装置としてのハードウエア資源を備えて構成されており、演算装置５７ａが記憶装置５７ｂの内部記録媒体５７ｄに記憶されたプログラムを実行することにより、そのプログラム（ソフトウエア）とハードウエア資源とが協働して、基板処理装置１の各部を動作制御する制御部として機能するようになっている。

このようなコントローラ５７は、専用のコンピュータ装置によって構成することが考えられるが、これに限定されることはなく、汎用のコンピュータ装置によって構成されていてもよい。例えば、上述のプログラム等を格納した外部記録媒体（例えば、フレキシブルディスクやハードディスク等の磁気ディスク、ＣＤやＤＶＤ等の光ディスク、ＭＯなどの光磁気ディスク、ＵＳＢメモリやメモリカード等の半導体メモリ）５７ｅを用意し、その外部記録媒体５７ｅを用いて汎用のコンピュータ装置に当該プログラム等をインストールすることにより、本実施形態に係るコントローラ５７を構成することができる。また、コンピュータ装置にプログラム等を供給するための方法についても、外部記録媒体５７ｅを介して供給する場合に限らない。例えば、インターネットや専用回線等のネットワーク６２を用い、外部記録媒体５７ｅを介さずにプログラム等を供給するようにしてもよい。なお、内部記録媒体５７ｄや外部記録媒体５７ｅ等は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成される。以下、これらを総称して、単に「記録媒体」ともいう。なお、本明細書において、記録媒体という文言を用いた場合は、記憶装置５７ｂの内部記録媒体５７ｄ単体のみを含む場合、外部記録媒体５７ｅ単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。また、本明細書において、プログラムという文言を用いた場合は、制御プログラム単体のみを含む場合、アプリケーションプログラム単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。

コントローラ５７における演算装置５７ａは、データ入出力部５７ｃを介して、図４（ｂ）に示す副制御部５９に接続するよう構成されている。具体的には、主制御部としての演算装置５７ａは、副制御部５９に指示し、副制御部５９はこの指示に基づいて構成部品の動作を制御することにより、基板処理装置１の全体の動作を制御する。ここで、副制御部５９は、処理室１４の温度を制御する温度コントローラとしての温度制御部５９ａ、処理室１４および予備室１５に供給するガスの流量を制御するガス流量コントローラとしてのガス流量制御部５９ｂ、処理室１４の圧力を制御する圧力コントローラとしての圧力制御部５９ｃ、並びに、昇降機構７をはじめとする各種機構部の動作を制御する駆動コントローラとしての駆動制御部５９ｄとして機能する。また、コントローラ５７における演算装置５７ａは、データ入出力部５７ｃを介して、移載室２２の温度を制御する温度調節器７２とも接続されている。温度調節器７２については後述する。

これらの機能を有する副制御部５９は、記憶装置５７ｂの内部記録媒体５７ｄに保存されている各種レシピが実行されると、主制御部５７ａから送信されてくる指示データを参照しつつ、構成部品を動作させて制御処理を行うようになっている。これらの制御部５７による制御処理にあたり生成されるデータ(例えば、プロセスデータ)を、記憶装置５７ｂは、保存するよう構成されている。

（５）基板処理工程における基本的なシーケンス例
次に、上述した構成の基板処理装置１を用いて、半導体装置（デバイス）の製造工程の一工程として、ウエハ１０をアニールする処理（以下、単にアニールともいう。）のシーケンス例について説明する。

（ウエハチャージおよびボートロード）
複数枚のウエハ１０がボート８に装填（ウエハチャージ）されると、ボート８は、昇降機構７によって処理室１４に搬入（ボートロード）される。このとき、シールキャップ１８は、Ｏリングを介して処理室１４を構成するプロセスチューブ８１の下端を気密に閉塞（シール）した状態となる。

（圧力調整および温度調整）
処理室１４、すなわち、ウエハ１０が存在する空間が所定の圧力（真空度）となるように、排気管８２を通じて排気装置によって真空排気（減圧排気）される。この際、処理室１４の圧力は、図示せぬ圧力センサで測定され、この測定された圧力情報に基づいて、図示せぬＡＰＣバルブがフィードバック制御される。排気装置は、少なくともウエハ１０に対する処理が終了するまでの間、常時作動させた状態を維持する。

また、処理室１４のウエハ１０が所定の温度となるように、ヒータ部８５によって加熱される。この際、処理室１４が所定の温度分布となるように、図示せぬ温度センサが検出した温度情報に基づき、各ヒータ部８５への通電具合がフィードバック制御される。各ヒータ部８５による処理室１４の加熱は、少なくともウエハ１０に対する処理が終了するまでの間は継続して行われる。

また、図示せぬ回転機構によるボート８およびウエハ１０の回転を開始する。回転機構により、ボート８が回転されることで、ウエハ１０が回転される。回転機構によるボート８およびウエハ１０の回転は、少なくとも、ウエハ１０に対する処理が終了するまでの間は継続して行われる。

（アニール処理）
処理室１４が所定の圧力および温度になると、その状態を所定に時間維持しつつ所定の処理ガスを供給することで、処理室１４のウエハ１０をアニールする。

（パージおよび大気圧復帰）
アニール処理が完了した後は、ガス導入管８３からＮ_２ガスを処理室１４へ供給し、排気管８２から排気する。Ｎ_２ガスは、パージガスとして作用する。これにより、処理室１４がパージされる（パージ）。その後、処理室１４の雰囲気が不活性ガスに置換され（不活性ガス置換）、処理室１４の圧力が常圧に復帰される（大気圧復帰）。

（ボートアンロードおよびウエハディスチャージ）
昇降機構７によりシールキャップ１８が下降され、反応管８１の下端に設けられる炉口部８６が開口される。そして、処理済のウエハ１０が、ボート８に支持された状態で、反応管８１の下端側から処理室１４の外部に搬出される（ボートアンロード）。処理済のウエハ１０は、ボート８より取出される（ウエハディスチャージ）。

（６）基板処理工程における特徴的な制御処理例
次に、上述した手順の成膜処理の際に、基板処理装置１が行う特徴的な制御処理例について説明する。

（本実施形態の制御処理が必要となる背景）
上述した構成の基板処理装置１は、バッチ処理装置として、例えば１００枚〜１５０枚程度のウエハ１０を一度に処理することが可能である。ところが、近年では、基板処理装置１に対しては、多枚数のウエハ１０の一括処理のみならず、多品種少量生産にも対応することが求められている。

多品種少量生産に対応しようとすると、ボート８が保持可能な最大枚数に満たない枚数（例えば５０枚以下）のウエハ１０を処理する必要が生じ得る。その場合には、最大枚数に不足する枚数分のフィルダミーウエハをボート８に保持させることが一般的である。なぜならば、ボート８によるウエハ１０の保持枚数の変動により、処理室１４の温度分布が変わってしまい、各ウエハ１０に対する処理が不適切なものとなってしまうのを回避するためである。

しかしながら、フィルダミーウエハの消費枚数が増加することは好ましくない。フィルダミーウエハの消費枚数の増加は、ウエハ１０の処理コスト（半導体装置の製造コスト）の増大やウエハ１０の処理効率（半導体装置の生産効率）の低下等を招き得るからである。

そこで、本実施形態において、基板処理装置１のコントローラ５７は、フィルダミーウエハを利用しない場合に、ボート８によるウエハ１０の保持枚数が変動しても、各ウエハ１０に対する処理が不適切なものとなってしまうことがないように、以下に説明するような制御処理を行う。

（駆動制御）
ここで、コントローラ５７が行う制御処理の一つとして、駆動制御部５９ｄによる昇降機構７に対する動作制御処理について説明する。

フィルダミーウエハを利用しないと、ボート８によるウエハ保持枚数は、多枚数一括処理の場合と多品種少量生産に対応する場合とで変動する。このような枚数変動があると、保持状態のウエハ１０の総重量が変わることから、同一条件で昇降機構７を動作させてもボート８の昇降動作に影響が及ぶ可能性がある。

そこで、コントローラ５７は、ボート８の処理室１４への搬入と処理室１４からの搬出との少なくとも一方、好ましくはこれらの両方に際して、ボート８が保持するウエハ１０の枚数に応じた速度で、そのボート８を昇降させるように昇降機構７を制御する。

具体的には、先ず、ボート８が保持するウエハ１０の枚数を認識する。ウエハ１０の枚数認識は、例えばボート８にウエハ１０を搭載する際に用いる基板移載機９の動作を監視することによって行うことができるが、これに限られることはなく、他の手法で行ってもよい。

また、ウエハ１０の枚数と昇降機構７がボート８を昇降させる速度との相関関係を示す相関データ（以下、速度相関データともいう。）を取得する。速度相関データは、ボート８が保持するウエハ１０の枚数別にそのボート８の昇降に適した速度を規定するデータであり、実測結果やシミュレーション結果等に基づいて事前に特定されて記憶装置５７ｂに保持されているものとする。速度相関データの取得は、記憶装置５７ｂにアクセスすることによって行うことができる。

そして、コントローラ５７は、ボート８が保持するウエハ１０の枚数を認識し、かつ、記憶装置５７ｂから速度相関データを取得したら、その速度相関データの内容に基づいて、ボート８が保持するウエハ１０の枚数に応じて、その枚数に適した態様で昇降動作を行うように、ボート８を昇降させる速度を決定する。ウエハ１０の保持枚数に適した態様の昇降動作としては、以下のようなものが挙げられる。

コントローラ５７は、例えば、ボート８が保持するウエハ１０の枚数によらずに（すなわち、ボート８がどのような枚数のウエハ１０を保持している場合であっても）、そのボート８の昇降が一定速度を維持しつつ行われるように、昇降機構７におけるモータ３５の駆動力を調整して、その昇降機構７にボート８を昇降させる。このようにコントローラ５７がボート８を昇降させる速度を決定して、その昇降機構７に対する動作制御を行えば、多枚数一括処理の場合と多品種少量生産に対応する場合とのいずれであっても、処理室１４へのウエハ１０の搬入や処理室１４からのウエハ１０の搬出等が、略同一条件で行われるようになる。したがって、多枚数一括処理の場合であるか、または多品種少量生産に対応する場合であるかにかかわらず、各ウエハ１０に対する処理状況にばらつきが生じてしまうのを抑制することができる。

また、コントローラ５７は、例えば、ウエハ１０の枚数が多いほど低速で昇降させ、ウエハ１０の枚数が少ないほど高速で昇降させるように、昇降機構７によるボート８の昇降速度を決定して、その昇降機構７に対する動作制御を行う。このようにすれば、ウエハ１０の枚数の相違に起因する慣性力の差が昇降動作に及ぶのを抑制して、その昇降動作の信頼性向上を図ることができ、また昇降機構７のモータ３５に過負荷が及ぶのを抑制することができる。

また、コントローラ５７は、例えば、ウエハ１０の枚数が多いほど高速で昇降させ、ウエハ１０の枚数が少ないほど低速で昇降させるように、昇降機構７によるボート８の昇降速度を決定して、その昇降機構７に対する動作制御を行う。このようにすれば、基板処理装置１においてウエハ１０を処理する際の効率向上が図れるようになる。例えば、ウエハ１０の枚数が多い場合に、ボート８へのウエハ１０の搭載等に時間を要しても、ボート８の昇降を高速化することで補えるからである。

（加熱制御）
続いて、コントローラ５７が行う制御処理の他の一つとして、温度制御部５９ａによるヒータ部８５の加熱制御処理について説明する。

上述したように、本実施形態においては、成膜処理を行うためにプロセスチューブ８１の内部を加熱する際には、その加熱対象領域をＬゾーン、ＣＬゾーン、ＣＵゾーン、Ｕゾーンに四分割し、各ゾーンにおけるウエハ１０が所定温度を維持するように、それぞれのゾーン毎に温度制御をする。このようなゾーン毎の温度制御をする場合、フィルダミーウエハを利用せずに多品種少量生産に対応しようとすると、ボート８によるウエハ保持枚数の変動に伴って、各ゾーンのゾーン長を変更する必要が生じる。

そのために、本実施形態においては、ヒータ部８５が加熱対象領域の各ゾーンの数よりも多分割に構成されている。そして、コントローラ５７は、ボート８に保持されるウエハ１０の枚数に応じて、多分割された各ヒータ部８５がＵゾーン、ＣＵゾーン、ＣＬゾーン、Ｌゾーンのそれぞれに割り当てられるように、各ヒータ部８５に対する通電制御を行う。なお、ボート８におけるウエハ１０の保持枚数の認識は、上述した駆動制御の場合と同様にして行えばよい。

ウエハ１０の保持枚数に応じた各ヒータ部８５の割り当て態様としては、以下のようなものが挙げられる。
図５は、多分割されたヒータ部の運用例を示す模式図である。

例えば、最大枚数である１５０枚のウエハ１０をボート８が保持する場合（以下、１５０枚処理またはラージバッチ処理ともいう。）には、図５（ａ）に示すように、第一ヒータ部８５ａをＬゾーン、第二ヒータ部８５ｂ〜第四ヒータ部８５ｄをＣＬゾーン、第五ヒータ部８５ｅ〜第七ヒータ部８５ｇをＣＵゾーン、第八ヒータ部８５ｈ〜第十ヒータ部８５ｊをＵゾーンに割り当てる。そして、同一ゾーンに割り当てたものを直列接続または並列接続で通電して運用する。

また、例えば、多品種少量生産に対応すべく５０枚のウエハ１０をボート８が保持する場合（以下、５０枚処理またはミニバッチ処理ともいう。）には、図５（ｂ）に示すように、第一ヒータ部８５ａをＬゾーン、第二ヒータ部８５ｂおよび第三ヒータ部８５ｃをＣＬゾーン、第四ヒータ部８５ｄおよび第五ヒータ部８５ｅをＣＵゾーン、第六ヒータ部８５ｆおよび第七ヒータ部８５ｇをＵゾーンに割り当てる。そして、同一ゾーンに割り当てたものを直列接続または並列接続で通電して運用する。なお、このとき、第八ヒータ部８５ｈ〜第十ヒータ部８５ｊについては、非加熱の未使用ゾーンとされる。つまり、多分割に構成された各ヒータ部８５は、ボート８に保持されるウエハ１０の枚数に応じて、Ｌゾーン〜Ｕゾーンのいずれにも割り当てられない部分を有することになる。

以上のように、コントローラ５７は、温度制御部５９ａによる各ヒータ部８５への通電制御を通じて、ボート８に保持されるウエハ１０の枚数に応じて各ゾーンのゾーン長を変更するように、多分割に構成された各ヒータ部８５を運用する。

このような運用にあたり、各ゾーンのうちの特定ゾーンに割り当てられる各ヒータ部８５の部分は、ボート８に保持されるウエハ１０の枚数にかかわらずに、同一部分としてもよい。具体的には、Ｌゾーンについては、１５０枚処理と５０枚処理のいずれの場合であっても、ボート８によるウエハ１０の保持枚数にかかわらずに、常に第一ヒータ部８５ａを割り当てるように運用することが考えられる。

本実施形態における加熱制御によれば、各ヒータ部８５への通電制御により各ゾーンのゾーン長を適宜変更し得るようになる。そのため、例えばラージバッチ処理とミニバッチ処理のいずれにも対応する場合であっても、ハードウエア的なヒータ交換作業を要することなく、それぞれの場合に容易に対応することが可能となる。
また、例えば、ラージバッチ処理に対応する場合であっても、ミニバッチ処理に対応する場合であっても、ボート８によるウエハ１０の保持枚数に応じて各ゾーンのゾーン長が適切に設定されることになるので、いずれの場合においても処理室１４の温度分布を同等なものとすることができる。つまり、フィルダミーウエハを利用しなくても、ラージバッチ処理であるかミニバッチ処理であるかにかかわらず、各ウエハ１０に対する処理状況にばらつきが生じてしまうのを抑制することができる。

また、ミニバッチ処理に対応する場合には、フィルダミーウエハが不要となることで、ボート８へのウエハ移載時間を短縮することができ、短納期生産の要求に応える上で好適なものとなる。
さらに、ミニバッチ処理に対応する場合には、Ｌゾーン〜Ｕゾーンの各ゾーンと非加熱の未使用ゾーンとが併存することになるので、未使用ゾーンの分だけ各ヒータ部８５による消費電力の軽減が期待できる。

（冷却制御）
続いて、コントローラ５７が行う制御処理のさらに他の一つとして、ボート８を処理室１４から搬出した場合に、そのボート８に保持されているウエハ１０に対して、駆動制御部５９ｄが温度センサ７１を用いて行う冷却制御処理について説明する。

ヒータ部８５の加熱を経て処理室１４でウエハ１０への成膜処理を行った後は、そのウエハ１０を保持するボート８を処理室１４から搬出し、予備室１５でウエハ１０の冷却を行う。このとき、噴射孔４５から予備室１５に不活性ガスを噴射供給することで、ウエハ１０の冷却が促進されることになる。

ところで、予備室１５でのウエハ冷却時間は、従来の運用では、ボート８に保持されるウエハ１０の枚数にかかわらずに、時間を変えることなく初期の条件で設定された同一時間に固定されていることが一般的である。ただし、フィルダミーウエハを利用することなく多品種少量生産に対応する場合には、多枚数一括処理の場合とはウエハ保持枚数が異なり、これにより熱容量も変動する。そのため、いずれの場合にも固定的な冷却時間を一律に適用することは、必ずしも適切ではない。

そこで、本実施形態においては、予備室１５でのウエハ１０の冷却にあたり、温度センサ７１を用いて以下のような冷却制御を行う。

具体的には、先ず、ボート８に保持されているウエハ１０の実際の温度と、そのウエハ１０の温度を間接的に測定する温度センサ７１による測定温度とにつき、これらの相関関係を示す相関データ（以下、温度相関データともいう。）を取得する。ウエハ１０自体の温度を直接測定することは非常に困難である。そこで、ウエハ１０の実際の温度と温度センサ７１による測定温度との相関関係を示す温度相関データを事前に用意しておく。

図６は、ウエハ温度と温度センサによる測定温度との相関関係の一具体例を示す説明図である。
ウエハ温度とセンサ測定温度との相関関係は、実測結果やシミュレーション結果等に基づいて、事前に特定しておくものとする。例えば、ダミーウエハを用いて処理室１４から出てきたウエハ温度を測定するとともに、その温度と間接的に測定する温度センサ７１の測定結果を確認することで、これらの相関関係を特定することができる。
ダミーウエハを用いて行うウエハ温度とセンサ測定温度との相関関係の特定は、ウエハ保持枚数や昇降機構７の動作速度等の条件を適宜変更しつつ、複数の条件で行う。条件（特に、ウエハ保持枚数）が変われば、その影響で相関関係も変わり得るからである。

そして、ウエハ温度とセンサ測定温度との相関関係を特定したら、その特定結果を温度相関データとして例えば記憶装置５７ｂに保存しておく。複数の条件で相関関係を特定すれば、温度相関データは、各条件に対応して（具体的には、例えばウエハ保持枚数別に）個別に存在するといったこともあり得る。なお、温度相関データの保存箇所は、記憶装置５７ｂではなく、温度センサ７１からの検出信号を受け取る温度調節器７２であってもよい。記憶装置５７ｂまたは温度調節器７２に温度相関データを保存しておけば、そこにアクセスすることによって、必要となる温度相関データを取得することができる。

温度相関データの取得は、例えばボート８に保持されるウエハ１０の枚数に応じて行うことができる。ボート８におけるウエハ１０の保持枚数の認識は、上述した駆動制御の場合と同様にして行えばよい。つまり、温度相関データの取得にあたっては、冷却しようとするウエハ１０の保持枚数の認識した上で、そのウエハ保持枚数の認識結果に応じた温度相関データを選択し、その選択した温度相関データを取得対象とすることもできる。

温度相関データの取得後は、その温度相関データに基づいて、温度調節器７２の発報温度を設定する。発報温度は、ウエハ１０が必要十分に冷却されたか否かを判断するための基準となる温度である。例えば、ウエハ１０を図示せぬカセット５に回収した際に、ウエハ１０の熱でカセット５が溶ける等の事象が生じなければ、そのウエハ１０は必要十分に冷却されていると推認できる。このようなウエハ温度は、カセット５の仕様（例えば形成材料の耐熱温度）を基に予め規定することが可能である。発報温度は、温度相関データ上において、このようなウエハ温度と対応関係にあるセンサ測定温度に相当するものである。

発報温度の設定後に、処理室１４からボート８が搬出され、そのボート８に保持されたウエハ１０の冷却が開始されると、温度調節器７２は、温度センサ７１による測定温度をモニターする。そして、温度センサ７１による測定温度が設定された発報温度まで降下したら、温度調節器７２がコントローラ５７に対して発報信号（発報温度まで降下した旨の信号）を出力する。なお、温度センサ７１による測定温度に基づき温度調節器７２がクーリングユニット２８から供給される冷却ガスの流量を制御するようにしてもよい。

コントローラ５７は、温度調節器７２からの発報信号を受け取ると、ボート８に保持されたウエハ１０が必要十分に冷却されたと判断できることから、ボート８からのウエハ１０の取り出しを許可して次のステップへ進む。具体的には、ボート８からのウエハ１０の取り出しを行うように、駆動制御部５９ｄが基板移載機９に動作指示を与える。

以上のように、本実施形態における冷却制御によれば、温度センサ７１による測定温度をモニターしてウエハ１０の冷却時間の終了を検知するので、過冷却や冷却不足等が生じるのを未然に回避することができる。つまり、過冷却の回避により、冷却時間を無駄に費やしてしまうことがないので、半導体装置の製造ＴＡＴ（ターンアラウンド・タイム）を改善することができる。また、冷却不足の回避により、冷却不足のまま次ステップを実行してしまうことがないので、半導体装置の製品不良を防止することができる。

また、温度センサ７１による測定結果を利用することで、ウエハ１０の冷却時間を可変的にすることができる。そのため、例えば、ラージバッチ処理に対応する場合であっても、ミニバッチ処理に対応する場合であっても、それぞれに適した冷却時間を適用することが可能となる。

また、温度センサ７１による測定結果の利用にあたって、温度相関データを用いることで、温度センサ７１がウエハ１０の温度を間接的に測定するものであっても、ウエハ１０自体の温度を適切に判断し得るようになる。
しかも、ウエハ保持枚数等の条件について、様々な条件に応じた温度相関データを用意しておけば、どのような条件の場合であっても、ウエハ温度とセンサ測定温度との相関関係を適切に把握できる。そのため、その把握結果に応じて発報温度を適宜設定することで、冷却制御の更なる最適化（時間短縮等）が実現可能となる。

（７）本実施形態の効果
本実施形態によれば、以下に示す一つまたは複数の効果を奏する。

（ａ）本実施形態においては、処理室１４への搬入時と処理室１４からの搬出時との少なくとも一方に際して、ウエハ１０の保持枚数に応じた速度でボート８を昇降させるように駆動制御を行う。そのため、例えば、ラージバッチ処理に対応する場合であっても、またフィルダミーウエハを利用せずにミニバッチ処理に対応する場合であっても、それぞれの場合に適した態様でボート８を昇降させ得るようになり、その結果として処理枚数の大小にかかわらずに各ウエハ１０に対する処理の適切化を図ることが可能となる。

（ｂ）本実施形態においては、温度センサ７１による測定結果を利用して冷却制御を行うので、過冷却や冷却不足等が生じるのを未然に回避することができ、その結果として半導体装置の製造ＴＡＴの改善や製品不良防止等が図れるようになる。しかも、温度センサ７１による測定結果の利用にあたり、温度相関データを用いているので、ウエハ温度とセンサ測定温度との関係を適切に把握でき、温度センサ７１を利用した冷却制御処理の適切化を図ることが可能となる。

（ｃ）本実施形態においては、速度相関データを事前に用意しておき、その速度相関データに基づいてボート８の昇降速度を決定する。そのため、その速度決定を迅速かつ確実に行えるようになり、またその決定結果がウエハ１０の保持枚数に応じて適切に決定されたものとすることができる。

（ｄ）本実施形態においては、温度相関データについてウエハ保持枚数に応じたものを用意しておくので、ウエハ保持枚数によってウエハ温度とセンサ測定温度との関係に変動が生じる場合であっても、その変動に適切に対応することができる。つまり、様々な条件に応じた温度相関データを個別に用意しておくことで、温度センサ７１を利用した冷却制御処理の更なる適切化が図れるようになる。

（ｅ）本実施形態においては、予備室１５にて、ボート８に保持されているウエハ１０に対して不活性ガスを吹き付ける。これにより、処理室１４からの搬出されたボート８に保持されているウエハ１０の冷却が促進されることになる。

（ｆ）本実施形態においては、各ゾーン（例えば、Ｕゾーン、ＣＵゾーン、ＣＬゾーン、Ｌゾーン）の数よりも多分割に構成されたヒータ部８５を用いて、処理室１４のウエハ１０を所定の処理温度まで加熱する際の加熱制御を行う。そのため、各ヒータ部８５への通電制御により各ゾーンのゾーン長を適宜変更し得るようになり、例えばラージバッチ処理とミニバッチ処理のいずれにも対応する場合であっても、ハードウエア的なヒータ交換作業を要することなく、それぞれの場合に容易に対応することが可能となる。

（ｇ）本実施形態においては、ボート８に保持されるウエハ１０の枚数に応じて、多分割されたヒータ部８５をＵゾーン、ＣＵゾーン、ＣＬゾーン、Ｌゾーンのそれぞれに割り当てる。つまり、例えばラージバッチ処理とミニバッチ処理のいずれに対応する場合であっても、加熱対象領域がＵゾーン、ＣＵゾーン、ＣＬゾーン、Ｌゾーンのゾーン毎に加熱制御されることになる。したがって、フィルダミーウエハを利用しなくても、ラージバッチ処理であるかミニバッチ処理であるかにかかわらず、それぞれの場合で同様な温度分布を実現することができ、各ウエハ１０に対する処理状況にばらつきが生じてしまうのを抑制することができる。

（ｈ）本実施形態においては、ボート８を昇降させる際の駆動制御にあたり、ウエハ保持枚数によらずに（すなわち、ボート８がどのような枚数のウエハ１０を保持している場合であっても）、そのボート８の昇降が一定速度を維持するような駆動制御を行う。そのため、ウエハ保持枚数によらずに処理室１４に対するウエハ１０の搬入出が略同一条件で行われるようになり、例えばラージバッチ処理に対応する場合であるか、フィルダミーウエハを利用せずにミニバッチ処理に対応する場合であるかにかかわらず、各ウエハ１０に対する処理状況にばらつきが生じてしまうのを抑制することができる。

＜他の実施形態＞
以上に、本発明の一実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。

例えば、上述した実施形態では、基板処理装置１が行う処理としてアニール処理を例に挙げたが、本発明がこれに限定されることはない。すなわち、本発明は、上述した実施形態で例に挙げたアニール処理の他に、酸化処理や拡散処理等にも適用できる。

また、例えば、上述した実施形態では、基板処理装置１が半導体装置（デバイス）の製造工程の一工程に用いられる例に挙げたが、本発明がこれに限定されることはない。すなわち、本発明は、ウエハ１０を処理する半導体製造装置としてだけではなく、例えばＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）装置で用いられるようなガラス基板を処理する装置にも適用できる。

また、例えば、上述した実施形態では、基板処理装置１が備える予備室１５が処理室１４の下方側に設けられた空間である場合を例に挙げたが、本発明がこれに限定されることはない。すなわち、予備室１５は、ボート８の昇降時に処理室１４を大気に開放しないようにする、いわゆるロードロック機能を備えたものであってもよく、その場合でも全く同様に本発明を適用することが可能である。

＜本発明の好ましい態様＞
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。

［付記１］
本発明の一態様によれば、
複数枚の基板を保持する基板保持具を処理室に搬入する搬入工程と、前記処理室の前記基板を処理する処理工程と、前記処理工程の後に前記基板保持具を前記処理室から搬出する搬出工程と、を有し、
前記搬入工程と前記搬出工程との少なくとも一方では、前記基板保持具が保持する前記基板の枚数に応じた速度で前記基板保持具を移動させる
半導体装置の製造方法が提供される。

［付記２］
本発明の他の一態様によれば、
複数枚の基板を保持する基板保持具を処理室に搬入して前記処理室で前記基板を処理した後、前記処理室から搬出した前記基板保持具が保持する前記基板を冷却する基板冷却方法であって、
前記基板保持具の前記処理室への搬入と前記処理室からの搬出との少なくとも一方に際して、前記基板保持具が保持する前記基板の枚数に応じた速度で前記基板保持具を移動させる
基板冷却方法が提供される。

［付記３］
本発明のさらに他の一態様によれば、
複数枚の基板を保持する基板保持具と、
前記基板保持具が保持する前記基板を処理する処理室と、
前記基板保持具を昇降させて前記基板保持具の前記処理室への搬入および前記処理室からの搬出を行う搬送機構と、
前記基板保持具の前記処理室への搬入と前記処理室からの搬出との少なくとも一方に際して、前記基板保持具が保持する前記基板の枚数に応じた速度で前記基板保持具を搬送させるように前記搬送機構を制御する制御部と、
を備える基板処理装置が提供される。

［付記４］
好ましくは、
前記基板の温度を測定する温度センサと、
前記温度センサによる測定温度と前記基板の温度との相関関係を示す相関データを保存する記憶部と、を備え、
前記制御部は、前記相関データに基づき、前記温度センサによる測定温度が所定温度に到達すると、前記基板保持具からの前記基板の取り出しを許可するように構成されている
付記３に記載の基板処理装置が提供される。

［付記５］
好ましくは、
前記基板保持具が保持する前記基板の枚数と前記昇降機構が前記基板保持具を昇降させる速度との相関関係を示す相関データを保存する記憶部と、を備え、
前記制御部は、前記相関データに基づき、前記基板保持具が保持する前記基板の枚数に応じて前記昇降機構が前記基板保持具を昇降させる速度を決定するように構成されている
付記３に記載の基板処理装置が提供される。

［付記６］
好ましくは、
前記基板の温度を測定する温度センサと、
前記基板保持具の基板保持枚数に応じた前記温度センサによる測定温度と前記基板の温度の相関関係を示す相関データを保存する記憶部と、を備え、
前記制御部は、前記相関データに基づき、前記温度センサによる測定温度が所定温度に到達すると、前記基板保持具からの前記基板の取り出しを許可するように構成されている
付記３に記載の基板処理装置が提供される。

［付記７］
好ましくは、
前記処理室の前記基板を複数のゾーンに分割して加熱する加熱部と、
前記複数のゾーンにおける前記基板が所定温度を維持するように前記加熱部を各ゾーン別に制御する温度制御部と、を備え、
前記加熱部は、前記ゾーンの数よりも多分割に構成されている
付記３に記載の基板処理装置が提供される。

［付記８］
好ましくは、
前記加熱部は、前記基板保持具に保持される前記基板の枚数に応じて、多分割された各部が前記複数のゾーン（具体的にはＵゾーン、ＣＵゾーン、ＣＬゾーン、Ｌゾーン）のそれぞれに割り当てられる
付記７に記載の基板処理装置が提供される。

［付記９］
好ましくは、
前記複数のゾーンのうちの特定ゾーン（具体的にはＬゾーン）に割り当てられる前記加熱部の部分は、前記基板保持具に保持される前記基板の枚数にかかわらずに同一部分である
付記８に記載の基板処理装置が提供される。

［付記１０］
好ましくは、
多分割に構成された前記加熱部は、前記基板保持具に保持される前記基板の枚数に応じて、前記複数のゾーンに割り当てられない部分を有する
付記７に記載の基板処理装置が提供される。

［付記１１］
好ましくは、
前記制御部は、前記昇降機構が前記基板保持具を前記処理室へ搬入している間、前記基板保持具に保持される前記基板の枚数によらずに一定速度を維持するように前記昇降機構を制御する
付記３に記載の基板処理装置が提供される。

［付記１２］
本発明のさらに他の一態様によれば、
複数枚の基板を保持する基板保持具を昇降機構により処理室に搬入する手順と、
前記処理室の前記基板を処理する手順と、
前記処理室での前記基板の処理後に前記基板保持具を前記昇降機構により前記処理室から搬出する手順と、
前記基板保持具の前記処理室への搬入と前記処理室からの搬出との少なくとも一方に際して、前記基板保持具が保持する前記基板の枚数に応じた速度で前記基板保持具を昇降させるように前記昇降機構を制御する手順と、
をコンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラムが格納されたコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。

［付記１３］
本発明のさらに他の一態様によれば、
複数枚の基板を保持する基板保持具を昇降機構により処理室に搬入する手順と、
前記処理室の前記基板を処理する手順と、
前記処理室での前記基板の処理後に前記基板保持具を前記昇降機構により前記処理室から搬出する手順と、
前記基板保持具の前記処理室への搬入と前記処理室からの搬出との少なくとも一方に際して、前記基板保持具が保持する前記基板の枚数に応じた速度で前記基板保持具を昇降させるように前記昇降機構を制御する手順と、
をコンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラムが提供される。

１…基板処理装置、１０…ウエハ（基板）、８…ボート（基板保持具）、１４…処理室、７…昇降機構、５７…コントローラ（制御部）、５７ａ…演算装置（主制御部）、５７ｂ…記憶装置（記憶部）

Claims (3)

1. 複数枚の基板を保持する基板保持具を処理室に搬入する搬入工程と、前記処理室の前記基板を処理する処理工程と、前記処理工程の後に前記基板保持具を前記処理室から搬出する搬出工程と、を有し、
   前記搬入工程と前記搬出工程との少なくとも一方では、前記基板保持具が保持する前記基板の枚数に応じた速度で前記基板保持具を移動させる
   半導体装置の製造方法。
2. 複数枚の基板を保持する基板保持具を処理室に搬入して前記処理室で前記基板を処理した後、前記処理室から搬出した前記基板保持具が保持する前記基板を冷却する基板冷却方法であって、
   前記基板保持具の前記処理室への搬入と前記処理室からの搬出との少なくとも一方に際して、前記基板保持具が保持する前記基板の枚数に応じた速度で前記基板保持具を移動させる
   基板冷却方法。
3. 複数枚の基板を保持する基板保持具と、
   前記基板保持具が保持する前記基板を処理する処理室と、
   前記基板保持具を昇降させて前記基板保持具の前記処理室への搬入および前記処理室からの搬出を行う搬送機構と、
   前記基板保持具の前記処理室への搬入と前記処理室からの搬出との少なくとも一方に際して、前記基板保持具が保持する前記基板の枚数に応じた速度で前記基板保持具を搬送させるように前記搬送機構を制御する制御部と、
   を備える基板処理装置。