TWI773322B - 發光二極體 - Google Patents

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TWI773322B TW110117541A TW110117541A TWI773322B TW I773322 B TWI773322 B TW I773322B TW 110117541 A TW110117541 A TW 110117541A TW 110117541 A TW110117541 A TW 110117541A TW I773322 B TWI773322 B TW I773322B
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Abstract

一種發光二極體，包括第一半導體層、第二半導體層、第一接墊、第二接墊以及保護凸塊。第一半導體層以及第二半導體層彼此重疊。第一半導體層的第一面的面積大於第二半導體層的第二面的面積。第一面朝向第二面。第一接墊電性連接至第一半導體層。第二接墊電性連接至第二半導體層。保護凸塊位於第一接墊與第二接墊之間。

Description

發光二極體
本發明是有關於一種發光二極體。
微型發光二極體顯示器(Micro Light Emitting Device Display，micro LED display)為新一代的顯示技術，其關鍵技術在於如何將大量之微型發光二極體轉移至電路基板上。
然而，轉移技術為機械式操作，轉移技術的成效取決於機台精度以及轉移工具本身的精度與良率。在提取微型發光二極體時，會遇到機台作動誤差及轉移工具精度誤差。在放置微型發光二極體時，則會面臨另一次機台作動誤差以及對位誤差。若微型發光二極體沒有放置於正確的位置，將使得微型發光二極體不能正常運作。因此，目前亟需一種能夠解決前述問題的方法。
本發明提供一種發光二極體，能提升雷射轉移製程的良率。
本發明的至少一實施例提供一種發光二極體。發光二極 體包括第一半導體層、第二半導體層、第一接墊、第二接墊以及保護凸塊。第一半導體層以及第二半導體層彼此重疊。第一半導體層的第一面的面積大於第二半導體層的第二面的面積。第一面朝向第二面。第一接墊電性連接至第一半導體層。第二接墊電性連接至第二半導體層。保護凸塊位於第一接墊與第二接墊之間。
本發明的至少一實施例提供一種發光二極體。發光二極體包括第一半導體層、第二半導體層、絕緣層、第一接墊、第二接墊、第一導電孔以及第二導電孔。第二半導體層重疊於第一半導體層。絕緣層位於第二半導體層上。第一接墊以及第二接墊位於絕緣層上。第一接墊與第二接墊皆重疊於第二半導體層。第一導電孔穿過第二半導體層以及絕緣層，且電性連接第一接墊至第一半導體層。第二導電孔穿過絕緣層，且電性連接第二接墊至第二半導體層。
100:生長基板
110、110A、110B、110C、110a、110b、110c、110d、110e:發光二極體
112:半導體堆疊層
114:接墊
200:電路基板
210:接墊
220:封裝材料
A-A’:線
AD1、AD2:黏著層
BP:保護凸塊
D1:第一方向
D2:第二方向
E1:第一導電材料
E2:第二導電材料
EL:發光層
IL:絕緣層
ILt、P1t、P2t、BPt:頂面
L、L1、L2、L3:長度
LS1、LS2、LS3:雷射
OP:開口
OP1:第一開口
P1:第一接墊
P2:第二接墊
PSM:圖案化半導體層
S1:第一面
S2:第二面
SB1、SB2:基底
SM1:第一半導體層
SM2:第二半導體層
t1、t2:厚度
TH1:第一開孔
TH2:第二開孔
TS1:第一轉置基底
TS2:第二轉置基底
V1:第一導電孔
V2:第二導電孔
X1、X2:高度差
Y1、Y2:高度
Z1:第一層
Z2:第二層
圖1A至圖1F是依照本發明的一實施例的一種發光二極體顯示裝置的製造方法的剖面示意圖。
圖2A是依照本發明的一實施例的一種發光二極體顯示裝置的製造方法的剖面示意圖。
圖2B是圖2A的發光二極體的上視示意圖。
圖3是依照本發明的一實施例的一種發光二極體的剖面示意 圖。
圖4是依照本發明的一實施例的一種發光二極體的剖面示意圖。
圖5A是依照本發明的一實施例的一種發光二極體顯示裝置的製造方法的剖面示意圖。
圖5B是圖5A的發光二極體的上視示意圖。
圖6是依照本發明的一實施例的一種發光二極體的剖面示意圖。
圖7是依照本發明的一實施例的一種發光二極體的剖面示意圖。
圖1A至圖1F是依照本發明的一實施例的一種發光二極體顯示裝置的製造方法的剖面示意圖。
請參考圖1A，於生長基板100上形成多個發光二極體110A。生長基板100為砷化鎵(GaAs)基板、磷化鎵(GaP)基板、磷化銦(InP)基板、藍寶石基板、碳化矽(SiC)基板、氮化鎵(GaN)基板或其他適用於磊晶製程的生長基板。在一些實施例中，生長基板100的表面經由蝕刻製程(例如濕式蝕刻)而圖案化，以使生長基板100具有凹凸起伏的表面，例如圖案化藍寶石基板(Patterned Sapphire Substrate,PSS)。
發光二極體110A包括半導體堆疊層112以及位於半導體 堆疊層112上的兩個接墊114，其中接墊114位於半導體堆疊層112遠離生長基板100的一側。
將生長基板100上的發光二極體110A黏附於第一轉置基底TS1上。在本實施例中，第一轉置基底TS1包括基底SB1以及黏著層AD1。在一些實施例中，基底SB1的材料例如為玻璃、藍寶石或其他適合的材料。將生長基板100移動至第一轉置基底TS1上，並使生長基板100上的發光二極體110A的接墊114朝向第一轉置基底TS1的黏著層AD1。
請參考圖1B，以雷射剝離(Laser lift off)的方式將一個或多個發光二極體110A自生長基板100轉置於第一轉置基底TS1的黏著層AD1上，接著移除生長基板100。在本實施例中，從生長基板100背對發光二極體110A的一側照射雷射LS1，藉此使發光二極體110A自生長基板100剝離。
請參考圖1C，提供第二轉置基底TS2。第二轉置基底TS2包括基底SB2以及黏著層AD2。在一些實施例中，基底SB2的材料例如為玻璃、藍寶石或其他適合的材料。
移動第一轉置基底TS1及/或第二轉置基底TS2以使第一轉置基底TS1與第二轉置基底TS2對準，接著從基底SB1的一側以雷射LS2照射發光二極體110A，並藉由雷射轉移(Laser Transfer)的方式將選定的一個或多個發光二極體110A自第一轉置基底TS1轉置於第二轉置基底TS2的黏著層AD2上，此時，發光二極體110A的接墊114位於半導體堆疊層112遠離第二轉置基 底TS2的一側。
在本實施例中，從第一轉置基底TS1背對發光二極體110A的一側照射雷射LS2，藉此使發光二極體110A自第一轉置基底TS1剝離。在一些實施例中，雷射LS2使黏著層AD1產生物理及/或化學反應，舉例來說，雷射LS2聚焦於黏著層AD1中，使黏著層AD1產生氣體。發光二極體110A可以藉由氣體膨脹的力量以離開第一轉置基底TS1。
在一些實施例中，雷射LS2的波長為266奈米至365奈米，且雷射LS2的光束直徑(Beam size)為1微米至10微米。在一些實施例中，雷射LS2的精度在1微米以內，換句話說，雷射LS2實際的聚焦位置因為製程誤差(Process deviation)而導致的偏移距離小於1微米。
雖然在圖1C中僅繪出以一道雷射LS2照射發光二極體110A，但本發明不以此為限。在一些實施例中，以兩道雷射LS2照射發光二極體110A以執行雷射轉移製程。
請參考圖1D，重覆多次圖1A至圖1C的步驟，藉此將發光二極體110B與發光二極體110C轉移至第二轉置基底TS2。發光二極體110A、發光二極體110B與發光二極體110C例如為不同顏色的發光二極體。需注意的是，圖1A至圖1F省略了發光二極體110A、110B與110C的部分結構，發光二極體110A、110B與110C可以為後文描述的任何一個實施例所描述的發光二極體。
請參考圖1E，將發光二極體110A、發光二極體110B與 發光二極體110C自第二轉置基底TS2轉置於電路基板200。在本實施例中，電路基板200為硬性電路基板或軟性電路基板。電路基板200具有多個接墊210。
自第二轉置基底TS2的背側對發光二極體110A、110B與110C照射雷射LS3，使發光二極體110A、110B與110C的接墊114藉由焊料(未繪出)而電性連接至電路基板200的接墊210。在其他實施例中，不需要藉由雷射LS3以及焊料來電性連接發光二極體110A、110B與110C至接墊210。舉例來說，發光二極體110A、110B與110C與接墊210也可以藉由異方性導電膠或其他材料而彼此電性連接。
接著請參考圖1F，移除第二轉置基底TS2，接著以封裝材料220將發光二極體110A、110B與110C封裝於電路基板200上。
圖2A是依照本發明的一實施例的一種發光二極體顯示裝置的製造方法的剖面示意圖。圖2B是圖2A的發光二極體的上視示意圖。圖2A的發光二極體對應了圖2B中的線A-A’的位置，為了方便說明，圖2B省略繪示了發光二極體的部分構件。
圖2A對應了圖1C的步驟，即將發光二極體110自第一轉置基底TS1轉移至第二轉置基底TS2的雷射轉移(Laser Transfer)的步驟。
請參考圖2A與圖2B，在本實施例中，發光二極體110包括第一半導體層SM1、第二半導體層SM2、第一接墊P1、第二 接墊P2以及保護凸塊BP。在本實施例中，發光二極體110還包括發光層EL、絕緣層IL以及圖案化半導體層PSM。
第一半導體層SM1以及第二半導體SM2層彼此重疊。第一半導體層SM1的第一面S1朝向第二半導體層SM2的第二面S2。第二半導體層SM2具有第一開口OP1，使第一半導體層SM1的第一面S1的面積大於第二半導體層SM2的第二面S2的面積。
第一半導體層SM1與第二半導體層SM2中的一者為N型摻雜半導體，且另一者為P型摻雜半導體。舉例來說，第一半導體層SM1為N型半導體層，且第二半導體層SM2為P型半導體層。在一些實施例中，第一半導體層SM1與第二半導體層SM2的材料例如包括氮化鎵、氮化銦鎵(InGaN)、砷化鎵、鋁鎵銦磷化物(AlGaInP)或其他IIIA族和VA族元素組成的材料或其他合適的材料，但本發明不以此為限。
發光層EL位於第一半導體層SM1的第一面S1與第二半導體層SM2的第二面S2之間。發光層EL例如具有量子井(Quantum Well,QW)，例如：單量子井(SQW)、多量子井(MQW)或其他的量子井，P型摻雜的半導體層提供的電洞與N型摻雜的半導體層提供的電子可以在發光層EL結合，並以光的模式釋放出能量。發光層EL具有開口OP，發光層EL的開口OP重疊於第二半導體層SM2的第一開口OP1。
圖案化半導體層PSM位於第一半導體層SM1背對第二半導體層SM2的一側。在一些實施例中，圖案化半導體層PSM的材 料例如包括氮化鎵、氮化銦鎵(InGaN)、砷化鎵、鋁鎵銦磷化物(AlGaInP)或其他IIIA族和VA族元素組成的材料或其他合適的材料。在一些實施例中，圖案化半導體層PSM包括與第一半導體層SM1相同的材料，但圖案化半導體層PSM的摻雜濃度例如小於第一半導體層SM1的摻雜濃度。在一些實施例中，圖案化半導體層PSM的是沒有經摻雜的半導體層。
絕緣層IL位於第一半導體層SM1的表面、發光層EL的表面以及第二半導體層SM2的表面。絕緣層IL具有第一開孔TH1以及第二開孔TH2。第一開孔TH1重疊於第二半導體層的第一開口OP1以及發光層EL的開口OP。第一半導體層SM1暴露於第一開孔TH1的底部，且第二半導體層SM2暴露於第二開孔TH2的底部。
第一接墊P1與第二接墊P2位於絕緣層IL上，且第一接墊P1與第二接墊P2分別位於第一開孔TH1以及第二開孔TH2中。第一接墊P1電性連接至第一半導體層SM1。第二接墊P2電性連接至第二半導體層SM2。第一接墊P1與第二接墊P2為單層或多層結構，且其材料例如包括金屬、導電氧化物、導電氮化物或其他合適的導電材料。在一些實施例中，第一接墊P1與第二接墊P2的位置因為製程誤差而導致偏移的距離小於2微米。
保護凸塊BP位於第一接墊P1與第二接墊P2之間。在本實施例中，保護凸塊BP形成於第二半導體層SM2上，且保護凸塊BP與第二接墊P2直接接觸第二半導體層SM2。保護凸塊BP 不接觸第一接墊P1與第二接墊P2。在一些實施例中，保護凸塊BP位於絕緣層IL與第二半導體層SM2之間，藉此避免第一接墊P1及/或第二接墊P2直接接觸保護凸塊BP。在本實施例中，保護凸塊BP的材料包括金屬(例如金、銀、鋁或其合金或其他金屬材料)、無機材料(例如氧化鈦、氧化矽或其堆疊層或其他無機材料)或有機材料。在一些實施例中，保護凸塊BP包括針對雷射LS2的穿透率小於10%的材料。
在本實施例中，在執行雷射轉移時，雷射LS2對準保護凸塊BP的位置。相較於以兩道雷射LS2分別對準第一接墊P1與第二接墊P2，以雷射LS2對準保護凸塊BP能避免發光二極體110在離開黏著層AD1時出現轉動的問題，藉此提升雷射轉移的良率。換句話說，在本實施例中，保護凸塊BP的設置能提升雷射轉移製程的良率。
在一些實施例中，以第一半導體層SM1的第一面S1為基準，絕緣層IL之最頂面ILt的高度低於第一接墊P1之最頂面P1t的高度，且兩者具有高度差X1。類似地，以第一半導體層SM1的第一面S1為基準，絕緣層IL之最頂面ILt的高度低於第二接墊P2之最頂面P2t的高度，且兩者具有高度差X2。在一些實施例中，高度差X1小於或等於高度差X2。由於絕緣層IL之最頂面ILt的高度低於第一接墊P1之最頂面P1t的高度以及第二接墊P2之最頂面P2t的高度，可以避免絕緣層IL影響第一接墊P1以及第二接墊P2電性連接至電路基板的製程(如圖1E的製程)。在本實施 例中，保護凸塊BP的厚度t1為50奈米至5000奈米。在本實施例中，絕緣層IL的厚度t2為20奈米至2000奈米。
請參考圖2B，第一接墊P1與第二接墊P2在第一方向D1上排列。發光二極體110在第一方向D1上的長度為L。第一接墊P1在第一方向D1上的長度為L1。第二接墊P2在第一方向D1上的長度為L2。保護凸塊BP在第一方向D1上的長度L3介於3微米至(L-L1-L2-4)微米。藉此避免保護凸塊BP因為製程誤差而重疊於第一接墊P1及/或第二接墊P2，同時，可以使雷射LS2不會超出保護凸塊BP的範圍，避免雷射LS2傷害發光二極體110的半導體層。
圖3是依照本發明的一實施例的一種發光二極體的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖3的實施例沿用圖2A和圖2B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
圖3的發光二極體110a與圖2A和圖2B的發光二極體110的差異在於：在發光二極體110a中，保護凸塊BP形成於絕緣層IL上。
請參考圖3，保護凸塊BP形成於絕緣層IL上，絕緣層IL位於保護凸塊BP與第二半導體層SM2之間。
在本實施例中，保護凸塊BP不接觸第二半導體層SM2、第一接墊P1與第二接墊P2。在本實施例中，保護凸塊BP的材料 包括金屬(例如金、銀、鋁或其合金或其他金屬材料)、無機材料(例如氧化鈦、氧化矽或其堆疊層或其他無機材料)或有機材料或前述材料的堆疊層。在一些實施例中，保護凸塊BP包括針對雷射的穿透率小於10%的材料。
在本實施例中，在執行雷射轉移時，雷射對準保護凸塊BP的位置。相較於以兩道雷射分別對準第一接墊P1與第二接墊P2，以雷射對準保護凸塊BP能避免發光二極體110在離開黏著層AD1時出現轉動的問題，藉此提升雷射轉移的良率。換句話說，在本實施例中，保護凸塊BP的設置能提升雷射轉移製程的良率。
在一些實施例中，以第一半導體層SM1的第一面S1為基準，保護凸塊BP之最頂面BPt的高度低於第一接墊P1之最頂面P1t的高度，且兩者具有高度差X1。類似地，以第一半導體層SM1的第一面S1為基準，保護凸塊BP之最頂面BPt的高度低於第二接墊P2之最頂面P2t的高度，且兩者具有高度差X2。在一些實施例中，高度差X1小於或等於高度差X2。由於保護凸塊BP之最頂面BPt的高度低於第一接墊P1之最頂面P1t的高度以及第二接墊P2之最頂面P2t的高度，可以避免保護凸塊BP影響第一接墊P1以及第二接墊P2電性連接至電路基板的製程(如圖1E的製程)。在本實施例中，保護凸塊BP的厚度t1為50奈米至5000奈米。
圖4是依照本發明的一實施例的一種發光二極體的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖4的實施例沿用圖3的實施例的 元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
圖4的發光二極體110b與圖3的發光二極體110a的差異在於：在發光二極體110b中，保護凸塊BP為多層結構。
請參考圖4，保護凸塊BP為多層結構，且包括第一層Z1以及第二層Z2。第一層Z1以及第二層Z2例如包括不同材料，舉例來說，第一層Z1以及第二層Z2分別為氧化鈦與氧化矽。在一些實施例中，保護凸塊BP還包括第三層(未繪出)，第二層Z2位於第一層Z1以及第三層之間，且第一層Z1以及第三層包括氧化鈦，且第二層Z2包括氧化矽。在一些實施例中，包括氧化鈦的第一層Z1以及包括氧化鈦的第三層之間具有一層以上的氧化矽層。
在本實施例中，保護凸塊BP為雙層結構，但本發明不以此為限。在其他實施例中，保護凸塊BP為三層以上的結構。
在本實施例中，保護凸塊BP的設置能提升雷射轉移製程的良率。
圖5A是依照本發明的一實施例的一種發光二極體顯示裝置的製造方法的剖面示意圖。圖5B是圖5A的發光二極體的上視示意圖。圖5A的發光二極體對應了圖5B中的線A-A’的位置，為了方便說明，圖5B省略繪示了發光二極體的部分構件。
圖5A對應了圖1C的步驟，即將發光二極體110c自第一 轉置基底TS1轉移至第二轉置基底TS2的雷射轉移(Laser Transfer)的步驟。
請參考圖5A與圖5B，發光二極體110c包括第一半導體層SM1、第二半導體層SM2、絕緣層IL、第一接墊P1、第二接墊P2、第一導電孔V1以及第二導電孔V2。在本實施例中，發光二極體110c還包括發光層EL以及圖案化半導體層PSM。
第二半導體層SM2重疊於第一半導體SM1。第一半導體層SM1的第一面S1朝向第二半導體層SM2的第二面S2。第二半導體層SM2具有第一開口OP1，使第一半導體層SM1的第一面S1的面積大於第二半導體層SM2的第二面S2的面積。第一開口OP1的數量以及位置可以依照實際需求而進行調整。
第一半導體層SM1與第二半導體層SM2中的一為N型摻雜半導體，且另一者為P型摻雜半導體。舉例來說，第一半導體層SM1為N型半導體層，且第二半導體層SM2為P型半導體層。在一些實施例中，第一半導體層SM1與第二半導體層SM2的材料例如包括氮化鎵、氮化銦鎵(InGaN)、砷化鎵、鋁鎵銦磷化物(AlGaInP)或其他IIIA族和VA族元素組成的材料或其他合適的材料，但本發明不以此為限。
發光層EL位於第一半導體層SM1的第一面S1與第二半導體層SM2的第二面S2之間。發光層EL例如具有量子井(Quantum Well,QW)，例如：單量子井(SQW)、多量子井(MQW)或其他的量子井，P型摻雜的半導體層提供的電洞與N 型摻雜的半導體層提供的電子可以在發光層EL結合，並以光的模式釋放出能量。發光層EL具有開口OP，發光層EL的開口OP重疊於第二半導體層SM2的第一開口OP1。
圖案化半導體層PSM位於第一半導體層SM1背對第二半導體層SM2的一側。在一些實施例中，圖案化半導體層PSM的材料例如包括氮化鎵、氮化銦鎵(InGaN)、砷化鎵、鋁鎵銦磷化物(AlGaInP)或其他IIIA族和VA族元素組成的材料或其他合適的材料。在一些實施例中，圖案化半導體層PSM包括與第一半導體層SM1相同的材料，但圖案化半導體層PSM的摻雜濃度例如小於第一半導體層SM1的摻雜濃度。在一些實施例中，圖案化半導體層PSM是沒有經摻雜的半導體層。
絕緣層IL位於第二半導體層SM2上，且位於第二半導體層SM2的第一開口OP1中。絕緣層IL覆蓋第一開口OP1的側壁。
絕緣層IL具有第一開孔TH1以及第二開孔TH2。第一開孔TH1重疊於第二半導體層SM2的第一開口OP1以及發光層EL的開口OP。第一半導體層SM1暴露於第一開孔TH1的底部，且第二半導體層SM2暴露於第二開孔TH2的底部。
在本實施例中，絕緣層IL的第一開孔TH1的側壁與發光層EL的開口OP的側壁對齊，但本發明不以此為限。在其他實施例中，絕緣層IL填入發光層EL的開口OP中，且絕緣層IL覆蓋開口OP的側壁。換句話說，第一開孔TH1的尺寸可以大於、等於或小於開口OP的尺寸。
第一導電材料E1填入第一開口OP1、開口OP以及第一開孔TH1中以形成電性連接至第一半導體層SM1的第一導電孔V1。第一導電孔V1穿過第二半導體層SM2、發光層EL以及絕緣層IL。
第二導電材料E2填入第二開孔TH2中以形成電性連接至第二半導體層SM2的第二導電孔V2。第二導電孔V2穿過絕緣層IL。
在一些實施例中，第一導電材料E1與第二導電材料E2包括銦錫氧化物、銦鋅氧化物或其他合適的透明導電材料。在一些實施例中，第一導電材料E1與第二導電材料E2包括導電性佳的金屬材料，例如金、銀、銅或上述金屬的合金或其他金屬材料。
第一接墊P1與第二接墊P2位於絕緣層IL上。在本實施例中，第一接墊P1與第二接墊P2分別位於第一導電材料E1以及第二導電材料E2上。第一接墊P1電性連接至第一半導體層SM1。第二接墊P2電性連接至第二半導體層SM2。第一接墊P1與第二接墊P2為單層或多層結構，且其材料例如包括金屬、導電氧化物、導電氮化物或其他合適的導電材料。
第一導電孔V1電性連接第一接墊P1至第一半導體層SM1。第一導電材料E1位於第一接墊P1與絕緣層IL之間。第二導電孔V2電性連接第二接墊P2至第二半導體層SM2。第二導電材料E2位於第二接墊P2與絕緣層IL之間。
在本實施例中，第一接墊P1橫向地位於兩個第一導電孔 V1之間，但本發明不以此為限。第一導電孔V1的形狀、數量以及位置可以依照實際需求而進行調整。在本實施例中，第二接墊P2橫向地位於兩個第二導電孔V2之間，但本發明不以此為限。第二導電孔V2的形狀、數量以及位置可以依照實際需求而進行調整。
在本實施例中，第一接墊P1與第二接墊P2皆重疊於第二半導體層SM2，使第一接墊P1的最頂面P1t與第二接墊P2的最頂面P2t的水平高度大約相等。在執行雷射轉移的步驟時，兩道雷射LS2分別對準第一接墊P1與第二接墊P2。由於第一接墊P1的最頂面P1t與第二接墊P2的最頂面P2t的水平高度大約相等，發光二極體110c在第一接墊P1與第二接墊P2處所受到的力量較為均勻，藉此能避免發光二極體110c在離開黏著層AD1時出現轉動的問題，並提升雷射轉移的良率。換句話說，在本實施例中，第一接墊P1與第二接墊P2皆重疊於第二半導體層SM2的設置能提升雷射轉移製程的良率。
此外，第一接墊P1的最頂面P1t與第二接墊P2的最頂面P2t的水平高度大約相等，有助於使第一接墊P1以及第二接墊P2同時電性連接至電路基板的製程(如圖1E的製程)，藉此增加發光二極體顯示裝置的生產良率。
在一些實施例中，以第二半導體層SM2的上表面為基準，第一接墊P1之最頂面P1t的高度Y1等於第二接墊P2之最頂面P2t的高度Y2。
圖6是依照本發明的一實施例的一種發光二極體的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖6的實施例沿用圖5A和圖5B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
圖6的發光二極體110d與圖5A和圖5B的發光二極體110c的差異在於：發光二極體110d更包括保護凸塊BP。
請參考圖6，保護凸塊BP位於第一接墊P1與第二接墊P2之間。在本實施例中，保護凸塊BP形成於第二半導體層SM2上，且保護凸塊BP與第二接墊P2直接接觸第二半導體層SM2。保護凸塊BP不接觸第一接墊P1與第二接墊P2。在一些實施例中，保護凸塊BP位於絕緣層IL與第二半導體層SM2之間，藉此避免第一接墊P1及/或第二接墊P2直接接觸保護凸塊BP。在本實施例中，保護凸塊BP的材料包括金屬(例如金、銀、鋁或其合金或其他金屬材料)、無機材料(例如氧化鈦、氧化矽或其堆疊層或其他無機材料)或有機材料。在一些實施例中，保護凸塊BP包括針對雷射的穿透率小於10%的材料。
在本實施例中，在執行雷射轉移時，可以選擇性地以雷射對準保護凸塊BP的位置而非對準第一接墊P1與第二接墊P2的位置。以雷射對準保護凸塊BP能避免發光二極體110d在離開黏著層時出現轉動的問題，藉此提升雷射轉移的良率。
圖7是依照本發明的一實施例的一種發光二極體的剖面 示意圖。在此必須說明的是，圖7的實施例沿用圖6的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
圖7的發光二極體110e與圖6的發光二極體110d的差異在於：在發光二極體110e中，保護凸塊BP形成於絕緣層IL上。
請參考圖7，保護凸塊BP形成於絕緣層IL上，絕緣層IL位於保護凸塊BP與第二半導體層SM2之間。
在本實施例中，保護凸塊BP不接觸第二半導體層SM2、第一接墊P1與第二接墊P2。在本實施例中，保護凸塊BP的材料包括金屬(例如金、銀、鋁或其合金或其他金屬材料)、無機材料(例如氧化鈦、氧化矽或其堆疊層或其他無機材料)或有機材料或前述材料的堆疊層。在一些實施例中，保護凸塊BP包括針對雷射的穿透率小於10%的材料。
在本實施例中，在執行雷射轉移時，可以選擇性地以雷射對準保護凸塊BP的位置而非對準第一接墊P1與第二接墊P2的位置。以雷射對準保護凸塊BP能避免發光二極體110e在離開黏著層時出現轉動的問題，藉此提升雷射轉移的良率。
110:發光二極體
A-A’:線
AD1、AD2:黏著層
BP:保護凸塊
EL:發光層
IL:絕緣層
ILt、P1t、P2t:頂面
LS2:雷射
OP:開口
OP1:第一開口
P1:第一接墊
P2:第二接墊
PSM:圖案化半導體層
S1:第一面
S2:第二面
SB1、SB2:基底
SM1:第一半導體層
SM2:第二半導體層
t1、t2:厚度
TH1:第一開孔
TH2:第二開孔
TS1:第一轉置基底
TS2:第二轉置基底
X1、X2:高度差

Claims (19)

  1. 一種發光二極體，包括：一第一半導體層以及一第二半導體層，彼此重疊，其中該第一半導體層的一第一面的面積大於該第二半導體層的一第二面的面積，其中該第一面朝向該第二面；一第一接墊，電性連接至該第一半導體層；一第二接墊，電性連接至該第二半導體層；以及一保護凸塊，位於該第一接墊與該第二接墊之間。
  2. 如請求項1所述的發光二極體，更包括：一絕緣層，位於該第一半導體層的表面以及該第二半導體層的表面，其中該絕緣層具有一第一開孔以及一第二開孔，該第一接墊與該第二接墊分別位於該第一開孔以及該第二開孔中，且該保護凸塊位於該絕緣層與該第二半導體層之間。
  3. 如請求項2所述的發光二極體，其中以該第一半導體層的該第一面為基準，該絕緣層之最頂面的高度低於該第一接墊之最頂面的高度以及該第二接墊之最頂面的高度。
  4. 如請求項1所述的發光二極體，其中該保護凸塊與該第二接墊直接接觸該第二半導體層。
  5. 如請求項1所述的發光二極體，更包括：一絕緣層，位於該第一半導體層的表面以及該第二半導體層的表面，其中該絕緣層具有一第一開孔以及一第二開孔，該第一 接墊與該第二接墊分別位於該第一開孔以及該第二開孔中，且該絕緣層位於該保護凸塊與該第二半導體層之間。
  6. 如請求項1所述的發光二極體，其中該保護凸塊包括針對雷射的穿透率小於10%的材料。
  7. 如請求項1所述的發光二極體，其中該保護凸塊為多層結構。
  8. 如請求項1所述的發光二極體，其中該保護凸塊不接觸該第一接墊與該第二接墊。
  9. 如請求項1所述的發光二極體，其中該發光二極體在一第一方向上的長度為L，該第一接墊與該第二接墊在該第一方向上排列，該第一接墊在該第一方向上的長度為L1，該第二接墊在該第一方向上的長度為L2，且該保護凸塊在該第一方向上的長度L3介於3微米至(L-L1-L2-4)微米。
  10. 一種發光二極體，包括：一第一半導體層；一第二半導體層，重疊於該第一半導體層；一絕緣層，位於該第二半導體層上；一第一接墊以及一第二接墊，位於該絕緣層上，且該第一接墊與該第二接墊皆重疊於該第二半導體層；一第一導電孔，穿過該第二半導體層以及該絕緣層，且電性連接該第一接墊至該第一半導體層；以及一第二導電孔，穿過該絕緣層，且電性連接該第二接墊至該 第二半導體層，其中以該第二半導體層為基準，該第一接墊之最頂面的高度大約等於該第二接墊之最頂面的高度。
  11. 如請求項10所述的發光二極體，其中該第二半導體層具有重疊於該第一半導體層的一第一開口，該絕緣層覆蓋該第一開口的側壁，且該絕緣層具有重疊於該第一開口的一第一開孔，一第一導電材料填入該第一開口以及該第一開孔中以形成該第一導電孔。
  12. 如請求項11所述的發光二極體，其中該第一導電材料位於該第一接墊與該絕緣層之間。
  13. 如請求項10所述的發光二極體，其中該絕緣層具有重疊於該第二半導體層的一第二開孔，一第二導電材料填入該第二開孔中以形成該第二導電孔。
  14. 如請求項13所述的發光二極體，其中該第二導電材料位於該第二接墊與該絕緣層之間。
  15. 如請求項10所述的發光二極體，更包括：一保護凸塊，位於該第一接墊與該第二接墊之間。
  16. 如請求項15所述的發光二極體，其中該絕緣層位於該保護凸塊與該第二半導體層之間。
  17. 如請求項15所述的發光二極體，其中該保護凸塊位於該絕緣層與該第二半導體層之間。
  18. 如請求項15所述的發光二極體，其中該保護凸塊不接觸該第一接墊與該第二接墊。
  19. 如請求項15所述的發光二極體，其中該第一接墊橫向地位於兩個第一導電孔之間，且該第二接墊橫向地位於兩個第二導電孔之間。
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