TWI772113B - 電路基板 - Google Patents

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TWI772113B
TWI772113B TW110126491A TW110126491A TWI772113B TW I772113 B TWI772113 B TW I772113B TW 110126491 A TW110126491 A TW 110126491A TW 110126491 A TW110126491 A TW 110126491A TW I772113 B TWI772113 B TW I772113B
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Abstract

一種電路基板，包括基板、主動元件、第一訊號線、第二訊號線、遮蔽電極、資料線、畫素電極以及共用電極。第一訊號線電性連接主動元件，且包括主體部以及連接主體部的連接部。主體部沿著第一方向延伸。第二訊號線沿著第二方向延伸。第二訊號線電性連接至連接部。遮蔽電極在基板的法線方向上重疊於連接部。遮蔽電極與該第二訊號線屬於相同的導電層。資料線電性連接主動元件。共用電極電性連接至遮蔽電極。

Description

電路基板
本發明是有關於一種電路基板。
手機、電視、平板電腦等具有顯示裝置的產品已經成為現代生活中不可或缺的電子裝置。為了吸引消費者購買自家產品，許多顯示裝置的廠商致力於縮小顯示裝置的邊框以使顯示裝置能有較佳的外觀。然而，縮小顯示裝置的邊框會提升顯示裝置中導線的密集度，容易影響顯示裝置的顯示品質。具體地說，隨著導線的密集度的增加，不同訊號之導線之間的間距縮小，導線之間容易產生電場，並干擾顯示裝置的顯視訊號，使顯示裝置的顯示品質下降。
本發明提供一種電路基板，可以減少周邊區寬度，並能改善訊號線的連接處出現訊號干擾的問題。
本發明的至少一實施例提供一種電路基板。電路基板包括基板、主動元件、第一訊號線、第二訊號線、遮蔽電極、資料線、畫素電極以及共用電極。主動元件位於基板上。第一訊號線電性連接主動元件，且包括主體部以及連接部。主體部沿著第一方向延伸。連接部連接主體部，且自主體部向外延伸。第二訊號線位於基板上，且沿著第二方向延伸。第二訊號線電性連接至連接部。遮蔽電極在基板的法線方向上重疊於連接部。遮蔽電極與該第二訊號線屬於相同的導電層。資料線電性連接主動元件。畫素電極電性連接主動元件。共用電極重疊於畫素電極，且電性連接至遮蔽電極。
本發明的至少一實施例提供一種電路基板。電路基板包括基板、主動元件、第一訊號線、第二訊號線、遮蔽電極、資料線、畫素電極以及共用電極。主動元件位於基板上。第一訊號線沿著第一方向延伸，且電性連接主動元件。第二訊號線位於基板上，且沿著第二方向延伸。第二訊號線電性連接至第一訊號線。遮蔽電極相鄰於第二訊號線，且在基板的法線方向上重疊於第一訊號線，且其中遮蔽電極與第二訊號線屬於相同的導電層。資料線電性連接主動元件。畫素電極電性連接主動元件。共用電極重疊於畫素電極，且電性連接至遮蔽電極。
基於上述，由於第二訊號線與資料線沿著相同的方向延伸，第二訊號線與資料線的訊號源可以設置的較為集中，藉此減少周邊區寬度。此外，透過遮蔽電極的設置，可以減少第一訊號線對畫素電極所產生的干擾。
圖1是依照本發明的一實施例的一種電路基板10的上視示意圖。
請參考圖1，在本實施例中，電路基板10包括基板SB、主動元件T、第一訊號線HG、第二訊號線VG、資料線DL、畫素電極PE以及共用電極CE。
基板SB具有主動區AA以及位於主動區AA至少一側的周邊區BA。基板SB之材質可為玻璃、石英、有機聚合物、或是不透光/反射材料（例如：導電材料、金屬、晶圓、陶瓷或其他可適用的材料）或是其他可適用的材料。若使用導電材料或金屬時，則在基板SB上覆蓋一層絕緣層（未繪示），以避免短路問題。
主動元件T位於基板SB上，且位於主動區AA上。主動元件T例如為薄膜電晶體。在一些實施例中，主動元件T為頂部閘極型薄膜電晶體、底部閘極型薄膜電晶體、雙閘極型薄膜電晶體或其他形式之薄膜電晶體。
第一訊號線HG位於基板SB上，且位於主動區AA上。第一訊號線HG沿著第一方向DR1延伸。第一訊號線HG可作為掃描線使用，且電性連接至主動元件T的閘極。
第二訊號線VG位於基板SB上，且沿著第二方向DR2延伸。在一些實施例中，第二方向DR2垂直於第一方向DR1。第二訊號線VG電性連接至第一訊號線HG。一些實施例中，第二訊號線VG直接連接至第一訊號線HG，但本發明不以此為限。在其他實施例中，第二訊號線VG透過其他不同材料的橋接結構（未繪出）而電性連接至第一訊號線HG。
在一些實施例中，第一訊號線HG與第二訊號線VG相交處設置有遮蔽電極（未繪出），關於遮蔽電極的結構將於後續實施例說明。
驅動電路DC設置於基板SB上，且位於周邊區BA上。第二訊號線VG自周邊區BA延伸進主動區AA，且第一訊號線HG透過第二訊號線VG而電性連接至驅動電路DC。在一些實施例中，每條第一訊號線HG電性連接至一條或兩條以上的第二訊號線VG。藉由使每條第一訊號線HG電性連接至兩條以上的第二訊號線VG，藉此改善電阻-電容負載（RC loading）導致訊號分布不均勻的問題。在一些實施例中，電路基板10適用於車用液晶顯示面板，且其橫向（第一方向DR1）的寬度大於縱向（第二方向DR2）的寬度，因此，若只藉由單一條第二訊號線VG提供訊號至第一訊號線HG，容易使第一訊號線HG上的訊號不均勻。然而，本發明並未限制電路基板10用於車用液晶顯示面板，電路基板10亦可適用於其他類型的液晶顯示面板。
資料線DL設置於基板SB上，且沿著第二方向DR2延伸。資料線DL電性連接主動元件T的源極。資料線DL自周邊區BA延伸進主動區AA，且主動元件T透過資料線DL而電性連接至驅動電路DC。在本實施例中，資料線DL的左右兩側分別連接多個主動元件T，藉此提供額外的空間用於設置第二訊號線VG。換句話說，本實施例藉由半源極驅動（Half Source Driving，HSD）技術節省設置資料線DL所需的空間，然後，將節省出來的空間供給第二訊號線VG使用。
在本實施例中，第二訊號線VG與資料線DL沿著相同的第二方向DR2延伸，因此，第二訊號線VG與資料線DL的訊號源可以設置的較為集中，例如皆設置於驅動電路DC中。在一些實施例中，驅動電路DC例如包括多個晶片，且第二訊號線VG與資料線DL電性連接至對應的晶片，晶片例如是利用薄膜覆晶封裝（Chip on Film，COF）技術接合至基板SB上。然而，本發明不以此為限。在其他些實施例中，驅動電路DC包括電性連接至第二訊號線VG的閘極整合驅動電路（Gate driver-on-array，GOA）。閘極整合驅動電路例如是透過沉積製程直接形成於基板SB上的電路。
畫素電極PE設置於基板SB上，且位於主動區AA上。畫素電極PE電性連接主動元件T的汲極。共用電極CE重疊於多個畫素電極PE。在一些實施例中，電路基板10適用於液晶顯示面板，且透過畫素電極PE與共用電極CE之間的電場控制位於畫素電極PE上之液晶分子（未繪出）的轉向。
圖2A是依照本發明的一實施例的一種電路基板10的局部上視示意圖。圖2B是圖2A的線A-A’的剖面示意圖。圖2C是圖2A的線B-B’的剖面示意圖。圖2D是圖2A的線C-C’的剖面示意圖。
請參考圖2A至圖2D，電路基板10包括基板SB（圖2A省略繪示）、主動元件T、第一訊號線HG、第二訊號線VG、遮蔽電極SM、資料線DL、畫素電極PE以及共用電極CE。主動元件T包括閘極G、通道層CH、源極S以及汲極D。
閘極G以及第一訊號線HG位於基板SB上。閘極G電性連接至第一訊號線HG。在本實施例中，閘極G以及第一訊號線HG屬於相同的導電層，例如第一導電層。換句話說，藉由一次圖案化製程（例如微影及蝕刻製程）以形成第一導電層，且第一導電層包括閘極G以及第一訊號線HG。第一導電層可以為單層或多層結構。在一些實施例中，閘極G以及第一訊號線HG的材料包括金、銀、銅、鋁、鉬、鈦、鉭、其他金屬、前述金屬的合金或其他導電材料。
在本實施例中，第一訊號線HG包括主體部HGa以及連接部HGb。主體部HGa沿著第一方向DR1延伸。連接部HGb連接主體部HGa，且自主體部HGa向外延伸。在一些實施例中，每個第一訊號線HG包括主體部HGa以及與主體部HGa連接之多個連接部HGb，且多個連接部HGb自主體部HGa向外沿著平行第二方向DR2的方向延伸。
在本實施例中，閘極G在第一方向DR1上的寬度W1大於連接部HGb在第一方向DR1上的寬度W2。在一些實施例中，連接部HGb在第一方向DR1上的寬度W2為1.0微米至5.0微米。
閘極絕緣層GI位於閘極G以及第一訊號線HG上。通道層CH位於閘極絕緣層GI上，且閘極絕緣層GI夾於通道層CH與閘極G之間。通道層CH可為單層或多層結構，其材料包含非晶矽、多晶矽、微晶矽、單晶矽、有機半導體材料、氧化物半導體材料（例如：銦鋅氧化物、銦鎵鋅氧化物、或是其他合適的材料、或上述之組合）、或其他合適的材料、或含有摻雜物（dopant）於上述材料中、或上述組合。
第二訊號線VG、遮蔽電極SM、資料線DL、源極S以及汲極D位於閘極絕緣層GI上。在本實施例中，第二訊號線VG、遮蔽電極SM、資料線DL、源極S以及汲極D屬於相同的導電層，例如第二導電層。換句話說，藉由一次圖案化製程（例如微影及蝕刻製程）以形成第二導電層，且第二導電層包括第二訊號線VG、遮蔽電極SM、資料線DL、源極S以及汲極D。第二導電層可以為單層或多層結構。在一些實施例中，第二訊號線VG、遮蔽電極SM、資料線DL、源極S以及汲極D的材料包括金、銀、銅、鋁、鉬、鈦、鉭、其他金屬、前述金屬的合金或其他導電材料。
資料線DL沿著第二方向DR2延伸。源極S電性連接至資料線DL。源極S以及汲極D電性連接至通道層CH。在本實施例中，源極S以及汲極D直接接觸通道層CH的上表面。在一些實施例中，源極S與通道層CH之間以及汲極D與通道層CH之間還包括歐姆接觸層（未繪示），但本發明不以此為限。
第二訊號線VG沿著第二方向DR2延伸。第二訊號線VG電性連接至第一訊號線HG的連接部HGb。在本實施例中，閘極絕緣層GI具有通孔TH1，且第二訊號線VG填入通孔TH1中，並直接連接連接部HGb。在一些實施例中，每條第一訊號線HG包括多個連接部HGb，且每條第一訊號線HG的多連接部HGb分別電性連接至多條第二訊號線VG，藉此改善電阻-電容負載（RC loading）導致訊號分布不均勻的問題。
遮蔽電極SM在基板SB的法線方向ND上重疊於第一訊號線HG的連接部HGb。在一些實施例中，遮蔽電極SM與第二訊號線VG在第二方向DR2上彼此對齊，且遮蔽電極SM分離於第二訊號線VG。在本實施例中，遮蔽電極SM在第一方向DR1上的寬度W3大於連接部HGb在第一方向DR1上的寬度W2。在一些實施例中，遮蔽電極SM在第一方向DR1上的寬度W3為1.5微米至5.5微米。在一些實施例中，藉由遮蔽電極SM的設置，減少連接部HGb與畫素電極PE之間的電場，藉此避免連接部HGb造成顯示畫面出現亮度不均勻（Mura）的問題。在一些實施例中，遮蔽電極SM與第二訊號線VG之間的間距PT為2.0微米至5.0微米。在一些實施例中，遮蔽電極SM部分覆蓋第一訊號線HG的連接部HGb，且遮蔽電極SM在基板SB的法線方向ND上不重疊於第一訊號線HG的主體部HGa，但本發明不以此為限。在其他實施例中，遮蔽電極SM在基板SB的法線方向ND上除了重疊於第一訊號線HG的連接部HGb之外，還重疊於於第一訊號線HG的部分主體部HGa，藉此進一步減少第一訊號線HG與畫素電極PE之間的電場。
第一絕緣層BP1位於主動元件T、第二訊號線VG以及遮蔽電極SM上。畫素電極PE位於第一絕緣層BP1上，且畫素電極PE透過貫穿第一絕緣層BP1的通孔O而電性連接至主動元件T的汲極D。在本實施例中，畫素電極PE的邊緣在基板SB的法線方向ND上重疊於第二訊號線VG以及遮蔽電極SM，但本發明不以此為限。在其他實施例中，畫素電極PE的邊緣在基板SB的法線方向ND上不重疊於第二訊號線VG以及遮蔽電極SM。
畫素電極PE的材質可為穿透式畫素電極、反射式畫素電極或是半穿透半反射式畫素電極。穿透式畫素電極之材質包括金屬氧化物，例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或其他合適的氧化物或上述至少二者之堆疊層。反射式畫素電極之材質包括金屬材料。
第二絕緣層BP2位於第一絕緣層BP1以及畫素電極PE上。在本實施例中，第一絕緣層BP1具有重疊於遮蔽電極SM的通孔TH2，且第二絕緣層BP2具有重疊於遮蔽電極SM的通孔TH3。通孔TH3重疊於通孔TH2。在一些實施例中，通孔TH3小於通孔TH2，且第二絕緣層BP2選擇性地部分填入通孔TH2中，但本發明不以此為限。在其他實施例中，通孔TH3大於通孔TH2，且第二絕緣層BP2未填入通孔TH2中。
共用電極CE位於第二絕緣層BP2上，且共用電極CE重疊於畫素電極PE。共用電極CE透過貫穿第二絕緣層BP2的通孔TH3而電性連接至遮蔽電極SM。換句話說，遮蔽電極SM與共用電極CE施加有相同電壓。在本實施例中，共用電極CE具有重疊於主動元件T的開口H，藉由開口H的設置，可以降低共用電極CE對主動元件T造成的影響。在本實施例中，共用電極CE具有重疊於畫素電極PE的多個狹縫ST，畫素電極PE與共用電極CE之間的電場可以穿過狹縫ST，且前述電場用於改變位於共用電極CE上之液晶分子（未繪示）的方向。共用電極CE為透明導電材料，例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或其他合適的氧化物或上述至少二者之堆疊層。
畫素電極PE與共用電極CE的幾何形狀以及尺寸可以依照需求而進行調整，本發明的圖式僅用於示意，且並非用於限制畫素電極PE與共用電極CE的幾何形狀。
基於上述，藉由第二訊號線VG的設置，電路基板10上的晶片或驅動電路可以設置的較為集中，藉此減少電路基板10的周邊區寬度。此外，藉由遮蔽電極SM的設置能改善第一訊號線HG與第二訊號線VG的連接處出現訊號干擾的問題。
圖3A是依照本發明的一實施例的一種電路基板的局部上視示意圖。圖3B是圖3A的線B-B’的剖面示意圖。圖3C是圖3A的線C-C’的剖面示意圖。
在此必須說明的是，圖3A至圖3C的實施例沿用圖1至圖2D的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
圖3A至圖3C的電路基板20與圖2A至圖2D的電路基板10的差異在於：電路基板20更包括橋接結構BE。
橋接結構BE位於第一絕緣層BP1上。在本實施例中，橋接結構BE與畫素電極PE屬於相同的導電層。換句話說，藉由一次圖案化製程（例如微影及蝕刻製程）以形成橋接結構BE與畫素電極PE。橋接結構BE與畫素電極PE包括相同材料。
在本實施例中，第二訊號線VG與第一訊號線HG不直接接觸，且橋接結構BE電性連接第二訊號線VG至第一訊號線HG的連接部HGb。在本實施例中，橋接結構BE透過貫穿第一絕緣層BP1的通孔TH4而電性連接至第二訊號線VG，且橋接結構BE透過貫穿第一絕緣層BP1以及閘極絕緣層GI的通孔TH5而電性連接至第一訊號線HG。通孔TH4與通孔TH5例如是於同一道蝕刻製程形成，且第一訊號線HG以及第二訊號線VG可作為前述蝕刻製程的蝕刻停止層，藉此減少製程所需的光罩數量，以縮減製造成本。
基於上述，藉由第二訊號線VG的設置，電路基板20上的晶片或驅動電路可以設置的較為集中，藉此減少電路基板20的周邊區寬度。此外，藉由遮蔽電極SM的設置能改善第一訊號線HG與第二訊號線VG的連接處出現訊號干擾的問題。
圖4A至圖4C是依照本發明的一實施例的一種電路基板的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖4A至圖4C的實施例沿用圖1至圖2D的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
圖4A至圖4C的電路基板30與圖2A至圖2D的電路基板10的差異在於：電路基板30更包括平坦層PL。
請參考圖4A至圖4C，第一絕緣層BP1位於主動元件T、遮蔽電極SM以及第二訊號線VG上。平坦層PL位於第一絕緣層BP1上。第一絕緣層BP1具有重疊於主動元件T之汲極D的通孔O1，且於平坦層PL具有重疊於主動元件T之汲極D的通孔O2。通孔O1重疊於通孔O2。在一些實施例中，通孔O2小於通孔O1，且平坦層PL選擇性地部分填入通孔O1中，但本發明不以此為限。在其他實施例中，通孔O2大於通孔O1，且平坦層PL未填入通孔O1中。
畫素電極PE位於平坦層PL上，且畫素電極PE透過貫穿第一絕緣層BP1的通孔O1以及貫穿平坦層PL的通孔O2而電性連接至主動元件T之汲極D。
在一些實施例中，平坦層PL為適用於超高開口技術（Ultra/Super High Aperture, UHA/SHA）的有機絕緣層，且所述有機絕緣層可以增加畫素電極PE與金屬導線（例如汲極D）之間的距離，藉此減少電容並增加畫素結構的開口率。
第二絕緣層BP2位於平坦層PL以及畫素電極PE上。共用電極CE位於第二絕緣層BP2上。共用電極透過貫穿第二絕緣層BP2的通孔TH8、貫穿平坦層PL的通孔TH7以及貫穿第一絕緣層BP1的通孔TH6而電性連接至遮蔽電極SM。在一些實施例中，通孔TH7小於通孔TH6，且平坦層PL選擇性地部分填入通孔TH6中，但本發明不以此為限。在其他實施例中，通孔TH7大於通孔TH6，且平坦層PL未填入通孔TH6中。在一些實施例中，第一絕緣層BP1與第二絕緣層BP2為有機絕緣層或無機絕緣層。
基於上述，藉由第二訊號線VG的設置，電路基板30上的晶片或驅動電路可以設置的較為集中，藉此減少電路基板30的周邊區寬度。此外，藉由遮蔽電極SM的設置能改善第一訊號線HG與第二訊號線VG的連接處出現訊號干擾的問題。
圖5是依照本發明的一實施例的一種電路基板的局部上視示意圖。在此必須說明的是，圖5的實施例沿用圖3A至圖3C的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
圖5的電路基板40與圖3A至圖3C的電路基板20的差異在於：電路基板40的遮蔽電極SM為L字形。
請參考圖5，在本實施例中，遮蔽電極SM在基板的法線方向重疊於第一訊號線HG的連接部HGb以及部分主體部HGa，藉此進一步減少第一訊號線HG與畫素電極PE之間的電場。
基於上述，藉由第二訊號線VG的設置，電路基板40上的晶片或驅動電路可以設置的較為集中，藉此減少電路基板40的周邊區寬度。此外，藉由遮蔽電極SM的設置能改善第一訊號線HG與第二訊號線VG的連接處出現訊號干擾的問題。
圖6是依照本發明的一實施例的一種電路基板的局部上視示意圖。在此必須說明的是，圖5的實施例沿用圖3A至圖3C的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
圖6的電路基板50與圖3A至圖3C的電路基板20的差異在於：電路基板50的遮蔽電極SM為T字形。
請參考圖6，在本實施例中，遮蔽電極SM在基板的法線方向重疊於第一訊號線HG的連接部HGb以及部分主體部HGa，藉此進一步減少第一訊號線HG與畫素電極PE之間的電場。
基於上述，藉由第二訊號線VG的設置，電路基板50上的晶片或驅動電路可以設置的較為集中，藉此減少電路基板50的周邊區寬度。此外，藉由遮蔽電極SM的設置能改善第一訊號線HG與第二訊號線VG的連接處出現訊號干擾的問題。
圖7是依照本發明的一實施例的一種電路基板的局部上視示意圖。圖7是依照本發明的一實施例的一種電路基板的局部上視示意圖。在此必須說明的是，圖7的實施例沿用圖6的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
圖7的電路基板60與圖6的電路基板50的差異在於：電路基板60的第二訊號線VG在靠近遮蔽電極SM處具有多個彎折BD。
請參考圖7，在本實施例中，電路基板60包括基板、主動元件T、第一訊號線HG、第二訊號線VG、遮蔽電極SM、資料線DL、畫素電極PE以及共用電極CE。
主動元件T位於基板上。第一訊號線HG沿著第一方向DR1延伸，且電性連接主動元件T。第二訊號線VG位於基板上，且沿著第二方向DR2延伸。第二訊號線VG電性連接至第一訊號線HG。在本實施例中，第二訊號線VG直接連接至第一訊號線HG沿著第一方向DR1延伸的部分。
遮蔽電極SM相鄰於第二訊號線VG，且在基板的法線方向上重疊於第一訊號線HG。在本實施例中，由於遮蔽電極SM與第二訊號線VG屬於相同導電層，第二訊號線VG在靠近遮蔽電極SM處具有多個彎折BD，使第二訊號線VG與遮蔽電極SM不直接接觸。在本實施例中，第二訊號線VG直接連接第一訊號線HG。在一些實施例中，遮蔽電極SM為T字形或L字形。
資料線DL電性連接主動元件T。畫素電極PE電性連接主動元件T。共用電極CE重疊於畫素電極PE，且電性連接至遮蔽電極SM。
基於上述，藉由第二訊號線VG的設置，電路基板60上的晶片或驅動電路可以設置的較為集中，藉此減少電路基板60的周邊區寬度。此外，藉由遮蔽電極SM的設置能改善第一訊號線HG與第二訊號線VG的連接處出現訊號干擾的問題。
圖8是依照本發明的一實施例的一種電路基板的局部上視示意圖。圖8是依照本發明的一實施例的一種電路基板的局部上視示意圖。在此必須說明的是，圖8的實施例沿用圖7的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
圖8的電路基板70與圖7的電路基板60的差異在於：電路基板70更包括橋接結構BE。
在本實施例中，橋接結構BE與畫素電極PE屬於相同的導電層。換句話說，藉由一次圖案化製程（例如微影及蝕刻製程）以形成橋接結構BE與畫素電極PE。橋接結構BE與畫素電極PE包括相同材料。
在本實施例中，第二訊號線VG與第一訊號線HG不直接接觸，且橋接結構BE電性連接第二訊號線VG至第一訊號線HG。在本實施例中，橋接結構BE透過貫穿第一絕緣層BP1的通孔TH4（類似於圖3C的通孔）而電性連接至第二訊號線VG，且橋接結構BE透過貫穿第一絕緣層BP1以及閘極絕緣層GI的通孔TH5（類似於圖3C的通孔）而電性連接至第一訊號線HG。通孔TH4與通孔TH5例如是於同一道蝕刻製程形成，且第一訊號線HG以及第二訊號線VG可作為前述蝕刻製程的蝕刻停止層，藉此減少製程所需的光罩數量，以縮減製造成本。
在本實施例中，橋接結構BE在靠近遮蔽電極SM處具有彎折BD，使橋接結構BE得以避開遮蔽電極SM上的通孔TH3。
基於上述，藉由第二訊號線VG的設置，電路基板70上的晶片或驅動電路可以設置的較為集中，藉此減少電路基板70的周邊區寬度。此外，藉由遮蔽電極SM的設置能改善第一訊號線HG與第二訊號線VG的連接處出現訊號干擾的問題。
圖9是依照本發明的一實施例的一種電路基板的局部上視示意圖。圖9是依照本發明的一實施例的一種電路基板的局部上視示意圖。在此必須說明的是，圖9的實施例沿用圖7的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
圖9的電路基板80與圖7的電路基板60的差異在於：電路基板80的遮蔽電極SM為L字形。
在本實施例中，遮蔽電極SM為L字形，且第二訊號線VG在靠近遮蔽電極SM處具有多個彎折BD，以使第二訊號線VG避開遮蔽電極SM。在本實施例中，第二訊號線VG直接連接第一訊號線HG。舉例來說，第二訊號線VG透過閘極絕緣層的通孔TH1而直接連接第一訊號線HG。
基於上述，藉由第二訊號線VG的設置，電路基板80上的晶片或驅動電路可以設置的較為集中，藉此減少電路基板80的周邊區寬度。此外，藉由遮蔽電極SM的設置能改善第一訊號線HG與第二訊號線VG的連接處出現訊號干擾的問題。
10、20、30、40、50、60、70、80:電路基板 A-A’、B-B’、C-C’:線 AA:主動區 BA:周邊區 BD:彎折 BE:橋接結構 BP1:第一絕緣層 BP2:第二絕緣層 CE:共用電極 CH:通道層 D:汲極 DC:驅動電路 DL:資料線 DR1:第一方向 DR2:第二方向 G:閘極 GI:閘極絕緣層 H:開口 HG:第一訊號線 HGa:主體部 HGb:連接部 ND:法線方向 O、O1、O2、TH1、TH2、TH3、TH4、TH5、TH6、TH7、TH8:通孔 PE:畫素電極 PL:平坦層 PT:間距 S:源極 SB:基板 SM:遮蔽電極 ST:狹縫 T:主動元件 VG:第二訊號線 W1、W2、W3:寬度
圖1是依照本發明的一實施例的一種電路基板的上視示意圖。 圖2A是依照本發明的一實施例的一種電路基板的局部上視示意圖。 圖2B是圖2A的線A-A’的剖面示意圖。 圖2C是圖2A的線B-B’的剖面示意圖。 圖2D是圖2A的線C-C’的剖面示意圖。 圖3A是依照本發明的一實施例的一種電路基板的局部上視示意圖。 圖3B是圖3A的線B-B’的剖面示意圖。 圖3C是圖3A的線C-C’的剖面示意圖。 圖4A至圖4C是依照本發明的一實施例的一種電路基板的剖面示意圖。 圖5是依照本發明的一實施例的一種電路基板的局部上視示意圖。 圖6是依照本發明的一實施例的一種電路基板的局部上視示意圖。 圖7是依照本發明的一實施例的一種電路基板的局部上視示意圖。 圖8是依照本發明的一實施例的一種電路基板的局部上視示意圖。 圖9是依照本發明的一實施例的一種電路基板的局部上視示意圖。
10:電路基板
A-A’、B-B’、C-C’:線
CE:共用電極
CH:通道層
D:汲極
DL:資料線
DR1:第一方向
DR2:第二方向
G:閘極
H:開口
HG:第一訊號線
HGa:主體部
HGb:連接部
O、TH1、TH3:通孔
PE:畫素電極
PT:間距
S:源極
SM:遮蔽電極
ST:狹縫
T:主動元件
VG:第二訊號線
W1、W2、W3:寬度

Claims (15)

  1. 一種電路基板，包括：一基板；一主動元件，位於該基板上；一第一訊號線，電性連接該主動元件，且包括：一主體部，沿著一第一方向延伸；以及一連接部，連接該主體部，且自該主體部向外延伸；一第二訊號線，位於該基板上，且沿著一第二方向延伸，其中該第二訊號線電性連接至該連接部；一遮蔽電極，在該基板的法線方向上重疊於該連接部，且該遮蔽電極與該第二訊號線屬於相同的導電層；一資料線，電性連接該主動元件；一畫素電極，電性連接該主動元件；以及一共用電極，重疊於該畫素電極，且電性連接至該遮蔽電極。
  2. 如請求項1所述的電路基板，更包括：一第一絕緣層，位於該主動元件以及該遮蔽電極上，其中該畫素電極位於該第一絕緣層上，且該畫素電極透過貫穿該第一絕緣層的一第一通孔而電性連接至該主動元件；以及一第二絕緣層，位於該第一絕緣層以及該畫素電極上，其中該共用電極位於該第二絕緣層上，且該共用電極透過貫穿該第二絕緣層的一第二通孔而電性連接至該遮蔽電極。
  3. 如請求項1所述的電路基板，更包括：一第一絕緣層，位於該主動元件以及該遮蔽電極上；一平坦層，位於該第一絕緣層上，其中該畫素電極位於該平坦層上，且該畫素電極透過貫穿該第一絕緣層的一第一通孔以及貫穿該平坦層的一第二通孔而電性連接至該主動元件；一第二絕緣層，位於該平坦層以及該畫素電極上，其中該共用電極位於該第二絕緣層上，且該共用電極透過貫穿該第二絕緣層的一第三通孔、貫穿該平坦層的一第四通孔以及貫穿該第一絕緣層的一第五通孔而電性連接至該遮蔽電極。
  4. 如請求項1所述的電路基板，其中該第二訊號線直接連接該連接部。
  5. 如請求項1所述的電路基板，更包括：一橋接結構，電性連接該第二訊號線至該連接部，其中該橋接結構與該畫素電極屬於相同的導電層。
  6. 如請求項1所述的電路基板，其中該遮蔽電極在該第一方向上的寬度大於該連接部在該第一方向上的寬度。
  7. 如請求項1所述的電路基板，其中該遮蔽電極為T字形或L字形。
  8. 如請求項1所述的電路基板，更包括多個主動元件，且其中該資料線的左右兩側分別連接多個主動元件。
  9. 如請求項1所述的電路基板，更包括多個第二訊號線，其中該第一訊號線包括多個連接部，且該些連接部分別電性連接至該些第二訊號線。
  10. 一種電路基板，包括：一基板；一主動元件，位於該基板上；一第一訊號線，沿著一第一方向延伸，且電性連接該主動元件；一第二訊號線，位於該基板上，且沿著一第二方向延伸，其中該第二訊號線電性連接至該第一訊號線；一遮蔽電極，相鄰於該第二訊號線，且在該基板的法線方向上重疊於該第一訊號線，且其中該遮蔽電極與該第二訊號線屬於相同的導電層；一資料線，電性連接該主動元件；一畫素電極，電性連接該主動元件；以及一共用電極，重疊於該畫素電極，且電性連接至該遮蔽電極。
  11. 如請求項10所述的電路基板，其中該第二訊號線直接連接該第一訊號線。
  12. 如請求項10所述的電路基板，更包括：一橋接結構，電性連接該第二訊號線至該第一訊號線，其中該橋接結構與該畫素電極屬於相同的導電層。
  13. 如請求項12所述的電路基板，其中該橋接結構在靠近該遮蔽電極處具有一彎折。
  14. 如請求項10所述的電路基板，其中該第二訊號線在靠近該遮蔽電極處具有多個彎折。
  15. 如請求項10所述的電路基板，其中該遮蔽電極為T字形或L字形。
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