TWI751293B - 微電路形成方法 - Google Patents

微電路形成方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI751293B
TWI751293B TW107106876A TW107106876A TWI751293B TW I751293 B TWI751293 B TW I751293B TW 107106876 A TW107106876 A TW 107106876A TW 107106876 A TW107106876 A TW 107106876A TW I751293 B TWI751293 B TW I751293B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
seed layer
forming
microcircuit
layer
pattern
Prior art date
Application number
TW107106876A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201842828A (zh
Inventor
金修漢
鄭光春
文晶胤
河性仁
文炳雄
Original Assignee
南韓商印可得股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 南韓商印可得股份有限公司 filed Critical 南韓商印可得股份有限公司
Publication of TW201842828A publication Critical patent/TW201842828A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI751293B publication Critical patent/TWI751293B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/107—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by filling grooves in the support with conductive material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
    • H05K3/067—Etchants
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/108—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by semi-additive methods; masks therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
    • H05K3/1275—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by other printing techniques, e.g. letterpress printing, intaglio printing, lithographic printing, offset printing
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
    • H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
    • H05K3/182—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
    • H05K3/243—Reinforcing the conductive pattern characterised by selective plating, e.g. for finish plating of pads
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • H05K3/386—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of an organic polymeric bonding layer, e.g. adhesive
    • H05K3/387—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of an organic polymeric bonding layer, e.g. adhesive for electroless plating
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03—Conductive materials
    • H05K2201/0332—Structure of the conductor
    • H05K2201/0364—Conductor shape
    • H05K2201/0373—Conductors having a fine structure, e.g. providing a plurality of contact points with a structured tool
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/20—Details of printed circuits not provided for in H05K2201/01 - H05K2201/10
    • H05K2201/2054—Light-reflecting surface, e.g. conductors, substrates, coatings, dielectrics
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
    • H05K2203/0703—Plating
    • H05K2203/0723—Electroplating, e.g. finish plating
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
    • H05K2203/0779—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing characterised by the specific liquids involved
    • H05K2203/0786—Using an aqueous solution, e.g. for cleaning or during drilling of holes
    • H05K2203/0789—Aqueous acid solution, e.g. for cleaning or etching
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
    • H05K2203/0779—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing characterised by the specific liquids involved
    • H05K2203/0786—Using an aqueous solution, e.g. for cleaning or during drilling of holes
    • H05K2203/0793—Aqueous alkaline solution, e.g. for cleaning or etching
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
    • H05K2203/0779—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing characterised by the specific liquids involved
    • H05K2203/0786—Using an aqueous solution, e.g. for cleaning or during drilling of holes
    • H05K2203/0796—Oxidant in aqueous solution, e.g. permanganate
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
    • H05K3/245—Reinforcing conductive patterns made by printing techniques or by other techniques for applying conductive pastes, inks or powders; Reinforcing other conductive patterns by such techniques

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

本發明涉及一種微電路形成方法，特徵在於，包括：種子層形成步驟，在基板材料上由導電物質形成高反射率種子(Seed)層；圖案層形成步驟，在種子層上形成設置有圖案槽的圖案層，以便種子層選擇性暴露；鍍覆步驟，由導電物質來填充圖案槽；圖案層去除步驟，去除圖案層；及種子層構圖步驟，去除與鍍覆步驟中的導電物質不重疊部分的種子層，高反射率種子層具有正反射特性。

Description

微電路形成方法
本發明涉及一種微電路形成方法，涉及一種如下的微電路形成方法：該方法形成具有正反射特性且反射率較高的導電性種子層，從而提高感光樹脂的固化直線度，進而在顯影時能夠形成微電路圖案。
隨著資訊時代的進入，電子產品的市場迅猛成長，隨之電子電路市場也快速成長。隨著技術的發展，市場對高功能、高積體電路的需求增加，自從智能手機革命以來，智能設備已經普及到全球範圍，因此，產品的輕薄化是必然趨勢。因此，為了滿足這種市場需求製作產品，如PCB等電子電路必須實現微細間距。
習知的實現電路的方法廣泛採用光刻製程，該光刻製程利用感光樹脂進行曝光後，通過顯影、蝕刻及剝離過程形成圖案。光刻製程為，在形成有銅鍍層的基材上利用感光樹脂來形成所要形成的圖案，隨後進行曝光及蝕刻來製備銅電路板的方法。然而，這種一般的光刻製程能夠實現的間距最小為25μm，在形成微細圖案上具有難度。
由於這種製程上的困難，最近實現微細間距的工法主要採用SAP(Semi Additive Process)方法或MSAP(Modified Semi Additive Process)方法。 常規的SAP方法為，在採用濺射、化學氣相沉積、無電解鍍或銅箔壓接等方法由鉻、鎳或銅等層壓有較薄金屬種子層的基板材料上，由利用感光樹脂的光刻方法來形成圖案。在如此形成的圖案槽中鍍覆銅等導電物質後，去除感光樹脂。由蝕刻液去除通過銅鍍形成電路後去除感光樹脂的金屬種子層來實現微細間距電路。因此，為了實現這種微細間距，基板材料、感光樹脂及曝光設備的相互作用很重要。
但是，能夠應用SAP方法的常規的金屬種子層基板材料的反射率較低，因此為了在曝光時使感光樹脂固化，需要較高的能量。此外，常規的金屬種子層基板材料的表面粗糙度較大，因此在曝光時會產生散射。較高能量照射引起的散射會損傷感光樹脂層，在顯影時會形成不均勻的電路，並且成為產生殘足(Foot)現象的原因，即感光樹脂的底層留在種子層上。尤其，銅(Cu)種子層基板材料在365nm~405nm波長中的反射率小於40%，十點平均粗糙度(Rz)為1μm以上，因此在實現14μm間距以下的電路時，難以形成均勻的電路。
為了控制如上所述的現象而照射較低能量時，感光樹脂的底層不會固化，從而在顯影時出現不應顯影的部分也一起被顯影的底切(Undercut)現象。
因此，常規的金屬種子層基板材料難以實現14μm以下間距的均勻超細間距電路。
此外，利用蝕刻液蝕刻銅種子層的過程中，如圖10所示，由銅材質構成的電路形成部分也一起被蝕刻，會導致厚度和線寬不均勻。此外，當未能完全去除種子層的情況下，具有因遷移導致產品不良的問題。
此外，至今為了蝕刻金屬佈線或薄膜而採用的蝕刻液通常由磷酸、硝酸、醋酸、鹽酸、硫酸、氨、磷酸鐵、硝酸鐵、硫酸鐵、鹽酸鐵、氯酸鈉及水來構成。但是，當利用這種蝕刻液來去除種子層時，銅材質的電路形成部分會被蝕刻液損傷，因此具有形成蝕刻因子(Etching factor)較低的不良圖案的問題。
發明人發現，為了通過採用在生產如PCB的電子電路圖案中採用的曝光機和顯影、蝕刻及剝離設備來實現更為精確的微電路圖案的電子電路，最重要的是形成於基材上的導電性種子(seed)層的特性。並且還確認種子層厚度是在採用光刻製程來形成微電路圖案中最為重要的特性，該種子層厚度會影響導電性種子層的表面粗糙度和反射率及反光率。
本發明的目的是提供一種微電路形成方法，該方法在基材上形成表面粗糙度較低的同時具有正反射特性且反射率為50%以上的優異導電性的金屬種子層，從而在曝光時能夠將感光樹脂層的散射最小化，並且提高正反射率，在光刻製程中能夠提高圖案的光固化精度，因此能夠在顯影時形成微電路圖案。
此外，本發明的目的是提供一種蝕刻液組合物，該蝕刻液組合物將銅電路層的去除抑制到最小，只對銀、銀合金或銀化合物選擇性進行蝕刻，從而不會損傷銅電路層且蝕刻因子(Etching factor)較高。
目的通過本發明的微電路形成方法來實現，微電路形成方法的特徵在於，包括：種子層形成步驟，在基板材料上形成導電性的高反射率種子層；圖案層形成步驟，在種子層上形成設置有圖案槽的圖案層，以便種子層選擇性 暴露；鍍覆步驟，由導電物質來填充圖案槽；圖案層去除步驟，去除圖案層；及種子層構圖步驟，去除與鍍覆步驟中的導電物質不重疊部分的種子層，高反射率種子層具有正反射特性。
在一實施例中，優選的，所述高反射率種子層由具備高反射率的金屬材質來構成。
在一實施例中，優選的，所述高反射率種子層的反射率為50%以上。
在一實施例中，優選的，所述反射率表現在365nm至405nm波長區域中。
在一實施例中，優選的，所述種子層的十點平均粗糙度(Rz)小於1μm。
在一實施例中，優選的，在所述種子層形成步驟中，在所述基板材料上塗覆能夠降低基板材料表面粗糙度的底漆後，在所述底漆上形成高反射率種子層。
在一實施例中，優選的，所述種子層和導電物質由彼此不同的材質來構成，在所述種子層構圖步驟中採用只能溶解種子層的選擇性蝕刻液來對種子層進行構圖。
在一實施例中，優選的，所述種子層由銀(Ag)材質來構成，所述導電物質由銅(Cu)材質來構成。
在一實施例中，優選的，所述選擇性蝕刻液包括：氧化劑、胺類或銨化合物、添加劑及水。
在一實施例中，優選的，所述選擇性蝕刻液包括：相對於選擇性蝕刻液的總重量100重量%，包含氧化劑1至30重量%、胺類或銨化合物1至75重量%及添加劑0.1至10重量%，且包括餘量的水。
在一實施例中，優選的，所述氧化劑為選自由氧化性氣體、過氧化物、過氧酸及過硫酸鉀來構成的群組中的一種以上。
在一實施例中，優選的，所述氧化性氣體為選自由空氣、氧氣及臭氧來構成的群組中的一種以上；所述過氧化物為選自由過硼酸鈉(Sodium perborate)、過氧化氫(Hydrogen peroxide)、鉍酸鈉(Sodium bismuthate)、過碳酸鈉(Sodium percarbonate)、過氧化苯甲醯(Benzoyl peroxide)、過氧化鉀(Potassium peroxide)及過氧化鈉(Sodium peroxide)來構成的群組中的一種以上；所述過氧酸為選自由甲酸(Formic acid)、過醋酸(Peroxyacetic acid)、過苯甲酸(Perbenzoic acid)、3-氯過苯甲酸(3-Chloroperoxybenzoic acid)及三甲基乙酸(Trimethylacetic acid)來構成的群組中的一種以上。
在一實施例中，優選的，所述胺類為選自脂肪胺、芳香胺及烷醇胺來構成的群組中的一種以上。
在一實施例中，優選的，所述胺類或銨化合物為選自由乙胺(Ethylamine)、丙胺(Propylamine)、異丙胺(Isopropylamine)、n-丁胺(n-Butylamine)、異丁胺(Isobutylamine)、sec-丁胺(sec-Butylamine)、二乙胺(Diethylamine)、呱啶(Piperidine)、酪胺(Tyramine)、N-甲基酪胺(N-Methyltyramine)、吡咯啉(Pyrroline)、吡咯烷(Pyrrolidine)、咪唑(Imidazole)、吲哚(Indole)、嘧啶(Pyrimidine)、單乙醇胺(Monoethanolamine)、6-氨基-2-甲基-2-庚醇(6-Amino-2-methyl-2-heptanol)、1-氨基-2-丙醇 (1-Amino-2-propanol)、甲醇胺(Methanolamine)、二甲基乙醇胺(Dimethylethanolamine)、N-甲基二乙醇胺(N-Methyldiethanolamine)、1-氨基乙醇(1-Aminoethanol)、2-氨基-2-甲基-1-丙醇(2-amino-2-methyl-1-propanol)、碳酸銨(Ammonium carbonate)、磷酸銨(Ammonium phosphate)、硝酸銨(Ammonium nitrate)、氟化銨(Ammonium fluoride)及氨水(Ammonium hydroxide)來構成的群組中的一種以上。
在一實施例中，優選的，所述添加劑為選自由螯合劑、消泡劑、潤濕劑及pH調節劑來構成的群組中的一種以上。
此外，本發明的另一目的通過蝕刻液組合物來實現，該蝕刻液組合物在微電路形成方法中採用，其特徵在於，包括：氧化劑、胺類或銨化合物、添加劑及水。
在此，在一實施例中，優選的，所述選擇性蝕刻液組合物相對於選擇性蝕刻組合物的總重量100重量%，包括氧化劑1至30重量%、胺類或銨化合物1至75重量%及添加劑0.1至10重量%，且包括餘量的水。
在一實施例中，優選的，所述氧化劑為選自由氧化性氣體、過氧化物、過氧酸及過硫酸鉀來構成的群組中的一種以上。
在一實施例中，優選的，所述氧化性氣體為選自由空氣、氧氣及臭氧來構成的群組中的一種以上；所述過氧化物為選自由過硼酸鈉(Sodium perborate)、過氧化氫(Hydrogen peroxide)、鉍酸鈉(Sodium bismuthate)、過碳酸鈉(Sodium percarbonate)、過氧化苯甲醯(Benzoyl peroxide)、過氧化鉀(Potassium peroxide)及過氧化鈉(Sodium peroxide)來構成的群組中的一種以上；所述過氧酸為選自由甲酸(Formic acid)、過醋酸(Peroxyacetic acid)、 過苯甲酸(Perbenzoic acid)、3-氯過苯甲酸(3-Chloroperoxybenzoic acid)及三甲基乙酸(Trimethylacetic acid)來構成的群組中的一種以上。
在一實施例中，優選的，所述胺類為選自脂肪胺、芳香胺及烷醇胺來構成的群組中的一種以上。
在一實施例中，優選的，所述胺類或銨化合物為選自由乙胺(Ethylamine)、丙胺(Propylamine)、異丙胺(Isopropylamine)、n-丁胺(n-Butylamine)、異丁胺(Isobutylamine)、sec-丁胺(sec-Butylamine)、二乙胺(Diethylamine)、呱啶(Piperidine)、酪胺(Tyramine)、N-甲基酪胺(N-Methyltyramine)、吡咯啉(Pyrroline)、吡咯烷(Pyrrolidine)、咪唑(Imidazole)、吲哚(Indole)、嘧啶(Pyrimidine)、單乙醇胺(Monoethanolamine)、6-氨基-2-甲基-2-庚醇(6-Amino-2-methyl-2-heptanol)、1-氨基-2-丙醇(1-Amino-2-propanol)、甲醇胺(Methanolamine)、二甲基乙醇胺(Dimethylethanolamine)、N-甲基二乙醇胺(N-Methyldiethanolamine)、1-氨基乙醇(1-Aminoethanol)、2-氨基-2-甲基-1-丙醇(2-amino-2-methyl-1-propanol)、碳酸銨(Ammonium carbonate)、磷酸銨(Ammonium phosphate)、硝酸銨(Ammonium nitrate)、氟化銨(Ammonium fluoride)及氨水(Ammonium hydroxide)來構成的群組中的一種以上。
在一實施例中，優選的，所述添加劑為選自由螯合劑、消泡劑、潤濕劑及pH調節劑來構成的群組中的一種以上。
本發明提供一種微電路形成方法，該方法能夠實現小於7/7μm的超微電路圖案。
具體提供一種微電路形成方法，該方法能夠設計高性能及高積體的電路，因此其能夠適用於需要輕薄短小化的各種產品，並且通常可作為形成金屬種子層的製程來適用在各種基板材料上。
此外，本發明提供一種蝕刻因子較高的蝕刻液組合物，該蝕刻液組合物能夠在不損傷銅電路的情況下，只對銀種子層選擇性進行蝕刻。通過該蝕刻液組合物能夠設計高性能及高積體的電路，並且能夠以多種形式適用於需要輕薄短小化的產品上。
1:基板材料
2:種子層
3:圖案層
4:圖案槽
5:導電物質
6:底漆
S11:種子層形成步驟
S12:圖案層形成步驟
S12a:塗覆感光樹脂
S12b:曝光圖案層
S12c:去除圖案層
S13:鍍覆步驟
S14:圖案層去除步驟
S15:種子層構圖步驟
[圖1]為表示本發明一實施例的微電路形成方法的流程圖。
[圖2]為表示本發明一實施例的微電路形成方法的簡略圖。
[圖3]為表示在本發明的微電路形成方法中種子層形成步驟的一實施例的示意圖。
[圖4]為表示在本發明的微電路形成方法中種子層形成步驟的另一實施例的示意圖。
[圖5]為在本發明的微電路形成方法中去除感光樹脂而形成的微電路的SEM照片。
[圖6]為在本發明的微電路形成方法中填充導電物質後去除感光樹脂而形成的微電路的SEM照片。
[圖7]為在本發明的微電路形成方法中只去除種子層後形成的微電路的SEM照片。
[圖8]為根據本發明的一實施例及比較例的十點平均粗糙度比較表。
[圖9]為根據本發明的一實施例及比較例的反射率圖表。
[圖10]為表示利用習知的基板材料和蝕刻液組合物的電路形成方法的簡略圖。
[圖11]為表示利用本發明一實施例的選擇性蝕刻種子層的微電路形成過程的簡略圖。
下面，參考圖式，對本發明的微電路形成方法進行詳細說明。
圖1為表示本發明的微電路形成方法的流程圖，圖2為表示本發明的微電路形成方法的簡略圖。
如圖1及圖2所示，本發明的微電路形成方法包括：種子層形成步驟S11，設置導電性的高反射率種子層2；圖案層形成步驟S12，在所述種子層2上形成設置有圖案槽4的圖案層3，以便種子層2暴露；鍍覆步驟S13，在所述圖案槽4內填充導電物質5來實現電路；圖案層去除步驟S14，去除所述圖案層3；及種子層構圖步驟S15，利用所述鍍覆步驟中的導電物質5對種子層2進行構圖。
在所述種子層形成步驟S11中，形成在基板材料1上的種子層2被形成為導電性的種子層2，其具有正反射特性且反射率高。所述種子層2可通過如濺射、化學氣相沉積、無電解鍍、電解鍍、塗覆、浸漬、柔版印刷、凹版印刷及凹版膠印等的製程來形成，除了這種製程以外，也可通過用於形成高反射率金屬薄膜的普遍的製程來形成。
所述種子層2可由金屬、金屬合金或金屬化合物來構成，根據金屬的種類，反射率可能會有很大區別，因此優選採用比習知的銅(Cu)的反光率高的例如銀(Ag)等金屬。
具體地，可由銀(Ag)、銀合金或銀化合物來構成。另外，作為金屬化合物採用包括金屬顆粒、金屬氧化物、用於結合顆粒的樹脂及分散劑等的組成時，有利於通過塗覆或印刷方式形成種子層2。
在這種種子層形成步驟S11中形成的種子層2的反射率設定為在365~405nm波長區域中為50%以上，優選為70%以上，更優選為具有正反射特性。通過這種反射率和正反射特性能夠形成在以往無法提供的超微電路圖案。
具體地，為了提供這種正反射特性及反射率，種子層2由反射率較高的金屬例如銀(Ag)或銀合金來形成。此時，可優選所述種子層2的十點平均粗糙度(Rz)小於1μm。作為具體的例，可更加優選為小於0.5μm，作為更為具體的例，當小於0.15μm時能夠降低散射率，且通過正反射特性來提供最高反射率，因此可能最為優選。
當所述種子層2的十點平均粗糙度(Rz)為1μm以上時，因表面粗糙會增加散射率。散射率的增加在曝光時會損傷感光樹脂層，因此難以形成微電路圖案。
此外，可優選所述種子層2的厚度形成為50nm以上，可進一步優選種子層2的表面粗糙度形成為150nm以上，以免受到基板材料1的表面粗糙度的影響。作為具體的一例，可更加優選其厚度為80nm~1μm，但是本發明的範圍並不局限於此。
當所述種子層2的厚度小於50nm時，在曝光時會透射種子層2的表面而被基板材料1吸收或在透射後被基板材料1的表面反射而降低反射率並且增加散射率。因此，可能會難以形成微電路圖案。
通過這種金屬固有的高反射率和表面粗糙度及厚度的實現，能夠形成具有反射率為50%以上的正反射特性的種子層2，從而能夠提供微電路圖案。
作為形成這種種子層2的具體例，如圖3所示，可在基板材料1上以150nm以上的厚度塗覆高反射率金屬例如銀(Ag)以形成種子層2，從而將種子層2的十點平均粗糙度(Rz)實現為小於500nm。並且，如圖4所示，可在表面粗糙度高的基板材料1上塗覆底漆6後，以150nm以上的厚度塗覆高反射率金屬例如銀(Ag)以形成種子層2，從而將種子層2的十點平均粗糙度(Rz)實現為小於500nm。在此，底漆6優選可使用能夠提高基板材料1和金屬種子層2的黏合力且能降低基板材料1的表面粗糙度的高分子樹脂，更加優選可為熱固化樹脂或光固化樹脂等。另外，作為形成種子層2的方法，將圖3及圖4中表示的方法為例進行了說明，但並不局限於這些方法。
具體地，所述底漆6可由熱固化樹脂來構成，並且可在基板材料1上以半固化或未固化的狀態被塗覆。即，隨著未固化狀態的底漆6通過熱壓裝置施加的壓力及熱量被緊貼在基板材料1上，並填補基板材料1的粗糙表面的同時被固化，能夠形成較薄厚度的種子層2的同時，避免種子層2的表面粗糙度不受基板材料1表面粗糙度的影響。
在所述圖案層形成步驟S12中，在準備好的種子層2上塗覆感光樹脂S12a而形成圖案層3，通過光刻製程對所述圖案層3部分進行曝光S12b後去除S12c，從而形成選擇性暴露種子層2的圖案槽4。因此，在所述圖案層形成步驟 S12中，在所述種子層2上要形成電路的部分通過圖案槽4選擇性暴露，非電路部分則由圖案層3來保護。
另外，在圖2的所述圖案層形成步驟S12中，雖然感光樹脂採用了負(negative)型光刻膠(PR)，但是根據需要也可採用正(positive)型光刻膠。
此外，在所述圖案層形成步驟S12的曝光S12b步驟中，作為曝光機的波長優選採用長波長，這是因為越採用長波長越能提高反射率。
在此，所述具有正反射特性且反射率為50%以上的種子層2在通過光刻製程形成圖案槽4的過程中，在種子層2表面上的散射被最小化而提高感光樹脂的固化直線度，因此在顯影感光樹脂的過程中，能夠防止殘足(Food)現象或底切現象的產生。因此，如圖5所示，在圖案層形成步驟S12中形成的圖案槽4被形成為均勻和微細的形狀。
接下來，在鍍覆步驟S13中，在所述圖案槽4內部鍍覆導電物質5，以填充導電物質5。此時，導電物質5優選由導電度較高的銅(Cu)來準備。此時，在鍍覆步驟S13中，通過圖案槽4暴露的種子層2起到電極作用，因此在所述圖案槽4中填充導電物質5。
接下來，在圖案層去除步驟S14中，去除所述圖案層3。當只除去除了填充在圖案槽4中的導電物質5以外的圖案層3時，如圖6所示，在種子層2上只留下形成為圖案的導電物質5。
在所述種子層去除步驟S15中，去除與所述鍍覆步驟S13中的導電物質5不重疊部分的種子層2，因此如圖7所示，形成所需形狀的超微電路圖案。在此，所述種子層2由與鍍覆步驟中的導電物質5不同的材質來構成，因此在種 子層構圖步驟S15中，能夠採用只能溶解種子層2的蝕刻液來對種子層2進行構圖。
尤其，在所述種子層去除步驟S15中，可通過去除從形成為圖案的導電物質5之間暴露的種子層2，從而形成所需圖案的超微電路圖案。在此，作為去除種子層2的方法採用選擇性地只蝕刻銀、銀合金或銀化合物種子層2的蝕刻液。即，選擇性地只蝕刻銀材質種子層2，因此銅材質導電物質5不會受損。
即，在習知情況下，種子層2和導電物質5均由銅材質構成，因此如圖10所示，在去除種子層2的過程中會產生被蝕刻液損傷導電物質5的問題，相反在本實施例中，由銀、銀合金或銀化合物來構成種子層2，並且採用選擇性地只蝕刻種子層2的蝕刻液，因此如圖11所示，在銀材質種子層的蝕刻製程中，能夠形成沒有損傷銅材質導電物質的微細間距電路基板。
下面，通過本發明的實施例及比較例，對本發明進行具體說明。
Figure 107106876-A0305-02-0014-1
在表1及圖8中可以看出，在本發明的實施例中，採用反射率較高的金屬即銀(Ag)，以0.35~0.45μm的厚度形成具有110nm的十點平均粗糙度(Rz) 的正反射特性銀種子層2。在比較例中，採用銅(Cu)，以2~3μm的厚度形成具有0.9~1.3μm的十點平均粗糙度(Rz)的銅種子層。其結果，如圖9所示，實施例的反射率在365nm波長區域中表現為77.5%，在405nm波長區域中表現為93.5%，比較例的反射率在365nm波長區域中表現為33.8%，在405nm波長區域中表現為39.1%。
即，實施例中的銀種子層2提供與比較例中的銅種子層相比更高的反射率的同時，最終由於銀種子層的正反射特性能夠實現在比較例中難以實現的5/5μm的微電路圖案。
如此，本發明取代反射率較低的常規種子層，可通過反射率較高的金屬、金屬合金或金屬化合物來降低表面粗糙度，從而將散射最小化，並且通過濺射、化學氣相沉積、無電解鍍、電解鍍、塗覆、浸漬、柔版印刷、凹版印刷或凹版膠印等製程來形成厚度為50nm以上、具有正反射特性且反射率為50%以上的種子層2，並且由此能夠通過SAP方法來形成超微電路。
此外，如在上面提到，本發明涉及一種蝕刻液組合物，該組合物選擇性地只蝕刻銀、銀合金或銀化合物。
所述種子層為由銀、銀合金或銀化合物來構成的薄膜，在形成種子層時，包括濺射、化學氣相沉積、無電解鍍、塗覆、浸漬製程及能夠形成金屬、金屬合金或金屬化合物的普遍製程，並不特別限定種子層的形成製程。
下面，對本發明的銀、銀合金或銀化合物的選擇性蝕刻液組合物進行說明。
本發明的選擇性蝕刻液組合物也可使用包括記載在本申請人的專利10-0712879中的銨化合物和氧化劑的蝕刻液組合物，也可使用包括氧化性氣 體、過氧化物或過氧酸等的氧化劑；脂肪胺、芳香胺、烷醇胺或銨化合物；螯合劑、消泡劑、潤濕劑、pH調節劑及除此之外為了提高蝕刻液的蝕刻性能而選擇的一種以上的添加劑；和水的選擇性蝕刻液組合物。下面對選擇性蝕刻液組合物的各組成進行具體說明。
包括在本發明的銀、銀合金或銀化合物的蝕刻液組合物中的氧化劑(Oxidizing agent)起到對種子層表面的銀材質進行氧化的作用。在習知技術中公開有採用硝酸、鹽酸、硫酸、磷酸、硝酸鐵、鹽酸鐵、硫酸鐵及磷酸鐵等的蝕刻液組合物等。但是這種蝕刻液組合物為氧化及離解銅、鎳及鉻等金屬的物質，不適合作為選擇性地只蝕刻銀的電路蝕刻液來使用。
所述氧化劑採用空氣、氧氣或臭氧等的氧化性氣體；過硼酸鈉(Sodium perborate)、過氧化氫(Hydrogen peroxide)、鉍酸鈉(Sodium bismuthate)、過碳酸鈉(Sodium percarbonate)、過氧化苯甲醯(Benzoyl peroxide)、過氧化鉀(Potassium peroxide)或過氧化鈉(Sodium peroxide)等的過氧化物(Peroxides)；甲酸(Formic acid)、過醋酸(Peroxyacetic acid)、過苯甲酸(Perbenzoic acid)、3-氯過苯甲酸(3-Chloroperoxybenzoic acid)或三甲基乙酸(Trimethylacetic acid)等的過氧酸(Peroxy acid)；及過硫酸鉀(Potassium persulfate)，在採用這種氧化劑時，優選混合最少一種以上的氧化劑來使用。
相對於銀、銀合金或銀化合物的蝕刻液組合物的總重量，優選包括1~30重量%的所述氧化劑，更加優選包括5~18重量%的所述氧化劑。當所述氧化劑的含量少於1重量%時，蝕刻速度較慢並且不能實現完整的蝕刻，可能會產生大量的銀殘渣。當電路和電路之間存在銀殘渣時，會產生短路而導致產品不良，並且較慢的蝕刻速度會影響生產效率。當超過30重量%時，雖然暴露種子層 的蝕刻速度較快，但是會影響存在於電路層下面的種子層，會產生過度的底切現象。這種底切現象為影響電路層附著力的因素，因此優選抑制其產生。
在本發明的銀、銀合金或銀化合物的蝕刻液組合物中包括的脂肪胺(Aliphatic amine)、芳香胺(Aromatic amine)、烷醇胺(Alkanol amine)或銨化合物起到對在種子層中被氧化的銀進行離解的作用。通過氧化劑的氧化反應和對脂肪胺和芳香胺的離解反應，能夠選擇性地只蝕刻銀、銀合金或銀化合物。如上所述，在習知蝕刻液組合物中所含的硝酸、鹽酸、硫酸、磷酸、硝酸鐵、鹽酸鐵、硫酸鐵及磷酸鐵等中的一種物質作為主蝕刻劑來與銅反應，從而同時產生氧化和離解。但在本發明的蝕刻液中，每兩種物質負責氧化和離解反應，並且經氧化的銀與脂肪胺、芳香胺、烷醇胺或銨化合物的離解反應比銅離解反應進行得更激烈，從而選擇性地只蝕刻由銀、銀合金或銀化合物來形成的種子層。
所述脂肪胺、芳香胺、烷醇胺或銨化合物採用乙胺(Ethylamine)、丙胺(Propylamine)、異丙胺(Isopropylamine)、n-丁胺(n-Butylamine)、異丁胺(Isobutylamine)、sec-丁胺(sec-Butylamine)、二乙胺(Diethylamine)、呱啶(Piperidine)、酪胺(Tyramine)、N-甲基酪胺(N-Methyltyramine)、吡咯啉(Pyrroline)、吡咯烷(Pyrrolidine)、咪唑(Imidazole)、吲哚(Indole)、嘧啶(Pyrimidine)、乙醇胺(Ethanolamine)、6-氨基-2-甲基-2-庚醇(6-Amino-2-methyl-2-heptanol)、1-氨基-2-丙醇(1-Amino-2-propanol)、甲醇胺(Methanolamine)、二甲基乙醇胺(Dimethylethanolamine)、N-甲基乙醇胺(N-Methylethanolamine)、1-氨基乙醇(1-Aminoethanol)、2-氨基-2-甲基-1-丙醇(2-amino-2-methyl-1-propanol)、碳酸銨(Ammonium carbonate)、磷酸 銨(Ammonium phosphate)、硝酸銨(Ammonium nitrate)、氟化銨(Ammonium fluoride)或氨水(Ammonium hydroxide)等的胺類或銨化合物，在採用這種胺類或銨化合物時，優選混合最少一種以上的胺類或銨化合物來使用。
相對於銀材質種子層蝕刻液組合物的總重量，所述脂肪胺、芳香胺、烷醇胺或銨化合物的含量優選為1至75重量%，更加優選為20至70重量%。當所述脂肪胺、芳香胺、烷醇胺或銨化合物的含量少於1重量%時，因氧化的銀的離解反應不夠充分，會導致銀種子層的蝕刻速度變慢。當超過75重量%時，雖然對種子層的選擇性蝕刻沒有問題，但若過度使用胺類或銨化合物，會作為阻礙蝕刻液中的氧化劑氧化銀、銀合金或銀化合物的主要因素來起作用，從而會急劇降低選擇性蝕刻速度。因此，胺類或銨化合物的使用量優選的僅為在種子層表面產生氧化反應並且溶解經氧化的銀，由此順利進行選擇性蝕刻的程度。
在本發明的銀、銀合金或銀化合物的蝕刻液組合物中包括的螯合劑、消泡劑、潤濕劑、pH調節劑及除此之外為了提高蝕刻液的蝕刻性能而選擇的一種以上的添加劑可選擇採用一般使用的添加劑，所述添加劑能夠起到對可能在氧化反應中產生的氣泡的去除作用以及對蝕刻液賦予能夠很好地吸附在種子層表面上的潤濕性等作用，除此之外還能提高本發明效果。
相對於銀材質種子層蝕刻液組合物的總重量，根據添加劑的種類及作用，優選分別包括0.1至10重量%的添加劑，更加優選包括1至7重量%的添加劑。當所述添加劑的含量少於0.1重量%時，無法執行本發明的效果即提高選擇性蝕刻特性的作用，當超過10重量%時，蝕刻液產生膠化(或凝膠化)，會大幅降低蝕刻特性。
本發明的銀、銀合金或銀化合物的蝕刻液組合物包括上述物質，在總重量100重量%中包括餘量的水。水優選採用去離子水。
下面，通過實施例對本發明進行詳細說明，但實施例只是本發明的示例，本發明的範圍並不局限於實施例。
實施例1：選擇性蝕刻液組合物的製備
1-1：選擇性蝕刻液組合物1的製備：對過氧化氫(hydrogen peroxide)12重量%、單乙醇胺(Monoethanolamine)40重量%、潤濕劑(wetting agent)1重量%、消泡劑(antifoaming agent)1重量%及去離子水(DI water)46重量%進行混合而製備選擇性蝕刻液組合物1。
1-2：選擇性蝕刻液組合物2的製備：對過碳酸鈉(Sodium percarbonate)7重量%、N-甲基二乙醇胺(N-Methyldiethnaolamine)32.5重量%、潤濕劑0.5重量%、消泡劑1重量%及去離子水59重量%進行混合而製備選擇性蝕刻液組合物2。
1-3：選擇性蝕刻液組合物3的製備：對過碳酸鈉4重量%、N-甲基二乙醇胺(N-Methyldiethnaolamine)60重量%、潤濕劑1.5重量%、消泡劑0.5重量%及去離子水34重量%進行混合而製備選擇性蝕刻液組合物3。
實施例2：比較例的製備
2-1：比較例1的製備：為了與在實施例1中製備的選擇性蝕刻液組合物1至3進行比較，參考記載在韓國公開專利第10-2016-0115189號中的實施例1，對硝酸第二鐵10重量%、硝酸5重量%、醋酸5重量%、EDTA 1重量%、乙醇酸1重量%及去離子水78重量%進行混合而製備比較例1。
2-2：比較例2的製備：為了與在實施例1中製備的選擇性蝕刻液組合物1至3進行比較，參考記載在韓國公開專利第10-2010-0098409號中的實施例1，對氨7重量%、過氧化氫1.5重量%及去離子水91.5重量%進行混合而製備比較例2。
2-3：比較例3的製備：為了與在實施例1中製備的選擇性蝕刻液組合物1至3進行比較，參考記載在韓國公開專利第10-2010-0098409號中的實施例2，對磷酸50重量%、硝酸5重量%、醋酸30重量%及去離子水15重量%進行混合而製備比較例3。
實施例3：蝕刻實驗結果
在以下的ICP分析實驗條件下，對在實施例1中製備的選擇性蝕刻液組合物及在實施例2中製備的比較例進行蝕刻實驗(表2)。該條件為：聚醯亞胺(PI)基板材料，試片大小2.5×2.5cm(Ag coating seed layer，Cu FCCL)，蝕刻液量40g，蝕刻時間10秒，N.D小於5ppm。
Figure 107106876-A0305-02-0020-2
Figure 107106876-A0305-02-0021-3
其結果，在選擇性蝕刻液組合物1至3下，當蝕刻時間為10秒時銀被蝕刻並露出聚醯亞胺基板材料表面，Cu FCCL表面為沒有特別的變色或特殊事項，從而能夠確認蝕刻液未產生表面氧化。
但在比較例1及2下，能夠確認到在相同的蝕刻時間內銀未被100%地蝕刻而存在殘留物，而且Cu FCCL表面被氧化而變色。此外，在比較例3下，能夠確認到雖然在相同的蝕刻時間內銀被100%地蝕刻，但Cu FCCL的蝕刻速度快，從而急劇產生表面氧化。
通過ICP分析，對在蝕刻液中存在的銀及銅成分進行檢測及比較的結果能夠確認以下事項：在銀未被100%地蝕刻的比較例1及2中檢測出少於170ppm的銀，在Cu FCCL表面被氧化而變色的比較例1至3中檢測到銅。尤其， 在銀的蝕刻較多的比較例1及3中，銅的蝕刻速度同樣較快，從而檢測到較高的銅。
結果，與比較例1至3不同，在選擇性蝕刻液組合物1至3下，在10秒的蝕刻時間內銀為170ppm以上，從而能夠確認100%地被蝕刻，而銅的量為N.D(小於5ppm)，能夠確認未被檢測。因此能夠清楚地確認，選擇性蝕刻液組合物1至3選擇性地只蝕刻銀。
本發明的權利範圍並不限於上述實施例，在所附的申請專利範圍的範圍內可由多種形式的實施例來實現。在不脫離申請專利範圍所要求保護的本發明精神的範圍內，本發明所屬技術領域的技術人員均能變形的各種範圍也屬於本發明的申請專利範圍所記載的範圍內。
S11:種子層形成步驟
S12:圖案層形成步驟
S13:鍍覆步驟
S14:圖案層去除步驟
S15:種子層構圖步驟

Claims (14)

  1. 一種微電路形成方法，包括：一種子層形成步驟，在一基板材料上形成導電性的高反射率一種子層；一圖案層形成步驟，在該種子層上形成設置有一圖案槽的一圖案層，以便該種子層選擇性暴露；一鍍覆步驟，由一導電物質來填充該圖案槽；一圖案層去除步驟，去除該圖案層；及一種子層構圖步驟，去除與該鍍覆步驟中的該導電物質不重疊部分的該種子層，高反射率該種子層具有正反射特性；其中，該種子層形成步驟還包括：在該基板材料上塗覆未固化的一底漆，該底漆由高分子樹脂構成；通過一熱壓裝置施加一壓力及一熱量於該底漆，使該底漆緊貼於該基板材料上，並填補該基板材料的一不平整表面，以降低該基板材料表面的粗糙度；及在該底漆上形成該種子層。
  2. 如請求項1所述之微電路形成方法，其中該高反射率種子層由具備高反射率的一金屬材質來構成。
  3. 如請求項2所述之微電路形成方法，其中該高反射率種子層的反射率為50%以上。
  4. 如請求項3所述之微電路形成方法，其中該反射率表現在365nm至405nm波長區域中。
  5. 如請求項2所述之微電路形成方法，其中該種子層的十點平均粗糙度(Rz)小於1μm。
  6. 如請求項1所述之微電路形成方法，其中該種子層和該導電物質由彼此不同的材質來構成，在該種子層構圖步驟中採用只能溶解該種子層的一選擇性蝕刻液來對該種子層進行構圖。
  7. 如請求項6所述之微電路形成方法，其中該種子層由銀(Ag)材質來構成，該導電物質由銅(Cu)材質來構成。
  8. 如請求項7所述之微電路形成方法，其中該選擇性蝕刻液包括：一氧化劑；一胺類或一銨化合物；一添加劑；及一水。
  9. 如請求項7所述之微電路形成方法，其中該選擇性蝕刻液包括：相對於該選擇性蝕刻液的總重量100重量%，包含該氧化劑1至30重量%、該胺類或該銨化合物1至75重量%及該添加劑0.1至10重量%，且包括餘量的該水。
  10. 如請求項8所述之微電路形成方法，其中該氧化劑為選自由一氧化性氣體、一過氧化物、一過氧酸及一過硫酸鉀所構成的群組中的至少一種以上。
  11. 如請求項10所述之微電路形成方法，其中該氧化性氣體為選自由一空氣、一氧氣及一臭氧所構成的群組中的至少一種以上；該過氧化物為選自由一過硼酸鈉(Sodium perborate)、一過氧化氫(Hydrogen peroxide)、一鉍酸鈉(Sodium bismuthate)、一過碳酸鈉(Sodium percarbonate)、 一過氧化苯甲醯(Benzoyl peroxide)、一過氧化鉀(Potassium peroxide)及一過氧化鈉(Sodium peroxide)所構成的群組中的至少一種以上；該過氧酸為選自由一甲酸(Formic acid)、一過醋酸(Peroxyacetic acid)、一過苯甲酸(Perbenzoic acid)、一3-氯過苯甲酸(3-Chloroperoxybenzoic acid)及一三甲基乙酸(Trimethylacetic acid)所構成的群組中的至少一種以上。
  12. 如請求項8所述之微電路形成方法，其中該胺類為選自一脂肪胺、一芳香胺及一烷醇胺所構成的群組中的至少一種以上。
  13. 如請求項8所述之微電路形成方法，其中該胺類或該銨化合物為選自由一乙胺(Ethylamine)、一丙胺(Propylamine)、一異丙胺(Isopropylamine)、一n-丁胺(n-Butylamine)、一異丁胺(Isobutylamine)、一sec-丁胺(sec-Butylamine)、一二乙胺(Diethylamine)、一呱啶(Piperidine)、一酪胺(Tyramine)、一N-甲基酪胺(N-Methyltyramine)、一吡咯啉(Pyrroline)、一吡咯烷(Pyrrolidine)、一咪唑(Imidazole)、一吲哚(Indole)、一嘧啶(Pyrimidine)、一單乙醇胺(Monoethanolamine)、一6-氨基-2-甲基-2-庚醇(6-Amino-2-methyl-2-heptanol)、一1-氨基-2-丙醇(1-Amino-2-propanol)、一甲醇胺(Methanolamine)、一二甲基乙醇胺(Dimethylethanolamine)、一N-甲基二乙醇胺(N-Methyldiethanolamine)、一1-氨基乙醇(1-Aminoethanol)、一2-氨基-2-甲基-1-丙醇(2-amino-2-methyl-1-propanol)、一碳酸銨(Ammonium carbonate)、一磷酸銨(Ammonium phosphate)、一硝酸銨(Ammonium nitrate)、一氟化銨(Ammonium fluoride)及一氨水(Ammonium hydroxide)所構成的群組中的至少一種以上。
  14. 如請求項8所述之微電路形成方法，其中該添加劑為選自由一螯合劑、一消泡劑、一潤濕劑及一pH調節劑所構成的群組中的至少一種以上。
TW107106876A 2017-03-03 2018-03-01 微電路形成方法 TWI751293B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
??10-2017-0027947 2017-03-03
KR20170027947 2017-03-03
KR10-2017-0027947 2017-03-03

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201842828A TW201842828A (zh) 2018-12-01
TWI751293B true TWI751293B (zh) 2022-01-01

Family

ID=63371321

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107106876A TWI751293B (zh) 2017-03-03 2018-03-01 微電路形成方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11089691B2 (zh)
KR (1) KR102414973B1 (zh)
CN (1) CN110521289B (zh)
TW (1) TWI751293B (zh)
WO (1) WO2018159978A1 (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102414973B1 (ko) 2017-03-03 2022-07-05 주식회사 잉크테크 미세 회로 형성방법 및 에칭액 조성물
CN112647065A (zh) * 2020-11-27 2021-04-13 江苏科技大学 一种环境友好型液晶高分子聚合物器件化学镀前表面粗化方法
CN112752415A (zh) * 2020-12-14 2021-05-04 广州添利电子科技有限公司 一种沉银工艺中爬银的抑制方法
KR102659176B1 (ko) 2020-12-28 2024-04-23 삼성디스플레이 주식회사 은 함유 박막의 식각 조성물, 이를 이용한 패턴 형성 방법 및 표시장치의 제조 방법

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6117784A (en) * 1997-11-12 2000-09-12 International Business Machines Corporation Process for integrated circuit wiring
KR100720526B1 (ko) * 2005-12-28 2007-05-22 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체소자의 금속배선 형성방법
KR101044790B1 (ko) * 2008-08-29 2011-06-29 삼성전기주식회사 인쇄회로기판 제조방법
KR20130130515A (ko) * 2012-05-22 2013-12-02 솔브레인 주식회사 은함유 패턴의 식각액
KR101351213B1 (ko) * 2006-10-26 2014-01-14 케어스트림 헬스 인코포레이티드 전자 소자가 상부에 형성된 금속 기재
TW201408153A (zh) * 2012-08-07 2014-02-16 Ecocera Optronics Co Ltd 改善陶瓷貫孔基板上金屬表面粗糙度之方法
KR101464860B1 (ko) * 2013-02-06 2014-11-24 인천대학교 산학협력단 알릴 알콜을 포함하는 금속 씨앗층 평탄제 및 이를 이용한 씨앗층의 형성방법

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970023851A (ko) * 1995-10-11 1997-05-30 김광호 반도체 디바이스의 금속 배선 형성 방법
KR20090081566A (ko) * 2008-01-24 2009-07-29 동우 화인켐 주식회사 은 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴형성방법
KR101095380B1 (ko) * 2010-01-29 2011-12-16 대덕전자 주식회사 미세 피치의 인쇄회로기판 제조 방법
US9773928B2 (en) * 2010-09-10 2017-09-26 Tesla, Inc. Solar cell with electroplated metal grid
TWI750323B (zh) * 2017-02-14 2021-12-21 南韓商印可得股份有限公司 利用導電金屬薄膜晶種層與蝕刻劑組合物之選擇性蝕刻形成電路之方法
KR102414973B1 (ko) 2017-03-03 2022-07-05 주식회사 잉크테크 미세 회로 형성방법 및 에칭액 조성물

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6117784A (en) * 1997-11-12 2000-09-12 International Business Machines Corporation Process for integrated circuit wiring
KR100720526B1 (ko) * 2005-12-28 2007-05-22 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체소자의 금속배선 형성방법
KR101351213B1 (ko) * 2006-10-26 2014-01-14 케어스트림 헬스 인코포레이티드 전자 소자가 상부에 형성된 금속 기재
KR101044790B1 (ko) * 2008-08-29 2011-06-29 삼성전기주식회사 인쇄회로기판 제조방법
KR20130130515A (ko) * 2012-05-22 2013-12-02 솔브레인 주식회사 은함유 패턴의 식각액
TW201408153A (zh) * 2012-08-07 2014-02-16 Ecocera Optronics Co Ltd 改善陶瓷貫孔基板上金屬表面粗糙度之方法
KR101464860B1 (ko) * 2013-02-06 2014-11-24 인천대학교 산학협력단 알릴 알콜을 포함하는 금속 씨앗층 평탄제 및 이를 이용한 씨앗층의 형성방법

Also Published As

Publication number Publication date
US11089691B2 (en) 2021-08-10
CN110521289B (zh) 2022-11-18
TW201842828A (zh) 2018-12-01
US20200163219A1 (en) 2020-05-21
KR102414973B1 (ko) 2022-07-05
KR20180101200A (ko) 2018-09-12
CN110521289A (zh) 2019-11-29
WO2018159978A1 (ko) 2018-09-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI751293B (zh) 微電路形成方法
TWI750323B (zh) 利用導電金屬薄膜晶種層與蝕刻劑組合物之選擇性蝕刻形成電路之方法
CN110494936B (zh) 利用种子层的选择性蚀刻的电路板的制造方法
KR102465114B1 (ko) 시드층을 이용한 회로형성방법 및 시드층의 선택적 에칭을 위한 에칭액 조성물
KR100688869B1 (ko) 임프린트법을 이용한 인쇄회로기판 제조방법
JP2006009122A (ja) セミアディティブ工法用回路形成エッチング液
TWI768029B (zh) 印刷電路板製造方法
JP2011166028A (ja) Ｃｏｆ基板の製造方法
JP7340891B2 (ja) 表面結合剤および基材表面の処理方法
JP2004512698A (ja) プリント回路板製造での、酸化プロセスに代わる、微細な線形成のための銅箔への金属処理の使用
JP2003078234A (ja) プリント配線板およびその製造方法
JP2004095983A (ja) プリント配線板の製造方法
JP4168798B2 (ja) プリント配線板の製造方法
JP4986072B2 (ja) チップ搭載用基板の製造方法
TWI268128B (en) PCB ultra-thin circuit forming method
JP3965573B2 (ja) 金属層の微細加工方法
JP2571867B2 (ja) プリント配線板の製造法
TW201217583A (en) which can be used to etch a wiring line with a width between 200 to 25 micrometers on an aluminum foil or an aluminum plate
TW200913824A (en) Method for manufacturing printed circuit board