KR20130130515A - 은함유 패턴의 식각액 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 평판표시장치(FPD, Flat Panel Display)의 제조공정에서 금속막의 습식 식각에 사용되는 식각액에 관한 것으로, Ag 또는 Ag합금으로만 이루어진 단일막, Ag와 이종금속의 합금막 및 Ag와 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide)같은 투명도전성 금속으로 구성된 다중막, 특히 투명전극/Ag-palladium 합금막/투명전극 삼중막과 관련된 식각액에 관한 것이다.

Description

은함유 패턴의 식각액{ECHANT FOR SILVER PATTERN}
본 발명은 평판표시장치(FPD, Flat Panel Display)의 제조공정에서 금속막의 습식 식각에 사용되는 식각액에 관한 것으로, Ag 또는 Ag합금으로만 이루어진 단일막, Ag와 이종금속의 합금막 및 Ag와 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide)같은 투명도전성 금속으로 구성된 다중막, 특히 투명전극/Ag-palladium 합금막/투명전극 삼중막과 관련된 식각액에 관한 것이다.
액정 표시 장치(Liquid Crystal Display)는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치(Flat Panel Display) 중 하나로서, 전극이 형성되어 있는 두 장의 기판과 그 사이에 삽입되어 있는 액정층으로 이루어져, 전극에 전압을 인가하여 액정층의 액정 분자들을 재배열시킴으로써 투과되는 빛의 양을 조절하는 표시 장치이다.
평판표시장치의 대형화 및 고해상도 실현을 위하여 반사판을 사용하고 있는데, 현재까지는 Al 반사판을 주로 제품에 이용해 왔으나, 휘도 향상을 통한 저전력 소비실현을 위하여 낮은 비저항과 높은 휘도를 가지고 있는 Ag금속을 포함하고 있는 합금 금속을 적용하려는 추세이다. Ag 또는 Ag 합금과 ITO와 같은 투명도전성 금속으로 구성된 다중막을 평판표시장치의 칼라필터 전극 TFT 배선 및 반사판에 적용할 경우 장치의 대형화와 고해상도 및 저전력 소비 등을 실현할 수 있으며, 이를 위하여 습식식각을 통하여 금속막의 패터닝을 만드려는 노력을 하고 있는 추세이다.
특히, 투명전극/Ag-palladium 합금막/투명전극 삼중막을 식각을 하면서, 이와 적층된 상부 Mo/Al/Mo 합금막에는 데미지(damage)를 주지 않는 식각액을 개발하고자 하는 요구가 있다.
현재까지 Ag 금속을 식각하기 위한 식각액에 대한 특허들이 있으나, 대부분 환경 유해물질을 포함하여 양산 공정에 적용이 불가능 하거나, 측면 식각길이(포토레지스트 밑으로 남아 있어야 할 금속의 손실정도)가 커서 평판표시장치 제조공정에 적합하지 않다. 또한, 은은 유리등의 절연 기판 또는 진성 비정질 규소나 도핑된 비정질 규소 등으로 이루어진 반도체 기판 등의 하부 기판에 대해 접착성(Adhension)이 좋지 않아 배선의 들뜸(Lifting) 또는 벗겨짐(feeling)이 쉽게 일어나는 문제점이 있다. 이러한 이유로 종래 개발된 식각액을 사용하는 경우 은이 과도하게 식각되거나 불균이하게 식각되어 배선의 프로파일 측면에서 불량이 과도하게 발생하는 문제점을 가지고 있다.
은을 포함하는 막을 식각하는데 사용되는 식각액에 대한 발명으로, 한국등록특허 제 10-0579421호(2006.05.08)은 전체 조성물의 총중량에 대하여 1 ~ 10 중량%의 질산, 50 ~ 75 중량%의 인산, 1 ~ 11 중량%의 초산, 0.5 ~ 3 중량%의 보조 산화물 용해제, 0.001 ~ 0.01 중량%의 함불소형 탄소계 계면활성제 및 전체 조성물의 총 중량이 100 중량%가 되도록 하는 물을 포함하는 Ag 식각액으로, Ag금속막 또는 이들 합금 및 Ag금속을 포함한 다중막 특히, ITO 또는 IZO를 포함하는 투명전극/Ag/투명전극 삼중막을 식각할 수 있는 식각액에 관한 것이다. 상기 발명은 인산을 주요 성분으로 하는 조성으로, 상기 조성을 이용하여 상기 합금막을 식각을 하는 경우 전극으로 사용가능한 Mo/Al/Mo이 노출되는 경우 전극에 데미지가 발생할 수 있다.
한국등록특허 제 10-0579421호(2006.05.08)
본 발명은 은 또는 은을 포함하는 합금막에 선택적으로 식각을 할 수 있으며, 은 또는 은을 포함하는 합금막의 상부에 적층되는 Mo/Al/Mo 합금막에는 데미지(damage)를 주지 않는 식각액을 제공하고자 한다.
또한 본 발명은 저장안정성 및 경시변화성이 우수한 식각액을 제공하고자 한다.
본 발명자들은 상기 목적으로 하는 식각이 우수한 효과 및 경시변화가 우수한 식각액을 제공하기 위하여 연구한 결과, 산화제로 설페이트계 화합물을 포함하고, 특히 특정의 설페이트계 화합물을 혼합하여 사용함으로써, 우수한 식각 효과 및 경시변화 안정성이 우수함을 발견하게 되어 본 발명을 완성하였다.
본 발명은 질산, 옥살산, 아세트산, 산화제로 설페이트계 화합물 및 부식억제제로 아졸계 화합물을 포함하는 은함유 패턴의 식각액에 관한 것이다.
본 발명의 상기 식각액은 소스/드레인 데미지 방지제로 암모늄 포스페이트를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 식각액은 은 또는 은을 포함하는 합금막을 선택적으로 식각할 수 있으며, 식각속도가 양호하고, 잔사가 발생하지 않으며, 전극으로 사용가능 한 몰리브덴이나 알루미늄에 데미지가 발생하지 않는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 실시예 3에 따른 식각액을 이용하여 a-ITO/Ag/ITO 삼중막을 식각한 후의 SEM 사진이다.
본 발명의 제 1 양태는 질산, 옥살산, 아세트산, 산화제로 설페이트계 화합물, 부식억제제로 아졸계 화합물을 포함하는 은함유 패턴의 식각액이다.
보다 구체적으로 질산 1 ~ 10 중량%, 옥살산 0.1 ~ 5 중량%, 아세트산 5 ~ 15 중량%, 설페이트계 화합물 0.5 ~ 10중량%, 아졸계 화합물 0.01 ~ 1.0 중량% 및 나머지는 100 중량%가 되도록 물을 포함할 수 있다.
본 발명의 제 2 양태는 질산, 옥살산, 아세트산, 산화제로 설페이트계 화합물, 부식억제제로 아졸계 화합물 및 소스/드레인 데미지 방지제로 암모늄 포스페이트를 포함하는 은함유 패턴의 식각액이다.
보다 구체적으로 질산 1 ~ 10 중량%, 옥살산 0.1 ~ 5 중량%, 아세트산 5 ~ 15 중량%, 설페이트계 화합물 0.5 ~ 10중량%, 아졸계 화합물 0.01 ~ 1.0 중량%, 암모늄 포스페이트 0.1 ~ 2 중량% 및 나머지는 100 중량%가 되도록 물을 포함할 수 있다.
본 발명의 제 3 양태는 질산, 옥살산, 아세트산, 산화제로 퍼옥시모노설페이트칼륨과 중황산칼륨 및 황산칼륨을 포함하는 삼중염 사용하며, 소스/드레인 데미지 방지제로 암모늄 포스페이트, 부식억제제로 아졸계 화합물을 포함하는 은함유 패턴의 식각액이다. 보다 구체적으로 질산 1 ~ 10 중량%, 옥살산 0.1 ~ 5 중량%, 아세트산 5 ~ 15 중량% 및 퍼옥시모노설페이트칼륨과 중황산칼륨 및 황산칼륨을 포함하는 삼중염 0.5 ~ 10중량%, 암모늄 포스페이트 0.1 ~ 2 중량%, 아졸계 화합물 0.01 ~ 1.0 중량% 및 나머지는 100 중량%가 되도록 물을 포함할 수 있다.
상기 제 1 양태 내지 제 3 양태는 본 발명을 구체적으로 설명하기 위하여 예시된 것일 뿐 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명의 일 양태에서, 상기 설페이트계 화합물은 퍼옥시모노설페이트칼륨과 중황산칼륨 및 황산칼륨을 포함하는 삼중염, 암모늄 퍼설페이트, 소듐 퍼설페이트에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물일 수 있다.
본 발명의 일 양태에서, 상기 아졸계 화합물은 1,2,3-트리아졸, 1,2,4-트리아졸, 3-아미노-1,2,4-트리아졸, 4-아미노-4H-1,2,4-트리아졸, 5-아미노-1H-테트라졸, 벤조트리아졸, 1-히드록시벤조트리아졸, 1-메틸벤조트리아졸, 2-메틸벤조트리아졸, 5-메틸벤조트리아졸, 톨릴트리아졸, 벤조트리아졸-5-카르본산, 니트로벤조트리아졸 및 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)-4,6-디-ｔ-부틸페놀으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 혼합물일 수 있다.
이하는 본 발명의 각 구성에 대하여 구체적으로 설명한다.
본 발명에서 상기 질산은 보조산화제로서 은과 산화인듐을 산화시켜 식각하기 위하여 사용되는 것으로, 본 발명에서는 1 ~ 10 중량%, 더욱 바람직하게는 5 ~ 8 중량%로 사용하는 것이 바람직하다. 1 중량% 미만으로 사용하는 경우는 은(Ag)막과 산화인듐막(ITO)의 식각 속도 저하가 발생하며, 이로서 기판상의 식각되지 않은 부분이 발생하여 균일도가 저하되는 현상이 발생하고, 10 중량%초과 초과하는 경우는 각 막질에 대하여 식각길이가 길어지고, 식각속도가 너무 빨라서 제어가 어려워 질 수 있다.
본 발명에서 상기 옥살산은 산화인듐막의 식각과 Ag 킬레이트화제로 사용 되며, 0.1 ~ 5 중량%, 더욱 바람직하게는 1 ~ 2 중량%를 사용하는 것이 바람직하다. 5 중량%를 초과하여 사용하는 경우는 에칭은 가능하나 식각액의 보존안정성(경시성)이 저하될 수 있으며, 0.1 중량 미만으로 사용하는 경우는 효과가 미미하다.
본 발명에서 상기 아세트산은 은의 보조산화제로 사용되는 것으로, 물에 비하여 작은 유전상수를 지니고 있어 습식 식각공정에서 금속막에 대한 Ag 식각액의 습윤성을 높여 좀 더 균일하고 빠른 식각이 이루어지게 하는 역할을 함과 동시에 산화인듐막의 부식을 억제하는 기능을 한다. 함량은 5 ~ 15 중량%, 더욱 바람직하게는 8 ~ 12 중량%, 보다 바람직하게는 9 ~ 10 중량%를 사용하는 것이 좋다. 5중량% 미만인 경우, Ag 잔사가 발생하고 15중량%를 초과하는 경우는 다량의 거품이 야기되어 얼룩발생 문제를 야기할 가능성이 있다.
본 발명에서 상기 설페이트계 화합물은 은(Ag)의 주 산화제로 사용되는 성분으로써, 구체적으로 예를 들면, 퍼옥시모노설페이트칼륨과 중황산칼륨 및 황산칼륨을 포함하는 삼중염(또는 oxone이라 함), 암모늄 퍼설페이트, 소듐 퍼설페이트에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물을 사용할 수 있다. 그 함량은 0.5 ~ 10 중량%, 더욱 바람직하게는 0.5 ~ 5 중량%로 사용하는 것이 좋다. 0.5 중량% 미만으로 사용하는 경우는 산화능력이 떨어져 식각후 Ag 잔사가 발생할 수 있다. 퍼옥시모노퍼설페이트칼륨을 주산화제로 사용할 경우 경우 10 중량%를 초과하여 사용하는 경우는 에칭이 가능하나 전극으로 사용하는 다른 막의 데미지가 초래할 수 있다. 또한, 식각속도가 빨라 제어에 어려움이 있다.
본 발명에서 상기 아졸계 화합물은 은(Ag) 화합물의 부식억제를 통한 식각속도를 조절하는 역할을 하는 것으로, 상기 아졸계 화합물이 0.01 ~ 1.0 중량% 포함되는 범위에서, 은의 부식억제 뿐만 아니라, 식각속도를 조절하고 잔사가 발생하는 것을 개선할 수 있다. 1.0 중량%를 초과하는 경우는 식각속도가 너무 늦어 잔사가 발생할 수 있다.
상기 아졸계 화합물은 1,2,3-트리아졸, 1,2,4-트리아졸, 3-아미노-1,2,4-트리아졸, 4-아미노-4H-1,2,4-트리아졸, 5-아미노-1H-테트라졸, 벤조트리아졸, 1-히드록시벤조트리아졸, 1-메틸벤조트리아졸, 2-메틸벤조트리아졸, 5-메틸벤조트리아졸, 톨릴트리아졸, 벤조트리아졸-5-카르본산, 니트로벤조트리아졸 및 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)-4,6-디-ｔ-부틸페놀으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 혼합물을 사용할 수 있으며, 보다 바람직하게는 5-아미노-1H-테트라졸을 사용한다.
본 발명은 필요에 따라 소스/드레인 데미지 방지제로 암모늄 포스페이트를 더 포함할 수 있으며, 0.1 ~ 2 중량% 포함되는 범위에서, 더욱 바람직하게는 0.1 ~ 0.5 중량%를 사용하는 것이 좋다. 2 중량% 초과하여 사용하는 경우 산화인듐막의 식각능력이 저하됨으로서 잔사가 발생할 수 있다.
본 발명에 따른 식각액은 경시변화 안정성이 30일 이상 확보되어 식각능력이 유지되는 물성을 만족할 수 있다.
이하는 실시예를 들어 본 발명을 더욱 구체적으로 설명한다.
그러나 하기 실시예는 본 발명을 구체적으로 설명하기 위한 예시일 뿐, 본 발명이 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
이하 물성은 다음의 측정방법으로 측정하였다.
1) 에칭 여부
기판상에 유기절연막을 증착하고, 그위에 ITO/Ag/ITO 삼중막을 증착한 것을 다이아몬드 칼을 이용하여 5 X 5cm로 절단하여 시편을 준비하였다. 표 1에 기재된 전체 조성물을 총 중량에 대한 조성비와 같이 식각액을 8Kg이 되도록 제조하였다. 분사식 식각 방식의 실험장비내에 제조된 식각액을 넣고 온도를 35℃ 설정하고 온도가 도달하였을 때 식각을 진행하였다. 총 식각 시간은 엔드포인트 검출(End Point Detection, EPD)을 기준으로 하여 오버에치(over etch)를 100, 200, 300, 400, 500% 주어 실시하였다.
2) 에칭 프로파일(eych profile)
식각이 완료된 기판을 세정한 후, 건조하고, 전자주사현미경(모델명 :Hitachi, S-4300)을 이용 에칭 프로파일을 확인하였다. 프로파일 확인 사항중에 사이드에칭은 포토레지스트 끝단부터 삼중막이 잔존하는 구간까지를 관찰하였고, 식각 잔류물의 발생정도는 하부막위에 잔존하는 잔사의 발생정도를 프로파일에서 관찰하였다. 또한, 데미지 발생 여부를 파악하기 위하여 에칭된 샘플을 오버에치별로 평가된 기판 샘플에서 구조상 드러나는 전극의 상부 Mo의 거칠기의 변화를 관찰함으로서 평가하였다.
[실시예 1 ~ 6]
질산, 옥살산, 아세트산 및 설페이트계 화합물로 옥손(OXONE, 듀폰사)을 사용하고, 아졸계 화합물로 5-아미노-1H-테트라졸을 하기 표 1의 함량으로 준비하고, 물을 첨가하여 식각액을 제조하였다. 이때 하기 표 1에 나타낸 바와 같이 각각의 설페이트계 화합물의 함량을 변경하여 실시하였다. 상기 물성측정방법으로 물성을 측정한 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
조성 (중량%)
설페이트계
화합물
(Oxone)		 질산 아세트산 옥살산 아졸류 암모늄포스페이트
실시예1 0.0 10 10 2 0.01 -
실시예2 0.5 10 10 2 0.01 -
실시예3 1.0 10 10 2 0.01 -
실시예4 3.0 10 10 2 0.01 -
실시예5 5.0 10 10 2 0.01 -
실시예6 10.0 10 10 2 0.01 -
에칭 여부 에칭 프로파일 잔사 데미지 경시변화
실시예1 Un-Etch 불량
(Ag Un-Etch)		 - 발생안함
실시예2 Etch 양호 잔사발생 발생안함
실시예3 Etch 양호 잔사없음 발생안함
실시예4 Etch 양호 잔사없음 발생함
실시예5 Etch 양호 잔사없음 발생함
실시예6 Etch 불량 (식각속도가 너무 빨라 제어어려움) 잔사없음 발생함
상기 표 2에서 보이는 바와 같이, 설페이트 화합물을 사용하지 않은 경우는 에칭이 되지 않았으며, 설페이트 화합물의 함량이 0.5 ~ 1.0 중량%인 범위에서 모든 물성이 우수함을 알 수 있었다. 설페이트 화합물의 함량이 3 중량%를 초과하는 범위에서는 에칭이 양호하고, 잔사가 발생하지 않으나 데미지가 발생하는 것을 알 수 있었다.
[실시예 7 ~ 12]
하기 표 3과 같이 각 질산의 함량을 달리하여 실시한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 식각액을 제조하고, 물성을 측정하여 하기 표 4에 나타내었다.
조성 (중량%)
설페이트계
화합물
(Oxone)		 질산 아세트산 옥살산 Azole류 암모늄포스페이트
실시예7 1.5 0.0 10 2 0.01 -
실시예8 1.5 0.5 10 2 0.01 -
실시예9 1.5 1.0 10 2 0.01 -
실시예10 1.5 5.0 10 2 0.01 -
실시예11 1.5 10.0 10 2 0.01 -
실시예12 1.5 15.0 10 2 0.01 -
에칭 여부 에칭 프로파일 잔사 데미지 경시변화
실시예7 Un-Etch 불량 (Ag Un-Etch) - -
실시예8 Etch 불량 (하부막 잔사 발생) 잔사발생 발생안함
실시예9 Etch 양호 잔사없음 발생안함
실시예10 Etch 양호 잔사없음 발생안함
실시예11 Etch 양호 잔사없음 발생안함
실시예12 Etch 불량 (식각속도가 너무 빨라 제어어려움) 잔사없음 발생안함
상기 표 4에서 보이는 바와 같이, 질산이 사용되지 않는 경우는 식각이 발생하지 않으며, 질산의 함량이 1.0 ~ 10 중량%인 범위에서 가장 우수한 식각을 나타냄을 알 수 있었다. 15 중량%에서는 식각속도가 너무 빨라 에칭 프로파일이 불량이었다.
[실시예 13 ~ 17]
하기 표 5와 같이 각 질산의 함량을 달리하여 실시한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 식각액을 제조하고, 물성을 측정하여 하기 표 6에 나타내었다.
조성 (중량%)
Sulfate계 화합물
(Oxone)		 질산 아세트산 옥살산 Azole류 암모늄포스페이트
실시예13 1.5 8 10 2 0.01 -
실시예14 1.5 8 10 2 0.05 -
실시예15 1.5 8 10 2 0.1 -
실시예16 1.5 8 10 2 1 -
실시예17 1.5 8 10 2 1.5 -
에칭 여부 에칭 프로파일 잔사 데미지 경시변화
실시예13 Etch 양호 잔사없음 발생안함
실시예14 Etch 양호 잔사없음 발생안함
실시예15 Etch 양호 잔사없음 발생안함
실시예16 Etch 양호 잔사없음 발생안함
실시예17 Etch 불량 (Ag 식각속도가 너무 늦어 잔사발생) 잔사발생 발생안함
상기 표 6에서 보이는 바와 같이, 아졸계 화합물로 5-아미노-1H-테트라졸을 0.01 ~ 1 중량%로 사용하는 범위에서 잔사가 발생하지 않고 식각이 우수함을 알 수 있었다.
[실시예 18 ~ 20]
하기 표 7과 같이 각 질산의 함량을 달리하여 실시한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 식각액을 제조하고, 물성을 측정하여 하기 표 8에 나타내었다.
조성 (중량%)
Sulfate계 화합물
(Oxone)		 질산 아세트산 옥살산 Azole류 암모늄포스페이트
실시예18 1.5 10 10 1 0.01 -
실시예19 1.5 10 10 3 0.01 -
실시예20 1.5 10 10 5 0.01 -
에칭 여부 에칭 프로파일 잔사 데미지 경시변화
실시예18 Etch 양호 잔사없음 발생안함
실시예19 Etch 양호 잔사없음 발생안함
실시예20 Etch 양호 잔사없음 발생안함
상기 표 8에서 보는 바와 같이, 옥살산을 1 ~ 5 중량%로 사용하는 범위에서 우수한 식각을 발현함을 알 수 있었다. 그러나 경시변화안정성이 감소됨을 알 수 있었다.
[실시예 21 ~ 23]
하기 표 9와 같이 각 질산의 함량을 달리하여 실시한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 식각액을 제조하고, 물성을 측정하여 하기 표 10에 나타내었다.
조성 (중량%)
Sulfate계 화합물
(Oxone)		 질산 아세트산 옥살산 Azole류 암모늄포스페이트
실시예21 5.0 10.0 10.0 2 0.01 0
실시예22 5.0 10.0 10.0 2 0.01 0.5
실시예23 5.0 10.0 10.0 2 0.01 1.5
에칭 여부 에칭 프로파일 잔사 데미지 경시변화
실시예21 양호 양호 발생안함 발생
실시예22 양호 양호 발생안함 발생안함
실시예23 불량 잔사발생 발생 발생안함
[실시예 24 ~ 26]
설페이트계 화합물로 암모늄퍼설페이트(APS)를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 식각액을 제조하고, 물성을 측정하여 하기 표 12에 나타내었다.
조성 (중량%)
Sulfate계 화합물
(APS)		 질산 아세트산 옥살산 Azole류
실시예24 0 5 10 1 0.01
실시예25 1.0 5 10 1 0.01
실시예26 1.5 5 10 1 0.01
실시예27 2.0 5 10 1 0.01
실시예28 2.5 5 10 1 0.01
실시예29 3.0 5 10 1 0.01
에칭 여부 에칭 프로파일 잔사 데미지 경시변화
실시예24 Un-etch 불량 (Ag Un-etch) - 없음
실시예25 Etch 양호 발생(미량) 없음
실시예26 Etch 양호 잔사없음 없음
실시예27 Etch 양호 잔사없음 없음
실시예28 Etch 양호 잔사없음 없음
실시예29 Etch 양호 잔사없음 없음
상기 표 12에서 보이는 바와 같이, 설페이트계 화합물로 암모늄퍼설페이트(APS)를 사용하는 경우는 1.5 중량%이상, 1.5 ~ 3 중량%를 사용하는 범위에서 우수한 식각을 발현하는 것을 알 수 있었다.

Claims (6)

  1. 질산, 옥살산, 아세트산, 산화제로 설페이트계 화합물 및 부식억제제로 아졸계 화합물을 포함하는 은함유 패턴의 식각액.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 식각액은 소스/드레인 데미지 방지제로 암모늄 포스페이트를 더 포함하는 은함유 패턴의 식각액.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 식각액은 질산 1 ~ 10 중량%, 옥살산 0.1 ~ 5 중량%, 아세트산 5 ~ 15 중량% 및 설페이트계 화합물 0.5 ~ 10중량%, 아졸계 화합물 0.01 ~ 1.0 중량% 및 나머지는 100 중량%가 되도록 물을 포함하는 것인 은함유 패턴의 식각액.
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 암모늄 포스페이트는 0.1 ~ 2 중량%로 포함되는 것인 은함유 패턴의 식각액.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 설페이트계 화합물은 퍼옥시모노설페이트칼륨과 중황산칼륨 및 황산칼륨을 포함하는 삼중염, 암모늄 퍼설페이트, 소듐 퍼설페이트에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물인 은함유 패턴의 식각액.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 아졸계 화합물은 1,2,3-트리아졸, 1,2,4-트리아졸, 3-아미노-1,2,4-트리아졸, 4-아미노-4H-1,2,4-트리아졸, 5-아미노-1H-테트라졸, 벤조트리아졸, 1-히드록시벤조트리아졸, 1-메틸벤조트리아졸, 2-메틸벤조트리아졸, 5-메틸벤조트리아졸, 톨릴트리아졸, 벤조트리아졸-5-카르본산, 니트로벤조트리아졸 및 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)-4,6-디-ｔ-부틸페놀으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 혼합물인 은함유 패턴의 식각액.
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