TWI742247B - 雷射加工裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明之課題,在於提供一種能夠在正在將晶圓做雷射加工的途中檢測雷射光線的聚光點(光點)與分割預定線之錯位而高精度地實施雷射加工之雷射加工裝置。 雷射加工裝置的控制器,包含:座標記憶部,以聚光器聚光的雷射光線的聚光點與分割預定線的規定位置在Y方向一致之位置作為基準,將和分割預定線具有規定的位置關係之特徵點的Y座標予以記憶作為基準值;及錯位量檢測部,藉由該Y方向移動單元將晶圓的分割預定線朝Y方向分度饋送,檢測藉由拍攝手段拍攝到的特徵點的Y座標與該座標記憶部中被記憶作為基準值的Y座標之錯位量;及判斷部,判斷該錯位量是否超出容許值。當藉由該判斷部而被判斷出該錯位量超出該容許值的情形下,將藉由該Y方向移動單元而做分度饋送之量予以修正恰好該錯位量,而實施接下來的分度饋送。
Description
本發明有關於正在將晶圓做雷射加工的途中檢測雷射光線的光點與分割預定線之錯位,並修正該錯位而高精度地實施雷射加工之雷射加工裝置。
IC、LSI等的元件藉由交錯的複數個分割預定線被區隔而形成於表面之晶圓,會藉由雷射加工裝置被分割成一個個的元件晶片,分割出的元件晶片被利用於行動電話、個人電腦等電子機器。
雷射加工裝置,具備:保持晶圓之夾盤平台;及備有對被保持於該夾盤平台的晶圓照射雷射光線的聚光器之雷射光線照射手段;及拍攝被保持於該夾盤平台的晶圓而令藉由該聚光器而聚光的聚光點與分割預定線一致之校準手段;及將該夾盤平台與該雷射光線照射手段予以相對地朝X方向加工饋送之X方向饋送手段;及將該夾盤平台與該雷射光線照射手段予以相對地朝和X方向正交的Y方向加工饋送之Y方向饋送手段;及控制手段。
該雷射加工裝置,是考量晶圓的種類、材質、訂為目標之加工品質等,例如從以下的加工類型中適當選擇。
也就是說,就上述雷射加工裝置的類型而言,存在有照射對被加工物具有吸收性的波長之脈波雷射光線來施加燒蝕加工而在分割預定線形成溝來分割成一個個的元件晶片之類型(例如參照專利文獻1)、將對被加工物具有穿透性的波長之雷射光線的聚光點定位至被加工物的內部而照射,在分割預定線的內部形成了改質層後,對被加工物賦予外力來分割成一個個的元件晶片之類型(例如參照專利文獻2)、將對被加工物具有穿透性的波長之雷射光線的聚光區域定位至和分割預定線相對應之被加工物的內部而照射,以從分割預定線的表面到達背面之複數個細孔與圍繞各細孔之非晶質來形成潛盾隧道(shield tunnel)而分割成一個個的元件晶片之類型(例如參照專利文獻3)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開平10-305420號公報 [專利文獻2]日本特許第3408805號公報 [專利文獻3]日本特開2014-221483號公報
[發明所欲解決之問題]
藉由適當選擇上述的雷射加工裝置的類型,便能對要求不同加工條件之種種晶圓實施適切的雷射加工。但,即使採用了任一雷射加工裝置的類型,若對晶圓的分割預定線照射雷射光線來實施加工,則晶圓中受到雷射光線照射的部位會些微地膨脹,於對晶圓上的複數個分割預定線實施雷射加工當中,聚光器所聚光之雷射光線的聚光點,會在和實施雷射加工的X方向正交之分度饋送(indexing feed;dividing feed)方向亦即Y方向漸漸錯位,而發生變得無法對分割預定線做高精度的雷射加工之問題。
特別是,將對晶圓具有穿透性的波長之雷射光線的聚光點定位至晶圓的內部而照射,在分割預定線的內部形成改質層來分割成一個個的元件晶片之類型的雷射加工裝置中,相較於其他類型而言膨脹率大,此錯位的問題變得顯著。
此外,在分割預定線的內部形成改質層之類型的雷射加工的情形下,因在晶圓的內部形成改質層,難以一眼正確地掌握雷射加工位置,無法檢測改質層相對於分割預定線錯位到什麼程度,而有無法在對晶圓實施雷射加工的途中檢測錯位來修正Y方向之分度饋送量之問題。
故,本發明之目的,在於提供一種能夠在正在將晶圓做雷射加工的途中檢測雷射光線的聚光點(光點)與分割預定線之錯位而高精度地實施雷射加工之雷射加工裝置。 [解決問題之技術手段]
按照本發明,提供一種雷射加工裝置,具備:夾盤平台,保持晶圓,該晶圓具有複數個元件藉由交錯的複數個分割預定線而被區隔而成之表面;及雷射光線照射手段,對被保持於該夾盤平台的晶圓照射雷射光線;及拍攝手段,拍攝被保持於該夾盤平台的晶圓;及X方向移動手段,將該夾盤平台與該雷射光線照射手段相對地朝X方向予以加工饋送;及Y方向移動手段,將該夾盤平台與該雷射光線照射手段相對地朝和X方向正交之Y方向予以分度饋送;及控制手段;該雷射光線照射手段,包含:雷射振盪器,振盪雷射光線;及聚光器,將該雷射振盪器振盪出的雷射光線予以聚光而將雷射光線照射至被保持於該夾盤平台的晶圓的分割預定線;該控制手段,包含:座標記憶部,以該聚光器聚光的雷射光線的聚光點與分割預定線的規定位置在Y方向一致之位置作為基準,將和分割預定線具有規定的位置關係之特徵點的Y座標予以記憶作為基準值;及錯位量檢測部,藉由該Y方向饋送手段將晶圓的分割預定線朝Y方向分度饋送,檢測藉由該拍攝手段拍攝到的特徵點的Y座標與該座標記憶部中被記憶作為基準值的Y座標之錯位量;及判斷部,判斷該錯位量是否超出容許值;當藉由該判斷部而被判斷出該錯位量超出該容許值的情形下,將藉由該Y方向移動手段而做分度饋送之量予以修正恰好該錯位量,而實施接下來的分度饋送。
該錯位量檢測部,較佳是於被保持於該夾盤平台的晶圓與該聚光器正在朝X方向相對地移動時作動。此外,該拍攝手段,較佳是至少具備拍攝元件、對物透鏡、閃光燈光源,於被保持於該夾盤平台的晶圓與該聚光器正在朝X方向相對地移動時生成靜態圖像。
該雷射光線照射手段的聚光器,能夠構成為照射對晶圓具有穿透性的波長之雷射光線,該聚光器聚光的雷射光線之聚光點被定位至分割預定線的內部而沿著分割預定線在內部形成改質層。此外,亦可設計成晶圓的表面被保持於該夾盤平台,該拍攝手段從晶圓的背面拍攝形成於表面之特徴點。該錯位量檢測部,亦可設計成在任意的分割預定線作動,該錯位量檢測部,亦能構成為在每一分割預定線作動。
亦可設計成具備:校準手段,拍攝被保持於該夾盤平台的晶圓而令藉由該聚光器聚光的雷射光線的光點與分割預定線一致;該拍攝手段,是以該校準手段來兼用。 [發明之功效]
按照本發明之雷射加工裝置,即使由於對晶圓照射雷射光線實施加工而晶圓膨脹,而聚光器聚光的雷射光線的聚光點之位置自分割預定線朝和加工饋送方向正交之Y方向錯位,也能立即修正,維持高精度的加工。
此外,當為在分割預定線的內部形成改質層之類型的情形下,也會檢測示意和分割預定線鄰接之特徵點的位置之Y座標,檢測聚光點與分割預定線之錯位量來修正分度饋送量,故無需實際檢測形成於內部之改質層的位置,而能夠於正在對晶圓實施雷射加工之途中修正錯位。
以下參照所附圖面,詳細說明基於本發明而構成之雷射加工裝置的一實施形態。
圖1中揭示本實施形態之雷射加工裝置2、及被加工物亦即晶圓10的全體立體圖。雷射加工裝置2,具備:保持晶圓10之保持手段6;及配設於靜止基台2a上而令該保持手段6移動之移動手段8;及對被保持於該保持手段6的晶圓10照射雷射光線之雷射光線照射手段24;及框體50,由立設於該靜止基台2a上的移動手段8的側方之垂直壁部51、及從該垂直壁部51的上端部朝水平方向延伸之水平壁部52所構成。該雷射光線照射手段24,由用來照射雷射光線之光學系統、及拍攝和被保持於保持手段6的晶圓10的分割預定線12鄰接的元件14之第1拍攝手段26、及第2拍攝手段27所構成。在框體50的水平壁部52內部,內藏有該雷射光線照射手段24的光學系統,在水平壁部52的先端下面,配設有該雷射光線照射手段24的聚光器241。此外,在相對於該聚光器241而言在X方向相距間隔之位置配設有校準用之第1拍攝手段26,又,在和該聚光器241鄰接的位置配設有用來檢測後述的錯位量之第2拍攝手段27的殼部27a。在保持手段6,如圖中擴大表示般保持有透過黏著膠帶T而被保持於環狀的框F之晶圓10。此處,雷射加工裝置2中,對於以相對於該保持手段6而言在藉由複數個分割預定線12被區隔成格子狀之各區域形成有元件14的表面10a側朝向上方而保持於黏著膠帶T上之狀態、以背面10b側朝向上方而保持於黏著膠帶T之狀態的任一種均能實施雷射加工,惟本實施形態中,說明在以晶圓10的背面10b側朝向上方,形成有元件14的表面10a側被貼附於黏著膠帶T之狀態下令保持手段6保持而做加工之情形。
該保持手段6,包含於圖中以箭頭X所示之X方向移動自如地被搭載於基台2a之矩形狀的X方向可動板30、及於圖中以箭頭Y所示之Y方向移動自如地被搭載於X方向可動板30之矩形狀的Y方向可動板31、及被固定於Y方向可動板31的上面之圓筒狀的支柱32、及被固定於支柱32的上端之矩形狀的蓋板33。在蓋板33,配設有夾盤平台34,其構成為於X方向配設有蛇腹(圖示省略),通過形成於該蓋板33上之朝Y方向延伸的長孔來保持朝上方延伸之圓形狀的被加工物,藉由未圖示之旋轉驅動手段而可朝周方向旋轉。在夾盤平台34的上面,配置有由多孔質材料所形成而實質上水平延伸之圓形狀的吸附夾盤35。吸附夾盤35,藉由通過支柱32的流路而連接至未圖示之吸引手段。另,X方向為圖1中箭頭X所示之方向,Y方向為箭頭Y所示之方向且為和X方向正交之方向。以X方向及Y方向規範之平面係實質上水平。
移動手段8,包含X方向移動手段40、及Y方向移動手段41。X方向移動手段40,藉由滾珠螺桿40a將馬達40b的旋轉運動變換成直線運動而傳達至X方向可動板30,沿著基台2a上的導軌令X方向可動板30朝X方向進退。Y方向移動手段41,藉由滾珠螺桿41a將馬達41b的旋轉運動變換成直線運動而傳達至Y方向可動板31,沿著X方向可動板30上的導軌令Y方向可動板31朝Y方向進退。另,雖圖示省略,惟在X方向移動手段40、Y方向移動手段41、該旋轉驅動手段各自配設有位置檢測手段,可正確地檢測夾盤平台34的X方向的位置、Y方向的位置、周方向的旋轉位置,基於從未圖示的控制手段指示之訊號來驅動X方向移動手段40、Y方向移動手段41、及該旋轉驅動手段,將夾盤平台34正確地定位至任意的位置及角度。
該第1拍攝手段26,和聚光器241於X方向相距間隔而附設於框體50的水平壁部52的先端下面。該第1拍攝手段26,包含藉由可見光線而拍攝之通常的拍攝元件(CCD)、及對被加工物照射紅外線之紅外線照射手段、及捕捉藉由紅外線照射手段而照射的紅外線之光學系統、及輸出和該光學系統捕捉到的紅外線相對應的電子訊號之拍攝元件(紅外線CCD)(均未圖示),連接至後述的控制手段20。
本實施形態中,又,配備有第2拍攝手段27,其相對於聚光器241而言於X方向鄰接配設,拍攝被保持於保持手段6的夾盤平台34之晶圓10的分割預定線12與和該分割預定線12鄰接之元件14。該第2拍攝手段27,由:殼部27a,以包圍下方先端部的外周之方式配設,具備至少可照射可見光線與紅外線的光之複數個閃光燈光源,在內部配設有對物透鏡272;及通常的拍攝元件(CCD)(圖示省略),藉由可見光線而拍攝;及拍攝元件27b(紅外線CCD),在接近該殼部27a的後端部之位置,輸出和該對物透鏡272捕捉到的紅外線相對應之電子訊號;所構成。
基於圖2,進一步具體說明為實現本發明之晶圓的加工裝置而構成之雷射光線照射手段24(圖中第1拍攝手段26省略)。如圖所示,雷射光線照射手段24,具備用來從該聚光器241照射對於由矽(Si)所構成之晶圓10具有穿透性之1064nm波長的雷射光線LB之雷射振盪器242,從該雷射振盪器242振盪出的雷射光線LB,入射至藉由調整穿透率來調整輸出之衰減器(attenuator)243。在衰減器243被調整成期望的輸出之雷射光線LB,在反射鏡244其行進方向受到變換,藉由配設於聚光器241內的聚光透鏡(未圖示)而被聚光,照射至被保持於夾盤平台34的晶圓10。另,圖2中,省略保持晶圓10之保護膠帶T、及透過該保護膠帶T而保持晶圓10之環狀的框F。
該雷射光線照射手段24,又包含第2拍攝手段27,構成第2拍攝手段27之該環型照明271、及拍攝元件27b係連接至控制手段20。然後,藉由該控制手段20的作用,令環型照明271的閃光燈光源發光,控制拍攝夾盤平台34上的晶圓之時間點。如圖2所示般,透過該對物透鏡272而拍攝元件27b捕捉到的圖像,藉由控制手段20被輸出至顯示手段9,與通過顯示手段9的畫面中Y方向的中心而朝和該Y方向正交的X方向延伸之中線CL一起被顯示。本實施形態中,藉由聚光器241照射之雷射光線LB的聚光位置,被調整成總是與顯示手段9中顯示的圖像的Y方向之中心的Y座標一致。也就是說,當藉由該雷射光線LB對晶圓實施雷射加工,而夾盤平台34於X方向朝右方移動了的情形下,雷射加工所造成之加工痕總是會通過顯示手段9上的中線CL上。
該控制手段20係由電腦所構成,具備:遵照控制程式做演算處理之中央演算處理裝置(CPU);及讀入專用之唯讀記憶體(ROM);及用來暫時性地存儲檢測出的檢測值、演算結果等之可讀寫的隨機存取記憶體(RAM);及輸入介面;及輸出介面。另,雖圖示省略,惟該控制手段20,不僅連接至第1拍攝手段26、第2拍攝手段27,還連接至該雷射加工裝置2的各作動部,而具有控制各作動部的動作之功能。
本發明之雷射加工裝置2,大致具備以上般的構成,針對雷射加工裝置2的作用,參照圖1~4以下說明之。
本實施形態中,如上述般,對作為被加工物之晶圓10實施雷射加工時,是於將形成有複數個元件14的晶圓10的表面10a側貼附於保護膠帶T,透過保護膠帶T被支撐於環狀的框F之狀態下載置於夾盤平台34,予以吸引保持。接著,將夾盤平台34藉由移動手段8定位至相對於聚光器241而言於X方向鄰接的位置相距間隔而配設之第1拍攝手段26的正下方。一旦該晶圓10被定位到了第1拍攝手段26的正下方,則藉由照射紅外線而從背面10b側捕捉表面10a側的分割預定線,藉由執行圖樣比對等的圖像處理手段,來實施令從聚光器241照射的雷射光線的照射位置與晶圓10上的作為加工位置之分割預定線的中心一致之對位,該對位後的結果,被送至未圖示之控制手段而被記憶(校準工程)。像這樣,以第1拍攝手段26與控制手段20,來構成校準手段。
藉由該校準手段實施了校準工程後,參照圖2、3、及圖4所示之控制流說明藉由控制手段20而執行之控制。藉由實施上述的校準工程,藉由聚光器241而照射之雷射光線LB的聚光點的位置,會被定位至分割預定線12的中心,因此如圖3(a)所示,通過藉由第2拍攝手段27拍攝而被顯示於顯示手段9的圖像的Y方向的中心之中線CL,會與分割預定線12的中心一致。
於此狀態下,使用第2拍攝手段27來拍攝中線CL、與形成於元件14的規定位置之特徵點121,檢測特徵點121的Y座標。更具體地說,本實施形態中,如圖3(a)所示,當將中線CL的Y座標位置訂為原點(0)的情形下,該中線CL與該特徵點121之距離被檢測為60μm,因此該特徵點121的Y座標的值成為60μm。另,該特徵點121,能夠採用藉由構成元件14之微細元件的組合而形成之特徵性的圖樣,為在形成於晶圓10上的所有元件14的規定位置出現之特徵性的圖樣。另,如圖示般,分割預定線12,以50μm的寬度形成。
一旦基於藉由第2拍攝手段27拍攝出的圖像,檢測到了特徵點121的Y座標,則該Y座標的值被送至控制手段20,在控制手段20的座標記憶部,被記憶成作為基準之特徵點座標:Y0(=60μm)(步驟S1)。
一旦執行上述的步驟S1,在控制手段20的座標記憶部記憶了作為基準之特徵點座標:Y0(=60μm),則依據基於上述的校準工程而取得的位置資訊來作動移動手段8,將夾盤平台34上的晶圓10的規定的分割預定線12的一端部側(加工開始位置)定位至聚光器241的正下方。接著,將從聚光器241照射之雷射光線的聚光點,定位至分割預定線12的寬度方向的中央的內部,令雷射振盪器242、衰減器243作動,令夾盤平台34朝向如圖2中以箭頭X所示方向當中的左方向(去程方向)以規定的加工饋送速度移動,沿著該分割預定線12實施在晶圓10的內部形成改質層之雷射加工。一面令夾盤平台34朝該去程方向移動一面執行該雷射加工,一旦分割預定線12的他端部側到達聚光器241的正下方位置,則作動Y方向移動手段41,將夾盤平台34朝Y方向以恰好形成於晶圓10之分割預定線12的間隔(例如5000μm)予以分度饋送,而將鄰接的分割預定線12的他端部側定位至聚光器241的雷射光線照射位置。然後,將從聚光器241照射的雷射光線LB,和上述令夾盤平台34朝去程方向移動之情形以同樣的雷射加工條件一面照射,一面將夾盤平台34的移動方向變換成如圖2中箭頭X所示方向當中的右方向(回程方向),令其以規定的加工饋送速度移動,沿著該分割預定線12實施雷射加工。像這樣,本實施形態中,是在去程、回程實施雷射加工,形成改質層。
此處,本實施形態之雷射加工裝置的加工條件,例如像以下這樣設定。
波長:1064nm 反覆頻率:80kHz 平均輸出:3.2W 脈波寬度:4ns 饋送速度:500mm/s 分度量:5000μm
此處,本實施形態中,是設定成一旦對於1個分割預定線12之加工結束,則將晶圓10朝Y方向以規定寬度(本實施形態中為5000μm)予以分度饋送而對下一個分割預定線12實施加工。是故,只要在晶圓10上各元件14是如設計般配設,而藉由該規定寬度的分度饋送量被分度饋送,那麼從聚光器241照射的雷射光線LB的聚光位置,就會被定位至下一個分割預定線12的中心位置。但,對在晶圓10上形成有複數個之分割預定線12實施該雷射加工當中,各分割預定線12的微小的膨脹會累積,而可能引起雷射光線的照射位置漸漸錯位。鑑此,基於本發明而構成之實施形態中,是於對分度饋送後的分割預定線12實施之雷射加工時,從控制手段20對第2拍攝手段27發出拍攝指示。如此一來,環型照明271的閃光燈光源會發光,晶圓10上的分割預定線12與元件14會被拍攝,而對控制手段20輸出靜態圖像。然後,基於該輸出的靜態圖像(參照圖3(b)),檢測中線CL與該特徵點121之距離,取得該特徵點121的Y座標亦即特徵點座標Y1(=54μm),輸出至控制手段20(步驟S2)。
如上述般,一旦取得了加工中的特徵點座標Y1,則藉由配設於控制手段20之錯位量檢測部,依以下式子檢測相對於作為基準的特徵點座標Y0而言之加工中的特徵點座標Y1的錯位量。 ΔY=|Y0-Y1| ・・・・・(1)
一旦特徵點座標Y1被檢測出,則藉由設定於控制手段20之判斷部,判斷藉由上述式(1)算出的錯位量ΔY=|60μm-54μm|=6μm,是否為超出容許值(5μm)者(步驟S3)。此時,當錯位量ΔY未超出容許值的情形下(=No),逕行返回步驟S2,繼續每當一面實施雷射加工一面做分度饋送,就藉由錯位量檢測部檢測特徵點121的錯位量,反覆步驟S2、步驟S3。當上述步驟S3中錯位量ΔY的值超出了該容許值的情形下,進入步驟S4,於接下來做分度饋送時,以恰好修正了上述錯位量(Y0-Y1=6μm)之分度饋送量(5000μm+6μm)來實施分度饋送。如此一來,當執行了下次的分度饋送的情形下,如圖3(a)所示,特徵點121的Y座標的值會成為60μm,能夠使其和基準位置一致。另,錯位量超出容許值而於步驟S4中執行了對於分度饋送量之修正後,又回復做修正前之原本的分度饋送量,而下次的分度饋送,會以修正前之分度饋送量(5000μm)執行。
上述步驟S4中執行分度饋送量之修正,而執行了接下來的分度饋送後,判定對於所有的分割預定線12之加工是否完畢(步驟S5),當完畢的情形下結束基於該控制流之控制,當對於所有的分割預定線12之加工尚未完畢的情形下,返回步驟S2,反覆執行步驟S2~S5之控制。另,基於圖4所示控制流之控制,為對執行雷射加工控制之程式定期地執行以作為中斷(interrupt)控制,當雷射加工控制結束的情形下,與其同時基於該控制流之控制亦結束。
基於本發明之雷射加工裝置中,如上述般,是以特徵點121的Y座標的值會收斂在容許值內之方式,來執行分度饋送量之修正,因此即使因雷射加工而晶圓膨脹,仍會對分割預定線的規定的位置正確地實施雷射加工。此外,第2拍攝手段27中,藉由使用環型照明271的閃光燈光源來拍攝,即使被保持於保持手段6的晶圓10與聚光器241為正在朝X方向相對地移動之途中,仍能拍攝分割預定線12與元件14而得到良好的靜態圖像,生產性會提升。
本發明不限定於上述實施形態,只要涵括本發明之技術範圍,則可設想種種的變形例。
上述實施形態中,是分別設置用來實施校準工程之第1拍攝手段26、及用來檢測特徵點121的Y座標之第2拍攝手段27,但若將第2拍攝手段27兼用作為用來實施校準工程之校準手段,則能夠省略第1拍攝手段26。
上述實施形態中,是對實施雷射加工之所有的分割預定線每一者實施了特徵點121的Y座標之檢測,但本發明不限定於此,例如亦可設計成每當分度饋送實施規定的次數便於被實施雷射加工之任意的分割預定線12檢測特徵點121的Y座標的值。
上述實施形態中,對於第2拍攝手段27,是以包圍殼構件27a的先端部之方式在其外周配設了環型照明271,但本發明不限定於此,亦可設計成替換掉環型照明271,而是在殼構件27a的中段部設置半反射鏡,對該半反射鏡從側方照射閃光燈光源所致之閃光燈光,將在該半反射鏡反射的閃光燈光從殼構件27a的內部對晶圓10照射,而藉由該拍攝元件27b拍攝穿透半反射鏡之回彈光。
上述實施形態中,說明了形成於晶圓10之元件14上形成的特徵點121,為藉由構成元件14之微細的元件的組合而形成之特徵性的圖樣,但本發明不限定於此,例如亦可設計成將形狀呈特徵性的標記藉由印刷等賦予至元件14上的規定的位置,以該標記作為特徵點來檢測Y座標,而檢測錯位量。
上述實施形態中,是設計成由於從晶圓10的背面10b側對內部形成改質層之雷射加工而晶圓10的分割預定線12膨脹,並檢測該膨脹所造成之特徵點121的錯位量,但本發明不限定於此,亦可適用於沿著晶圓10的分割預定線12對表面實施燒蝕加工者、或形成潛盾隧道之雷射加工。
上述實施形態中,是設計成基於圖4揭示之控制流來檢測特徵點121的錯位量,而修正分度饋送量,但該控制流僅單純為一例,只要涵括本發明之技術範圍,則當然可設想種種的變形例。
2‧‧‧雷射加工裝置6‧‧‧保持手段8‧‧‧移動手段9‧‧‧顯示手段10‧‧‧晶圓12‧‧‧分割預定線121‧‧‧特徵點14‧‧‧元件20‧‧‧控制手段24‧‧‧雷射光線照射手段241‧‧‧聚光器242‧‧‧雷射振盪器243‧‧‧衰減器26‧‧‧第1拍攝手段27‧‧‧第2拍攝手段27a‧‧‧殼構件27b‧‧‧拍攝元件271‧‧‧環型照明272‧‧‧對物透鏡40‧‧‧X方向移動手段41‧‧‧Y方向移動手段CL‧‧‧中線
[圖1]雷射加工裝置的一實施形態示意全體立體圖。 [圖2]圖1所示雷射加工裝置中採用之雷射光線照射手段說明用方塊圖。 [圖3]藉由圖2所示雷射光線照射手段檢測之特徵點的錯位說明用概念圖。 [圖4]藉由圖1所示雷射加工裝置的控制手段而實施之控制流的一例示意流程圖。
9‧‧‧顯示手段
10‧‧‧晶圓
10b‧‧‧背面
12‧‧‧分割預定線
20‧‧‧控制手段
24‧‧‧雷射光線照射手段
27‧‧‧第2拍攝手段
27a‧‧‧殼構件
27b‧‧‧拍攝元件
34‧‧‧夾盤平台
121‧‧‧特徵點
241‧‧‧聚光器
242‧‧‧雷射振盪器
243‧‧‧衰減器
244‧‧‧反射鏡
271‧‧‧環型照明
272‧‧‧對物透鏡
CL‧‧‧中線
LB‧‧‧雷射光線
Claims (8)
- 一種雷射加工裝置,具備: 夾盤平台,保持晶圓,該晶圓具有複數個元件藉由交錯的複數個分割預定線而被區隔而成之表面;及 雷射光線照射手段,對被保持於該夾盤平台的晶圓照射雷射光線;及 拍攝手段,拍攝被保持於該夾盤平台的晶圓;及 X方向移動手段,將該夾盤平台與該雷射光線照射手段相對地朝X方向予以加工饋送;及 Y方向移動手段,將該夾盤平台與該雷射光線照射手段相對地朝和X方向正交之Y方向予以分度饋送;及 控制手段; 該雷射光線照射手段,包含: 雷射振盪器,振盪雷射光線;及 聚光器,將該雷射振盪器振盪出的雷射光線予以聚光而將雷射光線照射至被保持於該夾盤平台的晶圓的分割預定線; 該控制手段,包含: 座標記憶部,以該聚光器聚光的雷射光線的聚光點與分割預定線的規定位置在Y方向一致之位置作為基準,將和分割預定線具有規定的位置關係之特徵點的Y座標予以記憶作為基準值;及 錯位量檢測部,藉由該Y方向饋送手段將晶圓的分割預定線朝Y方向分度饋送,檢測藉由該拍攝手段拍攝到的特徵點的Y座標與該座標記憶部中被記憶作為基準值的Y座標之錯位量;及 判斷部,判斷該錯位量是否超出容許值; 當藉由該判斷部而被判斷出該錯位量超出該容許值的情形下,將藉由該Y方向移動手段而做分度饋送之量予以修正恰好該錯位量,而實施接下來的分度饋送。
- 如申請專利範圍第1項所述之雷射加工裝置,其中,該錯位量檢測部,於被保持於該夾盤平台的晶圓與該聚光器正在朝X方向相對地移動時作動。
- 如申請專利範圍第2項所述之雷射加工裝置,其中,該拍攝手段,包含拍攝元件、對物透鏡、閃光燈光源,於被保持於該夾盤平台的晶圓與該聚光器正在朝X方向相對地移動時生成靜態圖像。
- 如申請專利範圍第1項所述之雷射加工裝置,其中,該雷射光線照射手段的聚光器,照射對晶圓具有穿透性的波長之雷射光線,該聚光器聚光的雷射光線之聚光點被定位至分割預定線的內部而沿著分割預定線在內部形成改質層。
- 如申請專利範圍第4項所述之雷射加工裝置,其中,晶圓的表面被保持於該夾盤平台,該拍攝手段從晶圓的背面拍攝形成於表面之特徵點。
- 如申請專利範圍第1項所述之雷射加工裝置,其中,該錯位量檢測部,在任意的分割預定線作動。
- 如申請專利範圍第1項所述之雷射加工裝置,其中,該錯位量檢測部,於每一分割預定線作動。
- 如申請專利範圍第1項所述之雷射加工裝置,其中,更具備:校準手段,拍攝被保持於該夾盤平台的晶圓而令藉由該聚光器聚光的雷射光線的光點與分割預定線一致;該拍攝手段,是以該校準手段來兼用。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017-048574 | 2017-03-14 | ||
JP2017048574A JP7032050B2 (ja) | 2017-03-14 | 2017-03-14 | レーザー加工装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201838001A TW201838001A (zh) | 2018-10-16 |
TWI742247B true TWI742247B (zh) | 2021-10-11 |
Family
ID=63520938
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW107105881A TWI742247B (zh) | 2017-03-14 | 2018-02-22 | 雷射加工裝置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10695870B2 (zh) |
JP (1) | JP7032050B2 (zh) |
KR (1) | KR102355837B1 (zh) |
CN (1) | CN108568593B (zh) |
MY (1) | MY189802A (zh) |
TW (1) | TWI742247B (zh) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7120903B2 (ja) | 2018-10-30 | 2022-08-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
US11897056B2 (en) | 2018-10-30 | 2024-02-13 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing device and laser processing method |
JP6878391B2 (ja) * | 2018-12-18 | 2021-05-26 | ファナック株式会社 | ロボットシステムとその調整方法 |
CN109676269B (zh) * | 2019-01-31 | 2021-02-23 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | 一种led晶圆片的激光预分割方法及装置 |
WO2020187453A1 (en) * | 2019-03-20 | 2020-09-24 | Bobst Mex Sa | Characterization method and system for a laser processing machine with a moving sheet or web |
KR102330173B1 (ko) | 2019-03-29 | 2021-11-26 | 엘케이제작소 주식회사 | Cnc 레이저 절단기용 얼라이먼트 조절기 |
JP7273618B2 (ja) * | 2019-05-30 | 2023-05-15 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
CN110262106B (zh) * | 2019-06-24 | 2021-12-28 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及其激光切割方法 |
TW202115783A (zh) * | 2019-07-18 | 2021-04-16 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 處理裝置及處理方法 |
JP7286464B2 (ja) * | 2019-08-02 | 2023-06-05 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
JP7296840B2 (ja) * | 2019-09-26 | 2023-06-23 | 株式会社ディスコ | レーザー加工方法 |
CN110803517A (zh) * | 2019-11-13 | 2020-02-18 | 恩利克(浙江)智能装备有限公司 | 带清洁功能的柔性oled显示面板激光形切设备 |
JP7355629B2 (ja) * | 2019-12-05 | 2023-10-03 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置の調整方法 |
CN111889903B (zh) * | 2020-07-21 | 2021-12-10 | 惠民县久盛铝业有限公司 | 一种基于铝合金加工用激光切割装置的自动校对机构 |
CN112611445A (zh) * | 2021-01-06 | 2021-04-06 | 中国计量大学 | 一种针对齿轮机构的激光测振***及方法 |
WO2023203613A1 (ja) * | 2022-04-18 | 2023-10-26 | ヤマハ発動機株式会社 | レーザ加工装置、レーザ加工方法、レーザ加工プログラム、記録媒体、半導体チップ製造方法および半導体チップ |
WO2023203611A1 (ja) * | 2022-04-18 | 2023-10-26 | ヤマハ発動機株式会社 | レーザ加工装置、レーザ加工方法、レーザ加工プログラム、記録媒体、半導体チップ製造方法および半導体チップ |
WO2023203614A1 (ja) * | 2022-04-18 | 2023-10-26 | ヤマハ発動機株式会社 | レーザ加工装置、レーザ加工方法、レーザ加工プログラム、記録媒体、半導体チップ製造方法および半導体チップ |
WO2023203612A1 (ja) * | 2022-04-18 | 2023-10-26 | ヤマハ発動機株式会社 | レーザ加工装置、レーザ加工方法、レーザ加工プログラム、記録媒体、半導体チップ製造方法および半導体チップ |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200909113A (en) * | 2007-02-26 | 2009-03-01 | Disco Corp | Laser beam radiating apparatus, and laser beam machine |
JP2013031871A (ja) * | 2011-08-02 | 2013-02-14 | Disco Corp | 変位量検出方法およびレーザー加工装置 |
US20150034617A1 (en) * | 2013-08-05 | 2015-02-05 | Disco Corporation | Laser processing apparatus |
TW201533785A (zh) * | 2014-02-26 | 2015-09-01 | Disco Corp | 加工裝置中之晶圓的中心檢測方法 |
JP2016104491A (ja) * | 2014-12-01 | 2016-06-09 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
TW201709307A (zh) * | 2015-03-25 | 2017-03-01 | Towa股份有限公司 | 切斷裝置及切斷方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10305420A (ja) | 1997-03-04 | 1998-11-17 | Ngk Insulators Ltd | 酸化物単結晶からなる母材の加工方法、機能性デバイスの製造方法 |
JP3408805B2 (ja) | 2000-09-13 | 2003-05-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法 |
JP5134216B2 (ja) * | 2006-06-23 | 2013-01-30 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工結果管理方法 |
JP5037082B2 (ja) | 2006-10-02 | 2012-09-26 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
JP4959318B2 (ja) * | 2006-12-20 | 2012-06-20 | 株式会社ディスコ | ウエーハの計測装置およびレーザー加工機 |
JP5142916B2 (ja) | 2008-09-25 | 2013-02-13 | 住友重機械工業株式会社 | レーザ加工方法、及び、レーザ加工装置 |
JP5468847B2 (ja) | 2009-08-28 | 2014-04-09 | 株式会社ディスコ | ウエーハのレーザー加工方法 |
JP5930811B2 (ja) | 2011-11-18 | 2016-06-08 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
JP6030299B2 (ja) * | 2011-12-20 | 2016-11-24 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
JP6124547B2 (ja) | 2012-10-16 | 2017-05-10 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
JP6151557B2 (ja) | 2013-05-13 | 2017-06-21 | 株式会社ディスコ | レーザー加工方法 |
JP6121281B2 (ja) * | 2013-08-06 | 2017-04-26 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP6478801B2 (ja) * | 2015-05-19 | 2019-03-06 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
-
2017
- 2017-03-14 JP JP2017048574A patent/JP7032050B2/ja active Active
-
2018
- 2018-02-22 TW TW107105881A patent/TWI742247B/zh active
- 2018-02-27 MY MYPI2018700776A patent/MY189802A/en unknown
- 2018-03-12 KR KR1020180028575A patent/KR102355837B1/ko active IP Right Grant
- 2018-03-13 CN CN201810203259.4A patent/CN108568593B/zh active Active
- 2018-03-14 US US15/921,137 patent/US10695870B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200909113A (en) * | 2007-02-26 | 2009-03-01 | Disco Corp | Laser beam radiating apparatus, and laser beam machine |
JP2013031871A (ja) * | 2011-08-02 | 2013-02-14 | Disco Corp | 変位量検出方法およびレーザー加工装置 |
US20150034617A1 (en) * | 2013-08-05 | 2015-02-05 | Disco Corporation | Laser processing apparatus |
TW201533785A (zh) * | 2014-02-26 | 2015-09-01 | Disco Corp | 加工裝置中之晶圓的中心檢測方法 |
JP2016104491A (ja) * | 2014-12-01 | 2016-06-09 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
TW201709307A (zh) * | 2015-03-25 | 2017-03-01 | Towa股份有限公司 | 切斷裝置及切斷方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102355837B1 (ko) | 2022-01-25 |
CN108568593A (zh) | 2018-09-25 |
JP7032050B2 (ja) | 2022-03-08 |
CN108568593B (zh) | 2021-08-17 |
KR20180105079A (ko) | 2018-09-27 |
MY189802A (en) | 2022-03-08 |
TW201838001A (zh) | 2018-10-16 |
JP2018152494A (ja) | 2018-09-27 |
US20180264599A1 (en) | 2018-09-20 |
US10695870B2 (en) | 2020-06-30 |
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