TWI740468B

TWI740468B - 過電流保護裝置及其製造方法

Info

Publication number: TWI740468B
Application number: TW109113860A
Authority: TW
Inventors: 江財寶; 江智偉; 楊士賢; 林伯軒
Original assignee: 大毅科技股份有限公司
Priority date: 2020-04-24
Filing date: 2020-04-24
Publication date: 2021-09-21
Also published as: TW202141881A

Abstract

本揭露之一實施例係關於一種過電流保護裝置，包括基板、設置於該基板上的絕熱層、設置於該絕熱層上的電極、及設置於該絕熱層上並至少部分覆蓋該電極的傳導層。本揭露之另一實施例係關於一種過電流保護裝置之製造方法。

Description

過電流保護裝置及其製造方法

本發明係關於過電流保護裝置。

過電流保護裝置係一種可保護線路或電子裝置不因過大電流發熱而損壞的裝置。例如，當通過保險絲(或熔絲)的電流超過額定電流值時，保險絲可被熔斷，使線路斷路，達到保護的效果。

低功率(或低功耗)的電子裝置(例如，穿戴式裝置)的額定電流通常較低，例如為約10.0毫安培(mA)至約100.0mA。如何使過電流保護裝置應用於低功率的電子裝置係為本揭露之技術領域極欲解決之問題。

本揭露之一實施例係關於一種過電流保護裝置，包括基板、設置於該基板上的絕熱層、設置於該絕熱層上的電極、及設置於該絕熱層上並至少部分覆蓋該電極的傳導層。

本揭露之一實施例係關於一種過電流保護裝置，包括基板及設置於該基板上的傳導層。該傳導層具有一第一區段及一第二區段。該第一區段之一第一部分與該第二區段連接，且該第一區段之一第二部分與該第二區段分離以形成一缺口。該基板具有位於該缺口下方的凹陷處。

本揭露之一實施例係關於一種過電流保護裝置之製造方法，包括提供一基板、形成一絕熱層於該基板上、形成一傳導層於該絕熱層上、及局部地移除該傳導層。

1:過電流保護裝置

1':過電流保護裝置

10:基板

10r:凹陷部

10rs:側壁

10rm:底部表面

11:絕熱層

11r:凹陷部

11rs:側壁

11rm:底部表面

12:電極

13:傳導層

13r:缺口

13s:側壁

14:保護層

15:晶種層

16:端電極

17:標示

61:區段

61a:部分

61b:部分

62:區段

101:表面

102:表面

103:表面

111:表面

112:表面

113:表面

131:表面

132:表面

h:高度

s:間距

w:寬度

在下文中參考隨附圖式討論至少一項實施例之各種態樣，該等圖式並不意在按比例繪製。在圖、實施方式或任何請求項中之技術特徵伴隨元件符號之處，已出於增大圖、實施方式或申請專利範圍中之可理解性之唯一目的而包含該等元件符號。因此，元件符號之存在與否皆不意在具有對任何申請專利範圍元素之範疇之限制效應。在圖中，在各種圖中繪示之各相同或幾乎相同之組件藉由一相同數字表示。為清晰起見，並非每一組件皆在每一圖中標記。該等圖出於繪示及解釋之目的提供且不視為本發明之限制之一定義。在圖中：圖1A所示為根據本揭露之部分實施例之過電流保護裝置之側視圖；圖1B所示為根據本揭露之部分實施例之過電流保護裝置之側視圖；圖2A至圖9B所示為根據本揭露之部分實施例之過電流保護裝置之製造方法。

圖1A所示為根據本揭露之部分實施例之過電流保護裝置1之側視圖。過電流保護裝置1包括基板10、絕熱層11、電極12、傳導層13、保護層14、晶種層15、端電極16、及標示17。

根據本揭露之部分實施例，過電流保護裝置1可應用於電子裝置中，若流經傳導層13的電流超過額定電流或預定電流，所產生的熱可使傳導層13被熔斷，藉此保護電子裝置中的線路、元件或組件等不受過大電流的發熱而損壞。在一些實施例中，過電流保護裝置1可應用於低功耗(或用電量低)的電子裝置中，例如(但不限於)應用於電子手環、電子手錶、耳機、手機、或其他穿戴式電子裝置中。例如，過電流保護裝置1可應用於操作電流為約10.0毫安培(mA)至約100.0mA的電子裝置中。

在一些實施例中，基板10可包括(但不限於)硼矽酸鹽玻璃(borophosphosilicate glass，BPSG)、經摻雜矽酸鹽玻璃(undoped silicate glass，USG)、矽(silicon)、氧化矽(silicon oxide)、氮化矽(silicon nitride)、氮氧化矽(silicon oxynitride)、氧化鋁(aluminium oxide)、氮化鋁(aluminium nitride)、聚醯亞胺(Polyimide，PI)、ABF基材(Ajinomoto build-up film，ABF)、模塑膠(molding compounds)、預浸漬複合纖維(pre-impregnated composite fibers)(例如，預浸材料)、及其中之組合、或其他類似物。模塑膠的實例可包括(但不限於)環氧樹脂(epoxy resin)(包含分散其中的填料(fillers))。預浸材料的實例可包括(但不限於)通過堆疊或層壓(laminating)多個預浸漬材料及/或片料(sheets)所形成的多層結構。根據本揭露之部分實施例，基板10可為電路板(如FR4)。如圖1A所示，基板10具有表面101、與表面101相對的表面102、及延伸於表面101及表面102之間的表面103。

絕熱層11設置於基板10的表面102上。換句話說，絕熱層11位於基板10及傳導層13之間。在一些實施例中，絕熱層11可包括(但不限於)環氧樹脂(包含分散其中的填料)、矽、或其他適合的材料。

在部分實施例中，過電流保護裝置(如圖1之過電流保護裝置1)可不包括絕熱層(如圖1之絕熱層11)。然而，若過電流保護裝置1不包括絕熱層11，則電流流經傳導層13所產生的熱可能經由基板10逸散至環境中，熱來不及累積，致使通過過電流保護裝置之電流達到達額定電流時，傳導層13仍無法被熔斷，導致電子裝置之損壞。本揭露透過在基板10及傳導層13之間設置絕熱層11，可阻隔或減少熱經由基板10逸散，確保通過過電流保護裝置之電流在達額定電流時，傳導層13可即時被熔斷，以保護電子裝置，降低電子裝置的損害風險。

絕熱層11具有表面111、與表面111相對的表面112、及延伸於表面111及表面112之間的表面113。表面111接觸基板10且表面112接觸傳導層13。在一些實施例中，在大致上垂直於基板10的表面102的一方向上，絕熱層11可具有約0.1微米(rmicrometer，μm)至約40.0μm之厚度。然而，本揭露不限於此。在一些實施例中，絕熱層11可依裝置規格或製程要求而具有其他厚度。

在一些實施例中，絕熱層11之表面粗糙度大於或等於基板10之表面粗糙度。例如，絕熱層11之表面(例如表面111、及/或表面112)具有約0.3μm至約0.5μm之粗糙度，而基板10之表面(例如表面101、及/或表面102)具有約0.2μm至約0.3μm之粗糙度。在一些實施例中，絕熱層11之表面112之表面粗糙度大於或等於絕熱層11之表面111之表面粗糙度。在一些實施例中，絕熱層11之表面粗糙度與基板10之表面粗糙度可能受到個別使用的材料的影響，並不限於本揭露中所舉出的特定數值。

電極12設置於絕熱層11上。在一些實施例中，電極12可設置於基板10的兩端或兩側。在一些實施例中，在大致上垂直於基板10的表面102的一方向上，電極12可具有約1.0μm至約10.0μm之厚度。然而，本揭露不限於此。在一些實施例中，電極12可依裝置規格或製程要求而具有其他厚度。

傳導層13設置於絕熱層11上並且覆蓋電極12。在一些實施例中，傳導層13可包括(但不限於)銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、鋁(Al)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鎢(W)、鉻(Cr)、錫(Sn)、或其他金屬或合金。例如，在一些實施例中，合金可包括鎳鉻合金(如鎳鉻鋁、鎳鉻矽)、鎳銅合金(如鎳銅錳)等。

傳導層13具有表面131、及與表面131相對的表面132。在一些實施例中，從圖1A之側視圖觀看，傳導層13可具有若干個彼此分離的區段(未標示於圖1A中)，各個區段以缺口13r彼此分隔或分離。缺口13r具有間距s。例如各個區段之側壁13s彼此間隔為s。各個區段可具有寬度w及高度h。當從俯視圖(如圖6A所示)觀看時，區段61及區段62可彼此連接。例如，當從俯視圖(如圖6A所示)觀看時，傳導層13具有彎曲的圖案。然而，本揭露不限於此。在一些實施例中，傳導層13可具有任意的圖案。在一些實施例中，可依裝置規格或製程要求而設計傳導層13之圖案。例如，當從俯視圖(如圖6A所示)觀看時，區段61之部分61a與區段62之部分62b連接，且區段61之部分61b與區段62分離形成缺口13r。

在一些實施例中，傳導層13之各個部分之間距s可介於約10.0μm至約60.0μm之間。在一些實施例中，傳導層13之寬度w可介於約10.0μm至約100.0μm之間。在一些實施例中，傳導層13之高度(或厚度)h可小於約1.0μm。在一些實施例中，傳導層13之高度h可介於約0.1μm至約3.0μm之間。在一些實施例中，當從俯視圖(如圖6A所示)觀看時，傳導層13可具有繞線長度介於約50.0μm至約3000.0μm之間。在一些實施例中，可依裝置規格或製程要求而設計傳導層13之高度(或厚度)h、間距s、寬度w、及繞線長度，並不限於本揭露中所舉出的特定數值。

在一些實施例中，傳導層13可具有約為10歐姆(Ω)(或更低)的電阻值。在一些實施例中，傳導層13可在導通電流大於其所設計之額定電流時，在短時間內熔斷。例如，傳導層13可在其導通電流大於或等於約100mA時，於約5秒(或更短時間)內熔斷。

在部分實施例中，可使用黃光微影(photolithography)及/或電鍍(plating)製程形成傳導層(例如圖1A之傳導層13)。例如，在基板(例如圖1A之基板10)上形成經圖案化之光阻(patterned photoresist)以定義傳導層的圖案，再以電鍍的方式將傳導層的材料形成於光阻上，傳導層填入光阻界定的圖案中，接著將光阻移除，留下具有圖案的傳導層。由於光阻需要沉積(或附著)在較為平坦的表面上，因此實施例中，通常無法使用絕熱層(例如圖1A之絕熱層11)，以避免絕熱層之粗糙(或不平整)的表面影響沈積或電鍍的效果(例如影響沈積或電鍍的均勻性)而使傳導層效能不彰。然而，如前揭所述，若不使用絕熱層，則可能使傳導層在達到額定電流時無法熔斷而增加電子裝置損害的風險。

本揭露之一實施例提供一製程方法(詳述於圖2A至圖9B)，係透過濺鍍(sputtering)(如真空濺鍍)的方式形成傳導層13，並以雷射蝕刻的方式圖案化傳導層。由於本揭露之製程方法不需使用黃光微影及/或電鍍製程，亦不需要光阻，故該傳導層13可形成於相對粗糙的表面(如絕熱層11)上。因此，本揭露圖1A之實施例可使用絕熱層11，進而解決上述問題。此外，傳導層13之電阻值在雷射蝕刻的過程中可隨著截面積(如寬度w及高度h所形成之面積)與繞線長度改變而動態地(或即時)調整，且可精準地控制在所期望的範圍內，進而增加傳導層13之準確性及設計彈性。再者，相較於黃光微影及電鍍製程，使用雷射蝕刻形成傳導層13可增加傳導層13尺寸(如寬度w、間距s及高度h等)之精準度。根據本揭露之部分實施例，傳導層13尺寸之誤差小於等於約±2%。

另一方面，若使用黃光微影及/或電鍍製程，可能需要使用穩定度較高的材料(如金，或其他較不易氧化而較不易改變電阻值的材料)，才能維持較高的良率。然而若使用雷射蝕刻方式圖案化傳導層，電阻值可動態地調整，因此即使使用穩定度較低的金屬(如鋁、銅，或其他較易氧化而較易改變電阻值的材料)，仍可以經由修改截面積與繞線長度而調整其電阻值至所需的規格，因此，使用本揭露之製程方法可不受製程材料的限制。此外，使用熔點低的材料作為傳導層材料，可進一步降低額定電流。

繼續參照圖1A，在一些實施例中，在雷射蝕刻傳導層13的過程中，位於傳導層13下方的絕熱層11可被局部地蝕刻，而於絕熱層11中形成如圖1A之放大圖中所繪製的凹陷部(或凹陷處)11r。凹陷部11r位於傳導層13的缺口13r的下方。凹陷部11r從絕熱層11的表面112而凹陷進絕熱層11中。換句話說，凹陷部11r相對於傳導層13的表面131而凹陷。

在一些實施例中，如圖1A之放大圖所示，凹陷部11r具有底部表面11rm、及延伸於表面112及底部表面11rm之間的側壁11rs。凹陷部11r之底部表面11rm位於絕熱層11之表面111與112之間。在一些實施例中，凹陷部11r之寬度約為s。

在一些實施例中，凹陷部11r之側壁11rs與傳導層13之側壁(或缺口的側壁)13s形成連續(continuous)的表面。例如，凹陷部11r之側壁11rs與傳導層13之側壁(或缺口的側壁)13s形成大致上線性的輪廓(linear profile)。在一些實施例中，凹陷部11r之側壁13s可與傳導層13之側壁(或缺口的側壁)13s實質上共平面(coplanar)。在一些實施例中，凹陷部11r之側壁11s可大致上垂直於絕熱層11之表面111與112。在一些實施例中，凹陷部11r之側壁11s可相對於絕熱層11之表面111與112傾斜(tilted)。在一些實施例中，凹陷部11r之底部表面11rm可大致上平行於絕熱層11之表面111與112。在一些實施例中，凹陷部11r之底部表面11rm可為曲面(curved surface)。在一些實施例中，凹陷部11r可確保線路(例如傳導層13)為絕緣狀態，以避免發生微短路現象，並提高裝置穩定性。

保護層14設置於傳導層13上。在一些實施例中，保護層14覆蓋傳導層13之表面132之一部分。在一些實施例中，保護層14覆蓋、圍繞、或接觸傳導層13之側壁13s。一部分的保護層14容納或接收於凹陷部11r中。例如，保護層14從傳導層13之表面132通過傳導層13之側壁13s而沈積於凹陷部11r之底部表面11rm上。例如，保護層14接觸凹陷部11r之側壁11rs及底部表面11rm。例如，一部分的保護層14位於絕熱層11之表面111與112之間。

在一些實施例中，保護層14可包括(但不限於)與絕熱層11相同的材料。例如，環氧樹脂(包含分散其中的填料)、矽、或其他適合的材料。在一些實施例中，在大致上垂直於基板10的表面102的方向上，保護層14可具有介於約20.0μm至約40.0μm之厚度。然而，本揭露不限於此。在一些實施例中，保護層14可依裝置規格或製程要求而具有其他厚度。

晶種層15設置於基板10之兩端且位於傳導層13上。例如晶種層15圍繞基板10之表面103。在一些實施例中，晶種層15覆蓋傳導層13之表面132之一部分。在一些實施例中，覆蓋傳導層13之表面132之晶種層15與保護層14可大致上共平面。在一些實施例中，晶種層15可設置在基板10之表面101上。例如，晶種層15可具有夾住基板10之兩端的兩個部分(未標示於圖1A中)，位於基板10之兩端的晶種層15覆蓋基板10之表面103、並且至少覆蓋基板10之表面101與102的一部分。在一些實施例中，位於基板10之兩端的晶種層15還覆蓋絕熱層11的表面113。

端電極16設置於基板10之兩端且位於晶種層15上。在一些實施例中，端電極16覆蓋晶種層15之一部分。在一些實施例中，端電極16藉由晶種層15而與基板10、絕熱層11、及傳導層13隔開。在一些實施例中，端電極16可設置在基板10之表面101上。例如，端電極16可具有夾住基板10之兩端的兩個部分(未標示於圖1A中)，位於基板10之兩端的端電極16覆蓋基板10之表面103、並且至少覆蓋基板10之表面101與102的一部分。在一些實施例中，晶種層15及端電極16可包括(但不限於)上述針對傳導層13所列舉的材料，在此不再贅述。

圖1B所示為根據本揭露之部分實施例之過電流保護裝置1'之側視圖。圖1B之過電流保護裝置1'與圖1A之過電流保護裝置1相似，針對相似或相同元件的敘述將不再贅述，以下僅描述兩者之差異。

過電流保護裝置1'之絕熱層11具有若干部分(未標示於圖1A中)，各部分之側壁11s彼此間隔為s。側壁11s在絕熱層11之表面111與112之間延伸。

過電流保護裝置1'之基板10具有凹陷部(或凹陷處)10r。凹陷部10r位於傳導層13的缺口的下方。凹陷部10r從基板10之表面102凹陷。換句話說，凹陷部10r相對於絕熱層11的表面111凹陷。

在一些實施例中，如圖1B之放大圖所示，凹陷部10r具有底部表面10rm、及延伸於基板10之表面102及底部表面10rm之間的側壁10rs。凹陷部10r之底部表面10rm位於基板10之表面101與102之間。在一些實施例中，凹陷部10r之寬度約為s。

在一些實施例中，凹陷部10r之側壁10rs與絕熱層11之側壁11s形成連續的表面。例如，凹陷部10r之側壁10rs與絕熱層11之側壁11s形成大致上線性的輪廓。在一些實施例中，凹陷部10r之側壁10s可與絕熱層11之側壁11s實質上共平面。在一些實施例中，凹陷部10r之側壁10s、絕熱層11之側壁11s、及傳導層13之側壁(或缺口的側壁)13s可實質上共平面。在一些實施例中，凹陷部10r之側壁10s可大致上垂直於基板10之表面101與102。在一些實施例中，凹陷部10r之側壁13s可相對於基板10之表面101與102傾斜。在一些實施例中，凹陷部10r之底部表面10rm可大致上平行於基板10之表面101與102。在一些實施例中，凹陷部10r之底部表面10rm可為曲面。

在一些實施例中，保護層14覆蓋、圍繞、或接觸絕熱層11之側壁11s。一部分的保護層14容納或接收於凹陷部10r中。例如，保護層14從傳導層13之表面132通過傳導層13之側壁13s與絕熱層11之側壁11s而沈積於凹陷部10r之底部表面10rm上。例如，保護層14接觸凹陷部10r之側壁10rs及底部表面10rm。例如，一部分的保護層14位於基板10之表面101與102之間。

在一些實施例中，過電流保護裝置可同時具有位於基板10中的凹陷部10r及位於絕熱層11中的凹陷部11r，而並不限於如本揭露所繪製的態樣。例如，在一些實施例中，保護層14可部分延伸至基板10且部分延伸至絕熱層11。例如，在一些實施例中，絕熱層11可具有側壁11s，其中兩個側壁11s在大致上垂直於絕熱層11之表面112的一方向上具有相異的深度。在一些實施例中，可依裝置規格或製程要求而設計凹陷部10r及凹陷部11r的配置。

圖2A至圖9B所示為根據本揭露之部分實施例之過電流保護裝置之製造方法。在一些實施例中，圖2B、圖3B、圖4B、圖5B、圖6B、圖7B、圖8B及圖9B分別為圖2A、圖3A、圖4A、圖5A、圖6A、圖7A、圖8A及圖9A之結構沿線AA’切割的剖面圖。根據本揭露之部分實施例，圖2A至圖9B所揭露之製造方法可用以製造如圖1A或圖1B所示之過電流保護裝置1或1'。根據本揭露之部分實施例，圖2A至圖9B所揭露之製造方法亦可用以製造其他過電流保護裝置。

參照圖2A及圖2B，提供基板10。基板10具有表面101、與表面101相對的表面102、及延伸於表面101及表面102之間的表面103。在一些實施例中，可以雷射切割的方式在基板10中形成切割道。在一些實施例中，切割道之深度可占基板10之厚度約20%至約60%的比例。

參照圖3A及圖3B，於基板10的表面102上形成絕熱層11。絕熱層11具有表面111、與表面111相對的表面112、及延伸於表面111及表面112之間的表面113。在一些實施例中，可透過塗佈(coating)、層壓(lamination)、或其他適合的方式形成絕熱層11。

參照圖4A及圖4B，於絕熱層11上形成電極12。在一些實施例中，電極12可藉由濺射、無電電鍍(electroless plating)、電鍍(plating)、印刷(printing)或其他可行的方式而形成。

參照圖5A及圖5B，於絕熱層11上形成傳導層13。在一些實施例中，傳導層13可保型地(comformally)形成於絕熱層11與電極12上。在一些實施例中，傳導層13可藉由濺射的方式而形成。

參照圖6A及圖6B，移除部分的傳導層13以得到所需的傳導層13圖案及電阻值。在一些實施例中，可經由雷射蝕刻的方式移除部分的傳導層13(或圖案化傳導層13)。

在一些實施例中，在圖6A及圖6B的步驟中，可同時量測傳導層13之電阻值而即時地調整傳導層13之形狀。例如，可先形成進行一次圖案化，接著量測傳導層13之電阻值，再根據所測得的電阻值而微調傳導層13之圖案(或形狀)，進而得到精準的電阻值。在一些實施例中，上述量測及微調圖案的步驟可重複多次。

在一些實施例中，傳導層13之圖案亦可以乾式蝕刻(dry etching)、離子撞擊(ion bumping)、或其他可行的方式形成。例如，以雷射蝕刻結合可行的其他蝕刻方式圖案化傳導層13，並不限於本揭露中所列舉的方式。

從圖6A的俯視圖觀看，經圖案化的傳導層13可具有彎曲的圖案。例如，經圖案化的傳導層13可具有在絕熱層11上彎曲延伸的圖案。在一些實施例中，在圖5A之步驟至圖6A之步驟中，可依裝置規格或製程要求而設計傳導層13之高度、間距、寬度、及繞線長度。

在一些實施例中，如前述，在雷射蝕刻傳導層13的過程中，位於傳導層13下方的絕熱層11可被局部地蝕刻，而於絕熱層11中形成凹陷部11r(參照圖6B之放大圖)。在一些實施例中，若進一步蝕刻穿過絕熱層11，亦可於基板10中形成凹陷部(如圖2B所示)。

參照圖7A及圖7B，在傳導層13上形成保護層14以覆蓋傳導層13之一部分。在一些實施例中，可透過塗佈、層壓、或其他適合的方式形成保護層14。在一些實施例中，保護層14可沉積在凹陷部11r中(參照圖6B之放大圖)。

參照圖8A及圖8B，在傳導層13上形成晶種層15覆蓋傳導層13之一部分。在一些實施例中，晶種層15可藉由濺射鈦及銅(Ti/Cu)或TiW而形成。在一些實施例中，晶種層15可藉由無電電鍍Ni或Cu而形成。在一些實施例中，可於保護層14上形成標示17，以標示過電流保護元件的額定電流。在一些實施例中，在形成晶種層15之前，可將基板10沿著經由雷射劃線而形成的切割道而分離成複數個獨立的元件，以露出基板10之表面103。

參照圖9A及圖9B，於基板10之兩端形成端電極16。在一些實施例中，端電極16可藉由電鍍Ni、Cu、Ag、Au或其他金屬而形成。在一些實施例中，端電極16可藉由無電電鍍Ni、Pb或其他金屬而形成。在一些實施例中，端電極16可藉由印刷Cu、Ag、Au或其他金屬而形成。在一些實施例中，透過圖2A及圖2B至圖9A及圖9B所示方法而形成的過電流保護裝置可與圖1A所示之過電流保護裝置1相同。

將瞭解，本文討論之方法及裝置之實施例在應用中不限於在下列描述中提出或在隨附圖式中繪示之組件之構造及配置之細節。方法及裝置能夠實現於其他實施例中且可以各種方式實踐或執行。特定實施方案之實例在本文中僅用於繪示之目的而提供且不意在限制。特定言之，結合任何一或多項實施例討論之動作、元件及特徵不意在從任何其他實施例中之一類似角色排除。

而且，在本文中使用之措辭及術語出於描述之目的且不應視為限制。對以單數形式指涉之本文之系統及方法之實施例或元件或動作之任何參考亦可包括包含複數個此等元件之實施例，且以複數形式對本文之任何實施例或元件或動作之任何參考亦可包括僅包含一單一元件之實施例。單數形式或複數形式之參考不意在限制當前所揭示之系統或方法、其等組件、動作或元件。本文中「包含」、「包括」、「具有」、「含有」、「涉及」及其等之變形之使用意欲涵蓋在其後列出之項目及其等之等效物以及額外項目。對「或」之參考可視為包含性的使得使用「或」之任何項可指示所描述之項之一單一、一個以上及所有之任一者。對前部及後部、左側及右側、頂部及底部、上部及下部及垂直及水平之任何參考意在為方便描述，而不將本系統及方法或其等組件限於任何一個位置或空間定向。

因此，在已描述至少一項實施例之若干態樣之情況下，應瞭解，熟習此項技術者容易想到各種更改、修改及改良。此等更改、修改及改良意在係本發明之部分且意在處於本發明之範疇內。因此，以上描述及圖式僅係藉由實例，且應從隨附申請專利範圍及其等之等效物之正確建構來判定本發明之範疇。