TWI738654B - 積層薄膜以及積層薄膜之製造方法 - Google Patents

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Abstract

提供一種有機層與無機層之間的密接性優異之積層薄膜，及積層薄膜之製造方法。
具備於表面露出金屬氧化物粒子11而成之硬塗層10與密接層12，該密接層12形成於硬塗層10之金屬氧化物粒子露出面，且由與金屬氧化物粒子11相同種類之氧缺失狀態的金屬氧化物或者金屬構成。藉此，由於密接層12會與硬塗層10之樹脂牢固地附著，且會更加牢固地附著於露出之金屬氧化物粒子11，因此可得到優異之密接性。

Description

積層薄膜以及積層薄膜之製造方法
本發明關於一種有機層與無機層之密接性優異之積層薄膜及積層薄膜之製造方法。
作為積層薄膜之一例，可舉在表面硬度相對較高之硬塗(hard coat)層上形成有利用乾法(dry process)所形成之AR(抗反射，Anti-Reflective)層的抗反射膜(例如，参照專利文獻1。)。
然而，由於硬塗層為有機層，AR層為無機層，因此難以得到優異之密接性。
專利文獻1：日本特開平11-218603號公報
本發明係有鑑於此種以往之實際情況所提出者，提供一種有機層與無機層之間的密接性優異之積層薄膜，及積層薄膜之製造方法。
本發明人經進行潛心研究後，結果發現：使含有金屬氧化物粒子之硬塗層的表面露出金屬氧化物粒子，於其表面形成由與金屬氧化物粒子相同種類之氧缺失狀態的金屬氧化物或者金屬構成之密接層，藉此可使有機層與無機層之間的密接性顯著提升。
亦即，本發明之積層薄膜其特徵在於：具備於表面露出金屬氧化物粒子而成之硬塗層與密接層，該密接層形成於前述硬塗層之金屬氧 化物粒子露出面，且由具有與前述金屬氧化物粒子相同種類之金屬的氧缺失狀態之金屬氧化物或者與前述金屬氧化物粒子相同種類之金屬構成。
又，本發明之積層薄膜之製造方法，其特徵在於具有下述步驟： 露出步驟：使含有金屬氧化物粒子之硬塗層的表面露出金屬氧化物粒子，及 成膜步驟：於前述硬塗層之金屬氧化物粒子露出面，形成由具有與前述金屬氧化物粒子相同種類之金屬的氧缺失狀態之金屬氧化物或者與前述金屬氧化物粒子相同種類之金屬構成的密接層。
根據本發明，由於密接層牢固地附著於硬塗層之樹脂，且更加牢固地附著於露出之金屬氧化物粒子，因此可得到優異之密接性。
10:硬塗層
11:金屬氧化物粒子
12:密接層
20:功能層
30:基材
40:抗反射層
50:防污層
圖1係示意地表示本實施形態之露出金屬氧化物粒子之硬塗層的剖面圖。
圖2係示意地表示本實施形態之積層薄膜的剖面圖。
圖3係示意地表示應用本發明之抗反射膜的剖面圖。
圖4係表示交叉線測試(cross-hatch test)之評價例的照片，圖4(A)表示未產生剝離之情形，圖4(B)表示一部份產生剝離之情形，圖4(C)則表示全部產生剝離之情形。
圖5(A)係實施例3之TEM剖面的照片，圖5(B)則是比較例1之TEM剖面的照片。
以下，對於本發明之實施形態，一邊參照圖式，一邊以下述順序詳細地進行說明。
1.積層薄膜
2.抗反射膜
3.積層薄膜之製造方法
4.實施例
<1.積層薄膜>
圖1係示意地表示本實施形態之露出金屬氧化物粒子之硬塗層的剖面圖，圖2則是示意地表示本實施形態之積層薄膜的剖面圖。本實施形態之積層薄膜，具備於表面露出金屬氧化物粒子11而成之硬塗層10與密接層12，該密接層12形成於硬塗層10之金屬氧化物粒子露出面，且由具有與金屬氧化物粒子11相同種類之金屬的氧缺失狀態之金屬氧化物或者與金屬氧化物粒子11相同種類之金屬構成。又，進一步具備形成於密接層12上，由無機層構成之功能層20。若根據此種構成，則由於密接層12會牢固地附著於硬塗層10之樹脂，且會更加牢固地附著於露出之金屬氧化物粒子11，因此硬塗層10與密接層12之密接性可獲得提升，可提升積層薄膜之耐擦傷性。
[硬塗層]
於硬塗層10，金屬氧化物粒子11分散在樹脂材料中，金屬氧化物粒子11露出於表面。作為硬塗層10之樹脂材料，例如可列舉：紫外線硬化型樹脂、電子束硬化型樹脂、熱硬化型樹脂、熱塑型樹脂、二液混合型樹脂等。此等之中，較佳使用可藉由照射紫外線效率佳地形成硬塗層10之紫外線硬 化型樹脂。
作為紫外線硬化型樹脂，例如可列舉：丙烯酸系、胺酯(urethane)系、環氧系、聚酯系、醯胺系、聚矽氧系等。此等之中，例如於將積層薄膜作為光學用途時，較佳使用可得到高透明性之丙烯酸系。
丙烯酸系紫外線硬化型樹脂並無特別限制，可參考硬度、密接性、加工性等而從2官能、3官能以上之多官能丙烯酸系單體、寡聚物、聚合物成分等作適當選擇加以摻合。又，於紫外線硬化型樹脂摻合光聚合起始劑。
作為2官能丙烯酸酯成分之具體例，可列舉：聚乙二醇(600)二丙烯酸酯、二羥甲基-三環癸烷二丙烯酸酯、雙酚AEO改質二丙烯酸酯、1,9-壬二醇二丙烯酸酯、1,10-癸二醇二丙烯酸酯、丙氧基化雙酚A二丙烯酸酯、三環癸烷二甲醇二丙烯酸酯、二伸乙甘醇二丙烯酸酯、新戊二醇二丙烯酸酯、1,4-丁二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇(200)二丙烯酸酯、三縮四乙二醇(tetraethylene glycol)二丙烯酸酯、聚乙二醇(400)二丙烯酸酯、環己烷二甲醇二丙烯酸酯等。作為可於市面上取得之具體例，例如可舉sartomer股份有限公司之商品名稱「SR610」等。
作為3官能以上丙烯酸酯成分之具體例，可列舉：新戊四醇三丙烯酸酯(PETA)、2-羥-3-丙烯醯氧丙基甲基丙烯酸酯、異三聚氰酸EO改質三丙烯酸酯、ε-己內酯改質三-(2-丙烯氧乙基(acryloxyethyl))三聚異氰酸酯(isocyanurate)、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯(TMPTA)、ε-己內酯改質參(丙烯氧乙基(acryloxyethyl))丙烯酸酯等。作為可於市面上取得之具體例，例如可列舉sartomer之商品名稱「CN968」、sartomer之商品 名稱「SR444」等。
作為光聚合起始劑之具體例，例如可列舉：烷基苯酮(alkylphenone)系光聚合起始劑、氧化醯基膦(acyl phosphine oxide)系光聚合起始劑、鈦莘系光聚合起始劑等。作為可於市面上取得之具體例，可舉：1-羥基環己基苯基酮(IRGACURE184，BASF日本股份有限公司)等。
又，丙烯酸系紫外線硬化型樹脂，為了提升平滑性，較佳含有調平劑(leveling agent)。作為調平劑之具體例，例如可列舉：聚矽氧系調平劑、氟系調平劑、丙烯酸系調平劑等，可使用此等之1種或2種以上。此等之中，從塗膜性之觀點而言，較佳使用聚矽氧系調平劑。作為可於市面上取得之具體例，例如可舉：BYK-Chemie Japan股份有限公司之商品名稱「BYK337」(聚醚改質聚二甲基矽氧烷)等。
又，使用於丙烯酸系紫外線硬化型樹脂之溶劑，若滿足樹脂組成物之塗布性，則並無特別限定，但較佳考慮安全性來加以選擇。作為溶劑之具體例，可列舉：丙二醇一甲基醚乙酸酯(propyleneglycol monomethyl ether acetate)、乙酸丁酯、3-乙氧丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、乙酸乙賽璐蘇(ethyl cellosolve acetate)、乳酸乙酯、3-甲氧丙酸甲酯、2-庚酮、環己酮、乙基卡必醇乙酸酯(ethyl carbitol acetate)、丁基卡必醇乙酸酯(butyl carbitol acetate)、丙二醇甲醚等，可使用此等之1種或2種以上。此等之中，從塗布性之觀點而言，較佳使用丙二醇一甲基醚乙酸酯、乙酸丁酯。又，丙烯酸系紫外線硬化型樹脂除了前述之外，還可含有色調調整劑、著色劑、紫外線吸收劑、抗靜電劑、各種熱塑性樹脂材料、折射率調整樹脂、折射率調整粒子、密接性賦予樹脂等之功能性賦予劑。
金屬氧化物粒子11為金屬氧化物呈粒子狀者，其平均粒徑較佳在800nm以下，更佳在20nm以上100nm以下。若金屬氧化物粒子11之平均粒徑過大，則難以將積層薄膜作為光學用途，若平均粒徑過小，則硬塗層10與密接層12之密接性會降低。另，於本說明書中，平均粒徑係指藉由BET法測得之值。
又，金屬氧化物粒子11之含量相對於硬塗層10之樹脂組成物的固形物成分整體，較佳在20質量%以上50質量%以下。若金屬氧化物粒子11之含量過少，則硬塗層10與密接層12之密接性會降低，若過多，則硬塗層10之彎曲性等會降低。另，樹脂組成物之固形物成分係指溶劑以外之全部成分，液狀單體成分亦包含於固形物成分。
作為金屬氧化物粒子11之具體例，可列舉：SiO2(二氧化矽)、Al2O3(氧化鋁)、TiO2(二氧化鈦)、ZrO2(氧化鋯)、CeO2(氧化鈰)、MgO(氧化鎂)、ZnO、Ta2O5、Sb2O3、SnO2、MnO2等。此等之中，例如於將積層薄膜作為光學用途時，較佳使用可得到高透明性之二氧化矽。作為可於市面上取得之具體例，例如可舉日產化學股份有限公司之商品名稱「IPA-ST-L」(矽溶膠)等。又，於金屬氧化物粒子之表面，為了提高與樹脂之密接性或親和性，亦可導入丙烯酸基(acryl group)、環氧基等之官能基。
如圖1所示，於硬塗層10之表面，金屬氧化物粒子11露出並突出。作為使金屬氧化物粒子11露出之方法，如後述般若可選擇性地蝕刻硬塗層10之樹脂，則並無特別限定，例如，可使用輝光放電處理、電漿處理、離子蝕刻、鹼處理等。
露出於硬塗層10表面之金屬氧化物粒子11的相對於平均粒 徑之突出比例的平均值，較佳在60%以下，更佳在10%以上30%以下。若金屬氧化物粒子11之突出比例過大，則可輕易將金屬氧化物粒子11自樹脂剝除，硬塗層10與密接層12之密接性降低，若突出比例過小，則得不到提升密接性之效果。
又，硬塗層10較佳為使含有胺酯(甲基)丙烯酸酯(urethane(meth)acrylate)寡聚物、3官能以上之(甲基)丙烯酸酯單體、2官能之(甲基)丙烯酸酯單體及光聚合起始劑的紫外線硬化型樹脂光聚合而成。藉由使用此種光硬化性樹脂組成物，可得到具有優異硬度之硬塗層10。
[密接層]
密接層12形成於硬塗層10之金屬氧化物粒子露出面，由具有與金屬氧化物粒子11相同種類之金屬的氧缺失狀態之金屬氧化物或者與金屬氧化物粒子11相同種類之金屬構成。作為氧缺失狀態之金屬氧化物，可列舉：SiOx、AlOx、TiOx、ZrOx、CeOx、MgOx、ZnOx、TaOx、SbOx、SnOx、MnOx等。此處，氧缺失狀態之金屬氧化物係指氧的數目較化學計量組成不足之狀態的金屬氧化物。又，作為金屬可列舉：Si、Al、Ti、Zr、Ce、Mg、Zn、Ta、Sb、Sn、Mn等。例如，當金屬氧化物粒子11為SiO2之情形時，密接層12之SiOx中的x在0以上，未達2.0。
密接層12之氧化度及膜厚，可根據形成於密接層12上之功能層20作適當設計。例如，當功能層20為抗反射層(AR(Anti-Reflective)層)，並使用SiO2作為金屬氧化物粒子11之情形時，密接層12之SiOx中的x較佳在0以上1.9以下。又，密接層12之膜厚較佳較露出於硬塗層10表面之金屬氧化物粒子11的平均粒徑之50%小，具體而言，較佳為1nm~ 50nm，更佳為1nm~30nm，再更佳為1nm~10nm。
[功能層]
功能層20為形成於密接層12上之無機層。作為功能層20，例如可列舉：抗反射層、相位差層、偏光層等之光學層。此種光學層由於例如為藉由濺鍍所形成之無機層，因此相較於有機層，可提升熱尺寸穩定性。
由此種構成形成之積層薄膜，由於硬塗層10與密接層12藉由金屬氧化物粒子11而牢固地附著，因此可得到優異之密接性。尤其使露出於硬塗層10表面之金屬氧化物粒子的相對於平均粒徑之突出比例的平均值在60%以下(更佳在10%以上30%以下)，藉此即使於利用氙燈之耐光性測試，亦可得到優異之密接性。
<2.抗反射膜>
接著，作為前述之積層薄膜一例，說明抗反射膜。圖3係示意地表示應用本發明之抗反射膜的剖面圖。如圖3所示般，抗反射膜具備有：基材30、表面露出金屬氧化物粒子11而成之硬塗層10、形成於硬塗層10之金屬氧化物粒子露出面且由與金屬氧化物粒子11相同種類之氧缺失狀態的金屬氧化物或者金屬構成之密接層12、抗反射層40及防污層50。
基材30並無特別限定，作為具體例可列舉：PET(聚對酞酸乙二酯，Polyethylene terephthalate)、於以環烯作為單體之主鏈具有脂環構造的樹脂(COP)、藉由環狀烯烴(例如，降莰烯類)與α-烯烴(例如乙烯)之加成聚合而得到之樹脂(COC)、TAC(三乙醯基纖維素(triacetylcellulose))等。基材30之厚度根據其所應用之光學裝置的種類或性能而有所不同，但通常為25~200μm，較佳為40~150μm。
硬塗層10及密接層12與前述之積層薄膜相同。於應用本發明之抗反射膜，較佳為硬塗層10之金屬氧化物粒子11為SiO2，密接層12為SiOx(x在0.5以上1.9以下)。又，硬塗層10之厚度通常為0.5~20μm，較佳為1~15μm，密接層12之膜厚較佳在10nm以下。
抗反射層40藉由濺鍍而交互地成膜有由介電質構成之高折射率層與折射率較高折射率層低之低折射率層。作為高折射率之介電質，較佳使用Nb2O5或TiO2，而作為低折射率之介電質，則較佳使用SiO2。
防污層50例如為具有全氟聚醚基之烷氧基矽烷(alkoxysilane)化合物的被覆層。藉由被覆具有全氟聚醚基之烷氧基矽烷化合物，而可表現出水接觸角在110度以上之撥水性，可提升防污性。
由此種構成形成之抗反射膜由於耐擦傷性優異，因此例如較佳可利用作為觸控面板用積層膜。並且，藉由將此種觸控面板用積層膜積層於液晶顯示元件或有機EL顯示元件等之影像顯示元件，而可較佳地應用作為智慧型手機或個人電腦之影像顯示、輸入裝置。
<3.積層薄膜之製造方法>
本實施形態之積層薄膜之製造方法，具有下述步驟：露出步驟：使含有金屬氧化物粒子之硬塗層的表面露出金屬氧化物粒子，及成膜步驟：於硬塗層之金屬氧化物粒子露出面，形成由具有與金屬氧化物粒子相同種類之金屬的氧缺失狀態之金屬氧化物或者與金屬氧化物粒子相同種類之金屬構成的密接層。
以下，說明露出步驟及成膜步驟。
[露出步驟]
首先，例如，使用dispar等攪拌機，根據慣用方法，將含有金屬氧化物粒子11、胺酯(甲基)丙烯酸酯寡聚物、3官能以上之(甲基)丙烯酸酯單體、2官能之(甲基)丙烯酸酯單體及光聚合起始劑的紫外線硬化型樹脂組成物均勻地混合進行調整。
接著，將紫外線硬化型樹脂組成物塗布於基材上。塗布方法並無特別限定，可使用公知之方法。作為公知之塗布方法，例如可列舉：微凹版塗布(micro gravure coat)法、線棒塗布(wire bar coat)法、直接凹版塗布(direct gravure coat)法、壓模塗布(die coat)法、浸漬法、噴塗(spray coat)法、逆輥塗布(reverse roll coat)法、簾塗布(curtain coat)法、缺角輪塗布(comma coat)法、刀式塗布(knife coat)法、旋塗法等。
接著，使基材上之紫外線硬化型樹脂組成物乾燥、光硬化，藉此而形成硬塗層10。乾燥條件並無特別限定，可為自然乾燥，亦可為調整乾燥濕度或乾燥時間等之人工乾燥。惟，當於乾燥時對塗料表面吹風之情形時，較佳不要在塗膜表面產生風紋。其原因在於：若產生風紋，則會發生塗布外觀悪化，表面性之厚度不均。另，作為使紫外線硬化型樹脂組成物硬化之光，除了紫外線之外，亦可應用γ射線、α射線、電子束等之能量線。
接著，對硬塗層10表面進行蝕刻，如圖1所示，使金屬氧化物粒子11露出。作為金屬氧化物粒子11之露出方法，若可對硬塗層10之樹脂進行選擇性蝕刻，則無特別限定，例如可使用輝光放電處理、電漿處理、離子蝕刻、鹼處理等。此等之中，較佳使用可進行大面積處理之輝 光放電處理。
輝光放電處理係藉由下述處理裝置進行：於可排氣至真空之槽內配置相對向的2片平板電極，膜平行地運行於該電極間。另，本處理裝置亦可被設置於成膜裝置內。
將處理室內例如排氣至0.01Pa以下之真空後，導入環境氣體。此時之處理室內的壓力若可維持輝光放電，則無特別限制，但通常為0.1~100Pa之範圍。環境氣體主要使用非活性氣體，但亦可為氫、氧、氮、氟、氯氣等。又，亦可為此等之混合氣體。作為非活性氣體，可列舉：氦、氖、氬、氪、氙、氡等。此等之中，由於容易取得，因此較佳為氦氣、氬氣，尤其是在價格方面，較佳為氬氣。
導入環境氣體後，於相對向之電極間施加數100V之電壓，藉此產生輝光放電。使膜連續地通過產生有輝光放電之區域，藉此以膜表面經離子化之環境氣體來進行改質。
輝光處理可藉由放電時之能量密度(W/m2)及處理時間(min)來表示其強弱。又，於連續捲繞式裝置之情形時，處理時間為處理區域之長度(m)(電極沿著膜之方向的長度)除以捲繞速度(m/min)所得之值。處理強度則為輝光放電時之電功率密度(W/m2)乘以處理時間者，以下式表示。
處理強度(W‧min/m2)=電功率密度(W/m2)×處理區域長度(m)÷輸送速度(m/min)
亦即，可藉由改變輸入電功率、輸送速度，製作處理強度不同之膜。
輝光放電處理之處理強度(電功率×處理時間/處理面積，單位：W‧min/m2)較佳為200~4150W‧min/m2，更佳為420~2100W‧min/m2。處理強度越大，於硬塗層表面就生成越多電漿，金屬氧化物粒子11之突出比例變得越大。
金屬氧化物粒子11相對於平均粒徑之突出比例的平均值，較佳在60%以下，更佳在10%以上30%以下。若金屬氧化物粒子11之突出比例過大，則金屬氧化物粒子11容易自樹脂剝落，有機層與無機層之密接性會降低，若突出比例過小，則無法得到提升密接性之效果。
又，蝕刻後之硬塗層表面的算術平均粗糙度Ra較佳在2nm以上12nm以下，更佳在4nm以上8nm以下。若硬塗層表面之算術平均粗糙度Ra過小，則金屬氧化物粒子11之突出比例會不足夠，若算術平均粗糙度Ra過大，則金屬氧化物粒子11會有容易自硬塗層10剝落之傾向。
[成膜步驟]
於成膜步驟，將由與金屬氧化物粒子11相同種類之氧缺失狀態的金屬氧化物或者金屬構成之密接層12形成於硬塗層10之金屬氧化物粒子露出面。作為密接層12之成膜方法，較佳使用利用靶之濺鍍。例如，於形成SiOx膜之情形時，較佳使用矽靶，並使用利用氧氣與氬氣之混合氣體環境的反應性濺鍍。又，形成於密接層12上之抗反射層、相位差層、偏光層等功能層20由於亦可藉由濺鍍來形成，因此可謀求生產性之提升。
以此方式將密接層12形成於使金屬氧化物粒子露出之硬塗層10上，藉此除了可得到密接層12與硬塗層10之樹脂的高附著力之外，還可得到密接層12與金屬氧化物粒子11之更高的附著力，因此能夠得到優 異之密接性。
[實施例]
<4.實施例>
於本實施例，製作抗反射膜，藉由交叉線測試來評價硬塗層與AR層之密接性。另，本發明並不限定於此等之實施例。
<4.1 第1實施例>
於第1實施例，對於硬塗層表面之填料的突出比例對密接性之影響進行了驗證。硬塗層表面之填料的突出高度及突出比例之計算、硬塗層之表面粗糙度Ra的測量，及抗反射膜之交叉線測試的評價，以下述方式進行。
[硬塗層表面之填料的突出高度及突出比例之計算]
使用穿透式電子顯微鏡(Transmission Electron Microscope：TEM)，觀察抗反射膜之剖面，測量硬塗層表面之填料的突出高度最低值及最高值。然後，對填料之突出高度最低值及最高值分別除以填料之平均粒徑，算出填料相對於平均粒徑之突出比例的最低值(%)及最高值(%)。又，從填料相對於平均粒徑之突出比例的最低值(%)及最高值(%)，算出填料相對於平均粒徑之突出比例的平均值(%)。
[硬塗層之表面粗糙度Ra的測量]
使用原子力顯微鏡(Atomic Force Microscopy：AFM)，測量硬塗層表面之算術平均粗糙度Ra。
[交叉線測試之評價]
於抗反射膜之表面形成100個1mm×1mm之交叉線(格子狀)。然後，觀察初期之交叉線面之表面狀態並加以評價。又，進行酒精棉滑動測試 (alchohol wipe sliding test)之後，觀察交叉線面之表面狀態並加以評價。又，於放入溫度90℃-DRY(低濕度)-時間500h之環境後，進行酒精棉滑動測試，然後觀察交叉線面之表面狀態並加以評價。又，於放入溫度60℃-濕度95%-時間500h之環境後，進行酒精棉滑動測試，然後觀察交叉線面之表面狀態並加以評價。又，於放入氙照射(氙弧燈，7.5kW)-時間60h之環境後，進行酒精棉滑動測試，然後觀察交叉線面之表面狀態。另，酒精棉滑動測試係以下述方式進行：對交叉線面，將塗布有乙醇之棉紙(wipe)以荷重250g/cm2壓在抗反射膜，來回滑動10cm之距離500次。
交叉線測試之評價，係觀察交叉線面之表面狀態之結果，將如圖4(A)般於交叉線未產生剝離之情形設為○，將如圖4(B)般於交叉線之一部份產生剝離之情形設為△，將如圖4(C)般於交叉線之全部產生剝離之情形設為×。
[實施例1]
準備平均粒徑50nm之二氧化矽粒子的含量相對於樹脂組成物之固形物成分整體為28質量%之光硬化性樹脂組成物。樹脂組成物如表1所示，係將二氧化矽粒子、丙烯酸酯、調平劑及光聚合起始劑溶解於溶劑來製備。
[表1]
Figure 105116612-A0305-02-0017-1
使用PET膜作為基材，藉由棒式塗布機(bar coater)將上述光硬化性樹脂組成物塗布於PET膜上後，使樹脂組成物光聚合，形成厚度5μm之硬塗層。
接著，使輝光放電處理之處理強度為8300W‧min/m2，進行硬塗層之表面處理。將實施例1之硬塗層表面之填料突出高度、填料突出比例及表面粗糙度Ra示於表2。
輝光放電處理後，藉由濺鍍形成厚度10nm之由SiOx構成之密接層，於密接層上形成由Nb2O5膜、SiO2膜、Nb2O5膜及SiO2膜構成之AR層。並且，於AR層上形成由具有全氟聚醚基之烷氧基矽烷化合物構成之厚度10nm的防污層，製得實施例1之抗反射膜。此抗反射膜之反射率在0.5%以下，水接觸角在110度以上。將實施例1之抗反射膜之交叉線測試的評價示於表2。
[實施例2]
除了使輝光放電處理之處理強度為4200W‧min/m2進行硬塗層之表面處理以外，其餘皆以與實施例1同樣之方式製作抗反射膜。將實施例2之 硬塗層表面之填料突出高度、填料突出比例、表面粗糙度Ra及抗反射膜之交叉線測試的評價示於表2。
[實施例3]
除了使輝光放電處理之處理強度為2100W‧min/m2進行硬塗層之表面處理以外，其餘皆以與實施例1同樣之方式製作抗反射膜。將實施例3之硬塗層表面之填料突出高度、填料突出比例、表面粗糙度Ra及抗反射膜之交叉線測試的評價示於表2。
[實施例4]
除了使輝光放電處理之處理強度為830W‧min/m2進行硬塗層之表面處理以外，其餘皆以與實施例1同樣之方式製作抗反射膜。將實施例4之硬塗層表面之填料突出高度、填料突出比例、表面粗糙度Ra及抗反射膜之交叉線測試的評價示於表2。
[實施例5]
除了使輝光放電處理之處理強度為420W‧min/m2進行硬塗層之表面處理以外，其餘皆以與實施例1同樣之方式製作抗反射膜。將實施例5之硬塗層表面之填料突出高度、填料突出比例、表面粗糙度Ra及抗反射膜之交叉線測試的評價示於表2。
[實施例6]
除了使輝光放電處理之處理強度為200W‧min/m2進行硬塗層之表面處理以外，其餘皆以與實施例1同樣之方式製作抗反射膜。將實施例6之硬塗層表面之填料突出高度、填料突出比例、表面粗糙度Ra及抗反射膜之交叉線測試的評價示於表2。
[實施例7]
使輝光放電處理之處理強度為420W‧min/m2進行硬塗層之表面處理及輝光放電處理後，藉由濺鍍形成厚度10nm之由Si構成之密接層，除此之外，其餘皆以與實施例1同樣之方式製作抗反射膜。將實施例7之硬塗層表面之填料突出高度、填料突出比例、表面粗糙度Ra及抗反射膜之交叉線測試的評價示於表2。
[比較例1]
除了不進行輝光放電處理以外，其餘皆以與實施例1同樣之方式製作抗反射膜。將比較例1之硬塗層表面之填料突出高度、填料突出比例、表面粗糙度Ra及抗反射膜之交叉線測試的評價示於表2。
[比較例2]
除了不在樹脂組成物摻合二氧化矽粒子，及使輝光放電處理之處理強度為830W‧min/m2進行硬塗層之表面處理以外，其餘皆以與實施例1同樣之方式製作抗反射膜。將比較例2之表面粗糙度Ra及抗反射膜之交叉線測試的評價示於表2。
[比較例3]
除了使輝光放電處理之處理強度為830W‧min/m2進行硬塗層之表面處理，及使SiO2成膜作為密接層以外，其餘皆以與實施例1同樣之方式製作抗反射膜。將比較例3之硬塗層表面之填料突出高度、填料突出比例、表面粗糙度Ra及抗反射膜之交叉線測試的評價示於表2。
[表2]
Figure 105116612-A0305-02-0020-2
如比較例1般當不使二氧化矽粒子露出之情形時，於以酒精棉進行之滑動測試中，在所有交叉線皆產生剝離。又，如比較例2般當不摻合二氧化矽粒子來進行表面處理之情形時，與比較例1同樣地於以酒精棉進行之滑動測試中，在所有交叉線皆產生剝離。又，如比較例3般當使SiO2成膜作為密接層之情形時，與比較例1同樣地於以酒精棉進行之滑動測試中，在所有交叉線皆產生剝離。
另一方面，如實施例1~7般因使二氧化矽粒子露出，而於以酒精棉進行之滑動測試中，發現密接性獲得提升。又，若比較圖5(A)所示之實施例3之TEM剖面的照片與圖5(B)所示之比較例1之TEM剖面的照片，則相對於實施例3中硬塗層與密接層之界面因露出二氧化矽粒子而形成的圓弧形狀，比較例1則為直線狀，由此亦可知露出二氧化矽粒子有助於提升密接性。
又，藉由使金屬氧化物粒子的相對於平均粒徑之突出比例的平均值在60%以下，尤其在10%以上30%以下，而可於以酒精棉進行之滑動測試中，得到優異之評價結果。
<4.2 第2實施例>
於第2實施例中，對硬塗層之填料的平均粒徑、添加量對密接性之影響進行了驗證。又，對硬塗層之填料與密接層之種類對密接性之影響進行了驗證。又，對輝光放電處理以外之表面處理方法進行了研究。另，抗反射膜之交叉線測試的評價以與第1實施例同樣之方式進行。
[實施例8]
如表3所示，除了準備平均粒徑100nm之二氧化矽粒子(商品名稱： MEK-ST-Z，日產化學工業股份有限公司)的含量相對於樹脂組成物之固形物成分整體為28質量%的光硬化性樹脂組成物以外，其餘皆以與實施例4同樣之方式製作抗反射膜。將實施例8之抗反射膜之交叉線測試的評價示於表3。
[實施例9]
如表3所示，除了準備平均粒徑20nm之二氧化矽粒子(商品名稱：MEK-ST-40，日產化學工業股份有限公司)的含量相對於樹脂組成物之固形物成分整體為28質量%的光硬化性樹脂組成物以外，其餘皆以與實施例4同樣之方式製作抗反射膜。將實施例9之抗反射膜之交叉線測試的評價示於表3。
[實施例10]
如表3所示，除了準備平均粒徑100nm之二氧化矽粒子(商品名稱：MEK-ST-Z，日產化學工業股份有限公司)的含量相對於樹脂組成物之固形物成分整體為20質量%的光硬化性樹脂組成物以外，其餘皆以與實施例4同樣之方式製作抗反射膜。將實施例10之抗反射膜之交叉線測試的評價示於表3。
[實施例11]
如表3所示，除了準備平均粒徑20nm之二氧化矽粒子(商品名稱：MEK-ST-40，日產化學工業股份有限公司)的含量相對於樹脂組成物之固形物成分整體為50質量%的光硬化性樹脂組成物以外，其餘皆以與實施例4同樣之方式製作抗反射膜。將實施例11之抗反射膜之交叉線測試的評價示於表3。
[實施例12]
如表3所示，除了準備平均粒徑50nm之二氧化矽粒子(IPA-ST-L，日產化學股份有限公司)的含量相對於樹脂組成物之固形物成分整體為20質量%的光硬化性樹脂組成物以外，其餘皆以與實施例4同樣之方式製作抗反射膜。將實施例12之抗反射膜之交叉線測試的評價示於表3。
[實施例13]
如表3所示，除了準備平均粒徑50nm之二氧化矽粒子(IPA-ST-L，日產化學股份有限公司)的含量相對於樹脂組成物之固形物成分整體為50質量%的光硬化性樹脂組成物以外，其餘皆以與實施例4同樣之方式製作抗反射膜。將實施例13之抗反射膜之交叉線測試的評價示於表3。
[比較例4]
如表3所示，除了準備平均粒徑50nm之二氧化矽粒子(IPA-ST-L，日產化學股份有限公司)的含量相對於樹脂組成物之固形物成分整體為10質量%的光硬化性樹脂組成物以外，其餘皆以與實施例4同樣之方式製作抗反射膜。將比較例4之抗反射膜之交叉線測試的評價示於表3。
[比較例5]
如表3所示，除了準備平均粒徑1μm之丙烯酸粒子(商品名稱：SSX-101，積水化成工業股份有限公司)的含量相對於樹脂組成物之固形物成分整體為3質量%的光硬化性樹脂組成物以外，其餘皆以與實施例4同樣之方式製作抗反射膜。將比較例5之抗反射膜之交叉線測試的評價示於表3。
[比較例6]
如表3所示，除了進行電暈處理代替輝光放電處理以外，其餘皆以與 實施例4同樣之方式製作抗反射膜。將比較例6之抗反射膜之交叉線測試的評價示於表3。
[比較例7]
如表3所示，除了進行5%NaOH、25℃、30秒鐘之鹼處理代替輝光放電處理以外，其餘皆以與實施例4同樣之方式製作抗反射膜。將比較例7之抗反射膜之交叉線測試的評價示於表3。
[實施例14]
如表3所示，除了進行5%NaOH、45℃、2分鐘之鹼處理代替輝光放電處理以外，其餘皆以與實施例4同樣之方式製作抗反射膜。將實施例14之抗反射膜之交叉線測試的評價示於表3。
[實施例15]
如表3所示，除了進行5%NaOH、45℃、5分鐘之鹼處理代替輝光放電處理以外，其餘皆以與實施例4同樣之方式製作抗反射膜。將實施例15之抗反射膜之交叉線測試的評價示於表3。
[表3]
Figure 105116612-A0305-02-0025-3
如比較例4般當二氧化矽粒子之添加量少的情形時，於以酒精棉進行之滑動測試中，在所有交叉線皆產生剝離。又，如比較例5般當使用丙烯酸粒子代替二氧化矽粒子之情形時，與比較例4同樣地於以酒精棉進行之滑動測試中，在所有交叉線皆產生剝離。
另一方面，如實施例8~15般當相對於樹脂組成物之固形物成分整體含有平均粒徑在20nm以上100nm以下之二氧化矽粒子在20質量%以上50質量%以下之範圍的情形時，於以酒精棉進行之滑動測試中，發現密接性獲得提升。尤其是如實施例10、11般當二氧化矽粒子之平均粒徑為20nm以上100nm以下，且二氧化矽粒子之含量相對於硬塗層之樹脂組成物之固形物成分整體為50質量%以下20質量%以上的情形時，於放入氙照射(氙弧燈，7.5kW)-時間60h之環境後，於酒精棉滑動測試中，可得到優異之密接性。
又，如比較例6般當進行電暈處理作為表面處理之情形時，於以酒精棉進行之滑動測試中，在所有交叉線皆產生剝離。又，如比較例7般當進行5%NaOH、25℃、30秒鐘之鹼處理作為表面處理的情形時，於以酒精棉進行之滑動測試中，在所有交叉線亦皆產生剝離。
另一方面，如實施例14、15般，當對鹼處理加熱來進行之情形時，於以酒精棉進行之滑動測試中，發現密接性獲得提升。又，對鹼處理加熱來進行之情形相較於進行輝光放電處理之情形，以酒精棉進行之滑動測試的評價差。認為其原因在於：由於鹼處理為濕式處理，故硬塗層與密接層之界面因露出二氧化矽粒子而形成之形狀呈直線狀。
10‧‧‧硬塗層
11‧‧‧金屬氧化物粒子
12‧‧‧密接層
20‧‧‧功能層

Claims (12)

  1. 一種積層薄膜，具備：硬塗(hard coat)層：於表面露出金屬氧化物粒子而成，及密接層：形成於該硬塗層之金屬氧化物粒子露出面，由具有與該金屬氧化物粒子相同種類之金屬的氧缺失狀態之金屬氧化物或者與該金屬氧化物粒子相同種類之金屬構成。
  2. 如申請專利範圍第1項之積層薄膜，其中，露出於該硬塗層表面之金屬氧化物粒子的相對於平均粒徑之突出比例的平均值在60%以下。
  3. 如申請專利範圍第1項之積層薄膜，其中，露出於該硬塗層表面之金屬氧化物粒子的相對於平均粒徑之突出比例的平均值在10%以上30%以下。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之積層薄膜，其中，該金屬氧化物粒子之平均粒徑在20nm以上100nm以下。
  5. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之積層薄膜，其中，該金屬氧化物粒子之含量相對於該硬塗層之樹脂組成物之固形物成分整體，為20質量%以上50質量%以下。
  6. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之積層薄膜，其中，該金屬氧化物粒子之平均粒徑為20nm以上100nm以下，且該金屬氧化物粒子之含量相對於該硬塗層之樹脂組成物之固形物成分整體，為50質量%以下20質量%以上。
  7. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之積層薄膜，其中，該密接層之膜厚小於該露出於硬塗層表面之金屬氧化物粒子之平均粒徑的50%。
  8. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之積層薄膜，其中，該金屬氧化物粒子由SiO2構成，該密接層由SiOx(0≦x<2)構成。
  9. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之積層薄膜，其中，於該密接層上進一步具備交互地積層有高折射率層與折射率較該高折射率層低之低折射率層的抗反射層。
  10. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之積層薄膜，其中，該硬塗層係使含有胺酯(甲基)丙烯酸酯(urethane(meth)acrylate)寡聚物、3官能以上之(甲基)丙烯酸酯單體、2官能之(甲基)丙烯酸酯單體及光聚合起始劑的紫外線硬化型樹脂光聚合而成。
  11. 一種積層薄膜之製造方法，具有下述步驟：露出步驟：使含有金屬氧化物粒子之硬塗層的表面露出金屬氧化物粒子，及成膜步驟：於該硬塗層之金屬氧化物粒子露出面，形成由具有與該金屬氧化物粒子相同種類之金屬的氧缺失狀態之金屬氧化物或者與該金屬氧化物粒子相同種類之金屬構成的密接層。
  12. 如申請專利範圍第11項之積層薄膜之製造方法，其中，於該露出步驟中，係藉由輝光放電處理使金屬氧化物粒子露出。
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