TWI732824B - 晶圓的加工方法 - Google Patents

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Abstract

本發明的課題是防止於元件的角落產生缺損、或使角落附近的截口蛇行的情形。解決手段是晶圓的加工方法，因為其為於第1改質層形成步驟中、或是第2改質層形成步驟中、或第1改質層形成步驟及第2改質層形成步驟的兩步驟中，對於每1條分割預定線，將形成於晶圓的内部的改質層以至少1個以上的對從改質層至到達晶圓的正面的裂隙之成長進行誘導的誘導改質層、以及至少1個以上的用於調整從改質層至到達晶圓的正面的裂隙之成長的調整改質層複合地形成，所以可藉由誘導改質層將從改質層產生的裂隙往晶圓的正面側誘導，並且可藉由調整改質層調整到達正面的裂隙的成長情況，因而可以將晶圓良好地分割成一個個的元件。

Description

晶圓的加工方法
發明領域 本發明是有關於一種將晶圓分割成一個個的晶片的晶圓的分割方法。
發明背景 在晶圓的内部形成改質層，並於之後進行磨削的同時進行元件晶片化的加工中存在有下述問題：因磨削時已單片化的元件移動而導致元件彼此接觸並在元件的角落產生缺損。所述問題是起因於元件於已單片化時移動之緣故。因此，已有一種為了為了調整從改質層至到達表面的裂隙的成長情況以調整單片化的時間點，而將用於形成改質層的雷射光線以虛線狀的形式對晶圓的內部進行照射之加工方法(參照例如下述的專利文獻1)。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2014-33163號公報
發明概要 發明欲解決之課題 然而，近年來，為了電氣的特性提升，大多使用的是結晶方位相對於分割預定線具有45°之角度的矽晶圓等，當將雷射光線照射到矽晶圓的內部並以虛線狀的形式來形成改質層時，會導致在元件的角落附近使截口(kerf)蛇行。此情形被認為是因為以虛線狀的形式形成改質層，所以從改質層至到達正面的裂隙無法順暢地沿著分割預定線成長之故。
本發明是有鑒於上述事情而作成之發明，其目的為：於形成改質層之後在進行磨削來分割成一個個的元件的加工中，防止在元件的角落產生缺損，或使在角落附近的截口蛇行的情形。 用以解決課題之手段
本發明是將在正面於藉由在預定的方向上延伸的複數條第1分割預定線、和與該複數條第1分割預定線交叉而形成的複數條第2分割預定線所區劃而成的複數個區域中形成有元件的晶圓，沿著該第1分割預定線及該第2分割預定線分割的晶圓的加工方法，其特徵在於具備： 保護構件貼附步驟，於晶圓的正面側貼附保護構件； 第1改質層形成步驟，在該保護構件貼附步驟之後，保持該保護構件側，並且將對於晶圓具有穿透性之波長的雷射光線從晶圓的背面側將聚光點定位於晶圓的內部，並沿著該第1分割預定線照射，而在晶圓的內部沿著該第1分割預定線形成第1改質層； 第2改質層形成步驟，將對於晶圓具有穿透性之波長的雷射光線從晶圓的背面側將聚光點定位於晶圓的內部，並沿著該第2分割預定線照射，而在晶圓的內部沿著該第2分割預定線形成第2改質層；及 分割步驟，在實施該第1改質層形成步驟及該第2改質層形成步驟之後，保持該保護構件側並從晶圓的背面藉由磨削機構磨削而薄化到成品厚度，並且藉由磨削動作來使以改質層作為起點而到達晶圓的正面的裂隙沿著該分割預定線成長，以將晶圓分割成一個個的元件， 於第1改質層形成步驟中、或是第2改質層形成步驟中、或第1改質層形成步驟及第2改質層形成步驟的兩步驟中，是對於每1條分割預定線，將該改質層以至少1個以上的誘導改質層與至少1個以上的調整改質層複合地形成，該誘導改質層是對從改質層至到達晶圓的正面的裂隙之成長進行誘導，該調整改質層是用於調整從改質層至到達晶圓的正面的裂隙之成長。
上述調整改質層的特徵在於，藉由設置預定的間隔來對各元件的1邊停止至少1次雷射光線的照射，而在晶圓的内部具有間隔有預定的間隔之非改質層區域。
上述誘導改質層的特徵在於，藉由設置比上述非改質層區域更短的預定的間隔來對各元件的1邊停止至少1次雷射光線的照射，而在晶圓的内部具有間隔有預定的間隔且比該非改質層區域更小的非改質層區域。 發明效果
本發明之晶圓的加工方法因為具備於晶圓的正面側貼附保護構件之保護構件貼附步驟、於晶圓的内部沿著第1分割預定線形成第1改質層的第1改質層形成步驟、於晶圓的内部沿著第2分割預定線形成第2改質層的第2改質層形成步驟、及藉由磨削動作使以改質層作為起點而到達晶圓的正面之裂隙沿著分割預定線成長，來將晶圓分割成一個個的元件，且於第1改質層形成步驟中、或是第2改質層形成步驟中、或第1改質層形成步驟及第2改質層形成步驟的兩個步驟中，是對於每1條分割預定線，將形成於晶圓的内部的改質層以至少1個以上的誘導改質層與至少1個以上的調整改質層複合地形成，其中該誘導改質層是對從改質層至到達晶圓的正面的裂隙之成長進行誘導，該調整改質層是用於調整從改質層至到達晶圓的正面的裂隙之成長，所以可藉由誘導改質層將從改質層產生的裂隙往晶圓的正面側誘導，並且藉由調整改質層調整到達正面的裂隙的成長情況，因此在將晶圓分割成一個個的元件之時，可以防止在元件晶片的角落產生缺損、或在角落附近的截口產生蛇行之情形。
由於上述調整改質層是藉由設置預定的間隔來對各元件的1邊停止至少1次雷射光線的照射，而在晶圓的内部具有間隔有預定的間隔之非改質層區域，所以可以將元件的單片化的時間點調整成於晶圓分割時從非改質層區域不產生裂隙而使相鄰的元件不會相接觸，因此可有效地防止在元件的角落產生缺損、或使角落附近的截口蛇行之情形。
由於上述誘導改質層是藉由設置比上述非改質層區域更短的預定的間隔來對各元件的1邊停止至少1次雷射光線的照射，而在晶圓的內部具有間隔有預定的間隔且比該非改質層區域更小之非改質層區域，所以可在不從所述較小的非改質層區域誘導裂隙的情形下，於晶圓的分割時限制元件的移動，而可以更有效地防止在元件的角落產生缺損、或使角落附近的截口蛇行之情形。
用以實施發明之形態 圖1所示之晶圓W為具有圓形板狀的基板的被加工物之一例。在晶圓W的正面Wa藉由作為預定的方向而在例如第1方向上延伸之複數條第1分割預定線S1、以及在與複數條第1分割預定線S1交叉之第2方向上延伸之複數條第2分割預定線S2所區劃而成的複數個區域中形成有元件D。另一方面，與晶圓W的正面Wa為相反側之面是成為施行磨削的背面Wb。晶圓W是例如使結晶方位相對於第1割預定線S1及第2分割預定線S2的延伸方向具有45°之角度而形成之矽晶圓，並且於其外周形成有相對於結晶方位朝向45°之方向的凹口N。以下，針對將晶圓W分割成一個個的元件D的晶圓的加工方法作説明。
(1)保護構件貼附步驟 如圖1所示，在晶圓W的正面Wa側貼附保護構件1。保護構件1是形成為至少與晶圓W大致相同直徑。當將晶圓W的正面Wa的整個表面以保護構件1覆蓋時，可保護各元件D。保護構件1的材質並未特別限定，只要至少具有黏著性即可。
(2)膠帶貼附步驟 如圖2所示，將可擴張的膠帶T貼附於環狀的框架F的下部，並且將膠帶T貼附於已貼附在晶圓W上的保護構件1的整個表面。藉此，晶圓W會以背面Wb側向上露出的狀態與框架F成為一體而形成。
(3)改質層形成步驟 改質層形成步驟是分為第1改質層形成步驟與第2改質層形成步驟來實施。在本實施形態中，是針對實施第1改質層形成步驟之後，實施第2改質層形成步驟的情形來進行説明。再者，亦可在實施第2改質層形成步驟之後，實施第1改質層形成步驟。
(3-1)第1改質層形成步驟 在實施保護構件貼附步驟及膠帶貼附步驟後，將保護構件1側以可旋轉的保持台10保持，並使用配置於保持台10之上方側的雷射光線照射機構20於晶圓W内部沿著第1分割預定線S1形成改質層M(第1改質層m1)。保持台10的上表面是成為接受來自吸引源的吸引作用以吸引保持晶圓W之保持面11。雖未圖示，但於保持台10上連接有使保持台10與雷射光線照射機構20於與鉛直方向(Z軸方向)正交之水平方向(X軸方向及Y軸方向)上相對移動之移動機構。
雷射光線照射機構20至少具備有振盪產生對於晶圓W具有穿透性之波長的雷射光線LB的振盪器21、用於將雷射光線LB聚光的聚光器22、與用於調整雷射光線之輸出的輸出調整器。雷射光線照射機構20是成為可在Z軸方向上移動，並且可以使聚光器22於Z軸方向上移動來調整雷射光線LB的聚光位置。
將第1改質層m1形成於晶圓W的内部時，是將膠帶T朝下設置，來將晶圓W載置於保持台10的保持面11上，而使晶圓W的背面Wb朝上，並藉由吸引源的吸引力在保持台10的保持面11上吸引保持保護構件1側。雷射光線照射機構20會使聚光器22朝接近晶圓W的Z軸方向下降，並且將雷射光線LB的聚光點P調整至所期望的位置。接著，藉由以例如移動機構使保持台10於X軸方向上移動，來使雷射光線照射機構20與保持台10相對地在相對於晶圓W的背面Wb平行的方向上(X軸方向)移動，並且從振盪器21將對於晶圓W具有穿透性之波長的雷射光線LB從晶圓W的背面Wb側沿著第1分割預定線S1以虛線狀的形式照射，以在晶圓W的内部形成第1改質層m1。沿著所有第1割預定線S1都照射雷射光線LB來形成第1改質層m1之後，即完成第1改質層形成步驟。
(3-2)第2改質層形成步驟 接著，使用雷射光線照射機構20於晶圓W的内部沿著第2分割預定線S2形成改質層M(第2改質層m2)。具體而言，是使保持台10旋轉，而使圖1所示的晶圓W旋轉90°，藉此使朝向第2方向的第2分割預定線S2朝向例如X軸方向。雷射光線照射機構20會使聚光器22朝接近晶圓W的Z軸方向下降，並且將雷射光線LB的聚光點P調整至所期望的位置。接著，藉由使例如保持台10於X軸方向上移動，來使雷射光線照射機構20與保持台10相對地在相對於晶圓W的背面Wb平行的方向(X軸方向)上移動，並且雷射光線照射機構20將對於晶圓W具有穿透性之波長的雷射光線LB從晶圓W的背面Wb側沿著第2分割預定線S2以虛線狀的形式進行照射，而在晶圓W的内部形成第2改質層m2。沿著所有的第2分割預定線S2照射雷射光線LB來形成第2改質層m2之後，即完成第2改質層形成步驟。
改質層M(第1改質層m1及第2改質層m2)是藉由雷射光線LB的照射而使晶圓W内部的強度及物理上的特性改變的區域。如圖2的局部放大圖所示，改質層M是形成於聚光點P的上方側，且改質層M的上端與下端之間的寬度t會成為例如20~30μm左右。
在此，於實施第1改質層形成步驟、或第2改質層形成步驟、或第1改質層形成步驟以及第2改質層形成步驟的兩步驟之時，是對於每1條分割預定線，將形成於晶圓W的内部的改質層M(第1改質層m1以及第2改質層m2)如圖3所示地以至少1個以上的對從改質層M至到達晶圓W的正面Wa的裂隙之成長進行誘導的誘導改質層Mi、與至少1個以上的用於調整從改質層M至到達晶圓W的正面Wa的裂隙的成長之調整改質層Ma複合地形成。圖示之例中的改質層M是藉由形成於最接近晶圓W的正面Wa側之位置的1層的誘導改質層Mi、與形成於誘導改質層Mi之上的2層調整改質層Ma所構成。
在晶圓W的内部形成誘導改質層Mi之時，雷射光線照射機構20宜將聚光器22的位置錯開，並以將雷射光線LB的聚光點P定位在更靠正面Wa側的狀態來照射雷射光線LB，以藉此形成誘導改質層Mi。誘導改質層Mi的數量或厚度並未特別限定。因此，亦可以因應晶圓W的厚度等，來設定誘導改質層Mi的數量與厚度。在圖3的例子中，誘導改質層Mi雖然是形成於最接近晶圓W的正面Wa側的位置，但並不限定為此位置。然而，如本實施形態所示，可將改質層M形成於要藉由之後的分割步驟磨削而去除的高度位置6上。
又，在晶圓W的内部形成調整改質層Ma之時，雷射光線照射機構20將聚光器22的位置朝上方側錯開，以隔著均等的間隔從正面Wa側到背面Wb側分階段地照射雷射光線LB，藉此形成2層的調整改質層Ma。此時，雷射光線照射機構20會被控制成設置預定的間隔H1來對圖1所示之各元件D的1邊停止至少1次雷射光線LB的照射。具體而言，雷射光線照射機構20是對第1分割預定線S1、或第2分割預定線S2、或第1割預定線S1及第2分割預定線S2的雙方之中已設置預定的間隔H1的部分不照射雷射光線LB，而對預定的間隔H1以外的區域照射雷射光線LB。如此進行而形成的調整改質層Ma具有於晶圓W的内部間隔有預定的間隔H1的非改質層區域2，並且使已照射雷射光線LB的部分的強度降低。非改質層區域2是不會使晶圓W的内部的強度降低而在之後的分割時不產生裂隙的區域。針對調整改質層Ma的數量與厚度也未特別限定。
(4)分割步驟 在實施第1改質層形成步驟及第2改質層形成步驟之後，如圖4所示，以可旋轉的工作夾台40保持保護構件1側，並從晶圓W的背面Wb藉由磨削機構30來磨削以薄化成成品厚度100，並且藉由磨削動作使以改質層M作為起點而到達晶圓W的正面Wa的裂隙沿著分割預定線成長，來將晶圓W分割成一個個的元件D。工作夾台40具備例如藉由多孔構件形成的保持部41，並使其上表面成為吸引保持晶圓W的保持面42。於保持面42上連接有圖未示出的吸引源。磨削機構30具備具有鉛直方向的軸心之主軸31、裝設於主軸31的下部的磨削輪32、與環狀地固接於磨削輪32的下部的磨削磨石33，並且成為可一邊使磨削輪32旋轉，一邊將全體升降。
如圖4所示，將膠帶T側以工作夾台40保持而使晶圓W的背面Wb朝上，並使工作夾台40旋轉。磨削機構30是使磨削輪32朝例如箭頭A方向旋轉，並且以預定的磨削進給速度使其下降，以一邊以磨削磨石33按壓晶圓W的背面Wb一邊磨削至預定的成品厚度100為止來將晶圓W薄化。藉由所述磨削動作使以改質層M作為起點而到達晶圓W的正面Wa的裂隙，沿著第1分割預定線S1及第2分割預定線S2成長。亦即，當從形成有改質層M的位置產生裂隙時，可藉由圖3所示之誘導改質層Mi，將裂隙朝向正面Wa側誘導。又，可在從調整改質層Ma的非改質層區域2不產生裂隙的情形下，調整從改質層M至到達正面Wa的裂隙的成長情況，而可調整將元件D單片化的時間點。因此，可防止伴隨著薄化而將晶圓W分割成一個個的元件D時，相鄰的元件D相接觸而破損之情形。
(5)擴張步驟 在實施分割步驟之後，如圖5所示，可藉由膠帶擴張機構50將已分割成一個個元件D的間隔擴大。如圖5(a)所示，膠帶擴張機構50具備支撐晶圓W的支撐台51、配設於支撐台51的外周側且可載置框架F的框架載置台52、夾持已載置於框架載置台52的框架F的夾具部53、與連結於框架載置台52的下部並使框架載置台52朝上下方向升降之升降機構54。升降機構54是由汽缸54a、與藉由汽缸54a而被升降驅動的活塞54b所構成，並藉由使活塞54b上下地移動，以使框架載置台52升降。
當對晶圓W進行擴張之時，是將保護構件1側載置於支撐台51，並且將框架F載置於框架載置台52。之後，使夾具部53按壓框架F的上部以固定成不移動。接著，如圖5(b)所示，使活塞54b往下方移動來使框架載置台52下降，以使框架載置台52相對於支撐台51相對地下降。藉此，將膠帶T及保護構件1放射狀地擴張，並對晶圓W賦與放射方向的外力，使各元件D的間隔擴大而在各元件D之間形成間隙5。然後，各元件D可藉由搬送機構等而被拾取，並被搬送至所期望的搬送目的地。
像這樣，在本發明之晶圓的加工方法中，由於在第1改質層形成步驟中、或是第2改質層形成步驟中、或第1改質層形成步驟及第2改質層形成步驟的兩步驟中，是對於每1條分割預定線，將形成於晶圓W的内部的改質層M以至少1個以上的誘導改質層Mi與至少1個以上的調整改質層Ma複合地形成，其中該誘導改質層Mi是對從改質層M至到達晶圓W的正面Wa的裂隙之成長進行誘導，該調整改質層Ma是用於調整從改質層M至到達晶圓W的正面Wa的裂隙之成長，所以可藉由誘導改質層Mi來將從改質層M產生的裂隙往晶圓W的正面側Wa誘導，並且藉由調整改質層Ma來調整到達正面Wa的裂隙的成長情況，因而可以防止在將晶圓W分割成一個個的元件D之時在元件晶片的角落產生缺損、或在角落附近的截口產生蛇行之情形。又，由於調整改質層Ma具有間隔有預定的間隔H1的非改質層區域2，所以實施分割步驟時，可藉由非改質層區域2將元件D的單片化的時間點調整成不使相鄰的元件D相接觸，因而可以有效地防止在元件D的角落產生缺損、或使角落附近的截口蛇行之情形。
圖6所示之改質層M1(第1改質層m1及第2改質層m2)是藉由改質層形成步驟的第1變形例而形成於晶圓W1之内部的改質層。改質層M1是與上述同樣地，藉由進行第1改質層形成步驟及第2改質層形成步驟，而以形成於最接近晶圓W1的正面Wa側的位置的1層的誘導改質層Mi2、與形成於誘導改質層Mi2之上的2層的調整改質層Ma所構成。
在晶圓W1的内部形成誘導改質層Mi2之時，雷射光線照射機構20會被控制成將聚光器22的位置錯開，並以將雷射光線LB的聚光點P定位在更靠正面Wa側的狀態，設置比調整改質層Ma的非改質層區域2更短的預定間隔H2，來對各元件D的1邊停止至少1次雷射光線LB的照射。具體而言，雷射光線照射機構20是對圖1所示的第1分割預定線S1或第2分割預定線S2或第1分割預定線S1與第2分割預定線S2之雙方中已設置預定的間隔H2的部分不照射雷射光線LB，而對預定的間隔H2以外的區域照射雷射光線LB。如此進行而形成的誘導改質層Mi2是在晶圓W1的内部間隔有預定的間隔H2且具有比非改質層區域2更小的非改質層區域3，並使已照射雷射光線LB的部分的強度降低。非改質層區域3與非改質層區域2同樣，為在分割時不產生裂隙的區域。
已實施改質層形成步驟的第1變形例之後，前進到與上述同様的分割步驟，並藉由磨削動作使以改質層M1作為起點而到達晶圓W1的正面Wa的裂隙沿著第1分割預定線S1及第2分割預定線S2而成長。亦即，當從形成有改質層M1的位置產生裂隙時，可藉由誘導改質層Mi2，將裂隙朝向正面Wa側誘導。又，可以在從調整改質層Ma的非改質層區域2以及誘導改質層Mi2的非改質層區域3不產生裂隙的情形下，將元件D之單片化的時間點調整成不使相鄰的元件D相接觸，來將晶圓W1分割成一個個的元件D。像這樣，在改質層M1中，由於誘導改質層Mi2具有比調整改質層Ma的非改質層區域2更小的非改質層區域3，所以於晶圓W1的分割時，也不會從較小的非改質層區域3中將裂隙誘導至晶圓W1的正面Wa，因此可以限制被單片化的元件D的移動，且可以更有效地防止在元件D的角落產生缺損、或使角落附近的截口蛇行之情形。
圖7所示之改質層M2(第1改質層m1及第2改質層m2)是藉由改質層形成步驟的第2變形例而形成於晶圓W2之内部的改質層。改質層M2是與上述同樣地，藉由進行第1改質層形成步驟及第2改質層形成步驟，而以形成於最接近晶圓W2的正面Wa側的位置的1層誘導改質層Mi2、與形成於誘導改質層Mi2之上且預定的間隔相異的2層調整改質層Ma、Ma2所構成。誘導改質層Mi2、調整改質層Ma的構成是與上述的第1變形例同樣。
在晶圓W2的内部形成調整改質層Ma2之時，是將雷射光線照射機構20控制成設置比非改質層區域3更長且比非改質層區域2更短的預定間隔H3，來對各元件D的1邊停止至少1次雷射光線LB的照射。具體而言，雷射光線照射機構20是對圖1所示的第1分割預定線S1或第2分割預定線S2或第1分割預定線S1及第2分割預定線S2之雙方中已設置預定的間隔H3的部分不照射雷射光線LB，而對預定的間隔H2以外的區域照射雷射光線LB。調整改質層Ma2是在晶圓W2的内部間隔有預定的間隔H3且具有比非改質層區域3更大且比非改質層區域2更小的非改質層區域4，並使已照射雷射光線LB的部分的強度降低。
已實施改質層形成步驟的第2變形例之後，前進到與上述同様的分割步驟，並藉由磨削動作使以改質層M2作為起點而到達晶圓W2的正面Wa的裂隙沿著第1分割預定線S1及第2分割預定線S2而成長。亦即，當從形成有改質層M2的位置產生裂隙時，可藉由誘導改質層Mi2，將裂隙朝向正面Wa側誘導。又，因為在從非改質層區域2、3以及4中不產生裂隙的情形下，調整元件D之單片化的時間點，所以可以將晶圓W2分割成一個個的元件D。像這樣，改質層M2因為分階段地將從晶圓W2的背面Wb直到正面Wa不照射雷射光線LB的區域依非改質層區域2、4及3的順序變小地構成，所以可以限制被單片化的元件D的移動，且可以防止在元件D的角落產生缺損、或已形成缺口的部分蛇行之情形。
作為在本實施形態所示的改質層形成步驟中所使用的雷射照射條件，可列舉的有例如光源、波長、輸出、保持台10的進給速度及不照射雷射光線LB的預定的間隔H1~H3的寬度等。按每一條分割預定線所設定的預定的間隔H1~H3不是固定的間隔亦可。由於晶圓W的中央部分相較於外周部分會較難以移動而易於產生未分割的區域，所以亦可例如在中央部分的區域中將預定的間隔H1~H3的寬度設定得較狹窄。作為在分割步驟所使用的磨削條件，可列舉的有例如磨削磨石33的種類、磨削進給速度、工作夾台40的旋轉速度等。再者，雷射照射條件及磨削條件亦可因應晶圓W的厚度或材質等適當調整並組合。
1‧‧‧保護構件2、3、4‧‧‧非改質層區域5‧‧‧間隙6‧‧‧高度位置10‧‧‧保持台11‧‧‧保持面20‧‧‧雷射光線照射機構21‧‧‧振盪器22‧‧‧聚光器30‧‧‧磨削機構31‧‧‧主軸32‧‧‧磨削輪33‧‧‧磨削磨石40‧‧‧工作夾台41‧‧‧保持部42‧‧‧保持面50‧‧‧膠帶擴張機構51‧‧‧支撐台52‧‧‧框架載置台53‧‧‧夾具部54‧‧‧升降機構54a‧‧‧汽缸54b‧‧‧活塞100‧‧‧成品厚度A‧‧‧箭頭D‧‧‧元件F‧‧‧框架H1、H2、H3‧‧‧預定的間隔LB‧‧‧雷射光線M、M1、M2‧‧‧改質層m1‧‧‧第1改質層m2‧‧‧第2改質層Ma、Ma2‧‧‧調整改質層Mi、Mi2‧‧‧誘導改質層N‧‧‧凹口P‧‧‧聚光點S1‧‧‧第1分割預定線S2‧‧‧第2分割預定線T‧‧‧膠帶W、W1、W2‧‧‧晶圓Wa‧‧‧正面Wb‧‧‧背面
圖1是顯示保護構件貼附步驟的立體圖。 圖2是顯示改質層形成步驟的局部放大截面圖。 圖3是顯示藉由改質層形成步驟而在晶圓的內部形成有1個以上的誘導改質層、與1個以上的調整改質層的狀態的局部放大截面圖。 圖4是顯示分割步驟的局部放大截面圖。 圖5之(a)是顯示擴張步驟的實施前之狀態的截面圖。(b)是顯示已藉由擴張步驟將各元件之間隔擴張之狀態的截面圖。 圖6是顯示改質層形成步驟之第1變形例的局部放大截面圖。 圖7是顯示改質層形成步驟之第2變形例的局部放大截面圖。
1‧‧‧保護構件
2‧‧‧非改質層區域
6‧‧‧高度位置
10‧‧‧保持台
11‧‧‧保持面
20‧‧‧雷射光線照射機構
21‧‧‧振盪器
22‧‧‧聚光器
F‧‧‧框架
H1‧‧‧預定的間隔
LB‧‧‧雷射光線
M‧‧‧改質層
m1‧‧‧第1改質層
m2‧‧‧第2改質層
Ma‧‧‧調整改質層
Mi‧‧‧誘導改質層
P‧‧‧聚光點
T‧‧‧膠帶
W‧‧‧晶圓
Wa‧‧‧正面
Wb‧‧‧背面

Claims (1)

  1. 一種晶圓的加工方法，是將在正面於藉由在預定的方向上延伸的複數條第1分割預定線、和與該複數條第1分割預定線交叉而形成的複數條第2分割預定線所區劃而成的複數個區域中形成有元件的晶圓，沿著該第1分割預定線及該第2分割預定線分割的晶圓的加工方法，其特徵在於：具備：保護構件貼附步驟，於晶圓的正面側貼附保護構件；第1改質層形成步驟，在該保護構件貼附步驟之後，保持該保護構件側，並且將對於晶圓具有穿透性之波長的雷射光線從晶圓的背面側將聚光點定位於晶圓的內部，並沿著該第1分割預定線照射，而在晶圓的內部沿著該第1分割預定線形成第1改質層；第2改質層形成步驟，將對於晶圓具有穿透性之波長的雷射光線從晶圓的背面側將聚光點定位於晶圓的內部，並沿著該第2分割預定線照射，而在晶圓的內部沿著該第2分割預定線形成第2改質層；及分割步驟，在實施該第1改質層形成步驟及該第2改質層形成步驟之後，保持該保護構件側並從晶圓的背面藉由磨削機構磨削而薄化到成品厚度，並且藉由磨削動作來使以該改質層作為起點而到達晶圓的正面的裂隙沿著該分割預定線成長，以將晶圓分割成一個個的元件，於第1改質層形成步驟中、或是第2改質層形成步驟 中、或第1改質層形成步驟及第2改質層形成步驟的兩步驟中，對於每1條分割預定線，是將該改質層以至少1個以上的誘導改質層與至少1個以上的調整改質層複合地形成，該誘導改質層是對從該改質層至到達晶圓的正面的裂隙之成長進行誘導，該調整改質層是用於調整從該改質層至到達晶圓的正面的裂隙之成長，前述調整改質層是藉由設置預定的間隔來對各元件的1邊停止至少1次雷射光線的照射，以在晶圓的內部具有間隔有預定的間隔之非改質層區域，前述誘導改質層是藉由設置比前述非改質層區域更短的預定的間隔來對各元件的1邊停止至少1次雷射光線的照射，而在晶圓的內部具有間隔有預定的間隔且比該非改質層區域更小的非改質層區域。
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