TWI730951B - 發光裝置 - Google Patents

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TWI730951B
TWI730951B TW105103630A TW105103630A TWI730951B TW I730951 B TWI730951 B TW I730951B TW 105103630 A TW105103630 A TW 105103630A TW 105103630 A TW105103630 A TW 105103630A TW I730951 B TWI730951 B TW I730951B
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陳宏萱
倪志鵬
張瑞賢
李欣瑜
王振奎
范晨彥
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晶元光電股份有限公司
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Abstract

一種發光裝置具有一第一最外側壁且包含一發光二極體以及一電極。發光二極體具有一電極墊及一側表面。電極具有一區塊形成電極墊上且延伸超出側表面，及一第一突出部自區塊延伸至第一最外側壁。

Description

發光裝置
本發明係關於一種發光裝置，尤關於一種發光裝置，其包含一具有突出部之電極。
發光二極體具有耗能低、壽命長、體積小、反應速度快以及光學輸出穩定等特性。因此，發光二極體漸漸地使用於各種應用中。然而，如何製造一具有良好品質以及競爭性價格的發光二極體或發光裝置，仍是發展的目標。
為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式，說明如下。
一種發光裝置具有一第一最外側壁且包含一發光二極體以及一電極。發光二極體具有一電極墊及一側表面。電極具有一區塊形成電極墊上且延伸超出側表面，及一第一突出部自區塊延伸至第一最外側壁。
100、200、300、400、500、600:發光裝置
101~104:側壁
11:發光二極體
110:圖案化基板
1101、1102:側表面
111A、111B:發光主體
1110:孔洞
1111:第一型半導體層
1112:活性層
1113:第二型半導體層
1114:第一絕緣層
1115:第二絕緣層
1116:導電層
1117:第三絕緣層
1118:第一電極墊
1119:第二電極墊
1120:歐姆接觸層
1161:第一區域
1162:第二區域
1163:第三區域
112:溝渠
12:波長轉換結構
121:波長轉換顆粒
122:基質
123~126:側表面
13:光穿透結構
141:第一電極
1411、1421:主區塊
1411A~D、1421A~D:側
1411C1、1421C1:第一角落
1411C2、1421C2:第二角落
1412A~E、1422A~E:突出部
142:第二電極
15:絕緣結構
161:晶種層
161’:殘留晶種層
1611:第一區
1612:第二區
17:光阻層
171:第一區
172:第二區
18:金屬疊層
181:第一金屬層
182:第二金屬層
183:第三金屬層
184:第一部
185:第二部
19:反射壁
191:暫時膠帶
900:背光模組
901:發光源
902:導光板
903:擴散板
904:反射結構
第1A圖顯示本發明一實施例中一發光裝置之立體示意圖。
第1B圖顯示第1A圖中一發光裝置之下視示意圖。
第1C圖顯示第1A圖中一發光裝置之下視示意圖。
第1D圖顯示第1B圖I-I線段之剖面示意圖。
第1E圖顯示第1B圖II-II線段之剖面示意圖。
第1F圖顯示第1D圖A區之放大圖。
第1G圖顯示第1E圖B區之放大圖。
第1H圖顯示第1B圖III-III線段之剖面示意圖。
第2A~2J圖顯示本發明一實施例中一發光裝置之製造流程剖面示意圖。
第3A~3J圖分別顯示第2A~2J圖之上視示意圖。
第3K圖顯示切割步驟之上視示意圖。
第3L圖顯示經過切割步驟所形成的一發光裝置之上視示意圖。
第4A、5A、6A、及7A圖顯示金屬疊層具有不同圖案之上視示意圖。
第4B、5B、6B、及7B分別顯示本發明一實施例中一發光裝置之上視示意圖。
第8A圖顯示一側投式背光模組的剖面示意圖。
第8B圖顯示第8A圖中發光源及導光板的立體示意圖。
以下實施例將伴隨著圖式說明本發明之概念，在圖式或說明中，相似或相同之部分係使用相同之標號，並且在圖式中，元件之形狀或厚度可擴大或縮小。
第1A圖顯示本發明一實施例中一發光裝置之立體示意圖。第1B圖顯示第1A圖中一發光裝置之下視示意圖。第1C圖顯示第1A圖中一發光裝置之下視示意圖。第1D圖顯示第1B圖I-I線段之剖面示意圖。第1E圖顯示第1B圖II-II線段 之剖面示意圖。第1F圖顯示第1D圖A區之放大圖。第1G圖顯示第1E圖B區之放大圖。第1H圖顯示第1B圖III-III線段之剖面示意圖。為清楚表示，第1B圖僅顯示部分層且每一層皆以實線繪製(然，導電層1116以虛線表示，說明詳述如後)而不論其材料為非透明、透明或半透明。
如第1A圖及第1B圖所示，發光裝置100包括發光二極體11、波長轉換結構12包覆發光二極體11、一第一電極141、一第二電極142、一絕緣結構15、及一反射壁19。第一電極141及第二電極142係藉由表面黏著技術與外部電路(圖未示)電連接。
如第1A圖及第1C圖所示，發光裝置100實質上為一長方體且具有四個最外側壁101~104。第一電極141及第二電極142分別具有一主區塊1411、1421及複數個突出部1412、1422。在一實施例中，電極141具有三個突出部1412A、1412B、1412C。電極142具有三個突出部1422A、1422B、1422C。如第1C圖所示，主區塊1411、1421係位在最外側壁101~104之內且分別具有四側1411A~D、1421A~D。側1411A、1411B、1411C分別與最外側壁101、102、104相距一約10~150μm距離。側1421A、1421B、1421C分別與最外側壁103、102、104相距一約10~150μm距離。
突出部1412A係從主區塊1411之側1411A沿著X軸(-X方向)向外延伸至最外側壁101。突出部1412B、1412C係從主區塊1411沿著Y軸(+Y方向和-Y方向)往相反方向延伸。具體而言，突出部1412B係從主區塊1411之側1411B延伸至最外側壁102。突出部1412C係從主區塊1411之側1411C延伸至最外側壁104。再者，突出部1412A具有一寬度(W1)為側1411A長度(L1)的0.15~1倍。 突出部1412B具有一寬度(W2)為側1411B長度(L2)的0.15~1倍。突出部1412C具有一寬度(W3)為側1411C長度(L3)的0.15~1倍
突出部1422A係從主區塊1421之側1421A沿著X軸(+X方向)延伸至最外側壁103。突出部1422B、1422C係從主區塊1421沿著Y軸(+Y方向和-Y方向)往相反方向延伸。具體而言，突出部1422B係從主區塊1421之側1421B延伸至最外側壁102。突出部1422C係從主區塊1421之側1421C延伸至最外側壁104。突出部1422A具有一寬度(W4)為側1421A長度(L4)的0.15~1倍。突出部1422B分別具有一寬度(W5)為側1421B長度(L5)的0.15~1倍。突出部1422C分別具有一寬度(W6)為側1421C長度(L6)的0.15~1倍。突出部1412A、1422A係往相反方向延伸(-X方向和+X方向)。突出部1412B、1422B彼此互相平行。突出部1412C、1422C彼此互相平行。突出部係用以作為電鍍製程中的導電路徑。為了形成導電路徑，每一電極具有至少兩突出部(詳述如後)
如第1C圖所示，第一電極141和第二電極142係配置成將發光裝置之底面區分成五個區域(I~V)，且沒有任何電極位於此五個區域中(詳述如後)。
如第1A、1B、1D及1E圖所示，波長轉換結構12實質上為一長方體且具有四個側表面123~126。反射壁19僅覆蓋側表面123、125而並未覆蓋側表面124、126。反射壁19係配置以反射發光結構11所發出的光而離開發光裝置100。
如第1C、1D、及1H圖所示，突出部1412B、1412C(1422B、1422C)係形成於反射壁19上且於Z方向上與反射壁19重疊。此外，突出部1412B、1412C(1422B、1422C)具有一部分於Z方向上與波長轉換結構12重疊。突出部1412A(1422A)於Z方向上與波長轉換結構12重疊而未與反射壁19重疊。
波長轉換結構12包含一第一基質與多個散佈在第一基質內的波長轉換粒子。波長轉換粒子吸收發光二極體所發出的第一光線並轉換成峰值波長(peak wavelength)或主波長(dominant wavelength)不同於第一光線的第二光線。基質包含有矽基底的基質材料、環氧樹脂基底的基質材料、或前述兩者。基質的折射率(n)介於約1.4~1.6或者1.5~1.6之間。波長轉換粒子包含一種或者多種無機的螢光粉(inorganic phosphor)、有機分子螢光色素(organic fluorescent colorant)、半導體材料(semiconductor)、或上述材料的組合。無機的螢光粉包含了黃綠色螢光粉、紅色螢光粉或藍色螢光粉。黃綠色螢光粉包含了YAG、TAG，矽酸鹽，釩酸鹽，鹼土金屬硒化物，或金屬氮化物。紅色螢光粉包括氟化物(例如K2TiF6：Mn4+或K2SiF6：Mn4+)、矽酸鹽、釩酸鹽、鹼土金屬硫化物、金屬氮氧化物、鎢酸鹽和鉬酸鹽的混合物。藍色螢光粉包括BaMgAl10O17：Eu2+。半導體材料包含量子點發光材料，其可選自一由硫化鋅(ZnS)、硒化鋅(ZnSe)、碲化鋅(ZnTe)、氧化鋅(ZnO)、硫化鎘(CdS)、硒化鎘(CdSe)、碲化鎘(CdTe)、氮化鎵(GaN)、磷化鎵(GaP)、硒化鎵(GaSe)、銻化鎵(GaSb)、砷化鎵(GaAs)、氮化鋁(AlN)、磷化鋁(AlP)、砷化鋁(AlAs)、磷化銦(InP)、砷化銦(InAs)、碲(Te)、硫化鉛(PbS)、銻化銦(InSb)、碲化鉛(PbTe)、硒化鉛(PbSe)、碲化銻(SbTe)、硫化鋅鎘硒(ZnCdSeS)、硫化銅銦(CuInS)、CsPbCl3、CsPbBr3、及CsPbI3所組成之群組。
第一光線可以跟第二光線混合以成為白光或者非白光。在本實施例中，白光在CIE1931色度圖中具有一色點座標(x、y)，其中，0.27≦x≦0.285；0.23≦y≦0.26。在一實施例中，白光具有一色溫介於約2200~6500K(例如2200K、2400K、2700K、3000K、5000K、5700K、6500K)且在CIE1931色度圖中具有一 色點座標(x、y)位於7階麥克亞當橢圓(seven-step MacAdam ellipse)內。非白光可以是紫光、琥珀光(amber light)、綠光或者黃光。
反射壁19係藉由固化一白漆(white paint)所形成。白漆包含一第二基質與多個散布在基質中的反射粒子(圖未示)。第二基質具有矽基底的基質材料(silicone-based material)、環氧樹脂基底的基質材料(epoxy-based material)、或前述兩者，並具有介於約1.4~1.6或者1.5~1.6之間的折射率(n)。在一實施例中，第二基質可包含聚亞醯胺(PI)、苯并環丁烯(BCB)、過氟環丁烷(PFCB)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚醚醯亞胺(Polyetherimide)、氟碳聚合物(Fluorocarbon Polymer)。反射粒子包括二氧化鈦、二氧化矽、氧化鋁、氧化鋅，或二氧化鋯。在一實施例中，當發光二極體發射的光線撞擊到反射壁19時，光線會被反射。具體而言，於反射壁19所產生反射係屬於漫反射(diffuse reflection)。
白漆具有約0.5~1000Pa．s的黏度(例如0.5、1、2、10、30、100、500、1000)且反射壁19(白漆完全地固化後)具有一介於約40~90之間的硬度(shore D)。或者，白漆具有約100~1000Pa．s的黏度(例如100、300、500、1000、5000、10000)且反射壁19具有一介於約30~60之間的硬度(shore D)。絕緣結構15可反射光且其材料之選用可參考反射壁19。若絕緣結構15與反射壁19具有相同或相似的基質時，絕緣結構15與反射壁19之間的介面於電子顯微鏡的觀察下係無法視得或變得模糊。
如第1B~1G圖所示，發光結構11包含圖案化基板110、兩發光主體111A、111B共同形成於圖案化基板110上、一溝渠112形成於兩發光主體111A、111B間以使兩發光主體111A、111B彼此物理性分離。每一發光主體111A、111B 包含一第一型半導體層1111、一活性層1112、及一第二型半導體層1113。一第一絕緣層1114形成於溝渠112中並覆蓋發光主體111A、111B之第一半型導體層1111以避免相鄰發光主體111A、111B間不必要的電路路徑(短路)。
一第二絕緣層1115形成於第一絕緣層1114上且曝露出發光主體111A、111B之第二型半導體層1113。一導電層1116形成於第二絕緣層1115以曝露出發光主體111A、111B之第二型半導體層1113上。此外，第二絕緣層1115會覆蓋第一絕緣層1114之側壁。導電層1116覆蓋部分第二絕緣層1115之側壁並延伸至第一型半導體層1111。
一第三絕緣層1117形成於導電層1116上且覆蓋發光主體111A、111B，並曝露部分之導電層1116。一第一電極墊1118及一第二電極墊1119分別電連接發光主體111A及發光主體111B。發光主體111A、111B間的電連接將於後描述。一歐姆接觸層1120可選擇性地形成於第二型半導體層1113與導電層1116之間以減少發光裝置100之順向偏壓(Vf)。
為清楚表示，第1B圖之導電層1116以虛線表示。參照第1B、1D及1F圖，導電層1116具有一第一區域1161、一第二區域1162(第1B圖的斜線區塊)及一第三區域1163。第一區域1161形成於發光主體111A並與第二區域1162物理性分離。第二區域1162環繞第一區域1161。第二區域1162係與發光主體111A之第一型半導體層1111相接觸，並進一步形成於溝渠112中之第二絕緣層1115且延伸至發光主體111B之第二型半導體層1113，藉此導電層1116串聯連接發光主體111A與發光主體111B(由於剖面線的位置，此連接關係未顯示在第1D圖中)。
參照第1B、1E及1G圖，複數個孔洞1110形成於第三絕緣層1117中，且孔洞1110形成於發光主體111A處而未形成於發光主體111B處。第一電極墊1118 可延伸至孔洞1110並與發光主體111A上導電層1116之第一區域1161形成電連接，藉此，第一電極墊1118與發光主體111A之第二型半導體層1113形成電連接。導電層1116之第三區域1163形成於發光主體111B。第二電極1119直接與從第三絕緣層1117所曝露出之導電層1116的第三區域1163相接觸。導電層1116的第三區域1163係與發光主體111B之第一型半導體層1111相接觸。
在一實施中，舉例來說，當第一電極墊1118與外部電極之正極電連接，且第二電極墊1119與外部電極之負極電連接時，電流係依序流經孔洞1110內之第一電極墊1118、導電層1116之第一區域1161、發光主體111A之第二型半導體層1113、發光主體111A之活性層1112、發光主體111A之第一型半導體層1111、導電層1116之第二區域1162、發光主體111B之第二型半導體層1113、發光主體111B之活性層1112、發光主體111B之第一型半導體層1111、導電層1116之第三區域1163、最後至第二電極墊1119。因此，發光主體111A與發光主體111B彼此串聯連接。此外，綜合以上整體設計，可減少孔洞1110形成於發光主體111B的製造程序，且導電層1116覆蓋發光主體111A、111B之側壁可增加發光裝置100之光強度並降低發光裝置100整體之順向偏壓(Vf)。
如第1C及1D圖所示，第一電極141的主區塊1411形成於且電連接至第一電極墊1118上，並延伸超出發光二極體11之一側表面1101。換言之，側1411A較側表面1101靠近最外側壁101。第二電極142的主區塊1421形成於且電連接至第二電極墊1119上，並延伸超出發光二極體11之一側表面1102。換言之，側1421A較側表面1102靠近最外側壁103。突出部1412A~C、1422A~C未與電極墊1118、1119重疊。
第一電極墊1118、第二電極墊1119、導電層1116、第一電極141、及第二電極142可以是金屬，例如金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鉻(Cr)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、錫(Sn)或其合金或其疊層組合。第一絕緣層1114可為單層或多層。當第一絕緣層1114為單層時，材料可包含氧化物、氮化物、或聚合物(polymer)；氧化物可包含氧化鋁(Al2O3)、氧化矽(SiO2)、二氧化鈦(TiO2)、五氧化二鉭(Tantalum Pentoxide,Ta2O5)或氧化鋁(AlOx)；氮化物可包含氮化鋁(AlN)、氮化矽(SiNx)；聚合物可包含聚醯亞胺(polyimide)或苯并環丁烷(benzocyclobutane，BCB)。當第一絕緣層1114為多層時，材料可包含氧化鋁(Al2O3)、氧化矽(SiO2)、二氧化鈦(TiO2)、五氧化二鈮(Nb2O5)及氮化矽(SiNx)的疊層以形成一布拉格反射鏡(Distributed Bragg Reflector)。第二絕緣層1115及/或第三絕緣層1117材料之選用由一或多種材料，其材料可參考第一絕緣層1114的相關段落。
當發光二極體11為一異質結構時，第一型半導體層1111及第二型半導體層1113例如為包覆層(cladding layer)及/或限制層(confinement layer)，可分別提供電子、電洞且具有一大於活性層之能隙，藉此提高電子、電洞於活性層中結合以發光的機率。第一型半導體層1111、活性層1112、及第二型半導體層1113可包含Ⅲ-V族半導體材料，例如AlxInyGa(1-x-y)N或AlxInyGa(1-x-y)P，其中0≦x,y≦1；(x+y)≦1。依據活性層之材料，發光主體可發出一波峰值(peak wavelength)或主波長(dominant wavelength)介於610nm及650nm之間的紅光、波峰值或主波長介於530nm及570nm之間的綠光、 波峰值或主波長介於450nm及490nm之間的藍光、波峰值或主波長介於400nm~440nm的紫光、或波峰值介於200nm~400nm的紫外光。
第1B圖中之二發光主體111A、111B係彼此串聯。在其他實施例，發光二極體11可包含一個發光主體或是三個以上之發光主體彼此串聯、並聯、串並混合連接或橋式連接。當發光二極體11包含複數個發光主體時，複數個發光主體可共同形成於一基板上，或是複數個發光主體各自具有一基板，再固定於一載板上，或是部分發光主體共同形成於一基板上，另一部分發光主體各自具有一基板，二者再共同固定於一載板上。此外，實施例中之二個發光主體111A、111B係以覆晶結構且透過一導電層1116彼此電連接，然，二發光主體111A、111B亦可為一水平式結構且透過打線方式彼此電連接。
第2A~2J圖顯示本發明一實施例中一發光裝置之製造流程剖面示意圖。第3A~3J圖分別顯示第2A~2J圖之上視示意圖。為了簡潔故，第2A~2H圖中發光二極體11及發光裝置200僅以長方體為例作解釋。一實施例中，方形、梯形、平行四邊形、菱形、三角形、五邊形、六角形、或圓形亦可應用於本發明的實施例中。第3K圖顯示切割步驟之一上視示意圖。
如第2A和3A圖所示，複數個發光二極體11(以九個發光二極體為例)設置在一暫時膠帶191上。第一電極墊1118及第二電極墊1119被黏接到暫時膠帶191。
如第2B和3B圖所示，複數個波長轉換顆粒121與一基質122混合以形成一波長轉換混合物。塗佈波長轉換混合物完全地將發光二極體11包覆在其中。之後，進行一熱處理以固化波長轉換混和物而形成波長轉換結構12。在一 實施例中，在熱處理的過程中，因為重力，波長轉換粒子121會沉澱而直接接觸發光二極體11。
在另一實施例中，添加抗沉澱劑(例如：二氧化矽)於基質122中以降低波長轉換顆粒121沉澱的速度，藉此波長轉換顆粒121可以均勻地分散在基質122之中。在另一實施例中，含有複數個波長轉換顆粒121的基質122可預先形成為一波長轉換片，再貼合於發光結構11上。在波長轉換片中，波長轉換顆粒121可更均勻地分散在基質122之中。
如第2C及3C圖所示，一光穿透結構13被黏接到波長轉換結構12。具體而言，一第一結合層(圖未示)形成於光穿透結構13上。一第二結合層形成於波長轉換結構12。接著，利用熱壓步驟將第一結合層與第二結合層接合在一起，藉此光穿透結構13結合至波長轉換結構12上。
如第2D及3D圖所示，翻轉第2C圖(或3C圖)的結構，並移除暫時膠帶191以曝露第一電極墊1118及第二電極墊1119。
如第2E及3E圖所示，一絕緣結構15係形成以覆蓋波長轉換結構12及發光二極體11。具體而言，絕緣結構15並未完全覆蓋第一電極墊1118及第二電極墊1119且曝露出一部分的第一電極墊1118及第二電極墊1119。換言之，除了曝露出之第一電極墊1118及第二電極墊1119，其餘的部分皆完全地被絕緣結構15所覆蓋。在第2E圖中，曝露出之第一電極墊1118及第二電極墊1119的面積大於被絕緣結構15所覆蓋的第一電極墊1118及第二電極墊1119的面積。絕緣結構15可藉由噴塗、點膠、或印刷方式形成。
如第2F及3F圖所示，一晶種層161係形成以覆蓋曝露出之第一電極墊1118及第二電極墊1119以及絕緣結構15。其中，晶種層161的厚度遠小於電極 墊1118或1119。然，為了清楚表示，晶種層161係放大尺寸而繪製。晶種層161的厚度約為100~1000nm。
如第2G及3G圖所示，提供一光阻層17以作為後續步驟移除晶種層161中的光罩。光阻層17係圖案化以曝露出一部分之晶種層161。光阻層17具有一第一區171及一第二區172。第一區171係形成在每一發光二極體11之從絕緣結構15所附曝露出之電極墊1118、1119的位置以及形成在一部份的絕緣結構15上。第一區171具有一投影面積大於電極墊1118、1119。第二區172具有一寬度小於第一區171且形成於絕緣結構15上以連接至第一區171。
如第2H及3H圖所示，曝露出之晶種層161被移除以曝露出絕緣結構15。
如第2I及3I圖所示，移除光阻層17以曝露出於電極墊1118、1119及絕緣結構15上之殘留晶種層161’。殘留晶種層161’具有一圖案實質上等同於光阻層17。因此，殘留晶種層161’具有一第一區1611覆蓋每一發光二極體之電極墊1118、1119及一部分之絕緣結構15，並具有一投影面積大於相對應之電極墊1118、1119。殘留晶種層161’具有第二區1612覆蓋絕緣結構15。第二區1612具有一寬度小於第一區1611。第二區1612連接第一區1611並於後續電鍍過程中作為一導電路徑。
如第2J及3J圖所示，進行一電鍍步驟以形成金屬疊層18。金屬疊層18的位置係相對應於殘留晶種層161’，亦即金屬疊層18形成於第一電極墊1118、第二電極墊1119、即一部分的絕緣結構15。在一實施例中，金屬疊層18包含第一金屬層181、第二金屬層182、及第三金屬層183。第一金屬層181直接地覆蓋電極墊1118、1119和絕緣結構15。第二金屬層182形成在第一金屬層181上且包 覆全部的第一金屬層181，並進一步接觸到絕緣結構15。第三金屬層183形成在第二金屬層182上且包覆全部的第二金屬層182，並進一步接觸到絕緣結構15。在本實施例中，第一金屬層181的材料為銅且具有一厚度大於第二金屬層182。第二金屬層182的材料為鎳且具有一厚度大於第三金屬層183。第三金屬層183的材料為金。此外，形成第一金屬層181的電鍍電流密度為1~5A/dm2、形成第二金屬層182的電鍍電流密度為1~5A/dm2、形成第三金屬層183的電鍍電流密度為0.5~3A/dm2。
因為金屬疊層18形成的位置為殘留晶種層161’形成的位置，所以金屬疊層18具有一投影形狀實質上等同於殘留晶種層161’的形狀。因此，金屬疊層18具有一第一部184形成於電極墊1118、1119及一部分絕緣結構15上，與一第二部185形成於絕緣結構15上。第二部185具有一寬度小於第一部184之寬度。如同上述，因為殘留晶種層161’的圖案係由光阻層17所定義，所以，金屬疊層18的圖案亦由光阻層17所定義。因此，可藉由調整光阻層17之圖案，金屬疊層18的圖案可做改變。具體而言，殘留晶種層161’的第二區1612作為一導電路徑，所以，在電鍍過程中，只要電流可經由第二區1612而流至殘留晶種層161’的第一區1611，第二區1612的圖案可做任意變化。
殘留晶種層161’的第二區1612具有一寬度約為10~500μm(30μm、40μm、70μm、100μm、150μm、200μm、300μm、400μm)。若殘留晶種層161’的第二區1612的寬度小於30μm，在電鍍過程中，可能會很難形成金屬疊層18。若殘留晶種層161’的第二區1612的寬度太大，製程成本會增加以及後續切割步驟中所使用的切割器可能會受損害。
如第3K圖所示，沿著切割線(C)進行一切割步驟以形成複數個各自獨立的發光裝置200(第3L圖中顯示一個發光裝置200)。如第3L圖所示，因 發光裝置200係藉由切割金屬疊層18的第二部185而彼此分開，因此，一部份的第二部185會留在每一發光裝置200。換言之，於每一發光裝置200中，第二部185即為前述之突出部。於第一電極墊1118上之金屬疊層18的第一部分184即為第一電極141，且第二電極墊1119上之金屬疊層18的第一部分184即為第二電極142。
第4A、4B、5A、6A、及7A圖顯示金屬疊層18具有不同圖案之上視示意圖。如前所述，金屬疊層18之第二部185的圖案由光阻層17的圖案所定義，因此切割步驟前的其他步驟的相關描述及圖式可參考相對應之段落，且為簡潔故於此省略。
於第4A圖中，沿著切割線(C)進行一切割步驟，以形成複數個各自獨立的發光裝置300(第4B圖中顯示其中一個)。因發光裝置300係藉由切割金屬疊層18的第二部185而彼此分開，因此，一部份的第二部185會留在每一發光裝置300。類似於第1C圖，第一電極141(金屬疊層18)具有一主區塊1411(第一部184)及三個突出部1412A~C(第二部185)，且第二電極142(金屬疊層18)具有一主區塊1421(第一部184)及三個突出部1422A~C(第二部185)。每一突出部1412A~C、1422A~C具有一寬度(W)等同於主區塊1411、1421的長度(L)。第一電極141和第二電極142係配置成將發光裝置300之底面區分成五個區域(I~V)，且沒有任何電極位於此五個區域中。
於第5A圖中，沿著切割線(C)進行一切割步驟，以形成複數個各自獨立的發光裝置400(第5B圖中顯示其中一個)。因發光裝置400係藉由切割金屬疊層18的第二部185而彼此分開，因此，一部份的第二部185會留在每一發光裝置400。第一電極141(金屬疊層18)具有一主區塊1411(第一部184)及五個突出部1412A~E(第二部185)，且第二電極142(金屬疊層18)具有一主區塊1421 (第一部184)及五個突出部1422A~E(第二部185)。突出部1412B~C、1422B~C彼此平行，以及突出部1412D~E、1422D~E彼此平行。第一電極141和第二電極142係配置成將發光裝置400之底面區分成九個區域(I~IX)，且沒有任何電極位於此九個區域中。
於第6A圖中，沿著切割線(C)進行一切割步驟，以形成複數個各自獨立的發光裝置500(第6B圖中顯示其中一個)。因發光裝置500係藉由切割金屬疊層18的第二部185而彼此分開，因此，一部份的第二部185會留在每一發光裝置500。第一電極141(金屬疊層18)具有一主區塊1411(第一部184)及四個突出部1412A~D(第二部185)，且第二電極142(金屬疊層18)具有一主區塊1421(第一部184)及四個突出部1422A~D(第二部185)。突出部1412A~B、1422A~B係分別位於主區塊1411、1421的第一角落1411C1、1421C1。突出部1412C~D、1422C~D係分別位於主區塊1411、1421的第二角落1411C2、1421C2。第一電極141和第二電極142係配置成將發光裝置500之底面區分成七個區域(I~VII)，且沒有任何電極位於此七個區域中。
於第7A圖中，沿著切割線(C)進行一切割步驟，以形成複數個各自獨立的發光裝置600(第7B圖中顯示其中一個)。因發光裝置600係藉由切割金屬疊層18的第二部185而彼此分開，因此，一部份的第二部185會留在每一發光裝置600。第一電極141(金屬疊層18)具有一主區塊1411(第一部184)及兩個突出部1412A~B(第二部185)，且第二電極142(金屬疊層18)具有一主區塊1421(第一部184)及兩個突出部1422A~B(第二部185)。突出部1412A、1422A係分別位於主區塊1411、1421的第一角落1411C1,1421C1。突出部1412B、1422B係分別位於主區塊1411、1421的第二角落1411C2,1421C2。突出部1412A~B、1422A~B 係以一傾斜於X方向或Y方向的方向延伸。第一電極141和第二電極142係配置成將發光裝置600之底面區分成三個區域(I~III)，且沒有任何電極位於此三個區域中。
第8A圖顯示一用於液晶顯示器之側投式背光模組900的剖面示意圖。背光模組900包含一發光源901、一導光板902、一擴散板903及一反射結構904。發光源901包含一載板9011、複數個發光裝置100設置於載板9011上，以及電路結構(圖未示)形成於載板9011上以控制發光裝置100。發光源901係設置在導光板902之側邊，當發光裝置100發光且其光線(R)射入導光板902。於導光板902中的光線(R)可被導引且朝向擴散板903。反射結構904係設置以反射光線(R)朝向擴散板903。第一電極141及第二電極142係透過焊料(soldering)固定於電路結構上。
第8B圖顯示發光源901及導光板902的立體示意圖。發光裝置100係沿著X方向排成一維陣列。發光裝置100的數目及排列方式僅做為例示而不限於此。
在應用上，前述之發光裝置亦可用於使用於球泡燈、崁燈、豆燈或杯燈(MR16)上之光引擎上。或者，前述之發光裝置可以應用於手機或相機的閃光燈模組中。
暫時膠帶191包含藍膜、散熱片/膠、光解膠膜(UV release tape)或聚苯二甲酸乙二酯(PET)用以在製作過程中時暫時固定發光二極體或發光裝置。光穿透結構13包含藍寶石、碳化矽、氧化鋅、氮化鎵、矽、玻璃、石英、或陶瓷材料(例如：氮化鋁或氧化鋁)。
以上所述之實施例僅係為說明本發明之技術思想及特點，其目的在使熟習此項技藝之人士能夠瞭解本發明之內容並據以實施，當不能以之限定本發明之專利範圍，即大凡依本發明所揭示之精神所作之均等變化或修飾，仍應涵蓋在本發明之專利範圍內。
100‧‧‧發光裝置
101~104‧‧‧側壁
11‧‧‧發光二極體
12‧‧‧波長轉換結構
15‧‧‧絕緣結構
1412B、1422A、1422B‧‧‧突出部
19‧‧‧反射壁

Claims (10)

  1. 一種發光裝置，其具有一第一最外側壁及一第二最外側壁，該發光裝置包含：一發光二極體，具有一電極墊及一側表面，其中該電極墊具有一底面；一絕緣結構具有一最外側壁，且一部分之該絕緣結構形成在該底面上；以及一電極，具有一區塊與該電極墊電連接且延伸超出該側表面，一第一突出部自該區塊延伸至與該第一最外側壁齊平，及一第二突出部自該區塊延伸至與該第二最外側壁齊平，其中，該區塊、該第一突出部及該第二突出部皆形成於該電極墊上，且該第一最外側壁與該第二最外側壁彼此不平行。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中，該第一突出部窄於該區塊。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，更包含一反射壁，於一方向上與該第一突出部重疊。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中，該電極墊未與該第一突出部重疊。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中，該電極包含第一層及一第二層，該第二層包覆該第一層並接觸該絕緣結構。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中，該第一突出部具有一不小於10μm的寬度。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該電極墊與該電極直接相連。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中，該第一突出部與該第二突出部係往相反方向延伸。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，更包含一波長轉換結構包覆該發光二極體。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之發光裝置，其中，該區塊與該波長轉換結構於一方向上重疊。
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