JP6817451B2 - 量子構造発光モジュール - Google Patents

量子構造発光モジュール Download PDF

Info

Publication number
JP6817451B2
JP6817451B2 JP2019535994A JP2019535994A JP6817451B2 JP 6817451 B2 JP6817451 B2 JP 6817451B2 JP 2019535994 A JP2019535994 A JP 2019535994A JP 2019535994 A JP2019535994 A JP 2019535994A JP 6817451 B2 JP6817451 B2 JP 6817451B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
quantum structure
substrate
emitting module
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2019535994A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2019534543A (ja
Inventor
タン,シィ−チェ
ルゥ,イン−ツン
ウ,シェン−ツン
リー,ワン−シャン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sic Technology Co Ltd
Sic Technology CoLtd
Efun Technology Co Ltd
Original Assignee
Sic Technology Co Ltd
Sic Technology CoLtd
Efun Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from TW105129771A external-priority patent/TWI689111B/zh
Application filed by Sic Technology Co Ltd, Sic Technology CoLtd, Efun Technology Co Ltd filed Critical Sic Technology Co Ltd
Publication of JP2019534543A publication Critical patent/JP2019534543A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6817451B2 publication Critical patent/JP6817451B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502Wavelength conversion materials
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/61Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing fluorine, chlorine, bromine, iodine or unspecified halogen elements
    • C09K11/617Silicates
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/02Optical fibres with cladding with or without a coating
    • G02B6/0229Optical fibres with cladding with or without a coating characterised by nanostructures, i.e. structures of size less than 100 nm, e.g. quantum dots
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336Illuminating devices
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336Illuminating devices
    • G02F1/133602Direct backlight
    • G02F1/133603Direct backlight with LEDs
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336Illuminating devices
    • G02F1/133615Edge-illuminating devices, i.e. illuminating from the side
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/505Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/507Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0066Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form characterised by the light source being coupled to the light guide
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336Illuminating devices
    • G02F1/133602Direct backlight
    • G02F1/133606Direct backlight including a specially adapted diffusing, scattering or light controlling members
    • G02F1/133607Direct backlight including a specially adapted diffusing, scattering or light controlling members the light controlling member including light directing or refracting elements, e.g. prisms or lenses
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336Illuminating devices
    • G02F1/133614Illuminating devices using photoluminescence, e.g. phosphors illuminated by UV or blue light
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Planar Illumination Modules (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Optical Filters (AREA)

Description

本発明は、量子構造発光モジュールに関し、特にハロゲン化セシウム鉛及びハロゲン化有機アンモニウム鉛のいずれか一種で作成された多重量子構造を備えた量子構造発光モジュールに関する。
従来の量子構造発光モジュールは、発光ユニットと、複数の量子ドットを具えた量子構造薄膜と、を備えている。前記発光ユニットは、第1の光を発して、前記量子構造薄膜を励起して第2の光を発光させ、そこで該第2の光は前記第1の光と混合して所望の出力光を形成する。例えば、青の発光ユニットが青い光を発し、前記量子ドットを励起して赤い光と緑の光を発光させ、それらは前記青い光と混合して白い光を形成する。前記量子ドットの光反応の性質は、それらの量子ドットのサイズまたは材料を変更することで調整できる。
前記量子構造発光モジュールは、表示装置のバックライトモジュールに使用されることができる。前記量子構造発光モジュールを備えた前記表示装置は、上質の色レベルと、色度と、色域と、彩度とを有する。
従来、カドミウムを含んだ半導体材料、例えば硫化カドミウムや、セレン化カドミウムや、テルル化カドミウムなどが、量子ドットを製造するために広く使われている。しかしながら、カドミウムを含んだ半導体材料の毒性によって、科学者は、例えばCsPbXなど別の材料を求めるようになっており、ここでXは、フッ素、臭素、ヨウ素、またはそれらの組み合わせであってもよい。量子ドットにより発した光は、フッ素と臭素とヨウ素との比例を変えること、またはそれらの量子ドットのサイズを変えることで変更できる。青の発光ユニットは、CsPbXの量子ドットを励起して赤い光及び緑の光を得るためによく使われている。しかしながら、このような励起機構には、赤の光量が不足して、該表示装置の色域を低下させてしまう問題点がある。
そこで、本発明の目的は、従来技術の少なくとも1つの欠点を解消できる量子構造発光モジュールを提供することにある。
本開示の1つの態様によれば、量子構造発光モジュールは、量子構造薄膜と、発光ユニットとを備えている。
前記量子構造薄膜は、第1の基板と、第2の基板と、励起レイヤーとを具えている。前記第1の基板は、第1の表面及び前記第1の表面とは反対の入射面とを有する。前記第2の基板は、前記第1の基板から離間すると共に、該第1の基板の前記第1の表面に面する第2の表面と、前記第2の表面とは反対の出光面とを有する。前記励起レイヤーは、前記第1の基板の前記第1の表面と前記第2の基板の前記第2の表面との間に設置されると共に、複数の量子構造を有する。前記量子構造は、量子ドット及び量子ロッドのいずれか一方であり、且つハロゲン化セシウム鉛及びハロゲン化有機アンモニウム鉛のいずれか一方で作成されるものである。
前記発光ユニットは、前記量子構造薄膜から離間すると共に、青い光を発する第1の発光素子と赤い光を発する第2の発光素子とを有する。
前記第1の発光素子から発する青い光及び前記第2の発光素子から発する赤い光は、前記第1の基板を通過して前記励起レイヤーに進入する。該青い光は前記量子構造を励起して緑の光を発光させる。前記赤い光と前記青い光と前記緑の光とは混合されて前記第2の基板の前記出光面から出る。
本発明の他の特徴および利点は、添付の図面を参照する以下の実施形態の詳細な説明において明白になるであろう。
本開示に係る量子構造発光モジュールの第1の実施形態を示す一部側面断面図である。 本開示に係る量子構造発光モジュールの第2の実施形態を示す一部側面断面図である。 本開示に係る量子構造発光モジュールの第3の実施形態を示す一部側面断面図である。 本開示に係る量子構造発光モジュールの第3の実施形態の一部概略図であり、発光ユニットと光案内板との相対位置を示す一部側面概念図である。 本開示に係る量子構造発光モジュールの第4の実施形態を示す一部側面断面図である。
本発明をより詳細に説明する前に、適切と考えられる場合において、符号又は符号の末端部は、同様の特性を有し得る対応の又は類似の要素を示すために各図面間で繰り返し用いられることに留意されたい。
図1を参照すると、本開示に係る量子構造発光モジュールの第1の実施形態は、量子構造薄膜10と、発光ユニット4とを備えている。本開示に係る量子構造発光モジュールは、表示装置(図示せず)に使用されることができる。
量子構造薄膜10は、第1の基板1と、第2の基板2と、励起レイヤー3とを具えている。第1の基板1は、第1の表面11、及び該第1の表面11とは反対の入射面12とを有する。第2の基板2は、第1の基板1から離間すると共に、該第1の基板1の第1の表面11に面する第2の表面21と、該第2の表面とは反対の出光面22とを有する。第1の基板1と第2の基板2はそれぞれ、ポリエチレンテレフタレート、環状オレフィン共重合体、ポリイミド、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、またはそれらの組み合わせで作成されたものである。
励起レイヤー3は、第1の基板1の第1の表面11と第2の基板2の第2の表面21との間に設置されると共に、本体32と、該本体32内に分布される複数の量子構造31を有する。各量子構造31は、青い光に励起されて緑の光を発することができる。各量子構造31は、量子ドット及び量子ロッドのいずれか一方である。各量子構造31が量子ドットである場合、各量子構造31はそれぞれ9nm〜13nmの範囲の寸法を有するので、それらの量子構造31により発する緑の光は原色に近く、前記表示装置は上質の色域を有するようになる。各量子構造31は、ハロゲン化セシウム鉛及びハロゲン化有機アンモニウム鉛のいずれか一方で作成されるものである。本実施形態において、ハロゲン化セシウム鉛はCsPbBrであり、そしてハロゲン化有機アンモニウム鉛はCHNHPbBrである。上記のペロブスカイト材料を利用することで、各量子構造31は、カドミウムを含まず、環境に優しいものとなる。
ある実施形態において、第1の基板1と第2の基板2とのそれぞれの表面には、水分が第1の基板1と第2の基板2とを浸透して励起レイヤー3に影響を与えてしまうことを防止できる、耐水薄膜が形成されてもよい。
励起レイヤー3を製造する際、各量子構造31は、所望の寸法を有する量子構造31になるよう、所定の時間において、所定の濃度があるオレイン酸の溶液、またはオレイルアミンの溶液に浸漬される。前記オレイン酸の溶液、または前記オレイルアミンの溶液は、各量子構造31による光の安定性をも向上させてくれる。その後、処理を経た各量子構造31は、コロイド系中に分布され、該コロイド系は、光伝導可能な樹脂で作成されることができ、そして光ホモジナイザーとして機能できる。それから量子構造31を有する前記コロイド系は、第1の基板1の第1の表面11、または第2の基板2の第2の表面21に塗布されて、それらの量子構造31が分布する本体32を形成してもよい。実際の需要に基づいて、励起レイヤー3は、バンドギャップを変更して量子構造31の不良率を減らすことで該励起レイヤー3の光効率を向上させるべく、焼きなましを受けてもよい。
発光ユニット4は、量子構造薄膜10から離間すると共に、回路基板43を具えている。更に発光ユニット4は、回路基板43上に交互配置されている、複数の第1の発光素子41と複数の第2の発光素子42とを有する。各第1の発光素子41は、青い光を発することが可能な青の発光ダイオートであってもよい。各第2の発光素子42は、赤い光を発することが可能な赤の発光ダイオートであってもよい。ある実施形態において、各第2の発光素子42は、フルオロケイ酸カリウム蛍光体を含んでもよい。具体的には、各第2の発光素子42は、KSiF:Mn4+蛍光体を具えてもよく、これにより第2の発光素子42は、狭い半値全幅、高エネルギーを有する赤い光を発することができ、前記表示装置の色域を改良できる。
第1の発光素子41から発する青い光及び第2の発光素子42から発する赤い光は、第1の基板1を通過して励起レイヤー3に進入する。該青い光は、量子構造31を励起して緑の光を発光させる。前記赤い光と前記青い光と前記緑の光とは、混合されて第2の基板2の出光面22から出る。前記緑の光は、520nm〜540nmの範囲の主波長を有することができる。
図2を参照すると、本開示に係る量子構造発光モジュールの第2の実施形態は、前記第1の実施形態から変更された構造を有する。第2の実施形態において、第1の基板1は、入射面12上に形成される複数の第1の微細構造13を更に有しており、そして第2の基板2は、出光面22上に形成される複数の第2の微細構造23を更に有する。第1の微細構造13と第2の微細構造23は、該第2の実施形態の光拡散及び光均質化を改善でき、そしてポリ(メチルメタクリレート)、ポリウレタン、シリコーン、またはそれらの組み合わせにより作成されてもよい。各第1の微細構造13及び各第2の微細構造23の形状は、同じであっても、互いに異なってもよく、そして錐形、半円形、六角形、もしくは不規則であってもよい。第1の微細構造13は、入射光を屈折させることで、励起レイヤー3内において青い光の光学経路の数量を増やして、より効率的に量子構造31を励起するので、該表示装置には改良された色域や彩度を得られる。第2の微細構造23は、射出光の全反射を解消することで、第2の実施形態の光抽出効率を向上させる。
前記第1の実施形態及び前記第2の実施形態の設計は、直接式(Direct−lit)として知られており、第1の発光素子41と第2の発光素子42は、第1の基板1の入射面12に面していることに留意されたい。図3と図4を参照すると、本開示に係る量子構造発光モジュールの第3の実施形態は、前記第1の実施形態から変更された構造を有する。第3の実施形態は、エッジ式(Edge−lit)の設計であり、そして第1の基板1の入射面12側に設置される光案内板5を更に備えている。光案内板5は、第1の基板1の入射面12に面する出光光案内面51と、出光光案内面51とは反対の反射光案内面52と、出光光案内面51と反射光案内面52を交互接続する入射光案内面53と、を有する。反射光案内面52には、ドットアレイ構造が形成されてもよく、光反射可能になっている。本実施形態において、第1の発光素子41及び第2の発光素子42は、光案内板5の入射光案内面53の長手側に沿って交互配置され(図4を参照)、そして入射光案内面53に面している。各第1の発光素子41により発する青い光と、各第2の発光素子42により発する赤い光とは、光案内板5の入射光案内面53を通過し、反射光案内面52によって出光光案内面51に向けられ、そして該出光光案内面51から出て量子構造薄膜10の第1の基板1の入射面12に向かうことになる。
図5を参照すると、本開示に係る量子構造発光モジュールの第4の実施形態は、前記第1の実施形態から変更された構造を有する。第4の実施形態において、量子構造薄膜10は、第1の基板1と励起レイヤー3との間、及び、第2の基板2と励起レイヤー3との間にそれぞれ設置される、2つの耐水ユニット6を更に具えている。各耐水ユニット6は、耐水レイヤー61と、結合レイヤー62とを具えている。
各耐水ユニット6の耐水レイヤー61は、第1の基板1の第1の表面11と、第2の基板2の第2の表面21とにそれぞれ形成されている。各耐水ユニット6の耐水レイヤー61は、有機材料及び無機材料で作成され、且つ不透水である。前記有機材料は、ヘキサメチルジシロキサンであってもよい。前記無機材料は、窒化金属と、酸化金属と、窒素酸化金属とのいずれか一種であってもよい。各耐水ユニット6の耐水レイヤー61は、5nm〜200nmの範囲の厚さを有し、そして水分が第1の基板1と第2の基板2とを浸透して励起レイヤー3に影響を与えてしまうことを防止できる。
各耐水ユニット6の結合レイヤー62は、その耐水ユニット6の耐水レイヤー61と励起レイヤー3との間に設置され、且つ有機材料で作成されるものである。ある実施形態において、各耐水ユニット6の結合レイヤー62は、メチルメタクリレート、エポキシメタクリレート、エポキシアクリレート、ジメタクリル酸ビスフェノールAエトキシレート、ジアクリル酸ヘキサンジオール、ビスフェノールAエポキシアクリレート、またはそれらの組み合わせにより作成されるものである。各耐水ユニット6の結合レイヤー62は、各耐水ユニット6の耐水レイヤー61と励起レイヤー3との間の粘着度を増加させると共に、水分が第1の基板1及び第2の基板2を浸透することも防止できるよう機能する。各耐水ユニット6の結合レイヤー62は、約1μmの厚さを有する。
各耐水ユニット6の結合レイヤー62は、塗布と熱硬化により形成されたものである。各耐水ユニット6の耐水レイヤー61は、スパッタリング技術で形成されたものである。なお、スパッタリングの途中、前記有機材料と前記無機材料との間で形成した結合は、各耐水レイヤー61に亀裂が生じ難くなるよう確保できるので、上質な耐水性が提供される。
水分は、該量子構造発光モジュールの耐用年数に悪影響を及ぼす恐れがある。水分中に長く曝されると、励起レイヤー3の効率は、亀裂により低減してしまう恐れがある。各耐水ユニット6の耐水レイヤー61及び結合レイヤー62は、励起レイヤー3にしっかり取り付けられているだけではなく、その励起レイヤー3に耐水性をもたらすことになる。また、各耐水ユニット6の全体的厚さは、該量子構造発光モジュールの体積が増え過ぎないよう、制御されている。
実際の需要に基づいて、各耐水ユニット6のうちの1つは省略されてもよいことに留意されたい。各耐水ユニット6は、前記第2の実施形態に適用されてもよく、そこで各耐水ユニット6は、各第1の微細構造13と励起レイヤー3との間、及び、各第2の微細構造23と励起レイヤー3との間とにそれぞれ設置されてもよい。
総括すると、本開示の量子構造発光モジュールは、第1の発光素子41により発する青い光を利用して、量子構造31を励起して緑の光を発光させる。前記青い光及び前記緑の光は、前記第2の発光素子42により発する赤い光と混合されて、白い光を生成する。従来の量子構造発光モジュールは、青い光の励起を利用して赤い光を生成する。本開示の量子構造発光モジュールは、より強い赤の光強度を有するので、該量子構造発光モジュールを備えた前記表示装置には、上質な色域や、彩度や、白の光強度を有する。各第2の発光素子42がKSiF:Mn4+蛍光体を具えた場合、前記表示装置の色域及び彩度は更に向上する。
上記においては、本発明の全体的な理解を促すべく、多くの具体的な詳細が示された。しかしながら、当業者であれば、一またはそれ以上の他の実施形態が具体的な詳細を示さなくとも実施され得ることが明らかである。また、本明細書における「一つの実施形態」「一実施形態」を示す説明において、序数などの表示を伴う説明は全て、特定の態様、構造、特徴を有する本発明の具体的な実施に含まれ得るものであることと理解されたい。更に、本説明において、時には複数の変化例が一つの実施形態、図面、またはこれらの説明に組み込まれているが、これは本説明を合理化させるためのもので、また、本発明の多面性が理解されることを目的としたものである。
以上、本発明の好ましい実施形態及び変化例を説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、最も広い解釈の精神および範囲内に含まれる様々な構成として、全ての修飾および均等な構成を包含するものとする。

Claims (17)

  1. 量子構造薄膜と、発光ユニットとを備え、
    前記量子構造薄膜は、
    第1の表面と、前記第1の表面とは反対の入射面と、前記入射面に形成された複数の第1の微細構造とを有する第1の基板であって、前記第1の微細構造の各々は、ポリ(メチルメタクリレート)、ポリウレタン、シリコーン、及びそれらの組み合わせから選択された材料により形成されている、第1の基板と、
    前記第1の基板から離間すると共に、該第1の基板の前記第1の表面に面する第2の表面と、前記第2の表面とは反対の出光面とを有する第2の基板と、
    前記第1の基板の前記第1の表面と前記第2の基板の前記第2の表面との間に設置されると共に、複数の量子構造を有する励起レイヤーであって、前記量子構造は、各々が9nm〜13nmの範囲の寸法を有する量子ドットであり、且つハロゲン化セシウム鉛及びハロゲン化有機アンモニウム鉛のいずれか一方で作成されものである、励起レイヤーと、
    を含んでおり、
    前記発光ユニットは、前記量子構造薄膜から隙間を空けて離間すると共に、青い光を発する第1の発光素子と赤い光を発する第2の発光素子とを有しており、
    前記第1の発光素子から発する青い光及び前記第2の発光素子から発する赤い光は、前記第1の基板を通過して前記励起レイヤーに進入し、該青い光は前記量子構造を励起して緑の光を発光させ、前記赤い光と前記青い光と前記緑の光とは混合されて前記第2の基板の前記出光面から出る、量子構造発光モジュール。
  2. 前記ハロゲン化セシウム鉛は、CsPbBrであり、
    前記ハロゲン化有機アンモニウム鉛は、CHNHPbBrである、請求項1に記載の量子構造発光モジュール。
  3. 前記第2の発光素子は、フルオロケイ酸カリウム蛍光体を含む赤の発光ダイオードである、請求項1に記載の量子構造発光モジュール。
  4. 前記量子構造により発する前記緑の光は、520nm〜540nmの範囲の主波長を有するものである、請求項に記載の量子構造発光モジュール。
  5. 前記第2の基板は、前記出光面上に形成される複数の第2の微細構造を更に有する、請求項に記載の量子構造発光モジュール。
  6. 前記第1の発光素子と前記第2の発光素子は、前記第1の基板の前記入射面に面する、請求項1に記載の量子構造発光モジュール。
  7. 前記第1の基板の前記入射面側に設置される光案内板を更に備えており、
    前記光案内板は、
    前記第1の基板の前記入射面に面する出光光案内面と、
    前記出光光案内面とは反対の反射光案内面と、
    前記出光光案内面と前記反射光案内面を交互接続する入射光案内面と、
    を有しており、
    前記第1の発光素子と前記第2の発光素子は、前記入射光案内面に面する、請求項1に記載の量子構造発光モジュール。
  8. 前記量子構造薄膜は、前記第1の基板と前記励起レイヤーとの間及び前記第2の基板と前記励起レイヤーとの間のいずれか一方に設置される、少なくとも1つの耐水ユニットを更に具えており、
    前記耐水ユニットは、有機材料及び無機材料で作成され且つ不透水の耐水レイヤーを具えている、請求項1に記載の量子構造発光モジュール。
  9. 前記耐水レイヤーの前記有機材料は、ヘキサメチルジシロキサンであり、
    前記耐水レイヤーの前記無機材料は、窒化金属酸化金属、及び窒素酸化金属のうちのいずれかである、請求項に記載の量子構造発光モジュール。
  10. 前記耐水ユニットは、5nm〜200nmの範囲の厚さを有する、請求項に記載の量子構造発光モジュール。
  11. 前記耐水ユニットは、前記耐水レイヤーと前記励起レイヤーとの間に設置され且つ有機材料で作成される結合レイヤーを更に具えている、請求項に記載の量子構造発光モジュール。
  12. 前記結合レイヤーは、メチルメタクリレート、エポキシメタクリレート、エポキシアクリレート、ジメタクリル酸ビスフェノールAエトキシレート、ジアクリル酸ヘキサンジオール、ビスフェノールAエポキシアクリレート、またはそれらの組み合わせにより作成されるものである、請求項11に記載の量子構造発光モジュール。
  13. 前記量子構造薄膜は、前記第1の基板と前記励起レイヤーとの間、及び、前記第2の基板と前記励起レイヤーとの間にそれぞれ設置される2つの耐水ユニットを更に具えており、
    記耐水ユニットの各々は、有機材料及び無機材料で作成され且つ不透水の耐水レイヤーを具えている、請求項1に記載の量子構造発光モジュール。
  14. 記耐水ユニット各々の前記耐水レイヤーの前記有機材料は、ヘキサメチルジシロキサンであり、
    記耐水ユニット各々の前記耐水レイヤーの前記無機材料は、窒化金属と酸化金属と窒素酸化金属のうちのいずれかである、請求項13に記載の量子構造発光モジュール。
  15. 記耐水ユニット各々の前記耐水レイヤーは、5nm〜200nmの範囲の厚さを有する、請求項13に記載の量子構造発光モジュール。
  16. 記耐水ユニット各々、前記耐水ユニットの前記耐水レイヤーと前記励起レイヤーとの間に設置され且つ有機材料で作成される結合レイヤーを更に具えている、請求項13に記載の量子構造発光モジュール。
  17. 記耐水ユニット各々の前記結合レイヤーは、メチルメタクリレート、エポキシメタクリレート、エポキシアクリレート、ジメタクリル酸ビスフェノールAエトキシレート、ジアクリル酸ヘキサンジオール、ビスフェノールAエポキシアクリレート、またはそれらの組み合わせにより作成されるものである、請求項16に記載の量子構造発光モジュール。
JP2019535994A 2016-09-13 2017-08-14 量子構造発光モジュール Active JP6817451B2 (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW105129771A TWI689111B (zh) 2016-09-13 2016-09-13 量子點薄膜及其製造方法
TW105129771 2016-09-13
TW105137238 2016-11-15
TW105137238 2016-11-15
PCT/IB2017/054934 WO2018051199A1 (en) 2016-09-13 2017-08-14 Quantum structure light-emitting module

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019534543A JP2019534543A (ja) 2019-11-28
JP6817451B2 true JP6817451B2 (ja) 2021-01-20

Family

ID=61618651

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019535994A Active JP6817451B2 (ja) 2016-09-13 2017-08-14 量子構造発光モジュール

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20190221721A1 (ja)
JP (1) JP6817451B2 (ja)
KR (1) KR20190055140A (ja)
DE (1) DE112017004597B4 (ja)
WO (1) WO2018051199A1 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11898744B2 (en) * 2016-09-13 2024-02-13 Sic Technology Co. Ltd Quantum structure thin film and quantum structure light-emitting module including the same
CN110975919B (zh) * 2019-12-25 2021-06-01 福州大学 一种氮掺杂碳量子点原位生长脱硝抗硫催化剂及其制备方法
CN112542537B (zh) * 2020-12-02 2022-10-04 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种量子点膜层、背光模组及其制备方法
CN113488577A (zh) * 2021-06-25 2021-10-08 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008117879A (ja) 2006-11-02 2008-05-22 Harison Toshiba Lighting Corp 平面発光装置
CN101358717A (zh) * 2008-09-10 2009-02-04 深圳市中电淼浩固体光源有限公司 一种使用白色led光源的lcd背光***
KR101577300B1 (ko) * 2008-10-28 2015-12-15 삼성디스플레이 주식회사 양자점을 이용한 백색광 발광다이오드 구조 및 이를 포함하는 백라이트 어셈블리
KR101961931B1 (ko) * 2011-12-20 2019-03-26 미래나노텍(주) 조명용 광학부재 및 이를 이용하는 조명장치
KR101426448B1 (ko) * 2012-11-09 2014-08-05 주식회사 엘엠에스 나노 복합체, 이를 포함하는 광학 부재 및 백라이트 유닛
US9580648B2 (en) * 2013-03-15 2017-02-28 General Electric Company Color stable red-emitting phosphors
CN103292225A (zh) * 2013-06-28 2013-09-11 深圳市华星光电技术有限公司 一种led背光光源
JP6230974B2 (ja) * 2013-08-26 2017-11-15 富士フイルム株式会社 光変換部材、バックライトユニット、および液晶表示装置、ならびに光変換部材の製造方法
CN104421754A (zh) * 2013-08-27 2015-03-18 信利半导体有限公司 Led光源及包括该led光源的背光源、液晶显示器
KR102116823B1 (ko) * 2013-09-13 2020-06-01 삼성디스플레이 주식회사 광원, 그것의 제조 방법, 및 그것을 포함하는 백라이트 유닛
KR20160042226A (ko) * 2014-10-07 2016-04-19 엘지디스플레이 주식회사 백라이트 유닛 및 이를 구비한 액정표시장치
CN104388089B (zh) * 2014-11-04 2017-06-06 深圳Tcl新技术有限公司 一种杂化钙钛矿量子点材料的制备方法
EP3343279A3 (en) * 2015-01-13 2018-07-25 Samsung Display Co., Ltd Display device
US10217904B2 (en) 2015-02-03 2019-02-26 Epistar Corporation Light-emitting device with metallized mounting support structure
CN104861958B (zh) * 2015-05-14 2017-02-15 北京理工大学 一种钙钛矿/聚合物复合发光材料及其制备方法
CN106907578A (zh) * 2015-12-22 2017-06-30 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 照明装置

Also Published As

Publication number Publication date
DE112017004597B4 (de) 2022-06-30
JP2019534543A (ja) 2019-11-28
KR20190055140A (ko) 2019-05-22
US20190221721A1 (en) 2019-07-18
WO2018051199A1 (en) 2018-03-22
DE112017004597T5 (de) 2019-08-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6817451B2 (ja) 量子構造発光モジュール
JP6532179B2 (ja) 照明装置、表示装置、及びテレビ受信装置
JP6374087B2 (ja) 照明装置、表示装置、及びテレビ受信装置
US10203547B2 (en) Quantum dot light emitting device, backlight module, and liquid crystal display device
US20100246160A1 (en) Illumination apparatus, display apparatus, and metod of producing an illumination
EP3649399B1 (en) Lighting device comprising a light source and a luminescent element comprising an elongated light transmissive body
JP2011504641A5 (ja)
US20150369993A1 (en) Backlight assembly and display device having the same
CN104483778A (zh) 发光装置、背光模组及液晶显示装置
JP2011187285A (ja) 発光装置
JP2008117879A (ja) 平面発光装置
KR20170016815A (ko) 발광 디바이스
KR102104526B1 (ko) 양자점 필름 및 이를 포함하는 표시장치
JP2015035336A (ja) 直下型光源装置
WO2013105465A1 (ja) 線状光源装置、面発光装置、および液晶表示装置
JP2015050148A (ja) 車両用灯具
US20170067603A1 (en) Optical film and lighting module including the same
JP2017142381A (ja) 波長変換部材、光変換導光ユニット、光源装置及び表示装置
US20210167310A1 (en) Quantum dot film, color filter layer and display device
TWI677996B (zh) 量子結構發光模組
US20210405443A1 (en) Optical conversion structure and display device
JP2017069188A (ja) ローカルディミングが可能なバックライトユニット
US11898744B2 (en) Quantum structure thin film and quantum structure light-emitting module including the same
JP5894018B2 (ja) 蛍光体発光部、発光装置および蛍光体発光部の製造方法
JP2013069424A (ja) 線状光源装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190508

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20200519

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200602

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20200831

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20201027

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20201201

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20201224

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6817451

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250