TWI727550B

TWI727550B - 光學識別模組

Info

Publication number: TWI727550B
Application number: TW108145688A
Authority: TW
Inventors: 李仲仁; 鍾建屏
Original assignee: 大陸商廣州印芯半導體技術有限公司
Priority date: 2019-12-13
Filing date: 2019-12-13
Publication date: 2021-05-11
Also published as: TW202123072A

Abstract

一種光學識別模組，其包括半導體基底、多個屏蔽層以及微透鏡。半導體基底具有至少一感測區。這些屏蔽層設置在半導體基底上方，其中各屏蔽層具有至少一開口，且這些屏蔽層的多個開口形成至少一光通孔，以使外界的光經由光通孔傾斜導引至感測區。各開口於半導體基底上的正投影位置與感測區具有一平行於半導體基底的位移。微透鏡設置在這些屏蔽層中最遠離半導體基底的屏蔽層所具有的開口上，以使外界的光傾斜導引至感測區。

Description

光學識別模組

本發明是有關於一種光學模組，且特別是有關於一種光學識別模組。

隨著物聯網技術的蓬勃發展，生物辨識技術的應用及需求因此迅速擴張。目前市面上常見的生物辨識技術主要是利用光學、電容或超音波等方式識別指紋、掌紋、靜脈分佈、虹膜、視網膜或臉部特徵等生物特徵，藉此達到身分辨識或認證的目的。相較於以電容或超音波方式識別生物特徵的識別模組，以光學方式識別生物特徵的光學識別模組藉由影像感測器的感測區接收被待測物反射的光，以進行生物特徵的識別，因此具有耐用度高且成本低廉的優勢。然而，被待測物反射的光束容易散亂地傳遞至感測區，而造成取像品質不佳，影響識別結果。此外，屏下式光學識別模組的檢測光源（通常為有機發光二極體面板的發光畫素）所發出的光會有一大部分往正下方照射，而使得畫素正下方的感測區大量接收到此與指紋無關的光而形成較大的雜訊，而進而影響識別的結果。

本發明提供一種光學識別模組，其具有良好的辨識能力。

本發明的光學識別模組包括半導體基底、多個屏蔽層以及微透鏡。半導體基底具有至少一感測區。這些屏蔽層設置在半導體基底上方，其中各屏蔽層具有至少一開口，且這些屏蔽層的多個開口形成至少一光通孔，以使外界的光經由該至少一光通孔傾斜傳遞至此至少一感測區。各開口於半導體基底上的正投影位置與此至少一感測區具有一平行於半導體基底的位移。微透鏡設置在這些屏蔽層中最遠離半導體基底的屏蔽層所具有的開口上，以將外界的光經由此至少一光通孔傾斜導引至此至少一感測區。

在本發明的一實施例中，微透鏡將來自手指的指紋脊線反射的相對半導體基板傾斜的斜向光傾斜導引至此至少一感測區，將非指紋脊線反射的光導引至此至少一感測區之外。

在本發明的一實施例中，多個屏蔽層的多個開口於半導體基板上的正投影沿著一排列方向依序排列，且排列方向與半導體基板的表面平行。

在本發明的一實施例中，光通孔的延伸方向與半導體基版之間具有一夾角，且夾角不等於90度。

在本發明的一實施例中，微透鏡一邊的平均切線斜率大於另一邊的平均切線斜率。

在本發明的一實施例中，微透鏡呈鏡像對稱。

在本發明的一實施例中，微透鏡於半導體基底上的正投影與多個屏蔽層的至少其中之一重疊。

在本發明的一實施例中，至少一感測區為多個感測區，且微透鏡的中心於半導體基底上的正投影位於這些感測區之間。

在本發明的一實施例中，多個屏蔽層的材質為金屬。

在本發明的一實施例中，多個屏蔽層是藉由積體電路的一金屬內連線而形成。

在本發明的一實施例中，光學識別模組還包括反射層，設置於半導體基底的頂面上，反射層具有至少一針孔，針孔在半導體基底上的正投影與至少一感測區重疊。

在本發明的一實施例中，反射層的針孔與多個屏蔽層中最接近半導體基底的屏蔽層的開口於半導體基底上的正投影彼此重疊。

在本發明的一實施例中，上述反射層的針孔的尺寸小於感測區的尺寸。

在本發明的一實施例中，上述的光學識別模組更包括多個介電層，其中各介電層分別位於其中二屏蔽層之間。

基於上述，本發明的實施例的光學識別模組中，利用多個屏蔽層及微透鏡以將外界的光傾斜導引至感測區，以有效改善光學干擾(crosstalk)、達到光學降噪並提升影像解析度，也可避免檢測光源所發出的朝向正下方傳遞的強光影響識別結果。因此，本發明的實施例的光學識別模組可具有良好的辨識能力。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

在圖式中，各圖式繪示的是特定示範實施例中所使用的方法、結構及/或材料的通常性特徵。然而，所述圖式並不侷限於下列實施例的結構或特徵，且這些圖式不應被解釋為界定或限制由這些示範實施例所涵蓋的範圍或性質。舉例來說，為了清楚起見，各膜層、區域及/或結構的相對厚度及位置可能縮小或放大。

在各圖式中使用相似或相同的元件符號傾向於標示相似或相同元件或特徵的存在。圖式中的相似元件符號標示相似的元件並且將省略其贅述。

下列實施例所列舉的光學識別模組適於擷取待測物的生物特徵。待測物可為手指或手掌。對應地，生物特徵可為指紋、靜脈或掌紋，但不以此為限。

圖1是依照本發明的一實施例的光學識別模組的剖面示意圖。請參照圖1，本實施例的光學識別模組100包括半導體基底110、多個屏蔽層120以及微透鏡L1。

半導體基底110具有至少一感測區R，所述至少一感測區R為半導體基底110中的收光區域，適於接收被待測物(例如手指)反射的光(即外界的光IL，其帶有生物特徵資訊)。舉例來說，一個感測區R可為電荷耦合元件(Charge Coupled Device, CCD)、互補式金屬氧化物半導體元件(Complementary Metal-Oxide Semiconductor, CMOS)或其他適當種類的影像感測器的一個像素或數個像素，而在本實施例中半導體基板110上具有排成二維陣列的感測區R（例如排成陣列的像素）。

這些屏蔽層120設置在半導體基底110上方。進一步而言，其中各屏蔽層120具有至少一開口OP，且這些屏蔽層120的多個開口OP形成至少一光通孔TH，以使外界的光IL經由至少一光通孔TH傾斜傳遞至此至少一感測區R，如圖1所示，光通孔TH可導引外界小部分朝向正下方傳遞的光及外界大部分的斜向光，然而在其它實施例中，也可以都導引斜向光，其中每個開口OP於半導體基底110上的正投影位置與至少一感測區R具有一平行於半導體基底110的位移，藉此改善光學干擾、達到光學降噪並提升影像解析度同時也可避免檢測光源所發出的朝向正下方傳遞的強光影響識別結果。另一方面，在本實施例中，這些屏蔽層120是藉由光學識別模組100的一金屬內連線而形成。換言之，在本實施例中，這些屏蔽層120的材質為金屬（如：銅、鎢或鋁等金屬），但本發明不以此為限。在另一實施例中，這些屏蔽層120亦可由光學識別模組100中其他的結構（如：黑光阻）而形成，本發明皆不以此為限。

微透鏡L1設置在這些屏蔽層120中最遠離半導體基底110的屏蔽層120（即圖1中最上方的屏蔽層120）所具有的開口OP上，以將外界的光IL經由此至少一光通孔TH傾斜導引至此至少一感測區R，如圖1所示，可以導引小部分朝向正下方傳遞的光、大部分斜向光，然而在其它實施例中，也可以都導引斜向光。如此一來，便能使至少一感測區R讀取並辨識外界光線所攜帶的影像資訊。

如圖1所示，在本實施例中，光學識別模組100還包括多個介電層DL，且各介電層DL分別位於相鄰二屏蔽層120之間，或者是覆蓋屏蔽層120。

如圖1所示，在本實施例中，這些屏蔽層120的這些開口OP於半導體基板110上的正投影沿著一排列方向D1（如圖1的水平方向）依序排列，且排列方向D1與半導體基板110的表面平行，因此，這些開口OP能形成至少一光通孔TH。如此，在本實施例中，至少一光通孔TH的延伸方向會與半導體基板110之間具有一夾角，且夾角不等於90度。如此一來，便能使外界的光IL經由至少一光通孔TH傾斜傳遞至此至少一感測區R，藉此改善光學干擾、達到光學降噪並提升影像解析度，也可避免檢測光源所發出的朝向正下方傳遞的強光影響識別結果。

在本實施例中，微透鏡L1一邊的平均切線斜率大於另一邊的平均切線斜率（例如圖1中微透鏡L1的左邊較為陡峭，而右邊較為平緩），以更有效率的會聚光束並傾斜引導外界的光IL至此至少一感測區R，進而能使此至少一感測區R能讀取並更清晰的辨識外界光線中的影像資訊。

圖2是依照本發明一實施例的電子裝置的剖面示意圖。請參照圖2，本實施例的電子裝置ED包括如圖1的光學識別模組100、保護玻璃CG、顯示面板的基板DP以及基板DP上的有機發光二極體（organic light-emitting diode）50。如圖2所示(光學識別模組100所包括的構件請參考圖1所示)，在本實施例中，來自手指的指紋脊線FP反射的光IL為相對半導體基板110傾斜的斜向光IL，微透鏡L1將來自手指的指紋脊線FP反射的光IL(斜向光)傾斜導引至光學識別模組100的此至少一感測區R，而非指紋脊線反射的光NIL被導引至此至少一感測區R之外。在本實施例中，由於檢測光源(例如為朗伯特光源(Lambertian))所發光的光指向性高，因此來自檢測光源的雜訊以30度角內入射居絕大部分，來自待測物反射的光IL則以斜向入射居多。故本發明的一實施例以微透鏡L1接收光IL(斜向光)進入至少一感測區R，直下的會產生雜訊的光（即直接來自有機發光二極體50而非手指反射的光）則偏折到感測區R之外。

圖3是依照本發明的另一實施例的光學識別模組的剖面示意圖。請參照圖3，本實施例的光學識別模組200與圖1中光學識別模組100類似，而兩者的主要差異如下所述。在本實施例中，光學識別模組200還可包括一反射層RL1，設置在半導體基底110的頂面上，且位於感測區R與屏蔽層120之間。反射層RL1具有至少一針孔PH，至少一針孔PH在半導體基底110上的正投影與至少一感測區R重疊，以進一步改善光學干擾、達到光學降噪並提升影像解析度。

在本實施例中，反射層RL1的至少一個針孔PH與這些屏蔽層120中最接近半導體基底110的屏蔽層120的開口OP於半導體基底110上的正投影重疊。此外，針孔PH的尺寸小於感測區R尺寸，以有效抑制光學干擾。

圖4A是依照本發明的又一實施例的光學識別模組的剖面示意圖，而圖4B是依照本發明的再一實施例的光學識別模組的上視示意圖。請先參照圖4A，本實施例的光學識別模組300與圖3中光學識別模組200類似，而兩者的主要差異如下所述。請參照圖4A，在本實施例中，微透鏡L2呈鏡像對稱。此外，微透鏡L2於半導體基底110上的投影與多個屏蔽層120A的至少其中之一重疊，以阻擋檢測光源所發出的朝向正下方傳遞的雜訊及強光。進一步而言，在本實施例中，至少一感測區R為多個感測區R，例如為圖4A所示的兩個感測區R共用一個微透鏡L2，最接近半導體基底110的屏蔽層120A具有多個開口OP（例如圖4A中的兩個開口），且分別與這些屏蔽層120A上的多個開口OP形成多個光通孔TH（例如圖4A中的兩個光通孔TH）。反射層RL2具有多個針孔PH，這些針孔PH在半導體基底110上的正投影分別與這些感測區R重疊，且微透鏡L2的中心於半導體基底110上的正投影位於這些感測區R之間，在本實施例中，微透鏡L2與這些感測區R的設置關係是一對二。然而，在另一實施例中，一個微透鏡L2所對應的感測區R的數量可依需求改變，而不限於圖4A所示的兩個，請參照圖4B所示的光學識別模組300的上視示意圖，一個微透鏡L2所對應的感測區R的數量例如可以為四個，也就是微透鏡L2與這些感測器R的關係為一對四，且微透鏡L2的中心於半導體基底110上的正投影位於四個感測區R之間。此外，在本實施例中，雖是以光學識別模組300具備反射層RL2為例，但本發明不以此為限。在另一實施例中，光學識別模組300亦可不具備反射層RL2。

圖5是依照本發明的另一實施例的光學識別模組的剖面示意圖。請參照圖5，本實施例的光學識別模組400與圖3中的光學識別模組200類似，而兩者的主要差異如下所述。在光學識別模組400中，微透鏡L3呈鏡像對稱（例如在圖5中是左右對稱的）。藉由這些屏蔽層120的這些開口OP所形成光通孔TH的導引，亦能將鏡像對稱的微透鏡L3所會聚的光IL傾斜導引至感測區R。

綜上所述，本發明的實施例的光學識別模組中，利用多個屏蔽層及微透鏡以將外界的光傾斜導引至感測區，以有效改善光學干擾(crosstalk)、達到光學降噪並提升影像解析度，也可避免檢測光源所發出的朝向正下方傳遞的強光影響識別結果。因此，本發明的實施例的光學識別模組可具有良好的辨識能力。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

100、200、300、400:光學識別模組

110:半導體基板

120、120A:屏蔽層

50:有機發光二極體

CG:保護玻璃

DL:介電質

DP:顯示面板

D1:排列方向

ED:電子裝置

FP:指紋脊線

IL:光

NIL:非指紋脊線反射的光

L1、L2、L3:微透鏡

OP:開口

PH:針孔

R:感測區

RL1、RL2:反射層

TH:光通孔

圖1是依照本發明的一實施例的光學識別模組的剖面示意圖。圖2是依照本發明的一實施例的電子裝置的剖面示意圖。圖3是依照本發明的另一實施例的光學識別模組的剖面示意圖。圖4A是依照本發明的又一實施例的光學識別模組的剖面示意圖。圖4B是依照本發明的再一實施例的光學識別模組的上視示意圖。圖5是依照本發明的另一實施例的光學識別模組的剖面示意圖。

100:光學識別模組