TWI722290B - 配線用基板之製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種配線用基板製造方法，係使用了具有貫通孔2之絕緣基板1而可有效率地製造配線用基板之方法，其特徵在於：在絕緣基板1之一方的表面上形成種層3，將形成了種層3之面以遮蔽膜4被覆，使絕緣基板1之種層3所形成面的相反面與陽極5成為對向而配設絕緣基板1及陽極5後施以電鍍，在貫通孔2內形成金屬層8後，除去遮蔽膜4。

Description

配線用基板之製造方法
本發明係關於配線用基板之製造方法。更詳細而言，本發明，係關於可適合做為用於搭載於例如半導體晶片等之配線用基板等之配線用基板之製造方法。
一般而言，製造配線用基板時，係採用:使用具有貫通孔之樹脂板等絕緣基板，將該絕緣基板浸漬於電鍍浴中後，藉由電鍍在該貫通孔內充填金屬之操作(例如，參照專利文獻1及專利文獻2)。然而，採用前述操作之情況，會由於藉由電鍍而充填於絕緣基板之貫通孔內之金屬層內產生被稱為空孔之空隙之情況，因此有配線基板之信賴性顯著低下之缺點。
做為不使充填於通孔內之金屬層發生空孔之配線用基板之製造方法，使用具有貫通孔之絕緣基板，在絕緣基板之一方表面形成種層，將形成了種層之面之相反面以遮蔽膜被覆，使絕緣基板之種層所形成面的相反面與陽極成為對向而配設絕緣基板及陽極後施以電鍍，將形成了種層之面之貫通孔以金屬層封住後，除去遮蔽膜，使除去了遮蔽膜之面與陽極成為對向而配設絕緣基板及陽極後施以電鍍，在貫通孔內使金屬層形成為特徵之配線用基板之製造方法被提案(例如，參照專利文獻3) 。
根據前述配線用基板之製造方法，不易在充填於貫通孔內之金屬層發生空孔，因此可製造信賴性高之配線用基板。
然而，近年來，不僅使充填於貫通孔內之金屬層不易發生空孔，且不採用以金屬層封住形成了種層之面之貫通孔之操作而可有效率地製造配線用基板之配線用基板之製造方法之開發被期望。
更且，近年來，藉由使形成在種層表面之藉由電鍍所形成之金屬的厚度薄，而在縮短電鍍時間之同時減少所形成之金屬的使用量，而可使電極平滑之配線用基板之製造方法之開發被期望。 [先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本專利特開2003-023251號公報 專利文獻2：日本專利特開2003-309214號公報 專利文獻3：日本專利第5558614號公報
[發明所欲解決之課題]
本發明以提供: 不僅使充填於貫通孔內之金屬層不易發生空孔，且不採用以金屬層封住形成了種層之面之貫通孔之操作而可有效率地製造配線用基板之配線用基板之製造方法為課題。
又，本發明，以提供:不易在貫通孔內所形成之金屬層發生空孔，藉由使形成在種層表面之藉由電鍍所形成之金屬的厚度薄，而在縮短電鍍時間之同時減少所形成之金屬的使用量，而可使電極平滑之配線用基板之製造方法為課題。 [用以解決課題之手段]
第1之本發明(以下，稱為第1發明)，係一種配線用基板製造方法，係使用了具有貫通孔之絕緣基板之製造配線用基板之方法，其特徵在於：在絕緣基板之一方的表面上形成種層，將形成了種層之面以遮蔽膜被覆，使絕緣基板之種層所形成面的相反面與陽極成為對向而配設絕緣基板及陽極後施以電鍍，在貫通孔內形成金屬層後，除去遮蔽膜。
第2之本發明(以下，稱為第2發明)，係一種配線用基板之製造方法，係使用了具有貫通孔之絕緣基板之製造配線用基板之方法，其特徵在於：在絕緣基板之一方表面形成種層，在所形成之種層上之沒有形成電極之電極非形成部上形成光阻層之同時，將形成了種層之面的相反面以遮蔽膜被覆，藉由對於形成了種層之面實施電鍍而在貫通孔之內部形成金屬層時，使形成了金屬層之貫通孔之開口部的直徑，成為形成金屬層前之貫通孔之開口部的直徑之10~50%而在貫通孔的內部形成金屬層，將形成了種層之面以遮蔽膜被覆之同時，除去被覆於形成了種層之面之相反面之遮蔽膜，藉由從形成了種層之面之相反面施以電鍍，在貫通孔內形成金屬層，在形成電極後，除去形成於種層之遮蔽膜、光阻層以及種層。 [發明效果]
若根據第1發明之配線用基板之製造方法，可達到:不僅使充填於貫通孔內之金屬層不易發生空孔，且不採用以金屬層封住形成了種層之面之貫通孔之操作而有效率地製造配線用基板之優良的效果。
若根據第2發明之配線用基板之製造方法，可達到:不易在貫通孔內所形成之金屬層發生空孔，藉由使形成在種層表面之藉由電鍍所形成之金屬的厚度薄，而在縮短電鍍時間之同時減少所形成之金屬的使用量，而可製造所形成之電極平滑之配線用基板之優良的效果。
第1發明之配線用基板之製造方法，係如前述，係使用了具有貫通孔之絕緣基板之製造配線用基板之方法，其特徵在於：在絕緣基板之一方的表面上形成種層，將形成了種層之面以遮蔽膜被覆，使絕緣基板之種層所形成面的相反面與陽極成為對向而配設絕緣基板及陽極後施以電鍍，在貫通孔內形成金屬層後，除去遮蔽膜。
根據第1發明，不僅使充填於貫通孔內之金屬層不易發生空孔，且不採用以金屬層封住形成了種層之面之貫通孔之操作而可有效率地製造配線用基板
第2發明之配線用基板之製造方法，係如前述，係使用了具有貫通孔之絕緣基板之製造配線用基板之方法，其特徵在於：在絕緣基板之一方表面形成種層，在所形成之種層上之沒有形成電極之電極非形成部上形成光阻層之同時，將形成了種層之面的相反面以遮蔽膜被覆，藉由對於形成了種層之面實施電鍍而在貫通孔之內部形成金屬層時，使形成了金屬層之貫通孔之開口部的直徑，成為形成金屬層前之貫通孔之開口部的直徑之10~50%而在貫通孔的內部形成金屬層，將形成了種層之面以遮蔽膜被覆之同時，除去被覆於形成了種層之面之相反面之遮蔽膜，藉由從形成了種層之面之相反面施以電鍍，在貫通孔內形成金屬層，在形成電極後，除去形成於種層之遮蔽膜、光阻層以及種層。
根據第2發明，係採用前述操作，因此不易在貫通孔內所形成之金屬層發生空孔，可使形成在種層表面之藉由電鍍所形成之金屬的厚度薄，因此在縮短電鍍時間之同時減少所形成之金屬的使用量，而可得到所形成之電極平滑之配線用基板。
使用於第1發明及第2發明之絕緣基板，不僅具有絕緣性且機械強度也優良因此為佳。做為適合的絕緣基板，可舉出例如矽基板、玻璃基板、環氧樹脂、氟樹脂、酚醛樹脂、聚酯、聚酰亞胺、環烯烴聚合物等之樹脂所形成之樹脂基板、玻璃纖維強化環氧樹脂、芳綸纖維強化環氧樹脂等之纖維強化樹脂所形成之基板等，但本發明並非僅限定於這些例示。在這些的絕緣基板中，從操作性及絕緣性優良的點來看，以矽基板及玻璃基板為佳。
絕緣基板的厚度，係由於配線用基板的用途等而不同，無法一律地決定，因此配合該配線用基板之用途等而適當決定為佳，通常為30~800μm程度。又，絕緣基板之大小，係同於絕緣基板的厚度，會由於配線用基板之用途而不同而無法一律地決定，因此配合該配線用基板之用途而適當決定為佳。
在絕緣基板上，形成了貫通孔。貫通孔，例如，可藉由使用了電漿之乾式蝕刻法、使用了準分子雷射、UV-YAG雷射等之雷射加工法等來形成於絕緣基板上。形成於絕緣基板之貫通孔的孔徑，由於本發明之配線用基板之用途等而不同而無法一律地決定，因此配合該配線用基板之用途等而適當設定為佳，但通常，從抑制形成在貫通孔內之金屬層內之空孔發生之觀點來看，以1~200μm為佳，而以5~200μm較佳，更以10~100μm為佳。
在絕緣基板形成貫通孔後，為了使絕緣基板穿孔而形成貫通孔時所發生之碎屑不會殘存於貫通孔，根據必要，以除去該碎屑為佳。
首先，基於圖式說明第1發明之配線用基板之製造方法。第1圖，係表示第1發明之配線用基板之製造方法之一實施形態之概略說明圖。
在第1發明中，如第1圖(a)所示，使用具有貫通孔2之絕緣基板1。
接著，如第1圖(b)所示，在絕緣基板1之一方表面形成種層3。種層3，係為了使絕緣基板1與後述之金屬層(無圖示)之密著性提升而形成。種層3，通常係使用金屬。
使用玻璃基板或樹脂基板做為絕緣基板1之情況，使用於種層3之金屬，從提升做為絕緣基板1所使用之玻璃基板或樹脂基板與形成在種層3上之金屬層之密著性之觀點來看，以使用於金屬層之金屬為同一種類的金屬為佳。
使用矽基板作為絕緣基板1之情況，種層3，在提升與作為絕緣基板1而使用之矽基板與金屬層之密著性之同時，抑制使用於金屬層之銅等之金屬擴散至矽基板而造成矽基板之絕緣性低下之觀點來看，例如，以:從矽基板側依序層積鈦層及銅層之種層、從矽基板側依序層積鈦層及鉻層之種層、由鈷-鎢-磷(Co-W-P)所形成之種層、鎳-鎢-磷(Ni-W-P)所形成之種層、鈀-鈷-磷(Pd-Co-P)所形成之種層為佳。
種層3，例如，可藉由濺鍍法、化學氣相沉積(CVD)法、物理氣相沉積(PVD)法、電鍍法等來形成。
形成於絕緣基板1之一方表面之種層3之厚度，並沒有特別限定，但從使絕緣基板1與金屬層之密著性提升之觀點來看，以100~500nm程度為佳。
在絕緣基板1之一方表面上使種層3形成時，通常，如第1圖(b)所示，在絕緣基板1之貫通孔2之內面形成了種層3之突出部3a。如此之形成在絕緣基板1之貫通孔2之內面之種層3之突出部3a，可成為在後述在貫通孔2內使金屬層(無圖示)形成時之成長點而使金屬層成長，因此可形成不會發生空孔之金屬層。突出部3a之長度L，從使金屬層有效率地成長之觀點來看，以在10nm以上為佳，在20nm以上較佳，更以在30nm以上為佳，從形成不會發生空孔之金屬層之觀點來看，以在50μm以下為佳，在40μm以下較佳，更以在30μm以下為佳。又，突出部3a之厚度D，從使金屬層有效率地成長之觀點來看，以在3nm以上為佳，在5nm以上較佳，更以在10nm以上為佳，從形成不會發生空孔之金屬層之觀點來看，以在500nm以下為佳，在400nm以下較佳，更以在300nm以下為佳。
若欲使種層3之一部分不形成在絕緣基板1之貫通孔2之內面之情況，例如，可在貫通孔2內***為了使種層3不會形成之插針(無圖示)等之遮罩構件。
接著，如第1圖(c)所示，以遮罩薄膜4被覆絕緣基板1之形成了種層3之面。
在第1發明中，如第1圖(c)所示，以遮罩薄膜4被覆絕緣基板1之形成了種層3之面這點，為1個很大的特徵。在第1發明中，由於採用以遮罩薄膜4被覆絕緣基板1之形成了種層3之面之操作，因此不需要如以往之在以金屬層充填絕緣基板1之貫通孔2內前之以電鍍使絕緣基板1之貫通孔2封住之工程，更由於不需要以電鍍使該絕緣基板1之貫通孔2封住之工程，因此也不需要使貫通孔2封住後之表面的研磨、清淨化處理等之繁雜的後加工，因此具有可大幅刪減製造配線用基板所需要之工程數之好處。
做為遮蔽膜4，例如，可舉出聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯等之聚酯;聚乙烯、聚丙烯之聚烯烴;尼龍11、尼龍12、尼龍6、尼龍66等之聚酰胺;聚甲基丙烯酸甲酯等之丙烯酸樹脂;氯乙烯樹脂、偏二氯乙烯樹脂等之樹脂所形成之樹脂薄膜、聚氨酯彈性體等之彈性體所形成之薄膜、天然橡膠、苯乙烯-丁二烯橡膠等之合成橡膠所形成之橡膠薄膜、鋁箔等之金屬箔等，但第1發明並非僅限定於這些例示。遮蔽膜之厚度，並沒有特別限定，通常以10~200μm程度為佳。
做為以遮蔽膜4被覆絕緣基板1之形成了種層3之面之方法，例如，可舉出:使用由熱塑性樹脂所形成之遮蔽膜4做為遮蔽膜4，將該遮蔽膜4載置於絕緣基板1之形成了種層3之面，藉由加熱而使遮蔽膜4預接著於絕緣基板1之方法;使用具有黏著層之遮蔽膜4做為遮蔽膜4，藉由將該遮蔽膜4之設有黏著層之面與絕緣基板1之形成了種層3之面重疊，而使遮蔽膜4預黏著於絕緣基板1之方法等，但第1發明，並非僅限定於這些例示。
接著，如第1圖(d)所示，使絕緣基板1之形成了種層3之面之反對面與陽極5成為對向而配設絕緣基板1及陽極5後實施電鍍，在貫通孔2內使金屬層8形成。在第1發明，由於採用了前述操作，因此不需要如以往之在以金屬層充填絕緣基板1之貫通孔2內前之以電鍍使絕緣基板1之貫通孔2封住之工程，更由於不需要以電鍍使該絕緣基板1之貫通孔2封住之工程，因此也不需要使貫通孔2封住後之表面的研磨、清淨化處理等之繁雜的後加工，因此具有可大幅刪減製造配線用基板所需要之工程數之好處。又，在第1發明，由於採用前述操作，不僅可使在各貫通孔2內成長之金屬層8成長速度控制成幾乎成為一定，且可藉由遮蔽膜4控制在形成了種層3之面之從貫通孔2突出的金屬層(無圖示)之高度，因此有可將在形成了種層3之面之從貫通孔2突出之金屬層的高度控制成幾乎均一之好處。
隨著藉由電鍍而在貫通孔2內使金屬層8成長，如第1圖(e)及(f)所示，在貫通孔2內形成金屬層8。此時，種層3，較佳的情況為金屬層8以種層3之突出部3a做為核而成長，因此可在貫通孔2內形成不會發生空孔之金屬層8。
在使絕緣基板1之形成了種層3之面之反對面與陽極5成為對向而配設絕緣基板1及陽極5實施電鍍時，如第1圖(d)所示，可使用電解槽6。
電鍍，係使絕緣基板1之以遮蔽膜4被覆之形成了種層3之面之反對面與陽極5成為對向而將絕緣基板1及陽極5配設於電解槽6內，使絕緣基板1及陽極5浸漬於電鍍浴7中而放入電鍍浴7後，可進行電解電鍍。此時，在絕緣基板1之形成了種層3之面之反對面之貫通孔2內露出的種層3係做為陰極作用。又，在本申請發明中，也可將電鍍浴7放入電解槽6內，使絕緣基板1之形成了種層3之面之反對面與陽極5成為對向而將絕緣基板1及陽極5浸漬於電鍍浴7後，進行電解電鍍。
又，在第1圖(d)所示之實施形態，絕緣基板1及陽極5，係配設為垂直(鉛直)方向，但也可分別配設在水平方向。
絕緣基板1與陽極5之間隔，並沒有特別限定，但從以絕緣基板1之形成了種層3之面之反對面之貫通孔2內露出之種層3為起點，金屬層8可有效率地形成之觀點來看，以5~50mm程度為佳。
電鍍浴7，可配合形成於絕緣基板1之貫通孔2內之金屬層(無圖示)所使用之金屬的種類而適當選擇。做為使用於金屬層的金屬，例如，可舉出金、銀、銅、鉑、鋁、錫、銠、鎳、鉻、鈷、鈀、鎢、這些金屬所形成之合金等，但第1發明並非僅限定於這些例示。又，關於使用於陽極5之金屬，也可配合形成於絕緣基板1之貫通孔2內之金屬層所使用之金屬的種類而適當選擇。使用於陽極5的金屬，係與使用於金屬層之金屬相同，做為其例，可舉出金、銀、銅、鉑、鋁、錫、銠、鎳、鉻、鈷、鈀、鎢、這些金屬所形成之合金等，但第1發明並非僅限定於這些例示。
電鍍浴7之種類，可配合使用於形成於絕緣基板1之貫通孔2內之金屬層之金屬的種類而適當選擇使用。例如，形成於絕緣基板1之貫通孔2內之金屬層所使用之金屬為銅之情況，做為電鍍浴7，例如，可使用硫酸銅，以及含有硫酸，根據必要，而含有氯離子、電鍍抑制劑、電鍍促進劑等之硫酸銅電鍍浴等。
對於絕緣基板1實施電鍍時之電流密度，並沒有特別限定，但從使緻密的金屬層8有效率地形成於絕緣基板1之貫通孔2內之觀點來看，以0.5~30A/dm2 為佳，而以0.5~5 A/dm2 更佳。又，進行電鍍時之電鍍浴7之液溫，並沒有特別限定，通常以5~80℃為佳，而以室溫更佳。
如以上，如第1圖(f)所示，在絕緣基板1之貫通孔2使金屬層8形成後，藉由除去遮蔽膜4，可得到在貫通孔2內所形成之金屬層8被充填，表面具有種層3之如第1圖(g)所示之絕緣基板1。
根據第1發明之配線用基板之製造方法，金屬層8係以絕緣基板1之貫通孔2內之種層3為核而依序成長，因此可在貫通孔2內使不會發生空孔之金屬層8形成，所以可顯著地提高所得到之配線用基板的信賴性。
又，如第1圖(g)所示，在形成了種層3之面，充填於貫通孔2內之金屬層8之表面8a會由於遮蔽膜4而被平滑化，因此即使不使金屬層8之表面8a施以為了平滑化之後加工，在直接的狀態，例如，可使電極(無圖示)形成。
接著，在絕緣基板1之金屬層8之表面8a上形成電極之情況，如第1圖(h)所示，可在絕緣基板1之種層3上載置為了在絕緣基板1之金屬層8之表面8a形成電極之具有圖樣之光阻層9。
光阻層9，從提升作業性之觀點來看，通常以使用乾膜光阻為佳。乾膜光阻，有負型乾膜光阻及正型乾膜光阻，在第1發明，使用任一種之乾性薄膜光阻皆可。做為負型乾膜光阻，例如，可舉出光硬化性乾膜光阻、熱硬化性乾膜光阻等，但第1發明，並非僅限於這些例示。乾膜光阻，配合絕緣基板1之圖樣而預先圖樣化為佳。
光阻層9之厚度，配合第1圖(i)所示電極10之高度來適當決定為佳。光阻層9之厚度，通常為10~200μm程度。
電極10，例如可藉由電鍍形成。電鍍，係使絕緣基板1之形成了種層3之面與陽極(無圖示)成為對向而將絕緣基板1及陽極配設於電解槽(無圖示)內，使絕緣基板1及陽極浸漬於電鍍浴(無圖示)中而放入電鍍浴後，可進行電解電鍍。此時，充填在絕緣基板1之貫通孔2內之金屬層8係做為陰極作用。又，在本申請發明中，也可將電鍍浴放入電解槽內，使絕緣基板1之形成了種層3之面與陽極5成為對向而將絕緣基板1及陽極浸漬於電鍍浴後，進行電解電鍍。
絕緣基板1與陽極之間隔，並沒有特別限定，但從以絕緣基板1之形成了種層3之面露出之金屬層8為起點，金屬層8可有效率地形成之觀點來看，以5~50mm程度為佳。
電鍍浴，可配合使用於電極10之金屬的種類而適當選擇。做為使用於電極10的金屬，例如，可舉出金、銀、銅、鉑、鋁、錫、銠、鎳、鉻、鈷、鈀、鎢、這些金屬所形成之合金等，但第1發明並非僅限定於這些例示。又，關於使用於陽極之金屬，也可配合使用於電極10之金屬的種類而適當選擇。使用於陽極的金屬，係與使用於金屬層之金屬相同，做為其例，可舉出金、銀、銅、鉑、鋁、錫、銠、鎳、鉻、鈷、鈀、鎢、這些金屬所形成之合金等，但第1發明並非僅限定於這些例示。
電鍍浴之種類，可配合使用於電極10之金屬的種類而適當選擇使用。例如，形成於電極10所使用之金屬為銅之情況，做為電鍍浴7，例如，可使用硫酸銅，以及含有硫酸，根據必要，而含有氯離子、電鍍抑制劑、電鍍促進劑等之硫酸銅電鍍浴等。
對於絕緣基板實施電鍍時之電流密度，並沒有特別限定，但從使緻密的電極10有效率地形成之觀點來看，以0.5~30A/dm2 為佳，而以0.5~5 A/dm2 更佳。又，進行電鍍時之電鍍浴7之液溫，並沒有特別限定，通常以5~80℃為佳，而以室溫更佳。
如以上，在絕緣基板1之金屬層8之表面8a形成電極10。電極10之厚度，由於配線用基板之用途等而不同而無法一律地決定，通常為3~80μm程度。
接著，藉由除去第1圖(i)所示之種層3及形成在該種層3上之光阻層9，可得到第1圖(j)所示之配線用基板。又，光阻層9，例如，可藉由剝離而容易地除去，種層3，例如，可藉由使用了蝕刻劑(蝕刻液)之濕式蝕刻手法使其化學反應而容易地除去。
如以上所說明，根據第1發明之配線用基板之製造方法，不僅使充填於貫通孔內之金屬層不易發生空孔，且不採用以金屬層封住形成了種層之面之貫通孔之操作而可有效率地製造配線用基板之配線用基板。
因此，根據第1發明之配線用基板之製造方法所得到之配線基板，由於充填於貫通孔內之金屬層不易發生空孔因此信賴性優良，被期待做為例如用於搭載於半導體晶片等所使用之配線用基板等使用。
接著，基於圖式說明第2發明之配線用基板之製造方法。第2圖，係表示第2發明之配線用基板之製造方法之一實施形態之概略說明圖。
在第2發明中，首先，如第2圖(a)所示，使用具有貫通孔2之絕緣基板1。
接著，如第2圖(b)所示，在絕緣基板1之一方表面形成種層3。種層3，係為了使絕緣基板1與用於電鍍之金屬之密著性提升而形成。種層3，通常係使用金屬。使用玻璃基板或樹脂基板做為絕緣基板1之情況，使用於種層3之金屬，從提升做為絕緣基板1所使用之玻璃基板或樹脂基板與形成在種層3上之金屬層(無圖示)之密著性之觀點來看，以使用於電鍍之金屬為同一種類的金屬為佳。
使用矽基板作為絕緣基板1之情況，種層3，在提升與作為絕緣基板1所使用之矽基板與用於電鍍之金屬之密著性之同時，抑制使用於電鍍之銅等之金屬擴散至矽基板而造成矽基板之絕緣性低下之觀點來看，例如，以:從矽基板側依序層積鈦層及銅層之種層、從矽基板側依序層積鈦層及鉻層之種層、由鈷-鎢-磷(Co-W-P)所形成之種層、鎳-鎢-磷(Ni-W-P)所形成之種層、鈀-鈷-磷(Pd-Co-P)所形成之種層為佳。
種層3，例如，可藉由濺鍍法、化學氣相沉積(CVD)法、物理氣相沉積(PVD)法、電鍍法等來形成。
形成於絕緣基板1之一方表面之種層3之厚度，並沒有特別限定，但從使絕緣基板1與使用於電鍍之金屬之密著性提升之觀點來看，以100~500nm程度為佳。
又，在絕緣基板1之一方表面使種層3形成時，有種層3之一部分形成在絕緣基板1之貫通孔2之內面之情況。在第2發明中，在第2發明之目的不會被阻害之範圍內，種層3之一部分也可形成在絕緣基板1之貫通孔2之內面，種層3也可僅形成於絕緣基板1之表面。若欲使種層3之一部分不形成在絕緣基板1之貫通孔2之內面之情況，例如，可在貫通孔2內***為了使種層3不會形成之插針(無圖示)等之遮罩構件。
接著，如第2圖(c)所示，在前述形成了種層3上沒有形成電極之電極非形成部(無圖示)使光阻層9形成之同時，以遮蔽膜4被覆形成了種層3之面的反對面。
進行在種層3上之電極非形成部使光阻層9形成之操作及以遮蔽膜4被覆形成了種層3之面的反對面之操作之順序並沒有特別限定，任一操作皆可先進行。
又，種層3上之電極非形成部，係意味著在種層3上沒有形成第2圖(g)所示電極10之部分。電極10，通常形成在貫通孔2之上部。
光阻層9，從提升作業性之觀點來看，通常以使用乾膜光阻為佳。乾膜光阻，有負型乾膜光阻及正型乾膜光阻，在第2發明，使用任一種之乾性薄膜光阻皆可。做為負型乾膜光阻，例如，可舉出光硬化性乾膜光阻、熱硬化性乾膜光阻等，但第2發明，並非僅限於這些例示。乾膜光阻，配合絕緣基板1之圖樣而預先圖樣化為佳。
光阻層9之厚度，配合第2圖(g)所示電極10之高度來適當決定為佳。光阻層9之厚度，通常為10~200μm程度。
在形成了種層3之面的反對面，係以遮蔽膜4被覆。做為遮蔽膜4，例如，可舉出聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯等之聚酯;聚乙烯、聚丙烯之聚烯烴;尼龍11、尼龍12、尼龍6、尼龍66等之聚酰胺;聚甲基丙烯酸甲酯等之丙烯酸樹脂;氯乙烯樹脂、偏二氯乙烯樹脂等之樹脂所形成之樹脂薄膜、聚氨酯彈性體等之彈性體所形成之薄膜、天然橡膠、苯乙烯-丁二烯橡膠等之合成橡膠所形成之橡膠薄膜、鋁箔等之金屬箔等，但第2發明並非僅限定於這些例示。遮蔽膜4之厚度，並沒有特別限定，通常以10~200μm程度為佳。
做為以遮蔽膜4被覆形成了種層3之面反對面之方法，例如，可舉出:使用由熱塑性樹脂所形成之遮蔽膜做為遮蔽膜4，將該遮蔽膜載置於絕緣基板1之形成了種層3之反對面，藉由加熱而使遮蔽膜預接著於絕緣基板1之方法；使用具有黏著層之遮蔽膜做為遮蔽膜4，藉由將該遮蔽膜之設有黏著層之面與絕緣基板1之形成了種層3之面之反對面重疊，而使遮蔽膜預黏著於絕緣基板1之方法等，但第2發明，並非僅限定於這些例示。
接著，如第2圖(d)所示，藉由對於形成了種層3之面施以電鍍而使貫通孔2之內部形成金屬層8時，使形成了金屬層8之貫通孔2之開口部的直徑，成為金屬層8形成前之貫通孔2之開口部的直徑之10~50%，而在貫通孔2之內部使金屬層8形成。
金屬層8，係形成在種層3上。隨著在種層3上金屬層8形成，由於在種層3之全面形成金屬層8，如第2圖(d)所示，形成了貫通孔2之開口部之直徑d逐漸變小之貫通孔11。
在第2發明中，使貫通孔11之開口部的直徑d，成為金屬層8形成前(初期)之貫通孔2之開口部之直徑D之10~50%而調整。換言之，使形成了金屬層8之貫通孔11之開口部之直徑d，係使基於式: (直徑d/直徑D)×100所求得之值成為10~50%而調整。在第2發明中，採用如此使貫通孔11之開口部的直徑d，成為金屬層8形成前之貫通孔2之開口部之直徑D之10~50%而調整之操作之點為1個很大的特徵。在第2發明，由於採用前述操作，因此可達到在貫通孔2內所形成之金屬層13不易發生空孔之優良的效果。
做為對於種層3施以電鍍之方法，例如，可舉出使絕緣基板1之形成了種層3之面與陽極(無圖示)成為對向而配設絕緣基板1及陽極，對於種層3施以電鍍之方法等。如此，藉由對於種層3施以電鍍，金屬層8以種層3為據點析出，貫通孔2之開口部的直徑d會逐漸變小，因此使貫通孔11之開口部的直徑d成為形成金屬層8前之貫通孔2之開口部的直徑D之10~50%為止來形成金屬層8。
對於絕緣基板1之種層3上實施電鍍時，可使用電解槽(無圖示)。在電解槽內，使絕緣基板1之形成了種層3之面與陽極(無圖示)成為對向而配設絕緣基板1及陽極，在電鍍浴中，使絕緣基板1及陽極浸漬於而放入電鍍浴後，可進行電解電鍍。此時，絕緣基板1之形成了種層3之面係做為陰極作用。又，也可在電解槽內放入電鍍浴，將絕緣基板1及陽極浸漬於電鍍浴後，進行電解電鍍。
絕緣基板1與陽極之間隔，並沒有特別限定，但以可對於絕緣基板1之形成了種層3之面有效率地施以電鍍之觀點來看，以5~50mm程度為佳。
電鍍浴，可配合形成於絕緣基板1之貫通孔2內之金屬層8的種類而適當選擇。做為使用於金屬層8的金屬，例如，可舉出金、銀、銅、鉑、鋁、錫、銠、鎳、鉻、鈷、鈀、鎢、這些金屬所形成之合金等，但第2發明並非僅限定於這些例示。又，關於使用於陽極之金屬，也可配合形成於絕緣基板1之貫通孔2內之金屬層8的種類而適當選擇。使用於陽極的金屬，係與形成於絕緣基板1之貫通孔2內之金屬相同，做為其例，可舉出金、銀、銅、鉑、鋁、錫、銠、鎳、鉻、鈷、鈀、鎢、這些金屬所形成之合金等，但第2發明並非僅限定於這些例示。
電鍍浴之種類，可配合使用於形成於絕緣基板1之貫通孔2內之金屬層8之金屬的種類而適當選擇使用。例如，形成於絕緣基板1之貫通孔2內之金屬層8所使用之金屬為銅之情況，做為電鍍浴，例如，可使用硫酸銅，以及含有硫酸，根據必要，而含有氯離子、電鍍抑制劑、電鍍促進劑等之硫酸銅電鍍浴等。
對於絕緣基板1實施電鍍時之電流密度，並沒有特別限定，但從使金屬層8緻密地形成於絕緣基板1之貫通孔2內之觀點來看，以0.5~10A/dm2 為佳，而以0.5~5 A/dm2 更佳。又，進行電鍍時之電鍍浴之液溫，並沒有特別限定，通常以5~80℃為佳，以10~60℃較佳，而以室溫更佳。
接著，如第2圖(e)所示，以遮蔽膜12被覆形成了種層3之面之同時，除去被覆於形成了種層3之面的反對面之遮蔽膜4。
進行以遮蔽膜被覆形成了種層3之面之操作及以除去被覆於形成了種層3之面之反對面之遮蔽膜4之操作之順序並沒有特別限定，任一操作皆可先進行。
做為遮蔽膜12，例如，可舉出聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯等之聚酯;聚乙烯、聚丙烯之聚烯烴;尼龍11、尼龍12、尼龍6、尼龍66等之聚酰胺;聚甲基丙烯酸甲酯等之丙烯酸樹脂;氯乙烯樹脂、偏二氯乙烯樹脂等之樹脂所形成之樹脂薄膜、聚氨酯彈性體等之彈性體所形成之薄膜、天然橡膠、苯乙烯-丁二烯橡膠等之合成橡膠所形成之橡膠薄膜、鋁箔等之金屬箔等，但第2發明並非僅限定於這些例示。遮蔽膜之厚度，並沒有特別限定，通常以10~200μm程度為佳。
做為以遮蔽膜12被覆形成了種層3之面之方法，例如，可舉出:使用由熱塑性樹脂所形成之遮蔽膜做為遮蔽膜12，將該遮蔽膜載置於形成了種層3之面，藉由加熱而使遮蔽膜預接著於絕緣基板1之方法;使用具有黏著層之遮蔽膜做為遮蔽膜12，藉由將該遮蔽膜之設有黏著層之面與絕緣基板1之形成了種層3之面重疊，而使遮蔽膜預黏著於絕緣基板1之方法等，但第2發明，並非僅限定於這些例示。
又，在第2圖(e)所示之實施形態，金屬層8與遮蔽膜12之間存在空間，也可藉由使光阻層9之厚度小，使種層3與遮蔽膜12接觸，使金屬層8與遮蔽膜12之間不會形成空間。
接著，如第2圖(f)所示，藉由從形成了種層3之面之反對面施以電鍍而在貫通孔2內形成金屬層13。
做為對於形成了種層3之面之相反面施以電鍍之方法，例如，可使絕緣集板1形成了種層3之面之相反面與陽極(無圖示)成為對向而配設絕緣基板1及陽極，藉由從種層3之相反面施以電鍍，金屬以種層3為據點析出，在遮蔽膜12與種層3之間之間隙形成金屬層13。
藉由從形成了種層3之面之相反面施以電鍍，而在貫通孔2內形成金屬層13時，同於前述，可使用電解槽(無圖示)。在電解槽內，使形成了種層3之面之相反面與陽極(無圖示)成為對向而配設絕緣基板1及陽極，在電鍍浴中，使絕緣基板1及陽極浸漬於而放入電鍍浴後，可進行電解電鍍。此時，絕緣基板1之種層3係做為陰極作用。又，也可在電解槽內放入電鍍浴，將絕緣基板1及陽極浸漬於電鍍浴後，進行電解電鍍。
形成了種層3之面之相反面與陽極之間隔，並沒有特別限定，但以可從形成了種層3之面之相反面有效率地施以電鍍之觀點來看，以5~50mm程度為佳。
電鍍浴，同於前述，可配合形成於絕緣基板1之貫通孔2內之金屬層13的種類而適當選擇。做為使用於金屬層13的金屬，例如，可舉出金、銀、銅、鉑、鋁、錫、銠、鎳、鉻、鈷、鈀、鎢、這些金屬所形成之合金等，但第2發明並非僅限定於這些例示。又，關於使用於陽極之金屬，也可配合形成於絕緣基板1之貫通孔2內之金屬層13的種類而適當選擇。使用於陽極的金屬，係與形成於絕緣基板1之貫通孔2內之金屬相同，做為其例，可舉出金、銀、銅、鉑、鋁、錫、銠、鎳、鉻、鈷、鈀、鎢、這些金屬所形成之合金等，但第2發明並非僅限定於這些例示。
電鍍浴之種類，同於前述，可配合使用於形成於絕緣基板1之貫通孔2內之金屬層13之金屬的種類而適當選擇使用。例如，形成於絕緣基板1之貫通孔2內之金屬層13所使用之金屬為銅之情況，做為電鍍浴，例如，可使用硫酸銅，以及含有硫酸，根據必要，而含有氯離子、電鍍抑制劑、電鍍促進劑等之硫酸銅電鍍浴等。
從形成了種層3之面之相反面實施電鍍時之電流密度，並沒有特別限定，但從使金屬層13效率良好且緻密地形成於絕緣基板1之貫通孔2內之觀點來看，以0.5~10A/dm2 為佳，而以0.5~5 A/dm2 更佳。又，進行電鍍時之電鍍浴之液溫，並沒有特別限定，通常以5~80℃為佳，以10~60℃較佳，而以室溫更佳。
如以上，藉由從形成了種層3之面之相反面施以電鍍，在貫通孔2內形成金屬層13，可使電極10形成。
接著，藉由除去形成在種層3之遮蔽膜12、光阻層9及種層3，可得到第2圖(g)所示之配線用基板。
又，存在於絕緣基板1上之種層3，可藉由使用了蝕刻劑(蝕刻液)之濕式蝕刻手法使其化學反應而容易地除去。
如以上，可製造配線用基板。根據第2發明之配線用基板之製造方法，在貫通孔內不易發生空孔，因此配線用基板之信賴性顯著地提升，更由於對於種層之表面之電鍍而可使所形成之金屬之厚度薄，因此可在縮短電鍍時間之同時減少使用於電極之金屬的使用量，而可得到所形成之電極平滑之配線用基板。
又，根據第2發明之配線用基板之製造方法，不需要如以往，在配線用基板之製造後配設電極，由於在種層上載置了遮蔽膜之狀態下，金屬層形成在絕緣基板之貫通孔內，而可使表面平滑之電極形成，因此可有效率地製造具有表面平滑之電極之配線用基板。
又，根據以往之配線用基板之製造方法，由於採用不使用遮蔽膜而對絕緣基板施以電鍍之操作，因此金屬層分別從設置於絕緣基板之兩面之各貫通孔往絕緣基板之厚度方向的中心部分成長，因此隨著貫通孔之內部金屬層形成，電鍍浴中所含有之電鍍用金屬濃度逐漸低下之同時，電流密度也逐漸低下，因此不僅配線用基板之製造效率低下，且在貫通孔之中心部分會發生空孔。
相對於此，若根據第2發明之配線用基板之製造方法，如前述，由於採用:藉由對於形成了種層之面施以電鍍而在貫通孔之內部使金屬層形成時，使形成了金屬層之貫通孔之開口部的直徑，成為金屬層形成前之貫通孔之開口部之直徑之10~50%而在貫通孔之內部使金屬層形成之同時，從形成了種層之面之相反面施以電鍍，在貫通孔內使金屬層形成之操作，因此在貫通孔內形成之金屬層不易發生空孔，藉由使在種層的表面藉由電鍍所形成之金屬之厚度薄，在縮短電鍍時間之同時，所形成之金屬層之使用量減少，而可製造所形成之電極為平滑之配線用基板。
然而，根據第2發明之配線用基板之製造方法，相對於以往之配線用基板之製造方法，具有可有效率地製造配線用基板之好處。
如以上所說明，藉由第2發明之配線用基板之製造方法所得到的配線用基板，由於形成於貫通孔內之金屬層不易發生空孔，因此信賴性優良，所以被期待可做為用於搭載於半導體晶片之配線用基板等來使用。 [實施例]
接著，基於實施例而更詳細說明第1發明及第2發明，但第1發明及第2發明並非僅限定於這些實施例。
[第1發明] 製造例1 使用在直線上以500μm之等間隔設置了孔徑為50μm之貫通孔50個之矽基板(直徑:150mm，厚度:300μm)做為絕緣基板。使用預載腔式濺鍍裝置(ULVAC優貝克公司製，形式:CS-200) ，在該矽基板一方的表面形成厚度50nm之鈦層後，形成厚度300nm之銅層做為種層。在種層形成了第1圖(b)所示之突出部3a，突出部3a之長度L為20μm，厚度D為150nm。
實施例1-1 使用具有在製造例1所得到之種層之矽基板，藉由在形成了種層之面貼附遮蔽膜(厚度為30μm之聚乙烯製薄膜) ，而將該形成了種層之面以遮蔽膜被覆。
接著，使用具有第1圖(d)所示之形態之電解槽6，藉由使被覆了遮蔽膜之矽基板之形成了種層之面之相反面與銅所形成之陽極以25mm之間隙成為對向而將矽基板及陽極浸漬於25℃之硫酸銅電鍍浴(硫酸150g/L、硫酸銅150g/L、氯0.2mL/L)，以電流密度2 A/dm2 進行銅電鍍，在貫通孔內使金屬層形成。
如以上，在矽基板之貫通孔內使銅層做為金屬層行程後，藉由除去遮蔽膜，而可得到在表面具有種層之矽基板。
接著，為了在矽基板之金屬層(銅層)之表面上使電極形成，在種層上貼附乾膜光阻(厚度:50μm)做為具有為了使金屬層之表面上形成電極之圖樣(在電極之形成部具有貫通孔之圖樣)之光阻層。
藉由使貼附了乾膜光阻之矽基板之形成了種層之面與由銅所形成之陽極以約25mm之間隙成為對向而將矽基板及陽極浸漬於25℃之硫酸銅電鍍浴(硫酸150g/L、硫酸銅150g/L、氯0.2mL/L)，以電流密度2 A/dm2 進行銅電鍍，在矽基板之金屬層之表面形成電極(厚度:25μm)。
接著，將矽基板上之乾膜光阻剝離，藉由將種層以乾式蝕刻除去，得到配線用基板。
將前述所得到之配線用基板裁斷，以掃描式電子顯微鏡觀察該剖面。其結果，在充填於配線用基板之貫通孔內之金屬層(銅層)，完全沒有發現空孔。
比較例1-1 使用在直線上以120μm之等間隔設置了孔徑為60μm之貫通孔50個之矽基板(直徑:150mm，厚度:350μm)做為絕緣基板。
接著，在矽基板之全面，藉由無電解電鍍使厚度1μm程度之金屬層(銅層)形成。藉由在矽基板之一方表面上貼附遮蔽膜(厚度為30μm之聚乙烯製薄膜)，以遮蔽膜被覆該形成了種層之面。
接著，使用具有第1圖(d)所示形態之電解槽6，藉由使被覆了遮蔽膜之矽基板之沒有被覆遮蔽膜之面(矽基板之另一方的表面)與由銅所形成之陽極以約25mm之間隙成為對向而將矽基板及陽極浸漬於25℃之硫酸銅電鍍浴(硫酸150g/L、硫酸銅150g/L、氯0.2mL/L)，以電流密度2 A/dm2 進行銅電鍍，在該矽基板之另一方的表面使金屬層(銅層)形成。此金屬層，也形成於矽基板之貫通孔之開口部附近之內壁面，對著貫通孔之內部形成了突出部。更且，藉由持續銅電鍍，使矽基板之貫通孔之開口部封住。
藉由從矽基板剝離遮蔽膜，使矽基板之另一方表面之貫通孔的開口部露出，在矽基板之貫通孔被封住之一方的表面上貼附乾膜光阻。
接著，藉由蝕刻除去矽基板之貫通孔的內部及形成於另一方表面之種層後，藉由將除去了種層之矽基板及陽極浸漬於25℃之硫酸銅電鍍浴(硫酸150g/L、硫酸銅150g/L、氯0.2mL/L)，以電流密度2 A/dm2 進行銅電鍍，在該矽基板之貫通孔內充填金屬層(銅層)。
接著，使充填於矽基板之貫通孔內之金屬層的露出部成為平坦而研磨矽基板之另一方的表面後，使用預載腔式濺鍍裝置(ULVAC優貝克公司製，形式:CS-200) ，在該矽基板之另一方的表面形成厚度300nm程度之銅層。藉由將具有所形成之銅層之矽基板及陽極浸漬於25℃之硫酸銅電鍍浴(硫酸150g/L、硫酸銅150g/L、氯0.2mL/L)，以電流密度2 A/dm2 進行銅電鍍，在該矽基板之銅層的表面上形成厚度約3μm之金屬層(銅層)，而得到配線用基板。
將所得到之配線用基板裁斷，以掃描式電子顯微鏡觀察其剖面。其結果，在充填於配線用基板之貫通孔內之金屬層(銅層)確認到空孔。
藉由對比實施例1-1與比較例1-1，可知若根據實施例1-1，不用像比較例1-1般進行繁雜地經過複數次之金屬電鍍，可有效率地製造不會發生空孔之配線用基板。
因此，可知若根據第1發明之配線用基板之製造方法，不僅使充填於貫通孔內之金屬層不易發生空孔，且不採用以金屬層封住形成了種層之面之貫通孔之操作而可有效率地製造配線用基板。
[第2發明] 實施例II-1 使用在直線上以500μm之等間隔設置了孔徑為50μm之貫通孔50個之矽基板(直徑:150mm，厚度:300μm)做為絕緣基板。使用預載腔式濺鍍裝置(ULVAC優貝克公司製，形式:CS-200) ，在該矽基板一方的表面形成厚度50nm之鈦層後，藉由形成厚度300nm之銅層，而使種層形成。
在所形成之種層上載置負型乾膜光阻，藉由進行光刻圖樣，而在不形成電極之電極非形成部使具有既定圖樣之光阻圖樣層形成。又，以遮蔽膜(聚乙烯製之樹脂薄膜，厚度:30μm)被覆形成了種層之面之相反面。
藉由使矽基板之形成了種層的面與由銅所形成之陽極成為對向，而將矽基板及陽極浸漬於25℃之硫酸銅電鍍浴(硫酸150g/L、硫酸銅150g/L、氯0.2mL/L)，以電流密度2 A/dm2 進行銅電鍍，形成了金屬層之貫通孔的開口部的直徑，成為金屬層形成前之貫通孔之開口部之直徑之20%，而在貫通孔之內部使金屬層形成。
接著，藉由以遮蔽膜(聚乙烯製之樹脂薄膜，厚度:30μm)被覆形成了種層之面之同時，除去被覆於形成了種層之面之相反面之遮蔽膜後，藉由使形成了種層之面之相反面與銅所形成之陽極成為對向，而將矽基板及陽極浸漬於25℃之硫酸銅電鍍浴(硫酸150g/L、硫酸銅150g/L、氯0.2mL/L)，以電流密度2 A/dm2 進行銅電鍍，在貫通孔的內部形成銅層。
接著，從矽基板除去遮蔽膜及光阻層，藉由使用蝕刻液之濕式蝕刻法而產生其化學反應，得到配線用基板
將前述所得到之配線用基板之內部以微焦X射線檢查設備(東芝IT control system(股份公司)製，型號:TOSMICRON-SH6160IN)調查。其結果示於第3圖。如第3圖之由配線用基板之微焦X射線檢查設備攝影之相片所示，可知形成於前述所得到之配線用基板之貫通孔內之銅層沒有發生空孔。
實施例II-2 在實施例II-1中，除了使形成了金屬層之貫通孔之開口部的直徑，成為形成金屬層前之貫通孔之開口部之直徑的20%而在貫通孔的內部使金屬層形成以外，同於實施例II-1，得到配線用基板。
將前述所得到之配線用基板之內部以微焦X射線檢查設備(東芝IT control system(股份公司)製，型號:TOSMICRON-SH6160IN)調查。其結果，可確認到在前述所得到之形成於配線用基板之貫通孔內之銅層，同於實施例II-1，沒有發生空孔。
實施例II-3 在實施例II-1中，除了使形成了金屬層之貫通孔之開口部的直徑，成為形成金屬層前之貫通孔之開口部之直徑的45%而在貫通孔的內部使金屬層形成以外，同於實施例II-1，得到配線用基板。
將前述所得到之配線用基板之內部以微焦X射線檢查設備(東芝IT control system(股份公司)製，型號:TOSMICRON-SH6160IN)調查。其結果，可確認到在前述所得到之形成於配線用基板之貫通孔內之銅層，同於實施例II-1，沒有發生空孔。
比較例II-1 在實施例II-1中，除了使形成了金屬層之貫通孔之開口部的直徑，成為形成金屬層前之貫通孔之開口部之直徑的100%而在貫通孔的內部使金屬層形成，使貫通孔封住以外，同於實施例II-1，得到配線用基板。
將前述所得到之配線用基板之內部以微焦X射線檢查設備(東芝IT control system(股份公司)製，型號:TOSMICRON-SH6160IN)調查。其結果，可確認到在前述所得到之構成配線用基板之電極之銅層發生空孔。
比較例II-2 在實施例II-1中，除了省略進行使矽基板之形成了種層之面與由銅所形成之陽極成為對向來進行銅電鍍之操作以外，同於實施例II-1，得到配線用基板。
將前述所得到之配線用基板之內部以微焦X射線檢查設備(東芝IT control system(股份公司)製，型號:TOSMICRON-SH6160IN)調查。其結果，可確認到在前述所得到之構成配線用基板之電極之銅層發生空孔。
比較例II-3 使用在直線上以120μm之等間隔設置了孔徑為60μm之貫通孔50個之矽基板(直徑:150mm，厚度:350μm)做為絕緣基板。使用預載腔式濺鍍裝置(ULVAC優貝克公司製，形式:CS-200) ，在該矽基板之全面形成厚度50nm之鈦層後，形成厚度300nm之銅層。
接著，藉由使前述所得到之具有銅層之矽基板與由銅所形成之陽極成為對向，將矽基板及陽極浸漬於25℃之硫酸銅電鍍浴(硫酸150g/L、硫酸銅150g/L、氯0.2mL/L)，以電流密度2 A/dm2 進行銅電鍍，在貫通孔內使銅層形成，得到配線用基板。
將前述所得到之配線用基板裁斷，同於實施例II-1，以掃描式電子顯微鏡觀察該剖面。其結果，可確認到在前述所得到之配線用基板，形成於貫通孔內之銅層發生多數的空孔。
由以上結果來看，可知若根據第2發明之配線用基板之製造方法，可製造形成在貫通孔內之金屬層內不會發生空孔之配線用基板。 [產業上之可利用性]
根據發明之配線用基板之製造方法，可有效率地製造在充填於貫通孔內之金屬層內不會發生空孔之配線用基板，因此本發明之配線用基板之製造方法，例如，在，在工業性地製造為了搭載半導體晶片等而使用之配線用基板等上為有用的方法。
1‧‧‧絕緣基板2‧‧‧貫通孔3‧‧‧種層4‧‧‧遮蔽膜(第一遮蔽膜)5‧‧‧陽極6‧‧‧電解槽7‧‧‧電鍍浴8‧‧‧金屬層8a‧‧‧金屬層之表面9‧‧‧光阻層10‧‧‧電極11‧‧‧貫通孔12‧‧‧遮蔽膜(第二遮蔽膜)13‧‧‧金屬層
第1圖係表示第1發明之配線用基板之製造方法之一實施形態之概略說明圖。 第2圖係表示第2發明之配線用基板之製造方法之一實施形態之概略說明圖。 第3圖係表示在第2發明之實施例II-1所得到之配線用基板之藉由微焦X射線檢查設備之攝影畫像之圖式代用照片。
1‧‧‧絕緣基板
2‧‧‧貫通孔
3‧‧‧種層
3a‧‧‧突出部
4‧‧‧遮蔽膜
5‧‧‧陽極
6‧‧‧電解槽
7‧‧‧電鍍浴
8‧‧‧金屬層
8a‧‧‧金屬層之表面
9‧‧‧光阻層
10‧‧‧電極

Claims (4)

  1. 一種配線用基板之製造方法，係使用了具有貫通孔之絕緣基板之製造配線用基板之方法，其特徵在於：在絕緣基板之一方的表面形成由金屬形成的種層，同時在上述絕緣基板的上述貫通孔之內面形成上述種層的突出部，以由樹脂形成的遮蔽膜被覆形成有上述種層的面，以遮蔽膜被覆的狀態使上述絕緣基板之形成有上述種層的上述面的相反面與陽極成為對向而配設絕緣基板及陽極，從具有上述貫通孔且形成有上述種層的上述面的上述相反面施以電鍍，在貫通孔內形成金屬層後，除去遮蔽膜。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之配線用基板之製造方法，其中在貫通孔內面的突出部之長度為10nm~50μm，且在貫通孔內面的突出部之厚度為3nm~500nm。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之配線用基板之製造方法，其中使用矽基板作為絕緣基板，且種層是從矽基板側依序層積鈦層及銅層之種層、從矽基板側依序層積鈦層及鉻層之種層、由鈷-鎢-磷(Co-W-P)所形成之種層、由鎳-鎢-磷(Ni-W-P)所形成之種層、或由鈀-鈷-磷(Pd-Co-P)所形成之種層。
  4. 一種配線用基板之製造方法，包括：使用如申請專利範圍第1~3項中任一項所述之配線用基板之製造方法所製造的配線用基板，其中在絕緣基板的種層上設置具有為了在絕緣基板之金屬層之表面上形成電極的圖樣之光阻層，藉由電鍍在金屬層之表面形成電極之後，除去光阻層。
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