TWI719020B - 有機發光二極體顯示器及其修理方法 - Google Patents

Abstract

本發明揭露一種有機發光二極體(OLED)顯示器，其包含基板、設置於基板上且彼此分離之多個有機發光二極體、多個像素電路、在基板上於第一方向延伸且於交叉第一方向之第二方向彼此分離之多個資料線、相鄰於資料線且於第一方向延伸之多個連接線、以及直接將該些資料線中之一資料線之一部分連接至相鄰於該資料線之該些連接線中之一連接線之一部分的一導線。各個像素電路包含複數個薄膜電晶體，且每個像素電路係連接至該些有機發光二極體中之一有機發光二極體。資料線與連接線連接至像素電路，與觸導線接之資料線之部分與連接線之部分的一或多個表面為彎曲的。

Description

有機發光二極體顯示器及其修理方法

相關申請案之交互參照

本申請案主張於2015年4月30日向韓國智慧財產局提出之韓國專利申請號第10-2015-0062081號與第10-2015-0062086號之效益，其全部內容於此併入作為參考。

本發明之多個例示性實施例係關於一種有機發光二極體(OLED)顯示器及用於修理有機發光二極體顯示器之方法。

平板顯示器包括，例如，有機發光二極體(OLED)顯示器、液晶顯示器(LCDs)、電漿顯示面板(PDPs)等。

有機發光二極體顯示器包含基板、包含設置於基板上並遍及基板之複數個薄膜電晶體的複數個像素電路以及分別連接於複數個像素電路的複數個有機發光二極體。

本發明之例示性實施例提供一種有機發光二極體(OLED)顯示器，其具有有效率地修理一或多個有瑕疵的像素的能力，且用於有效率地修理一或多個有瑕疵的像素之一種有機發光二極體顯示器之修理方法。

根據本發明之例示性實施例，有機發光二極體(OLED)顯示器包含基板、設置於基板上且彼此分離之複數個有機發光二極體、以及複數個像素電路，其中每個像素電路包含複數個薄膜電晶體且每個像素電路連接於複數個有機發光二極體之一有機發光二極體。有機發光二極體顯示器更包含複數個資料線，其在基板上於一第一方向延伸且於交叉第一方向之第二方向彼此分離，其中複數個資料線連接於複數個像素電路，以及包含複數個連接線，其相鄰於資料線且於第一方線延伸，其中複數個連接線連接於複數個像素電路。有機發光二極體顯示器更包含導線，其直接地連接複數個資料線之一資料線之一部分至相鄰於該資料線之複數個連接線之一連接線之一部分。接觸導線之資料線之該部分與連接線之該部分的一或多個為彎曲的。

於例示性實施例中，導線包含線直接地連接資料線之第一部分至連接線之第四部分之第一子導線及與該第一子導線分離且直接地連接資料線之第二部分至連接線之第五部分之第二子導線。

於例示性實施例中，連接於資料線之複數個像素電路的一像素電路為有瑕疵的，且像素電路被從對應之有機發光二極體斷開。

於例示性實施例中，有機發光二極體顯示器進一步包含設置於資料線之第一及第二部分之間的第三部分，其中第三部分被斷開且與第一及第二部分隔離並且連接於像素電路。連接線之第四部分、第五部分與設置於第四及第五部分之間的第六部分被斷開且與連接線之其它部分隔離。資料線之第一部 分經過第一子導線、連接線之第四、第六及第五部分及第二子導線連接於資料線之第二部分。

於例示性實施例中，複數個連接線與複數個資料線設置於同一層上。

於例示性實施例中，導線設置於連接線上與資料線上。

於例示性實施例中，資料線之其它部分之表面包含稜角。

於例示性實施例中，連接線之其它部分之表面包含稜角。

複數個薄膜電晶體可包含第一薄膜電晶體，其包含設置於基板上以連接於有機發光二極體之第一主動圖案與設置於第一主動圖案上之第一閘極電極、第二薄膜電晶體，其包含連接第一主動圖案之末端部分以連接於資料線的第二主動圖案與設置於第二主動圖案上之第二閘極電極、第三薄膜電晶體，其包含透過閘極橋連接第一主動圖案之其它末端部分以連接於第一閘極電極的第三主動圖案與設置於第三主動圖案上之第三閘極電極。

有機發光二極體顯示器可進一步包含第一掃描線，其設置於第二主動圖案上且交叉於各第二及第三主動圖案並且連接於第二及第三閘極電極；與驅動電源供給線，其相鄰於第一掃描線上之資料線以交叉第一掃描線且連接於第一主動圖案。

像素電路可設置於第一閘極電極上且連接於驅動電源供給線，且可包含電容電極，其重疊於第一閘極電極以與第一閘極電極形成一電容。

複數個薄膜電晶體可進一步包含第四主動圖案，其透過閘極橋連接第三主動圖案且連接於第一閘極電極；與第四薄膜電晶體，其包含設置於第四主動圖案上的第四閘極電極。有機發光二極體顯示器可進一步包含第二掃描 線，其設置於第四主動圖案上交叉第四主動圖案且連接於第四閘極電極；與初始電源供給線，其連接於第四主動圖案。

初始電源供給線可於實質地平行於該其它方向之方向延伸且可連接於複數個連接線。

複數個薄膜電晶體可更包含：第五薄膜電晶體，其包含連接第一主動圖案至驅動電源供給線的第五主動圖案以及設置於第五主動圖案上的第五閘極電極；與第六薄膜電晶體，其包含連接第一主動圖案至有機發光二極體的第六主動圖案以及設置於第六主動圖案上的第六閘極電極。複數個薄膜電晶體可進一步包含設置於各第五及第六主動圖案上、交叉於各第五及第六主動圖案、且連接至各第五及第六閘極電極的發光控制線。

複數個薄膜電晶體可進一步包含第七主動圖案，其連接於第四主動圖案；與第七薄膜電晶體，其包含設置於第七主動圖案上的第七閘極電極。有機發光二極體顯示器可進一步包含設置於第七主動圖案上、交叉於第七主動圖案、且連接於第七閘極電極的第三掃描線。

根據本發明之例示性實施例，用於修理有機發光二極體顯示器之方法包含：彎曲地加工連接於複數個像素電路之複數個資料線之一資料線之一部分的一或多個表面，其中複數個像素電路係設置於基板上且包含複數個薄膜電晶體，彎曲地加工相鄰該資料線之一個連接線之一部分，以及使用導線連接該資料線之該部分至該連接線之該部分。

於例示性實施例中，該資料線之該部分與該連接線之該部分之一或多個表面係使用雷射光彎曲地加工。

於例示性實施例中，複數個像素電路之一像素電路為有瑕疵的。

於例示性實施例中，方法進一步包含彎曲地加工資料線之第一部分及與第一部分分離之資料線之第二部分的各個表面，彎曲地加工連接線之第四部分及與第四部分分離之連接線之第五部分的各個表面，使用第一子導線直接地連接資料線之第一部分與連接線之第四部分，以及使用第二子導線直接地連接資料線之第二部分與連接線之第五部分。

於例示性實施例中，方法進一步包含將設置於資料線之第一及第二部分間的第三部分與第一及第二部分分離與隔離，其中第三部分連接於複數個像素電路之一像素電路，以及將連接線之第四部分、第五部分與位於第四部分及第五部分之間的第六部分斷開且隔離於連接線之其它部分。

根據本發明之例示性實施例，有機發光二極體顯示器包含基板、設置於基板上且彼此分離之複數個有機發光二極體、複數個像素電路，且其中連接於複數個有機發光二極體的一有機發光二極體之每一像素電路包含複數個薄膜電晶體、在基板上於第一方向延伸且於交叉第一方向之第二方向彼此分離的複數個資料線且其中複數個資料線連接於複數個像素電路、相鄰於資料線且於第一方向延伸的複數個連接線且其中複數個連接線連接於複數個像素電路、以及直接地連接複數個資料線之部分至相鄰對應之資料線的複數個連接線的部分的複數個導線且其中複數個資料線的部分的表面與複數個連接線的部分的表面為彎曲的。

於例示性實施例中，各導線包含第一子導線，其直接地連接資料線中之其一的第一部分與連接線中之其一的第四部分；與第二子導線，其分離於第一子導線且直接地連接資料線中之其一的第二部分與連接線中之其一的第五部分。

連接於資料線之複數個像素電路中之其一可能為有瑕疵的，且該像素電路可被從有機發光二極體斷開。

資料線之第一及第二部分之間的第三部分可被斷開且隔離於第一及第二部分並同時連接至像素電路。連接線之第四部分、第五部分及設置於第四及第五部分之間的第六部分可被斷開且隔離於其它部分，並且資料線之第一部分可透過第一子導線、連接線之第四、第六及第五部分與第二子導線連接於資料線之第二部分。

複數個連接線可與複數個資料線設置於同一層。

導線可設置於資料線上以及連接線上。

複數個資料線之各資料線的其它部分之表面可包含稜角。

複數個連接線之各連接線之其它部分之表面可包含稜角。

複數個薄膜電晶體可包含第一薄膜電晶體，其包含設置於基板上且連接有機發光二極體之第一主動圖案以及設置於第一主動圖案上之第一閘極電極、第二薄膜電晶體，其包含連接於第一主動圖案之末端以連接於資料線之第二主動圖案以及設置於第二主動圖案上之第二閘極電極、以及第三薄膜電晶體，其包含透過閘極橋連接於第一主動圖案之其它末端以連接於第一閘極電極的第三主動圖案以及設置於第三主動圖案上之第三閘極電極。

有機發光二極體顯示器可進一步包含第一掃描線，其設置於第二主動圖案上，交叉於各個第二及第三主動圖案，且連接於第二及第三閘極電極、與驅動電源供給線，其相鄰掃描線上之資料線以交叉於第一掃描線且連接於第一主動圖案。

像素電路可設置於第一閘極電極上且連接於驅動電源供給線，且可包含重疊於第一閘極電極以與第一閘極電極構成一電容之電容電極。

複數個薄膜電晶體可進一步包含第四主動圖案，其透過閘極橋連接於第三主動圖案且連接於第一閘極電極、與第四薄膜電晶體，其包含設置於第四主動圖案上之第四閘極電極。有機發光二極體顯示器可進一步包含第二掃描線，其設置於第四主動圖案上、交叉第四主動圖案且連接於第四閘極電極、與初始電源供給線，其連接於第四主動圖案。

初始電源供給線可延伸於實質地平行於該其它方向之方向，且可連接於複數個連接線。

複數個薄膜電晶體可進一步包含第五薄膜電晶體，其包含連接第一主動圖案至驅動電源供給線的第五主動圖案以及設置於第五主動圖案上之第五閘極電極、與第六薄膜電晶體，其包含連接第一主動圖案至有機發光二極體之第六主動圖案以及設置於第六主動圖案上之第六閘極電極。有機發光二極體顯示器可進一步包含發光控制線，其設置於第五及第六主動圖案上，交叉於第五及第六主動圖案且連接於第五及第六閘極電極。

複數個薄膜電晶體可進一步包含第七主動圖案，其連接第四主動圖案、與第七薄膜電晶體，其包含設置於該第七主動圖案上之一第七閘極電極。有機發光二極體顯示器可進一步包含設置於第七主動圖案上，交叉於第七主動圖案且連接於第七閘極電極之第三掃描線。

根據本發明之例示性實施例，用於修理有機發光二極體顯示器之方法包含：形成複數個資料線，其中各資料線之一部分係連接至包含設置於基板上之複數個薄膜電晶體的複數個像素電路中其一，且其中各資料線之該部分 與另一部分包含彎曲面，形成複數個連接線，其中各連接線之一部分連接於複數個像素電路中之其一，且其中各連接線之該部分與另一部分包含彎曲面，以及使用導線連接複數個資料線中之其一之其它部分至複數個連接線中之其一之其它部分。

於例示性實施例中，使用半色調遮罩(halftone mask)執行複數個資料線與複數個連接線之形成。

於例示性實施例中，複數個像素電路中之其一為有瑕疵的。

於例示性實施例中，複數個資料線之各資料線之第一部分與第二部分之表面係形成為彼此分離且彎曲的，並且複數個連接線之各連接線之第四部分與第五部分之表面係形成為彼此分離且彎曲的。修理方法進一步包含使用導線之第一子導線直接地連接第一部分至第四部分，並使用導線之第二子導線直接地連接第二部分至第五部分。

於例示性實施例中，方法進一步包含將設置於第一及第二部分之間的第三部分分離與隔離於第一及第二部分，其中第三部分連接於一個像素電路，以及將連接線之第四部分、第五部分以及第六部分斷開且隔離於其它部分。

根據本發明之例示性實施例，有機發光二極體顯示器包含：基板、設置於基板上且彼此分離之複數個有機發光二極體、複數個像素電路(其中各像素電路包含複數個薄膜電晶體且各像素電路連接於複數個有機發光二極體中之其一)、於基板上之第一方向延伸且於交叉第一方向之第二方向彼此分離之複數個資料線，其中複數個資料線係連接於複數個像素電路、相鄰於資料線且於第一方向延伸之複數個連接線與一導線，其中複數個資料線連接於複數個像 素電路、以及連接於複數個資料線中之其一的彎曲部分至複數個連接線之相鄰的連接線的彎曲部分之導線。

於例示性實施例中，各資料線之彎曲部分與相鄰的連接線之彎曲部分具有圓形且不包含稜角。

根據本發明之例示性實施例，提供於其中一或多個有瑕疵的像素可被修復的有機發光二極體顯示器，以及用於有效率地修裡一或多個有瑕疵的像素之方法。

A1:第一主動層

A2:第二主動層

A3:第三主動層

A4:第四主動層

A5:第五主動層

A6:第六主動層

A7:第七主動層

C1:第一通道

C2:第二通道

C3:第三通道

C4:第四通道

C5:第五通道

C6:第六通道

C7:第七通道

CE:電容電極

CL:連接線

Cst:電容

D1:第一汲極電極

D2:第二汲極電極

D3:第三汲極電極

D4:第四汲極電極

D5:第五汲極電極

D6:第六汲極電極

D7:第七汲極電極

DA、SD:資料線

DD:資料驅動器

DIA:顯示區

E1:第一電極

ELVDD:驅動電源供給線

ELVSS:公共電源供給線

EM:發光控制線

G1:第一閘極電極

G2:第二閘極電極

G3:第三閘極電極

G4:第四閘極電極

G5:第五閘極電極

G6:第六閘極電極

G7:第七閘極電極

GB:閘極橋

Id:驅動電流

NDA:非顯示區

OA:開口

PA1:第一部分

PA2:第二部分

PA3:第三部分

PA4:第四部分

PA5:第五部分

PA6:第六部分

PC:像素電路

PX1:第一像素

PX2:第二像素

PX3:第三像素

PXn:像素

S100、S200:步驟流程

S1:第一源極電極

S2:第二源極電極

S3:第三源極電極

S4:第四源極電極

S5:第五源極電極

S6:第六源極電極

S7:第七源極電極

Sn:第一掃描線

Sn-1:第二掃描線

Sn-2:第三掃描線

SUB:基板

T1:第一薄膜電晶體

T2:第二薄膜電晶體

T3:第三薄膜電晶體

T4:第四薄膜電晶體

T5:第五薄膜電晶體

T6:第六薄膜電晶體

T7:第七薄膜電晶體

Vin:初始電源供給線

W、WI:導線

W1:第一子導線

W2:第二子導線

本發明之上述及其它特徵將藉由參考附圖而詳細描述多個例示性實施例而更加清楚，其中：第1圖係為描繪根據本發明之例示性實施例之有機發光二極體顯示器之平面示意圖。

第2圖係為描繪第1圖所示之例示性實施例之有機發光二極體顯示器之一個像素的電路圖。

第3圖係為描繪根據第1圖所示之例示性實施例之有機發光二極體顯示器之複數個像素之第一、第二及第三像素的佈局圖。

第4圖係為描繪根據本發明之例示性實施例之沿著線段IV-IV截取之第3圖的橫截面圖。

第5圖係為描繪根據本發明之例示性實施例之沿著線段V-V線段截取之第3圖的橫截面圖。

第6A圖係為描繪根據比較例之傳統有機發光二極體顯示器之修復部分的橫截面圖。

第6B圖係為描繪根據本發明之例示性實施例之有機發光二極體顯示器的修復部分。

第7圖係為呈現根據本發明之例示性實施例之用於修理有機發光二極體顯示器之方法的流程圖。

第8圖與第9圖係為描繪有機發光二極體顯示器之複數個像素之第一、第二及第三像素的佈局圖，其係用來描述根據本發明之例示性實施例之用於修理有機發光顯示器的方法。

第10圖係為描繪根據本發明之例示性實施例之有機發光二極體顯示器之複數個像素之第一、第二及第三像素的佈局圖。

第11圖係為描繪根據本發明之例示性實施例之沿著IV-IV線段截取的第10圖的橫截面圖。

第12圖係為描繪根據本發明之例示性實施例之沿著V-V線段截取的第10圖的橫截面圖。

第13圖係為呈現根據本發明之例示性實施例之用於修理有機發光二極體顯示器的方法的流程圖。

第14圖與第15圖係為描繪有機發光二極體顯示器之複數個像素之第一、第二及第三像素的佈局圖，其係用來描述根據本發明之例示性實施例之用於修理有機發光二極體顯示器的方法。

本發明的例示性實施例將參考附圖在下文中更充分地描述。為了清楚描述，附圖中的層和區域的尺寸和相對尺寸可能被誇大。相同的參考數字可以表示相同的元件。

為了清楚描述，附圖中的層、膜、面板、區域等的厚度可能被誇大。

空間相對術語，如「之下(beneath)」、「下方(below)」、「下(lower)」、「下面(under)」、「上方(above)」、「上(upper)」等，可用於本文中以簡化描述如附圖所示之一個元件或特徵與其它元件或特徵之關係的敘述。可以理解的是，除了在附圖中描述的方位之外，空間相對術語意在包含使用或操作裝置的不同方位。例如，若將附圖中的裝置翻轉，則描述為在其它元件或特徵「下方」、「之下」或「下面」之元件將定向於所述其它元件或特徵的「上方」。因此，諸如術語「下方」及「下面」可涵蓋上方與下方兩種方位。此外，還將理解的是，當層被稱為在兩個層「之間」時，它可以是這兩個層之間的唯一的層，或者也可以存在一個或多個中間層。

更要理解的是，當一個元件，諸如薄膜、區域、層或元件被提及「位於」另一元件「上」、「連接於」、「耦接於」或「相鄰於」另一元件時，它可以直接位於另一元件上、或直接連接、直接耦接或直接相鄰於另一元件，或者可存在中間元件(intervening elements)。還應當理解，當一個元件被稱為在兩個元件「之間」時，它可以是這兩個元件之間唯一的元件，或者也可以存在一個或多個中間元件。還應當理解，儘管術語“第一”和“第二”在這裡可以用於描述各種元件，這些元件不應該受限於這些術語。

參考第1圖至第5圖，將描述根據本發明之例示性實施例之有機發光二極體(OLED)顯示器。

第1圖為根據本發明之例示性實施例之有機發光二極體顯示器之平面示意圖。在此，每一像素可表示用於顯示影像之最小單位。

如第1圖所示，根據例示性實施例之有機發光二極體顯示器包含基板SUB、複數個像素PXn、複數個資料線DA、複數個連接線CL與資料驅動器DD。

基板SUB包含顯示影像之顯示區DIA與鄰近該顯示區DIA之非顯示區NDA。非顯示區NDA可設置為圍繞顯示區DIA之邊界。然而，例示性實施例並不限於此。例如，根據例示性實施例，非顯示區NDA可設置在基板SUB上之各種區域，且非顯示區NDA可部分或整個圍繞顯示區DIA之邊界。基板SUB係絕緣基板，例如包含玻璃、聚合物或不鏽鋼。舉例而言，基板SUB可為可撓的(flexible)、可伸縮的(stretchable)、可折疊的(foldable)、可彎曲(bendable)的或可捲曲的(rollable)。可撓的、可伸縮的、可折疊的、可彎曲的或可捲曲的基板SUB允許整個有機發光二極體顯示器伸縮、拉伸、折疊、彎曲或捲曲。

複數個像素PXn係設置於基板SUB上之基板SUB的顯示區DIA中。複數個像素PXn之每一像素連接至資料線DA與連接線CL。複數個像素PXn之每一像素包含用於發光之有機發光二極體，其發出之光的亮度係對應於與自每一資料線DA提供之資料訊號相關的驅動電流，以及包含控制流過有機發光二極體之驅動電流的複數個薄膜電晶體及一或多個電容之像素電路。複數個像素PXn中之每一像素中之有機發光二極體連接至像素電路。

複數個像素PXn可連接至與閘極驅動器連接以提供不同掃描訊號之複數個掃描線，且可進一步連接於用於提供電壓之驅動電源線以及連接於連接線CL之初始電源供給線。此外，第二電極可作為包含於複數個像素PXn中之每一像素之有機發光二極體的陰極而連接至公共電源供應器(common power supply)。複數個像素PXn之每一像素之具體結構將描述於下文。上文所述之閘極驅動器、複數個掃描線、驅動電源線與初始電源供給線將進一步描述於下文。然而，應理解的是，這些元件並不限於下面的描述。例如，根據例示性實施例，各種導線可以各種已知的形式連接至複數個像素PXn之每一像素。

於例示性實施例中，資料驅動器DD係設置於基板SUB之非顯示區NDA上，且連接於複數個資料線DA與複數個連接線CL。於例示性實施例中，複數個資料線DA之每一資料線與複數個連接線CL之每一連接線並未連接至資料驅動器DD，取而代之的是連接於其它驅動單元。

複數個資料線DA分別延伸於一方向，以配置於基板SUB上且於交叉於該方向之另一方向上彼此分離，並且連接於複數個像素PXn之個別像素電路。

複數個連接線CL分別延伸於實質平行於該方向之方向，且鄰近於資料線DA，並且連接於複數個像素PXn之個別像素電路。

參考第2圖，將描述根據例示性實施例之有機發光二極體顯示器之一個像素PXn的電路。

第2圖為第1圖所示之例示性實施例之有機發光二極體顯示器之一個像素的電路圖。

如第2圖所示，有機發光二極體顯示器之一個像素PXn包含像素電路PC，其包含複數個薄膜電晶體T1、T2、T3、T4、T5、T6及T7；電容Cst；複數個導線Sn、Sn-1、Sn-2、EM、Vin、CL、DA及ELVDD，其係選擇性地直接或間接連接於複數個薄膜電晶體T1、T2、T3、T4、T5、T6及T7；與有機發光二極體(OLED)。

複數個薄膜電晶體T1、T2、T3、T4、T5、T6及T7包含第一薄膜電晶體T1、第二薄膜電晶體T2、第三薄膜電晶體T3、第四薄膜電晶體T4、第五薄膜電晶體T5、第六薄膜電晶體T6、與第七薄膜電晶體T7。

第一薄膜電晶體T1之第一閘極電極G1係各連接於第三薄膜電晶體T3之第三汲極電極D3與第四薄膜電晶體T4之第四汲極電極D4，第一薄膜電晶體T1之第一源極電極S1係連接於第二薄膜電晶體T2之第二汲極電極D2與第五薄膜電晶體T5之第五汲極電極D5，且第一薄膜電晶體T1之第一汲極電極D1係各連接於第三薄膜電晶體T3之第三源極電極S3與第六薄膜電晶體T6之第六源極電極S6。

第二薄膜電晶體T2之第二閘極電極G2係連接於第一掃描線Sn，且其第二源極電極S2係連接於資料線DA。第二汲極電極D2係連接於第一薄膜電晶體T1之第一源極電極S1。

第三薄膜電晶體T3之第三閘極電極G3係連接於第一掃描線Sn，第三薄膜電晶體T3之第三源極電極S3係連接於第一薄膜電晶體T1之第一汲極電極D1，且第三薄膜電晶體T3之第三汲極電極D3係連接於第一薄膜電晶體T1之第一閘極電極G1。

第四薄膜電晶體T4之第四閘極電極G4係連接於第二掃描線Sn-1，第四薄膜電晶體T4之第四源極電極S4係連接至與連接線CL連接之初始電源供給線Vin，且第四薄膜電晶體T4之第四汲極電極D4係連接於第一薄膜電晶體T1之第一閘極電極G1。

第五薄膜電晶體T5之第五閘極電極G5係連接於發光控制線EM，第五薄膜電晶體T5之第五源極電極S5係連接於驅動電源供給線ELVDD，且第五薄膜電晶體T5之第五汲極電極D5係連接於第一薄膜電晶體T1之第一源極電極S1。

第六薄膜電晶體T6之第六閘極電極G6係連接於發光控制線EM，且第六薄膜電晶體T6之第六源極電極S6係連接於第一薄膜電晶體T1之第一汲極電極D1。

第七薄膜電晶體T7之第七閘極電極G7係連接於第三掃描線Sn-2，第七薄膜電晶體T7之第七源極電極S7係連接於OLED，且第七薄膜電晶體T7之第七汲極電極D7係連接於第四薄膜電晶體T4之第四源極電極S4。

於例示性實施例中，上述之複數個掃描線包含傳輸第一掃描訊號至第二及第三薄膜電晶體T2及T3之第二及第三閘極電極G2及G3之第一掃描線Sn、傳輸第二掃描訊號至第四薄膜電晶體T4之第四閘極電極G4之第二掃描線Sn-1、傳輸第三掃描訊號至第七薄膜電晶體T7之第七閘極電極G7之第三掃描線Sn-2、以及傳輸發光控制訊號至第五及第六薄膜電晶體之第五及第六閘極電極G5及G6之發光控制線EM。

電容Cst包含，例如連接至驅動電源供給線ELVDD之一電極以及連接至第一閘極電極G1與第三薄膜電晶體T3之第三汲極電極D3之另一電極。

有機發光二極體包含，例如第一電極、設置於第一電極上之第二電極以及設置於第一及第二電極之間的有機發光層。有機發光二極體之第一電極係連接於第七薄膜電晶體T7之第七源極電極S7與第六薄膜電晶體T6之第六汲極電極D6，且有機發光二極體之第二電極係連接於透過其傳輸公共訊號之公共電源供給線ELVSS。

作為一實施例，包含像素電路PC、複數個線路Sn、Sn-1、Sn-2、EM、Vin、CL、DA及ELVDD與OLED之一個像素PXn的操作將進一步描述於此。當第三掃描訊號被傳輸且第七薄膜電晶體T7被開啟時，流過OLED之第一電極的剩餘電流透過第七薄膜電晶體T7流至第四薄膜電晶體T4，其可抑制剩餘電流流至OLED之第一電極所致之OLED之非期望發光。

當第二掃描訊號傳輸至第二掃描線Sn-1且初始訊號透過連接線CL傳輸至初始電源供給線Vin時，第四薄膜電晶體T4被開啟，且關於初始訊號之初始電壓透過第四薄膜電晶體T4提供至第一薄膜電晶體T1之第一閘極電極G1與電容Cst之另一電極，從而初始化第一閘極電極G1與電容Cst。在此例中，若第一閘極電極G1經初始化，則第一薄膜電晶體T1被開啟。

當第一掃描訊號被傳輸至第一掃描線Sn且資料訊號被傳輸至資料線DA時，各個第二及第三薄膜電晶體T2及T3被開啟，且關於資料訊號之資料電壓(Vd)係透過第一薄膜電晶體T1及第三薄膜電晶體T3提供至第一閘極電極G1。在此例中，補償電壓(Vd+Vth)(其中Vth為負值)被提供至第一閘極電極G1，其中補償電壓(Vd+Vth)為透過資料線DA最初提供之資料電壓(Vd)減去第一薄膜電晶體T1之閥值電壓(Vth)後取得的電壓。提供至第一閘極電極G1之補償電壓(Vd+Vth)也提供至連接於第一閘極電極G1之電容Cst的另一電極。

於提供補償電壓(Vd+Vth)至電容Cst之另一電極時，藉由自驅動電源供給線VLEDD提供關於驅動訊號之驅動電壓(Vel)至電容Cst的一電極，對應於施加於電容Cst之各相對之電極之電壓差值的電荷量被儲存於其中，從而開啟第一薄膜電晶體T1一預定的時間量。

當發光控制訊號被施加於發光控制線EM時，各第五及第六薄膜電晶體T5及T6被開啟，且關於驅動訊號的驅動電壓(Vel)係透過第五薄膜電晶體T5自驅動電源供給線ELVDD提供至第一薄膜電晶體T1。

若驅動電壓(Vel)透過藉由電容Cst開啟的第一薄膜電晶體T1傳輸時，對應透過電容Cst提供至第一閘極電極G1之電壓與驅動電壓(Vel)間之差值的驅動電流Id流經第一薄膜電晶體T1之第一汲極電極D1，且驅動電流Id係透過第六薄膜電晶體T6供給至有機發光二極體，從而允許有機發光二極體發光一預定的時間量。

根據例示性實施例之有機發光二極體顯示器包含像素電路PC，其包含第一至第七薄膜電晶體T1至T7與電容Cst、與連接至像素電路PC之第一至第三掃描線Sn至Sn-2、資料線DA、驅動電源供給線ELVDD、初始電源供給線Vin、及連接線CL。然而，例示性實施例並不限於此。例如，根據例示性實施例，有機發光二極體顯示器可包含像素電路，其包含複數個薄膜電晶體與一或多個電容，以及包含連接至像素電路之一或多個掃描線與一或多個驅動電源供給線的導線。

參考第3圖，將描述根據例示性實施例之上述有機發光二極體顯示器之設置於基板SUB之顯示區DIA中且彼此相鄰之複數個像素PXn之第一、第二及第三像素PX1、PX2及PX3的佈局。

第3圖係為描繪根據第1圖所示之例示性實施例之有機發光二極體顯示器之複數個像素PXn之第一、第二及第三像素PX1、PX2及PX3的佈局圖。

如第3圖所示，設置於基板SUB上彼此相鄰之第一、第二及第三像素PX1、PX2及PX3各包含第一薄膜電晶體T1、第二薄膜電晶體T2、第三薄膜電晶體T3、第四薄膜電晶體T4、第五薄膜電晶體T5、第六薄膜電晶體T6、第七薄膜電晶體T7、第一掃描線Sn、第二掃描線Sn-1、第三掃描線Sn-2、發光控制線EM、電容Cst、資料線DA、驅動電源供給線ELVDD、閘極橋GB、連接線CL、初始電源供給線Vin與有機發光二極體(OLED)。在此，第一像素PX1與第二及第三像素PX2及PX3不同的是，其更包含導線WI。

於例示性實施例中，第一、第二及第三像素PX1、PX2及PX3之複數個薄膜電晶體，第一、第二、第三、第四、第五、第六及第七薄膜電晶體T1、T2、T3、T4、T5、T6及T7、閘極橋GB與電容Cst，構成像素電路PC。

第一薄膜電晶體T1係設置於基板SUB上，且包含第一主動層A1與第一閘極電極G1。

第一主動層A1包含第一源極電極S1、第一通道C1與第一汲極電極D1。第一源極電極S1係連接於第二薄膜電晶體T2之第二汲極電極D2與第五薄膜電晶體T5之第五汲極電極D5，並且第一主動層A1之第一汲極電極D1係連接於第三薄膜電晶體T3之第三源極電極S3與第六薄膜電晶體T6之第六源極電極S6。為第一主動層A1的通道區域之第一通道C1重疊於第一閘極電極G1，且彎曲至少一次以延伸，並且由於第一通道C1被彎曲至少一次以在重疊於第一閘極電極G1之有限的空間中延伸以使得第一通道C1之長度延伸，廣驅動範圍(driving range)之閘極電壓可施加於第一閘極電極G1。於是，施加於第一閘極電極G1之閘極電 壓可於廣驅動範圍內變動，以更加精確地控制有機發光二極體發出光線的灰階(gray level)，其可改良有機發光二極體顯示器所顯示之影像的品質。第一主動層A1可調整為不同形狀。例如，根據例示性實施例，第一主動層A1可調整為具有諸如「逆S」、「S」、「M」、「W」等各種形狀。

舉例而言，第一主動層A1可由多晶矽或氧化物半導體形成。例如，氧化物半導體可包含基於鈦(Ti)、鉿(Hi)、鋯(Zr)、鋁(Al)、鉭(Ta)、鍺(Ge)、鋅(Zn)、鎵(Ga)、錫(Sn)、或銦(In)之其中一氧化物以及其複合氧化物，諸如鋅氧化物(ZnO)、銦-鎵-鋅氧化物(InGaZnO₄)、銦-鋅氧化物(In-Zn-O)、鋅-錫氧化物(Zn-Sn-O)、銦-鎵氧化物(In-Ga-O)、銦-錫氧化物(In-Sn-O)、銦-鋯氧化物(In-Zr-O)、銦-鋯-鋅氧化物(In-Zr-Zn-O)、銦-鋯-錫氧化物(In-Zr-Sn-O)、銦-鋯-鎵氧化物(In-Zr-Ga-O)、銦-鋁氧化物(In-Al-O)、銦-鋅-鋁氧化物(In-Zn-Al-O)、銦-錫-鋁氧化物(In-Sn-Al-O)、銦-鋁-鎵氧化物(In-Al-Ga-O)、銦-鉭氧化物(In-Ta-O)、銦-鉭-鋅氧化物(In-Ta-Zn-O)、銦-鉭-錫氧化物(In-Ta-Sn-O)、銦-鉭-鎵氧化物(In-Ta-Ga-O)、銦-鍺氧化物(In-Ge-O)、銦-鍺-鋅氧化物(In-Ge-Zn-O)、銦-鍺-錫氧化物(In-Ge-Sn-O)、銦-鍺-鎵氧化物(In-Ge-Ga-O)、鈦-銦-鋅氧化物(Ti-In-Zn-O)以及鉿-銦-鋅氧化物(Hf-In-Zn-O)。於例示性實施例中，當第一主動層A1由氧化物半導體形成時，可添加獨立之鈍化層以保護氧化物半導體，否則氧化物半導體可能容易因為來自外在環境如高溫等因素而損壞。

第一主動層A1之第一通道C1可使用N或P型雜質來通道摻雜(channel-doped)。當第一通道C1***第一源極電極S1與第一汲極電極D1之間時，第一源極電極S1與第一汲極電極D1係彼此分離，且摻雜有與第一通道C1所摻雜之雜質相反類型的摻雜雜質。

第一閘極電極G1係設置於第一主動層A1之第一通道C1上，且其形狀為島狀。第一閘極電極G1係藉由經由其連接接觸孔之閘極橋GB連接於第四薄膜電晶體T4之第四汲極電極D4與第三薄膜電晶體T3之第三汲極電極D3。第一閘極電極G1重疊於電容電極CE，且可同時作為第一薄膜電晶體T1之閘極電極與電容Cst之另一電極。換言之，第一閘極電極G1與電容電極CE構成電容Cst。

第二薄膜電晶體T2係設置於基板SUB上，且包含第二主動層A2與第二閘極電極G2。第二主動層A2包含第二源極電極S2、第二通道C2與第二汲極電極D2。第二源極電極S2係透過接觸孔連接於資料線DA，且第二汲極電極D2係連接於第一薄膜電晶體T1之第一源極電極S1。為第二主動層A2的通道區域之第二通道C2重疊於第二閘極電極G2，其係設置於第二源極電極S2與第二汲極電極D2之間。換言之，第二主動層A2係連接於第一主動層A1。

第二主動層A2之第二通道C2可使用N或P型雜質來通道摻雜(channel-doped)。當第二通道C2***第二源極電極S2與第二汲極電極D2之間時，第二源極電極S2與第二汲極電極D2係彼此分離，以摻雜與第二通道C2所摻雜之雜質相反類型的摻雜雜質。第二主動層A2係與第一主動層A1設置於同一層、由相同材料形成且一體成形。

第二閘極電極G2係設置於第二主動層A2之第二通道C2上，且與第一掃描線Sn一體成形。

第三薄膜電晶體T3係設置於基板SUB上，且包含第三主動層A3與第三閘極電極G3。

第三主動層A3包含第三源極電極S3、第三通道C3與第三汲極電極D3。第三源極電極S3係連接於第一汲極電極D1，且第三汲極電極D3係透過經 由其碰到(reached)接觸孔的閘極橋GB連接於第一薄膜電晶體T1之第一閘極電極G1。為第三主動層A3之通道區域之第三通道C3重疊於第三閘極電極G3，其係設置於第三源極電極S3與第三汲極電極D3之間。換言之，第三主動層A3將第一主動層A1連接至第一閘極電極G1。

第三主動層A3之第三通道C3可使用N或P型雜質來通道摻雜(channel-doped)。當第三通道C3***第三源極電極S3與第三汲極電極D3之間時，第三源極電極S3與第三汲極電極D3係彼此分離，以摻雜與第三通道C3所摻雜之雜質相反類型的摻雜雜質。第三主動層A3係與第一及第二主動層A1及A2形成於同一層、由相同材料形成且一體成形。

第三閘極電極G3係設置於第三主動層A3之第三通道C3上，且與掃描線Sn一體成形。第三閘極電極G3係形成為雙閘極電極。

第四薄膜電晶體T4係設置於基板SUB上，且包含第四主動層A4與第四閘極電極G4。

第四主動層A4包含第四源極電極S4、第四通道C4與第四汲極電極D4。第四源極電極S4係透過接觸孔連接於與連接線CL連接之初始電源供給線Vin。第四汲極電極D4係透過經由其碰到接觸孔之閘極橋GB連接於第一薄膜電晶體T1之第一閘極電極G1。為第四主動層A4之通道區域之第四通道C4重疊於閘極電極G4，其係設置於第四源極電極S4與第四汲極電極D4之間。換言之，於連接至第三主動層A3與第一閘極電極G1時，第四主動層A4連接初始電源供給線Vin至第一閘極電極G1。

第四主動層A4之第四通道C4可使用N或P型雜質來通道摻雜(channel-doped)。當第四通道C4***第四源極電極S4與第四汲極電極D4之間 時，第四源極電極S4與第四汲極電極D4係彼此分離，以摻雜與第四通道C4所摻雜之雜質相反類型的摻雜雜質。第四主動層A4係與第一、第二及第三主動層A1、A2及A3設置於同一層、由相同材料形成且一體成形。

第四閘極電極G4係設置於第四主動層A4之第四通道C4上，且與第二掃描線Sn-1一體成形。第四閘極電極G4係形成為雙閘極電極。

第五薄膜電晶體T5係設置於基板SUB上，且包含第五主動層A5與第五閘極電極G5。

第五主動層A5包含第五源極電極S5、第五通道C5與第五汲極電極D5。第五源極電極S5係透過接觸孔連接於驅動電源供給線ELVDD，且第五汲極電極D5係連接於第一薄膜電晶體T1之第一源極電極S1。為第五主動層A5之通道區域之第五通道C5重疊於第五閘極電極G5，其係設置於第五源極電極S5與第五汲極電極D5之間。換言之，第五主動層A5連接驅動電源供給線ELVDD至第一主動層A1。

第五主動層A5之第五通道C5可使用N或P型雜質來通道摻雜(channel-doped)。當第五通道C5***第五源極電極S5與第五汲極電極D5之間時，第五源極電極S5與第五汲極電極D5係彼此分離，以摻雜與第五通道C5所摻雜之雜質相反類型的摻雜雜質。第五主動層A5係與第一、第二、第三及第四主動層A1、A2、A3及A4設置於同一層、由相同材料形成且一體成形。

第五閘極電極G5係設置於第五主動層A5之第五通道C5上，且與發光控制線EM一體成形。

第六薄膜電晶體T6係設置於基板SUB上，且包含第六主動層A6與第六閘極電極G6。

第六主動層A6包含第六源極電極S6、第六通道C6與第六汲極電極D6。第六源極電極S6係連接於第一薄膜電晶體T1之第一汲極電極D1，且第六汲極電極D6係透過接觸孔連接於OLED之第一電極E1。為第六主動層A6的通道區域之第六通道C6重疊於第六閘極電極G6，其係設置於第六源極電極S6與第六汲極電極D6之間。換言之，第六主動層A6連接第一主動層A1至OLED之第一電極E1。

第六主動層A6之第六通道C6可使用N或P型雜質來通道摻雜(channel-doped)。當第六通道C6***第六源極電極S6與第六汲極電極D6之間時，第六源極電極S6與第六汲極電極D6係彼此分離，以摻雜與第六通道C6所摻雜之雜質相反類型的摻雜雜質。第六主動層A6係與第一、第二、第三、第四及第五主動層A1、A2、A3、A4及A5設置於同一層、由相同材料形成且一體成形。

第六閘極電極G6係設置於第六主動層A6之第六通道C6上，且與發光控制線EM一體成形。

第七薄膜電晶體T7係設置於基板SUB上，且包含第七主動層A7與第七閘極電極G7。

第七主動層A7包含第七源極電極S7、第七通道C7與第七汲極電極D7。第七源極電極S7係連接於第3圖中未繪示之另一像素之OLED的第一電極(例如設置於第3圖所示之像素上方的像素)，且第七汲極電極D7係連接於第四薄膜電晶體T4之第四源極電極S4。為第七主動層A7的通道區域之第七通道C7重疊於第七閘極電極G7，其係設置於第七源極電極S7與第七汲極電極D7之間。換言之、第七主動層A7連接OLED之第一電極至第四主動層A4。

第七主動層A7之第七通道C7可使用N或P型雜質來通道摻雜(channel-doped)。當第七通道C7***第七源極電極S7與第七汲極電極D7之間時，第七源極電極S7與第七汲極電極D7係彼此分離，以摻雜與第七通道C7所摻雜之雜質相反類型的摻雜雜質。第七主動層A7係與第一、第二、第三、第四、第五及第六主動層A1、A2、A3、A4、A5及A6設置於同一層、由相同材料形成且一體成形。

第七閘極電極G7係設置於第七主動層A7之第七通道C7上，且與第三掃描線Sn-2一體成形。

第一掃描線Sn係設置於第二及第三主動層A2及A3上，以在交叉於第二及第三主動層A2及A3之方向延伸，且與第二及第三閘極電極G2及G3連接並一體成形。

第二掃描線Sn-1係設置於第四主動層A4上且與第一掃描線Sn分離、於交叉於第四主動層A4之方向延伸、且與第四閘極電極G4連接並一體成形。

第三掃描線Sn-2係設置於第七主動層A7上且與第二掃描線Sn-1分離，於交叉第七主動層A7之方向延伸、且與第七閘極電極G7連接並一體成形。

發光控制線EM係設置於第五及第六主動層A5及A6上且與第一掃描線Sn分離，於交叉第五及第六主動層A5及A6之方向延伸、且與第五及第六閘極電極G5及G6連接並一體成形。

於例示性實施例中，如上所述之發光控制線EM、第三掃描線Sn-2、第二掃描線Sn-1、第一掃描線Sn、第一閘極電極G1、第二閘極電極G2、第三閘極電極G3、第四閘極電極G4、第五閘極電極G5、第六閘極電極G6與第七閘極電極G7，係設置於同一層且由相同材料形成。於例示性實施例中，發光控 制線EM、第三掃描線Sn-2、第二掃描線Sn-1、第一掃描線Sn、第一閘極電極G1、第二閘極電極G2、第三閘極電極G3、第四閘極電極G4、第五閘極電極G5、第六閘極電極G6與第七閘極電極G7可分別選擇性地設置於不同層上且可由不同材料形成。

電容Cst包含互相面對之一電極與另一電極且絕緣層***於其中。例如，如上所述之該電極可為電容電極CE，而另一電極可為第一閘極電極G1。電容電極CE係設置於第一閘極電極G1上，且透過接觸孔連接至驅動電源供給線ELVDD。

電容電極CE與第一閘極電極G1構成電容Cst。第一閘極電極G1與電容電極CE係分別由不同金屬或相同金屬形成於不同層上。

電容電極CE包含透過其露出部分之第一閘極電極G1的開口OA。閘極橋GB係透過開口OA連接於第一閘極電極G1。

資料線DA係設置於第一掃描線Sn上且於交叉第一掃描線Sn之方向延伸，且複數個資料線DA係設置於交叉該方向之其它方向且彼此分離。資料線DA係透過接觸孔連接於第二主動層A2之第二源極電極S2。資料線DA延伸以交叉於第一掃描線Sn、第二掃描線Sn-1、第三掃描線Sn-2、發光控制線EM與初始電源供給線Vin。

驅動電源供給線ELVDD係設置於第一掃描線Sn上且於交叉第一掃描線Sn之方向延伸，且與資料線DA分離，且透過接觸孔與第五主動層A5之第五源極電極S5連接，第五主動層A5係連接於電容電極CE與第一主動層A1。驅動電源供給線ELVDD延伸以交叉於第一掃描線Sn、第二掃描線Sn-1、第三掃描線Sn-2、發光控制線EM與初始電源供給線Vin。

閘極橋GB與驅動電源供給線ELVDD分離，且透過接觸孔連接於第三主動層A3之第三汲極電極D3與第四主動層A4之第四汲極電極D4。閘極橋GB更透過接觸孔連接於透過電容電極CE之開口OA暴露的第一閘極電極G1。換言之，閘極橋GB連接第一薄膜電晶體T1至第三薄膜電晶體T3及第四薄膜電晶體T4。

連接線CL係設置於鄰近之資料線DA之間，且於實質地平行於資料線DA所之延伸方向的方向延伸。連接線CL係連接於初始電源供給線Vin，且透過初始電源供給線Vin連接於各個第一、第二及第三像素PX1、PX2及PX3。由於連接線CL延伸於實質地平行於該方向之方向，且初始電源供給線Vin延伸於交叉連接線CL之方向，連接線CL與初始電源供給線Vin以平面矩陣形式設置遍及整個基板SUB。

於例示性實施例中，連接線CL係與閘極橋GB、資料線DA及驅動電源供給線ELVDD設置於同一層，且由相同材料形成。於例示性實施例中，連接線CL、資料線DA、驅動電源供給線ELVDD與閘極橋GB可分別選擇地設置於不同層且可由不同材料形成。

初始電源供給線Vin延伸於交叉連接線CL之延伸方向的方向，且於實質地平行於上述該複數個資料線DA所設置之該另一方向的方向延伸。初始電源供給線Vin係透過接觸孔連接於連接線CL，且也透過接觸孔連接於第四主動層A4之第四源極電極S4。於例示性實施例中，初始電源供給線Vin係與電容電極CE設置於同一層，且由與電容電極CE相同之材料形成。於例示性實施例中，初始電源供給線Vin可設置為與電容電極CE不同層，且可由不同材料形成。

有機發光二極體包含第一電極E1、有機發光層與第二電極。第一電極E1係透過接觸孔連接於第六薄膜電晶體T6之第六汲極電極D6。第一電極E1、有機發光層與第二電極可依序疊層(laminated)。例如，一或多個第一電極E1與第二電極可為光透射電極(light transmissive electrode)、光反射電極(light reflective electrode)及光半透射電極(light transflective electrode)之至少其一。自有機發光層幅射之光線可朝一或多個第一電極E1及第二電極發射。

覆蓋有機發光二極體之覆蓋層可設置於有機發光二極體之上，且薄膜封裝層或封裝基板可設置於有機發光二極體上且同時***覆蓋層於它們之間。

參考第3圖至第5圖，將詳細描述第一、第二及第三像素PX1、PX2及PX3中之第一像素PX1，其相較於第二及第三像素PX2及PX3進一步包含導線WI。

第4圖為根據例示性實施例之沿著線段IV-IV截取的第3圖的橫截面圖。第5圖為根據例示性實施例之沿著線段V-V截取的第3圖的橫截面圖。為方便描述，第4圖與第5圖分別繪示資料線DA、連接線CL與導線WI的橫截面圖。

參考第3圖至第5圖，第一像素PX1為對應於藉由如以下進一步描述之修理有機發光二極體顯示器之方法所修復之像素。包含於第一像素PX1之資料線DA與連接線CL相較於第二及第三像素PX2及PX3之資料線DA與連接線CL具有不同結構。

如此處之實施例所述，第一像素PX1之像素電路PC可不同於第二及第三像素PX2及PX3之像素電路PC之處在於，第一像素PX1之像素電路PC係有缺陷的，且其被從有機發光二極體斷開。

第一像素PX1更包含導線WI，其連接(例如直接連接)資料線DA之一部分至連接線CL之一部分。接觸導線WI之資料線DA的一部分與連接線CL的一部分的一或多個表面為彎曲的。

舉例而言，於例示性實施例中，第一像素PX1之資料線DA包含第一部分PA1、第二部分PA2與第三部分PA3，且連接線CL包含第四部分PA4、第五部分PA5與第六部分PA6。導線WI包含第一子導線W1及第二子導線W2。

資料線DA之第一部分PA1係透過第一子導線W1連接於連接線CL之第四部分PA4，且第一子導線W1連接(例如直接連接)資料線DA之第一部分PA1至連接線CL之第四部分PA4，且其係設置於同一層。第一子導線W1係設置於資料線DA上與連接線CL上，且接觸(例如直接接觸)資料線DA及連接線CL。

資料線DA之第二部分PA2係透過第二子導線W2連接於連接線CL之第五部分PA5，且第二子導線W2連接(例如直接連接)資料線DA之第二部分PA2至連接線CL之第五部分PA5，且其係設置於同一層。第二子導線W2係設置於資料線DA上與連接線CL上，且接觸(例如直接接觸)資料線DA及連接線CL。

於例示性實施例中，資料線DA之第一及第二部分PA1及PA2與連接線CL之第四及第五部分PA4及PA5之表面為彎曲的。

因此，於例示性實施例中，因為直接地連接於第一子導線W1之資料線DA之第一部分PA1與連接線CL之第四部分PA4具有彎曲面，且直接地接觸第一子導線W1，並且直接地接觸第二子導線W2之資料線DA之第二部分PA2與連接線CL之第五部分PA5係彎曲的，各個第一及第二子導線W1及W2有效率地連接資料線DA與連接線CL。例如，於比較例中，當導線WI直接地連接至其的連接線CL與資料線DA的表面具有稜角時，導線WI可能意外地被此稜角切 斷，使得資料線DA與連接線CL並未被導線WI連接。然而，根據本發明之例示性實施例，由於被導線WI直接地連接的資料線DA的第一及第二部分PA1及PA2之表面以及連接線CL之第四及第五部分PA4及PA5為彎曲的，設置於資料線DA及連接線CL之間的導線WI可有效地連接資料線DA及連接線CL。

於例示性實施例中，當資料線DA之第一及第二部分PA1及PA2不具有稜角時，資料線DA除了第一及第二部分PA1及PA2之部分的表面具有稜角，且當連接線CL之第四及第五部分PA4及PA5不具有稜角時，連接線CL除了第四及第五部分PA4及PA5之部分的表面具有稜角。換言之，根據例示性實施例，資料線DA之第一及第二部分PA1及PA2與連接線CL之第四及第五部分PA4及PA5的表面具有不包含任何稜角/尖銳邊緣圓形狀(round/circular shape)。

於例示性實施例中，設置於資料線DA之第一及第二部分PA1及PA2之間的第三部分PA3被斷開並與第一及第二部分PA1及PA2隔離，同時被連接至像素電路PC，並且連接線CL之第四及第五部分PA4及PA5，以及它們之間的第六部分PA6，被斷開且與其它部分隔離。

於是，第一像素PX1之資料線DA之第一部分PA1係透過第一子導線W1、連接線CL之第四、第六及第五部分PA4、PA6及PA5與第二子導線W2，連接於資料線DA之第二部分PA2。此外，在旁通(bypassing)第一像素PX1之像素電路PC以及穿過資料線DA之第一部分PA1、第一子導線W1、連接線CL之第四、第六及第五部分PA4、PA6及PA5、第二子導線W2以及資料線DA之第二部分PA2之後，透過連接於第一像素PX1之資料線DA傳輸的資料訊號可被提供至設置於第一像素PX1之下方的另一像素。

換言之，有瑕疵的第一像素PX1之像素電路PC並未連接於資料線DA，且透過資料線DA傳輸的資料訊號透過導線WI與連接線CL被提供至除了第一像素PX1之外的其它像素。於是，當該複數個像素發光時，第一像素PX1並未發光，以避免其被識別。

換言之，有瑕疵的第一像素PX1被修復，且因此提供具有避免有瑕疵的第一像素PX1被識別之能力的有機發光二極體顯示器。

參考第6A圖及第6B圖，將描述根據本發明之實施例之有機發光二極體顯示器之效應。

第6A圖係為描繪根據比較例之傳統有機發光二極體顯示器之修復部分的橫截面圖，且第6B圖係為描繪根據本發明之例示性實施例之有機發光二極體顯示器之修復部分。

如第6A圖所示，根據比較例，根據比較例之傳統有機發光二極體顯示器中，由於直接接觸導線W之資料線SD的表面包含稜角，導線W非預期地被稜角斷開，且導線W無法連接資料線SD至連接線。

反之，如第6B圖所示，於例示性實施例中，由於導線直接地連接至其之資料線的表面為彎曲的，導線係有效地連接資料線與連接線。

如上所述，根據本發明之例示性實施例之有機發光二極體顯示器中，接觸導線WI的資料線DA之一部分與連接線CL之一部分之一或多個表面為彎曲的，導致導線WI有效地連接資料線DA至連接線CL。因此，可提供讓修理工作更有效率地執行的有機發光二極體顯示器。

參考第7圖至第9圖，將描述根據本發明之例示性實施例之有機發光二極體顯示器之修理方法。使用下文所描述之有機發光二極體顯示器之修理方法，可提供根據例示性實施例之上述有機發光二極體顯示器。

第7圖係為呈現根據例示性實施例之有機發光二極體顯示器之修理方法的流程圖。第8圖與第9圖係為描繪有機發光二極體顯示器之複數個像素之第一、第二及第三像素的佈局圖，其用來描述根據本例示性實施例之有機發光二極體顯示器之修理方法。

如第7圖及與8圖所示，將一個資料線之一部分與一個連接線之一部分的一或多個表面處理為彎曲的(步驟S100)。

舉例而言，於例示性實施例中，可執行燈光檢查來判定是否包含第一、第二及第三像素PX1、PX2及PX3之複數個薄膜電晶體T1、T2、T3、T4、T5、T6及T7的像素電路PC為有瑕疵的之後，其中第一、第二及第三像素PX1、PX2及PX3為包含於有機發光二極體顯示器之複數個像素。若第一、第二及第三像素PX1、PX2及PX3中的第一像素PX1經判定為有瑕疵的，各個第一及第二部分PA1及PA2(其為連接於第一像素PX1之一個像素電路PC之一個資料線DA的一部分)之表面與鄰近於一個資料線DA之一個連接線CL之第四及第五部分PA4及PA5之表面被處理為彎曲的。

舉例而言，於例示性實施例中，可使用雷射光將第一及第二部分PA1及PA2(其為資料線DA的一部分)之表面與一個連接線CL之第四及第五部分PA4及PA5之表面處理為彎曲的。然而，本發明之例示性實施例並不限於此。例如，根據例示性實施例，可使用各種方法來將資料線DA之第一及第二部分PA1及PA2的表面以及連接線CL之第四及第五部分PA4及PA5之表面加工成彎曲的。

接著，如第9圖所示，導線被用來將一個資料線之一部分連接至一個連接線之一部分(步驟S200)。

舉例而言，導線WI係用於連接一個資料線DA之一部分至一個連接線CL之一部分。

舉例而言，於例示性實施例中，藉由沈積製程，第一子導線W1係用於連接(例如直接連接)資料線DA之第一部分PA1與連接線CL之第四部分PA4，且第二子導線W2係用於連接(例如直接連接)資料線DA之第二部分PA2與連接線CL之第五部分PA5。

此外，於連接於一個像素電路PC時，第一像素PX1之資料線DA之第一及第二部分PA1及PA2之間的第三部分PA3被斷開且與第一及第二部分PA1及PA2分離，並且連接線CL之第四及第五部分PA4及PA5與介於其間之第六部分PA6被斷開且與其它部分分離。

如上所述，使用根據例示性實施例之有機發光二極體顯示器之修理方法，可提供根據例示性實施例之上述的有機發光二極體顯示器。

於例示性實施例中，資料線DA係藉由導線WI連接於連接線CL，且資料線DA可藉由導線WI連接於驅動電源供給線ELVDD或與資料線DA設置於同一層之其它線。

如上所述，根據例示性實施例之有機發光二極體顯示器之修理方法中，資料線DA之一部分與連接線CL之一部分的一或多個表面被加工為彎曲的，且導線WI被用來連接具有彎曲面之資料線DA的一部分與連接線CL的一部分，致使導線WI有效地連接資料線DA與連接線CL。換言之，提供修理工作可藉由導線WI有效地執行之有機發光二極體顯示器之修理方法。

參考第10圖至第12圖，將描述本發明例示性實施例之有機發光二極體顯示器。

參考第10圖，將描述根據例示性實施例之有機發光二極體顯示器之複數個像素PXn之第一、第二及第三像素PX1、PX2及PX3的配置，其設置於基板SUB之顯示區DIA中以彼此相鄰。

第10圖為根據例示性實施例之有機發光二極體顯示器之複數個像素之第一、第二及第三像素之佈局圖。

如第10圖所示，設置於基板SUB上以彼此相鄰之第一、第二及第三像素PX1、PX2及PX3分別包含第一薄膜電晶體T1、第二薄膜電晶體T2、第三薄膜電晶體T3、第四薄膜電晶體T4、第五薄膜電晶體T5、第六薄膜電晶體T6、第七薄膜電晶體T7、第一掃描線Sn、第二掃描線Sn-1、第三掃描線Sn-2、發光控制線EM、電容Cst、資料線DA、驅動電源供給線ELVDD、閘極橋GB、連接線CL、初始電源供給線Vin與有機發光二極體(OLED)。在此，第一像素PX1與第二及第三像素PX2及PX3不同之處在於其進一步包含導線WI。

第一、第二、第三、第四、第五、第六及第七薄膜電晶體T1、T2、T3、T4、T5、T6及T7(其為第一、第二及第三像素PX1、PX2及PX3之薄膜電晶體)、閘極橋GB與電容Cst可構成像素電路PC。

第一薄膜電晶體T1係設置於基板SUB上，且包含第一主動層A1與第一閘極電極G1。

第一主動層A1包含第一源極電極S1、第一通道C1與第一汲極電極D1。第一源極電極S1係連接於第二薄膜電晶體T2之第二汲極電極D2與第五薄膜電晶體T5之第五汲極電極D5。第一汲極電極D1係連接於第三薄膜電晶體T3之 第三源極電極S3與第六薄膜電晶體T6之第六源極電極S6。由於第一通道C1被彎折至少一次以延伸於重疊第一閘極電極G1之有限空間中，使得第一通道C1之長度被延長，重疊於第一閘極電極G1之第一主動層A1之通道區域的第一通道C1被彎折至少一次以延伸，且廣驅動範圍之閘極電壓可應用於第一閘極電極G1。於是，施加於第一閘極電極G1之閘極電壓可在廣驅動範圍內變動，以更精確定控制發射自有機發光二極體之光線的灰階，從而改良有機發光二極體顯示器所顯示之影像的品質。第一主動層A1可被修改為具有諸如「逆S」、「S」、「M」、「W」等各種形狀。

舉例而言，第一主動層A1可由多晶矽或氧化物半導體形成。例如，氧化物半導體可包含基於鈦(Ti)、鉿(Hi)、鋯(Zr)、鋁(Al)、鉭(Ta)、鍺(Ge)、鋅(Zn)、鎵(Ga)、錫(Sn)、或銦(In)之其中一氧化物以及其複合氧化物，諸如鋅氧化物(ZnO)、銦-鎵-鋅氧化物(InGaZnO₄)、銦-鋅氧化物(In-Zn-O)、鋅-錫氧化物(Zn-Sn-O)、銦-鎵氧化物(In-Ga-O)、銦-錫氧化物(In-Sn-O)、銦-鋯氧化物(In-Zr-O)、銦-鋯-鋅氧化物(In-Zr-Zn-O)、銦-鋯-錫氧化物(In-Zr-Sn-O)、銦-鋯-鎵氧化物(In-Zr-Ga-O)、銦-鋁氧化物(In-Al-O)、銦-鋅-鋁氧化物(In-Zn-Al-O)、銦-錫-鋁氧化物(In-Sn-Al-O)、銦-鋁-鎵氧化物(In-Al-Ga-O)、銦-鉭氧化物(In-Ta-O)、銦-鉭-鋅氧化物(In-Ta-Zn-O)、銦-鉭-錫氧化物(In-Ta-Sn-O)、銦-鉭-鎵氧化物(In-Ta-Ga-O)、銦-鍺氧化物(In-Ge-O)、銦-鍺-鋅氧化物(In-Ge-Zn-O)、銦-鍺-錫氧化物(In-Ge-Sn-O)、銦-鍺-鎵氧化物(In-Ge-Ga-O)、鈦-銦-鋅氧化物(Ti-In-Zn-O)以及鉿-銦-鋅氧化物(Hf-In-Zn-O)。於例示性實施例中，當第一主動層A1由氧化物半導體形成時，可添加獨立之鈍化層以保護氧化物半導體，否則氧化物半導體可能容易因為來自外在環境如高溫等因素而損壞。

第一主動層A1之第一通道C1可使用N或P型雜質來通道摻雜(channel-doped)。當第一通道C1***第一源極電極S1與第一汲極電極D1之間時，第一源極電極S1與第一汲極電極D1係彼此分離，且可被摻雜與第一通道C1所摻雜之雜質相反類型的摻雜雜質。

第一閘極電極G1係設置於第一主動層A1之第一通道C1上，且其形狀為島狀。第一閘極電極G1係藉由透過其連接接觸孔之閘極橋GB連接於第四薄膜電晶體T4之第四汲極電極D4與第三薄膜電晶體T3之第三汲極電極D3。第一閘極電極G1重疊於電容電極CE，且可同時作為第一薄膜電晶體T1之閘極電極與電容Cst之另一電極。換言之，第一閘極電極G1與電容電極CE構成電容Cst。

第二薄膜電晶體T2係設置於基板SUB上，且包含第二主動層A2與第二閘極電極G2。第二主動層A2包含第二源極電極S2、第二通道C2與第二汲極電極D2。第二源極電極S2係透過接觸孔連接於資料線DA，且第二汲極電極D2係連接於第一薄膜電晶體T1之第一源極電極S1。為第二主動層A2的通道區域之第二通道C2重疊於第二閘極電極G2，其係設置於第二源極電極S2與第二汲極電極D2之間。換言之，第二主動層A2係連接於第一主動層A1。

第二主動層A2之第二通道C2可使用N或P型雜質來通道摻雜(channel-doped)。當第二通道C2***第二源極電極S2與第二汲極電極D2之間時，第二源極電極S2與第二汲極電極D2可彼此分離，以摻雜與第二通道C2所摻雜之雜質相反類型的摻雜雜質。第二主動層A2係與第一主動層A1設置於同一層、由相同材料形成且一體成形。

第二閘極電極G2係設置於第二主動層A2之第二通道C2上，且與第一掃描線Sn一體成形。

第三薄膜電晶體T3係設置於基板SUB上，且包含第三主動層A3與第三閘極電極G3。

第三主動層A3包含第三源極電極S3、第三通道C3與第三汲極電極D3。第三源極電極S3係連接於第一汲極電極D1，且第三汲極電極D3係藉由透過其碰到接觸孔的閘極橋GB連接於第一薄膜電晶體T1之第一閘極電極G1。為第三主動層A3之通道區域之第三通道C3重疊於第三閘極電極G3，其係設置於第三源極電極S3與第三汲極電極D3之間。換言之，第三主動層A3連接第一主動層A1至第一閘極電極G1。

第三主動層A3之第三通道C3可使用N或P型雜質來通道摻雜(channel-doped)。當第三通道C3***第三源極電極S3與第三汲極電極D3之間時，第三源極電極S3與第三汲極電極D3係彼此分離，以摻雜與第三通道C3所摻雜之雜質相反類型的摻雜雜質。第三主動層A3係與第一及第二主動層A1及A2形成於同一層、由相同材料形成且一體成形。

第三閘極電極G3係設置於第三主動層A3之第三通道C3上，且與第一掃描線Sn一體成形。第三閘極電極G3係形成為雙閘極電極。

第四薄膜電晶體T4係設置於基板SUB上，且包含第四主動層A4與第四閘極電極G4。

第四主動層A4包含第四源極電極S4、第四通道C4與第四汲極電極D4。第四源極電極S4係透過接觸孔連接於與連接線CL連接之初始電源供給線，且第四汲極電極D4係透過經由其碰到接觸孔之閘極橋GB連接於第一薄膜電晶體T1之第一閘極電極G1。為第四主動層A4之通道區域之第四通道C4重疊於閘極電極G4，其係設置於第四源極電極S4與第四汲極電極D4之間。換言之，於連 接至第三主動層A3與第一閘極電極G1時，第四主動層A4連接初始電源供給線Vin至第一閘極電極G1。

第四主動層A4之第四通道C4可使用N或P型雜質來通道摻雜(channel-doped)。當第四通道C4***第四源極電極S4與第四汲極電極D4之間時，第四源極電極S4與第四汲極電極D4可彼此分離，以摻雜與第四通道C4所摻雜之雜質相反類型的摻雜雜質。第四主動層A4係與第一、第二及第三主動層A1、A2及A3設置於同一層、由相同材料形成且一體成形。

第四閘極電極G4係設置於第四主動層A4之第四通道C4上，且與第二掃描線Sn-1一體成形。第四閘極電極G4係形成為雙閘極電極。

第五薄膜電晶體T5係設置於基板SUB上，且包含第五主動層A5與第五閘極電極G5。

第五主動層A5包含第五源極電極S5、第五通道C5與第五汲極電極D5。第五源極電極S5係透過接觸孔連接於驅動電源供給線ELVDD，且第五汲極電極D5係連接於第一薄膜電晶體T1之第一源極電極S1。為第五主動層A5的通道區域之第五通道C5重疊於第五閘極電極G5，其係設置於第五源極電極S5與第五汲極電極D5之間。換言之，第五主動層A5連接驅動電源供給線ELVDD至第一主動層A1。

第五主動層A5之第五通道C5可使用N或P型雜質來通道摻雜(channel-doped)。當第五通道C5***第五源極電極S5與第五汲極電極D5之間時，第五源極電極S5與第五汲極電極D5係彼此分離，以摻雜與第五通道C5所摻雜之雜質相反類型的摻雜雜質。第五主動層A5係與第一、第二、第三及第四主動層A1、A2、A3及A4設置於同一層、由相同材料形成且一體成形。

第五閘極電極G5係設置於第五主動層A5之第五通道C5上，且與發光控制線EM一體成形。

第六薄膜電晶體T6係設置於基板SUB上，且包含第六主動層A6與第六閘極電極G6。

第六主動層A6包含第六源極電極S6、第六通道C6與第六汲極電極D6。第六源極電極S6係連接於第一薄膜電晶體T1之第一汲極電極D1，且第六汲極電極D6係透過接觸孔連接於OLED之第一電極E1。為第六主動層A6的通道區域之第六通道C6重疊於第六閘極電極G6，其係設置於第六源極電極S6與第六汲極電極D6之間。換言之，第六主動層A6連接第一主動層A1至OLED之第一電極E1。

第六主動層A6之第六通道C6可使用N或P型雜質來通道摻雜(channel-doped)。當第六通道C6***第六源極電極S6與第六汲極電極D6之間時，第六源極電極S6與第六汲極電極D6係彼此分離，以摻雜與第六通道C6所摻雜之雜質相反類型的摻雜雜質。第六主動層A6係與第一、第二、第三、第四及第五主動層A1、A2、A3、A4及A5設置於同一層、由相同材料形成且一體成形。

第六閘極電極G6係設置於第六主動層A6之第六通道C6上，且與發光控制線EM一體成形。

第七薄膜電晶體T7係設置於基板SUB上，且包含第七主動層A7與第七閘極電極G7。

第七主動層A7包含第七源極電極S7、第七通道C7與第七汲極電極D7。第七源極電極S7可連接於第10圖中未繪示之另一像素之有機發光二極體的第一電極(例如設置於第10圖所示之像素上方的像素)，且第七汲極電極D7係連 接於第四薄膜電晶體T4之第四源極電極S4。為第七主動層A7的通道區域之第七通道C7重疊於第七閘極電極G7，其係設置於第七源極電極S7與第七汲極電極D7之間。換言之，第七主動層A7連接OLED之第一電極至第四主動層A4。

第七主動層A7之第七通道C7可使用N或P型雜質來通道摻雜(channel-doped)。當第七通道C7***第七源極電極S7與第七汲極電極D7之間時，第七源極電極S7與第七汲極電極D7係彼此分離，以摻雜與第七通道C7所摻雜之雜質相反類型的摻雜雜質。第七主動層A7係與第一、第二、第三、第四、第五及第六主動層A1、A2、A3、A4、A5及A6設置於同一層、由相同材料形成且一體成形。

第七閘極電極G7係設置於第七主動層A7之第七通道C7上，且與第三掃描線Sn-2一體成形。

第一掃描線Sn係設置於第二及第三主動層A2及A3上，以在交叉於第二及第三主動層A2及A3之方向延伸，且與第二及第三閘極電極G2及G3連接並一體成形。

第二掃描線Sn-1係設置於第四主動層A4上且與第一掃描線Sn分離，於交叉於第四主動層A4之方向延伸，且與第四閘極電極G4連接並一體成形。

第三掃描線Sn-2係設置於第七主動層A7上且與第二掃描線Sn-1分離，於交叉第七主動層A7之方向延伸，且與第七閘極電極G7連接並一體成形。

發光控制線EM係設置於第五及第六主動層A5及A6上且與第一掃描線Sn分離，於交叉第五及第六主動層A5及A6之方向延伸，且與第五及第六閘極電極G5及G6連接並一體成形。

於例示性實施例中，如上所述之發光控制線EM、第三掃描線Sn-2、第二掃描線Sn-1、第一掃描線Sn、第一閘極電極G1、第二閘極電極G2、第三閘極電極G3、第四閘極電極G4、第五閘極電極G5、第六閘極電極G6與第七閘極電極G7，係設置於同一層且由相同材料形成。於例示性實施例中，發光控制線EM、第三掃描線Sn-2、第二掃描線Sn-1、第一掃描線Sn、第一閘極電極G1、第二閘極電極G2、第三閘極電極G3、第四閘極電極G4、第五閘極電極G5、第六閘極電極G6與第七閘極電極G7可分別選擇性地設置於不同層且可由不同材料形成。

電容Cst包含互相面對之一電極與另一電極且絕緣層***於其中。如上所述之一電極可為電容電極CE，且另一電極可為第一閘極電極G1。電容電極CE係設置於第一閘極電極G1上，且透過接觸孔連接至驅動電源供給線ELVDD。

電容電極CE與第一閘極電極G1構成電容Cst。第一閘極電極G1與電容電極CE係分別由不同金屬或相同金屬形成於不同層上。

電容電極CE包含露出部分之第一閘極電極G1的開口OA。閘極橋GB係透過開口OA連接於第一閘極電極G1。

資料線DA係設置於第一掃描線Sn上以於交叉第一掃描線Sn之方向延伸，且複數個資料線DA係分別設置於交叉該方向之其它方向且彼此分離。資料線DA係透過接觸孔連接於第二主動層A2之第二源極電極S2。資料線DA延伸以交叉於第一掃描線Sn、第二掃描線Sn-1、第三掃描線Sn-2、發光控制線EM與初始電源供給線Vin。

驅動電源供給線ELVDD與資料線DA分離，且設置於第一掃描線Sn上且於交叉第一掃描線Sn之方向延伸，並且透過接觸孔連接與電容電極CE與第一主動層A1連接之第五主動層A5之第五源極電極S5。驅動電源供給線ELVDD延伸以交叉於第一掃描線Sn、第二掃描線Sn-1、第三掃描線Sn-2、發光控制線EM與初始電源供給線Vin。

閘極橋GB與驅動電源供給線ELVDD分離，且透過接觸孔連接於第三主動層A3之第三汲極電極D3與第四主動層A4之第四汲極電極D4，使得其透過接觸孔連接於透過電容電極CE之開口OA暴露的第一閘極電極G1。換言之、閘極橋GB分別連接第一薄膜電晶體T1至第三薄膜電晶體T3及第四薄膜電晶體T4。

連接線CL係設置於鄰近之資料線DA之間，且於實質地平行於資料線DA所之延伸方向的方向延伸。連接線CL係連接於初始電源供給線Vin，且透過初始電源供給線Vin連接於第一、第二及第三像素PX1、PX2及PX3。由於連接線CL延伸於實質地平行於該方向之方向，且初始電源供給線Vin延伸於交叉連接線CL之方向，連接線CL與初始電源供給線Vin具有遍及整個基板SUB之平面矩陣形式。

連接線CL係與上述之閘極橋GB、資料線DA及驅動電源供給線ELVDD設置於同一層，且以相同材料形成。於例示性實施例中，連接線CL、資料線DA、驅動電源供給線ELVDD與閘極橋GB可分別選擇性地設置於不同層且可由不同材料形成。

於例示性實施例中，初始電源供給線Vin延伸於與連接線CL之延伸方向交叉的方向，且延伸於實質地平行於上述複數個資料線DA所分別設置之 該其它方向的方向。初始電源供給線Vin係透過接觸孔連接於連接線CL，且也透過接觸孔連接於第四主動層A4之第四源極電極S4。初始電源供給線Vin係與電容電極CE設置於同一層，且由與電容電極CE相同之材料形成。於例示性實施例中，初始電源供給線Vin可設置於與電容電極CE不同層，且由不同材料形成。

OLED包含第一電極E1、有機發光層與第二電極。第一電極E1係透過接觸孔連接於第六薄膜電晶體T6之第六汲極電極D6。第一電極E1、有機發光層與第二電極可依序疊層(laminated)。例如，一或多個第一電極E1與第二電極可為光透射電極(light transmissive electrode)、光反射電極(light reflective electrode)及光半透射電極(light transflective electrode)之至少其一，並且輻射自有機發光層之光線可朝一或多個第一電極E1及第二電極發射。

覆蓋OLED之覆蓋層可設置於OLED之上，且薄膜封裝層或封裝基板可設置於OLED上且同時***覆蓋層於它們之間。

參考第10圖至第12圖，將詳細描述第一、第二及第三像素PX1、PX2及PX3之第一像素PX1，其相較於第二及第三像素PX2及PX3進一步包含導線WI。

第11圖為根據例示性實施例之沿著IV-IV線段截取的第10圖的橫截面圖。第12圖為根據例示性實施例之沿著V-V線段截取的第10圖的橫截面圖。為方便描述，第11圖與第12圖分別繪示資料線DA、連接線CL與導線WI的橫截面圖。

如第10圖至第12圖所示，第一像素PX1為下文所述之有機發光二極體顯示器之修理方法所修復之像素，且包含於第一像素PX1之資料線DA與連接線CL與第二及第三像素PX2及PX3中之資料線DA與連接線CL具有不同結構 且具有斷開的中間部分。包含於各個第一、第二及第三像素PX1、PX2及PX3之資料線DA與連接線CL之表面具有相同形狀。

於此處所述之實施例中，第一像素PX1之像素電路PC可與第二及第三像素PX2及PX3之像素電路PC不同之處在於，第一像素PX1之像素電路PC係有缺陷的，且第一像素PX1之像素電路PC被從有機發光二極體斷開。

第一像素PX1更包含導線WI，其連接(例如直接連接)資料線DA之一部分至連接線CL之一部分。接觸於導線WI之資料線DA的一部分與連接線CL的一部分的一或多個表面為彎曲的。

此外，連接於對應連接於第一像素PX1之資料線DA的一部分，與第二及第三像素PX2及PX3連接的複數個資料線DA中之其一的一部分的表面為彎曲的。

此外，對應於連接於第一像素PX1之資料線DA之一部分的複數個資料線DA中之其一的一部分的表面也為彎曲的。

舉例而言，第一像素PX1之資料線DA包含第一部分PA1、第二部分PA2與第三部分PA3，且連接線CL包含第四部分PA4、第五部分PA5與第六部分PA6。導線WI包含第一子導線W1及第二子導線W2。

資料線DA之第一部分PA1係透過第一子導線W1連接於連接線CL之第四部分PA4，且第一子導線W1連接(例如直接連接)資料線DA之第一部分PA1與連接線CL之第四部分PA4，且其係設置於同一層。第一子導線W1係設置於資料線DA上與連接線CL上，且接觸(例如直接接觸)資料線DA及連接線CL。

資料線DA之第二部分PA2係透過第二子導線W2連接於連接線CL之第五部分PA5，且第二子導線W2連接(例如直接連接)資料線DA之第二部分 PA2至連接線CL之第五部分PA，且其係設置於同一層。第二子導線W2係設置於資料線DA上與連接線CL上，且接觸(例如直接接觸)資料線DA及連接線CL。

資料線DA之各個第一及第二部分PA1及PA2與連接線CL之各個第四及第五部分PA4及PA5之表面為彎曲的。相似地，複數個資料線DA中之每一個之第一及第二部分PA1及PA2之表面也為彎曲的，並且複數個連接線CL中之每一個之第四及第五部分PA4及PA5之表面也為彎曲的。

因此，直接地連接於第一子導線W1之資料線DA的第一部分PA1與連接線CL的第四部分PA4的各表面為彎曲的，以直接地接觸第一子導線W1，並且直接地連接於第二子導線W2之資料線DA之第二部分PA2與連接線CL之第五部分PA5之各表面為彎曲的。因此，第一及第二子導線W1及W2各有效率地連接資料線DA至連接線CL。例如，於比較例中，當導線WI直接地連接至其之連接線CL與資料線DA的各表面具有稜角時，導線WI可能意外地被稜角斷開，使得資料線DA與連接線CL間之連接可能無法藉由導線WI執行。然而，根據本發明之例示性實施例，由於導線WI直接地連接至其之資料線DA的第一及第二部分PA1及PA2以及連接線CL之第四及第五部分PA4及PA5之表面為彎曲的，導線WI有效地連接資料線DA及連接線CL。

於例示性實施例中，當第一及第二部分PA1及PA2不具有稜角時，資料線DA除了第一及第二部分PA1及PA2之部分的表面具有稜角，且當第四及第五部分PA4及PA5不具有稜角時，連接線CL除了第四及第五部分PA4及PA5之部分的表面具有稜角。換言之，根據例示性實施例，資料線DA之第一及第二部分PA1及PA2與連接線CL之第四及第五部分PA4及PA5的表面具有不包含任何稜角/尖銳邊緣之圓形狀(round/circular shape)。

於例示性實施例中，設置於資料線DA之第一及第二部分PA1及PA2之間的第三部分PA3被斷開且與第一及第二部分PA1及PA2隔離，同時連接至像素電路PC，並且連接線CL之第四及第五部分PA4及PA5，以及設置於第四及第五部分PA4及PA5之間的第六部分PA6被斷開且與其它部分隔離。

於是，第一像素PX1之資料線DA之第一部分PA1係透過第一子導線W1、連接線CL之第四、第六及第五部分PA4、PA6及PA5與第二子導線W2，連接於資料線DA之第二部分PA2。此外，在旁通(bypassing)第一像素PX1之像素電路PC以及穿過資料線DA之第一部分PA1、第一子導線W1、連接線CL之第四、第六及第五部分PA4、PA6及PA5、第二子導線W2以及資料線DA之第二部分PA2之後，透過連接於第一像素PX1之資料線DA傳輸的資料訊號可被提供至位於第一像素PX1之下方的另一像素。

換言之，有瑕疵的第一像素PX1之像素電路PC並未連接於資料線DA。因此，透過資料線DA傳輸的資料訊號透過導線WI與連接線CL被提供至除了第一像素PX1之外的其它像素。於是，當複數個像素發光時，第一像素PX1並未發光並因此抑止其被識別。

換言之，有瑕疵的第一像素PX1被修復，且因此提供具有能夠抑止有瑕疵的第一像素PX1被識別之能力的有機發光二極體顯示器。

根據比較例之傳統的有機發光二極體顯示器中，由於直接接觸導線之資料線的表面包含稜角，導線意外地被稜角切斷，且無法藉由導線執行資料線與連接線之間的連結。

然而，於本發明之例示性實施例中，由於導線直接地連接至其之資料線為彎曲的，導線係有效率地連接資料線與連接線。

如上所述，根據本發明之例示性實施例之有機發光二極體顯示器中，因為接觸導線WI的資料線DA之一部分與連接線CL之一部分之一或多個表面為彎曲的，導線WI有效率地連接資料線DA至連接線CL。因此，可提供讓修理工作更有效率地執行的有機發光二極體顯示器。

此外，根據例示性實施例之有機發光二極體顯示器中，被導線連接的資料線DA之一部分與一連接線CL之一部分之各表面為彎曲的，且對應於一個資料線DA之一部分之複數個資料線DA的每一個的一部分以及對應於一個連接線CL之一部分之複數個連接線CL的每一個的一部分的各表面也為彎曲的。因此，在導線WI用來連接資料線DA至連接線CL之前，資料線DA與連接線CL之各表面不需加工為彎曲的。

因此，可提供讓修理工作更有效地執行之有機發光二極體顯示器。

參考第13圖至第15圖，將描述根據例示性實施例之有機發光二極體顯示器之修理方法。使用根據本實施例之有機發光二極體顯示器的修理方法，可提供根據例示性實施例之上述有機發光二極體顯示器。

第13圖係為呈現根據例示性實施例之有機發光二極體顯示器之修理方法的流程圖。第14圖與第15圖為有機發光二極體顯示器之複數個像素之第一、第二及第三像素的佈局圖，其係用來描述根據例示性實施例之用於修理有機發光二極體顯示器之方法。

首先，如第13圖及與14圖所示，形成一部分為彎曲面的複數個資料線與一部分為彎曲面的複數個連接線(步驟S100)。

舉例而言，當複數個資料線DA與複數個連接線CL於製造有機發光二極體顯示器之期間形成時，複數個資料線DA中之每一個之第一及第二部分PA1及PA2以及第四及第五部分PA4及PA5係形成為彎曲的。

舉例而言，於例示性實施例中，當複數個資料線DA與複數個連接線CL使用光刻(photolithography)製程形成時，各個第一及第二部分PA1及PA2之表面係使用半色調遮罩(halftone mask)形成為彎曲的，且複數個連接線CL之各個第四及第五部分PA4及PA5之表面係使用半色調遮罩(halftone mask)形成為彎曲的。

接著，如第13圖及與15圖所示，導線被用來連接一個資料線之一部分至一個連接線之一部分(步驟S200)。

舉例而言，於例示性實施例中，在執行燈光檢查來判定是否包含第一、第二及第三像素PX1、PX2及PX3之複數個薄膜電晶體T1、T2、T3、T4、T5、T6及T7的像素電路PC為有瑕疵的之後，其中第一、第二及第三像素PX1、PX2及PX3為包含於有機發光二極體顯示器之複數個像素，當第一、第二及第三像素PX1、PX2及PX3中的第一像素PX1經判定為有瑕疵的像素，導線WI被用來連接與第一像素PX1之像素電路PC(其為一個像素電路)連接之一個資料線的一部分至一個連接線CL之一部分。

舉例而言，於例示性實施例中，藉由沈積製程，第一子導線W1係用於直接連接資料線DA之第一部分PA1與連接線CL之第四部分PA4，且第二子導線W2係用於直接連接資料線DA之第二部分PA2與連接線CL之第五部分PA5。

此外，於連接於一個像素電路PC時，第一像素PX1之資料線DA之第一及第二部分PA1及PA2之間的第三部分PA3被斷開且與第一及第二部分PA1及PA2分離，並且連接線CL之第四及第五部分PA4及PA5與介於其間之第六部分PA6被斷開且與其它部分分離。

如上所述，使用根據本例示性實施例之有機發光二極體顯示器之修理方法，可提供根據例示性實施例之上述的有機發光二極體顯示器。

於例示性實施例中，資料線DA係藉由導線WI連接於連接線CL。於例示性實施例中，資料線DA可類似地藉由與驅動電源供給線ELVDD或資料線DA設置於同一層之導線連接至其它線路。在此例中，對應於資料線DA之第一及第二部分PA1及PA2的驅動電源供給線ELVDD之一部分的表面可被形成為彎曲的，且對應於資料線DA之第一及第二部分PA1及PA2的其它線之一部分的表面可被形成為彎曲的。

如上所述，在根據本例示性實施例之有機發光二極體顯示器之修理方法中，資料線DA之一部分與連接線CL之一部分之一或多個表面已彎曲地形成，且用導線WI來連接具有彎曲面之資料線DA的一部分至具有彎曲面之連接線CL之一部分。據此，導線WI用來有效率地連接資料線DA至連接線CL。因此，提供藉由導線有效率地執行修理工作之有機發光二極體顯示器的修理方法。

雖然本發明已經具體示出並參照其例示性實施例描述，但是本領域中具有通常知識者將理解，可對其進行形式和細節上的各種改變而不脫離如下述申請專利範圍所限定之本發明的精神和範疇。

A1:第一主動層

A2:第二主動層

A3:第三主動層

A4:第四主動層

A5:第五主動層

A6:第六主動層

A7:第七主動層

C1:第一通道

C2:第二通道

C3:第三通道

C4:第四通道

C5:第五通道

C6:第六通道

C7:第七通道

CE:電容電極

CL:連接線

Cst:電容

D1:第一汲極電極

D2:第二汲極電極

D3:第三汲極電極

D4:第四汲極電極

D5:第五汲極電極

D6:第六汲極電極

D7:第七汲極電極

DA:資料線

E1:第一電極

ELVDD:驅動電源供給線

EM:發光控制線

G1:第一閘極電極

G2:第二閘極電極

G3:第三閘極電極

G4:第四閘極電極

G5:第五閘極電極

G6:第六閘極電極

G7:第七閘極電極

GB:閘極橋

NDA:非顯示區

OA:開口

PA1:第一部分

PA2:第二部分

PA3:第三部分

PA4:第四部分

PA5:第五部分

PA6:第六部分

PC:像素電路

PX1:第一像素

PX2:第二像素

PX3:第三像素

PXn:像素

S1:第一源極電極

S2:第二源極電極

S3:第三源極電極

S4:第四源極電極

S5:第五源極電極

S6:第六源極電極

S7:第七源極電極

Sn:第一掃描線

Sn-1:第二掃描線

Sn-2:第三掃描線

SUB:基板

T1:第一薄膜電晶體

T2:第二薄膜電晶體

T3:第三薄膜電晶體

T4:第四薄膜電晶體

T5:第五薄膜電晶體

T6:第六薄膜電晶體

T7:第七薄膜電晶體

Vin:初始電源供給線

WI:導線

W1:第一子導線

W2:第二子導線

Claims (10)

1. 一種有機發光二極體顯示器，其包含：一基板；複數個有機發光二極體，係設置於該基板上且彼此分離；複數個像素電路，其中該複數個像素電路中之每一個像素電路包含複數個薄膜電晶體，且每一個該像素電路係連接於該複數個有機發光二極體中之其一；複數個資料線，係在該基板上於一第一方向延伸，且於交叉該第一方向之一第二方向彼此分離，其中該複數個資料線係連接於該複數個像素電路；複數個連接線，係相鄰於該複數個資料線且於該第一方向延伸，其中該複數個連接線係連接於該複數個像素電路；以及一導線，係直接地連接於該複數個資料線中之其一的一部分至相鄰該資料線之該複數個連接線中之其一的一部分，其中接觸該導線之該資料線之該部分與該連接線之該部分的一或多個表面為彎曲的。
2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中該導線包含：一第一子導線，係直接地連接於該資料線之一第一部分至該連接線之一第四部分；以及一第二子導線，係與該第一子導線分離且直接地連接該資料線之一第二部分至該連接線之一第五部分。
3. 如申請專利範圍第2項所述之有機發光二極體顯示器，其中連 接於該資料線之該複數個像素電路中之其一為有瑕疵的，且該像素電路被從對應之該有機發光二極體斷開。
4. 如申請專利範圍第3項所述之有機發光二極體顯示器，其進一步包含：一第三部分，設置於該資料線之該第一部分及該第二部分之間，其中該第三部分被斷開且與該第一部分及該第二部分隔離並且連接於該像素電路；其中該連接線之該第四部分、該第五部分與設置於該第四部分及該第五部分之間的一第六部分被斷開且與該連接線之一其它部分隔離；其中該資料線之該第一部分透過該第一子導線、該連接線之該第四部分、該第六部分及該第五部分與該第二子導線連接於該資料線之該第二部分。
5. 一種用於修理一有機發光二極體(OLED)顯示器之方法，其包含：彎曲地加工連接於複數個像素電路之複數個資料線中之其一之一部分與相鄰該資料線之一連接線之一部分的一或多個表面，其中該複數個像素電路中之每一個像素電路包含位於一基板上之複數個薄膜電晶體；以及使用一導線連接該資料線之該部分至該連接線之該部分。
6. 如申請專利範圍第5項所述之方法，其進一步包含： 彎曲地加工該資料線之一第一部分以及與該第一部分分離之該資料線之一第二部分的各個表面；彎曲地加工該連接線之一第四部分以及與該第四部分分離之該連接線的一第五部分的各個表面；使用一第一子導線直接地連接該資料線之該第一部分與該連接線之該第四部分；以及使用一第二子導線直接地連接該資料線之該第二部分與該連接線之該第五部分。
7. 如申請專利範圍第6項所述之方法，其進一步包含：將設置於該資料線之該第一部分及該二部分之間的一第三部分分離且隔離於該第一部分及該第二部分，其中該第三部分係連接於該複數個像素電路中之其一：以及將該連接線之該第四部分、該第五部分及位於該第四部分及該第五部分之間的一第六部分斷開且隔離於該連接線之一其它部分。
8. 一種有機發光二極體顯示器，其包含：一基板；複數個有機發光二極體，係設置於該基板上且彼此分離；複數個像素電路，其中連接於該複數個有機發光二極體中之其一的該複數個像素電路中之每一個像素電路包含複數個薄膜電晶體； 複數個資料線，係在該基板上於一第一方向延伸且於交叉該第一方向之一第二方向互相分離，其中該複數個資料線係連接於該複數個像素電路；複數個連接線，係相鄰於該複數個資料線且於該第一方向延伸，其中該複數個連接線係連接於該複數個像素電路；以及一導線，係直接地連接該複數個資料線中之其一之一部分至相鄰該資料線之該複數個連接線中之其一之一部分，其中對應於該資料線之該部分的該複數個資料線之部分的多個表面與對應於該連接線之該部分的該複數個連接線之部分的多個表面為彎曲的。
9. 如申請專利範圍第8項所述之有機發光二極體顯示器，其中該導線包含：一第一子導線，係直接地連接於該資料線之一第一部分與該連接線之一第四部分；以及一第二子導線，係與該第一子導線分離且直接地連接於該資料線之一第二部分與該連接線之一第五部分。
10. 一種用於修理一有機發光二極體(OLED)顯示器之方法，其包含：形成複數個資料線，其中，該複數個資料線之每一個資料線之一部分係連接於包含設置於一基板上之複數個薄膜電晶體的複數個像素電路中之其一，且各該資料線之該部分與一其它部分包含彎曲面；形成複數個連接線， 其中，該複數個連接線之每一個連接線的一部分係連接於該複數個像素電路中之其一，且各該連接線之該部分與一其它部分包含彎曲面；以及使用一導線連接該複數個資料線中之其一的該其它部分至該複數個連接線中之其一的該其它部分。

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