TWI718501B - 用於氣相沉積設備之晶圓承載裝置 - Google Patents

用於氣相沉積設備之晶圓承載裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI718501B
TWI718501B TW108109565A TW108109565A TWI718501B TW I718501 B TWI718501 B TW I718501B TW 108109565 A TW108109565 A TW 108109565A TW 108109565 A TW108109565 A TW 108109565A TW I718501 B TWI718501 B TW I718501B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
vapor deposition
wafer
deposition equipment
carrier device
patent application
Prior art date
Application number
TW108109565A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202035786A (zh
Inventor
黃燦華
梁祐笙
Original Assignee
漢民科技股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 漢民科技股份有限公司 filed Critical 漢民科技股份有限公司
Priority to TW108109565A priority Critical patent/TWI718501B/zh
Priority to CN202010203360.7A priority patent/CN111719140B/zh
Publication of TW202035786A publication Critical patent/TW202035786A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI718501B publication Critical patent/TWI718501B/zh

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4581—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber characterised by material of construction or surface finish of the means for supporting the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

一種用於氣相沉積設備之晶圓承載裝置，包括轉軸及旋轉盤。轉軸用以提供公轉，旋轉盤連接該轉軸，周邊輻射狀環設複數個開口。開口之任一周緣環設一段差部，其周緣環設凹槽，凹槽內分布滾珠，滾珠直徑不大於凹槽的寬度，但大於凹槽的深度。環繞凹槽周緣的側壁上設有傳動機構。支撐架固設於段差部上，支撐架頂面中心具有第一結構。晶圓托盤頂面用以承載晶圓，底面中心具有第二結構，用以嵌合支撐架的第一結構，晶圓托盤周簷置放於凹槽上的滾珠上，透過傳動機構驅動晶圓托盤旋轉。

Description

用於氣相沉積設備之晶圓承載裝置
本發明是有關於一種晶圓承載裝置，且特別是用於氣相沉積設備之晶圓承載裝置，透過結構的設計，而能夠精準定位及避免於運作過程發生位移的情況。
在半導體製程中，氣相沉積設備係使用各種不同來源氣體形成薄膜，包括化學氣相沉積（CVD）、物理氣相沉積等。其中金屬有機化學氣相沈積(MOCVD)是化學氣相沉積的一種，其於成長薄膜時，為將載流氣體(Carrier Gas)通過金屬有機反應源的容器，將反應源的飽和蒸氣輸送至反應腔中與其它反應氣體混合，並藉由加熱裝置控制待成長晶圓的加熱溫度，然後在待成長晶圓上面發生化學反應促成薄膜的成長。
MOCVD裝置包含反應腔體、配置於腔體內之承載基座以及用以使反應氣體流動至基板表面之管路。製程過程中需要將晶圓加熱至適當的溫度，經由管路將有機金屬之氣體導入至晶圓表面，藉此進行成膜製程。當承載基座轉動時，設置於其上之晶圓也跟著向承載基座的中心軸轉動。由於製程環境需於低溫或高溫下高速轉動，在設計上須考慮各元件的熱膨脹對於對位造成的影響。因此，如何開發出可以精確限制元件對位且不受熱脹冷縮影響的設備，為業界需要思考的問題。
本發明目的之一是提供一種晶圓承載裝置，設計支撐架頂面中心具有第一結構，且晶圓托盤底面中心具有第二結構，且藉由第二結構嵌合第一結構，限制晶圓托盤的中心與支撐架中心(旋轉盤開孔中心)在同一位置，達到精確對位的效果。
本發明提供一種用於氣相沉積設備之晶圓承載裝置，包括轉軸及旋轉盤。轉軸用以提供公轉，旋轉盤連接該轉軸，周邊輻射狀環設複數個開口。開口之任一周緣環設一段差部，其周緣環設凹槽，凹槽內分布滾珠，滾珠直徑不大於凹槽的寬度，但大於凹槽的深度。環繞凹槽周緣的側壁上設有傳動機構。支撐架固設於段差部上，支撐架頂面中心具有第一結構。晶圓托盤頂面用以承載晶圓，底面中心具有第二結構，用以嵌合支撐架的第一結構，晶圓托盤周簷置放於凹槽上的滾珠上，透過傳動機構驅動晶圓托盤旋轉。
以下藉由具體實施例配合所附的圖式詳加說明，當更容易瞭解本發明的目的、技術內容、特點及其所達成的功效。
請參考圖1，其繪示依照本發明一實施例之用於氣相沉積設備的晶圓承載裝置的俯視圖。晶圓承載裝置1包括一轉軸10及一旋轉盤(Suspector)20。轉軸10用以提供一公轉。旋轉盤20連接轉軸10，周邊輻射狀環設複數個開口200，開口200內設置有支撐架30，支撐架30可以與旋轉盤20一體成型或分開設置。晶圓托盤40可對應嵌合設置於開口200中，且位於支撐架30上方。
圖2繪示依照本發明一實施例之用於氣相沉積設備的晶圓承載裝置的部分側視圖。圖3係繪示如圖2之晶圓承載裝置的嵌合結構A放大示意圖。圖4係繪示如圖2之晶圓承載裝置的凹槽及滾珠結構B放大示意圖。請同時參考圖2、3及4，於圖2中，開口200之任一周緣環具有段差部202。段差部202周緣環設一凹槽204，傳動機構208設於環繞凹槽204周緣的側壁204a上。傳動機構208的驅動，使得設置於晶圓承載裝置1上的晶圓45可相對轉軸10作公轉運動，同時分別相對旋轉盤20(繪示於圖1)開口200中心的旋轉軸T進行自轉運動，以均勻地於晶圓45上鍍膜。
如圖2所示，支撐架(Holder support)30固設於段差部202上，支撐架30的頂面中心具有一第一結構300(繪示於圖3)。支撐架30的上方設有晶圓托盤(Holder)40，晶圓托盤40的頂面用以承載一晶圓45。支撐架30及晶圓托盤40的材質可以包括碳化矽、氧化鋁、五氧化二鉭或二氧化鋯等耐摩擦的材質。
請同時參考圖1及圖2，於半導體薄膜沉積製程中，常需要使用高溫或低溫製程。當製程溫度在系統逐漸升溫至高溫時，圖1之旋轉盤20上的開口200，受到熱膨脹產生形變，內徑與外徑都逐漸變大，已不是完美真圓形狀。此外，晶圓托盤40下方的凹槽204(滾珠軌道)亦非完美真圓狀。由於晶圓托盤40是獨立的結構，受熱變形後仍可以維持真圓狀。由於，凹槽204(滾珠軌道)已非真圓，晶圓托盤40與滾珠206(繪示於圖4)的運動特性將發生變化，此現象可透過本發明實施例之嵌合結構改善，將說明於後。
請同時參考圖2及圖3，晶圓托盤40的底面中心具有一第二結構400(繪示於圖3)用以嵌合於支撐架30上的第一結構300。於此實施例中，第一結構300與支撐架30一體成型，且第二結構400與晶圓托盤40一體成型。其中，晶圓45作自轉運動的旋轉軸T，對應至支撐架30的中心及晶圓托盤40的中心。
請同時參考圖2及圖4，晶圓托盤40周簷置放於凹槽204上的滾珠206(繪示於圖4)上，並透過傳動機構208驅動晶圓托盤40旋轉。於圖4中，凹槽204內分布複數個滾珠206(於圖2及圖4之剖面僅繪示出一滾珠)。滾珠206的直徑D不大於凹槽204之寬度W，但滾珠的直徑D大於凹槽204之深度H。
本案的發明精神在於，透過第一結構300與第二結構400互相嵌合，設計晶圓托盤40的承靠機制，使得晶圓托盤40的中心與旋轉盤20的開口200中心對位，提供晶圓托盤40承靠機制的限位功能，將晶圓托盤40中心與旋轉盤20上的開口200中心限制在同一位置，據以改善晶圓托盤40與滾珠206的運動特性，避免受到冷熱形變影響鍍膜的均勻性。
據此，並不特別限制第一結構300與第二結構400的具體形狀，只要可以達成上述目的之結構，均可作為本發明之嵌合結構。其中，嵌合的方式，可以是第一結構300的頂端與第二結構400的頂端點接觸(繪示於圖3及8)或與第一結構300與第二結構400線接觸(繪示於圖9)，視第一結構300與第二結構400的嵌合結構而可能不同。
於一實施例中，第一結構300的中心剖面之頂端300a至底端300b具有一第一斜率，第二結構400的中心剖面之頂端400a至底端400b具有一第二斜率，第一斜率大於第二斜率。於另一實施例中，可以是相反的結構，第一結構300的中心剖面之頂端300a至底端300b具有一第一斜率，第二結構400的中心剖面之頂端400a至底端400b具有一第二斜率，第一斜率小於第二斜率。
如圖3所示，於一實施例中，嵌合結構A的第一結構300係一凸錐結構，第二結構400係一凹錐結構，且凹錐結構對應凸錐結構。舉例而言，第一結構300可以係圓錐狀凸錐結構，具有一第一頂點及一第一圓型底面，且第二結構400係圓錐狀凹錐結構，具有一第二頂點及一第二圓形底面，第一頂點接觸第二頂點(點接觸)，且第一圓形底面之面積小於該第二圓形底面之面積。於此實施例中，第一結構300例如係圓角錐，且底面之直徑係2-3公厘(mm)。於其他實施例中，第一結構也可以是圓弧柱狀，且底面之直徑係2-3公厘(mm)。
於另一實施例中，嵌合結構可以為圖3之相反結構，亦即，第一結構可以係一凹錐結構，第二結構可以係一凸錐結構，且凹錐結構對應凸錐結構。舉例而言，第一結構可以係圓錐狀凹錐結構，具有一第一頂點及一第一圓型底面，第二結構係凸錐結構，具有一第二頂點及一第二圓形底面，第一頂點接觸第二頂點(點接觸)，且第一圓形底面之面積大於第二圓形底面之面積。於此實施例中，第二結構可以係圓角錐形狀，且底面之直徑係2-3公厘(mm)。於其他實施例中，第二結構也可以係圓弧柱狀。
圖5係繪示依照本發明一實施例之支撐架30的俯視圖。支撐架30具有一體成型之一外圓環302及一內分隔304，且第一結構300設置於內分隔304的中心。支撐架30之內分隔304可以為一字型、十字形或叉型，並不作特別限制。圖6係繪示依照本發明一實施例之晶圓托盤40的示意圖，其中晶圓托盤40的中心具有第二結構400。
圖7係繪示依照本發明另一實施例之晶圓承載裝置的部分側視圖。圖8繪示依照本發明另一實施例之嵌合結構C的放大示意圖。圖7所示之晶圓承載裝置的結構與圖2所示之晶圓承載裝置的結構相似，相同之處容此不再贅述。請同時參考圖7及圖8，晶圓承載裝置之嵌合結構C，其支撐架30的中心之第一結構500可以利用鎖固的方式，設置於支撐架30上。並且，晶圓托盤40的中心之第二結構600，可以係以鎖固的方式設置於晶圓托盤40上。於此實施例中，當第一結構500與第二結構600因長期使用造成磨損而影響對位精度及限制在中心位置的效果時，可以視磨損的情況更換零件，而不需要替換支撐架30整體及/或晶圓托盤40整體。
圖9繪示依照本發明又一實施例之嵌合結構E的放大示意圖。於圖7及圖8之實施例中，第一結構500可以是圓錐狀凸錐結構，且第二結構600可以係圓錐狀凹錐結構，第一結構500與第二結構600點接觸。於圖9之實施例中，第一結構550可以是圓弧柱狀，且底面之直徑係2-3公厘(mm)，且第二結構600可以係圓錐狀凹錐結構，第一結構550與第二結構600線接觸。於其他實施例中，第二結構600也可以是圓弧狀凹陷結構(圖未示)。
上述晶圓承載裝置，例如可應用於金屬有機化學氣相沈積(MOCVD)之半導體制程中，例如是相對面朝上(face-up)設計之反應腔體，例如與金屬薄膜沉積之製程。藉由嵌合結構的設計，即便在不同溫度製程(特別是對於高溫製程)中，可以將支撐架中心之第一結構及晶圓托盤中心之第二結構限制在同一位置，據以對抗可精確對位嵌合，對抗熱膨脹造成的形變與對位偏移問題。如此一來，晶圓托盤在旋轉盤上的開口中心(支撐架中心)上運動，旋轉盤上的開口和環設之凹槽的公差即可放大，僅作為支撐作用，有效改善溫度對晶圓自轉運動的影響，且能夠精準定位及避免於運作過程發生位移的情況，可有效提高製程良率。
藉由以上較佳具體實施例的詳述，是希望能更加清楚描述本發明的特徵與精神，而並非以上述所揭露的較佳具體實施例來對本發明的範疇加以限制。相反地，其目的是希望能涵蓋各種改變及具相等性的設計於本發明所欲請求的專利範圍之範疇內。因此，本發明所申請的專利範圍的範疇應該根據上述的說明作最寬廣的解釋，以致使其涵蓋所有可能的改變以及具相等性的安排。
1: 晶圓承載裝置
20:旋轉盤
200:開口
202:段差部
204: 凹槽
204a:側壁
206:滾珠
208:傳動機構
30:支撐架
300、500、550:第一結構
302: 外圓環
304: 內分隔
40:晶圓托盤
45:晶圓
400、600:第二結構
300a、400a: 頂端
300b、400b: 底端
A、C、E: 嵌合結構
B: 凹槽及滾珠結構
T: 旋轉軸
H: 深度
D: 直徑
W: 寬度
圖1係繪示依照本發明一實施例之用於氣相沉積設備的晶圓承載裝置的俯視圖。
圖2係繪示依照本發明一實施例之用於氣相沉積設備的晶圓承載裝置的部分側視圖。
圖3係繪示如圖2之晶圓承載裝置的嵌合結構放大示意圖。
圖4係繪示如圖2之晶圓承載裝置的凹槽及滾珠結構放大示意圖。
圖5係繪示依照本發明一實施例之支撐架的俯視圖。
圖6係繪示依照本發明一實施例之晶圓托盤的示意圖。
圖7係繪示依照本發明另一實施例之晶圓承載裝置的部分側視圖。
圖8繪示依照本發明另一實施例之嵌合結構的放大示意圖。
圖9繪示依照本發明又一實施例之嵌合結構的放大示意圖。
1: 晶圓承載裝置 30: 支撐架 40: 晶圓托盤 45: 晶圓 200: 開口 202: 段差部 204: 凹槽 208: 傳動裝置 A: 嵌合結構 B: 凹槽及滾珠結構 T: 旋轉軸

Claims (20)

  1. 一種用於氣相沉積設備之晶圓承載裝置，包括：一轉軸，用以提供一公轉；以及一旋轉盤，連接該轉軸，周邊輻射狀環設複數個開口，其中該些開口之任一周緣環設一段差部，該段差部周緣環設一凹槽，該凹槽內分布複數個滾珠，該些滾珠的直徑不大於該凹槽之寬度，但該些滾珠的直徑大於該凹槽之深度，環繞該凹槽周緣的側壁上，設有一傳動機構；一支撐架，固設於該段差部上，該支撐架的頂面中心具有一第一結構；以及一晶圓托盤，該晶圓托盤的頂面用以承載一晶圓，該晶圓托盤的底面中心具有一第二結構用以嵌合於該支撐架之該第一結構，該晶圓托盤周簷置放於該凹槽上的該些滾珠上，並透過該傳動機構驅動該晶圓托盤旋轉。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之用於氣相沉積設備之晶圓承載裝置，其中該第一結構係一凹錐結構，該第二結構係一凸錐結構，且該凹錐結構對應該凸錐結構。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之用於氣相沉積設備之晶圓承載裝置，其中該第一結構係圓錐狀凹錐結構，具有一第一頂點及一第一圓型底面，該第二結構係凸錐結構，具有一第二頂點及一第二圓形底面，該第一頂點接觸該第二頂點，且該第一圓形底面之面積大於該第二圓形底面之面積。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之用於氣相沉積設備之晶圓承載裝置，其中該第一結構係一凸錐結構，該第二結構係一凹錐結構，且該凹錐結構對應該凸錐結構。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之用於氣相沉積設備之晶圓承載裝置，其中該第一結構係圓錐狀凸錐結構，具有一第一頂點及一第一圓型底面，該第二結構係圓錐狀凹錐結構，具有一第二頂點及一第二圓形底面，該第一頂點接觸該第二頂點，且該第一圓形底面之面積小於該第二圓形底面之面積。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之用於氣相沉積設備之晶圓承載裝置，其中該第一結構係以鎖固的方式，設置於該支撐架上。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之用於氣相沉積設備之晶圓承載裝置，其中該第二結構係以鎖固的方式設置於該晶圓托盤上。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之用於氣相沉積設備之晶圓承載裝置，其中該第一結構的頂端與該第二結構的頂端點接觸。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之用於氣相沉積設備之晶圓承載裝置，其中該第一結構與該第二結構線接觸。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之用於氣相沉積設備之晶圓承載裝置，其中該第一結構與該第二結構的旋轉軸對應至該支撐架的頂面中心及該晶圓托盤的底面中心。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之用於氣相沉積設備之晶圓承載裝置，其中該第一結構的中心剖面之頂端至底端具有一第一斜率，該第二結構的中心剖面之頂端至底端具有一第二斜率，該第一斜率小於該第二斜率。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之用於氣相沉積設備之晶圓承載裝置，其中該第一結構的中心剖面之頂端至底端具有一第一斜率，該第二結構的中心剖面之頂端至底端具有一第二斜率，該第一斜率大於該第二斜率。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之用於氣相沉積設備之晶圓承載裝置，其中該第一結構與該支撐架一體成型。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之用於氣相沉積設備之晶圓承載裝置，其中該第二結構與該晶圓托盤一體成型。
  15. 如申請專利範圍第1項所述之用於氣相沉積設備之晶圓承載裝置，其中該支撐架與該旋轉盤一體成型。
  16. 如申請專利範圍第1項所述之用於氣相沉積設備之晶圓承載裝置，其中該支撐架具有一體成型之一外圓環及一內分隔，且該第一結構設置於該內分隔的中心。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之用於氣相沉積設備之晶圓承載裝置，其中該支撐架之該內分隔為一字型、十字形或叉型。
  18. 如申請專利範圍第1項所述之用於氣相沉積設備之晶圓承載裝置，其中該第一結構係圓角錐或圓弧柱狀，且底面之直徑係2-3公厘(mm)。
  19. 如申請專利範圍第1項所述之用於氣相沉積設備之晶圓承載裝置，其中該第二結構係圓角錐或圓弧柱狀，且底面之直徑係2-3公厘(mm)。
  20. 如申請專利範圍第1項所述之用於氣相沉積設備之晶圓承載裝置，其中該支撐架及該晶圓托盤包括碳化矽、氧化鋁、五氧化二鉭或二氧化鋯。
TW108109565A 2019-03-20 2019-03-20 用於氣相沉積設備之晶圓承載裝置 TWI718501B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW108109565A TWI718501B (zh) 2019-03-20 2019-03-20 用於氣相沉積設備之晶圓承載裝置
CN202010203360.7A CN111719140B (zh) 2019-03-20 2020-03-20 用于气相沉积设备的晶圆承载装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW108109565A TWI718501B (zh) 2019-03-20 2019-03-20 用於氣相沉積設備之晶圓承載裝置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202035786A TW202035786A (zh) 2020-10-01
TWI718501B true TWI718501B (zh) 2021-02-11

Family

ID=72564134

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108109565A TWI718501B (zh) 2019-03-20 2019-03-20 用於氣相沉積設備之晶圓承載裝置

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN111719140B (zh)
TW (1) TWI718501B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI799261B (zh) * 2022-05-10 2023-04-11 台灣富創得工程股份有限公司 具晶圓承載座之上下料自動化作業設備

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116364614A (zh) * 2021-12-27 2023-06-30 南昌中微半导体设备有限公司 一种晶圆传输装置、气相沉积***及使用方法
CN114457322B (zh) * 2022-03-18 2023-01-24 广州志橙半导体有限公司 一种耐高温陶瓷涂层石墨托盘组件

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW561571B (en) * 2000-10-16 2003-11-11 Nippon Steel Corp A wafer holder, wafer support member, wafer boat and heat treatment furnace for wafer
CN203288572U (zh) * 2013-05-06 2013-11-13 正恩科技有限公司 晶圆旋转脱离装置
CN203562415U (zh) * 2013-11-01 2014-04-23 沈阳拓荆科技有限公司 一种新型晶圆承载装置
TW201628120A (zh) * 2015-01-28 2016-08-01 漢民科技股份有限公司 臺北巿大安區敦化南路2 段38 號14 樓 晶圓承載裝置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040216675A1 (en) * 2003-04-30 2004-11-04 Canon Kabushiki Kaisa Deposited film forming method and apparatus
JP4470680B2 (ja) * 2004-10-12 2010-06-02 日立電線株式会社 気相成長装置
CN202072763U (zh) * 2011-05-19 2011-12-14 京东方科技集团股份有限公司 自动限位装置
US20120321788A1 (en) * 2011-06-16 2012-12-20 Pinecone Material Inc. Rotation system for thin film formation
JP2013016549A (ja) * 2011-06-30 2013-01-24 Japan Pionics Co Ltd 気相成長装置
JP2013239579A (ja) * 2012-05-15 2013-11-28 Japan Pionics Co Ltd 気相成長装置
US9428833B1 (en) * 2015-05-29 2016-08-30 Lam Research Corporation Method and apparatus for backside deposition reduction by control of wafer support to achieve edge seal
KR102528559B1 (ko) * 2016-07-26 2023-05-04 삼성전자주식회사 대면적 기판 제조 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW561571B (en) * 2000-10-16 2003-11-11 Nippon Steel Corp A wafer holder, wafer support member, wafer boat and heat treatment furnace for wafer
CN203288572U (zh) * 2013-05-06 2013-11-13 正恩科技有限公司 晶圆旋转脱离装置
CN203562415U (zh) * 2013-11-01 2014-04-23 沈阳拓荆科技有限公司 一种新型晶圆承载装置
TW201628120A (zh) * 2015-01-28 2016-08-01 漢民科技股份有限公司 臺北巿大安區敦化南路2 段38 號14 樓 晶圓承載裝置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI799261B (zh) * 2022-05-10 2023-04-11 台灣富創得工程股份有限公司 具晶圓承載座之上下料自動化作業設備

Also Published As

Publication number Publication date
TW202035786A (zh) 2020-10-01
CN111719140A (zh) 2020-09-29
CN111719140B (zh) 2022-05-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI718501B (zh) 用於氣相沉積設備之晶圓承載裝置
JP4159360B2 (ja) Ｃｖｄリアクタ用ウェハ・キャリヤ
JP4114016B2 (ja) ウェハ支持システム
US20030168174A1 (en) Gas cushion susceptor system
US8801857B2 (en) Self-centering susceptor ring assembly
JP5436043B2 (ja) 気相成長装置
TWM531052U (zh) 具有３１個容置區的排列組態之晶圓載具
JP2004525056A5 (zh)
JP4661982B2 (ja) エピタキシャル成長用サセプタ
US11764101B2 (en) Susceptor for semiconductor substrate processing
TWM531053U (zh) 具有１４個容置區的排列組態之晶圓載具
US8591700B2 (en) Susceptor support system
TWM531055U (zh) 具有３５個容置區的排列組態之晶圓載具
JP4575262B2 (ja) ウェーハ支持構造及びウェーハ製造装置
JP2007210875A (ja) 気相成長装置及び気相成長方法
JP2013004956A (ja) 薄膜形成のための回転システム及びその方法
JP5432041B2 (ja) 気相成長装置
JP6789100B2 (ja) サセプタ、気相成長装置及び気相成長方法
TWM558256U (zh) 晶片載體及化學氣相沉積裝置或外延生長裝置
KR100674872B1 (ko) 다중 기판의 화학 기상 증착 장치
US11846039B2 (en) Vapor deposition device and method for manufacturing epitaxial silicon wafer
JP6587354B2 (ja) サセプタ
JP6732483B2 (ja) 基板保持部材及び気相成長装置
JP2019511121A (ja) 負圧で圧締された基板を有するサセプタおよびエピタキシャル成長のための反応器
JP2024085308A (ja) サセプタ