TWI716561B - 無鹼玻璃基板及無鹼玻璃基板之製造方法 - Google Patents

無鹼玻璃基板及無鹼玻璃基板之製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明係關於一種無鹼玻璃基板,其係選擇一主面內之任意之2個部位,一部位之任意方向之熱收縮率和另一部位之與上述任意方向正交之方向之熱收縮率之差之絕對值為2 ppm以下,再者,上述熱收縮率係對熱處理前後之玻璃基板之測定方向之變形量進行測定而算出,該熱處理係將玻璃基板以100℃/小時自常溫升溫至600℃,於600℃保持80分鐘,以100℃/小時自600℃降溫至常溫。

Description

無鹼玻璃基板及無鹼玻璃基板之製造方法
本發明係關於一種對適於行動電話之高精細顯示器用途適用之無鹼玻璃基板及無鹼玻璃基板之製造方法。
作為液晶顯示器用之像素控制用電晶體,使用有非晶矽(a-Si)型之薄膜電晶體(TFT),尤其是,作為包含有機EL(Electroluminescence,電致發光)顯示器在內之適於行動電話之高精細顯示器用途,使用有多晶矽(p-Si)型之電晶體。a-Si電晶體之TFT陣列製造步驟中之步驟內之最高溫度為350℃左右,但p-Si電晶體亦有TFT陣列製造步驟中之步驟內之最高溫度達到600℃者(例如,專利文獻1)。 作為液晶顯示器用途,尋求TFT陣列製造步驟中之熱收縮率之絕對值較小之無鹼玻璃基板,近年來,除熱收縮率之絕對值以外,基板間、面內之熱收縮率之偏差較小亦越來越重要。其係基於如下等理由:即便熱收縮率之絕對值較小,但若基板間、面內之熱收縮率之偏差較大,則亦必須加粗黑矩陣(BM)之線寬,而無法提高開口率。 專利文獻2所記載之玻璃基板係用於a-Si電晶體之無鹼玻璃基板,若基板內之熱收縮率之偏差較小而於形成TFT電路時進行利用光罩之修正,則基板內之熱收縮始終處於固定範圍,因此,能夠良率較佳且穩定地進行圖案形成。 於專利文獻2中,記載有:「以較高之冷卻速度冷卻之板玻璃其熱收縮率較大,反之,以較低之速度冷卻之板玻璃其熱收縮率較小。又,玻璃基板係利用玻璃成形裝置連續地進行牽引,因此,於板牽引方向上,溫度歷程(冷卻速度)之變動較少。因此,於板牽引方向上,不易產生熱收縮率差,但於板寬方向上,容易產生溫度差,尤其是,中央部分與端部之溫度歷程(冷卻速度)會不同。因此,板寬方向上之熱收縮率差較大」。因此,藉由使平均冷卻速度於玻璃帶之板寬方向上一致,而可抑制基板內之熱收縮率之偏差。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特表2009-525942號公報 [專利文獻2]日本專利特開2008-184335號公報
[發明所欲解決之問題] 然而,根據本案發明者等人之研究發現:即便於用於p-Si電晶體之無鹼玻璃基板之製造方法之徐冷步驟中,使玻璃帶之板寬方向之平均冷卻速度一致之情形時,亦有產生基板內之熱收縮率之偏差之情況。例如,於選擇基板內之任意之1個部位,對正交之2個方向(例如,板牽引方向及板寬方向)之熱收縮率之差進行評價之情形時,有熱收縮率產生偏差之情況。此情況例示了存在正交之2個方向之熱收縮行為不同之可能性。再者,於專利文獻2中,未言及板牽引方向之熱收縮率差。 又,選擇基板內之任意之2個部位,將一部位A之任意方向之熱收縮率設為CA ,將另一部位B之與上述任意方向正交之方向之熱收縮率設為CB ,熱收縮率CA 與熱收縮率CB 之差之絕對值|CA ﹣CB |僅利用藉由使冷卻速度一致而使基板內之假想溫度均勻之方式並無法抑制。此處,將熱收縮率之差之絕對值|CA ﹣CB |定義為「各向異性偏差」。一部位A及另一部位B亦可為基板內之同一部位。 本案發明者等人認為各向異性偏差之原因並非僅由所謂之結構馳豫現象引起,而對其產生機制實施了研究。其結果查明:短時間內之玻璃之變形不僅伴隨有結構馳豫現象,亦伴隨有未伴有玻璃之假想溫度變化之「延遲彈性現象」,而此現象與偏差之產生存在較大程度之關聯。 其次,對產生由延遲彈性引起之熱收縮之理由進行敍述。於作為典型之玻璃基板之量產製程之熔融法及浮式法中,具有如下步驟:將所成形之玻璃帶一面拉伸,一面進行徐冷,因此,於產生板牽引方向上之應力之狀態下對玻璃帶進行徐冷。進而,玻璃帶因玻璃轉移點Tg附近之溫度變化而線膨脹係數大幅變化,由此,於徐冷步驟中,於橫跨玻璃轉移點Tg之溫度範圍內產生空間上不均勻之熱收縮,其結果,於板寬方向上產生應力分佈。此處,於在對加熱狀態之玻璃帶施加有應力之狀態下將玻璃帶冷卻至室溫,其後將玻璃帶切斷而解除負荷之情形時,所獲得之玻璃基板之彈性變形量不會完全成為0,而會殘留少量之變形。將此現象稱為延遲彈性。作為延遲彈性而殘留之變形於在TFT陣列步驟中將玻璃基板再加熱時,作為具有特定之時間常數之緩和現象而逐漸恢復,並最終成為0。可知,該「於再加熱時恢復之現象」成為產生基板內之熱收縮之各向異性偏差之原因。 本發明之目的在於:提供一種在用於適於行動電話之高精細顯示器用途之情形時能夠使TFT陣列製造步驟中之熱收縮率之偏差減少之無鹼玻璃基板及無鹼玻璃基板之製造方法,以解決上述先前技術中之問題點。 [解決問題之技術手段] 本發明係基於上述見解而完成者,提供一種無鹼玻璃基板,其係選擇一主面內之任意之2個部位,一部位之任意方向之熱收縮率和另一部位之與上述任意方向正交之方向之熱收縮率之差之絕對值為2 ppm以下。再者,上述熱收縮率係對熱處理前後之玻璃基板之測定方向之變形量進行測定而算出,該熱處理係將玻璃基板以100℃/小時自常溫升溫至600℃,於600℃保持80分鐘,以100℃/小時自600℃降溫至常溫。 又,本發明提供一種無鹼玻璃基板之製造方法,其特徵在於具有:熔解步驟,其係於玻璃熔解爐中將玻璃原料熔解而獲得熔融玻璃;成形步驟,其係於成形爐中將上述熔融玻璃成形為玻璃帶;及徐冷步驟,其係於徐冷爐中對上述玻璃帶進行徐冷而獲得板玻璃;且於上述徐冷步驟中,上述玻璃帶之黏度(dPa·s)之對數為12.5~14.0時之上述玻璃帶之冷卻速度相較板寬方向中央部以端部較大,上述玻璃帶之板寬方向中央部與端部之板牽引方向之冷卻速度差為100℃/分鐘以下,上述玻璃帶之板寬方向中央部與端部之溫度差為15℃以下,於上述玻璃帶之溫度相較板寬方向中央部以端部較大之情形時,若上述溫度差為10℃以下,則上述冷卻速度差為70℃/分鐘以下,若上述溫度差超過10℃,則上述冷卻速度差為40℃/分鐘以下,於上述玻璃帶之溫度相較板寬方向中央部以端部較小之情形時,或於兩者相等之情形時,上述冷卻速度差為100℃/分鐘以下。 [發明之效果] 本發明之無鹼玻璃基板及無鹼玻璃基板之製造方法在用於適於行動電話之高精細顯示器用途之情形時,能夠使TFT陣列製造步驟中之熱收縮率之偏差減少。因此,無需加粗BM線寬,而能夠提高開口率,從而對適於行動電話之高精細顯示器用途適用。
[無鹼玻璃基板] 以下,對本發明之無鹼玻璃基板進行說明。 本發明係選擇一主面內之任意之2個部位,一部位之任意方向之熱收縮率和另一部位之與上述任意方向正交之方向之熱收縮率之差之絕對值為2 ppm以下。再者,上述熱收縮率係對熱處理前後之玻璃基板之測定方向之變形量進行測定而算出,該熱處理係將玻璃基板以100℃/小時自常溫升溫至600℃,於600℃保持80分鐘,以100℃/小時自600℃降溫至常溫。 熱處理前後之熱收縮率(C)能夠使用下述式而算出。 C(ppm)=ΔL(μm)/L(m) C:熱收縮率(ppm) ΔL:熱處理前後之玻璃基板之變形量(μm) L:熱處理前之玻璃基板之長度(m) 於本實施形態中,選擇無鹼玻璃組成之玻璃板之一主面內之任意之2個部位,算出一部位A之任意方向之熱收縮率CA 、及另一部位B之與上述任意方向正交之方向之熱收縮率CB 。又,算出熱收縮率CA 與熱收縮率CB 之差之絕對值|CA ﹣CB |即各向異性偏差。一部位A及另一部位B亦可為區域內之同一部位。 一部位A之任意方向較佳為板寬方向。於該情形時,另一部位B之與上述任意方向正交之方向為板牽引方向。但是,並不限定於此,只要為成為相互正交方向之關係,則無限定。 為了算出熱收縮率,自左側部位L、中央部位C、右側部位R切出之玻璃片之大小並無特別限定。若列舉一例,則為長邊270 mm×短邊50 mm×厚度0.5 mm,對熱處理前後之玻璃片之長邊之變形量進行測定而算出熱收縮率。 關於製造適於行動電話之高精細顯示器時之TFT陣列製造步驟,步驟內之最高溫度為600℃,保持時間為5分鐘。 相對於此,於本案發明中,對熱處理前後之玻璃基板之測定方向之變形量進行測定而算出熱收縮率,該熱處理係將玻璃基板以100℃/小時自常溫升溫至600℃,於600℃保持80分鐘,以100℃/小時自600℃降溫至常溫。以下說明理由。 本案發明者等人為了對熱收縮時之各向異性偏差之時間依存性進行評價,而以利用浮式法製作之部位L、C、R之無鹼玻璃基板為對象,於下述2個條件下對熱收縮率進行了評價。玻璃組成係採用下述玻璃1。 熱處理條件1:以200℃/小時自常溫升溫至600℃,於600℃保持5分鐘,以200℃/小時自600℃降溫至常溫。 熱處理條件2:以100℃/小時自常溫升溫至600℃,於600℃保持80分鐘,以100℃/小時自600℃降溫直至常溫。 針對熱處理條件1、2之樣品,將部位L、C、R之無鹼玻璃基板之板寬方向、板牽引方向之熱收縮率、各向異性偏差之結果示於表1。將部位L、C、R之板寬方向之熱收縮率分別設為CAL 、CAC 、CAR ,將部位L、C、R之板牽引方向之熱收縮率分別設為CBL 、CBC 、CBR 。算出熱收縮率CAL 、CAC 、CAR 之最大值與熱收縮率CBL 、CBC 、CBR 之最小值之差之絕對值、及熱收縮率CAL 、CAC 、CAR 之最小值與熱收縮率CBL 、CBC 、CBR 之最大值之差之絕對值中之值較大者,作為各向異性偏差。若熱處理條件1、2下之結果進行比較,則熱收縮率之絕對值存在偏差,但各向異性偏差未產生有意義差。 [表1]
Figure 106108497-A0304-0001
根據表1之結果提示出,因延遲彈性導致之變形於5分鐘以內收斂。因此,能夠根據熱處理條件2下之熱收縮率差,對製造適於行動電話之高精細顯示器時之TFT陣列製造步驟中之熱收縮率之各向異性偏差進行評價。與熱處理條件1相比,在熱處理條件2下,熱收縮率之絕對值大一個位數,因此,容易進行由結構馳豫引起之熱收縮與由延遲彈性引起之熱收縮之區分評價。 因此,於本案發明中,採用了熱處理條件2,以對各向異性偏差進行評價。再者,熱處理條件2下之各向異性偏差|CA ﹣CB |超過2 ppm,但表1之結果不過是對熱收縮時之各向異性偏差之時間依存性進行評價,並非構成本發明之實施例者。 關於本發明之無鹼玻璃基板,按照上述之程序求出之各向異性偏差為2 ppm以下,因此,製造適於行動電話之高精細顯示器時之TFT陣列製造步驟中之熱收縮率之各向異性偏差極小,而消除因熱收縮率之偏差導致無法提高開口率之問題。 本發明之無鹼玻璃基板之按照上述之程序求出之各向異性偏差較佳為1.5 ppm以下,更佳為1.0 ppm以下。 於作為典型之玻璃基板之量產製程之熔融法及浮式法中,一般而言,於玻璃帶產生之板牽引方向之應力與板寬方向之應力不同,因此,按照上述程序算出之熱收縮率CA 、CB 產生偏差。此情況成為熱收縮率之各向異性偏差之原因。 為了抑制熱收縮率之各向異性偏差,較理想為,於玻璃帶之徐冷步驟中,針對施加於玻璃帶之應力值,使板牽引方向之應力在板寬方向上均勻,且使板寬方向之應力在板牽引方向上均勻。 難以對製造時之玻璃帶所產生之應力分佈進行實際測定,但若例如於徐冷時使板寬方向之溫度均勻,則能夠使板牽引方向之應力於板寬方向上均勻。 若於玻璃轉移點Tg附近,板寬方向之溫度均勻,則板牽引方向及板寬方向之任一者在該方向上之應力均變得均勻。藉由使板牽引方向之應力及板寬方向之應力相同,而抑制按照上述程序算出之熱收縮率之各向異性偏差,從而產生各向同性之熱收縮。 如上所述,用於適於行動電話之高精細顯示器用途之無鹼玻璃基板較佳為TFT陣列製造步驟中之熱收縮率之絕對值較小。 因此,關於本發明之無鹼玻璃基板,一部位A之任意方向之熱收縮率CA 之絕對值、及另一部位B之與上述任意方向正交之方向之熱收縮率CB 之絕對值較佳為100 ppm以下,更佳為70 ppm以下,進而較佳為50 ppm以下。 除熱收縮率以外,將對於本發明之無鹼玻璃基板而言理想之特性記載於下文。 本發明之無鹼玻璃基板之應變點為630℃以上則可抑制面板製造時之熱收縮,故而較佳。 本發明之無鹼玻璃基板之應變點更佳為650℃以上,進而較佳為670℃以上,進而更佳為680℃以上,尤佳為700℃以上。 又,本發明之無鹼玻璃基板較佳為黏度成為102 dPa·s之溫度T2 為1620℃以上且1820℃以下。若T2 為1820℃以下,則玻璃容易熔解。更佳為1770℃以下,進而較佳為1720℃以下。T2 更佳為1630℃以上,進而較佳為1640℃以上。 本發明之無鹼玻璃基板只要實質上(即不可避免之雜質除外)不含鹼成分,則能夠自廣泛之組成中適當選擇,較佳為由以氧化物基準之質量%表示含有 SiO2 :54~68% Al2 O3 :10~23% B2 O3 :0~12% MgO:0~12% CaO:0~15% SrO:0~16% BaO:0~15% MgO+CaO+SrO+BaO:8~26% 之無鹼玻璃構成。 關於上述本發明之無鹼玻璃基板之較佳組成,對各成分之組成範圍進行說明。 若SiO2 未達54%(質量%,以下只要無特別記載則相同),則應變點不會充分上升,且熱膨脹係數會增大,密度會上升,因此,較佳為54%以上。更佳為55%以上,進而較佳為56%以上。 若超過68%,則熔解性會降低,玻璃黏度成為102 dPa·s之溫度T2 或成為104 dPa·s之溫度T4 會上升,因此,較佳為68%以下。更佳為66%以下,進而較佳為64%以下。 Al2 O3 會抑制玻璃之分相性,降低熱膨脹係數,提高應變點,但若未達10%,則不表現出該效果,又,使其他提高膨脹係數之成分增加,結果使熱膨脹變大,因此,較佳為10%以上。更佳為14%以上,進而較佳為16%以上,尤佳為18%以上。 若超過23%,則有玻璃之熔解性變差之虞,因此,較佳為23%以下。更佳為22%以下,進而較佳為21%以下。 B2 O3 並非必須,但可為了使玻璃之熔解反應性良好而含有B2 O3 。然而,若過多,則楊氏模數降低,熱收縮率之絕對值增加,因此,較佳為12%以下。較佳為7%以下,更佳為5%以下,進而較佳為3%以下,進而更佳為2%以下,尤佳為1.5%以下。 MgO並非必需,但於鹼土族之中具有不提高膨脹係數且使密度維持較低之狀況下提高楊氏模數之特徵,且進而能提昇熔解性,故可含有MgO。因此,較佳為1%以上,更佳為3%以上,進而較佳為5%以上。然而,若過多,則失透溫度會上升,因此,較佳為12%以下,更佳為10%以下。 CaO並非必須,但次於MgO而於鹼土族之中具有不使膨脹係數升高且使密度維持較低之狀況下提高楊氏模數之特徵,且具有亦使熔解性提昇之特徵,故可含有CaO。然而,若過多,則有失透溫度會上升、或作為CaO源之石灰石(CaCO3 )中之雜質磷大量混入之虞,因此,較佳為15%以下,更佳為12%以下。為了發揮上述之特徵,較佳為3%以上。 SrO並非必須,但可為了不使玻璃之失透溫度上升但使熔解性提昇而含有SrO。因此,較佳為0.1%以上,更佳為1%以上,進而較佳為2%以上。然而,若過多,則有熱膨脹係數增大之虞,因此,設為16%以下。較佳為10%以下,更佳為6%以下。 BaO並非必須,但可為了提昇熔解性而含有BaO。然而,若過多,則會使玻璃之膨脹係數及密度過大地增加,因此,設為15%以下。較佳為10%以下。 若MgO、CaO、SrO、BaO以總量計少於8%,則光彈性常數變大,又,有熔解性降低之傾向,因此,為8%以上。MgO、CaO、SrO、BaO之總量較佳為基於減小光彈性常數之目的而大量含有,因此,較佳為10%以上,更佳為13%以上,進而較佳為16%以上。若多於26%,則無法降低平均熱膨脹係數,而有應變點變低之虞,因此,為26%以下。較佳為22%以下,進而較佳為20%以下。 除以上之主成分以外,作為自玻璃原料不可避免地混入之成分,可含有0.1%以下之鹼金屬氧化物(Li2 O、Na2 O、K2 O)或過渡金屬氧化物(Fe2 O3 、NiO、Cr2 O3 、CuO等)。又,為了提高熔解性或澄清性,可含有未達1%之SnO2 、SO3 、Cl、F。又,於無損本發明之效果之範圍內,可含有未達5%之金屬氧化物(ZnO、ZrO2 、Ta2 O5 、Nb2 O5 、TiO2 、Y2 O3 、La2 O3 、Gd2 O3 、Yb2 O3 )。 本發明之無鹼玻璃基板在用於適於行動電話之高精細顯示器用途之情形時,能夠使TFT陣列製造步驟中之熱收縮率之偏差減少,因此,能夠製成較先前更大型之基板尺寸。具體而言,基板尺寸較佳為1450 mm×1450 mm以上(超過G5.5)。基板尺寸更佳為1850 mm×1500 mm以上(G6以上),進而較佳為2250 mm×1950 mm以上(G7.5以上),進而更佳為2500 mm×2200 mm以上(G8以上),尤佳為3000 mm×2800 mm以上。 本發明之無鹼玻璃基板係用於適於行動電話之高精細顯示器用途,因此,板厚較佳為0.5 mm以下,更佳為0.4 mm以下,進而較佳為0.3 mm以下。 本發明之無鹼玻璃基板係用於適於行動電話之高精細顯示器用途,因此,板厚偏差較佳為20 μm以下,更佳為15 μm以下,進而較佳為10 μm以下。 [無鹼玻璃基板之製造裝置] 其次,參照圖式對無鹼玻璃基板之製造裝置進行說明。本發明之無鹼玻璃基板之製造裝置能夠於浮式法或熔融法中應用,以下,採用浮式法為例進行說明。 於圖式中,適當示出XYZ座標系統作為三維正交座標系統,並將Z軸方向設為鉛直方向,將X軸方向設為圖1所示之金屬液槽10之長度方向,將Y軸方向設為金屬液槽10之寬度方向。金屬液槽10之長度方向係圖1中之左右方向,於本說明書中係玻璃帶G之板牽引方向。又,金屬液槽10之寬度方向係玻璃帶G之板寬方向。 再者,於本說明書中,所謂玻璃帶G之板牽引方向係指俯視下搬送玻璃帶G之方向。又,於本說明書中,所謂上游側及下游側係指相對於無鹼玻璃基板之製造裝置1內之玻璃帶G之板牽引方向(X軸方向)而言者。即,於本說明書中,+X側為下游側,﹣X側為上游側。 又,於本說明書中,所謂左側及右側係指相對於無鹼玻璃基板之製造裝置1內之玻璃帶G之板寬方向(Y軸方向)而言者,分別向板牽引方向(X軸方向)之下游側(+X側)表示左側及右側。即,於本說明書中,+Y側為左側,﹣Y側為右側。 圖1係本發明之一實施形態之無鹼玻璃基板之製造裝置之局部剖視圖。對本發明之一實施形態之無鹼玻璃基板之製造裝置1之構成進行說明。 將通常所使用之各成分之玻璃原料以成為目標成分之方式調配,將其連續地投入至玻璃熔解爐(未圖示),加熱至1500~1700℃而將其熔解,獲得熔融玻璃。熔融玻璃較理想為於供給至金屬液槽10內之前預先將熔融玻璃之內部所包含之氣泡消泡。玻璃帶G係將熔融玻璃連續地供給至金屬液槽10內而形成。 於金屬液槽10內之熔融金屬M之浴面12上,成形為所需之寬度或厚度之玻璃帶G藉由提昇輥41~43或退火輥21、22之牽引力而自浴面12被提拉。繼而,玻璃帶G自金屬液槽10之出口13被搬入腔室30內,藉由提昇輥41~43而被搬送。繼而,玻璃帶G被搬入至徐冷爐20內,藉由退火輥21、22一面被搬送,一面徐冷。其後,玻璃帶G被搬出至較徐冷爐20更靠下游側(+X側),被冷卻至室溫附近後,被切斷為特定尺寸,而成為無鹼玻璃基板。 於利用浮式法製造液晶顯示器用玻璃基板之情形時,為了使玻璃基板之平坦度良好,進而具有對玻璃基板進行研磨之研磨步驟。研磨步驟係主要對玻璃基板之錫接觸面進行機械研磨或化學機械研磨。就提昇生產性之觀點而言,研磨量較佳為3 μm以下,更佳為2 μm以下,進而較佳為1.5 μm以下,尤佳為1.0 μm以下。 金屬液槽10內之上部空間係為了防止熔融金屬M之氧化而由包含氮氣及氫氣之還原性氣體填滿。又,金屬液槽10內之上部空間係為了防止來自外部之空氣之流入而設定為高於大氣壓之壓力。 於金屬液槽10內之出口13附近,設置有將玻璃帶G調節至可塑性變形之溫度之水浴加熱器18。金屬液槽10內之出口13附近之玻璃帶G之溫度根據玻璃之種類等而適當設定,例如較佳為較玻璃轉移點Tg高30~80℃之溫度。 徐冷爐20係於下游側之出口向外部打開。因此,徐冷爐20之內部基本上成為包含氧氣之氣體氛圍。徐冷爐20之內部經由腔室30之內部而與金屬液槽10之內部連通。 於徐冷爐20內,除退火輥21、22以外,亦設置有退火加熱器28等。退火輥21、22分別由馬達等驅動裝置旋轉驅動,藉由其驅動力而於水平方向上搬送玻璃帶G。 腔室30由設置於玻璃帶G之上方之罩31、設置於玻璃帶G之下方之浮渣箱32等構成。腔室30可具有隔熱構造,例如,如圖1所示,罩31之外壁之至少一部分被隔熱材33覆蓋,浮渣箱32之內壁之至少一部分被隔熱材34覆蓋。藉由使用隔熱材33、34,而抑制自腔室30之散熱,從而能夠使玻璃帶G之溫度分佈穩定化。 於腔室30內,除提昇輥41~43以外,亦設置有接觸構件44~46、懸垂件(drape)47、加熱器48等。提昇輥41~43分別由馬達等驅動裝置旋轉驅動,藉由其驅動力而向斜上方搬送玻璃帶G。提昇輥之數量只要為複數,則並無特別限定。於提昇輥41~43之下部,設置有接觸構件44~46。 接觸構件44~46係由碳等形成。接觸構件44~46分別與相對應之提昇輥41~43之外周面滑動接觸,而將玻璃帶G之下方空間分隔為複數個空間35~38。 懸垂件47係設置於玻璃帶G之上方並將玻璃帶G之上方空間分隔之構件。於玻璃帶G之上方空間,自金屬液槽10之出口13流出之還原性氣體向徐冷爐20之入口23流動,而懸垂件47抑制還原性氣體流入至徐冷爐20。 懸垂件47係由鋼鐵材或玻璃材等耐火材構成。懸垂件47係以稍微離開玻璃帶G之上表面之方式構成,以免妨礙玻璃帶G之搬送。懸垂件47係垂吊保持於罩31,且沿玻璃帶G之板牽引方向(X軸方向)設置有複數個。 加熱器48係於玻璃帶G之上下兩側相隔設置,且分別沿玻璃帶G之板牽引方向(X軸方向)設置有複數行。如圖1所示,各行之加熱器48例如設置於懸垂件47彼此之間或接觸構件44~46彼此之間。各行之加熱器48可於玻璃帶G之板寬方向(Y軸方向)上被分割。 如此,將複數個加熱器48於玻璃帶G之板寬方向(Y軸方向)或板牽引方向(X軸方向)、上下方向(Z軸方向)上分割配置而獨立地控制其發熱量,藉此,能夠精密地調整玻璃帶G之溫度分佈。複數個加熱器48可獨立進行控制,亦可將若干個總括控制。 [無鹼玻璃基板之製造方法] 其次,對無鹼玻璃基板之製造方法進行說明。 本實施形態之無鹼玻璃基板之製造方法具有:熔解步驟S1,其係於玻璃熔解爐中將玻璃原料熔解而獲得熔融玻璃;成形步驟S2,其係於成形爐中將熔融玻璃成形為玻璃帶;及徐冷步驟S3,其係於徐冷爐中對玻璃帶進行徐冷而獲得板玻璃。 於徐冷步驟S3中,玻璃帶之黏度(dPa·s)之對數為12.5~14.0時之上述玻璃帶之冷卻速度相較板寬方向中央部以端部較大,玻璃帶之板寬方向中央部與端部之板牽引方向之冷卻速度差為100℃/分鐘以下,玻璃帶之板寬方向中央部與端部之溫度差為15℃以下。藉由使冷卻速度差為100℃/分鐘以下,而能夠使玻璃之假想溫度均勻。又,藉由使溫度差為15℃以下,而能夠使板牽引方向之應力於板寬方向上均勻。 於徐冷步驟S3中,於玻璃帶之溫度相較板寬方向中央部以端部較大之情形時,若溫度差為10℃以下,則冷卻速度差為70℃/分鐘以下,若溫度差超過10℃,則冷卻速度差為40℃/分鐘以下。若相較於板寬方向中央部,端部之冷卻速度較大,且相較於板寬方向中央部,端部之溫度較大,則有由結構馳豫引起之熱收縮與由延遲彈性引起之熱收縮相加而各向異性偏差變大之傾向。因此,根據本實施形態,隨著溫度差變大而降低冷卻速度差,藉此,抑制各向異性偏差。 另一方面,於玻璃帶之溫度相較板寬方向中央部以端部較小之情形時,或於兩者相等之情形時,冷卻速度差為100℃/分鐘以下。其原因在於:若相較於板寬方向中央部,端部之冷卻速度較大,且相較於板寬方向中央部,端部之溫度較小,則有由結構馳豫引起之熱收縮與由延遲彈性引起之熱收縮相抵而各向異性偏差變小之傾向。 於徐冷步驟S3中,較佳為玻璃帶之板牽引方向之冷卻速度為30~200℃/分鐘,更佳為40~180℃/分鐘。藉由使冷卻速度為200℃/分鐘以下,而能夠抑制最終切斷而獲得之玻璃基板之熱收縮率之絕對值、應變、翹曲等。 關於本實施形態之無鹼玻璃基板之製造方法,較佳為板玻璃之板寬方向之長度為5 m以上,更佳為5.5 m以上,進而較佳為6 m以上。板玻璃之板寬方向之長度越長,越能夠同時地板狀裁切複數片大型之TFT用玻璃基板。 本實施形態之無鹼玻璃基板之製造方法較佳為利用浮式法將熔融玻璃成形為玻璃帶G,於該情形時,使用無鹼玻璃基板之製造裝置1。玻璃帶G之黏度(dPa·s)之對數為12.5~14.0之區域相當於腔室30之區域,且處於(玻璃轉移點Tg﹣30)~(玻璃轉移點Tg+20)℃之溫度範圍。因此,於浮式法中,使用腔室30之複數個加熱器48等而控制腔室30上下游之玻璃帶G之板寬方向(Y軸方向)之溫度、腔室30中之玻璃帶G之板寬方向中央部、端部之板牽引方向(X軸方向)之冷卻速度,藉此,能夠抑制板寬方向、板牽引方向上之熱收縮率差。 圖2係本發明之一實施形態之利用浮式法之板玻璃之板狀裁切模式圖。再者,切斷前之板玻璃具有製品區域外之邊料及製品區域內之薄板部,但於圖2中省略了邊料。 浮式法中,板玻璃之有效寬度較大,能夠同時地板狀裁切複數片大型之TFT用玻璃基板。例如,於圖2所示之態樣中,自板玻璃板狀裁切2片2500 mm×2200 mm(G8)之玻璃基板、3片1850 mm×1500 mm(G6)之玻璃基板。板玻璃之薄板部之板寬方向(Y軸方向)之長度較佳為4 m以上,更佳為4.5 m以上,進而較佳為5 m以上。 [實施例] 將各成分之玻璃原料以成為目標組成之方式調配,於玻璃熔融爐中進行熔解,利用浮式法將所獲得之熔融玻璃成形為玻璃帶G。 實施例1~3及比較例1~3之目標組成係下述玻璃1,實施例4及比較例4之目標組成係下述玻璃2。 (玻璃1) SiO2 :61% Al2 O3 :20% B2 O3 :1.5% MgO:5.5% CaO:4.5% SrO:7% BaO:0% MgO+CaO+SrO+BaO:17% (玻璃2) SiO2 :60% Al2 O3 :17% B2 O3 :8% MgO:3% CaO:4% SrO:8% BaO:0% MgO+CaO+SrO+BaO:15% 腔室30內之玻璃帶G之溫度成為玻璃轉移點Tg附近。關於腔室30上游側(-X側)之玻璃帶G之板寬方向(Y軸方向)之溫度,對左側端部L1、中央部C1、右側端部R1該3個部位進行測定。將左側端部L1、中央部C1、右側端部R1之溫度分別設為TL1 、TC1 、TR1 。同樣地,關於腔室30下游側(+X側)之玻璃帶G之板寬方向(Y軸方向)之溫度,對左側端部L2、中央部C2、右側端部R2該3個部位進行測定。將左側端部L2、中央部C2、右側端部R2之溫度分別設為TL2 、TC2 、TR2 。腔室30內之玻璃帶G之黏度係自玻璃帶G之溫度換算之值。將與玻璃帶G之溫度TL1 、TC1 、TR1 、TL2 、TC2 、TR2 相對應之黏度分別設為ηL1 、ηC1 、ηR1 、ηL2 、ηC2 、ηR2 。 此處,對表2所示之、腔室30上游側(-X側)、下游側(+X側)之玻璃帶G之板寬方向(Y軸方向)之平均黏度η1 、η2 (dPa·s)、腔室30上游側(-X側)、下游側(+X側)之玻璃帶G之板寬方向(Y軸方向)之溫度差ΔT1 、ΔT2 、ΔT(℃)、黏度差Δη1 、Δη2 、及腔室30內之玻璃帶G之板寬方向中央部、端部之板牽引方向(X軸方向)之冷卻速度RC 、RE (℃/分鐘)、冷卻速度差ΔR(℃/分鐘)進行說明。 平均黏度η1 、η2 分別為黏度ηL1 、ηC1 、ηR1 之平均值、黏度ηL2 、ηC2 、ηR2 之平均值。溫度差ΔT1 為(TL1 -TC1 )及(TR1 -TC1 )中之絕對值較大者之值。溫度差ΔT2 為(TL2 -TC2 )及(TR2 -TC2 )中之絕對值較大者之值。溫度差ΔT為溫度差ΔT1 與溫度差ΔT2 之平均值。冷卻速度RC 係將(TC1 -TC2 )除以玻璃帶G自腔室30上游被搬送至下游之時間t而算出之值。冷卻速度RE 係將(TL1 -TL2 )、(TR1 -TR2 )之平均值除以時間t而算出之值。冷卻速度差ΔR係自冷卻速度RE 減去冷卻速度RC 所得之值。 圖3係用以獲得實施例及比較例之玻璃片之板玻璃分割之模式圖。與圖2同樣地,圖3省略了板玻璃之邊料。 徐冷後,將板玻璃以沿板寬方向(Y軸方向)分割成6個部份之方式切斷。將最左側(+Y側)之部位稱為部位L-1,自部位L-1向右側(-Y側)依序稱為部位L-2、部位C-1、部位C-2、部位R-1、部位R-2。部位R-2為最右側(-Y側)。 自部位L-1、C-2、R-2分別切出3片下述玻璃板a、b。 玻璃板a:200 mm×400 mm×厚度0.5 mm,長邊為板寬方向。 玻璃板b:400 mm×200 mm×厚度0.5 mm,長邊為板牽引方向。 進而,自玻璃板a、b分別切出2片下述玻璃片A、B。即,自部位L-1、C-2、R-2分別切出6片下述玻璃片A、B。 玻璃片A:50 mm×270 mm×厚度0.5 mm,長邊為板寬方向。 玻璃片B:270 mm×50 mm×厚度0.5 mm,長邊為板牽引方向。 對熱處理前後之玻璃片A、B之長邊之變形量進行測定而算出熱收縮率,該熱處理係使玻璃片A、B以100℃/小時自常溫升溫至600℃,於600℃保持80分鐘,以100℃/小時自600℃降溫直至常溫。各部位之板寬方向、板牽引方向之熱收縮率分別為6片玻璃片A、B之熱收縮率之平均值。 將結果示於表2。將部位L、C、R之板寬方向(Y軸方向)之熱收縮率分別設為CAL 、CAC 、CAR ,將部位L、C、R之板牽引方向(X軸方向)之熱收縮率分別設為CBL 、CBC 、CBR 。算出熱收縮率CAL 、CAC 、CAR 之最大值與熱收縮率CBL 、CBC 、CBR 之最小值之差之絕對值、及熱收縮率CAL 、CAC 、CAR 之最小值與熱收縮率CBL 、CBC 、CBR 之最大值之差之絕對值中之值較大者作為各向異性偏差。若該各向異性偏差為2 ppm以下,則無論板玻璃之板狀裁切尺寸如何,所獲得之玻璃基板之各向異性偏差均成為2 ppm以下。此處,部位L、C、R之熱收縮率分別與自部位L-1、C-2、R-2獲得之玻璃片A、B之熱收縮率相對應。 [表2]
Figure 106108497-A0304-0002
實施例1、2、4、及比較例1、2中,溫度差ΔT1 、ΔT2 、ΔT>0,因此,腔室30內之玻璃帶G之板寬方向端部之溫度大於中央部之溫度。 實施例1中,溫度差ΔT為8.0℃,冷卻速度差ΔR為63℃/分鐘,各向異性偏差|CA ﹣CB |為0.9 ppm。 實施例2中,溫度差ΔT為9.1℃,冷卻速度差ΔR為47℃/分鐘,各向異性偏差|CA ﹣CB |為1.6 ppm。 實施例4中,溫度差ΔT為14.2℃,冷卻速度差ΔR為27℃/分鐘,各向異性偏差|CA ﹣CB |為1.4 ppm。 比較例1中,溫度差ΔT為13.8℃,冷卻速度差ΔR為67℃/分鐘,各向異性偏差|CA ﹣CB |為5.1 ppm。 比較例2中,溫度差ΔT為8.2℃,冷卻速度差ΔR為74℃/分鐘,各向異性偏差|CA ﹣CB |為3.1 ppm。 其次,實施例3、比較例3、4中,溫度差ΔT1 、ΔT2 、ΔT<0,因此,腔室30內之玻璃帶G之板寬方向端部之溫度小於中央部之溫度。 與比較例3相比,實施例3中,溫度差ΔT為-14.5℃,冷卻速度差ΔR為97℃/分鐘,各向異性偏差|CA ﹣CB |為1.3 ppm。 比較例3中,溫度差ΔT為-20.3℃,冷卻速度差ΔR為137℃/分鐘,各向異性偏差|CA ﹣CB |為2.9 ppm。 比較例4中,溫度差ΔT為-17.5℃,冷卻速度差ΔR為74℃/分鐘,各向異性偏差|CA ﹣CB |為2.1 ppm。 本申請案係基於2016年3月15日申請之日本專利申請案2016-051002者,其內容以參照之形式併入本文中。
1‧‧‧製造裝置10‧‧‧金屬液槽12‧‧‧浴面13‧‧‧出口18‧‧‧水浴加熱器20‧‧‧徐冷爐21‧‧‧退火輥22‧‧‧退火輥23‧‧‧入口28‧‧‧退火加熱器30‧‧‧腔室31‧‧‧罩32‧‧‧浮渣箱33‧‧‧隔熱材34‧‧‧隔熱材35‧‧‧空間36‧‧‧空間37‧‧‧空間38‧‧‧空間41‧‧‧提昇輥42‧‧‧提昇輥43‧‧‧提昇輥44‧‧‧接觸構件45‧‧‧接觸構件46‧‧‧接觸構件47‧‧‧懸垂件48‧‧‧加熱器G‧‧‧玻璃帶M‧‧‧熔融金屬
圖1係本發明之一實施形態之無鹼玻璃基板之製造裝置之局部剖視圖。 圖2係本發明之一實施形態之利用浮式法之板玻璃之板狀裁切模式圖。 圖3係用以獲得實施例及比較例之玻璃片之板玻璃分割之模式圖。
1‧‧‧製造裝置
10‧‧‧金屬液槽
12‧‧‧浴面
13‧‧‧出口
18‧‧‧水浴加熱器
20‧‧‧徐冷爐
21‧‧‧退火輥
22‧‧‧退火輥
23‧‧‧入口
28‧‧‧退火加熱器
30‧‧‧腔室
31‧‧‧罩
32‧‧‧浮渣箱
33‧‧‧隔熱材
34‧‧‧隔熱材
35‧‧‧空間
36‧‧‧空間
37‧‧‧空間
38‧‧‧空間
41‧‧‧提昇輥
42‧‧‧提昇輥
43‧‧‧提昇輥
44‧‧‧接觸構件
45‧‧‧接觸構件
46‧‧‧接觸構件
47‧‧‧懸垂件
48‧‧‧加熱器
G‧‧‧玻璃帶
M‧‧‧熔融金屬

Claims (16)

  1. 一種無鹼玻璃基板,其應變點為630℃以上,且選擇一主面內之任意之2個部位,一部位之板寬方向之熱收縮率和另一部位之與上述板寬方向正交之板牽引方向之熱收縮率之差之絕對值為2ppm以下,再者,上述熱收縮率係對熱處理前後之玻璃基板之測定方向之變形量進行測定而算出,該熱處理係將玻璃基板以100℃/小時自常溫升溫至600℃,於600℃保持80分鐘,以100℃/小時自600℃降溫至常溫。
  2. 如請求項1之無鹼玻璃基板,其中上述一部位之板寬方向之熱收縮率之絕對值、及上述另一部位之上述板牽引方向之熱收縮率之絕對值為100ppm以下。
  3. 如請求項2之無鹼玻璃基板,其中上述一部位之板寬方向之熱收縮率之絕對值、及上述另一部位之上述板牽引方向之熱收縮率之絕對值為70ppm以下。
  4. 如請求項3之無鹼玻璃基板,其中上述一部位之板寬方向之熱收縮率之絕對值、及上述另一部位之上述板牽引方向之熱收縮率之絕對值為50ppm以下。
  5. 如請求項1至4中任一項之無鹼玻璃基板,其中應變點為680℃以上。
  6. 如請求項5之無鹼玻璃基板,其中應變點為700℃以上。
  7. 如請求項1至4中任一項之無鹼玻璃基板,其中基板尺寸為1450mm×1450mm以上。
  8. 如請求項7之無鹼玻璃基板,其中基板尺寸為3000mm×2800mm以上。
  9. 如請求項1至4中任一項之無鹼玻璃基板,其中板厚為0.5mm以下。
  10. 如請求項1至4中任一項之無鹼玻璃基板,其由以氧化物基準之質量%表示含有SiO2:54~68% Al2O3:10~23% B2O3:0~12% MgO:0~12% CaO:0~15% SrO:0~16% BaO:0~15% MgO+CaO+SrO+BaO:8~26%之無鹼玻璃構成。
  11. 如請求項10之無鹼玻璃基板,其中B2O3以氧化物基準之質量%表示 為5%以下。
  12. 如請求項1至4中任一項之無鹼玻璃基板,其中板厚偏差為20μm以下。
  13. 一種無鹼玻璃基板之製造方法,其特徵在於其係具有:熔解步驟,其係於玻璃熔解爐中將玻璃原料熔解而獲得熔融玻璃;成形步驟,其係於成形爐中將上述熔融玻璃成形為玻璃帶;及徐冷步驟,其係於徐冷爐中對上述玻璃帶進行徐冷而獲得板玻璃之無鹼玻璃基板之製造方法;且上述無鹼玻璃基板由以氧化物基準之質量%表示含有SiO2:54~68% Al2O3:10~23% B2O3:0~12% MgO:0~12% CaO:0~15% SrO:0~16% BaO:0~15% MgO+CaO+SrO+BaO:8~26%之無鹼玻璃構成,於上述徐冷步驟中,上述玻璃帶之黏度(dPa.s)之對數為12.5~14.0時之上述玻璃帶之冷卻速度相較板寬方向中央部以端部較大,上述玻璃帶之板寬方向中央部與端部之板牽引方向之冷卻速度差為100℃/分鐘以下,上述玻璃帶之板寬方向 中央部與端部之溫度差之平均值為15℃以下,於上述玻璃帶之溫度相較板寬方向中央部以端部較大之情形時,若上述溫度差之平均值為10℃以下,則上述冷卻速度差為70℃/分鐘以下,若上述溫度差之平均值超過10℃,則上述冷卻速度差為40℃/分鐘以下,於上述玻璃帶之溫度相較板寬方向中央部以端部較小之情形時,或於兩者相等之情形時,上述冷卻速度差為100℃/分鐘以下。
  14. 如請求項13之無鹼玻璃基板之製造方法,其中上述玻璃帶之板牽引方向之冷卻速度為30~200℃/分鐘。
  15. 如請求項13或14之無鹼玻璃基板之製造方法,其中上述板玻璃之板寬方向之長度為5m以上。
  16. 如請求項13或14之無鹼玻璃基板之製造方法,其中利用浮式法將上述熔融玻璃成形為上述玻璃帶。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114538771A (zh) * 2015-07-03 2022-05-27 Agc株式会社 载体基板、层叠体、电子器件的制造方法
JP2019094245A (ja) * 2017-11-27 2019-06-20 Agc株式会社 フロートガラス製造方法、およびフロートガラス
CN108947237A (zh) * 2018-07-27 2018-12-07 彩虹显示器件股份有限公司 一种低膨胀系数高应变点的无碱硅酸盐玻璃
TW202013747A (zh) * 2018-07-31 2020-04-01 日商日本電氣硝子股份有限公司 顯示器用基板及其製造方法
CN109320070A (zh) * 2018-10-16 2019-02-12 东旭科技集团有限公司 玻璃用组合物、铝硅酸盐玻璃及其制备方法和应用
CN110240405B (zh) * 2019-06-26 2022-05-17 鲁米星特种玻璃科技股份有限公司 一种耐碱铝硅酸盐玻璃及其应用
CN110357420B (zh) * 2019-07-23 2022-03-04 中国洛阳浮法玻璃集团有限责任公司 一种低热收缩率电子基板玻璃的制备方法
CN112759234B (zh) * 2021-01-29 2023-01-17 彩虹显示器件股份有限公司 一种玻璃基板溢流成型退火装置设计方法
TWI777470B (zh) * 2021-03-25 2022-09-11 富喬工業股份有限公司 玻璃組成物及玻璃纖維
WO2023281610A1 (ja) * 2021-07-05 2023-01-12 Hoya株式会社 ガラス板、円板状ガラス、および磁気ディスク用ガラス基板

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016029001A (ja) * 2014-07-18 2016-03-03 旭硝子株式会社 無アルカリガラス

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5811361A (en) * 1995-09-28 1998-09-22 Nippon Electric Glass Co., Ltd. Alkali-free glass substrate
EP1915748A2 (en) * 2005-07-12 2008-04-30 Eastern Virginia Medical School System and method for automatic driver evaluation
CN101370742B (zh) * 2006-01-12 2012-06-13 日本电气硝子株式会社 无碱玻璃基板
JP5083707B2 (ja) * 2006-01-12 2012-11-28 日本電気硝子株式会社 無アルカリガラス基板の製造方法
KR101399745B1 (ko) 2006-02-10 2014-05-26 코닝 인코포레이티드 고온 및 화학적 안정성을 갖는 유리 조성물 및 그 제조방법
JP2007230817A (ja) * 2006-02-28 2007-09-13 Nippon Sheet Glass Co Ltd フロートガラス及びその製造方法並びにそのフロートガラスを用いたディスプレイ用パネル
KR101486601B1 (ko) * 2007-03-12 2015-01-26 아사히 가라스 가부시키가이샤 보호 유리 부착 유리 기판 및 보호 유리 부착 유리 기판을 사용한 표시 장치의 제조 방법
JP5233998B2 (ja) * 2007-08-31 2013-07-10 旭硝子株式会社 ガラス板およびその製造方法ならびにtftパネルの製造方法
WO2011136122A1 (ja) * 2010-04-26 2011-11-03 日本電気硝子株式会社 ガラス板の製造方法及びその装置
CN105110636A (zh) * 2010-09-27 2015-12-02 旭硝子株式会社 玻璃、化学强化玻璃及显示装置用玻璃板
JP5874316B2 (ja) * 2010-10-27 2016-03-02 日本電気硝子株式会社 無アルカリガラス
WO2012137780A1 (ja) * 2011-04-08 2012-10-11 旭硝子株式会社 基板用無アルカリガラスおよび基板用無アルカリガラスの製造方法
KR101476520B1 (ko) * 2011-09-30 2014-12-24 아반스트레이트 가부시키가이샤 플랫 패널 디스플레이용 글래스 기판의 제조 방법
JP5831212B2 (ja) * 2011-12-26 2015-12-09 日本電気硝子株式会社 帯状ガラスの製造方法
WO2013183626A1 (ja) * 2012-06-05 2013-12-12 旭硝子株式会社 無アルカリガラスおよびその製造方法
KR102133339B1 (ko) * 2013-09-20 2020-07-13 에이지씨 가부시키가이샤 무알칼리 유리
TWI592374B (zh) * 2014-06-30 2017-07-21 Avanstrate Inc Method for manufacturing sheet glass and sheet glass manufacturing apparatus

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016029001A (ja) * 2014-07-18 2016-03-03 旭硝子株式会社 無アルカリガラス

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