TW201430095A - 切晶帶一體型接著片材、使用切晶帶一體型接著片材之半導體裝置之製造方法、及半導體裝置 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種於半導體裝置之製造步驟中，可防止半導體晶片上之電路被破壞之切晶帶一體型接著片材。本發明之切晶帶一體型接著片材係包含於基材上積層有黏著劑層之切晶帶、及形成於黏著劑層上之接著片材者，且於剝離速度10 m/min、剝離角度150°之剝離試驗中，黏著劑層與接著片材之剝離力為0.02~0.5 N/20 mm，根據剝離試驗之條件，將黏著劑層與接著片材剝離時之剝離靜電壓之絕對值為0.5 kV以下。

Description

切晶帶一體型接著片材、使用切晶帶一體型接著片材之半導體裝置之製造方法、及半導體裝置

本發明係關於一種切晶帶一體型接著片材、使用切晶帶一體型接著片材之半導體裝置之製造方法、及半導體裝置。

近年來，進一步要求半導體裝置及其封裝體之薄型化、小型化。因此，作為半導體裝置及其封裝體，廣泛利用將半導體晶片等半導體元件藉由倒裝晶片接合安裝(倒裝晶片連接)於基板上而得之倒裝晶片型之半導體裝置。該倒裝晶片連接係以半導體晶片之電路面與基板之電極形成面相對之方式進行固定者。於此種半導體裝置等中，存在利用保護膜保護半導體晶片之背面而防止半導體晶片之損傷等之情形。

先前，作為上述保護膜，存在於切晶帶上積層有作為保護膜之倒裝晶片型半導體背面用膜之切晶帶一體型半導體背面用膜(例如參照專利文獻1)。於使用該切晶帶一體型半導體背面用膜之半導體裝置之製造步驟中，首先，將半導體晶圓貼附固定於切晶帶一體型半導體背面用膜之倒裝晶片型半導體背面用膜上，於該狀態下進行切割。藉此，半導體晶圓被單片化成特定之尺寸，成為半導體晶片。繼而，進行半導體晶片之拾取，以將固定於切晶帶一體型半導體背面用膜之半導體晶片與倒裝晶片型半導體背面用膜一起自切割膜剝離。

又，於半導體裝置之製造中，除了使用倒裝晶片型半導體背面用膜以外，亦存在例如使用於切晶帶上積層黏晶膜(die-bond film)或底 部填充片材(underfill sheet)等而成之切晶帶一體型接著片材之情形。黏晶膜係用於將半導體晶片向被黏著體進行黏晶之膜，底部填充片材係用於將倒裝晶片型半導體裝置中之半導體晶片之電路面與基板之電極形成面之間進行密封之片材。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2011-228496號公報

然而，於使用上述切晶帶一體型接著片材製造半導體裝置之情形時，先前存在形成於半導體元件(例如半導體晶片)上之電路被破壞之情況。

本發明者等人對半導體元件上之電路被破壞之原因進行了研究。結果查明，於拾取步驟中，將附著有接著片材(例如，倒裝晶片型半導體背面用膜、黏晶膜、底部填充片材)之半導體元件自切晶帶剝離時，存在以下情形：於接著片材與切晶帶之間產生剝離靜電，因該產生之靜電導致半導體元件上之電路被破壞。

本發明者等人為了解決上述先前之問題而進行了研究，結果發現：將切晶帶之黏著劑層與接著片材之剝離力設於一定之範圍內，並且將剝離時之剝離靜電壓之絕對值設於一定之範圍內，藉此可抑制半導體元件上之電路被破壞，從而完成第1本發明。

即，第1本發明之特徵在於，其係包含於基材上積層有黏著劑層之切晶帶、及形成於上述黏著劑層上之接著片材之切晶帶一體型接著片材，且 於剝離速度10m/min、剝離角度150°之剝離試驗中，上述黏著劑 層與上述接著片材之剝離力為0.02~0.5N/20mm，根據上述剝離試驗之條件，將上述黏著劑層與上述接著片材剝離時之剝離靜電壓之絕對值為0.5kV以下。

根據上述構成，於剝離速度10m/min、剝離角度150°之剝離試驗中，上述黏著劑層與上述接著片材之剝離力為0.02~0.5N/20mm。由於上述剝離力為0.02N/20mm以上，因此於切割時，能夠固定半導體晶圓。又，由於上述剝離力為0.5N/20mm以下，因此於拾取時，能夠容易地將附接著片材之半導體元件自黏著劑層剝離。又，由於根據上述剝離試驗之條件，將上述黏著劑層與上述接著片材剝離時之剝離靜電壓之絕對值為0.5kV以下，因此能夠發揮抗靜電效果。其結果，可防止由於拾取時之剝離靜電導致半導體元件被破壞，提高作為器件之可靠性。

於上述構成中，較佳為上述接著片材為用於在倒裝晶片連接於被黏著體上之半導體元件之背面形成之倒裝晶片型半導體背面用膜。於上述接著片材為倒裝晶片型半導體背面用膜之情形時，倒裝晶片型半導體背面用膜形成於半導體元件之背面，半導體元件之電路面裸露。然而，根據上述剝離試驗之條件，將上述黏著劑層與上述接著片材剝離時之剝離靜電壓之絕對值為0.5kV以下。其結果，能夠防止裸露之半導體元件之電路面由於剝離靜電而被破壞。

於上述構成中，較佳為於上述基材中含有抗靜電劑。切割後，自固定切晶帶之吸附台取下切晶帶時，存在於切晶帶與吸附台之間產生剝離靜電之情形。因此，若於基材中含有抗靜電劑，則能夠抑制該基材與吸附台之間之剝離靜電。

於上述構成中，較佳為：上述基材具有多層結構，於上述多層結構之基材之至少一個最外層中含有抗靜電劑。若於上述多層結構之基材之黏著劑層側之最外層中含有抗靜電劑，則能夠抑制基材與黏著劑 層兩者之靜電。又，若於上述多層結構之基材之與黏著劑層相反側之最外層中含有抗靜電劑，則能夠更有效地抑制基材與吸附台之間之剝離靜電。

於上述構成中，較佳為於上述基材之至少一個面上形成有含有抗靜電劑之抗靜電劑層。若於上述基材之黏著劑層側之面上形成有抗靜電劑層，則能夠抑制基材與黏著劑層兩者之靜電。又，若於上述基材之與黏著劑層相反側之面上形成有抗靜電劑層，則能夠更有效地抑制基材與吸附台之間之剝離靜電。

於上述構成中，較佳為於上述黏著劑層中含有抗靜電劑。若於黏著劑層中含有抗靜電劑，則能夠更有效地抑制將黏著劑層與接著片材剝離時之剝離靜電。

於上述構成中，較佳為於上述接著片材中含有抗靜電劑。若於接著片材中含有抗靜電劑，則於自切晶帶剝離後亦具有抗靜電效果。其結果，於自切晶帶剝離後，亦能夠抑制由靜電導致之半導體元件之破壞。

又，第1本發明之特徵在於，其係使用上述記載之切晶帶一體型接著片材之半導體裝置之製造方法，且包括如下步驟：於上述切晶帶一體型接著片材中之接著片材上貼著半導體晶圓之步驟；切割上述半導體晶圓而形成半導體元件之步驟；以及將上述半導體元件與上述接著片材一起自切晶帶之黏著劑層拾取之步驟。

根據上述構成，使用上述記載之切晶帶一體型接著片材。因此，上述黏著劑層與上述接著片材之剝離力為0.02~0.5N/20mm。由於上述剝離力為0.02N/20mm以上，因此於切割時，能夠固定半導體晶圓。又，由於上述剝離力為0.5N/20mm以下，因此於拾取時，能夠 容易地將附接著片材之半導體元件自黏著劑層剝離。又，由於藉由上述剝離試驗剝離時之剝離靜電壓之絕對值為0.5kV以下，因此能夠發揮抗靜電效果。其結果，可防止由於拾取時之剝離靜電導致半導體元件被破壞，提高作為器件之可靠性。

又，為了解決上述問題，第1本發明之半導體裝置之特徵在於，其係使用上述記載之切晶帶一體型接著片材而製造。

又，本發明者等人為了解決上述先前之問題而進行了研究，結果發現：藉由將切晶帶之基材、以及黏著劑層中之至少一個表面之表面電阻率值設於一定之範圍內，能夠抑制半導體元件上之電路被破壞，從而完成第2本發明。

即，第2本發明之特徵在於，其係包含於基材上積層有黏著劑層之切晶帶、及形成於上述黏著劑層上之接著片材之切晶帶一體型接著片材，且上述基材、以及上述黏著劑層中之至少一個表面之表面電阻率值為1.0×10¹¹Ω以下。

根據上述構成，由於上述基材、以及上述黏著劑層中之至少一個表面之表面電阻率值為1.0×10¹¹Ω以下，因此不易帶電。因此，能夠發揮抗靜電效果。其結果，可防止由於拾取時之剝離靜電導致半導體元件被破壞，提高作為器件之可靠性。

於上述構成中，較佳為上述接著片材為用於在倒裝晶片連接於被黏著體上之半導體元件之背面形成之倒裝晶片型半導體背面用膜。於上述接著片材為倒裝晶片型半導體背面用膜之情形時，倒裝晶片型半導體背面用膜形成於半導體元件之背面，半導體元件之電路面裸露。然而，上述基材、以及上述黏著劑層中之至少一個表面之表面電阻率值為1.0×10¹¹Ω以下。其結果，能夠防止裸露之半導體元件之電路面由於剝離靜電而被破壞。

於上述構成中，較佳為於上述基材中含有抗靜電劑。切割後，自固定切晶帶之吸附台取下切晶帶時，存在於切晶帶與吸附台之間產生剝離靜電之情形。因此，若於基材中含有抗靜電劑，則能夠抑制該基材與吸附台之間之剝離靜電。

於上述構成中，較佳為：上述基材具有多層結構，於上述多層結構之基材之至少一個最外層中含有抗靜電劑。若於上述多層結構之基材之黏著劑層側之最外層中含有抗靜電劑，則能夠抑制基材與黏著劑層兩者之靜電。又，若於上述多層結構之基材之與黏著劑層相反側之最外層中含有抗靜電劑，則能夠更有效地抑制基材與吸附台之間之剝離靜電。

於上述構成中，較佳為於上述基材之至少一個面上形成有含有抗靜電劑之抗靜電劑層。若於上述基材之黏著劑層側之面上形成有抗靜電劑層，則能夠抑制基材與黏著劑層兩者之靜電。又，若於上述基材之與黏著劑層相反側之面上形成有抗靜電劑層，則能夠更有效地抑制基材與吸附台之間之剝離靜電。

於上述構成中，較佳為於上述黏著劑層中含有抗靜電劑。若於黏著劑層中含有抗靜電劑，則能夠更有效地抑制將黏著劑層與接著片材剝離時之剝離靜電。

於上述構成中，較佳為上述抗靜電劑為高分子型抗靜電劑。若上述抗靜電劑為高分子型抗靜電劑，則不易自基材或黏著劑層滲出。其結果，能夠抑制經時導致之抗靜電功能之降低。

又，第2本發明之特徵在於，其係使用上述記載之切晶帶一體型接著片材之半導體裝置之製造方法，且包括如下步驟：於上述切晶帶一體型接著片材中之接著片材上貼著半導體晶圓之步驟；切割上述半導體晶圓而形成半導體元件之步驟；以及 將上述半導體元件與上述接著片材一起自切晶帶之黏著劑層拾取之步驟。

根據上述構成，使用上述記載之切晶帶一體型接著片材。因此，上述基材、以及上述黏著劑層中之至少一個表面之表面電阻率值為1.0×10¹¹Ω以下。由於上述表面電阻率值為1.0×10¹¹Ω以下，因此能夠發揮抗靜電效果。其結果，可防止由於拾取時之剝離靜電導致半導體元件被破壞，提高作為器件之可靠性。

又，本發明者等人為了解決上述先前之問題而進行了研究，結果發現：藉由在切晶帶之基材、以及黏著劑層中之至少一者中含有高分子型抗靜電劑，能夠抑制半導體元件上之電路被破壞，從而完成第3本發明。

即，第3本發明之特徵在於，其係包含於基材上積層有黏著劑層之切晶帶、及形成於上述黏著劑層上之接著片材之切晶帶一體型接著片材，且於上述基材、以及上述黏著劑層中之至少一者中含有高分子型抗靜電劑。

根據上述構成，由於在上述基材、以及上述黏著劑層中之至少一者中含有高分子型抗靜電劑，因此不易帶電。因此，能夠發揮抗靜電效果。又，由於使用高分子型抗靜電劑作為抗靜電劑，因此不易自基材或黏著劑層滲出。其結果，能夠抑制經時導致之抗靜電功能之降低。

於上述構成中，較佳為上述接著片材為用於在倒裝晶片連接於被黏著體上之半導體元件之背面形成之倒裝晶片型半導體背面用膜。於上述接著片材為倒裝晶片型半導體背面用膜之情形時，倒裝晶片型半導體背面用膜形成於半導體元件之背面，半導體元件之電路面裸露。然而，於上述基材、以及上述黏著劑層中之至少一者中含有高分子型 抗靜電劑。其結果，能夠防止裸露之半導體元件之電路面由於剝離靜電而被破壞。

於上述構成中，較佳為：上述基材具有多層結構，於上述多層結構之基材之至少一個最外層中含有抗靜電劑。若於上述多層結構之基材之黏著劑層側之最外層中含有抗靜電劑，則能夠抑制基材與黏著劑層兩者之靜電。又，若於上述多層結構之基材之與黏著劑層相反側之最外層中含有抗靜電劑，則能夠更有效地抑制基材與吸附台之間之剝離靜電。

於上述構成中，較佳為於上述基材之至少一個面上形成有含有抗靜電劑之抗靜電劑層。若於上述基材之黏著劑層側之面上形成有抗靜電劑層，則能夠抑制基材與黏著劑層兩者之靜電。又，若於上述基材之與黏著劑層相反側之面上形成有抗靜電劑層，則能夠更有效地抑制基材與吸附台之間之剝離靜電。

又，第3本發明之特徵在於，其係使用上述記載之切晶帶一體型接著片材之半導體裝置之製造方法，且包括如下步驟：於上述切晶帶一體型接著片材中之接著片材上貼著半導體晶圓之步驟；切割上述半導體晶圓而形成半導體元件之步驟；以及將上述半導體元件與上述接著片材一起自切晶帶之黏著劑層拾取之步驟。

根據上述構成，使用上述記載之切晶帶一體型接著片材。因此，於上述基材、以及上述黏著劑層中之至少一者中含有高分子型抗靜電劑。由於在上述基材、以及上述黏著劑層中之至少一者中含有高分子型抗靜電劑，因此能夠發揮抗靜電效果。其結果，可防止由於拾取時之剝離靜電導致半導體元件被破壞，提高作為器件之可靠性。又，由於使用高分子型抗靜電劑作為抗靜電劑，因此不易自基材或黏著劑層 滲出。其結果，能夠抑制經時導致之抗靜電功能之降低。

又，本發明者等人為了解決上述先前之問題而進行了研究，結果發現：藉由將用於製造半導體裝置之接著片材之任一表面之表面電阻率值設於一定之範圍內，能夠抑制半導體元件上之電路被破壞，從而完成第4本發明。

即，第4本發明之接著片材之特徵在於，其係用於製造半導體裝置之接著片材，且其任一表面之表面電阻率值為1.0×10¹¹Ω以下。

根據上述構成，由於接著片材之任一表面之表面電阻率值為1.0×10¹¹Ω以下，因此不易帶電。因此，能夠發揮抗靜電效果。其結果，於貼附於切晶帶而作為切晶帶一體型接著片材使用時，可防止由於拾取時之剝離靜電導致半導體元件被破壞，提高作為器件之可靠性。

於上述構成中，較佳為上述接著片材為用於在倒裝晶片連接於被黏著體上之半導體元件之背面形成之倒裝晶片型半導體背面用膜。於上述接著片材為倒裝晶片型半導體背面用膜之情形時，倒裝晶片型半導體背面用膜形成於半導體元件之背面，半導體元件之電路面裸露。然而，倒裝晶片型半導體背面用膜之任一表面之表面電阻率值為1.0×10¹¹Ω以下。其結果，能夠防止裸露之半導體元件之電路面由於剝離靜電而被破壞。

於上述構成中，較佳為於上述接著片材中含有抗靜電劑。若於接著片材中含有抗靜電劑，則自切晶帶剝離後亦具有抗靜電效果。其結果，自切晶帶剝離後，亦能夠抑制由靜電導致之半導體元件之破壞。

又，第4本發明之切晶帶一體型接著片材之特徵在於，其包含於基材上積層有黏著劑層之切晶帶、及上述記載之接著片材，且上述接著片材形成於上述黏著劑層上。

根據上述構成，由於接著片材之任一表面之表面電阻率值為 1.0×10¹¹Ω以下，因此不易帶電。因此，能夠發揮抗靜電效果。其結果，可防止由於拾取時之剝離靜電導致半導體元件被破壞，提高作為器件之可靠性。

又，第4本發明之特徵在於，其係使用上述記載之接著片材之半導體裝置之製造方法，且包括如下步驟：準備於基材上積層有黏著劑層之切晶帶之步驟；於上述切晶帶之上述黏著劑層上貼附上述接著片材，獲得切晶帶一體型接著片材之步驟；於上述切晶帶一體型接著片材中之接著片材上貼著半導體晶圓之步驟；切割上述半導體晶圓而形成半導體元件之步驟；以及將上述半導體元件與上述接著片材一起自切晶帶之黏著劑層拾取之步驟。

又，第4本發明之特徵在於，其係使用上述記載之切晶帶一體型接著片材之半導體裝置之製造方法，且包括如下步驟：於上述切晶帶一體型接著片材中之接著片材上貼著半導體晶圓之步驟；切割上述半導體晶圓而形成半導體元件之步驟；以及將上述半導體元件與上述接著片材一起自切晶帶之黏著劑層拾取之步驟。

根據上述構成，使用上述記載之接著片材或切晶帶一體型接著片材。因此，接著片材之任一表面之表面電阻率值為1.0×10¹¹Ω以下。由於上述表面電阻率值為1.0×10¹¹Ω以下，因此能夠發揮抗靜電效果。其結果，可防止由於拾取時之剝離靜電導致半導體元件被破壞，提高作為器件之可靠性。

又，為了解決上述問題，第4本發明之半導體裝置之特徵在於， 其係使用上述記載之接著片材而製造。

又，為了解決上述問題，第4本發明之半導體裝置之特徵在於，其係使用上述記載之切晶帶一體型接著片材而製造。

又，本發明者等人為了解決上述先前之問題而進行了研究，結果發現：藉由在用於製造半導體裝置之接著片材中含有高分子型抗靜電劑，能夠抑制半導體元件上之電路被破壞，從而完成第5本發明。

即，第5本發明之接著片材之特徵在於，其係用於製造半導體裝置之接著片材，且含有高分子型抗靜電劑。

根據上述構成，由於在接著片材中含有高分子型抗靜電劑，因此不易帶電。因此，能夠發揮抗靜電效果。又，由於使用高分子型抗靜電劑作為抗靜電劑，因此不易自接著片材滲出。其結果，能夠抑制經時導致之抗靜電功能之降低。又，由於在接著片材中含有高分子型抗靜電劑，因此於貼附於切晶帶而作為切晶帶一體型接著片材使用時，自切晶帶剝離後亦具有抗靜電效果。其結果，自切晶帶剝離後，亦能夠抑制由靜電導致之半導體元件之破壞。

於上述構成中，較佳為上述接著片材為用於在倒裝晶片連接於被黏著體上之半導體元件之背面形成之倒裝晶片型半導體背面用膜。於上述接著片材為倒裝晶片型半導體背面用膜之情形時，倒裝晶片型半導體背面用膜形成於半導體元件之背面，半導體元件之電路面裸露。然而，於接著片材中含有高分子型抗靜電劑。其結果，能夠防止裸露之半導體元件之電路面由於剝離靜電而被破壞。

又，第5本發明之切晶帶一體型接著片材之特徵在於，其包含於基材上積層有黏著劑層之切晶帶、及上述記載之接著片材，且上述接著片材形成於上述黏著劑層上。

根據上述構成，由於在接著片材中含有高分子型抗靜電劑，因此不易帶電。因此，能夠發揮抗靜電效果。其結果，可防止由於拾取時 之剝離靜電導致半導體元件被破壞，提高作為器件之可靠性。又，由於使用高分子型抗靜電劑作為抗靜電劑，因此不易自接著片材滲出。其結果，能夠抑制經時導致之抗靜電功能之降低。又，由於在接著片材中含有高分子型抗靜電劑，因此自切晶帶剝離後亦具有抗靜電效果。其結果，自切晶帶剝離後，亦能夠抑制由靜電導致之半導體元件之破壞。

又，第5本發明之特徵在於，其係使用上述記載之接著片材之半導體裝置之製造方法，且包括如下步驟：準備於基材上積層有黏著劑層之切晶帶之步驟；於上述切晶帶之上述黏著劑層上貼附上述接著片材，獲得切晶帶一體型接著片材之步驟；於上述切晶帶一體型接著片材中之接著片材上貼著半導體晶圓之步驟；切割上述半導體晶圓而形成半導體元件之步驟；以及將上述半導體元件與上述接著片材一起自切晶帶之黏著劑層拾取之步驟。

又，第5本發明之特徵在於，其係使用上述記載之切晶帶一體型接著片材之半導體裝置之製造方法，且包括如下步驟：於上述切晶帶一體型接著片材中之接著片材上貼著半導體晶圓之步驟；切割上述半導體晶圓而形成半導體元件之步驟；以及將上述半導體元件與上述接著片材一起自切晶帶之黏著劑層拾取之步驟。

根據上述構成，使用上述記載之接著片材或切晶帶一體型接著片材。因此，由於在接著片材中含有高分子型抗靜電劑，因此能夠發揮抗靜電效果。其結果，可防止由於拾取時之剝離靜電導致半導體元件 被破壞，提高作為器件之可靠性。又，由於使用高分子型抗靜電劑作為抗靜電劑，因此不易自接著片材滲出。其結果，能夠抑制經時導致之抗靜電功能之降低。又，由於在接著片材中含有高分子型抗靜電劑，因此自切晶帶剝離後亦具有抗靜電效果。其結果，自切晶帶剝離後，亦能夠抑制由靜電導致之半導體元件之破壞。

又，為了解決上述問題，第5本發明之半導體裝置之特徵在於，其係使用上述記載之接著片材而製造。

又，為了解決上述問題，第5本發明之半導體裝置之特徵在於，其係使用上述記載之切晶帶一體型接著片材而製造。

1、10、20‧‧‧切晶帶一體型半導體背面用膜

2‧‧‧倒裝晶片型半導體背面用膜(半導體背面用膜)

3‧‧‧切晶帶

31‧‧‧基材

32‧‧‧黏著劑層

33‧‧‧與半導體晶圓之貼著部分對應之部分

35、36‧‧‧抗靜電劑層

4‧‧‧半導體晶圓

5‧‧‧半導體晶片

51‧‧‧形成於半導體晶片5之電路面側之凸塊

6‧‧‧被黏著體

61‧‧‧被黏著於被黏著體6之連接焊墊之接合用之導電材料

100‧‧‧丙烯酸系板樣品

102‧‧‧樣品固定台

104‧‧‧電位測定機

110‧‧‧吸附台

圖1係本實施形態之切晶帶一體型半導體背面用膜之剖面模式圖。

圖2係用於說明剝離靜電壓之測定方法之概略構成圖。

圖3係另一實施形態之切晶帶一體型半導體背面用膜之剖面模式圖。

圖4係另一實施形態之切晶帶一體型半導體背面用膜之剖面模式圖。

圖5(a)-(d)係表示使用本實施形態之切晶帶一體型半導體背面用膜的半導體裝置之製造方法之一例之剖面模式圖。

<第1本發明>

對於第1本發明之實施形態，一面參照圖式一面進行說明，但第1本發明不限定於該等例。以下，首先對第1本發明之切晶帶一體型接著片材為切晶帶一體型半導體背面用膜之情形進行說明。即，對第1本發明之接著片材為倒裝晶片型半導體背面用膜之情形進行說明。圖1為表示本實施形態之切晶帶一體型半導體背面用膜之一例之剖面模 式圖。再者，本說明書中，於圖中省略不需要說明之部分，又，存在為了易於說明而放大或縮小等進行圖示之部分。

(切晶帶一體型半導體背面用膜)

如圖1所示，切晶帶一體型半導體背面用膜1為包含於基材31上設置有黏著劑層32之切晶帶3、及設置於黏著劑層32上之倒裝晶片型半導體背面用膜(以下，有時稱為「半導體背面用膜」)2之構成。再者，第1本發明之切晶帶一體型半導體背面用膜可為如圖1所示，於切晶帶3之黏著劑層32上，僅在與半導體晶圓之貼著部分對應之部分33形成有半導體背面用膜2之構成；亦可為於黏著劑層32之整面形成有半導體背面用膜之構成；又，可為於比與半導體晶圓之貼著部分對應之部分33大且比黏著劑層32之整面小之部分形成有半導體背面用膜之構成。再者，半導體背面用膜2之表面(貼著於晶圓之背面之側之表面)可於貼著至晶圓背面之前之期間藉由分隔件(separator)等加以保護。

切晶帶一體型半導體背面用膜1於剝離速度10m/min、剝離角度150°之剝離試驗中，黏著劑層32與接著片材2之剝離力為0.02~0.5N/20mm，較佳為0.02~0.3N/20mm，更佳為0.02~0.2N/20mm。由於上述剝離力為0.02N/20mm以上，因此於切割時，能夠固定半導體晶圓。又，由於上述剝離力為0.5N/20mm以下，因此於拾取時，能夠容易地將附接著片材2之半導體元件自黏著劑層32剝離。

又，於切晶帶一體型半導體背面用膜1中，根據上述剝離試驗之條件，將黏著劑層32與接著片材2剝離時之剝離靜電壓之絕對值為0.5kV以下(-0.5kV~+0.5kV)，較佳為0.3kV以下(-0.3kV~+0.3kV)，更佳為0.2kV以下(-0.2kV~+0.2kV)。由於根據上述剝離試驗之條件，將黏著劑層32與接著片材2剝離時之剝離靜電壓之絕對值為0.5kV以下，因此能夠發揮抗靜電效果。其結果，可防止由於拾取時之 剝離靜電導致半導體元件被破壞，提高作為器件之可靠性。

此處，對剝離靜電壓之測定方法進行說明。

圖2為用於說明剝離靜電壓之測定方法之概略構成圖。首先，將切晶帶一體型半導體背面用膜1貼合於經預先除電之丙烯酸系板100(厚度：1mm，寬度：70mm，長度：100mm)。於貼合時，使用手壓輥，以使丙烯酸系板100與切晶帶3介隔雙面膠帶相對之方式進行。於該狀態下，在23℃、50%RH之環境下放置一天。繼而，將貼合有切晶帶一體型半導體背面用膜1之丙烯酸系板100固定於樣品固定台102。繼而，將半導體背面用膜2之端部固定於自動捲取機，以剝離角度成為150°、剝離速度成為10m/min之方式進行剝離。藉由固定於距切晶帶之表面100mm之位置之電位測定機104(春日電機公司製造，KSD-0103)，測定此時產生之切晶帶3側之面(黏著劑層32之面)之電位。測定係於23℃、50%RH之環境下進行。

於切晶帶一體型半導體背面用膜1中，基材31、黏著劑層32、或半導體背面用膜2之至少任一表面之表面電阻率值較佳為1.0×10¹¹Ω以下，更佳為1.0×10¹⁰Ω以下，進而較佳為1.0×10⁹Ω以下。又，上述表面電阻率值越小越佳，但可列舉例如為1.0×10⁵Ω以上、1.0×10⁶Ω以上、1.0×10⁷Ω以上。若上述表面電阻率值為1.0×10¹¹Ω以下，則不易帶電。因此，能進一步發揮抗靜電效果。再者，於第1本發明中，所謂基材、黏著劑層、或半導體背面用膜之至少任一表面之表面電阻率值，係指基材之黏著劑層側之表面、基材之與黏著劑層相反側之表面、黏著劑層之基材側之表面、黏著劑層之與基材相反側之表面、半導體背面用膜之黏著劑層側之表面、半導體背面用膜之與黏著劑層相反側之表面中之至少任一表面之表面電阻率值。上述表面電阻率值係指藉由實施例中記載之方法測定之值。

於切晶帶一體型半導體背面用膜1中，較佳為於基材31、黏著劑 層32、半導體背面用膜2中之至少一者中含有抗靜電劑。

若於基材31中含有抗靜電劑，則能夠抑制自固定切晶帶3之吸附台取下時之基材31與吸附台之間之剝離靜電。尤其是若基材31具有多層結構，且於多層結構之基材31之黏著劑層32側之最外層中含有抗靜電劑，則能夠抑制基材31與黏著劑層32兩者之靜電。又，若於多層結構之基材31之與黏著劑層32相反側之最外層中含有抗靜電劑，則能夠更有效地抑制基材31與吸附台之間之剝離靜電。

又，若於黏著劑層32中含有抗靜電劑，則能夠更有效地抑制將黏著劑層32與半導體背面用膜2剝離時之剝離靜電。

又，若於半導體背面用膜2中含有抗靜電劑，則自切晶帶3剝離後亦具有抗靜電效果。其結果，自切晶帶3剝離後，亦能夠抑制由靜電導致之半導體元件之破壞。尤其是若半導體背面用膜2具有多層結構，且於多層結構之半導體背面用膜2之切晶帶3側之最外層中含有抗靜電劑，則能夠進一步有效地抑制將黏著劑層32與半導體背面用膜2剝離時之剝離靜電。

作為上述抗靜電劑，可列舉：四級銨鹽、吡啶鎓鹽、具有第一、第二、第三胺基等陽離子性官能基之陽離子型抗靜電劑、磺酸鹽或硫酸酯鹽、膦酸鹽、磷酸酯鹽等具有陰離子性官能基之陰離子型抗靜電劑、烷基甜菜鹼及其衍生物、咪唑啉及其衍生物、丙胺酸及其衍生物等兩性型抗靜電劑、胺基醇及其衍生物、甘油及其衍生物、聚乙二醇及其衍生物等非離子型抗靜電劑，進而可列舉使上述陽離子型、陰離子型、兩性離子型之具有離子導電性基之單體聚合或者共聚合而得之離子導電性聚合物(高分子型抗靜電劑)。該等化合物可單獨使用，又，亦可混合兩種以上使用。其中，較佳為高分子型抗靜電劑。若使用高分子型抗靜電劑，則不易自基材31、黏著劑層32、以及半導體背面用膜2滲出。其結果，能夠抑制經時導致之抗靜電功能之降低。

具體而言，作為陽離子型抗靜電劑，例如可列舉：烷基三甲基銨鹽、醯基醯胺丙基三甲基銨甲基硫酸鹽(acyloyl amide propyl trimethyl ammonium methosulfate)、烷基苄基甲基銨鹽、醯基氯化膽鹼、聚甲基丙烯酸二甲基胺基乙酯等具有四級銨基之(甲基)丙烯酸酯共聚物、聚乙烯基苄基三甲基銨氯化物等具有四級銨基之苯乙烯共聚物、聚二烯丙基二甲基銨氯化物等具有四級銨基之二烯丙基胺共聚物等。該等化合物可單獨使用，又，亦可混合兩種以上使用。

作為陰離子型抗靜電劑，例如可列舉：烷基磺酸鹽、烷基苯磺酸鹽、烷基硫酸酯鹽、烷基乙氧基硫酸酯鹽、烷基磷酸酯鹽、含磺酸基之苯乙烯共聚物。該等化合物可單獨使用，又，亦可混合兩種以上使用。

作為兩性離子型抗靜電劑，例如可列舉：烷基甜菜鹼、烷基咪唑鎓甜菜鹼、羧酸甜菜鹼(carbobetaine)接枝共聚物。該等化合物可單獨使用，又，亦可混合兩種以上使用。

作為非離子型抗靜電劑，例如可列舉：脂肪酸烷醇醯胺(alkylol amide)、二(2-羥基乙基)烷基胺、聚氧乙烯烷基胺、脂肪酸甘油酯、聚氧乙二醇脂肪酸酯、山梨糖醇酐脂肪酸酯、聚氧山梨糖醇酐脂肪酸酯、聚氧乙烯烷基苯醚、聚氧乙烯烷基醚、聚乙二醇、聚氧乙烯二胺、包含聚醚、聚酯及聚醯胺之共聚物、甲氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯等。該等化合物可單獨使用，又，亦可混合兩種以上使用。

作為高分子型抗靜電劑之其他例，例如可列舉聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩等。

又，作為上述抗靜電劑，可列舉導電性物質。作為導電性物質，例如可列舉：氧化錫、氧化銻、氧化銦、氧化鎘、氧化鈦、氧化鋅、銦、錫、銻、金、銀、銅、鋁、鎳、鉻、鈦、鐵、鈷、碘化銅、以及該等之合金或混合物。

上述抗靜電劑之含量相對於添加之層之全部樹脂成分，較佳為50重量%以下，更佳為30重量%以下。又，上述抗靜電劑之含量相對於添加之層之全部樹脂成分，較佳為5重量%以上，更佳為10重量%以上。藉由在上述數值範圍內含有上述抗靜電劑，能夠附加抗靜電功能而不損害添加之層之功能。此處，「相對於添加之層之全部樹脂成分為50重量%以下」係指以下含義。

(a)於添加之層為基材31之情形時

於基材31包含1層之情形時，係指相對於構成基材31之全部樹脂成分為50重量%以下。

於基材31包含多層結構之情形時，係指相對於構成複數層中之1層之全部樹脂成分為50重量%以下。

(b)於添加之層為黏著劑層32之情形時

係指相對於構成黏著劑層32之全部樹脂成分為50重量%以下。

(c)於添加之層為半導體背面用膜2之情形時

於半導體背面用膜2包含1層之情形時，係指相對於構成半導體背面用膜2之全部樹脂成分為50重量%以下。

於半導體背面用膜2包含多層結構之情形時，係指相對於構成複數層中之1層之全部樹脂成分為50重量%以下。

再者，關於「相對於添加之層之全部樹脂成分為30重量%以下」、「相對於添加之層之全部樹脂成分為5重量%以上」、「相對於添加之層之全部樹脂成分為10重量%以上」，亦與上述同樣地，於基材、黏著劑層、半導體背面用膜包含1層之情形時，係指相對於構成該基材、該黏著劑層、或該半導體背面用膜之全部樹脂成分之比率，於包含多層結構之情形時，係指相對於構成該基材、或該半導體背面用膜之複數層中之1層之全部樹脂成分之比率。

於切晶帶一體型半導體背面用膜中，亦可於基材之至少一個面上 形成含有抗靜電劑之抗靜電劑層。圖3及圖4為另一實施形態之切晶帶一體型半導體背面用膜之剖面模式圖。

如圖3所示，切晶帶一體型半導體背面用膜10形成有於基材31上設置有黏著劑層32之切晶帶3、設置於黏著劑層32上之半導體背面用膜2、以及形成於基材31之與黏著劑層32相反側之面上之抗靜電劑層35。於切晶帶一體型半導體背面用膜10中，由於在基材31之與黏著劑層32相反側之面上形成有抗靜電劑層35，因此能夠更有效地抑制基材31與吸附台之間之剝離靜電。

又，如圖4所示，切晶帶一體型半導體背面用膜20為下述構成，該構成包含：於基材31上設置有黏著劑層32之切晶帶3、設置於基材31與黏著劑層32之間之抗靜電劑層36、以及設置於黏著劑層32上之半導體背面用膜2。於切晶帶一體型半導體背面用膜20中，由於在基材31之黏著劑層32側之面上形成有抗靜電劑層36，因此能夠抑制基材31與黏著劑層32兩者之靜電。

(抗靜電劑層)

抗靜電劑層35、36為至少含有抗靜電劑之層。作為抗靜電劑層35、36中含有之抗靜電劑，可使用與在基材31、黏著劑層32、半導體背面用膜2中含有之情形時之上述抗靜電劑同樣者。再者，於抗靜電劑層35、36中，除了抗靜電劑以外，亦可根據需要含有黏合劑成分、溶劑等。

抗靜電劑層35、36之厚度較佳為0.01~5μm，更佳為0.03~1μm。藉由將抗靜電劑層35、抗靜電劑層36之厚度設為0.01μm以上，能夠易於表現出抗靜電功能。又，藉由將抗靜電劑層35、抗靜電劑層36之厚度設為5μm以下，能夠提高黏著劑與基材之密接性能。

抗靜電劑層35、36可藉由將抗靜電劑層形成用溶液塗佈於基材31並使其乾燥而形成。作為塗佈方法，可採用旋塗、噴塗、浸塗、絲網 印刷、線棒塗佈等各種塗佈方法。

(倒裝晶片型半導體背面用膜)

半導體背面用膜2具有膜狀之形態。關於半導體背面用膜2，通常，於作為製品之切晶帶一體型半導體背面用膜之形態下為未硬化狀態(包括半硬化狀態)，在將切晶帶一體型半導體背面用膜貼著於半導體晶圓後進行熱硬化(關於詳細情況見後述)。

上述半導體背面用膜可由樹脂組合物形成，可由含有熱塑性樹脂及熱硬化性樹脂之樹脂組合物構成。再者，半導體背面用膜可由未使用熱硬化性樹脂之熱塑性樹脂組合物構成，亦可由未使用熱塑性樹脂之熱硬化性樹脂組合物構成。

作為上述熱塑性樹脂，例如可列舉：天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁二烯橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚醯亞胺樹脂、尼龍6、尼龍6,6等聚醯胺樹脂、苯氧基樹脂、丙烯酸系樹脂、PET(聚對苯二甲酸乙二酯)或PBT(聚對苯二甲酸丁二酯)等飽和聚酯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、或氟樹脂等。熱塑性樹脂可單獨使用或併用兩種以上。於該等熱塑性樹脂中，較佳為丙烯酸系樹脂或苯氧基樹脂，進而，尤佳為可將拉伸儲存彈性模數維持得較高並可膜化之苯氧基樹脂。

作為上述苯氧基樹脂，並無特別限定，例如可列舉藉由表氯醇與二元酚系化合物反應而得之樹脂、藉由二元環氧系化合物與二元酚系化合物之反應而得之樹脂等在結構單元中組入有酚成分之環氧樹脂等。作為苯氧基樹脂，例如可例示具有選自雙酚骨架(雙酚A型骨架、雙酚F型骨架、雙酚A/F混合型骨架、雙酚S型骨架、雙酚M型骨架、雙酚P型骨架、雙酚A/P混合型骨架、雙酚Z型骨架等)、萘骨架、降烯骨架、茀骨架、聯苯骨架、蒽骨架、酚醛清漆骨架、芘骨架、 骨架、金剛烷骨架以及二環戊二烯骨架中之至少一種骨架之苯氧基樹脂等。此外，苯氧基樹脂亦可使用市售品。苯氧基樹脂可單獨使用或組合兩種以上使用。

作為上述丙烯酸系樹脂，並無特別限定，可列舉將具有碳數30以下(較佳為碳數4~18，進而較佳為碳數6~10，尤佳為碳數8或9)之直鏈或支鏈烷基之丙烯酸或甲基丙烯酸之酯中之一種或兩種以上作為單體成分之聚合物等。即，於第1本發明中，所謂丙烯酸系樹脂，係指亦包括甲基丙烯酸系樹脂之廣義之含義。作為上述烷基，例如可列舉：甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、第三丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、十二烷基(月桂基)、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基等。

又，作為用於形成上述丙烯酸系樹脂之其他單體(除了烷基之碳數為30以下之丙烯酸或甲基丙烯酸之烷基酯以外之單體)，並無特別限定，例如可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、伊康酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸或者丁烯酸等之類之含羧基之單體；順丁烯二酸酐或伊康酸酐等之類之酸酐單體；(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯或丙烯酸(4-羥基甲基環己基)-甲酯等之類之含羥基之單體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯或(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等之類之含磺酸基之單體；或者2-羥基乙基丙烯醯基磷酸酯等之類之含磷酸基之單體等。再者，所謂(甲基)丙烯酸，係指丙烯酸及/或甲基丙烯酸，與第1本發明之(甲基)係完全相同之含義。

又，作為上述熱硬化性樹脂，除了環氧樹脂、酚樹脂之外，亦可列舉：胺基樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、聚矽氧樹脂、熱硬化性聚醯亞胺樹脂等。熱硬化性樹脂可單獨使用或併用兩種以上。作為熱硬化性樹脂，尤其適宜為腐蝕半導體元件之離子性雜質等含有較少之環氧樹脂。又，作為環氧樹脂之硬化劑，可適宜地使用酚樹脂。

作為環氧樹脂，並無特別限定，例如可使用：雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、溴化雙酚A型環氧樹脂、氫化雙酚A型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、茀型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型環氧樹脂、四酚基乙烷型環氧樹脂等二官能環氧樹脂或多官能環氧樹脂、或者乙內醯脲型環氧樹脂、異氰脲酸三縮水甘油酯型環氧樹脂或縮水甘油胺型環氧樹脂等環氧樹脂。

作為環氧樹脂，尤佳為上述例示中之酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型環氧樹脂、四酚基乙烷型環氧樹脂。其原因在於，該等環氧樹脂與作為硬化劑之酚樹脂之反應性充分，耐熱性等優異。

進而，上述酚樹脂係作為上述環氧樹脂之硬化劑發揮作用者，例如可列舉：苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、第三丁基苯酚酚醛清漆樹脂、壬基苯酚酚醛清漆樹脂等酚醛清漆型酚樹脂、可溶酚醛型酚樹脂、聚對羥基苯乙烯等聚羥基苯乙烯等。酚樹脂可單獨使用或併用兩種以上。該等酚樹脂中，尤佳為苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂。其原因在於，可提高半導體裝置之連接可靠性。

關於環氧樹脂與酚樹脂之調配比率，例如適宜以相對於上述環氧 樹脂成分中之每1當量環氧基，酚樹脂中之羥基成為0.5當量~2.0當量之方式調配。更適宜為0.8當量~1.2當量。即，其原因在於，若兩者之調配比率偏離上述範圍，則無法進行充分之硬化反應，環氧樹脂硬化物之特性容易劣化。

於第1本發明中，可使用環氧樹脂與酚樹脂之熱硬化促進觸媒。作為熱硬化促進觸媒，並無特別限定，可自公知之熱硬化促進觸媒之中適當地選擇使用。熱硬化促進觸媒可單獨使用或組合兩種以上使用。作為熱硬化促進觸媒，例如可使用胺系硬化促進劑、磷系硬化促進劑、咪唑系硬化促進劑、硼系硬化促進劑、磷-硼系硬化促進劑等。

作為上述胺系硬化促進劑，並無特別限定，例如可列舉單乙醇胺三氟硼酸鹽(STELLA CHEMIFA股份有限公司製造)、雙氰胺(NACALAI TESQUE股份有限公司製造)等。

作為上述磷系硬化促進劑，並無特別限定，例如可列舉：三苯基膦、三丁基膦、三(對甲基苯基)膦、三(壬基苯基)膦、二苯基甲苯基膦等三有機膦、溴化四苯基鏻(商品名：TPP-PB)、甲基三苯基鏻(商品名：TPP-MB)、氯化甲基三苯基鏻(商品名：TPP-MC)、甲氧基甲基三苯基鏻(商品名：TPP-MOC)、氯化苄基三苯基鏻(商品名：TPP-ZC)等(均為北興化學股份有限公司製造)。又，作為上述三苯基膦系化合物，較佳為相對於環氧樹脂實質上顯示非溶解性者。若相對於環氧樹脂為非溶解性，則能夠抑制熱硬化過度進行。作為具有三苯基膦結構且相對於環氧樹脂實質上顯示非溶解性之熱硬化觸媒，例如可例示甲基三苯基鏻(商品名：TPP-MB)等。又，所謂上述「非溶解性」，係指包含三苯基膦系化合物之熱硬化觸媒相對於包含環氧樹脂之溶劑為不溶性，更詳細而言，係指於溫度10~40℃之範圍內有10重量%以上不溶解。

作為上述咪唑系硬化促進劑，可列舉：2-甲基咪唑(商品名：2MZ)、2-十一烷基咪唑(商品名：C11-Z)、2-十七烷基咪唑(商品名：C17Z)、1,2-二甲基咪唑(商品名：1.2DMZ)、2-乙基-4-甲基咪唑(商品名：2E4MZ)、2-苯基咪唑(商品名：2PZ)、2-苯基-4-甲基咪唑(商品名：2P4MZ)、1-苄基-2-甲基咪唑(商品名：1B2MZ)、1-苄基-2-苯基咪唑(商品名：1B2PZ)、1-氰基乙基-2-甲基咪唑(商品名：2MZ-CN)、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑(商品名：C11Z-CN)、1-氰基乙基-2-苯基咪唑鎓偏苯三甲酸鹽(商品名：2PZCNS-PW)、2,4-二胺基-6-[2'-甲基咪唑基-(1')]-乙基-均三(商品名：2MZ-A)、2,4-二胺基-6-[2'-十一烷基咪唑基-(1')]-乙基-均三(商品名：C11Z-A)、2,4-二胺基-6-[2'-乙基-4'-甲基咪唑基-(1')]-乙基-均三(商品名：2E4MZ-A)、2,4-二胺基-6-[2'-甲基咪唑基-(1')]-乙基-均三異氰脲酸加成物(商品名：2MA-OK)、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑(商品名：2PHZ-PW)、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑(商品名：2P4MHZ-PW)等(均為四國化成工業股份有限公司製造)。

作為上述硼系硬化促進劑，並無特別限定，例如可列舉三氯硼烷等。

作為上述磷-硼系硬化促進劑，並無特別限定，例如可列舉：四苯基鏻四苯基硼酸鹽(商品名：TPP-K)、四苯基鏻四對三硼酸鹽(商品名：TPP-MK)、苄基三苯基鏻四苯基硼酸鹽(商品名：TPP-ZK)、三苯基膦三苯基硼烷(商品名：TPP-S)等(均為北興化學股份有限公司製造)。

上述熱硬化促進觸媒之比率相對於熱硬化性樹脂總量，較佳為0.01重量%以上且20重量%以下。若熱硬化促進觸媒之上述比率為0.01重量%以上，則即使倒裝晶片連接於被黏著體上之半導體元件為薄型(例如，即使厚度為300μm以下，進而為200μm以下)，亦能夠有 效地抑制或防止其翹曲。又，藉由將熱硬化促進觸媒之上述比率設為20重量%以下，能夠使半導體背面用膜之收縮量不會變得過大，而控制成適度之大小。作為熱硬化促進觸媒之上述比率之下限值，較佳為0.03重量%以上(更佳為0.05重量%以上)。又，作為上限值，較佳為18重量%以下(更佳為15重量%以下)。

作為上述半導體背面用膜，較佳為由含有環氧樹脂及酚樹脂之樹脂組合物形成，尤其適宜為由含有環氧樹脂、酚樹脂及苯氧基樹脂之樹脂組合物形成。

重要的是半導體背面用膜2相對於半導體晶圓之背面(電路非形成面)具有接著性(密接性)。半導體背面用膜2例如可藉由含有作為熱硬化性樹脂之環氧樹脂之樹脂組合物形成。為了使半導體背面用膜2預先交聯至某程度，較佳為於製作時，預先添加與聚合物之分子鏈末端之官能基等反應之多官能性化合物作為交聯劑。藉此，能夠提高於高溫下之接著特性，實現耐熱性之改善。

半導體背面用膜相對於半導體晶圓之接著力(23℃，剝離角度180°，剝離速度300mm/min)較佳為1N/10mm寬以上(例如，1N/10mm寬~10N/10mm寬)，進而較佳為2N/10mm寬以上(例如，2N/10mm寬~10N/10mm寬)，尤佳為4N/10mm寬以上(例如，4N/10mm寬~10N/10mm寬)以上，藉此可以優異之密接性貼著於半導體晶圓或半導體元件，而能夠防止浮起等之產生。又，亦能夠防止於半導體晶圓之切割時產生晶片飛出。再者，半導體背面用膜相對於半導體晶圓之上述接著力為例如以如下方式測定之值。即，於半導體背面用膜之一個面貼著黏著帶(商品名「BT315」，日東電工股份有限公司製造)進行背面加強。然後，於經背面加強之長度150mm、寬度10mm之半導體背面用膜之表面，藉由在50℃下將2kg之輥往返一次之熱層壓法而貼合厚度0.6mm之半導體晶圓。然後，於熱板上(50℃)靜置2分鐘 後，在常溫(23℃左右)下靜置20分鐘。靜置後，使用剝離試驗機(商品名「Autograph AGS-J」，島津製作所公司製造)，於溫度23℃下，在剝離角度：180°、拉伸速度：300mm/min之條件下，將經背面加強之半導體背面用膜撕拉剝離。上述接著力係此時之於半導體背面用膜與半導體晶圓之界面進行剝離而測定之值(N/10mm寬)。

作為上述交聯劑，並無特別限定，可使用公知之交聯劑。具體而言，例如除了異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、三聚氰胺系交聯劑、過氧化物系交聯劑之外，亦可列舉：脲系交聯劑、金屬烷氧化物系交聯劑、金屬螯合物系交聯劑、金屬鹽系交聯劑、碳二醯亞胺系交聯劑、唑啉系交聯劑、氮丙啶系交聯劑、胺系交聯劑等。作為交聯劑，適宜為異氰酸酯系交聯劑或環氧系交聯劑。又，上述交聯劑可單獨使用或組合兩種以上使用。

作為上述異氰酸酯系交聯劑，例如可列舉：1,2-伸乙基二異氰酸酯、1,4-伸丁基二異氰酸酯、1,6-六亞甲基二異氰酸酯等低級脂肪族聚異氰酸酯類；伸環戊基二異氰酸酯、伸環己基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、氫化甲苯二異氰酸酯、氫化二甲苯二異氰酸酯等脂環族聚異氰酸酯類；2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、4,4'-二苯基甲烷二異氰酸酯、苯二甲基二異氰酸酯等芳香族聚異氰酸酯類等，此外，亦可使用三羥甲基丙烷/甲苯二異氰酸酯三聚物加成物(Nippon Polyurethane Industry股份有限公司製造，商品名「CORONATE L」)、三羥甲基丙烷/六亞甲基二異氰酸酯三聚物加成物(Nippon Polyurethane Industry股份有限公司製造，商品名「CORONATE HL」)等。又，作為上述環氧系交聯劑，例如可列舉：N,N,N',N'-四縮水甘油基-間苯二甲胺、二縮水甘油基苯胺、1,3-雙(N,N-縮水甘油基胺基甲基)環己烷、1,6-己二醇二縮水甘油醚、新戊二醇二縮水甘油醚、乙二醇二縮水甘油醚、丙二醇二縮水甘油醚、聚 乙二醇二縮水甘油醚、聚丙二醇二縮水甘油醚、山梨糖醇聚縮水甘油醚、甘油聚縮水甘油醚、季戊四醇聚縮水甘油醚、聚甘油聚縮水甘油醚、山梨糖醇酐聚縮水甘油醚、三羥甲基丙烷聚縮水甘油醚、己二酸二縮水甘油酯、鄰苯二甲酸二縮水甘油酯、三(2-羥基乙基)異氰脲酸三縮水甘油酯、間苯二酚二縮水甘油醚、雙酚S-二縮水甘油醚，此外亦可列舉分子內具有2個以上環氧基之環氧系樹脂等。

再者，交聯劑之使用量並無特別限定，可根據交聯之程度適當地選擇。具體而言，作為交聯劑之使用量，較佳為例如相對於聚合物成分(尤其是具有分子鏈末端之官能基之聚合物)，通常設為7重量份以下(例如，0.05重量份~7重量份)。若交聯劑之使用量相對於聚合物成分100重量份而多於7重量份，則接著力降低，故欠佳。再者，就提高凝聚力之觀點而言，較佳為交聯劑之使用量相對於聚合物成分100重量份為0.05重量份以上。

再者，於第1本發明中，可代替使用交聯劑或者於使用交聯劑之同時藉由電子束或紫外線等之照射實施交聯處理。

上述半導體背面用膜較佳為被著色。藉此，能夠發揮優異之標記性以及外觀性，可形成具有附加價值之外觀之半導體裝置。如此，由於經著色之半導體背面用膜具有優異之標記性，因此於半導體元件或使用有該半導體元件之半導體裝置之非電路面側之面，可經由半導體背面用膜，藉由利用印刷方法或鐳射標記方法等各種標記方法而施加標記，賦予文字資訊或圖形資訊等各種資訊。尤其是，藉由控制著色之顏色，可以優異之視認性對藉由標記所賦予之資訊(文字資訊、圖形資訊等)進行視認。又，由於半導體背面用膜被著色，因此能夠容易地區分切晶帶與半導體背面用膜，而可提高作業性等。進而，例如對於半導體裝置，亦可按製品類別進行顏色區分。於使半導體背面用膜為有色之情形時(並非為無色．透明之情形時)，作為藉由著色呈現之 顏色，並無特別限定，例如較佳為黑色、藍色、紅色等濃色，尤其適宜為黑色。

於本實施形態中，所謂濃色，基本上係指以L*a*b*表色系統規定之L*成為60以下(0~60)[較佳為50以下(0~50)，進而較佳為40以下(0~40)]之較濃之顏色。

又，所謂黑色，基本上係指以L*a*b*表色系統規定之L*成為35以下(0~35)[較佳為30以下(0~30)，進而較佳為25以下(0~25)]之黑色系顏色。再者，於黑色中，以L*a*b*表色系統規定之a*或b*可分別根據L*之值適當地選擇。作為a*或b*，例如較佳為兩者均為-10~10，更佳為-5~5，尤其適宜為-3~3之範圍(特別是0或大致為0)。

再者，於本實施形態中，以L*a*b*表色系統規定之L*、a*、b*係藉由使用色彩色差計(商品名「CR-200」，MINOLTA公司製造之色彩色差計)進行測定而求出。再者，L*a*b*表色系統係國際照明委員會(CIE)於1976年推薦之顏色空間，指被稱為CIE1976(L*a*b*)表色系統之顏色空間。又，L*a*b*表色系統之日本工業規格規定於JIS Z 8729中。

於將半導體背面用膜著色時，根據作為目標之顏色，可使用色料(著色劑)。作為此種色料，可適宜地使用黑系色料、藍系色料、紅系色料等各種濃色系色料，尤其適宜為黑系色料。作為色料，顏料、染料等均可。色料可單獨使用或組合兩種以上使用。再者，作為染料，可使用酸性染料、反應染料、直接染料、分散染料、陽離子染料等任一形態之染料。又，顏料之形態亦無特別限定，可自公知之顏料中適當地選擇使用。

尤其是，若使用染料作為色料，則由於在半導體背面用膜中，染料藉由溶解而成為均勻或大致均勻地分散之狀態，因此能夠容易地製造著色濃度均勻或大致均勻之半導體背面用膜(進而切晶帶一體型半 導體背面用膜)。因此，若使用染料作為色料，則能夠使切晶帶一體型半導體背面用膜中之半導體背面用膜之著色濃度均勻或大致均勻，而可提高標記性或外觀性。

作為黑系色料，並無特別限定，例如可自無機之黑系顏料、黑系染料中適當地選擇。又，作為黑系色料，可為將氰系色料(藍綠系色料)、品紅系色料(紫紅系色料)以及黃色系色料(黃系色料)混合而得之色料混合物。黑系色料可單獨使用或組合兩種以上使用。當然，黑系色料亦可與黑色以外之顏色之色料併用。

具體而言，作為黑系色料，例如可列舉：碳黑(爐黑、煙囪黑、乙炔黑、熱碳黑(thermal black)、燈黑等)、石墨(graphite)、氧化銅、二氧化錳、偶氮系顏料(甲亞胺偶氮黑(azomethineazoblack)等)、苯胺黑、苝黑、鈦黑、花青黑、活性碳、鐵氧體(非磁性鐵氧體、磁性鐵氧體等)、磁鐵礦(magnetite)、氧化鉻、氧化鐵、二硫化鉬、鉻錯合物、複合氧化物系黑色色素、蒽醌系有機黑色色素等。

於第1本發明中，作為黑系色料，可列舉：C.I.溶劑黑3、C.I.溶劑黑7、C.I.溶劑黑22、C.I.溶劑黑27、C.I.溶劑黑29、C.I.溶劑黑34、C.I.溶劑黑43、C.I.溶劑黑70、C.I.直接黑17、C.I.直接黑19、C.I.直接黑22、C.I.直接黑32、C.I.直接黑38、C.I.直接黑51、C.I.直接黑71、C.I.酸性黑1、C.I.酸性黑2、C.I.酸性黑24、C.I.酸性黑26、C.I.酸性黑31、C.I.酸性黑48、C.I.酸性黑52、C.I.酸性黑107、C.I.酸性黑109、C.I.酸性黑110、C.I.酸性黑119、C.I.酸性黑154、C.I.分散黑1、C.I.分散黑3、C.I.分散黑10、C.I.分散黑24等黑系染料；C.I.顏料黑1、C.I.顏料黑7等黑系顏料等。

作為此種黑系色料，例如市售有商品名「Oil Black BY」、商品名「Oil Black BS」、商品名「Oil Black HBB」、商品名「Oil Black 803」、商品名「Oil Black 860」、商品名「Oil Black 5970」、商品名 「Oil Black 5906」、商品名「Oil Black 5905」(ORIENT CHEMICAL INDUSTRIES股份有限公司製造)等。

作為除黑系色料以外之色料，例如可列舉氰系色料、品紅系色料、黃色系色料等。作為氰系色料，例如可列舉：C.I.溶劑藍25、C.I.溶劑藍36、C.I.溶劑藍60、C.I.溶劑藍70、C.I.溶劑藍93、C.I.溶劑藍95；C.I.酸性藍6、C.I.酸性藍45等氰系染料；C.I.顏料藍1、C.I.顏料藍2、C.I.顏料藍3、C.I.顏料藍15、C.I.顏料藍15：1、C.I.顏料藍15：2、C.I.顏料藍15：3、C.I.顏料藍15：4、C.I.顏料藍15：5、C.I.顏料藍15：6、C.I.顏料藍16、C.I.顏料藍17、C.I.顏料藍17：1、C.I.顏料藍18、C.I.顏料藍22、C.I.顏料藍25、C.I.顏料藍56、C.I.顏料藍60、C.I.顏料藍63、C.I.顏料藍65、C.I.顏料藍66；C.I.還原藍4、C.I.還原藍60；C.I.顏料綠7等氰系顏料等。

又，於品紅系色料中，作為品紅系染料，例如可列舉：C.I.溶劑紅1、C.I.溶劑紅3、C.I.溶劑紅8、C.I.溶劑紅23、C.I.溶劑紅24、C.I.溶劑紅25、C.I.溶劑紅27、C.I.溶劑紅30、C.I.溶劑紅49、C.I.溶劑紅52、C.I.溶劑紅58、C.I.溶劑紅63、C.I.溶劑紅81、C.I.溶劑紅82、C.I.溶劑紅83、C.I.溶劑紅84、C.I.溶劑紅100、C.I.溶劑紅109、C.I.溶劑紅111、C.I.溶劑紅121、C.I.溶劑紅122；C.I.分散紅9；C.I.溶劑紫8、C.I.溶劑紫13、C.I.溶劑紫14、C.I.溶劑紫21、C.I.溶劑紫27；C.I.分散紫1；C.I.鹼性紅1、C.I.鹼性紅2、C.I.鹼性紅9、C.I.鹼性紅12、C.I.鹼性紅13、C.I.鹼性紅14、C.I.鹼性紅15、C.I.鹼性紅17、C.I.鹼性紅18、C.I.鹼性紅22、C.I.鹼性紅23、C.I.鹼性紅24、C.I.鹼性紅27、C.I.鹼性紅29、C.I.鹼性紅32、C.I.鹼性紅34、C.I.鹼性紅35、C.I.鹼性紅36、C.I.鹼性紅37、C.I.鹼性紅38、C.I.鹼性紅39、C.I.鹼性紅40；C.I.鹼性紫1、C.I.鹼性紫3、C.I.鹼性紫7、C.I.鹼性紫10、C.I.鹼性紫14、C.I.鹼性紫15、C.I.鹼性紫21、C.I.鹼性紫25、C.I.鹼性紫26、C.I.鹼性 紫27、C.I.鹼性紫28等。

於品紅系色料中，作為品紅系顏料，例如可列舉：C.I.顏料紅1、C.I.顏料紅2、C.I.顏料紅3、C.I.顏料紅4、C.I.顏料紅5、C.I.顏料紅6、C.I.顏料紅7、C.I.顏料紅8、C.I.顏料紅9、C.I.顏料紅10、C.I.顏料紅11、C.I.顏料紅12、C.I.顏料紅13、C.I.顏料紅14、C.I.顏料紅15、C.I.顏料紅16、C.I.顏料紅17、C.I.顏料紅18、C.I.顏料紅19、C.I.顏料紅21、C.I.顏料紅22、C.I.顏料紅23、C.I.顏料紅30、C.I.顏料紅31、C.I.顏料紅32、C.I.顏料紅37、C.I.顏料紅38、C.I.顏料紅39、C.I.顏料紅40、C.I.顏料紅41、C.I.顏料紅42、C.I.顏料紅48：1、C.I.顏料紅48：2、C.I.顏料紅48：3、C.I.顏料紅48：4、C.I.顏料紅49、C.I.顏料紅49：1、C.I.顏料紅50、C.I.顏料紅51、C.I.顏料紅52、C.I.顏料紅52：2、C.I.顏料紅53：1、C.I.顏料紅54、C.I.顏料紅55、C.I.顏料紅56、C.I.顏料紅57：1、C.I.顏料紅58、C.I.顏料紅60、C.I.顏料紅60：1、C.I.顏料紅63、C.I.顏料紅63：1、C.I.顏料紅63：2、C.I.顏料紅64、C.I.顏料紅64：1、C.I.顏料紅67、C.I.顏料紅68、C.I.顏料紅81、C.I.顏料紅83、C.I.顏料紅87、C.I.顏料紅88、C.I.顏料紅89、C.I.顏料紅90、C.I.顏料紅92、C.I.顏料紅101、C.I.顏料紅104、C.I.顏料紅105、C.I.顏料紅106、C.I.顏料紅108、C.I.顏料紅112、C.I.顏料紅114、C.I.顏料紅122、C.I.顏料紅123、C.I.顏料紅139、C.I.顏料紅144、C.I.顏料紅146、C.I.顏料紅147、C.I.顏料紅149、C.I.顏料紅150、C.I.顏料紅151、C.I.顏料紅163、C.I.顏料紅166、C.I.顏料紅168、C.I.顏料紅170、C.I.顏料紅171、C.I.顏料紅172、C.I.顏料紅175、C.I.顏料紅176、C.I.顏料紅177、C.I.顏料紅178、C.I.顏料紅179、C.I.顏料紅184、C.I.顏料紅185、C.I.顏料紅187、C.I.顏料紅190、C.I.顏料紅193、C.I.顏料紅202、C.I.顏料紅206、C.I.顏料紅207、C.I.顏料紅209、C.I.顏料紅219、C.I.顏料紅222、C.I.顏料紅 224、C.I.顏料紅238、C.I.顏料紅245；C.I.顏料紫3、C.I.顏料紫9、C.I.顏料紫19、C.I.顏料紫23、C.I.顏料紫31、C.I.顏料紫32、C.I.顏料紫33、C.I.顏料紫36、C.I.顏料紫38、C.I.顏料紫43、C.I.顏料紫50；C.I.還原紅1、C.I.還原紅2、C.I.還原紅10、C.I.還原紅13、C.I.還原紅15、C.I.還原紅23、C.I.還原紅29、C.I.還原紅35等。

又，作為黃色系色料，例如可列舉：C.I.溶劑黃19、C.I.溶劑黃44、C.I.溶劑黃77、C.I.溶劑黃79、C.I.溶劑黃81、C.I.溶劑黃82、C.I.溶劑黃93、C.I.溶劑黃98、C.I.溶劑黃103、C.I.溶劑黃104、C.I.溶劑黃112、C.I.溶劑黃162等黃色系染料；C.I.顏料橙31、C.I.顏料橙43；C.I.顏料黃1、C.I.顏料黃2、C.I.顏料黃3、C.I.顏料黃4、C.I.顏料黃5、C.I.顏料黃6、C.I.顏料黃7、C.I.顏料黃10、C.I.顏料黃11、C.I.顏料黃12、C.I.顏料黃13、C.I.顏料黃14、C.I.顏料黃15、C.I.顏料黃16、C.I.顏料黃17、C.I.顏料黃23、C.I.顏料黃24、C.I.顏料黃34、C.I.顏料黃35、C.I.顏料黃37、C.I.顏料黃42、C.I.顏料黃53、C.I.顏料黃55、C.I.顏料黃65、C.I.顏料黃73、C.I.顏料黃74、C.I.顏料黃75、C.I.顏料黃81、C.I.顏料黃83、C.I.顏料黃93、C.I.顏料黃94、C.I.顏料黃95、C.I.顏料黃97、C.I.顏料黃98、C.I.顏料黃100、C.I.顏料黃101、C.I.顏料黃104、C.I.顏料黃108、C.I.顏料黃109、C.I.顏料黃110、C.I.顏料黃113、C.I.顏料黃114、C.I.顏料黃116、C.I.顏料黃117、C.I.顏料黃120、C.I.顏料黃128、C.I.顏料黃129、C.I.顏料黃133、C.I.顏料黃138、C.I.顏料黃139、C.I.顏料黃147、C.I.顏料黃150、C.I.顏料黃151、C.I.顏料黃153、C.I.顏料黃154、C.I.顏料黃155、C.I.顏料黃156、C.I.顏料黃167、C.I.顏料黃172、C.I.顏料黃173、C.I.顏料黃180、C.I.顏料黃185、C.I.顏料黃195；C.I.還原黃1、C.I.還原黃3、C.I.還原黃20等黃色系顏料等。

氰系色料、品紅系色料、黃色系色料等各種色料可分別單獨使用 或組合兩種以上使用。再者，於使用兩種以上氰系色料、品紅系色料、黃色系色料等各種色料之情形時，作為該等色料之混合比率(或調配比率)，並無特別限定，可根據各色料之種類或作為目標之顏色等適當地選擇。

於將半導體背面用膜2著色之情形時，其著色形態並無特別限定。例如，半導體背面用膜可為添加有著色劑之單層之膜狀物。又，亦可為至少積層有至少藉由熱硬化性樹脂形成之樹脂層、及著色劑層之積層膜。再者，於半導體背面用膜2為樹脂層與著色劑層之積層膜之情形時，作為積層形態之半導體背面用膜2，較佳為具有樹脂層/著色劑層/樹脂層之積層形態。於該情形時，著色劑層之兩側之2個樹脂層可為同一組成之樹脂層，亦可為不同組成之樹脂層。

於半導體背面用膜2中，可根據需要適當地調配其他添加劑。作為其他添加劑，例如除了填充劑(填料)、阻燃劑、矽烷偶合劑、離子捕捉劑之外，亦可列舉增量劑、防老化劑、抗氧化劑、界面活性劑等。

作為上述填充劑，無機填充劑、有機填充劑均可，較佳為無機填充劑。藉由無機填充劑等填充劑之調配，能夠對半導體背面用膜實現導電性之賦予或導熱性之提高、及彈性模數之調節等。再者，作為半導體背面用膜2，可為導電性，亦可為非導電性。作為上述無機填充劑，例如可列舉：二氧化矽、黏土、石膏、碳酸鈣、硫酸鋇、氧化鋁、氧化鈹、碳化矽、氮化矽等陶瓷類、鋁、銅、銀、金、鎳、鉻、鉛、錫、鋅、鈀、焊錫等金屬或合金類、及其他包含碳等之各種無機粉末等。填充劑可單獨使用或併用兩種以上。作為填充劑，其中適宜為二氧化矽、尤其是熔融二氧化矽。再者，無機填充劑之平均粒徑較佳為0.1μm~80μm之範圍內。無機填充劑之平均粒徑例如可藉由鐳射繞射型粒度分佈測定裝置而測定。

上述填充劑(尤其是無機填充劑)之調配量相對於有機樹脂成分100重量份，較佳為80重量份以下(0重量份~80重量份)，尤其適宜為0重量份~70重量份。

作為上述阻燃劑，例如可列舉：三氧化銻、五氧化銻、溴化環氧樹脂等。阻燃劑可單獨使用或併用兩種以上。作為上述矽烷偶合劑，例如可列舉：β-(3,4-環氧基環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷等。矽烷偶合劑可單獨使用或併用兩種以上。作為上述離子捕捉劑，例如可列舉：水滑石類、氫氧化鉍等。離子捕捉劑可單獨使用或併用兩種以上。

半導體背面用膜2例如可利用以下之慣用方法形成：將環氧樹脂等熱硬化性樹脂、根據需要而使用之苯氧基樹脂、丙烯酸系樹脂等熱塑性樹脂、以及根據需要而添加之溶劑或其他添加劑等混合而製備樹脂組合物，並使其形成為膜狀之層。具體而言，例如可藉由以下方法形成作為半導體背面用膜之膜狀之層(接著劑層)：將上述樹脂組合物塗佈於切晶帶之黏著劑層32上之方法；及於適當之分隔件(剝離紙等)上塗佈上述樹脂組合物而形成樹脂層(或接著劑層)，並將其轉印(轉移)至黏著劑層32上之方法等。再者，上述樹脂組合物可為溶液，亦可為分散液。

再者，於半導體背面用膜2由含有環氧樹脂等熱硬化性樹脂之樹脂組合物形成之情形時，半導體背面用膜在適用於半導體晶圓前之階段中，熱硬化性樹脂為未硬化或部分硬化之狀態。於該情形時，在適用於半導體晶圓後(具體而言，通常是於在倒裝晶片接合步驟中使密封材料固化時)，使半導體背面用膜中之熱硬化性樹脂完全或大致完全地硬化。

如此，半導體背面用膜即使含有熱硬化性樹脂，該熱硬化性樹脂 亦為未硬化或部分硬化之狀態，因此作為半導體背面用膜之凝膠分率，並無特別限定，例如可自50重量%以下(0重量%~50重量%)之範圍內適當地選擇，較佳為30重量%以下(0重量%~30重量%)，尤其適宜為10重量%以下(0重量%~10重量%)。半導體背面用膜之凝膠分率之測定方法可藉由以下之測定方法測定。

<凝膠分率之測定方法>

自半導體背面用膜取樣約0.1g並精確稱量(試樣之重量)，將該樣品用網狀片材包住後，於室溫下浸漬於約50ml之甲苯中1週。然後，將溶劑不溶成分(網狀片材之內容物)自甲苯中取出，於130℃下乾燥約2小時，秤量乾燥後之溶劑不溶成分(浸漬．乾燥後之重量)，由下述式(a)算出凝膠分率(重量%)。

凝膠分率(重量%)=[(浸漬．乾燥後之重量)/(試樣之重量)]×100(a)

再者，對於半導體背面用膜之凝膠分率，除了樹脂成分之種類或其含量、交聯劑之種類或其含量之外，亦可藉由加熱溫度或加熱時間等進行控制。

於第1本發明中，在半導體背面用膜為由含有環氧樹脂等熱硬化性樹脂之樹脂組合物形成之膜狀物之情形時，能夠有效地發揮對半導體晶圓之密接性。

再者，由於在半導體晶圓之切割步驟中使用切削水，因此存在半導體背面用膜吸濕而具有常態以上之含水率之情形。若於此種高含水率之狀態下進行倒裝晶片接合，則存在水蒸汽於半導體背面用膜2與半導體晶圓或其加工體(半導體)之接著界面聚集，而產生浮起之情形。因此，作為半導體背面用膜，藉由設為於兩面設置有高透濕性之芯材料之構成，可使水蒸汽擴散而避開上述問題。就上述觀點而言，亦可使用於芯材料之單面或兩面形成有半導體背面用膜2之多層結構 作為半導體背面用膜。作為上述芯材料，可列舉膜(例如聚醯亞胺膜、聚酯膜、聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚萘二甲酸乙二酯膜、聚碳酸酯膜等)、經玻璃纖維或塑膠製不織纖維強化之樹脂基板、矽基板或玻璃基板等。

半導體背面用膜2之厚度(積層膜之情形時為總厚度)並無特別限定，例如可自2μm~200μm左右之範圍內適當地選擇。進而，上述厚度較佳為4μm~160μm左右，更佳為6μm~100μm左右，尤佳為10μm~80μm左右。

上述半導體背面用膜2於未硬化狀態下的23℃下之拉伸儲存彈性模數較佳為1GPa以上(例如，1GPa~50GPa)，更佳為2GPa以上，尤其適宜為3GPa以上。若上述拉伸儲存彈性模數為1GPa以上，則於將半導體元件與半導體背面用膜2一起自切晶帶之黏著劑層32剝離後，將半導體背面用膜2載置於支持體上並進行輸送等時，能夠有效地抑制或防止半導體背面用膜貼著於支持體。上述支持體例如係指載帶中之頂帶、底帶等。再者，於半導體背面用膜2係由含有熱硬化性樹脂之樹脂組合物形成之情形時，如上所述，由於熱硬化性樹脂通常為未硬化或部分硬化之狀態，因此半導體背面用膜於23℃下之彈性模數通常為熱硬化性樹脂於未硬化狀態或部分硬化狀態下之23℃下之彈性模數。

此處，半導體背面用膜2可為單層，亦可為複數層積層而成之積層膜，於為積層膜之情形時，只要上述未硬化狀態下之23℃下之拉伸儲存彈性模數對積層膜整體而言為1GPa以上(例如1GPa~50GPa)之範圍即可。又，半導體背面用膜之未硬化狀態下之上述拉伸儲存彈性模數(23℃)可藉由樹脂成分(熱塑性樹脂、熱硬化性樹脂)之種類或其含量、二氧化矽填料等填充材料之種類或其含量等進行控制。再者，於半導體背面用膜2為複數層積層而成之積層膜之情形時(半導體背面 用膜具有積層之形態之情形時)，作為其積層形態，例如可例示包含晶圓接著層及鐳射標記層之積層形態等。又，於此種晶圓接著層與鐳射標記層之間，可設置其他層(中間層、光線阻斷層、加強層、著色層、基材層、電磁波阻斷層、導熱層、黏著層等)。再者，晶圓接著層為對晶圓發揮優異之密接性(接著性)之層，且為與晶圓之背面接觸之層。另一方面，鐳射標記層係發揮優異之鐳射標記性之層，且為於半導體元件之背面進行鐳射標記時所利用之層。

再者，上述拉伸儲存彈性模數設為以下之值：不積層於切晶帶3地製作未硬化狀態之半導體背面用膜2，使用Rheometric公司製造之動態黏彈性測定裝置「Solid Analyzer RS A2」，於拉伸模式下，在樣品寬度：10mm、樣品長度：22.5mm、樣品厚度：0.2mm、頻率：1Hz、升溫速度：10℃/min、氮氣氛圍下、特定之溫度(23℃)下之條件下測定而得之拉伸儲存彈性模數之值。

上述半導體背面用膜2較佳為至少一個面由分隔件(剝離襯墊)所保護(未圖示)。例如，於切晶帶一體型半導體背面用膜1之情形時，可僅於半導體背面用膜之一個面設置分隔件，另一方面，於未與切晶帶一體化之半導體背面用膜之情形時，可於半導體背面用膜之單面或兩面設置分隔件。分隔件於供於實際使用之前具有作為保護半導體背面用膜之保護材料之功能。又，於切晶帶一體型半導體背面用膜1之情形時，分隔件進而亦可作為將半導體背面用膜2轉印至切晶帶之基材上之黏著劑層32時之支持基材使用。分隔件於將半導體晶圓貼著於半導體背面用膜上時被剝離。作為分隔件，亦可使用藉由聚乙烯、聚丙烯、或氟系剝離劑、長鏈烷基丙烯酸酯系剝離劑等剝離劑進行表面塗佈之塑膠膜(聚對苯二甲酸乙二酯等)或紙等。再者，分隔件可藉由先前公知之方法形成。又，分隔件之厚度等亦無特別限定。

又，半導體背面用膜2之可見光(波長：400nm~800nm)之光線 透射率(可見光透射率)並無特別限定，例如較佳為20%以下(0%~20%)之範圍，更佳為10%以下(0%~10%)，尤佳為5%以下(0%~5%)。若半導體背面用膜2之可見光透射率大於20%，則存在由於光線通過而對半導體元件產生不良影響之虞。又，上述可見光透射率(%)可藉由半導體背面用膜2之樹脂成分之種類或其含量、著色劑(顏料或染料等)之種類或其含量、無機填充材料之含量等進行控制。

半導體背面用膜2之可見光透射率(%)可以如下方式測定。即，製作厚度(平均厚度)20μm之半導體背面用膜2單獨體。繼而，以特定之強度對半導體背面用膜2照射波長：400nm~800nm之可見光線[裝置：島津製作所製造之可見光產生裝置(商品名「ABSORPTION SPECTRO PHOTOMETR」)]，測定透過之可見光線之強度。進而，根據可見光線透過半導體背面用膜2前後之強度變化，可求出可見光透射率之值。再者，亦可根據厚度並非為20μm之半導體背面用膜2之可見光透射率(%；波長：400nm~800nm)之值導出厚度20μm之半導體背面用膜2之可見光透射率(%；波長：400nm~800nm)。又，於第1本發明中，求出厚度20μm之半導體背面用膜2之情形時之可見光透射率(%)，但其並非旨在將第1本發明之半導體背面用膜限定為厚度20μm者。

又，作為半導體背面用膜2，較佳為其吸濕率較低者。具體而言，上述吸濕率較佳為1重量%以下，更佳為0.8重量%以下。藉由將上述吸濕率設為1重量%以下，能夠提高鐳射標記性。又，例如於回流焊步驟中，亦能夠抑制或防止於半導體背面用膜2與半導體元件之間產生孔隙等。又，上述吸濕率為根據將半導體背面用膜2於溫度85℃、相對濕度85%RH之氛圍下放置168小時前後之重量變化算出之值。於半導體背面用膜2係由含有熱硬化性樹脂之樹脂組合物形成之情形時，上述吸濕率係指對於熱硬化後之半導體背面用膜，於溫度85 ℃、相對濕度85%RH之氛圍下放置168小時之時之值。又，上述吸濕率例如可藉由改變無機填料之添加量而調整。

又，作為半導體背面用膜2，較佳為揮發成分之比率較少。具體而言，加熱處理後之半導體背面用膜2之重量減少率(重量減少量之比率)較佳為1重量%以下，更佳為0.8重量%以下。加熱處理之條件例如為加熱溫度250℃、加熱時間1小時。藉由將上述重量減少率設為1重量%以下，能夠提高鐳射標記性。又，例如於回流焊步驟中，能夠抑制或防止於倒裝晶片型之半導體裝置產生龜裂。上述重量減少率例如可藉由添加能夠減少無鉛回流焊時之龜裂產生之無機物進行調整。再者，於半導體背面用膜2係由含有熱硬化性樹脂之樹脂組合物形成之情形時，上述重量減少率係指對於熱硬化後之半導體背面用膜，於加熱溫度250℃、加熱時間1小時之條件下加熱時之值。

(切晶帶)

上述切晶帶3係於基材31上形成黏著劑層32而構成。如此，切晶帶3只要具有基材31與黏著劑層32積層而成之構成即可。基材(支持基材)可用作黏著劑層等之支持母體。上述基材31較佳為具有放射線透射性。作為上述基材31，例如可使用：紙等紙系基材；布、不織布、毛氈、網等纖維系基材；金屬箔、金屬板等金屬系基材；塑膠之膜或片材等塑膠系基材；橡膠片材等橡膠系基材；發泡片材等發泡體、或該等之積層體(尤其是塑膠系基材與其他基材之積層體、或塑膠膜(或片材)彼此之積層體等)等適當之薄層體。於第1本發明中，作為基材，可適宜地使用塑膠之膜或片材等塑膠系基材。作為此種塑膠材料之素材，例如可列舉：聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、乙烯-丙烯共聚物等烯烴系樹脂；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、離子聚合物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(無規、交替)共聚物等將乙烯作為單體成分之共聚物；聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲 酸乙二酯(PEN)、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)等聚酯；丙烯酸系樹脂；聚氯乙烯(PVC)；聚胺基甲酸酯；聚碳酸酯；聚苯硫醚(PPS)；聚醯胺(尼龍)、全芳香族聚醯胺(聚芳醯胺)等醯胺系樹脂；聚醚醚酮(PEEK)；聚醯亞胺；聚醚醯亞胺；聚偏二氯乙烯；ABS(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物)；纖維素系樹脂；聚矽氧樹脂；氟樹脂等。

又，作為基材31之材料，可列舉上述樹脂之交聯體等聚合物。上述塑膠膜可使用未延伸者，亦可使用根據需要而實施有單軸或雙軸之延伸處理者。根據藉由延伸處理等而賦予有熱收縮性之樹脂片材，可藉由在切割後使該基材31熱收縮而降低黏著劑層32與半導體背面用膜2之接著面積，實現半導體元件之回收之容易化。

為了提高與鄰接層之密接性、保持性等，基材31之表面可實施慣用之表面處理，例如鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露、離子化放射線處理等化學性或物理性處理、及利用底塗劑(例如後述之黏著物質)之塗佈處理。

上述基材31可適當地選擇同種或不同種者使用，根據需要可使用摻雜有數種者。又，對於基材31，為了賦予抗靜電能力，可於上述基材31上設置包含金屬、合金、該等之氧化物等之厚度為30~500Å左右之導電性物質之蒸鍍層。基材31可為單層或兩種以上之複層。

基材31之厚度(積層體之情形時為總厚度)並無特別限定，可根據強度或柔軟性、使用目的等適當地選擇，例如通常為1000μm以下(例如，1μm~1000μm)，較佳為10μm~500μm，進而較佳為20μm~300μm，尤佳為30μm~200μm左右，但不限定於此。

再者，於基材31中，可於不損及第1本發明之效果等之範圍內含有各種添加劑(著色劑、填充材料、塑化劑、防老化劑、抗氧化劑、界面活性劑、阻燃劑等)。

上述黏著劑層32係藉由黏著劑形成，具有黏著性。作為此種黏著 劑，並無特別限定，可自公知之黏著劑中適當地選擇。具體而言，作為黏著劑，例如可自丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑、乙烯基烷基醚系黏著劑、聚矽氧系黏著劑、聚酯系黏著劑、聚醯胺系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑、氟系黏著劑、苯乙烯-二烯嵌段共聚物系黏著劑、及於該等黏著劑中調配熔點為約200℃以下之熱熔融性樹脂而成之蠕變特性改良型黏著劑等公知之黏著劑(例如參照日本專利特開昭56-61468號公報、日本專利特開昭61-174857號公報、日本專利特開昭63-17981號公報、日本專利特開昭56-13040號公報等)中，適當地選擇具有上述特性之黏著劑使用。又，作為黏著劑，亦可使用放射線硬化型黏著劑(或能量射線硬化型黏著劑)、或熱膨脹性黏著劑。黏著劑可單獨使用或組合兩種以上使用。

作為上述黏著劑，可適宜地使用丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑，尤其適宜為丙烯酸系黏著劑。作為丙烯酸系黏著劑，可列舉將使用(甲基)丙烯酸烷基酯之一種或兩種以上作為單體成分之丙烯酸系聚合物(均聚物或共聚物)作為基底聚合物之丙烯酸系黏著劑。

作為上述丙烯酸系黏著劑中之(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯等(甲基)丙烯酸 烷基酯等。作為(甲基)丙烯酸烷基酯，適宜為烷基之碳數為4~18之(甲基)丙烯酸烷基酯。再者，(甲基)丙烯酸烷基酯之烷基為直鏈狀或支鏈狀均可。

再者，上述丙烯酸系聚合物亦可以凝聚力、耐熱性、交聯性等之改質為目的，而根據需要含有能與上述(甲基)丙烯酸烷基酯共聚合之其他單體成分(共聚性單體成分)所對應之單元。作為此種共聚性單體成分，例如可列舉：(甲基)丙烯酸(丙烯酸、甲基丙烯酸)、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、伊康酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、丁烯酸等含羧基之單體；順丁烯二酸酐、伊康酸酐等含酸酐基之單體；(甲基)丙烯酸羥基乙酯、(甲基)丙烯酸羥基丙酯、(甲基)丙烯酸羥基丁酯、(甲基)丙烯酸羥基己酯、(甲基)丙烯酸羥基辛酯、(甲基)丙烯酸羥基癸酯、(甲基)丙烯酸羥基月桂酯、甲基丙烯酸(4-羥基甲基環己基)甲酯等含羥基之單體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等含磺酸基之單體；2-羥基乙基丙烯醯基磷酸酯等含磷酸基之單體；(甲基)丙烯醯胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯醯胺、N-丁基(甲基)丙烯醯胺、N-羥甲基(甲基)丙烯醯胺、N-羥甲基丙烷(甲基)丙烯醯胺等(N-取代)醯胺系單體；(甲基)丙烯酸胺基乙酯、(甲基)丙烯酸N,N-二甲基胺基乙酯、(甲基)丙烯酸第三丁基胺基乙酯等(甲基)丙烯酸胺基烷基酯系單體；(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯等(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯系單體；丙烯腈、甲基丙烯腈等氰基丙烯酸酯單體；(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等含環氧基之丙烯酸系單體；苯乙烯、α-甲基苯乙烯等苯乙烯系單體；乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯等乙烯酯系單體；異戊二烯、丁二烯、異丁烯等烯烴系單體；乙烯醚等乙烯醚系單體；N-乙烯基吡咯烷酮、甲基乙烯基吡咯烷酮、乙烯基吡啶、乙烯基哌啶酮、乙烯基嘧啶、乙烯基哌、 乙烯基吡、乙烯基吡咯、乙烯基咪唑、乙烯基唑、乙烯基啉、N-乙烯基羧醯胺類、N-乙烯基己內醯胺等含氮單體；N-環己基順丁烯二醯亞胺、N-異丙基順丁烯二醯亞胺、N-月桂基順丁烯二醯亞胺、N-苯基順丁烯二醯亞胺等順丁烯二醯亞胺系單體；N-甲基伊康醯亞胺、N-乙基伊康醯亞胺、N-丁基伊康醯亞胺、N-辛基伊康醯亞胺、N-2-乙基己基伊康醯亞胺、N-環己基伊康醯亞胺、N-月桂基伊康醯亞胺等伊康醯亞胺系單體；N-(甲基)丙烯醯氧基亞甲基琥珀醯亞胺、N-(甲基)丙烯醯基-6-氧基六亞甲基琥珀醯亞胺、N-(甲基)丙烯醯基-8-氧基八亞甲基琥珀醯亞胺等琥珀醯亞胺系單體；聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基乙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯等二醇系丙烯酸酯單體；(甲基)丙烯酸四氫糠酯、氟(甲基)丙烯酸酯、聚矽氧(甲基)丙烯酸酯等具有雜環、鹵素原子、矽原子等之丙烯酸酯系單體；己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、丙烯酸胺基甲酸酯、二乙烯苯、丁基二(甲基)丙烯酸酯、己基二(甲基)丙烯酸酯等多官能單體等。該等共聚性單體成分可使用一種或兩種以上。

於使用放射線硬化型黏著劑(或能量射線硬化型黏著劑)作為黏著劑之情形時，作為放射線硬化型黏著劑(組合物)，例如可列舉將於聚合物側鏈或者主鏈中或主鏈末端具有自由基反應性碳-碳雙鍵之聚合物用作基底聚合物之內在型之放射線硬化型黏著劑、或於黏著劑中調配有紫外線硬化性之單體成分或低聚物成分之放射線硬化型黏著劑等。又，於使用熱膨脹性黏著劑作為黏著劑之情形時，作為熱膨脹性黏著劑，例如可列舉含有黏著劑及發泡劑(尤其是熱膨脹性微小球)之 熱膨脹性黏著劑等。

於第1本發明中，在黏著劑層32中，可於無損第1本發明之效果之範圍內含有各種添加劑(例如，黏著賦予樹脂、著色劑、增稠劑、增量劑、填充材料、塑化劑、防老化劑、抗氧化劑、界面活性劑、交聯劑等)。

作為上述交聯劑，並無特別限定，可使用公知之交聯劑。具體而言，作為交聯劑，除了異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、三聚氰胺系交聯劑、過氧化物系交聯劑之外，可列舉脲系交聯劑、金屬烷氧化物系交聯劑、金屬螯合物系交聯劑、金屬鹽系交聯劑、碳二醯亞胺系交聯劑、唑啉系交聯劑、氮丙啶系交聯劑、胺系交聯劑等，適宜為異氰酸酯系交聯劑或環氧系交聯劑。交聯劑可單獨使用或組合兩種以上使用。再者，交聯劑之使用量並無特別限定。

作為上述異氰酸酯系交聯劑，例如可列舉：1,2-伸乙基二異氰酸酯、1,4-伸丁基二異氰酸酯、1,6-六亞甲基二異氰酸酯等低級脂肪族聚異氰酸酯類；伸環戊基二異氰酸酯、伸環己基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、氫化甲苯二異氰酸酯、氫化二甲苯二異氰酸酯等脂環族聚異氰酸酯類；2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、4,4'-二苯基甲烷二異氰酸酯、苯二甲基二異氰酸酯等芳香族聚異氰酸酯類等，此外亦可使用三羥甲基丙烷/甲苯二異氰酸酯三聚物加成物[Nippon Polyurethane Industry股份有限公司製造，商品名「CORONATE L」]、三羥甲基丙烷/六亞甲基二異氰酸酯三聚物加成物[Nippon Polyurethane Industry股份有限公司製造，商品名「CORONATE HL」]等。又，作為上述環氧系交聯劑，例如可列舉：N,N,N',N'-四縮水甘油基-間苯二甲胺、二縮水甘油基苯胺、1,3-雙(N,N-縮水甘油基胺基甲基)環己烷、1,6-己二醇二縮水甘油醚、新戊二醇二縮水甘油醚、乙二醇二縮水甘油醚、丙二醇二縮水甘油醚、聚 乙二醇二縮水甘油醚、聚丙二醇二縮水甘油醚、山梨糖醇聚縮水甘油醚、甘油聚縮水甘油醚、季戊四醇聚縮水甘油醚、聚甘油聚縮水甘油醚、山梨糖醇酐聚縮水甘油醚、三羥甲基丙烷聚縮水甘油醚、己二酸二縮水甘油酯、鄰苯二甲酸二縮水甘油酯、三(2-羥基乙基)異氰脲酸三縮水甘油酯、間苯二酚二縮水甘油醚、雙酚S-二縮水甘油醚，此外可列舉於分子內具有2個以上環氧基之環氧系樹脂等。

再者，於第1本發明中，可代替使用交聯劑或者於使用交聯劑之同時藉由電子束或紫外線等之照射實施交聯處理。

黏著劑層32例如可利用下述慣用之方法形成：將黏著劑(感壓接著劑)、及根據需要而添加之溶劑或其他添加劑等加以混合，並使其形成為片狀之層。具體而言，例如可藉由以下方法形成黏著劑層32：將含有黏著劑以及根據需要而添加之溶劑或其他添加劑之混合物塗佈於基材31上之方法；及於適當之分隔件(剝離紙等)上塗佈上述混合物而形成黏著劑層32，並將其轉印(轉移)至基材31上之方法等。

黏著劑層32之厚度並無特別限定，例如為5μm~300μm(較佳為5μm~200μm，進而較佳為5μm~100μm，尤佳為7μm~50μm)左右。若黏著劑層32之厚度為上述範圍內，則能夠發揮適度之黏著力。再者，黏著劑層32為單層、複層均可。

上述切晶帶3之黏著劑層32相對於半導體背面用膜2之接著力(23℃，剝離角度180度，剝離速度300mm/min)較佳為0.02N/20mm~10N/20mm之範圍，更佳為0.05N/20mm~5N/20mm之範圍。藉由將上述接著力設為0.02N/20mm以上，能夠防止於切割半導體晶圓時半導體元件產生晶片飛出。另一方面，藉由將上述接著力設為10N/20mm以下，能夠防止於拾取半導體元件時該半導體元件之剝離變得困難或者產生糊劑殘餘。

又，半導體背面用膜2或切晶帶一體型半導體背面用膜1可以捲繞 成輥狀之形態形成，亦可以片材(膜)積層而成之形態形成。例如，於具有捲繞成輥狀之形態之情形時，可將半導體背面用膜2、或半導體背面用膜2與切晶帶3之積層體於根據需要藉由分隔件進行保護之狀態下捲繞成輥狀，而製作為捲繞成輥狀之狀態或形態之半導體背面用膜2或切晶帶一體型半導體背面用膜1。再者，作為捲繞成輥狀之狀態或形態之切晶帶一體型半導體背面用膜1，可由基材31、形成於上述基材31之一個面之黏著劑層32、形成於上述黏著劑層32上之半導體背面用膜、以及形成於上述基材31之另一個面之剝離處理層(背面處理層)構成。

再者，作為切晶帶一體型半導體背面用膜1之厚度(半導體背面用膜之厚度與包含基材31及黏著劑層32之切晶帶之厚度之總厚度)，例如可自8μm~1500μm之範圍內選擇，較佳為20μm~850μm(進而較佳為31μm~500μm，尤佳為47μm~330μm)。

再者，於切晶帶一體型半導體背面用膜1中，藉由控制半導體背面用膜2之厚度與切晶帶3之黏著劑層32之厚度之比、或半導體背面用膜2之厚度與切晶帶3之厚度(基材31與黏著劑層32之總厚度)之比，能夠提高切割步驟時之切割性、拾取步驟時之拾取性等，而能夠於半導體晶圓之切割步驟~半導體元件(例如，半導體晶片)之倒裝晶片接合步驟中有效地利用切晶帶一體型半導體背面用膜1。

(切晶帶一體型半導體背面用膜之製造方法)

對於本實施形態之切晶帶一體型半導體背面用膜之製造方法，以圖1所示之切晶帶一體型半導體背面用膜1為例進行說明。首先，基材31可藉由先前公知之製膜方法而製膜。此時，於基材31中含有抗靜電劑之情形時，適當地於基材形成用材料中預先添加抗靜電劑。作為該製膜方法，例如可例示：壓延製膜法、於有機溶劑中之澆鑄法、於密閉體系中之吹脹擠出法、T模擠出法、共擠出法、乾式層壓法等。

繼而，於基材31上塗佈黏著劑組合物，使其乾燥(根據需要使其加熱交聯)而形成黏著劑層32。此時，於黏著劑層32中含有抗靜電劑之情形時，適當地於黏著劑組合物中預先添加抗靜電劑。作為塗佈方式，可列舉輥塗覆、絲網塗覆、凹版塗覆等。再者，可將黏著劑層組合物直接塗佈於基材31，而於基材31上形成黏著劑層32，又，亦可將黏著劑組合物塗佈於表面進行了剝離處理之剝離紙等而形成黏著劑層32，然後將該黏著劑層32轉印至基材31。藉此，製作於基材31上形成有黏著劑層32之切晶帶3。

另一方面，將用於形成半導體背面用膜2之形成材料以乾燥後之厚度成為特定厚度之方式塗佈於剝離紙上，進而於特定條件下進行乾燥(於必需熱硬化之情形等時，根據需要實施加熱處理並乾燥)而形成塗佈層。此時，於半導體背面用膜2中含有抗靜電劑之情形時，適當地於用於形成半導體背面用膜2之形成材料中預先添加抗靜電劑。藉由將該塗佈層轉印至上述黏著劑層32上，而於黏著劑層32上形成半導體背面用膜2。再者，亦可於上述黏著劑層32上直接塗佈用於形成半導體背面用膜2之形成材料，然後於特定條件下進行乾燥(於必需熱硬化之情形等時，根據需要實施加熱處理並乾燥)，藉此於黏著劑層32上形成半導體背面用膜2。於將半導體背面用膜2設為多層結構且於任一個最外層中含有抗靜電劑之情形時，較佳為於含有抗靜電劑之最外層上形成黏著劑層32。藉由上述操作，可獲得第1本發明之切晶帶一體型半導體背面用膜1。再者，於形成半導體背面用膜2時進行熱硬化之情形時，在成為部分硬化之狀態之程度上進行熱硬化較為重要，但較佳為不進行熱硬化。

第1本發明之切晶帶一體型半導體背面用膜1可於包含倒裝晶片接合步驟之半導體裝置之製造時適宜地使用。即，第1本發明之切晶帶一體型半導體背面用膜1於製造倒裝晶片安裝之半導體裝置時使用， 於半導體元件之背面貼著有切晶帶一體型半導體背面用膜1之半導體背面用膜2之狀態或形態下，製造倒裝晶片安裝之半導體裝置。因此，第1本發明之切晶帶一體型半導體背面用膜1可對倒裝晶片安裝之半導體裝置(半導體元件以倒裝晶片接合方式固定於基板等被黏著體之狀態或形態之半導體裝置)使用。

(半導體晶圓)

作為半導體晶圓，只要為公知或慣用之半導體晶圓，則並無特別限定，可自各種素材之半導體晶圓中適當地選擇使用。於第1本發明中，作為半導體晶圓，可適宜地使用矽晶圓。

(半導體裝置之製造方法)

第1本發明之半導體裝置之製造方法為至少包含以下步驟之半導體裝置之製造方法：於上述切晶帶一體型接著片材中之接著片材上貼著半導體晶圓之步驟；切割上述半導體晶圓而形成半導體元件之步驟；以及將上述半導體元件與上述接著片材一起自切晶帶之黏著劑層拾取之步驟。

尤其是，於第1本發明之接著片材為半導體背面用膜之情形時，上述半導體裝置之製造方法至少包含以下步驟：於上述切晶帶一體型半導體背面用膜上貼著半導體晶圓之背面之步驟；切割上述半導體晶圓之步驟；拾取藉由切割所得之半導體元件之步驟；以及將上述半導體元件倒裝晶片連接於被黏著體上之步驟。

以下，一面參照圖5一面對本實施形態之半導體裝置之製造方法進行說明。圖5為表示使用本實施形態之切晶帶一體型半導體背面用膜1之半導體裝置之製造方法之一例之剖面模式圖。

[貼裝(mount)步驟]

首先，如圖5之(a)所示，將任意設置於切晶帶一體型半導體背面用膜1之半導體背面用膜2上之分隔件適當地剝離，於該半導體背面用 膜2上貼著半導體晶圓4，使其保持接著並固定(貼裝步驟)。此時，上述半導體背面用膜2處於未硬化狀態(包括半硬化狀態)。又，切晶帶一體型半導體背面用膜1貼著於半導體晶圓4之背面。所謂半導體晶圓4之背面，係指與電路面相反側之面(亦稱為非電路面、非電極形成面等)。貼著方法並無特別限定，較佳為利用壓接之方法。壓接通常係藉由壓接輥等按壓機構一面按壓一面進行。

[切割步驟]

繼而，如圖5之(b)所示，進行半導體晶圓4之切割。藉此，將半導體晶圓4切斷成特定之尺寸而實現單片化(小片化)，製造作為半導體元件之半導體晶片5。切割係於使切晶帶3真空吸附於吸附台110之狀態下，例如自半導體晶圓4之電路面側依據常法進行。又，於本步驟中，例如可採用將切入進行至切晶帶一體型半導體背面用膜1之被稱為全切(full cut)之切斷方式等。作為於本步驟中使用之切割裝置，並無特別限定，可使用先前公知者。又，由於半導體晶圓4以更優異之密接性接著固定於包含半導體背面用膜之切晶帶一體型半導體背面用膜1，因此能夠抑制晶片缺損或晶片飛出，並且亦能夠抑制半導體晶圓4之破損。再者，若半導體背面用膜2係由含有環氧樹脂之樹脂組合物形成，則即使藉由切割被切斷，亦能夠抑制或防止於其切斷面產生半導體背面用膜之接著劑層之糊劑滲出。其結果，能夠抑制或防止切斷面彼此再附著(黏連)，而可進一步良好地進行後述之拾取。

再者，於進行切晶帶一體型半導體背面用膜1之擴展之情形時，該擴展可使用先前公知之擴展裝置進行。擴展裝置包含：可經由切割環將切晶帶一體型半導體背面用膜1向下方壓下之甜甜圈狀之外環；及直徑小於外環且支持切晶帶一體型半導體背面用膜之內環。藉由該擴展步驟，於後述之拾取步驟中，能夠防止相鄰之半導體晶片彼此接觸而破損。

[拾取步驟]

為了回收接著固定於切晶帶一體型半導體背面用膜1之半導體晶片5，如圖5之(c)所示，進行半導體晶片5之拾取，將半導體晶片5與半導體背面用膜2一起自切晶帶3剝離。作為拾取之方法，並無特別限定，可採用先前公知之各種方法。例如可列舉自切晶帶一體型半導體背面用膜1之基材31側，將各個半導體晶片5藉由頂針上頂，並藉由拾取裝置拾取被上頂之半導體晶片5之方法等。再者，被拾取之半導體晶片5之背面由半導體背面用膜2所保護。

[倒裝晶片連接步驟]

如圖5之(d)所示，所拾取之半導體晶片5藉由倒裝晶片接合方式(倒裝晶片安裝方式)固定於基板等被黏著體。具體而言，依據常法，使半導體晶片5以半導體晶片5之電路面(亦稱為表面、電路圖案形成面、電極形成面等)與被黏著體6相對之形態固定於被黏著體6。例如，使形成於半導體晶片5之電路面側之凸塊51與被黏著於被黏著體6之連接焊墊之接合用之導電材料(焊錫等)61接觸，一面按壓一面使導電材料熔融，藉此可確保半導體晶片5與被黏著體6之電氣導通，能夠將半導體晶片5固定於被黏著體6(倒裝晶片接合步驟)。此時，於半導體晶片5與被黏著體6之間形成有空隙，該空隙間距離一般為30μm~300μm左右。再者，於將半導體晶片5倒裝晶片接合(倒裝晶片連接)於被黏著體6上後，重要的是清洗半導體晶片5與被黏著體6之相對面或間隙，並向該間隙填充密封材料(密封樹脂等)而進行密封。

作為被黏著體6，可使用引線框架或電路基板(配線電路基板等)等各種基板。作為此種基板之材質，並無特別限定，可列舉陶瓷基板或塑膠基板。作為塑膠基板，例如可列舉環氧基板、雙順丁烯二醯亞胺三基板、聚醯亞胺基板等。

於倒裝晶片接合步驟中，作為凸塊或導電材料之材質，並無特別 限定，例如可列舉：錫-鉛系金屬材、錫-銀系金屬材、錫-銀-銅系金屬材、錫-鋅系金屬材、錫-鋅-鉍系金屬材等焊錫類(合金)、或金系金屬材、銅系金屬材等。

再者，於倒裝晶片接合步驟中，將導電材料熔融，使半導體晶片5之電路面側之凸塊與被黏著體6之表面之導電材料連接，作為該導電材料之熔融時之溫度，通常為260℃左右(例如，250℃~300℃)。第1本發明之切晶帶一體型半導體背面用膜藉由利用環氧樹脂等形成半導體背面用膜，能夠形成具有亦可耐受該倒裝晶片接合步驟中之高溫之耐熱性者。

於本步驟中，較佳為進行半導體晶片5與被黏著體6之相對面(電極形成面)或間隙之清洗。作為該清洗所使用之清洗液，並無特別限定，例如可列舉有機系之清洗液、或水系之清洗液。第1本發明之切晶帶一體型半導體背面用膜之半導體背面用膜具有對清洗液之耐溶劑性，對於該等清洗液基本上不具有溶解性。因此，如上所述，作為清洗液，可使用各種清洗液，無需特別之清洗液，可藉由先前之方法進行清洗。

繼而，進行用於將經倒裝晶片接合之半導體晶片5與被黏著體6之間之間隙密封之密封步驟。密封步驟使用密封樹脂進行。作為此時之密封條件，並無特別限定，通常藉由在175℃下進行60秒~90秒之加熱而進行密封樹脂之熱硬化，但第1本發明不限定於此，例如可以165℃~185℃進行數分鐘固化。此時，由於半導體背面用膜2相對於半導體背面用膜2整體含有70重量%以上之無機填充材料，因此拉伸儲存彈性模數相對較高。其結果，能夠有效地抑制或防止於密封樹脂之熱硬化時可能產生之半導體晶片之翹曲。又，藉由該步驟，可使半導體背面用膜2完全或大致完全地熱硬化，能夠以優異之密接性貼著於半導體晶片之背面。進而，第1本發明之半導體背面用膜2即使為未硬化 狀態，亦能夠於該密封步驟時與密封材料一起熱硬化，因此無需重新追加用於使半導體背面用膜2熱硬化之步驟。

作為上述密封樹脂，只要為具有絕緣性之樹脂(絕緣樹脂)，則並無特別限定，可自公知之密封樹脂等密封材料中適當地選擇使用，更佳為具有彈性之絕緣樹脂。作為密封樹脂，例如可列舉含有環氧樹脂之樹脂組合物等。作為環氧樹脂，可列舉上述例示之環氧樹脂等。又，作為由含有環氧樹脂之樹脂組合物構成之密封樹脂，樹脂成分除了環氧樹脂以外，亦可含有環氧樹脂以外之熱硬化性樹脂(酚樹脂等)或熱塑性樹脂等。再者，作為酚樹脂，亦可作為環氧樹脂之硬化劑使用，作為此種酚樹脂，可列舉上述例示之酚樹脂等。

使用上述切晶帶一體型半導體背面用膜1所製造之半導體裝置(倒裝晶片安裝之半導體裝置)由於在半導體晶片之背面貼著有半導體背面用膜，因此能夠以優異之視認性施加各種標記。尤其是，即使標記方法為鐳射標記方法，亦能夠以優異之對比度施加標記，可良好地視認藉由鐳射標記施加之各種資訊(文字資訊、圖研資訊等)。再者，於進行鐳射標記時，可利用公知之鐳射標記裝置。又，作為鐳射，可利用氣體鐳射、固體鐳射、液體鐳射等各種鐳射。具體而言，作為氣體鐳射，並無特別限定，可利用公知之氣體鐳射，適宜為二氧化碳鐳射(CO₂鐳射)、準分子鐳射(ArF鐳射、KrF鐳射、XeCl鐳射、XeF鐳射等)。又，作為固體鐳射，並無特別限定，可利用公知之固體鐳射，適宜為YAG鐳射(Nd：YAG鐳射等)、YVO₄鐳射。

使用第1本發明之切晶帶一體型半導體背面用膜或半導體背面用膜所製造之半導體裝置係以倒裝晶片安裝方式安裝之半導體裝置，因此與以黏晶(die bonding)安裝方式安裝之半導體裝置相比，形成為更薄型化、小型化之形狀。因此，可作為各種電子設備．電子零件或該等之材料．構件適宜地使用。具體而言，作為利用第1本發明之倒裝晶 片安裝之半導體裝置之電子設備，可列舉：所謂之「行動電話」或「PHS」(Personal Handy-phone System，個人手持式電話系統)、小型電腦(例如，所謂之「PDA」(個人數位助理)、所謂之「筆記型電腦」、所謂之「Netbook(商標)」、所謂之「隨身電腦」(wearable computer)等)、「行動電話」及電腦一體化而成之小型之電子設備、所謂之「數位相機(商標)」、所謂之「數位視訊攝影機」、小型之電視、小型之遊戲機、小型之數位影音播放器、所謂之「電子記事本」、所謂之「電子辭典」、所謂之「電子書」用電子設備終端、小型之數位型之鐘錶等移動型之電子設備(可攜帶之電子設備)等，當然亦可為移動型以外(設置型等)之電子設備(例如，所謂之「桌上型個人電腦」、薄型電視、錄像-播放用電子設備(硬碟記錄器(hard disk recorder)、DVD播放器等)、投影儀、微機械等)等。又，作為電子零件、或電子設備．電子零件之材料．構件，例如可列舉所謂之「CPU」(Central Processing Unit，中央處理單元)之構件、各種記憶裝置(所謂之「記憶體」、硬碟等)之構件等。

於上述實施形態中，對第1本發明之接著片材為倒裝晶片型半導體背面用膜2之情形進行了說明，但第1本發明之接著片材不限定於該例。作為第1本發明之接著片材，只要為能夠形成於切晶帶上而使用者，則並無特別限定，例如可列舉黏晶膜或底部填充片材。

於第1本發明之接著片材為黏晶膜之情形時，可於將組成或含量變更至具有作為黏晶膜之功能之程度之基礎上，採用與上述倒裝晶片型半導體背面用膜同樣之構成。又，關於半導體裝置之製造方法，代替上述倒裝晶片連接步驟，而進行經由黏晶膜將半導體元件(例如，半導體晶片)向被黏著體進行黏晶之步驟，除此以外，與使用切晶帶一體型半導體背面用膜1之半導體裝置之製造方法相同。即，使用切晶帶一體型黏晶膜之半導體裝置之製造方法包含以下步驟：於切晶帶 一體型黏晶膜之黏晶膜上貼著半導體晶圓之步驟；切割上述半導體晶圓而形成半導體元件之步驟；將上述半導體元件與上述黏晶膜一起自切晶帶之黏著劑層拾取之步驟；以及經由上述黏晶膜將半導體元件向被黏著體進行黏晶之步驟。

又，於第1本發明之接著片材為底部填充片材之情形時，可於將組成或含量變更至具有作為底部填充片材之功能之程度之基礎上，採用與上述倒裝晶片型半導體背面用膜同樣之構成。又，關於半導體裝置之製造方法，於上述貼裝步驟中，代替將作為切晶帶一體型接著片材之切晶帶一體型半導體背面用膜1貼著於半導體晶圓之背面，而將作為切晶帶一體型接著片材之切晶帶一體型底部填充片材貼著於半導體晶圓之電路面側，除此以外，與使用切晶帶一體型半導體背面用膜1之半導體裝置之製造方法相同。即，使用切晶帶一體型底部填充片材之半導體裝置之製造方法包含以下步驟：於切晶帶一體型底部填充片材之底部填充片材上貼著半導體晶圓之電路面側之步驟；切割上述半導體晶圓而形成半導體元件之步驟；將上述半導體元件與上述底部填充片材一起自切晶帶之黏著劑層拾取之步驟；以及將半導體元件於介存上述底部填充片材之狀態下倒裝晶片連接於被黏著體上之步驟。

<第2本發明>

以下，關於第2本發明之實施形態，對與第1本發明不同之方面進行說明。第2本發明之切晶帶一體型接著片材除了特別於本第2本發明之項中進行了說明以外，可與第1本發明設為同樣之構成。因此，省略與第1本發明共通之部分之說明。

(切晶帶一體型半導體背面用膜)

作為第2本發明之切晶帶一體型半導體背面用膜之實施形態(以下，亦稱為第2實施形態)，可列舉與第1本發明之切晶帶一體型半導體背面用膜之實施形態同樣之構成，即，如圖1所示之切晶帶一體型 半導體背面用膜1。由於切晶帶一體型半導體背面用膜1之層構成於第1本發明之項中進行了說明，因此此處省略說明。

於第2實施形態之切晶帶一體型半導體背面用膜1中，基材31、以及黏著劑層32中之至少一個表面之表面電阻率值為1.0×10¹¹Ω以下，較佳為1.0×10¹⁰Ω以下，更佳為1.0×10⁹Ω以下。

尤其是，於基材31中含有抗靜電劑之情形時，基材31之表面之表面電阻率值較佳為1.0×10¹¹Ω以下，更佳為1.0×10¹⁰Ω以下，進而較佳為1.0×10⁹Ω以下。尤其是，於基材31具有多層結構，且於上述多層結構之基材31之至少一個最外層中含有抗靜電劑之情形時，含有抗靜電劑之最外層之表面之表面電阻率值較佳為1.0×10¹¹Ω以下，更佳為1.0×10¹⁰Ω以下，進而較佳為1.0×10⁹Ω以下。

又，於黏著劑層32中含有抗靜電劑之情形時，黏著劑層32之表面之表面電阻率值較佳為1.0×10¹¹Ω以下，更佳為1.0×10¹⁰Ω以下，進而較佳為1.0×10⁹Ω以下。

又，於基材31與黏著劑層32兩者中含有抗靜電劑之情形時，基材31之表面之表面電阻率值較佳為1.0×10¹¹Ω以下，更佳為1.0×10¹⁰Ω以下，進而較佳為1.0×10⁹Ω以下，且黏著劑層32之表面之表面電阻率值較佳為1.0×10¹¹Ω以下，更佳為1.0×10¹⁰Ω以下，進而較佳為1.0×10⁹Ω以下。

又，上述表面電阻率值越小越佳，但可列舉例如1.0×10⁵Ω以上、1.0×10⁶Ω以上、1.0×10⁷Ω以上。由於上述表面電阻率值為1.0×10¹¹Ω以下，因此不易帶電。因此，更能發揮抗靜電效果。再者，於本發明中，所謂基材、以及前黏著劑層中之至少一個表面之表面電阻率值，係指基材之黏著劑層側之表面、基材之與黏著劑層相反側之表面、黏著劑層之基材側之表面、以及黏著劑層之與基材相反側之表面中之至少一個表面之表面電阻率值。上述表面電阻率值係指藉 由實施例中記載之方法測定之值。

第2實施形態之切晶帶一體型半導體背面用膜1於剝離速度10m/min、剝離角度150°之剝離試驗中，黏著劑層32與接著片材2之剝離力較佳為0.02~0.5N/20mm，更佳為0.02~0.3N/20mm，進而較佳為0.02~0.2N/20mm。若上述剝離力為0.02N/20mm以上，則於切割時，能夠固定半導體晶圓。又，若上述剝離力為0.5N/20mm以下，則於拾取時，能夠容易地將附接著片材2之半導體元件自黏著劑層32剝離。

又，於第2實施形態之切晶帶一體型半導體背面用膜1中，根據上述剝離試驗之條件，將黏著劑層32與接著片材2剝離時之剝離靜電壓之絕對值較佳為0.5kV以下(-0.5kV~+0.5kV)，更佳為0.3kV以下(-0.3kV~+0.3kV)，進而較佳為0.2kV以下(-0.2kV~+0.2kV)。若根據上述剝離試驗之條件，將黏著劑層32與接著片材2剝離時之剝離靜電壓之絕對值為0.5kV以下，則能進一步發揮抗靜電效果。其結果，可防止由於拾取時之剝離靜電導致半導體元件被破壞，提高作為器件之可靠性。

<第3本發明>

以下，關於第3本發明之實施形態，對與第1本發明不同之方面進行說明。第3本發明之切晶帶一體型接著片材除了特別於本第3本發明之項中進行了說明以外，可與第1本發明設為同樣之構成。因此，省略與第1本發明共通之部分之說明。

(切晶帶一體型半導體背面用膜)

作為第3本發明之切晶帶一體型半導體背面用膜之實施形態(以下，亦稱為第3實施形態)，可列舉與第1本發明之切晶帶一體型半導體背面用膜之實施形態同樣之構成，即，如圖1所示之切晶帶一體型半導體背面用膜1。由於切晶帶一體型半導體背面用膜1之層構成於第 1本發明之項中進行了說明，因此此處省略說明。

第3實施形態之切晶帶一體型半導體背面用膜1於基材31、以及黏著劑層32中之至少一者中含有高分子型抗靜電劑。切晶帶一體型半導體背面用膜1由於基材31、以及黏著劑層32中之至少一者中含有高分子型抗靜電劑，因此不易帶電。因此，能夠發揮抗靜電效果。又，由於使用高分子型抗靜電劑作為抗靜電劑，因此不易自基材31或黏著劑層32滲出。其結果，能夠抑制經時導致之抗靜電功能之降低。尤其是，若於基材31中含有高分子型抗靜電劑，則能夠抑制自固定切晶帶3之吸附台取下時之基材31與吸附台之間之剝離靜電。其中，若基材31具有多層結構，且於多層結構之基材31之黏著劑層32側之最外層中含有高分子型抗靜電劑，則能夠抑制基材31與黏著劑層32兩者之靜電。又，若於多層結構之基材31之與黏著劑層32相反側之最外層中含有高分子型抗靜電劑，則能夠更有效地抑制基材31與吸附台之間之剝離靜電。

再者，於半導體背面用膜2中可含有高分子型抗靜電劑。若於半導體背面用膜2中含有高分子型抗靜電劑，則自切晶帶3剝離後亦具有抗靜電效果。其結果，自切晶帶3剝離後，亦能夠抑制由靜電導致之半導體元件之破壞。尤其是，若半導體背面用膜2具有多層結構，且於多層結構之半導體背面用膜2之切晶帶3側之最外層中含有高分子型抗靜電劑，則能夠進一步有效地抑制將黏著劑層32與半導體背面用膜2剝離時之剝離靜電。再者，關於高分子型抗靜電劑，如於第1本發明之項中所說明。

於第3實施形態之切晶帶一體型半導體背面用膜1中，基材31、以及黏著劑層32中之至少一個表面之表面電阻率值較佳為1.0×10¹¹Ω以下，更佳為1.0×10¹⁰Ω以下，進而較佳為1.0×10⁹Ω以下。

尤其是，於基材31中含有高分子型抗靜電劑之情形時，基材31之 表面之表面電阻率值較佳為1.0×10¹¹Ω以下，更佳為1.0×10¹⁰Ω以下，進而較佳為1.0×10⁹Ω以下。尤其是，於基材31具有多層結構，且於上述多層結構之基材31之至少一個最外層中含有高分子型抗靜電劑之情形時，含有高分子型抗靜電劑之最外層之表面之表面電阻率值較佳為1.0×10¹¹Ω以下，更佳為1.0×10¹⁰Ω以下，進而較佳為1.0×10⁹Ω以下。

又，於黏著劑層32中含有高分子型抗靜電劑之情形時，黏著劑層32之表面之表面電阻率值較佳為1.0×10¹¹Ω以下，更佳為1.0×10¹⁰Ω以下，進而較佳為1.0×10⁹Ω以下。

又，於基材31與黏著劑層32兩者中含有高分子型抗靜電劑之情形時，基材31之表面之表面電阻率值較佳為1.0×10¹¹Ω以下，更佳為1.0×10¹⁰Ω以下，進而較佳為1.0×10⁹Ω以下，且黏著劑層32之表面之表面電阻率值較佳為1.0×10¹¹Ω以下，更佳為1.0×10¹⁰Ω以下，進而較佳為1.0×10⁹Ω以下。

又，上述表面電阻率值越小越佳，但可列舉例如1.0×10⁵Ω以上、1.0×10⁶Ω以上、1.0×10⁷Ω以上。若上述表面電阻率值為1.0×10¹¹Ω以下，則不易帶電。因此，能進一步發揮抗靜電效果。再者，於第3本發明中，所謂基材、以及前黏著劑層中之至少一個表面之表面電阻率值，係指基材之黏著劑層側之表面、基材之與黏著劑層相反側之表面、黏著劑層之基材側之表面、以及黏著劑層之與基材相反側之表面中之至少一個表面之表面電阻率值。上述表面電阻率值係指藉由實施例中記載之方法測定之值。

第3實施形態之切晶帶一體型半導體背面用膜1於剝離速度10m/min、剝離角度150°之剝離試驗中，黏著劑層32與接著片材2之剝離力較佳為0.02~0.5N/20mm，更佳為0.02~0.3N/20mm，進而較佳為0.02~0.2N/20mm。若上述剝離力為0.02N/20mm以上，則於切割 時，能夠固定半導體晶圓。又，若上述剝離力為0.5N/20mm以下，則於拾取時，能夠容易地將附接著片材2之半導體元件自黏著劑層32剝離。

又，於第3實施形態之切晶帶一體型半導體背面用膜1中，根據上述剝離試驗之條件，將黏著劑層32與接著片材2剝離時之剝離靜電壓之絕對值較佳為0.5kV以下(-0.5kV~+0.5kV)，更佳為0.3kV以下(-0.3kV~+0.3kV)，進而較佳為0.2kV以下(-0.2kV~+0.2kV)。若根據上述剝離試驗之條件，將黏著劑層32與接著片材2剝離時之剝離靜電壓之絕對值為0.5kV以下，則能進一步發揮抗靜電效果。其結果，可防止由於拾取時之剝離靜電導致半導體元件被破壞，提高作為器件之可靠性。

<第4本發明>

以下，關於第4本發明之實施形態，對與第1本發明不同之方面進行說明。第4本發明之切晶帶一體型接著片材除了特別於本第4本發明之項中進行了說明以外，可與第1本發明設為同樣之構成。因此，省略與第1本發明共通之部分之說明。

(切晶帶一體型半導體背面用膜)

作為第4本發明之切晶帶一體型半導體背面用膜之實施形態(以下，亦稱為第4實施形態)，可列舉與第1本發明之切晶帶一體型半導體背面用膜之實施形態同樣之構成，即，如圖1所示之切晶帶一體型半導體背面用膜1。由於切晶帶一體型半導體背面用膜1之層構成於第1本發明之項中進行了說明，因此此處省略說明。

第4實施形態之半導體背面用膜2之任一表面之表面電阻率值為1.0×10¹¹Ω以下，較佳為1.0×10¹⁰Ω以下，更佳為1.0×10⁹Ω以下。於半導體背面用膜2具有多層結構，且於任一個最外層中含有抗靜電劑之情形時，含有抗靜電劑之最外層之表面之表面電阻率值較佳為 1.0×10¹¹Ω以下，更佳為1.0×10¹⁰Ω以下，進而較佳為1.0×10⁹Ω以下。又，上述表面電阻率值越小越佳，但可列舉例如1.0×10⁵Ω以上、1.0×10⁶Ω以上、1.0×10⁷Ω以上。由於上述表面電阻率值為1.0×10¹¹Ω以下，因此不易帶電。因此，更能發揮抗靜電效果。上述表面電阻率值係指藉由實施例中記載之方法測定之值。

第4實施形態之切晶帶一體型半導體背面用膜1於剝離速度10m/min、剝離角度150°之剝離試驗中，黏著劑層32與接著片材2之剝離力較佳為0.02~0.5N/20mm，更佳為0.02~0.3N/20mm，進而較佳為0.02~0.2N/20mm。若上述剝離力為0.02N/20mm以上，則於切割時，能夠固定半導體晶圓。又，若上述剝離力為0.5N/20mm以下，則於拾取時，能夠容易地將附接著片材2之半導體元件自黏著劑層32剝離。

又，於第4實施形態之切晶帶一體型半導體背面用膜1中，根據上述剝離試驗之條件，將黏著劑層32與接著片材2剝離時之剝離靜電壓之絕對值較佳為0.5kV以下(-0.5kV~+0.5kV)，更佳為0.3kV以下(-0.3kV~+0.3kV)，進而較佳為0.2kV以下(-0.2kV~+0.2kV)。若根據上述剝離試驗之條件，將黏著劑層32與接著片材2剝離時之剝離靜電壓之絕對值為0.5kV以下，則能進一步發揮抗靜電效果。其結果，可防止由於拾取時之剝離靜電導致半導體元件被破壞，提高作為器件之可靠性。

於第4實施形態之半導體背面用膜2未積層於切晶帶3之情形時，半導體背面用膜2可以使用1片於兩面包含剝離層之分隔件而捲繞成輥狀之形態，藉由在兩面包含剝離層之分隔件進行保護，亦可藉由在至少一個面包含剝離層之分隔件進行保護。

再者，第4實施形態之半導體背面用膜2藉由貼附於切晶帶，與切晶帶一體型半導體背面用膜1同樣地，可對倒裝晶片安裝之半導體裝 置(半導體晶片以倒裝晶片接合方式固定於基板等被黏著體之狀態或形態之半導體裝置)使用。

又，於使用倒裝晶片型半導體背面用膜(例如，半導體背面用膜2)而製造半導體裝置之情形時，可藉由依據使用切晶帶一體型半導體背面用膜1之情形時之半導體裝置之製造方法之方法而製造半導體裝置。即，第4本發明之半導體裝置之製造方法為至少包含以下步驟之半導體裝置之製造方法：準備於基材上積層有黏著劑層之切晶帶之步驟；於上述切晶帶之上述黏著劑層上貼附上述接著片材，獲得切晶帶一體型接著片材之步驟；於上述切晶帶一體型接著片材中之接著片材上貼著半導體晶圓之步驟；切割上述半導體晶圓而形成半導體元件之步驟；以及將上述半導體元件與上述接著片材一起自切晶帶之黏著劑層拾取之步驟。

尤其是，於第4本發明之接著片材為半導體背面用膜之情形時，上述半導體裝置之製造方法至少包含以下步驟：準備於基材上積層有黏著劑層之切晶帶之步驟；於上述切晶帶之上述黏著劑層上貼附上述半導體背面用膜，獲得切晶帶一體型半導體背面用膜之步驟；於上述切晶帶一體型半導體背面用膜上貼著半導體晶圓之背面之步驟；切割上述半導體晶圓之步驟；拾取藉由切割所得之半導體元件之步驟；以及將上述半導體元件倒裝晶片連接於被黏著體上之步驟。

<第5本發明>

以下，關於第5本發明之實施形態，對與第1本發明不同之方面進行說明。第5本發明之切晶帶一體型接著片材除了特別於本第5本發明之項中進行了說明以外，可與第1本發明設為同樣之構成。因此，省略與第1本發明共通之部分之說明。

(切晶帶一體型半導體背面用膜)

作為第5本發明之切晶帶一體型半導體背面用膜之實施形態(以 下，亦稱為第5實施形態)，可列舉與第1本發明之切晶帶一體型半導體背面用膜之實施形態同樣之構成，即，如圖1所示之切晶帶一體型半導體背面用膜1。由於切晶帶一體型半導體背面用膜1之層構成於第1本發明之項中進行了說明，因此此處省略說明。

於第5實施形態之半導體背面用膜2中含有高分子型抗靜電劑。由於在半導體背面用膜2中含有高分子型抗靜電劑，因此不易帶電。又，由於使用高分子型抗靜電劑作為抗靜電劑，因此不易自半導體背面用膜2滲出。其結果，能夠抑制經時導致之抗靜電功能之降低。又，由於在半導體背面用膜2中含有高分子型抗靜電劑，因此於貼附於切晶帶而作為切晶帶一體型接著片材使用時，自切晶帶剝離後亦具有抗靜電效果。其結果，自切晶帶剝離後，亦能夠抑制由靜電導致之半導體元件之破壞。尤其是，若半導體背面用膜2具有多層結構，且於多層結構之半導體背面用膜2之切晶帶3側之最外層中含有高分子型抗靜電劑，則能夠進一步有效地抑制將黏著劑層32與半導體背面用膜2剝離時之剝離靜電。

再者，切晶帶一體型半導體背面用膜1可於基材31、以及黏著劑層32中之至少一者中含有高分子型抗靜電劑。若於基材31、以及黏著劑層32中之至少一者中含有高分子型抗靜電劑，則更加不易帶電。因此，能進一步發揮抗靜電效果。又，由於使用高分子型抗靜電劑作為抗靜電劑，因此不易自基材31或黏著劑層32滲出。其結果，能夠抑制經時導致之抗靜電功能之降低。尤其是，若於基材31中含有高分子型抗靜電劑，則能夠抑制自固定切晶帶3之吸附台取下時之基材31與吸附台之間之剝離靜電。其中，若基材31具有多層結構，且於多層結構之基材31之黏著劑層32側之最外層中含有高分子型抗靜電劑，則能夠抑制基材31與黏著劑層32兩者之靜電。又，若於多層結構之基材31之與黏著劑層32相反側之最外層中含有高分子型抗靜電劑，則能夠更有 效地抑制基材31與吸附台之間之剝離靜電。再者，關於高分子型抗靜電劑，如於第1本發明之項中所說明。

第5實施形態之半導體背面用膜2之任一表面之表面電阻率值較佳為1.0×10¹¹Ω以下，更佳為1.0×10¹⁰Ω以下，進而較佳為1.0×10⁹Ω以下。於半導體背面用膜2具有多層結構，且於任一個最外層中含有高分子型抗靜電劑之情形時，含有高分子型抗靜電劑之最外層之表面之表面電阻率值較佳為1.0×10¹¹Ω以下，更佳為1.0×10¹⁰Ω以下，進而較佳為1.0×10⁹Ω以下。又，上述表面電阻率值越小越佳，但可列舉例如1.0×10⁵Ω以上、1.0×10⁶Ω以上、1.0×10⁷Ω以上。若上述表面電阻率值為1.0×10¹¹Ω以下，則不易帶電。因此，更能發揮抗靜電效果。上述表面電阻率值係指藉由實施例中記載之方法測定之值。

第5實施形態之切晶帶一體型半導體背面用膜1於剝離速度10m/min、剝離角度150°之剝離試驗中，黏著劑層32與接著片材2之剝離力較佳為0.02~0.5N/20mm，更佳為0.02~0.3N/20mm，進而較佳為0.02~0.2N/20mm。若上述剝離力為0.02N/20mm以上，則於切割時，能夠固定半導體晶圓。又，若上述剝離力為0.5N/20mm以下，則於拾取時，能夠容易地將附接著片材2之半導體元件自黏著劑層32剝離。

又，於第5實施形態之切晶帶一體型半導體背面用膜1中，根據上述剝離試驗之條件，將黏著劑層32與接著片材2剝離時之剝離靜電壓之絕對值較佳為0.5kV以下(-0.5kV~+0.5kV)，更佳為0.3kV以下(-0.3kV~+0.3kV)，進而較佳為0.2kV以下(-0.2kV~+0.2kV)。若根據上述剝離試驗之條件，將黏著劑層32與接著片材2剝離時之剝離靜電壓之絕對值為0.5kV以下，則更能發揮抗靜電效果。其結果，可防止由於拾取時之剝離靜電導致半導體元件被破壞，提高作為器件之可靠性。

於第5實施形態之半導體背面用膜2未積層於切晶帶3之情形時，半導體背面用膜2可以使用1片於兩面包含剝離層之分隔件而捲繞成輥狀之形態，藉由在兩面包含剝離層之分隔件進行保護，亦可藉由在至少一個面包含剝離層之分隔件進行保護。

再者，第5實施形態之半導體背面用膜2藉由貼附於切晶帶，與切晶帶一體型半導體背面用膜1同樣地，可對倒裝晶片安裝之半導體裝置(半導體晶片以倒裝晶片接合方式固定於基板等被黏著體之狀態或形態之半導體裝置)使用。

又，於使用倒裝晶片型半導體背面用膜(例如，半導體背面用膜2)而製造半導體裝置之情形時，可藉由依據使用切晶帶一體型半導體背面用膜1之情形時之半導體裝置之製造方法之方法而製造半導體裝置。即，第5本發明之半導體裝置之製造方法為至少包含以下步驟之半導體裝置之製造方法：準備於基材上積層有黏著劑層之切晶帶之步驟；於上述切晶帶之上述黏著劑層上貼附上述接著片材，獲得切晶帶一體型接著片材之步驟；於上述切晶帶一體型接著片材中之接著片材上貼著半導體晶圓之步驟；切割上述半導體晶圓而形成半導體元件之步驟；以及將上述半導體元件與上述接著片材一起自切晶帶之黏著劑層拾取之步驟。

尤其是，於第5本發明之接著片材為半導體背面用膜之情形時，上述半導體裝置之製造方法至少包含以下步驟：準備於基材上積層有黏著劑層之切晶帶之步驟；於上述切晶帶之上述黏著劑層上貼附上述半導體背面用膜，獲得切晶帶一體型半導體背面用膜之步驟；於上述切晶帶一體型半導體背面用膜上貼著半導體晶圓之背面之步驟；切割上述半導體晶圓之步驟；拾取藉由切割所得之半導體元件之步驟；以及將上述半導體元件倒裝晶片連接於被黏著體上之步驟。

[實施例]

以下，例示性地對該發明之較佳之實施例進行詳細說明。其中，該實施例中記載之材料或調配量等只要並無特別限定性之記載，則並不旨在將該發明之範圍僅限定於該等。又，份表示重量份。

實施例1~23對應於第1本發明。

實施例1~5及實施例13~17對應於第2本發明及第3本發明。

實施例6~7及實施例18~20對應於第4本發明及第5本發明。

(實施例1) <切晶帶之製作>

首先，製作3層結構之基材。製作依序積層有最外層(厚度：20μm，聚烯烴系基材)、中間層(厚度：40μm，聚烯烴系基材)、及最內層(厚度：40μm，聚烯烴系基材)之基材(有時稱為「積層基材A」)。再者，於最外層中，相對於最外層之全部樹脂成分而含有作為抗靜電劑之製品名：PELESTAT(三洋化成公司製造)30重量%。再者，於本實施例中，所謂最內層，係指於其上形成黏著劑層之層，所謂最外層，係指與形成有黏著劑層之側相反側之層。

繼而，於具備冷凝管、氮氣導入管、溫度計以及攪拌裝置之反應容器中，放入丙烯酸2-乙基己酯(以下，稱為「2EHA」)88.8份、丙烯酸2-羥基乙酯(以下稱為「HEA」)11.2份、過氧化苯甲醯0.2份以及甲苯65份，於氮氣氣流中以61℃進行6小時聚合處理，獲得重量平均分子量85萬之丙烯酸系聚合物A。2EHA與HEA之莫耳比設為100mol：20mol。

向該丙烯酸系聚合物A中加入2-丙烯醯氧基乙基異氰酸酯(以下稱為「MOI」)12份(相對於HEA為80mol%)，於空氣氣流中以50℃進行48小時加成反應處理，獲得丙烯酸系聚合物A'。

繼而，相對於丙烯酸系聚合物A' 100份，加入聚異氰酸酯化合物(商品名「CORONATE L」，Nippon Polyurethane股份有限公司製造)8 份、以及光聚合起始劑(商品名「IRGACURE 651」，Ciba Specialty Chemicals公司製造)5份，製作黏著劑溶液(有時稱為「黏著劑溶液A」)。

將上述製備之黏著劑溶液A塗佈於PET剝離襯墊之實施有聚矽氧處理之面上，於120℃下進行2分鐘加熱交聯，形成厚度30μm之黏著劑層。繼而，使該黏著劑層面貼合於上述積層基材A之最內層面，於50℃下保存24小時。然後，僅對搭載半導體晶圓之區域使用紫外線照射裝置(日東精機製造，商品名，UM-810)，自上述積層基材A側照射300mJ/cm²之紫外線，獲得切割膜(有時稱為「切晶帶A」)。

<接著片材之製作>

相對於以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯為主成分之丙烯酸酯系聚合物(商品名「Paracron W-197CM」，根上工業股份有限公司製造)：100份，將環氧樹脂(商品名「EPIKOTE 1004」，JER股份有限公司製造)：113份、酚樹脂(商品名「Milex XLC-4L」，三井化學股份有限公司製造)：121份、球狀二氧化矽(商品名「SO-25R」，ADMATECHS股份有限公司製造)：246份、染料1(商品名「OIL GREEN 502」，ORIENT CHEMICAL INDUSTRIES股份有限公司製造)：5份、染料2(商品名「OIL BLACK BS」，ORIENT CHEMICAL INDUSTRIES股份有限公司製造)：5份溶解於甲基乙基酮中，製備固形物成份濃度為23.6重量%之接著劑組合物溶液A。

將接著劑組合物溶液A塗佈於作為剝離襯墊(分隔件)之由經聚矽氧脫模處理之厚度為50μm之聚對苯二甲酸乙二酯膜形成之脫模處理膜上，然後於130℃下乾燥2分鐘，藉此製作厚度(平均厚度)20μm之接著片材A。

<切晶帶一體型接著片材之製作>

使用手壓輥，將接著片材A貼合於切晶帶A之黏著劑層上，製作 切晶帶一體型接著片材A。

(實施例2) <切晶帶之製作>

首先，製作3層結構之基材。製作依序積層有最外層(厚度：20μm，聚烯烴系基材)、中間層(厚度：40μm，聚烯烴系基材)、及最內層(厚度：40μm，聚烯烴系基材)之基材(有時稱為「積層基材B」)。再者，於最外層中，相對於最外層之全部樹脂成分而含有作為抗靜電劑之製品名：PELESTAT(三洋化成公司製造)25重量%。

作為黏著劑溶液，使用上述黏著劑溶液A。

將上述製備之黏著劑溶液A塗佈於PET剝離襯墊之實施有聚矽氧處理之面上，於120℃下進行2分鐘加熱交聯，形成厚度30μm之黏著劑層。繼而，使該黏著劑層面與上述積層基材B之最內層面貼合，於50℃下保存24小時。然後，僅對搭載半導體晶圓之區域使用紫外線照射裝置(日東精機製，商品名，UM-810)，自上述積層基材B側照射300mJ/cm²之紫外線，獲得切割膜(有時稱為「切晶帶B」)。

<接著片材之製作>

作為接著片材，使用與實施例1相同之接著片材A。

<切晶帶一體型接著片材之製作>

使用手壓輥，將接著片材A貼合於切晶帶B之黏著劑層上，製作切晶帶一體型接著片材B。

(實施例3) <切晶帶之製作>

首先，製作3層結構之基材。製作依序積層有最外層(厚度：20μm，聚烯烴系基材)、中間層(厚度：40μm，聚烯烴系基材)、及最內層(厚度：40μm，聚烯烴系基材)之基材(有時稱為「積層基材C」)。再者，於最外層中，相對於最外層之全部樹脂成分而含有作為抗靜電 劑之製品名：PELESTAT(三洋化成公司製造)20重量%。

作為黏著劑溶液，使用上述黏著劑溶液A。

將上述製備之黏著劑溶液A塗佈於PET剝離襯墊之實施有聚矽氧處理之面上，於120℃下進行2分鐘加熱交聯，形成厚度30μm之黏著劑層。繼而，使該黏著劑層面與上述積層基材C之最內層面貼合，於50℃下保存24小時。然後，僅對搭載半導體晶圓之區域使用紫外線照射裝置(日東精機製造，商品名，UM-810)，自上述積層基材C側照射300mJ/cm²之紫外線，獲得切割膜(有時稱為「切晶帶C」)。

<接著片材之製作>

作為接著片材，使用與實施例1相同之接著片材A。

<切晶帶一體型接著片材之製作>

使用手壓輥，將接著片材A貼合於切晶帶C之黏著劑層上，製作切晶帶一體型接著片材C。

(實施例4) <切晶帶之製作>

首先，製作3層結構之基材。製作依序積層有最外層(厚度：20μm，聚烯烴系基材)、中間層(厚度：40μm，聚烯烴系基材)、及最內層(厚度：40μm，聚烯烴系基材)之基材(有時稱為「積層基材D」)。

繼而，於最外層上塗佈抗靜電劑層形成用溶液D，然後於60℃下進行1分鐘加熱乾燥，形成厚度約100nm之抗靜電劑層。再者，抗靜電劑層形成用溶液D係使用作為抗靜電劑之製品名：SEPLEGYDA(化合物名：聚噻吩)，以1%之濃度分散於甲基乙基酮(MEK)溶劑中而製備。

繼而，作為黏著劑溶液，使用上述黏著劑溶液A。

將上述製備之黏著劑溶液A塗佈於PET剝離襯墊之實施有聚矽氧處理之面上，於120℃下進行2分鐘加熱交聯，形成厚度30μm之黏著 劑層。繼而，使該黏著劑層面與上述積層基材D之最內層面貼合，於50℃下保存24小時。然後，僅對搭載半導體晶圓之區域使用紫外線照射裝置(日東精機製造，商品名，UM-810)，自上述積層基材D側照射300mJ/cm²之紫外線，獲得切割膜(有時稱為「切晶帶D」)。該切晶帶D於基材之最外層上形成有抗靜電劑層。

<接著片材之製作>

作為接著片材，使用與實施例1相同之接著片材A。

<切晶帶一體型接著片材之製作>

使用手壓輥，將接著片材A貼合於切晶帶D之黏著劑層上，製作切晶帶一體型接著片材D。

(實施例5) <切晶帶之製作>

首先，製作3層結構之基材。製作依序積層有最外層(厚度：20μm，聚烯烴系基材)、中間層(厚度：40μm，聚烯烴系基材)、及最內層(厚度：40μm，聚烯烴系基材)之基材(有時稱為「積層基材E」)。

繼而，於最外層上塗佈抗靜電劑層形成用溶液E，然後於60℃下進行1分鐘加熱乾燥，形成厚度約50nm之抗靜電劑層。抗靜電劑層形成用溶液E係使用作為抗靜電劑之製品名：SEPLEGYDA(化合物名：聚噻吩)，以1%之濃度分散於MEK溶劑中而製備。

繼而，作為黏著劑溶液，使用上述黏著劑溶液A。

將上述製備之黏著劑溶液A塗佈於PET剝離襯墊之實施有聚矽氧處理之面上，於120℃下進行2分鐘加熱交聯，形成厚度30μm之黏著劑層。繼而，使該黏著劑層面與上述積層基材E之最內層面貼合，於50℃下保存24小時。然後，僅對搭載半導體晶圓之區域使用紫外線照射裝置(日東精機製造，商品名，UM-810)，自上述積層基材E側照射300mJ/cm²之紫外線，獲得切割膜(有時稱為「切晶帶E」)。該切晶帶 E於基材之最外層上形成有抗靜電劑層。

<接著片材之製作>

作為接著片材，使用與實施例1相同之接著片材A。

<切晶帶一體型接著片材之製作>

使用手壓輥，將接著片材A貼合於切晶帶E之黏著劑層上，製作切晶帶一體型接著片材E。

(實施例6) <切晶帶之製作>

首先，製作3層結構之基材。製作依序積層有最外層(厚度：20μm，聚烯烴系基材)、中間層(厚度：40μm，聚烯烴系基材)、及最內層(厚度：40μm，聚烯烴系基材)之基材(有時稱為「積層基材F」)。

繼而，作為黏著劑溶液，使用上述黏著劑溶液A。

將上述製備之黏著劑溶液A塗佈於PET剝離襯墊之實施有聚矽氧處理之面上，於120℃下進行2分鐘加熱交聯，形成厚度30μm之黏著劑層。繼而，使該黏著劑層面與上述積層基材F之最內層面貼合，於50℃下保存24小時。然後，僅對搭載半導體晶圓之區域使用紫外線照射裝置(日東精機製造，商品名，UM-810)，自上述積層基材F側照射300mJ/cm²之紫外線，獲得切割膜(有時稱為「切晶帶F」)。

<接著片材之製作>

相對於以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯為主成分之丙烯酸酯系聚合物(商品名「Paracron W-197CM」，根上工業股份有限公司製造)：100份，將環氧樹脂(商品名「EPIKOTE 1004」，JER股份有限公司製造)：113份、酚樹脂(商品名「Milex XLC-4L」，三井化學股份有限公司製造)：121份、球狀二氧化矽(商品名「SO-25R」，ADMATECHS股份有限公司製造)：246份、染料1(商品名「OIL GREEN 502」，ORIENT CHEMICAL INDUSTRIES股份有限公司製造)：5份、染料 2(商品名「OIL BLACK BS」，ORIENT CHEMICAL INDUSTRIES股份有限公司製造)：5份、及相對於全部樹脂成分為30重量%之作為抗靜電劑之製品名：PELESTAT(三洋化成公司製造)溶解於甲基乙基酮中，製備固形物成份濃度為23.6重量%(扣除抗靜電劑)之接著劑組合物溶液F。

將接著劑組合物溶液F塗佈於作為剝離襯墊(分隔件)之由經聚矽氧脫模處理之厚度為50μm之聚對苯二甲酸乙二酯膜形成之脫模處理膜上，然後於130℃下乾燥2分鐘，藉此製作厚度(平均厚度)為20μm，且相對於全部樹脂成分而含有作為抗靜電劑之製品名：PELESTAT(三洋化成公司製造)30重量%之接著片材F。

<切晶帶一體型接著片材之製作>

使用手壓輥，將接著片材F貼合於切晶帶F之黏著劑層上，製作切晶帶一體型接著片材F。

(實施例7) <切晶帶之製作>

首先，製作3層結構之基材。製作依序積層有最外層(厚度：20μm，聚烯烴系基材)、中間層(厚度：40μm，聚烯烴系基材)、及最內層(厚度：40μm，聚烯烴系基材)之基材(有時稱為「積層基材G」)。

繼而，作為黏著劑溶液，使用上述黏著劑溶液A。

將上述製備之黏著劑溶液A塗佈於PET剝離襯墊之實施有聚矽氧處理之面上，於120℃下進行2分鐘加熱交聯，形成厚度30μm之黏著劑層。繼而，使該黏著劑層面與上述積層基材G之最內層面貼合，於50℃下保存24小時。然後，僅對搭載半導體晶圓之區域使用紫外線照射裝置(日東精機製造，商品名，UM-810)，自上述積層基材G側照射300mJ/cm²之紫外線，獲得切割膜(有時稱為「切晶帶G」)。

<接著片材之製作>

相對於以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯為主成分之丙烯酸酯系聚合物(商品名「Paracron W-197CM」，根上工業股份有限公司製造)：100份，將環氧樹脂(商品名「EPIKOTE 1004」，JER股份有限公司製造)：113份、酚樹脂(商品名「Milex XLC-4L」，三井化學股份有限公司製造)：121份、球狀二氧化矽(商品名「SO-25R」，ADMATECHS股份有限公司製造)：246份、染料1(商品名「OIL GREEN 502」，ORIENT CHEMICAL INDUSTRIES股份有限公司製造)：5份、染料2(商品名「OIL BLACK BS」，ORIENT CHEMICAL INDUSTRIES股份有限公司製造)：5份、及相對於全部樹脂成分為25重量%之作為抗靜電劑之製品名：PELESTAT(三洋化成公司製造)溶解於甲基乙基酮中，製備固形物成份濃度為23.6重量%(扣除抗靜電劑)之接著劑組合物溶液G。

將接著劑組合物溶液G塗佈於作為剝離襯墊(分隔件)之由經聚矽氧脫模處理之厚度為50μm之聚對苯二甲酸乙二酯膜形成之脫模處理膜上，然後於130℃下乾燥2分鐘，藉此製作厚度(平均厚度)為20μm，且相對於全部樹脂成分而含有作為抗靜電劑之製品名：PELESTAT(三洋化成公司製造)25重量%之接著片材G。

<切晶帶一體型接著片材之製作>

使用手壓輥，將接著片材G貼合於切晶帶G之黏著劑層上，製作切晶帶一體型接著片材G。

(實施例8) <切晶帶一體型接著片材之製作>

使用手壓輥，將實施例6中製作之接著片材F貼合於實施例1中製作之切晶帶A之黏著劑層上，製作切晶帶一體型接著片材H。

(實施例9) <切晶帶一體型接著片材之製作>

使用手壓輥，將實施例7中製作之接著片材G貼合於實施例2中製作之切晶帶B之黏著劑層上，製作切晶帶一體型接著片材I。

(實施例10) <切晶帶一體型接著片材之製作>

使用手壓輥，將實施例6中製作之接著片材F貼合於實施例4中製作之切晶帶D之黏著劑層上，製作切晶帶一體型接著片材J。

(實施例11) <切晶帶之製作>

首先，製作3層結構之基材。製作依序積層有最外層(厚度：20μm，聚烯烴系基材)、中間層(厚度：40μm，聚烯烴系基材)、及最內層(厚度：40μm，聚烯烴系基材)之基材(有時稱為「積層基材K」)。

繼而，相對於全部樹脂成分，添加作為抗靜電劑之製品名：PELESTAT(三洋化成公司製造)30重量%，除此以外，以與上述黏著劑溶液A同樣之方式製備黏著劑溶液K。

將上述製備之黏著劑溶液K塗佈於PET剝離襯墊之實施有聚矽氧處理之面上，於120℃下進行2分鐘加熱交聯，形成厚度30μm之黏著劑層。繼而，使該黏著劑層面與上述積層基材K之最內層面貼合，於50℃下保存24小時。然後，僅對搭載半導體晶圓之區域使用紫外線照射裝置(日東精機製造，商品名，UM-810)，自上述積層基材K側照射300mJ/cm²之紫外線，獲得切割膜(有時稱為「切晶帶K」)。

<接著片材之製作>

作為接著片材，使用與實施例1相同之接著片材A。

<切晶帶一體型接著片材之製作>

使用手壓輥，將接著片材A貼合於切晶帶K之黏著劑層上，製作切晶帶一體型接著片材K。

(實施例12) <切晶帶之製作>

首先，製作3層結構之基材。製作依序積層有最外層(厚度：20μm，聚烯烴系基材)、中間層(厚度：40μm，聚烯烴系基材)、及最內層(厚度：40μm，聚烯烴系基材)之基材(有時稱為「積層基材L」)。

繼而，相對於全部樹脂成分，添加作為抗靜電劑之製品名：PELESTAT(三洋化成公司製造)25重量%，除此以外，以與上述黏著劑溶液A同樣之方式製備黏著劑溶液L。

將上述製備之黏著劑溶液L塗佈於PET剝離襯墊之實施有聚矽氧處理之面上，於120℃下進行2分鐘加熱交聯，形成厚度30μm之黏著劑層。繼而，使該黏著劑層面與上述積層基材L之最內層面貼合，於50℃下保存24小時。然後，僅對搭載半導體晶圓之區域使用紫外線照射裝置(日東精機製造，商品名，UM-810)，自上述積層基材L側照射300mJ/cm²之紫外線，獲得切割膜(有時稱為「切晶帶L」)。

<接著片材之製作>

作為接著片材，使用與實施例1相同之接著片材A。

<切晶帶一體型接著片材之製作>

使用手壓輥，將接著片材A貼合於切晶帶L之黏著劑層上，製作切晶帶一體型接著片材L。

(實施例13)

將基材之最外層所含有之抗靜電劑之量變更為相對於最外層之全部樹脂成分為5重量%，除此以外，以與實施例1同樣之方式製作本實施例13之切晶帶一體型接著片材。將其作為切晶帶一體型接著片材M。

(實施例14)

將基材之最外層所含有之抗靜電劑之量變更為相對於最外層之全部樹脂成分為10重量%，除此以外，以與實施例1同樣之方式製作 本實施例14之切晶帶一體型接著片材。將其作為切晶帶一體型接著片材N。

(實施例15)

將基材之最外層所含有之抗靜電劑之量變更為相對於最外層之全部樹脂成分為50重量%，除此以外，以與實施例1同樣之方式製作本實施例15之切晶帶一體型接著片材。將其作為切晶帶一體型接著片材O。

(實施例16)

將抗靜電劑層之厚度形成為約20nm，除此以外，以與實施例4同樣之方式製作本實施例16之切晶帶一體型接著片材。將其作為切晶帶一體型接著片材P。

(實施例17)

將抗靜電劑層之厚度形成為約150nm，除此以外，以與實施例4同樣之方式製作本實施例17之切晶帶一體型接著片材。將其作為切晶帶一體型接著片材Q。

(實施例18)

將接著片材所含有之抗靜電劑之量設為相對於接著片材之全部樹脂成分為5重量%，除此以外，以與實施例6同樣之方式製作本實施例18之切晶帶一體型接著片材。將其作為切晶帶一體型接著片材R。

(實施例19)

將接著片材所含有之抗靜電劑之量設為相對於接著片材之全部樹脂成分為10重量%，除此以外，以與實施例6同樣之方式製作本實施例19之切晶帶一體型接著片材。將其作為切晶帶一體型接著片材S。

(實施例20)

將接著片材所含有之抗靜電劑之量設為相對於接著片材之全部 樹脂成分為50重量%，除此以外，以與實施例6同樣之方式製作本實施例20之切晶帶一體型接著片材。將其作為切晶帶一體型接著片材T。

(實施例21) <切晶帶之製作>

首先，製作3層結構之基材。製作依序積層有最外層(厚度：20μm，聚烯烴系基材)、中間層(厚度：40μm，聚烯烴系基材)、及最內層(厚度：40μm，聚烯烴系基材)之基材(有時稱為「積層基材U」)。

繼而，相對於全部樹脂成分添加作為抗靜電劑之製品名：PELESTAT(三洋化成公司製造)5重量%，除此以外，以與上述黏著劑溶液A同樣之方式製備黏著劑溶液U。

將上述製備之黏著劑溶液U塗佈於PET剝離襯墊之實施有聚矽氧處理之面上，於120℃下進行2分鐘加熱交聯，形成厚度30μm之黏著劑層。繼而，使該黏著劑層面與上述積層基材U之最內層面貼合，於50℃下保存24小時。然後，僅對搭載半導體晶圓之區域使用紫外線照射裝置(日東精機製造，商品名，UM-810)，自上述積層基材U側照射300mJ/cm²之紫外線，獲得切割膜(有時稱為「切晶帶U」)。

<接著片材之製作>

作為接著片材，使用與實施例1相同之接著片材A。

<切晶帶一體型接著片材之製作>

使用手壓輥，將接著片材A貼合於切晶帶U之黏著劑層上，製作切晶帶一體型接著片材U。

(實施例22) <切晶帶之製作>

首先，製作3層結構之基材。製作依序積層有最外層(厚度：20μm，聚烯烴系基材)、中間層(厚度：40μm，聚烯烴系基材)、及最內 層(厚度：40μm，聚烯烴系基材)之基材(有時稱為「積層基材V」)。

繼而，相對於全部樹脂成分添加作為抗靜電劑之製品名：PELESTAT(三洋化成公司製造)10重量%，除此以外，以與上述黏著劑溶液A同樣之方式製備黏著劑溶液V。

將上述製備之黏著劑溶液V塗佈於PET剝離襯墊之實施有聚矽氧處理之面上，於120℃下進行2分鐘加熱交聯，形成厚度30μm之黏著劑層。繼而，使該黏著劑層面與上述積層基材V之最內層面貼合，於50℃下保存24小時。然後，僅對搭載半導體晶圓之區域使用紫外線照射裝置(日東精機製造，商品名，UM-810)，自上述積層基材V側照射300mJ/cm²之紫外線，獲得切割膜(有時稱為「切晶帶V」)。

<接著片材之製作>

作為接著片材，使用與實施例1相同之接著片材A。

<切晶帶一體型接著片材之製作>

使用手壓輥，將接著片材A貼合於切晶帶V之黏著劑層上，製作切晶帶一體型接著片材V。

(實施例23) <切晶帶之製作>

首先，製作3層結構之基材。製作依序積層有最外層(厚度：20μm，聚烯烴系基材)、中間層(厚度：40μm，聚烯烴系基材)、及最內層(厚度：40μm，聚烯烴系基材)之基材(有時稱為「積層基材W」)。

繼而，相對於全部樹脂成分添加作為抗靜電劑之製品名：PELESTAT(三洋化成公司製造)50重量%，除此以外，以與上述黏著劑溶液A同樣之方式製備黏著劑溶液W。

將上述製備之黏著劑溶液W塗佈於PET剝離襯墊之實施有聚矽氧處理之面上，於120℃下進行2分鐘加熱交聯，形成厚度30μm之黏著劑層。繼而，使該黏著劑層面與上述積層基材W之最內層面貼合，於 50℃下保存24小時。然後，僅對搭載半導體晶圓之區域使用紫外線照射裝置(日東精機製造，商品名，UM-810)，自上述積層基材W側照射300mJ/cm²之紫外線，獲得切割膜(有時稱為「切晶帶W」)。

<接著片材之製作>

作為接著片材，使用與實施例1相同之接著片材A。

<切晶帶一體型接著片材之製作>

使用手壓輥，將接著片材A貼合於切晶帶W之黏著劑層上，製作切晶帶一體型接著片材W。

<剝離靜電壓之測定>

將切晶帶一體型接著片材貼合於經預先除電之丙烯酸系板(厚度：1mm，寬度：70mm，長度：100mm)上。於貼合時，使用手壓輥，以使丙烯酸系板與切晶帶一體型接著片材之基材介隔雙面膠帶相對之方式進行。

於23℃、50%RH之環境下放置一天，然後於特定之位置設置樣品(參照圖2)。將接著片材之端部固定於自動捲取機，以剝離角度成為150°、剝離速度成為10m/min之方式進行剝離。藉由固定於特定之位置之電位測定機(春日電機公司製造，KSD-0103)測定此時產生之黏著劑層側之面之電位。測定係於23℃、50%RH之環境下進行。將結果示於表1。

<剝離力之測定>

自切晶帶一體型接著片材切出長度100mm、寬度20mm之短條狀之試驗片。將該試驗片襯裏於SUS板，然後使用剝離試驗機(商品名「Autograph AGS-J」，島津製作所公司製造)，於溫度23℃之條件下，且於剝離角度：90°、拉伸速度：300mm/min之條件下，自切晶帶(即，自切晶帶之黏著劑層)撕拉剝離(於接著片材與切晶帶之黏著劑層之界面剝離)接著片材，測定該撕拉剝離時之荷重之最大荷重(扣除 測定初期之峰頂的荷重之最大值)，將該最大荷重作為接著片材與切晶帶之黏著劑層間之剝離力(切晶帶之黏著劑層之對接著片材之接著力)(接著力：N/20mm寬)求出。將結果示於表1。

<表面電阻率值之測定>

對於實施例1~5、以及13~17，測定切晶帶最外層側之表面之表面電阻率；對於實施例6、7、以及18~20，測定接著片材之與切晶帶接觸之側之面之表面之表面電阻率；對於實施例8、9、10，測定切晶帶最外層、晶圓背面保護膜之與切晶帶接觸之側之表面之表面電阻率；對於實施例11、12、以及21~23，測定切晶帶之黏著劑層表面之表面電阻率。再者，表面電阻率係使用ADVANTEST公司製造之High Megohm meter TR-8601之超高電阻測定用試樣箱TR-42，於23℃、60%RH之條件下施加1分鐘100V之直流電壓而測定。將結果示於表1。

1‧‧‧切晶帶一體型半導體背面用膜

2‧‧‧倒裝晶片型半導體背面用膜(半導體背面用膜)

3‧‧‧切晶帶

31‧‧‧基材

32‧‧‧黏著劑層

33‧‧‧與半導體晶圓之貼著部分對應之部分

Claims (9)

1. 一種切晶帶一體型接著片材，其特徵在於，其係包含於基材上積層有黏著劑層之切晶帶、及形成於上述黏著劑層上之接著片材者，且於剝離速度10m/min、剝離角度150°之剝離試驗中，上述黏著劑層與上述接著片材之剝離力為0.02~0.5N/20mm，根據上述剝離試驗之條件，將上述黏著劑層與上述接著片材剝離時之剝離靜電壓之絕對值為0.5kV以下。
2. 如請求項1之切晶帶一體型接著片材，其中上述接著片材為用於在倒裝晶片連接於被黏著體上之半導體元件之背面形成之倒裝晶片型半導體背面用膜。
3. 如請求項1之切晶帶一體型接著片材，其中於上述基材中含有抗靜電劑。
4. 如請求項3之切晶帶一體型接著片材，其中上述基材具有多層結構，且於上述多層結構之基材之至少一個最外層中含有抗靜電劑。
5. 如請求項1之切晶帶一體型接著片材，其中於上述基材之至少一個面上形成有含有抗靜電劑之抗靜電劑層。
6. 如請求項1之切晶帶一體型接著片材，其中於上述黏著劑層中含有抗靜電劑。
7. 如請求項1之切晶帶一體型接著片材，其中於上述接著片材中含有抗靜電劑。
8. 一種半導體裝置之製造方法，其特徵在於，其係使用如請求項1至7中任一項之切晶帶一體型接著片材之半導體裝置之製造方法，且包括如下步驟： 於上述切晶帶一體型接著片材中之接著片材上貼著半導體晶圓之步驟；切割上述半導體晶圓而形成半導體元件之步驟；及將上述半導體元件與上述接著片材一起自切晶帶之黏著劑層拾取之步驟。
9. 一種半導體裝置，其特徵在於，其係使用如請求項1至7中任一項之切晶帶一體型接著片材而製造。