TWI711675B - 切片工藝用保護性塗層劑 - Google Patents

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TWI711675B
TWI711675B TW108102048A TW108102048A TWI711675B TW I711675 B TWI711675 B TW I711675B TW 108102048 A TW108102048 A TW 108102048A TW 108102048 A TW108102048 A TW 108102048A TW I711675 B TWI711675 B TW I711675B
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    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D4/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, based on organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond ; Coating compositions, based on monomers of macromolecular compounds of groups C09D183/00 - C09D183/16
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Abstract

本發明涉及一種用於製備半導體的切片工藝用保護性塗層劑，具體涉及一種切片工藝用保護性塗層劑，其可以被塗布在晶圓片等的表面上而在半導體製備工藝中保護晶圓片等的表面。

Description

切片工藝用保護性塗層劑
本發明涉及一種用於製備半導體的切片工藝用保護性塗層劑，具體涉及一種切片工藝用保護性塗層劑，其可以被塗布在晶圓片等的表面上而在半導體製備工藝中保護晶圓片等的表面。
在半導體晶圓片加工工藝中，切片工藝，即鋸切工藝，是介於晶圓片製備工藝與封装工藝之間且將所述晶圓片以個別芯片單位分離的工藝。
其中，在將半導體晶圓片的個別芯片用刀片互相分離的工藝中，落到芯片表面的碎片會造成不良。為了解決所述問題，從前使用的方法是將噴嘴沿著刀片的兩側與晶圓片的水平方向設置，以高壓噴射多量的水而立即去除落到芯片表面的碎片。所述方法在半導體芯片尺寸大，加工時間短，碎片量少時是有用的，然而，在半導體芯片的尺寸的減小，加工時間的增加，碎片產量增加時，無法立即去除碎片。
對此，為了克服所述問題，韓國專利申請第10-2009-0066314號公開了一種用聚氧化乙烯/聚環氧丙烷(Polyethyleneoxide/Polypropyleneoxide, PEO-PPO)，聚乙二醇(Polyethyleneglycol, PEG)以及其他添加即製備的洗滌劑組合物，所述聚氧化乙烯/聚環氧丙烷和聚乙二醇是非離子表面活性劑。
然而，用所述組合物進行鋸切工藝時，可以去除一定大小的碎片，但無法完全去除微小的碎片。結果，被殘留的微小碎片所引起的刮痕，凿痕等缺陷仍未解決。
因此，仍然存在着對用於切片工藝的保護性塗層劑的需求，其可以在晶圓片表面型成塗層而防止在切片工藝和其他加工工藝中發生的刮痕，凿痕，污點，變白或腐蝕等缺陷。
[技術問題]
本發明是斟酌所述內容而提出的，其目的在於提供一種切片工藝用保護性塗層劑，其在半導體製備工藝中加工晶圓片等時保護表面并防止因雜質流入而發生的表面損傷。 [技術方案]
為了解決所述技術問題，本發明的切片工藝用保護性塗層劑組合物包括由下面的化學式1表示的化合物以及由下面的化學式2表示的化合物。 [化學式1]
Figure 02_image001
在所述化學式1中，R13 與R14 各自獨立地為C1~C10亞烷基，R15為C1~C10烷基，R24 與R25 各自獨立地為
Figure 02_image003
或
Figure 02_image005
，R0 為
Figure 02_image007
，
Figure 02_image009
或
Figure 02_image011
，R9 ，R10 ，R11 以及R32 各自獨立地為C1~C10烷基，R12 為C1~C10亞烷基，R1 為
Figure 02_image013
，
Figure 02_image015
或
Figure 02_image017
，R2 ，R3 ，R4 ，R5 ，R6 ，R7 以及R8 各自獨立地為C1~C15亞烷基，n，m以及l各自獨立地為1~50的有理數，R20 為C1~C10亞烷基，
Figure 02_image019
或
Figure 02_image021
，R27 ，R28 ，R29 ，R30 以及R31 各自獨立地為C1~C10亞烷基，R21 ，R22 以及R23 各自獨立地為C1~C10烷基，R16 為C1~C10烷基， [化學式2]
Figure 02_image023
在所述化學式2中，R17 ，R18 以及R19 各自獨立地為氫，芳基或C1~C10烷基。
作為本發明的一個優選實施例，由所述化學式1表示的化合物的R24 與R25 可以為
Figure 02_image003
。
作為本發明的一個優選實施例，由所述化學式1表示的化合物的R24 可以為
Figure 02_image003
，R25 可以為
Figure 02_image005
。
作為本發明的一個優選實施例，本發明的保護性塗層劑組合物還可以包括極性有機溶劑，表面調節用添加劑，流動性添加劑以及附著促進劑中一種以上。
本發明的切片工藝用保護性塗層劑可以包括由下面的化學式10表示的化合物。 [化學式10]
Figure 02_image026
在所述化學式10中，R13 與및R14 各自獨立地為C1~C10亞烷基，R15 為C1~C10烷基，R24 與R25 各自獨立地為
Figure 02_image003
或
Figure 02_image005
，R0 為
Figure 02_image007
，
Figure 02_image009
或
Figure 02_image011
，R9 ，R10 ，，R11 以及R32 各自獨立地為氫或C1~C10烷基，R12 為C1~C10亞烷基，R1 為
Figure 02_image013
，
Figure 02_image015
或
Figure 02_image017
，R2 ，R3 ， R4 ，R5 ，R6 ，R7 以及R8 各自獨立地為C1~C15亞烷基，n，m以及l各自獨立地為1~50的有理數，R16 為C1~C10烷基，R20 為C1~C10亞烷基，
Figure 02_image019
或
Figure 02_image021
，R27 ，R28 ，R29 ，R30 以及R31 各自獨立地為C1~C10亞烷基，R21 ，R22 以及R23 各自獨立地為C1~C10烷基， A+ 為
Figure 02_image037
，R17 ，R18 以及R19 各自獨立地為氫，芳基或C1~C10烷基。
作為本發明的一個優選實施例，由所述化學式10表示的化合物的R24 與R25 可以為
Figure 02_image003
。
作為本發明的一個優選實施例，由所述化學式10表示的化合物的R24 可以為
Figure 02_image003
，R25 可以為
Figure 02_image005
。
作為本發明的一個優選實施例，對由所述化學式10表示的化合物100重量份，本發明的保護性塗層劑還可以包括極性有機溶劑8~500重量份，表面調節用添加劑0.08~100重量份，流動性調整劑0.4~200重量份以及附著促進劑0.32~250重量份。
進而，本發明的切片工藝用保護性塗層劑的製備方法可以包括：第一步骤，對由下面的化學式7表示的化合物，由下面的化學式8表示的化合物，由下面的化學式9表示的化合物以及溶劑進行混合與聚合反應而製備第一聚合物；第二步骤，對製備的第一聚合物與由下面的化學式6表示的化合物以及由下面的化學式4表示的化合物中一種以上進行混合與反應而製備第二聚合物或第三聚合物；以及第三步骤，其對製備的第二聚合物或第三聚合物與由下面的化學式2表示的化合物以及水進行混合與反應而製備由下面的化學式10表示的化合物。 [化學式7]
Figure 02_image039
在所述化學式7，R1 為
Figure 02_image013
，
Figure 02_image015
或
Figure 02_image017
，R2 ，R3 ，R4 ，R5 ，R6 ，R7 以及R8 各自獨立地為C1~C15亞烷基，n，m以及l各自獨立地為1~50的有理數， [化學式8]
Figure 02_image044
在所述化學式8，R0 為
Figure 02_image007
，
Figure 02_image009
或
Figure 02_image011
，R9 ，R10 ，R11 以及R32 各自獨立地為氫或C1~C10烷基，R12 為C1~C10亞烷基， [化學式9]
Figure 02_image047
在所述化學式9，R13 與R14 各自獨立地為C1~C10亞烷基，R15 為C1~C10烷基， [化學式6]
Figure 02_image049
在所述化學式6，R20 為C1~C10亞烷基，
Figure 02_image019
或
Figure 02_image021
，R27 ，R28 ，R29 ，R30 以及R31 各自獨立地為C1~C10亞烷基，R21 ,，R22 以及R23 各自獨立地為C1~C10烷基， [化學式4]
Figure 02_image052
在所述化學式4，R16 為C1~C10烷基， [化學式2]
Figure 02_image023
在所述化學式2，R17 ，R18 以及R19 各自獨立地為氫，芳基或C1~C10烷基， [化學式10]
Figure 02_image026
在所述化學式10，R13 與R14 各自獨立地為C1~C10亞烷基，R15 為C1~C10烷基，R24 與R25 各自獨立地為
Figure 02_image003
或
Figure 02_image005
，R0 為
Figure 02_image007
，
Figure 02_image009
或
Figure 02_image011
，R9 ，R10 ，R11 以及R32 各自獨立地為氫或C1~C10烷基，R12 為C1~C10亞烷基，R1 為
Figure 02_image013
，
Figure 02_image015
或
Figure 02_image017
，R2 ，R3 ，R4 ，R5 ，R6 ，R7 以及R8 各自獨立地為C1~C15亞烷基，n，m以及l各自獨立地為1~50的有理數，R16 為C1~C10烷基，R20 為C1~C10亞烷基，
Figure 02_image019
或
Figure 02_image021
，R27 ，R28 ，R29 ，R30 以及R31 各自獨立地為C1~C10亞烷基，R21 ，R22 以及R23 各自獨立地為C1~C10烷基，A+ 為
Figure 02_image037
，R17 ，R18 以及R19 各自獨立地為氫，芳基或C1~C10烷基。
作為本發明的一個優選實施例，在所述第二步骤可以對製備的第一聚合物與由下面的化學式4表示的化合物進行混合與反應而製備第二聚合物，在所述第三步骤可以對製備的第二聚合物與由所述化學式2表示的化合物與水進行混合與反應而製備由下面的化學式10表示的化合物。 [化學式10]
Figure 02_image026
在所述化學式10，R13 與R14 各自獨立地為C1~C10亞烷基，R15 為C1~C10烷基，R24 以及R25 為
Figure 02_image003
，R0 為
Figure 02_image007
，
Figure 02_image009
或
Figure 02_image011
，R9 ，R10 ，R11 以及R32 各自獨立地為C1~C10烷基，R12 為C1~C10亞烷基，R1 為
Figure 02_image013
，
Figure 02_image015
或
Figure 02_image017
，R2 ，R3 ，R4 ，R5 ，R6 ，R7 以及R8 各自獨立地為C1~C15亞烷基，n，m以及l各自獨立地為1~50的有理數，R16 為C1~C10烷基，A+ 為
Figure 02_image037
，R17 ，R18 以及R19 各自獨立地為氫，芳基或C1~C10烷基。
作為本發明的一個優選實施例，第二步骤可以包括第2-1步骤和第2-2步骤，在第2-1步骤，對製備的第一聚合物與由所述化學式6表示的化合物進行混合與反應而製備第三中間聚合物，在第2-2步骤，對製備的第三中間聚合物與由所述化學式4表示的化合物進行混合與反應而製備第三聚合物，還有，在第三步骤可以對製備的第三聚合物與由所述化學式2表示的化合物與水進行混合與反應而製備由所述化學式10表示的化合物。 [化學式10]
Figure 02_image026
在所述化學式10，R13 與R14 各自獨立地為C1~C10亞烷基，R15 為C1~C10烷基，R24 為
Figure 02_image003
，R25 為
Figure 02_image005
，R0 為
Figure 02_image007
，
Figure 02_image009
或
Figure 02_image011
，R9 ，R10 ，R11 以及R32 各自獨立地為C1~C10烷基，R12 為C1~C10亞烷基，R1 為
Figure 02_image013
，
Figure 02_image015
或
Figure 02_image017
，R2 ，R3 ，R4 ，R5 ，R6 ，R7 以及R8 各自獨立地為C1~C15亞烷基，n，m以及l各自獨立地為1~50的有理數，R16 為C1~C10烷基，R20 為C1~C10亞烷基，
Figure 02_image019
或
Figure 02_image021
，R27 ，R28 ，R29 ，R30 以及R31 各自獨立地為C1~C10亞烷基，R21 ，R22 以及R23 各自獨立地為C1~C10烷基，A+ 為
Figure 02_image037
，R17 ，R18 以及R19 各自獨立地為氫，芳基，或C1~C10烷基。
作為本發明的一個優選實施例，對由所述化學式7表示的化合物100重量，所述保護性塗層劑可以包括由所述化學式8表示的化合物101~153重量份，由所述化學式9表示的化合物11~18重量，由所述化學式4表示的化合物29~45重量份，由所述化學式5表示的化合物8~13重量，由所述化學式6表示的化合物33~51重量份。
在表示本發明的化合物，*記號指的是化學鍵部位，對由所述化學式7表示的化合物舉一個例子來說明，在構成R1 的
Figure 02_image013
中，*記號指的是與化學式7的-OH互相連結的部分。 [發明效果]
本發明的切片工藝用保護性塗層劑在半導體製備工藝的包括晶圓片切削工藝的加工工藝中可以基本上防止在晶圓片表面上發生的損傷或由於雜質發生的污染。
還有，所述保護性塗層劑具有被熱或紫外線(UV)所硬化的性質，然而硬化後不受熱或紫外線的影響，而且，所述保護性塗層劑因具有耐水性與硬度，在製備工藝中不受水的影響而可以防止晶圓片表面被碎片受傷，製備工藝結束後也可以由碱性溶液容易被去除。
[具體實施方式]
以下，配合附圖而詳細說明本發明的實施例，以便本發明所屬領域的通常知識者可以容易實施本發明的實施例，本發明可以以多種不同的型態實現而不局限於本發明中說明的實施例。
本發明的切片工藝用保護性塗層劑可以包括由下面的化學式1表示的化合物以及由下面的化學式2表示的化合物。 [化學式1]
Figure 02_image001
在所述化學式1，R13 與R14 可以各自獨立地為C1~C10亞烷基，優選可以為C1~C5亞烷基。
還有，在所述化學式1，R15 可以為C1~C10烷基，優選可以為C1~C5烷基。
還有，在所述化學式1，R24 與R25 可以各自獨立地為
Figure 02_image003
或
Figure 02_image005
。
在所述化學式1，R0 可以為
Figure 02_image007
，
Figure 02_image009
或
Figure 02_image011
，優選可以為
Figure 02_image007
，R9 ，R10 ，R11 以及R32 可以各自獨立地為氫或C1~C10烷基，優選可以為C1~C5烷基，R12 可以為C1~C10亞烷基，優選可以為C1~C5亞烷基。
還有，在所述化學式1，R1 可以為
Figure 02_image013
，
Figure 02_image015
或
Figure 02_image017
，優選可以為
Figure 02_image013
。
還有，在所述化學式1，R2 ，R3 ，R4 ，R5 ，R6 ，R7 以及R8 可以各自獨立地為C1~C15亞烷基，優選可以為C1~ C10亞烷基，n，m，以及l可以各自獨立地為1~50的有理數，可以各自獨立地為1~20的有理數。
還有，在所述化學式1，R16 可以為C1~C10烷基，優選可以為C1~C5烷基，R20 可以為C1~C10亞烷基，
Figure 02_image019
或
Figure 02_image021
，優選可以為C1~C10亞烷基，更加優選可以為C1~C5亞烷基，R27 ，R28 ，R29 ，R30 以及R31 可以各自獨立地為C1~C10亞烷基，優選可以為C1~C10亞烷基，R21 ，R22 以及R23 可以各自獨立地為C1~C10烷基，優選可以為C1~C5烷基。 [化學式2]
Figure 02_image023
在所述化學式2，R17 ，R18 以及R19 可以各自獨立地為氫，芳基或C1~C10烷基，優選可以為C1~C5烷基。
還有，在所述化學式1表示的化合物，優選地，R24 與R25 可以為
Figure 02_image003
， 在所述化學式1表示的化合物，優選地，R24 可以為
Figure 02_image003
，R25 可以為
Figure 02_image005
。
還有，本發明的保護性塗層劑組合物還可以包括極性有機溶劑，表面調節用添加劑，流動性調整劑以及附著促進劑中一種以上，優選地，所述保護性塗層劑組合物還可以包括極性有機溶劑，表面調節用添加劑，流動性添加劑以及附著促進劑。
本發明的切片工藝用保護性塗層劑可以包括由下面的化學式10表示的化合物。 [化學式10]
Figure 02_image026
在所述化學式10，R13 與R14 分別各自獨立地為C1~C10亞烷基，優選可以為C1~C5亞烷基，R15 可以為C1~C10烷基，優選可以為C1~C5烷基。
還有，在所述化學式10，R24 與R25 可以各自獨立地為
Figure 02_image003
或
Figure 02_image005
。
還有，在所述化學式10，R0 可以為
Figure 02_image007
，
Figure 02_image009
或
Figure 02_image011
，優選可以為
Figure 02_image007
，R9 ，R10 ，R11 以及R32 可以各自獨立地為氫或C1~C10烷基，優選可以為C1~C5烷基，R12 可以為C1~C10亞烷基，優選可以為C1~C5亞烷基。
還有，在所述化學式10，R1 可以為
Figure 02_image013
，
Figure 02_image015
或
Figure 02_image017
，優選可以為
Figure 02_image013
。
還有，在所述化學式10，R2 ，R3 ，R4 ，R5 ，R6 ，R7 以及R8 可以各自獨立地為C1~C15亞烷基，優選可以為C1~C10亞烷基，n，m以及l可以各自獨立地為1~50的有理數，優選可以為1~20的有理數。
還有，在所述化學式10，R16 可以為C1~C10烷基，優選可以為C1~C5烷基，R20 可以為C1~C10亞烷基，
Figure 02_image019
或
Figure 02_image021
，優選可以為C1~C10亞烷基，更加優選可以為C1~C5亞烷基，R27 ，R28 ，R29 ，R30 以及R31 可以各自獨立地為C1~C10亞烷基，R21 ，R22 以及R23 可以各自獨立地為C1~C10烷基，優選可以為C1~C5烷基。
還有，在所述化學式10，A+ 可以為
Figure 02_image037
，R17 ，R18 以及R19 可以各自獨立地為氫，芳基或C1~C10烷基，優選可以為C1~C5烷基。
還有，在由化學式10表示的化合物，優選地，R24 與R25 可以為
Figure 02_image003
，在由化學式10表示的化合物中，優選地，R24 可以為
Figure 02_image003
，R25 可以為
Figure 02_image005
。
進而，本發明的切片工藝用保護性塗層劑還可以包括極性有機溶劑，表面調節用添加劑，流動性調整劑以及附著促進劑中一種以上，優選可以包括極性有機溶劑，表面調節用添加劑，流動性調整劑以及附著促進劑，而且，本發明的切片工藝用保護性塗層劑還可以包括水。
首先，極性有機溶劑用於溶解由化學式10表示的化合物，可以包括醇類溶劑，酮類溶劑以及二醇醚系溶劑中一種以上，優選可以包括醇類溶劑與酮類溶劑中一種以上，更加優選可以包括C1~C10醇類溶劑。
而且，對由化學式10表示的化合物100重量份，極性有機溶劑可以占8~500重量份，優選可以占8~36重量份，更加優選可以占9~33重量份。由化學式10表示的化合物的含量少於8重量份，所述化合物會被析出；由化學式10表示的化合物的含量超過500重量份，用本發明的保護性塗層劑進行塗布時會有塗層狀態不良的問題。
其次，表面調節用添加劑用於給用本發明的保護性塗層劑來塗布後的表面滑移特性，可以包括硅系表面調節用添加劑，優選可以包括PROTEX International社的MODAREZ K-SE 305，MODAREZ K-SL 106，MODAREZ K-SL 107，BYK社的BYK-331，BYK-333，BYK-348以及BYK-3455中一種以上。
而且，對由化學式10表示的化合物100重量份，表面調節用添加劑可以占0.08~100重量份，優選可以占0.08~0.6重量份，更加優選可以包括0.09~0.55重量份。表面調節用添加劑的重量份小於0.08重量份時，因滑移特性的不足而會發生雜質附著的問題；表面調節用添加劑的重量份超過100重量份時，密著力會減少。
其次，流動性調整劑用於調節本發明保護性塗層劑的黏度，可以包括PROTEX international社的PROX A 300，PROX AM 162 S，SYNTHRO THIX 608，BYK社的BYK-405，BYK-420以及BYK-7420 ES中一種以上。
而且，對化學式10表示的化合物100重量份，流動性調整劑可以占0.4~200重量份，優選可以占0.4~0.6重量份，更加優選可以占0.45~0.55重量份。流動性調整劑占的重量份小於0.4重量份時，因為黏度低，用本發明的保護性塗層劑進行塗層時塗層厚度會變薄，流動性調整劑占的重量份超過200重量份時，因為黏度高，塗層會缺乏均勻性。
再次，附著促進劑用於提高本發明的保護性塗層劑的密著力，可以包括BYK社的BYK-4509與BYK-4500中一種以上。
而且，對由化學式10表示的化合物100重量份，附著促進劑可以占0.32~250重量份，優選可以占0.32~1.2重量份，更加優選可以占0.36~1.1重量份。附著促進劑占的重量份小於0.32重量份時，密著力會降低；附著促進劑占的重量份超過250重量份時，滑移特性會降低。
最後，對由化學式10表示的化合物100重量份，水可以占24~48重量份，優選可以占27~44重量份，更加優選可以占28.5~42重量份。水占的重量份小於24重量份時，在晶圓片上用保護性塗層劑進行塗層時，塗層厚度會變厚，在剝離時會有困難；水占的重量份超過48重量份時，硬化工作上會有問題。
本發明的切片工藝用保護性塗層劑的製備方法包括第一步骤至第三步骤。
首先，在第一步骤可以對由下面的化學式7表示的化合物，由下面的化學式8表示的化合物，由所述化學式9表示的化合物以及溶劑進行混合與聚合反應而製備第一聚合物。 [化學式7]
Figure 02_image039
在所述化學式7， R1 可以為
Figure 02_image013
，
Figure 02_image015
或
Figure 02_image017
，優選可以為
Figure 02_image013
。
還有，在所述化學式7，R2 ，R3 ，R4 ，R5 ，R6 ，R7 以及R8 可以各自獨立地為C1~C15亞烷基，優選可以為C1~C10亞烷基。
還有，在所述化學式7，n，m以及l可以各自獨立地為1~50的有理數，優選可以為1~20的有理數。 [化學式8]
Figure 02_image044
在所述化學式8，R0 可以為
Figure 02_image007
，
Figure 02_image009
或
Figure 02_image011
，優選可以為
Figure 02_image007
。
還有，在所述化學式8，R9 ，R10 ，R11 以及R32 可以各自獨立地為氫或C1~C10烷基，優選可以為C1~C5烷基。
還有，在化學式8，R12 可以為C1~C10亞烷基，優選可以為C1~C5亞烷基。 [化學式9]
Figure 02_image047
在所述化學式9，R13 與R14 可以各自獨立地為C1~C10亞烷基，優選可以為C1~C5亞烷基。
還有，在所述化學式9，R15 可以為C1~C10烷基，優選可以為C1~C5烷基。
在第一步骤使用的溶劑可以包括NMP(N-methylpyrrolidone)，DMF(N,N-dimethylformamide)，DMA(N,N-dimethylacetamide)以及MEK(methyl ethyl ketone)中一種以上，優選可以包括NMP(N-methylpyrrolidone)。
還有，在第一步骤，對由化學式7表示的化合物100重量份，由所述化學式8表示的化合物可以占101~153重量份，優選可以占114~140重量份，更加優選可以占120~134重量份。由化學式8表示的化合物占的重量份小於101重量份時，硬化後的附著力會變弱；由化學式8表示的化合物占的重量份超過153重量份時，塗層後晶圓片表面的可見性會降低。
還有，在第一步骤，對由化學式7表示的化合物100重量份，由化學式9表示的化合物可以占11~18重量份，由選可以占13~17重量份，更加優選可以占14~16重量份。由化學式9表示的化合物占的重量份小於11重量份時，對水的可分散性會降低；由化學式9表示的化合物占的重量份超過18重量份時，在硬化後，耐水性會變弱。
還有，在第一步骤，對由化學式7表示的化合物100重量份，溶劑可以占40~61重量份，優選可以占45~56重量份，更加優選可以占39~45重量份。溶劑占的重量份小於40重量份時，因為黏度太高而塗層會缺乏均勻性，溶劑占的重量份超過61重量份時，因為黏度太低而塗層時會有困難。
還有，在第一步骤中，可以通過在80~150℃的溫度下，優選在80~140℃的溫度下，以150~250rpm，優選以170~230rpm進行1小時至3小時，優選1.5小時至2.5小時進行混合和/或聚合反應製備第一聚合物。
這時，被製備的第一聚合物可以為由下面的化學式5表示的化合物。 [化學式5]
Figure 02_image102
在所述化學式5，R13 與R14 可以各自獨立地為C1~C10亞烷基，優選可以為C1~C5亞烷基。
而且，在所述化學式5，R15 可以為C1~C10烷基，優選可以為C1~C5烷基。
還有，在所述化學式5，R26 可以為
Figure 02_image104
，R0 可以為
Figure 02_image007
，
Figure 02_image009
或
Figure 02_image011
，優選可以為
Figure 02_image007
，R9 ，R10 ，R11 以及R32 可以各自獨立地為氫或C1~C10烷基，優選可以為C1~C5烷基，R12 可以為C1~C10亞烷基，優選可以為C1~C5亞烷基。
還有，在所述化學式5中，R1 可以為
Figure 02_image013
，
Figure 02_image015
或
Figure 02_image017
，優選可以為
Figure 02_image013
，R2 ，R3 ，R4 ，R5 ，R6 ，R7 以及R8 可以各自獨立地為C1~C15亞烷基，優選可以為C1~C10亞烷基，n， ，m以及l各自獨立地為可以為1~50的有理數，優選可以為1~20的有理數。
其次，在本發明的切片工藝用保護性塗層劑的製備方法中第二步骤，可以通過在第一步骤製備的第一聚合物與由下面的化學式6表示的化合物以及由下面的化學式4表示的化合物中一種以上進行混合與反應而製備第二聚合物或第三聚合物。 [化學式6]
Figure 02_image049
在所述化學式6，R20 可以為C1~C10亞烷基，
Figure 02_image019
或
Figure 02_image021
，優選可以為C1~C10亞烷基，優選可以為C1~C5亞烷基。還有，R27 ，R28 ，R29 ，R30 以及R31 各自獨立地為可以C1~C10亞烷基，優選可以為C1~C5亞烷基。
還有，在所述化學式6，R21 ，R22 以及R23­ 各自獨立地為可以C1~C10烷基，優選可以為C1~C5烷基。 [化學式4]
Figure 02_image052
在所述化學式4，R16 可以為C1~C10烷基，優選可以為C1~C5烷基。
具體說明通過本發明的切片工藝用保護性塗層劑的製備方法中第二步骤製備第二聚合物的方法，可以對製備的第一聚合物與由所述化學式4表示的化合物進行混合與反應而製備第二聚合物，而被製備的第二聚合物可以為由下面的化學式1-1表示的化合物。 [化學式1-1]
Figure 02_image001
在所述化學式1-1，R13 與R14 各自獨立地為可以為C1~C10亞烷基，優選可以為C1~C5亞烷基。
還有，在所述化學式1-1，R15 可以為C1~C10烷基，優選可以為C1~C5烷基。
還有，在所述化學式1-1，R24 與R25 可以為
Figure 02_image003
。
還有，在所述化學式1-1，R0 可以為
Figure 02_image007
，
Figure 02_image009
或
Figure 02_image011
，優選可以為
Figure 02_image007
，R9 ，R10 ，R11 以及R32 各自獨立地為可以氫或C1~C10烷基，優選可以為C1~C5烷基，R12 可以為C1~C10亞烷基，優選可以為C1~C5亞烷基。
還有，在所述化學式1-1，R1 可以為
Figure 02_image013
，
Figure 02_image015
或
Figure 02_image017
，優選可以為
Figure 02_image013
。
還有，在所述化學式1-1，R2 ，R3 ，R4 ，R5 ，R6 ，R7 以及R8 各自獨立地可以為C1~C15亞烷基，優選可以為C1~C10亞烷基，n，m以及l各自獨立地可以為1~50的有理數，優選可以為1~20的有理數。
還有，在所述化學式1-1，R16 可以為C1~C10烷基，優選可以為C1~C5烷基，R20 可以為C1~C10亞烷基，
Figure 02_image019
或
Figure 02_image021
，優選可以為C1~C10亞烷基，更加優選可以為C1~C5亞烷基，R27 ，R28 ，R29 ，R30 以及R31 各自獨立地可以為C1~C10亞烷基，優選可以為C1~C5亞烷基，R21 ，R22 以及R23 各自獨立地可以為C1~C10烷基，優選可以為C1~C5烷基。
還有，在第二步骤製備第二聚合物時，對由化學式7表示的化合物100重量份，由化學式4表示的化合物可以占29~45重量份，優選可以占33~41重量份，更加優選可以占34~39重量份。由化學式4表示的化合物占的重量份小於29重量份時，硬化後還會有黏性；由化學式4表示的化合物的重量份超過45重量份時，硬化後塗層的厚度會變薄。
還有，在第二步骤製備第二聚合物時，可以在70~110℃的溫度下，優選在80~100℃的溫度下，以150~250rpm，優選以170~230rpm進行10分鐘~40分鐘，優選20分鐘~30分鐘混合和/或反應而製備第二聚合物。
具體說明通過本發明切片工藝用保護性塗層劑的製備方法中第二步骤而製備第三聚合物的方法，所述第二步骤可以包括第2-1步骤以及第2-2步骤。
在本發明的切片工藝用保護性塗層劑的製備方法的第2-1步骤，可以對已製備的第一聚合物與由所述化學式6表示的化合物進行混合與反應而製備第三中間聚合物，而製備的第三中間聚合物可以為由下面的化學式3表示的化合物。 [化學式3]
Figure 02_image115
在所述化學式3，R13 與R14 各自獨立地可以為C1~C10亞烷基，優選可以為C1~C5亞烷基。
還有，在所述化學式3，R15 可以為C1~C10烷基，優選可以為C1~C5烷基。
還有，在所述化學式3，R26 可以為
Figure 02_image104
，R25 可以為
Figure 02_image005
。
還有，在所述化學式3，R0 可以為
Figure 02_image007
，
Figure 02_image009
或
Figure 02_image011
，優選可以為
Figure 02_image007
，R9 ，R10 ，R11 以及R32 各自獨立地可以為氫或C1~C10烷基，優選可以為C1~C5烷基，R12 可以是C1~C10亞烷基，優選可以為C1~C5亞烷基。
還有，在所述化學式3，R1 可以為
Figure 02_image013
，
Figure 02_image015
或
Figure 02_image017
，優選可以為
Figure 02_image013
。
還有，在所述化學式3，R2 ，R3 ，R4 ，R5 ，R6 ，R7 以及R8 各自獨立地可以為C1~C15亞烷基，優選可以是C1~C10亞烷基，n，m以及l各自獨立地可以為1~50的有理數，優選可以為1~20的有理數。
還有，在所述化學式3，R20 可以為C1~C10亞烷基，
Figure 02_image019
或
Figure 02_image021
，優選可以為C1~C10亞烷基，更加優選可以為C1~C5亞烷基，R27 ，R28 ，R29 ，R30 以及R31 各自獨立地可以為C1~C10亞烷基，優選可以為C1~C5亞烷基，R21 ，R22 以及R23 各自獨立地可以為C1~C10烷基，優選可以為C1~C5烷基。
還有，在第2-1步骤製備第三中間聚合物時，對由化學式7表示的化合物100重量份，由所述化學式6表示的化合物可以占33~51重量份，優選可以占37~47重量份，更加優選可以占39~45重量份。由所述化學式6表示的化合物的含量少與33重量份時，硬化後塗層表面的均勻性會差，由所述化學式6表示的化合物的含量超過51重量份時，製備後會產生沉澱。
還有，在第二步骤製備第三中間聚合物時，可以在80℃~150℃的溫度下，優選在80℃~140℃的溫度下，以150~250rpm，優選以170rpm~230rpm進行60分鐘~120分鐘，優選75分鐘~105分鐘的混合和/或反應而製備第三中間聚合物。
在本發明的切片工藝用保護性塗層劑的製備方法的第2-2步骤中，可以對在第2-1步骤製備的第三中間聚合製與由所述化學式4表示的化合物進行混合與反應而製備第三聚合物，被製備的第三聚合物可以為由下面的化學式1-2表示的化合物。 [化學式1-2]
Figure 02_image001
在所述化學式1-2，R13 與R14 各自獨立地可以為C1~C10亞烷基，優選可以為C1~C5亞烷基。
還有，在所述化學式1-2，R15 可以為C1~C10烷基，優選可以為C1~C5烷基。
還有，在所述化學式1-2，R24 可以為
Figure 02_image003
，R25 可以為
Figure 02_image005
。
還有，在所述化學式1-2，R0 可以為
Figure 02_image007
，
Figure 02_image009
或
Figure 02_image011
，優選可以為
Figure 02_image007
，R9 ，R10 ，R11 以及R32 各自獨立地可以為氫或C1~C10烷基，優選可以為C1~C5烷基，R12 可以為C1~C10亞烷基，優選可以為C1~C5亞烷基。
還有，在所述化學式1-2，R1 可以為
Figure 02_image013
，
Figure 02_image015
或
Figure 02_image017
，優選可以為
Figure 02_image013
。
還有，在所述化學式1-2，R2 ，R3 ，R4 ，R5 ，R6 ，R7 以及R8 各自獨立地可以為C1~C15亞烷基，優選可以為C1~C10亞烷基，n，m以及l各自獨立地可以為1~50的有理數，優選可以為1~20的有理數。
還有，在所述化學式1-2，R16 可以為C1~C10烷基，優選可以為C1~C5烷基，R20 可以為C1~C10亞烷基，
Figure 02_image019
或
Figure 02_image021
，優選可以為C1~C10亞烷基，更加優選可以為C1~C5亞烷基，R27 ，R28 ，R29 ，R30 以及R31 各自獨立地可以為C1~C10亞烷基，R21 ，R22 以及R23 各自獨立地可以為C1~C10烷基，優選可以為C1~C5烷基。
還有，在第2-2步骤製備第三聚合物，對由化學式7表示的化合物100重量份，由化學式4表示的化合物可以占29~45重量份，由選可以占33~41重量份，更加優選可以占34~39重量份。由化學式4表示的化合物的含量少於29重量份時，硬化後還會留下黏性，由化學式4表示的化合物的含量超過45重量份時，硬化後塗層的厚度會變薄。
還有，在第2-2步骤中製備第三聚合物時，可以在70℃~110℃的溫度下，優選在80℃~110℃的溫度下，以150~250rpm， 優選以170~230rpm進行10分鐘~40分鐘，優選20分鐘~30分鐘的混合和/或反應而製備第三聚合物。
最後，切片工藝用保護性塗層劑的製備方法的第三步骤中，可以對 已製備的第二聚合物或第三聚合物與由下面的化學式2表示的化合物與水進行混合和反應而製備由下面的化學式10表示的化合物。 [化學式2]
Figure 02_image023
在所述化學式2，R17 ，R18 以及R19 各自獨立地可以為氫，芳基或C1~C10烷基，優選可以為C1~C5烷基。 [化學式10]
Figure 02_image026
在所述化學式10，R13 與R14 各自獨立地可以為C1~C10亞烷基，優選可以為C1~C5亞烷基，R15 可以為C1~C10烷基，優選可以為C1~C5烷基。
還有，在所述化學式10，R24 與R25 各自獨立地可以為
Figure 02_image003
或
Figure 02_image005
。
還有，在所述化學式10，R0 可以為
Figure 02_image007
，
Figure 02_image009
或
Figure 02_image011
，優選可以為
Figure 02_image007
，R9 ，R10 ，R11 以及R32 各自獨立地可以為氫或C1~C10烷基，優選可以為C1~C5烷基，R12 可以為C1~C10亞烷基，優選可以為C1~C5亞烷基。
還有，在所述化學式10，R1 可以為
Figure 02_image013
，
Figure 02_image015
或
Figure 02_image017
，優選可以為
Figure 02_image013
。
還有，在所述化學式10，R2 ，R3 ，R4 ，R5 ，R6 ，R7 以及R8 各自獨立地可以為C1~C15亞烷基，優選可以為C1~C10亞烷基，n，m以及l各自獨立地可以為1~50的有理數，優選可以為1~20的有理數。
還有，在所述化學式10，R16 可以為C1~C10烷基，優選可以為C1~C5烷基，R20 可以為C1~C10亞烷基，
Figure 02_image019
或
Figure 02_image021
，優選可以為C1~C10亞烷基，更加優選可以為C1~C5亞烷基，R27 ，R28 ，R29 。R30 以及R31 各自獨立地可以為C1~C10亞烷基，R21 ，R22 以及R23 各自獨立地可以為C1~C10烷基，優選可以為C1~C5烷基。
還有，在所述化學式10，A+ 可以為
Figure 02_image037
，R17 ，R18 以及R19 各自獨立地可以為氫，芳基或C1~C10烷基，優選可以為C1~C5烷基。
進一步具體說明切片工藝用保護性塗層劑的製備方法中的第三步骤，在通過對在第二步骤製備的第二聚合物與由所述化學式2表示的化合物與水進行混合和反應而製備的由下面的化學式10表示的化合物，R24 與R25 可以為
Figure 02_image003
， 在通過第二步骤製備的第三聚合物與由所述化學式2表示的化合物與水進行混合和反應而製備的由下面的化學式10表示的化合物，R24 可以為
Figure 02_image003
，R25 可以為
Figure 02_image005
。
還有，在第三步骤製備由所述化學式10表示的化合物時，對由化學式7表示的化合物100重量份，由化學式2表示的化合物可以占8~13重量份，優選可以占9~12重量份，更加優選可以占9.5~11重量份。由化學式2表示的化合物的含量少於8重量份時，在水分散作用上會有困難；由化學式2表示的化合物的含量超過11重量份時，由化學式2表示的化合物在去除塗層後也會殘留。
還有，在第三步骤製備由所述化學式10表示的化合物時，對由化學式7表示的化合物100重量份，水可以占533~800重量份，優選可以占600~733重量份，更加優選可以占632~700。水的含量少於533重量份時，黏性會太強；水的含量超過800重量份時，由化學式1表示的化合物含量會大幅降低而塗層厚度會變薄。
還有，在第四步骤，可以通過對由所述化學式2表示的化合物與水在10℃~50℃的溫度下，優選在15℃~30℃的溫度下，以400rpm至700rpm，優選以500rpm至600rpm，進行10分鐘至120分鐘，優選10分鐘至60分鐘的混合而製備混合物。對製備的混合物在10℃~50℃的溫度下，優選在15℃至30℃的溫度下，以400rpm至700rpm，優選以500rpm至600rpm，與第二聚合物或第三聚合物進行1小時至5小時，優選1小時至2小時的混合和反應而製備由所述化學式10表示的化合物。
在本發明的切片工藝用保護性塗層劑的製造方法，極性有機溶劑，表面調節用添加劑，流動性調整劑，附著促進劑以及水可以與已製備的由化學式10表示的化合物混合。
作為一個例子，如此製備的切片工藝用保護性塗層劑可以適用於如下的晶圓片加工工藝。
晶圓片加工工藝可以包括第一工序，其在晶圓片表面用所述本發明的保護性塗層劑進行塗層；第二工序，其在引上裝置上配置所述晶圓片；第三工序，其對所述晶圓片進行切削工藝(dicing)；第四工序，從切片工藝中被切削的部品中僅選別良品而排列良品；第五工序，其從所述被選別的良品中剝離本發明的切片工藝用保護性塗層劑；以及第六工序，其對所述切片工藝用保護性塗層劑被剝離後的良品進行檢查。
所述第一工序可以在0℃~50℃的溫度下進行1秒~60秒，優選可以在15℃~35℃溫度下進行20秒~50秒。
本發明的切片工藝用塗層劑的适用範圍不局限於半導體製備工藝，也可以較佳使用於玻璃製備工藝，在其製備工藝中會發生由表面的刮痕造成的損傷或因雜質造成的污染。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然而其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的基本特性的範圍之內，當可做些許的更動與潤飾。比如說，在本發明的實施例中具體解樓的各種構成要素可以變形實施的。與這些更動與潤飾有關的區別都應解釋為包括於本發明後附的申請專利範圍所限定的範圍。實施例 1 ：製備切片工藝用保護性塗層劑
(1) 在反應器內投入了由下面的化學式7-1表示的化合物，由下面的化學式8-1表示的化合物，由下面的化學式9-1表示的化合物以及NMP(N-methlpyrrolidone)後，加熱反應器而將反應器內部的溫度調節為100℃。然後，以200rpm的攪拌速度進行兩個小時的混合與聚合反應而製備了第一聚合物。
這時，對由下面的化學式7-1表示的化合物100重量份，使用了由下面的化學式8-1表示的化合物126.7重量份，由下面的化學式9-1表示的化合物14.8重量份以及 NMP(N-methlpyrrolidone)50.5重量份。 [化學式7-1]
Figure 02_image039
在所述化學式7-1，R1 為
Figure 02_image013
，R2 為–CH2 CH2 CH2 CH2 CH2 CH2 CH2 -，R3 為–CH2 CH2 CH2 CH2 CH2 CH2 CH2 CH2 ，n為7。 [化學式8-1]
Figure 02_image044
在所述化學式8-1，R0 為
Figure 02_image007
，R9 ，R10 以及R11 為甲基，R12 為亞甲基。 [化學式9-1]
Figure 02_image047
在所述化學式9-1，R13 與R14 為亞甲基，R15 為乙烷基。
(2) 在已製備的第一聚合物中投入了由下面的化學式6-1表示的化合物，並在90℃的溫度下以200rpm的攪拌速度進行90分鐘的混合與反應而製備了第三中間聚合物。
這時，對由所述化學式7-1表示的化合物100重量份，使用了由下面的化學式6-1表示的化合物42重量份。 [化學式6-1]
Figure 02_image049
在所述化學式6-1，R20 為–CH2 CH2 CH2 -，R21 ，R22 以及R23 為甲基。
(3) 在90℃的溫度下，在已製備的第三中間聚合物中投入了由下面的化學式4-1表示的化合物，並以200rpm的攪拌速度進行25分鐘的混合與反應而製備了第三聚合物。
這時，對由所述化學式7-1表示的化合物100重量份，使用了由下面的化學式4-1表示的化合物36.8重量份。 [化學式4-1]
Figure 02_image052
在所述化學式4-1，R16 為乙烷基。
(4) 對由下面的化學式2-1表示的化合物與水在25℃的溫度下，以550rpm的攪拌速度進行1個小時的混合而製備了混合物。在已製備的第三聚合物投入了所述混合物，在25℃的溫度下，以550rpm的攪拌速度進行1個小時的混合與反應而製備了由下面的化學式10-1表示的化合物。
這時，對由所述化學式7-1表示的化合物100重量份，使用了由下面的化學式2-1表示的化合物10.1重量份以及水666.3重量份。 [化學式2-1]
Figure 02_image023
在所述化學式2-1，R17 ，R18 以及R19 為乙烷基。 [化學式10-1]
Figure 02_image026
在所述化學式10-1，R13 與R14 為亞甲基，R15 為乙烷基，R24 為
Figure 02_image003
，R25 為
Figure 02_image005
，R0 為
Figure 02_image007
，R9 ，R10 以及R11 為甲基，R12 為亞甲基，R1 為
Figure 02_image013
，R2 為–CH2 CH2 CH2 CH2 CH2 CH2 CH2 -，R3 為–CH2 CH2 CH2 CH2 CH2 CH2 CH2 CH2 -，n為7，R16 為乙烷基。，R20 為–CH2CH2CH2-，R21 ，R22 以及R23 為甲基，A+ 為
Figure 02_image037
，R17 ，R18 以及R19 為乙烷基。實施例 2~13 ：製備切片工藝用保護性塗層劑
根據與實施例1相同的方法製備了切片工藝用保護性塗層劑。但是，如下面的表1中所記載的，變更所使用的化合物的量而製備了切片工藝用保護性塗層劑。 [表1]
Figure 108102048-A0304-0001
 實施例 14 ： 製備切片工藝用保護性塗層劑
(1) 在反應器內投入了由下面的化學式7-1表示的化合物，由下面的化學式8-1表示的化合物，由下面的化學式9-1表示的化合物以及NMP(N-methlpyrrolidone)後，加熱反應器而將反應器內部的溫度調節為100℃。然後，以200rpm的攪拌速度進行2個小時的混合與聚合反應而製備了第一聚合物。
這時，對由下面的化學式7-1表示的化合物100重量份，使用了由下面的化學式8-1表示的化合物126.7重量份，由下面的化學式9-1表示的化合物14.8重量份以及NMP(N-methlpyrrolidone)50.5重量份。 [化學式7-1]
Figure 02_image039
在所述化學式7-1，R1 為
Figure 02_image013
，R2 為–CH2 CH2 CH2 CH2 CH2 CH2 CH2 CH2 -，R3 為–CH2 CH2 CH2 CH2 CH2 CH2 CH2 -，n為9。 [化學式8-1]
Figure 02_image044
在所述化學式8-1，R0 為
Figure 02_image007
，R9 ，R10 以及R11 為甲基，R12 為亞甲基。 [化學式9-1]
Figure 02_image047
在所述化學式9-1，R13 與R14 為亞甲基，R15 為乙烷基。
(2) 在90℃的溫度下，在已製備的第一聚合物中投入了由下面的化學式4-1表示的化合物，並以200rpm的攪拌速度進行25分鐘的混合與反應而製備了第二聚合物。
這時，對由所述化學式7-1表示的化合物100重量份，使用了由下面的化學式4-1表示的化合物36.8重量份。 [化學式4-1]
Figure 02_image052
在所述化學式4-1，R16 為乙烷基。
(3) 對由下面的化學式2-1表示的化合物與水在25℃的溫度下以550RPM的攪拌速度進行一個小時的混合而製備了混合物。在已製備的第二聚合物中投入所述混合物並在25℃的溫度下以550RPM的攪拌速度進行一個小時的混合與反應而製備了由下面的化學式10-2表示的化合物。
這時，對由所述化學式7-1表示的化合物100重量份，使用了由下面的化學式2-1表示的化合物10.1重量份和水666.3重量份。 [化學式2-1]
Figure 02_image023
在所述化學式2-1，R17 ，R18 以及R19 為乙烷基。 [化學式10-2]
Figure 02_image026
在化學式10-2，R13 與R14 為甲基，R15 為乙烷基，R24 以及R25 為
Figure 02_image003
，R0 為
Figure 02_image007
，R9 ， R10 以及R11 為甲基，R12 為亞甲基，R1 為
Figure 02_image013
，R2 為–CH2 CH2 CH2 CH2 CH2 CH2 CH2 CH2 -，R3 為–CH2 CH2 CH2 CH2 CH2 CH2 CH2 -，n為9，R16 為乙烷基，R20 為–CH2 CH2 CH2 -，R21 ，R22 以及R23 為甲基，A+ 為
Figure 02_image037
，R17 ，R18 以及R19 為乙烷基。製備例 1~13
對在實施例1-13製備的由化學式10-1表示的化合物100重量份，投入了作為極性有機溶劑的異丙醇10重量份，表面調節用添加劑(BYK社，BYK-333)0.1重量，流動性調整劑(PROTEX international社，PROX A 300)0.5重量份，附著促進劑(BYK社，BYK-4509)0.4重量份以及水30重量份。然後，在25℃的溫度下以500RPM的攪拌速度進行60分鐘的混合而製備了用於切片工藝的保護性塗層劑。製備例 14
對在實施例14製備的由化學式10-2表示的化合物100重量份，投入了作為極性有機溶劑的四氫糠醇30重量份，表面調節用添加劑(BYK社，BYK-331)0.5重量份，流動性調整劑(PROTEX international社，PROX AM 162 S)0.5重量份，附著促進劑(BYK社，BYK-4500)1重量份以及水40重量份。然後，在25℃的溫度下以500RPM的攪拌速度進行60分鐘的混合而製備了用於切片工藝的保護性塗層劑。實驗例 1
使用在製備例1~14製備的切片工藝用保護性塗層劑對晶圓片實施了旋塗。然後，在120℃的溫度下進行了一個小時的熱硬化。對此，測定如下的物性並在表2中顯示了所述測定結果。 (1) 鉛筆硬度
將用於測定鉛筆硬度的鉛筆以45°的角度***在鉛筆硬度測定器(CORE TECH)並施加著對被熱硬化的塗層一定的荷重的同時，推著所述鉛筆進行了鉛筆硬度測定。使用的鉛筆是由Mitsubishi社製造的鉛筆，其為表示H至9H，F，HB，B至6B硬度的鉛筆。 (2) 黏附力
根據ASTM D 3359，在被硬化的塗層上用切割器(cutter)形成格子形狀的凹槽後，並在其上堅固地粘附3M膠帶後，用一定的力將膠帶數次剝離並觀察了塗層與基材(晶圓片)之間的貼緊的程度。這時，在塗層的表面上以1mm間隔形成11X11的十字形狀口子並形成100個正方形，在其上附著所述膠帶(3M 膠帶)後急劇地拉下去而對其表面進行了評價。這時，剩下的方眼為100個時以5B表示，95個以上以4B表示85個以上以3B表示，65個以上以2B表示，35個以上以1B，其以下以0B表示。 3. 抗磨性(%)
為了測定塗層膜的抗磨性，用Taber Type Abrasion Tester(QM600T, Qmesys)對各塗層膜施加500g的荷重並以70rpm的速度進行從50次到300次的磨損。然後，將UV-Visible Spectrometer(UV-2450, Shimadzu)使用在600nm波長領域測定透過率而評價抗磨性。塗層膜的抗磨性程度是通過如下定義脫過率損失%(Transmittance Loss%)而決定的，脫過率損失%越大，是了的抗磨性越不佳。 Transmittance Loss % = 100(B-A) / B A = 測定試料的抗磨性後在600nm 波長的透過率(%) B = 測定試料的抗磨性前在600nm波長的透過率(%) [表2]
Figure 108102048-A0304-0002
如所述表2中的記載，在製備例1與14中被製備的切片工藝用保護性塗層劑不但具有優秀的鉛筆硬度與黏附力，而且其透過率損失也更低(更佳的抗磨性)。
還有，在製備例1-3中被製備的切片工藝用保護性塗層劑比在製備例4~5中被製備的切片工藝用保護性塗層劑具有更加優秀的鉛筆硬度與黏附力，還具有更低的透過率損失。
還有，在製備例1，6~7中被製備的切片工藝用保護性塗層劑比在製備例8~9中被製備的切片工藝用保護性塗層劑具有更加優秀的鉛筆硬度與黏附力，也具有更低的透過率損失。
還有，在製備例1，10~11中被製備的切片工藝用保護性塗層劑比在製備例12~13中被製備的切片工藝用保護性塗層劑具有更高的鉛筆硬度與黏附力，還有更低的脫過率損失。
具有本領域的通常知識者可以容易實施對本發明的簡單更動或潤飾，而所述更動或潤飾都可以解釋為包括於本發明所屬的領域。

Claims (6)

  1. 一種切片工藝用保護性塗層劑，其被塗布在晶圓片表面上，其中所述保護性塗層劑包括由以下的化學式10表示的化合物，以及以100重量份的由所述化學式10表示的化合物計，所述保護性塗層劑包括極性有機溶劑8~500重量份、表面調節用添加劑0.08~100重量份、流動性調整劑0.4~200重量份以及附著促進劑0.32~250重量份：
    Figure 108102048-A0305-02-0053-1
     在化學式10中，R13與R14各自獨立地為C1~C10亞烷基，R15為C1~C10烷基，R24與R25各自獨立地為
    Figure 108102048-A0305-02-0053-2
    或
    Figure 108102048-A0305-02-0053-3
    ， R0為
    Figure 108102048-A0305-02-0053-4
    、
    Figure 108102048-A0305-02-0053-5
    或
    Figure 108102048-A0305-02-0053-6
    ，R9、R10、 R11以及R32各自獨立地為氫或C1~C10烷基，R12為C1~C10亞烷基，R1為
    Figure 108102048-A0305-02-0054-7
    、
    Figure 108102048-A0305-02-0054-8
    或
    Figure 108102048-A0305-02-0054-9
    ，R2、R3、R4、R5、R6、R7以及R8各自獨立地為C1~C15亞烷基，n、m以及l各自獨立地為1~50的有理數，R16為C1~C10烷基，R20為C1~C10亞烷基、
    Figure 108102048-A0305-02-0054-10
    或
    Figure 108102048-A0305-02-0054-11
    ，R27、R28、R29、R30以及R31各自獨立地為C1~C10亞烷基，R21、R22以及R23各自獨立地為C1~C10烷基，A+為
    Figure 108102048-A0305-02-0054-12
    ，R17、R18以及R19各自獨立地為氫、芳基或C1~C10烷基。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的切片工藝用保護性塗層劑，其中所述保護性塗層劑具有2H-5H的鉛筆硬度，2B~5B的黏附力以及8~35%的抗磨性(wear resistance)。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的切片工藝用保護性塗層劑，其中，由所述化學式10表示的化合物的R24與R25為
    Figure 108102048-A0305-02-0055-13
    。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的切片工藝用保護性塗層劑，其中，由所述化學式10表示的化合物的R24為
    Figure 108102048-A0305-02-0055-14
    ，R25為
    Figure 108102048-A0305-02-0055-16
    。
  5. 一種晶圓片切片製程，其包括：第一工序，其在所述晶圓片表面上塗布在第1項至第4項中任何一項所述的切片工藝用保護性塗層劑；第二工序，其將所述晶圓片配置於引上裝置；以及第三工序，其將所述晶圓片切片(dicing)。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的晶圓片切片製程，其中，所述第一工序在0~50℃下進行1~60秒。
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