TWI710016B - 繞射光柵之製造 - Google Patents

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Abstract

本文論述的系統與方法用於繞射光柵之製造，諸如使用在波導組合器中的那些光柵。使用高指數與低指數材料的奈米壓模微影術(NIL)結合高指數與低指數材料的定向蝕刻製造本文論述的波導組合器。波導組合器可藉由透明基板的定向蝕刻而額外地或替代地形成。包括本文論述的繞射光柵之波導組合器可直接地形成在永久透明基板上。在其他實例中，繞射光柵可形成在臨時基板上並轉移至永久、透明基板。

Description

繞射光柵之製造
本發明的實施例大體上關於光學元件結構及製造諸如使用在各種類型波導的那些光學元件結構的系統與方法。
波導為引導電磁波或聲波的結構，藉由將訊號的擴展約束一維度或二維度，使訊號能夠以最小能量損失而傳播。波在三維度中傳播，而當波從產生波(諸如聲波或電磁波)的來源傳播離開時，波會損失功率。藉由侷限波，使得波在一維度或二維度中傳播，保存波的功率。波導因此維持當波傳播時之波的功率。
波導組合器用於組合諸如RF訊號的訊號，藉由接受多個輸入訊號並產生輸入訊號的組合之單一輸出訊號。由於對於波導的要求增加，例如，在光纖應用、雷達應用、科學儀器、及擴增實境中，對於波導的要求增加，而現行技術涉及製造主型樣與進行壓印複製以形成光柵，所以僅有可壓印的材料能用於波導製造。
因此，仍有著對於改良的波導製造之系統與方法的需求。
本文論述的系統與方法關於形成光柵的方法。在一實例中，一種圖案化基板的方法包括在基板的第一側上形成硬遮層，其中基板由透明材料所形成並藉由沿著基板的寬度的法平面所限定；及藉由奈米壓模微影術在硬遮罩層上形成圖案化層。在此實例中，此方法進一步包括蝕刻圖案化層與硬遮罩層以暴露基板的第一側；移除圖案化層；及蝕刻基板的第一側以在基板的第一側中形成第一複數個傾斜台面。第一複數個傾斜台面的每一個傾斜台面以相對於法平面從20度至70度的角度被蝕刻。進一步在此方法中，在蝕刻基板的第一側之後，移除硬遮罩層。
在另一實例中，一種形成光柵的方法包括：在目標堆疊上形成硬遮罩層，其中目標堆疊形成在第一基板的第一側上；在硬遮罩層中蝕刻複數個開口；及蝕刻目標堆疊以在第一基板的第一側上的目標堆疊中形成第一複數個傾斜台面。第一複數個傾斜台面的每一個傾斜台面以相對於法平面從20度至70度的第一角度被蝕刻。
在另一實例中，一種形成光柵的方法包括：在目標堆疊上形成硬遮罩層，其中目標堆疊形成在第一基板的第一側上；在硬遮罩層中蝕刻複數個開口；及蝕刻目標堆疊以在第一基板的第一側上的目標堆疊中形成第一複數個傾斜台面。複數個傾斜台面的每一個傾斜台面以相對於法平面從20度至70度的角度被蝕刻。此方法進一步包括在第一基板的第二側上形成硬遮罩層，其中藉由沿著基板的寬度的法平面限定第一基板；及藉由奈米壓模微影術在硬遮罩層上形成圖案化層。
本文論述的系統與方法可包括用於波導的繞射光柵的大量生產。藉由原件(mastering)與複製的處理製造擴增實境表面浮雕波導組合器。目前，這些波導組合器僅以數千的數量而生產，然而未來計劃量為數千萬或更大。現行製造處理中的挑戰包括所複製形狀的再現性，尤其是在大量生產中，包括關於奈米壓模微影術(NIL)處理中的產率的關係。進一步的挑戰包括在高角度光柵的NIL壓印之後的釋放，由於光柵可以相對於法平面成45度或更大的角度而形成。
如本文所論述，具有低折射率的材料，「低指數」材料，可包括二氧化矽(SiO2 )、摻雜SiO2 、氟化聚合物、或多孔材料。具有高折射率的材料，「高指數」材料，可包括非晶與結晶Si、氮化矽(SiN)、二氧化鈦(TiO2 )、磷化鎵(GaP)、五氧化二鉭(Ta2 O5 )、或硫化(sulfur-inated)材料與聚合物。
本文論述的是使用直接蝕刻與NIL製造波導裝置的系統與方法。包括波導組合器的波導裝置包括形成在低指數材料、高指數材料、或低指數與高指數材料的組合中的複數個繞射光柵，及形成在諸如聚合物或玻璃的光學透明基板中的複數個光柵。如本文論述，「透明」基板是在意欲操作波導組合器的預定波長範圍中為光學透明的基板。如本文論述，繞射光柵可指稱為「光柵」或「多個光柵」並可包括複數個傾斜台面，複數個傾斜台面也可稱為齒或鰭，及形成在相鄰傾斜台面之間的複數個凹槽。在某些實例中，光柵的凹槽不含有填充材料，而在其他實例中，光柵的凹槽以各種材料填充。在一實例中，光柵的台面可由低指數材料所形成，而光柵的凹槽以高指數材料填充。在另一實例中，光柵的傾斜台面可由高指數材料所形成，而光柵的凹槽以低指數材料填充。光柵內的傾斜台面與凹槽在寬度、長度、間隔、或相對於基板的法平面的角度的一者或多者中可為一致的。在另一實例中，光柵的傾斜台面與凹槽在寬度、長度、間隔、或相對於基板的法平面的角度的一者或多者中可為不同的。
如本文之各種實施例中論述，NIL可與直接蝕刻一起使用以製造波導組合器。在某些實例中，使用雙側處理方法以製造波導組合器。此雙側處理方法包括藉由在透明基板上使用NIL在由低指數或高指數材料的至少一者所形成的目標堆疊中形成第一光柵，及在相同基板的其他側上使用直接蝕刻形成第二光柵。直接蝕刻中的一種挑戰為在玻璃基板上執行微影術。例如，由於微影術掃描器參數，習知的微影術處理可設置以接受具有最大厚度為775 µm的基板。現行的波導組合器製造使用玻璃基板，具有取決於設計的厚度，但通常為0.5 mm或0.8 mm厚，其相較於微影術掃描器所設置以處理的厚度明顯地更薄。
在一實施例中，在可由矽所形成的臨時基板上使用NIL與直接蝕刻來形成光柵。此光柵接著從臨時基板脫膠並傳送至可包括玻璃的第二透明基板。在另一實施例中，在已經安置在玻璃或其他透明基板上的目標層上經由NIL與直接蝕刻來形成光柵。也可在透明基板中使用NIL與直接蝕刻來形成光柵。使用本文論述的系統與方法來形成高角度光柵，角度可在從平行於基板的法平面自20度至70度的範圍。本文論述的波導與波導組合器藉由裝置的直接蝕刻結合NIL來形成，並可使用臨時或永久接合來製造。
在其他實例中，具有廣範圍的工作週期 (DC) (即，台面寬度對於台面間距的比率)的波導設計是所期望的。由於壓印材料收縮，以NIL製造此範圍的工作週期會是挑戰性的。然而，在某些實施例中，藉由壓印低指數及低工作週期光柵，然後以高指數材料填充此低工作週期光柵以形成具有高工作週期與高指數光柵來克服此挑戰。
圖1是直接在透明基板上形成光柵結構的方法100的流程圖。圖2A–2F是方法100的操作的部分示意繪圖。在下方一同參照圖1與圖2A-2F。
在方法100的操作102，並如圖2A中的結構200A所示，目標堆疊204形成在基板202上。可由諸如玻璃或聚合物基板(可從0.5 mm至0.8 mm)的透明基板形成基板202。在操作104，如圖2A所示，硬遮罩層206形成在目標堆疊204上方。目標堆疊204可由SiN、TiO2 、GaP、或其他高指數材料所製造，並在操作102藉由CVD、PVD、旋塗、或其他合適方法來沉積。在一實施例中，目標堆疊204的厚度可從100nm至500nm，取決於用於完成的波導組合器裝置的指數與光學波長。硬遮罩層206可在操作104藉由CVD、PVD、ALD或其他薄膜沉積處理沉積的TiN、TaN、Cr、或其他抗蝕刻材料來製造。硬遮罩層206可在操作104形成為從約10 nm至約50nm的厚度。在其他實例中，可利用小於25 nm厚的硬遮罩層206以減少或避免在後續蝕刻操作的遮蔽。
在方法100的操作106，並如圖2B中結構200B所示，圖案層208使用NIL形成在硬遮罩層206上。圖案層208由可壓印阻劑材料所形成。圖案層由複數個***特徵210所形成。複數個間隙212形成在相鄰對的***特徵210之間。複數個間隙212的每一間隙具有圖案層208的底部殘留層214。在一實施例中於操作106，執行硬遮罩的NIL，具有在***特徵210的每一者與基板202之間的角度δ。角度δ可大於90度，其可降低成本並促進在如本文論述的定向蝕刻期間之後續特徵的形成。
隨後，在操作108，並如圖2C中結構200C所示，硬遮罩層206與圖案層208的一部分經由蝕刻而移除。因此，各間隙212的底部216使目標堆疊204暴露且形成複數個硬遮罩台面218。在方法100的操作110，如圖2D中結構200D所示，移除圖案層208，暴露複數個硬遮罩台面218。在操作112，如圖2E中結構200E所示，蝕刻目標堆疊204以形成複數個傾斜台面222與傾斜台面222之間中的複數個凹槽220，操作112的蝕刻暴露基板202。複數個傾斜台面222可在從基板202的法平面224的角度α形成。操作112的蝕刻可稱為定向蝕刻。角度α可從20度至70度。
在操作114，如圖2F中結構200F所示，移除硬遮罩層206的殘留部分，留下複數個傾斜台面222與形成至深度226的複數個凹槽220。在一實例中，藉由將保持在平台上的基板202的第一部分定位在蝕刻腔室中之離子束的一路徑中，執行本文論述的定向蝕刻。離子束可為帶狀束、點束、或從第一邊緣至平行於第一邊緣的第二邊緣之延伸跨越基板的完全基板尺寸束。離子束設置以接觸目標材料(諸如目標堆疊204)的頂表面以形成包括傾斜台面222的第一光柵。離子束角度可從0至90(即，任何期望角度)，但離子束通常設定在相對於基板202的法平面的期望蝕刻角度(例如，20至70度)，使得離子束以期望的最大角度攻擊目標堆疊204。為了獲得帶有相較於由離子束方向所設定的最大角度之較小角度的蝕刻，保持在平台上的基板202可繞著平台的軸旋轉至預定旋轉角度。此旋轉致使離子束以不同角度接觸目標堆疊204的頂表面，以形成第二光柵或其他後續光柵。可計算基板旋轉量，例如所使用的預定旋轉角度，以產生期望的精確光柵蝕刻角度。
在替代實施例中，可藉由調整橫跨本文論述的各種光柵的硬遮罩厚度來控制操作112的定向蝕刻(例如，控制蝕刻深度、蝕刻角度、及蝕刻速率)。可藉由硬遮罩的蝕刻及/或NIL達成硬遮罩厚度調整，在某些實例中，NIL會是更有成本效益的。在此實例中，當執行操作112的定向蝕刻時，複數個凹槽220的最終深度，如圖2F的226所示，可取決於在光柵上不同位置處的硬遮罩層206的厚度(藉由在操作106的NIL所形成)而變化。
圖3是直接在透明基板上形成光柵結構的方法300的流程圖。圖4A–4E是方法300的部分示意繪圖。在下方一同論述圖3與圖4A-4E。
在方法300的操作302，目標堆疊404形成在基板402上，如圖4A中結構400A所示。結構402是透明的且可由聚合物、玻璃、陶瓷、或其他光學透明材料形成。經由化學氣相沉積(CVD)形成目標堆疊404至從100 nm至500 nm的厚度。在替代實施例中，可使用PVD、旋塗、或ALD以形成目標堆疊404。在操作304，經由NIL在目標堆疊404上形成硬遮罩406，如圖4B中結構400B所示。硬遮罩406形成為特徵408的層及在相鄰特徵408之間中的間隙410。各間隙410的底部412具有形成在其上的硬遮罩406。硬遮罩406可由金屬或金屬氧化物或金屬氮化物(包括TiN或TaN)或碳所製造，或可由其他抗蝕刻奈米可壓印材料所製造。在操作306，如圖4C中結構400C所示，各間隙410中的硬遮罩406的底部層412經由蝕刻而移除，以暴露目標堆疊404。在操作308，圖4D中結構400D所示，蝕刻目標堆疊404以形成複數個傾斜台面414。複數個傾斜台面414可形成為從基板402的法平面418為角度α。角度α可從20度至70度。儘管顯示在圖4D中複數個傾斜台面414的每一者具有類似寬度420，在其他實例中，傾斜台面414之中與之間的寬度與其他尺寸(包括角度α)可變動。可藉由使用設置以在相對於目標堆疊404成一角度引導蝕刻劑的工具之定向蝕刻形成傾斜台面414。在操作310，移除硬遮罩406，如圖4E中結構400E所示。相比於在第一操作中沉積硬遮罩然後在第二操作中圖案化硬遮罩之本文論述的方法，當會期望在操作304中形成硬遮罩406時可使用方法300。
圖5是根據本發明的實施例之將光柵結構從第一基板傳送到第二基板的方法500。圖6A–6E是方法500的部分示意繪圖。在下方一同論述圖5與圖6A-6E。
圖6A繪示類似於根據上述之圖1與3中方法100與300所製造的結構之製造的結構。然而，代替如上述的形成在透明基板上，圖6A顯示形成在包含矽的第一基板602上的包括光柵606的結構600A。藉由在第一基板602與光柵606之間中以CVD成長二氧化矽的薄層或旋塗薄黏膠而形成脫膠層604。光柵606包括複數個傾斜台面608與在每一對的相鄰傾斜台面608之間中的複數個凹槽610。第一基板602可由矽所形成。在可與本文的其他實例結合的另一實例中，光柵606可由高指數材料形成，而脫膠層604可由熱反應黏膠或SiO2 層形成。在方法500的操作502，在處理腔室中得到圖6A的結構。在操作504，填充層612沉積在光柵606的凹槽610中與傾斜台面608上方，如圖6B中結構600B所示。在某些實例中，在操作504期間，填充層612形成傾斜台面608的頂部上的層614。在操作506經由機械手段、化學手段、或前述兩者的結合而移除低指數材料的此層614，如圖6C中結構600C所示。在操作508，如圖6D中結構600D所示，結構600D在與第一基板602被接合處的相對側上接合至玻璃基板618。在操作510，圖6E中結構600E所示，經由熱手段移除第一基板602，使得脫膠層604從光柵606釋放，或藉由研磨與拋光掉矽晶圓以停止在SiO2 上。
圖7是根據本發明的實施例之將光柵結構從第一基板傳送到第二基板的方法700。圖8A–8E是方法700的部分示意繪圖。在下方一同參照圖7與圖8A-8E。
圖8A繪示類似於根據上述之圖1與3中方法100與300所製造的結構之製造的結構800A。然而，代替如上述的形成在透明基板上，圖8A顯示形成在第一基板802上的光柵806。在一實例中，第一基板802由矽形成。脫膠層804形成在第一基板802與光柵806之間中。光柵806包含複數個傾斜台面808與在傾斜台面808之間中的複數個凹槽810。在一實例中，第一基板802可由矽所形成。在可與本文的其他實例結合的另一實例中，光柵806可由低指數材料形成。脫膠層804可由熱反應黏膠形成。在方法700的操作702，在處理腔室中得到圖8A的結構。在操作704，填充層812沉積在光柵806的凹槽810中與傾斜台面608上方，如圖8B中結構800B所示。在某些實例中，在操作704期間，填充層812包括在傾斜台面808的頂部上的層814。在操作706經由機械手段、化學手段、或前述兩者的結合而移除高指數材料的此層814，如圖8C中結構800C所示。在操作708，如圖8D中結構800D所示，經由熱手段移除第一基板802，使得脫膠層804從光柵806釋放。在操作710，如圖8E中結構800E所示，圖8D的結構800D在與第一基板802被接合處的相對側上接合至玻璃基板818。
圖9是直接在透明基板中蝕刻光柵結構的方法900。圖10A–10F是方法900的部分示意繪圖。在下方一同參照圖9與圖10A-10F。
在方法900中，在操作902，如圖10A中結構1000A所示，硬遮罩1004形成在透明基板1002上。透明基板1002可由玻璃、聚合物、或光學透明的其他材料形成。硬遮罩1004可由TiN、TaN、Cr、或其他抗蝕刻材料形成，且在操作902經由CVD、PVD、ALD、或其他方法形成至從10 nm至50 nm的厚度。在操作904，如圖10B的結構1000B所示，藉由NIL形成圖案以創造層1006。層1006形成為複數個台面1010及凹槽1012。各凹槽1012的底部1008由層1006的材料的殘留層所形成。層1006可為低指數材料或高指數材料，取決於實施例。在操作906，層1006與硬遮罩1004一同被蝕刻以形成圖10C所示的結構1000C。在操作906蝕刻層1006與硬遮罩1004暴露在凹槽1012的底部1014處的透明基板1002。在操作908，如圖10D中結構1000D所示，移除層1006，留下複數個硬遮罩島1016。在操作910，如圖10E中結構1000E所示，蝕刻透明基板1002以形成複數個傾斜台面1022，具有形成在各相鄰對的傾斜台面1022之間中的複數個凹槽1018。複數個傾斜台面1022的每個傾斜台面1022為從法平面1024成角度α。各凹槽1018的底部1020是基板材料。在操作912，圖10F所示，移除硬遮罩1004，移除硬遮罩島1016，留下透明基板1002的結構1000F。
圖11A–11C是根據本發明的實施例之用於製造波導組合器的方法的流程圖。
圖11A顯示根據本發明的實施例之形成可用於波導組合器中的繞射光柵的方法1100A。在操作1102，圖案化目標層形成在黏附至可由矽(Si)所形成的第一基板之脫膠層上。操作1102可包括分別在圖5或圖7中方法500或方法700的某些部分，圖5或圖7中方法500或方法700的每一者在Si基板上形成圖案，使基板脫膠，及黏附玻璃、塑膠、或其他光學透明材料的透明基板。操作1102包括圖案化目標層的傳送，圖案化目標層可由高指數材料與低指數材料的組合所形成，取決於實施例。在一實例中，操作1102包括將圖案化目標層傳送至透明基板的第一側。在操作1104，圖案化透明基板的第二側，例如根據圖9中方法900，以在操作1106形成波導組合器。
圖11B顯示根據本發明的實施例之形成可用於波導組合器的一或多個繞射光柵的方法1100B。在操作1108，圖案化目標層形成在透明基板上，類似於圖1與圖3中方法100與300中所述的。在操作1110，例如按照圖9中的方法900，圖案化透明基板的第二側，以在操作1112形成波導組合器。
圖11C顯示根據本發明的實施例之形成可用於波導組合器的一或多個繞射光柵的方法1100C。在操作1114，圖案化層形成在可由玻璃或聚合物形成的透明基板的第一側中，可按照圖9中方法900來執行操作1114。在操作1116，按照圖1與圖3中所示方法100或300在透明基板的第二側上形成圖案化目標層，以在操作1118形成波導組合器。
圖12是透過圖11A-11C的方法製造的波導組合器結構1200的部分示意繪圖。圖12顯示根據本發明的實施例(分別包括圖1、3、5及7中的方法100、300、500及700)所形成的包含透明基板1202與第一光柵結構1204的波導組合器結構1200。第一光柵結構1204顯示在圖12之實例中，包含傾斜台面1208，傾斜台面1208的每一者以相對於法平面1228為角度α而形成。角度α可從20度至70度。各傾斜台面1208可由低指數材料或高指數材料所形成，取決於實施例。儘管複數個凹槽1210顯示在圖12中每一對相鄰傾斜台面1208之間中為不包含材料，在替代實施例中，凹槽1210以低指數材料或高指數材料所填充。若傾斜台面1208由低指數材料形成，凹槽1210可以高指數材料填充，及，若傾斜台面1208由高指數材料形成，凹槽1210可以低指數材料填充。各傾斜台面1208具有寬度1212、長度1214、及相鄰傾斜台面1218之間的間隔1216。各寬度1212、長度1214、及間隔1216顯示在實例波導組合器結構1200中為實質上相同的，在角度α下。然而，在其他實例中，這些尺寸的一或多者可在單獨傾斜台面1208之中或之間改變，或在群組(行、列、或前述的組合)之中或之間改變。
波導組合器結構1200進一步包括形成在透明基板1202中包含複數個傾斜台面1218的第二光柵結構1206。複數個凹槽1220形成在各相鄰對的傾斜台面1218之間中，而傾斜台面1218以相對於法平面1228為角度β而形成。角度β可小於或等於約45度。各傾斜台面1218形成離相鄰傾斜台面1218為距離1222，且具有寬度1226與長度1224。傾斜台面1218之間中的距離1222及寬度1226和長度1224顯示為在傾斜台面1218之中與之間實質上相同的。然而，在替代實施例中，這些尺寸的一或多者可在單獨傾斜台面1218之中或之間改變，或在群組(行、列、或前述的組合)之中或之間改變。
因此，使用本文論述的用於波導與波導組合器的系統與方法，製造具有廣範圍的工作週期(DC)(即，台面寬度對於台面間距的比率)的波導與波導組合器。在一實例中，藉由壓印低指數及低工作週期光柵來克服壓印材料的收縮的挑戰。壓印的結構接著以高指數材料填充以形成具有高工作週期與高指數光柵的光柵。本文論述的繞射光柵形成的實例可與本文其他實例結合以形成包括在波導與波導組合器中的繞射光柵。
雖然已在本文中詳細顯示與敘述包括本發明的教示之各種實施例，本領域的熟習技藝者可輕易地構想出仍包括這些教示的許多其他變化實施例。
100‧‧‧方法 102、104、106、108、110、112、114‧‧‧操作 200A、200B、200C、200D、200E、200F‧‧‧結構 202‧‧‧基板 204‧‧‧目標堆疊 206‧‧‧硬遮罩層 208‧‧‧圖案層 210‧‧‧***特徵 212‧‧‧間隙 214‧‧‧底部殘留層 216‧‧‧底部 218‧‧‧硬遮罩台面 220‧‧‧凹槽 222‧‧‧傾斜台面 224‧‧‧法平面 226‧‧‧深度 300‧‧‧方法 302、304、306、308、310‧‧‧操作 400A、400B、400C、400D、400E‧‧‧結構 402‧‧‧基板 404‧‧‧目標堆疊 406‧‧‧硬遮罩 408‧‧‧特徵 410‧‧‧間隙 412‧‧‧底部 414‧‧‧傾斜台面 418‧‧‧法平面 500‧‧‧方法 502、504、506、508、510‧‧‧操作 600A、600B、600C、600D、600E‧‧‧結構 602‧‧‧第一基板 604‧‧‧脫膠層 606‧‧‧光柵 608‧‧‧傾斜台面 610‧‧‧凹槽 612‧‧‧填充層 614‧‧‧層 618‧‧‧玻璃基板 700‧‧‧方法 702、704、706、708、710‧‧‧操作 800A、800B、800C、800D、800E‧‧‧結構 802‧‧‧第一基板 804‧‧‧脫膠層 806‧‧‧光柵 808‧‧‧傾斜台面 810‧‧‧凹槽 812‧‧‧填充層 814‧‧‧層 818‧‧‧玻璃基板 900‧‧‧方法 902、904、906、908、910、912‧‧‧操作 1000A、1000B、1000C、1000D、1000E、1000F‧‧‧結構 1002‧‧‧透明基板 1004‧‧‧硬遮罩 1006‧‧‧層 1008‧‧‧底部 1010‧‧‧台面 1012‧‧‧凹槽 1014‧‧‧底部 1016‧‧‧硬遮罩島 1018‧‧‧凹槽 1020‧‧‧底部 1022‧‧‧傾斜台面 1024‧‧‧法平面 1100A、1100B、1100C‧‧‧方法 1102、1104、1106、1108、1110、1112、1114、1116、1118‧‧‧操作 1200‧‧‧波導組合器結構 1202‧‧‧透明基板 1204‧‧‧第一光柵結構 1206‧‧‧第二光柵結構 1208‧‧‧傾斜台面 1210‧‧‧凹槽 1212‧‧‧寬度 1214‧‧‧長度 1216‧‧‧間隔 1218‧‧‧鄰近傾斜台面 1220‧‧‧凹槽 1222‧‧‧距離 1224‧‧‧長度 1226‧‧‧寬度 1228‧‧‧法平面
藉由參照實施例，某些實施例繪示在隨附圖式中，可獲得簡短總結於上的本發明之更明確的說明，使得本發明的上述特徵可被詳細地理解。然而，將注意到隨附圖式僅繪示範例實施例且因而不被當作限制本發明範疇，且本發明可容許其他等效實施例。
圖1是根據本發明的實施例的直接在透明基板上形成光柵結構的方法的流程圖。
圖2A–2F是根據本發明的實施例的形成光柵結構的操作的部分示意繪圖。
圖3是根據本發明的實施例的直接在透明基板上形成光柵結構的方法的流程圖。
圖4A–4E是根據本發明的實施例的形成光柵結構的部分示意繪圖。
圖5是根據本發明的實施例的將光柵結構從第一基板轉移到第二基板的方法。
圖6A–6E是根據本發明的實施例的形成光柵結構的部分示意繪圖。
圖7是根據本發明的實施例的將光柵結構從第一基板轉移到第二基板的方法。
圖8A–8E是根據本發明的實施例的形成光柵結構的部分示意繪圖。
圖9是根據本發明的實施例的在透明基板中直接蝕刻光柵結構的方法。
圖10A–10F是根據本發明的實施例的形成光柵結構的部分示意繪圖。
圖11A–11C是根據本發明的實施例的用於製造波導組合器的方法的流程圖。
圖12是根據本發明的實施例製造的波導組合器結構的部分示意繪圖。
為了易於理解，儘可能已使用相同的元件符號指代圖式中共通的相同元件。料想一實施例的元件與特徵可有利地結合到其他實施例而不需要進一步說明。
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1200‧‧‧波導組合器結構
1202‧‧‧透明基板
1204‧‧‧第一光柵結構
1206‧‧‧第二光柵結構
1208‧‧‧傾斜台面
1210‧‧‧凹槽
1212‧‧‧寬度
1214‧‧‧長度
1216‧‧‧間隔
1218‧‧‧鄰近傾斜台面
1220‧‧‧凹槽
1222‧‧‧距離
1224‧‧‧長度
1226‧‧‧寬度
1228‧‧‧法平面

Claims (20)

  1. 一種圖案化一基板的方法，包含以下步驟：在一基板的一第一側上形成一硬遮罩層，其中該基板由一透明材料形成並藉由沿著該基板的一寬度的一法平面所限定；藉由奈米壓模微影術在該硬遮罩層上形成一圖案化層；蝕刻該圖案化層和該硬遮罩層以暴露該基板的該第一側；移除該圖案化層；蝕刻該基板的該第一側以在該基板的該第一側中形成一第一複數個傾斜台面，其中該第一複數個傾斜台面的每一個傾斜台面以相對於該法平面從20度至70度的一角度被蝕刻；及隨後移除該硬遮罩層。
  2. 如請求項1所述之方法，其中在該基板的該第一側上形成該硬遮罩層之步驟包含以下步驟：使用化學氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)、或原子層沉積(ALD)。
  3. 如請求項1所述之方法，其中該透明材料包含一玻璃或一聚合物。
  4. 如請求項1所述之方法，進一步包含以下步 驟：在該基板的一第二側上形成一圖案，該基板的該第二側上的該圖案包含一第二複數個傾斜台面，該第二複數個傾斜台面與該第一複數個傾斜台面在不同的一角度。
  5. 如請求項4所述之方法，其中奈米壓模微影術使用於在該基板的該第二側上的該第二複數個傾斜台面的形成中。
  6. 一種形成一繞射光柵的方法，包含以下步驟：在一目標堆疊上形成一硬遮罩層及使用奈米壓模微影術(NIL)以在該硬遮罩層上形成一圖案，其中該目標堆疊形成在一第一基板的一第一側上；在該硬遮罩層中蝕刻複數個開口；及蝕刻該目標堆疊以形成在該第一基板的該第一側上之該目標堆疊中的一第一複數個傾斜台面，其中該第一複數個傾斜台面的每一個傾斜台面以相對於一法平面從20度至70度的一第一角度被蝕刻。
  7. 如請求項6所述之方法，其中該圖案包含一第三複數個台面及在該第三複數個台面的相鄰台面之間中的複數個傾斜凹槽。
  8. 一種形成一繞射光柵的方法，包含以下步驟：在一目標堆疊上形成一硬遮罩層，其中該目標堆疊形成在一第一基板的一第一側上； 在該硬遮罩層中蝕刻複數個開口；及蝕刻該目標堆疊以形成在該第一基板的該第一側上之該目標堆疊中的一第一複數個傾斜台面，其中該第一複數個傾斜台面的每一個傾斜台面以相對於一法平面從20度至70度的一第一角度被蝕刻；在該第一基板的一第二側上形成一硬遮罩層，其中該第一基板包含一透明材料並藉由沿著該第一基板的一寬度的一法平面所限定；藉由奈米壓模微影術在該硬遮罩層上形成一圖案化層；蝕刻該圖案化層與該硬遮罩層以暴露該第一基板的該第二側；移除該圖案化層；蝕刻該第一基板的該第二側；回應該蝕刻，在該第一基板的該第二側中形成一第二複數個傾斜台面，其中該第二複數個傾斜台面的每一個傾斜台面以相對於該法平面從20度至70度的一第二角度被蝕刻。
  9. 一種形成一繞射光柵的方法，包含以下步驟：在一目標堆疊上形成一硬遮罩層，其中該目標堆疊形成在一第一基板的一第一側上；在該硬遮罩層中蝕刻複數個開口； 蝕刻該目標堆疊以形成在該第一基板的該第一側上之該目標堆疊中的一第一複數個傾斜台面，其中該第一複數個傾斜台面的每一個傾斜台面以相對於一法平面從20度至70度的一第一角度被蝕刻；及將一透明基板黏附至該目標堆疊。
  10. 如請求項8所述之方法，進一步包含以下步驟：在該目標堆疊中形成該第一複數個傾斜台面之後移除該第一基板，其中該目標堆疊經由一脫膠層接合至該第一基板，其中移除該第一基板之步驟包含以下步驟：經由該脫膠層將該第一基板從該目標堆疊分開。
  11. 如請求項9所述之方法，其中在該第一基板的該第二側上形成該硬遮罩層之步驟包含以下步驟：使用奈米壓模微影術(NIL)以沉積該硬遮罩層為一圖案，其中該圖案包含複數個台面及在該等台面之間中的複數個傾斜凹槽。
  12. 如請求項8所述之方法，進一步包含以下步驟：使用定向蝕刻來蝕刻該目標堆疊與該第一基板的該第二側的每一者。
  13. 如請求項12所述之方法，其中定向蝕刻之步驟包含以下步驟：將該目標堆疊的一第一部分定位在一離子束的一路 徑中，該離子束相對於該第一基板的該法平面在該第一角度，其中蝕刻該目標堆疊的該第一部分之步驟包含以下步驟：將該目標堆疊的該第一部分暴露至該離子束以形成在該第一角度的該第一複數個傾斜台面；及繞著垂直於該法平面的一中心軸將該第一基板旋轉至一預定旋轉角度。
  14. 如請求項13所述之方法，進一步包含以下步驟：在將該第一基板旋轉至該預定旋轉角度之後，將該目標堆疊的一第二部分定位在該離子束的該路徑中；及藉由將該目標堆疊的該第二部分暴露至該離子束，蝕刻該目標堆疊的該第二部分以形成一第三複數個台面。
  15. 一種形成多個繞射光柵的方法，包含以下步驟：在一目標堆疊上形成一硬遮罩層，其中該目標堆疊形成在一第一基板的一第一側上；在該硬遮罩層中蝕刻複數個開口；蝕刻該目標堆疊以形成在該第一基板的該第一側上之該目標堆疊中的一第一複數個傾斜台面，其中該複數個傾斜台面的每一個傾斜台面以相對於一法平面為 20度至70度的一角度被蝕刻；在該第一基板的一第二側上形成一硬遮罩層，其中藉由沿著該第一基板的一寬度的一法平面限定該第一基板；及藉由奈米壓模微影術在該硬遮罩層上形成一圖案化層。
  16. 如請求項15所述之方法，進一步包含以下步驟：蝕刻該圖案化層與該硬遮罩層以暴露該第一基板的該第二側；移除該圖案化層；及蝕刻該第一基板的該第二側。
  17. 如請求項16所述之方法，進一步包含以下步驟：回應該蝕刻，在該第一基板的該第二側中形成複數個傾斜台面，其中該複數個傾斜台面的每一個傾斜台面以相對於該法平面從20度至70度的一角度被蝕刻。
  18. 如請求項15所述之方法，其中形成該硬遮罩層之步驟包含以下步驟：使用奈米壓模微影術(NIL)以沉積該硬遮罩層為一圖案，其中該圖案包含複數個台面及在該等台面之間中的複數個傾斜凹槽。
  19. 如請求項15所述之方法，其中在該第一基 板上形成該硬遮罩層之步驟包含以下步驟：使用化學氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)、或原子層沉積(ALD)。
  20. 如請求項15所述之方法，其中該第一基板是光學透明的且包含一玻璃或一聚合物。
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7176013B2 (ja) * 2018-06-28 2022-11-21 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 回折格子の製造
US11662524B2 (en) * 2020-03-13 2023-05-30 Applied Materials, Inc. Forming variable depth structures with laser ablation
CN115552296A (zh) * 2020-05-08 2022-12-30 尼尔技术有限公司 多级结构及其制造方法
TWI800844B (zh) * 2020-06-02 2023-05-01 國立臺灣大學 超穎介面急劇自聚焦光束產生裝置
JP2023533516A (ja) * 2020-07-09 2023-08-03 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ナノ構造光学装置の空隙のカプセル化
US11543584B2 (en) * 2020-07-14 2023-01-03 Meta Platforms Technologies, Llc Inorganic matrix nanoimprint lithographs and methods of making thereof with reduced carbon
US11487058B2 (en) * 2020-08-13 2022-11-01 Applied Materials, Inc. Method for manufacturing optical device structures
EP4020024A1 (en) 2020-12-22 2022-06-29 Paul Scherrer Institut Method for producing high aspect ratio fan-shaped optics
US11835763B2 (en) * 2021-10-22 2023-12-05 Northrop Grumman Systems Corporation Nanoimprinted photonic integrated circuits
US11892676B2 (en) 2022-01-10 2024-02-06 Applied Materials, Inc. Self-aligned formation of angled optical device structures
TW202405489A (zh) * 2022-04-20 2024-02-01 美商應用材料股份有限公司 在製造光學元件結構中降低粗糙度之方法
WO2024084965A1 (ja) * 2022-10-18 2024-04-25 東京エレクトロン株式会社 回折格子の形成方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130267095A1 (en) * 2012-04-05 2013-10-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of fabricating and correcting nanoimprint lithography templates
US20160035539A1 (en) * 2014-07-30 2016-02-04 Lauri SAINIEMI Microfabrication
US20160308020A1 (en) * 2015-04-20 2016-10-20 Board Of Regents, The University Of Texas System Fabricating large area multi-tier nanostructures

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1096807A (ja) * 1996-09-19 1998-04-14 Dainippon Printing Co Ltd ホログラフィック光学素子及びその作製方法
JP3877444B2 (ja) 1998-09-02 2007-02-07 富士通株式会社 回折格子
US6570753B2 (en) * 2001-05-25 2003-05-27 University Of Houston Capacitor and method of storing energy
JP3955066B2 (ja) * 2002-04-03 2007-08-08 東邦エンジニアリング株式会社 研磨パッドと該研磨パッドの製造方法および該研磨パッドを用いた半導体基板の製造方法
US7164532B2 (en) 2002-04-19 2007-01-16 Ricoh Company, Ltd. Diffraction grating, light source unit applying the same therein, and optical head device employing the same
JP4478398B2 (ja) * 2002-04-19 2010-06-09 株式会社リコー 偏光光学素子、光学素子ユニット、光ヘッド装置及び光ディスクドライブ装置
US6716737B2 (en) * 2002-07-29 2004-04-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming a through-substrate interconnect
JP2005004068A (ja) 2003-06-13 2005-01-06 Dainippon Printing Co Ltd スラント凹凸パターンの形成方法及びスラント凹凸パターンを有する基板
JP4251967B2 (ja) 2003-11-13 2009-04-08 株式会社リコー 偏光回折光学素子、光ピックアップ及び光ディスクドライブ装置
US7670758B2 (en) 2004-04-15 2010-03-02 Api Nanofabrication And Research Corporation Optical films and methods of making the same
US20050275944A1 (en) * 2004-06-11 2005-12-15 Wang Jian J Optical films and methods of making the same
JP4336665B2 (ja) * 2005-05-12 2009-09-30 株式会社エンプラス 光学素子およびこれを備えた光ピックアップ装置
JP5266059B2 (ja) 2005-11-18 2013-08-21 ナノコンプ オイ リミテッド 回折格子の製造方法
JP2007316270A (ja) * 2006-05-25 2007-12-06 Sony Corp 光学部品の製造方法、位相差素子および偏光子
EP2095171A4 (en) * 2006-12-14 2009-12-30 Nokia Corp DISPLAY DEVICE HAVING TWO OPERATING MODES
JP5724213B2 (ja) * 2010-05-13 2015-05-27 セイコーエプソン株式会社 検出装置
US20120257490A1 (en) 2011-04-07 2012-10-11 Seagate Technology Llc Gratings For Waveguide Coupling
GB2502818A (en) * 2012-06-08 2013-12-11 Nanogan Ltd Epitaxial growth of semiconductor material such as Gallium Nitride on oblique angled nano or micro-structures
CN103675969B (zh) * 2013-12-04 2016-01-20 中国科学院上海光学精密机械研究所 高效率斜双层光栅
US20160033784A1 (en) * 2014-07-30 2016-02-04 Tapani Levola Optical Components
JPWO2016133161A1 (ja) 2015-02-20 2017-11-30 日本碍子株式会社 光学素子の製造方法
KR102217789B1 (ko) * 2016-08-22 2021-02-19 매직 립, 인코포레이티드 나노그레이팅 방법 및 장치
CN111492313A (zh) 2017-11-29 2020-08-04 应用材料公司 波导组合器的直接蚀刻制造的方法
US10845596B2 (en) * 2018-01-23 2020-11-24 Facebook Technologies, Llc Slanted surface relief grating for rainbow reduction in waveguide display
US10302826B1 (en) 2018-05-30 2019-05-28 Applied Materials, Inc. Controlling etch angles by substrate rotation in angled etch tools
JP7176013B2 (ja) * 2018-06-28 2022-11-21 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 回折格子の製造
WO2020131839A1 (en) * 2018-12-17 2020-06-25 Applied Materials, Inc. Method of optical device fabrication using an ion beam source

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130267095A1 (en) * 2012-04-05 2013-10-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of fabricating and correcting nanoimprint lithography templates
US20160035539A1 (en) * 2014-07-30 2016-02-04 Lauri SAINIEMI Microfabrication
US20160308020A1 (en) * 2015-04-20 2016-10-20 Board Of Regents, The University Of Texas System Fabricating large area multi-tier nanostructures

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Publication number Publication date
EP3814840A1 (en) 2021-05-05
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