TWI708378B - 固體攝像元件及電子裝置 - Google Patents

固體攝像元件及電子裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI708378B
TWI708378B TW104142340A TW104142340A TWI708378B TW I708378 B TWI708378 B TW I708378B TW 104142340 A TW104142340 A TW 104142340A TW 104142340 A TW104142340 A TW 104142340A TW I708378 B TWI708378 B TW I708378B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
solid
state imaging
ofd
charge
transistor
Prior art date
Application number
TW104142340A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201626554A (zh
Inventor
渡部泰一郎
中村良助
佐藤友亮
古閑史彦
Original Assignee
日商新力股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商新力股份有限公司 filed Critical 日商新力股份有限公司
Publication of TW201626554A publication Critical patent/TW201626554A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI708378B publication Critical patent/TWI708378B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H04N25/62—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
    • H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
    • H01L27/14614—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor having a special gate structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
    • H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
    • H01L27/14616—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor characterised by the channel of the transistor, e.g. channel having a doping gradient
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1463—Pixel isolation structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14638—Structures specially adapted for transferring the charges across the imager perpendicular to the imaging plane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1464—Back illuminated imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14641—Electronic components shared by two or more pixel-elements, e.g. one amplifier shared by two pixel elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14654—Blooming suppression
    • H01L27/14656—Overflow drain structures
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/75—Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/78—Readout circuits for addressed sensors, e.g. output amplifiers or A/D converters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

本技術係關於可穩定地進行來自PD之溢流，且可抑制Qs之降低及混色之產生之固體攝像元件及電子裝置。
本技術之一態樣之固體攝像元件係於半導體基板內之受光面側包含：電荷保持部，其對應入射光產生電荷並予以保持；OFD部，其排出上述電荷保持部中飽和之上述電荷；及電位障壁部，其成為自上述電荷保持部向上述OFD部流出之上述電荷之障壁；上述OFD部係包含同類型雜質之濃度不同之低濃度OFD部及高濃度OFD部；且上述高濃度OFD部與上述電位障壁部係隔開間隔形成。本技術例如可應用於CMOS影像感測器。

Description

固體攝像元件及電子裝置
本技術係關於固體攝像元件及電子裝置，特別係關於可穩定地進行來自光電二極體之溢流之固體攝像元件及電子裝置。
作為搭載於數位靜態相機或數位攝影機等之固體攝像元件，已知CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor：互補式金氧半導體)影像感測器。於CMOS影像感測器(以下，稱為CIS)中，藉由形成於每個像素之PD(Photo diode：光電二極體)之光電轉換，產生與入射光相應之電荷，所產生之電荷經傳送電晶體傳送至FD(Floating Diffusion：浮動擴散區)，於FD中電荷被轉換為電氣信號(像素信號)而被讀取。
又，先前以來，以提高CIS之Qs(飽和電荷量)或形成於縱向積層有複數個PD之縱向分光CIS等為目標，提出於Si(矽)基板之深部(背面側)形成PD之構成。對PD中所產生並累積之電荷之讀取係例如經設置於相對於Si基板為垂直方向(縱向)之垂直型電晶體向設置於Si基板之正面側之FD傳送。
如上述構成之情形時，因PD與FD之距離較長，且PD中於電荷累積期間，垂直型電晶體固定為低電壓，故難以進行溢流設計。因此，提出於Si基板之背面側設置溢流汲極(overflow drain)(以下，稱為OFD)之構造(例如，專利文獻1)。
圖1表示於Si基板之背面側設置有PD與OFD之CMOS影像感測器 之構成之一例。再者，該圖A表示剖視圖，該圖B表示該CIS之各部之電勢(potential)。
該CIS10係於Si基板11之背面側(深部)形成有PD12，於正面側形成有FD14。又，相對於Si基板11於垂直方向(縱向)，形成有垂直型電晶體13。進而，於Si基板11之背面側(深部)，形成有經電位障壁部15與PD12連接之QFD16。OFD16包含設定為電源電壓之高濃度之擴散層。
PD12、電位障壁部15及OFD16之電勢高度如該圖B所示，當PD12中所產生並累積之電荷飽和時，飽和之電荷會越過電位障壁部15向OFD16排出。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2013-38118號公報
圖1A所示之構成之情形時，PD12、電位障壁部15及OFD16之電勢高度邏輯上成為圖1B所示者。然而，因OFD16為高濃度之擴散層，且OFD16與電位障壁部15之距離較近，故若於形成PD12、電位障壁部15及OFD16時，該等之配置偏移，或各者之雜質濃度產生差異，則容易使電位障壁部15之電勢高度產生大幅變化。此時，會導致Qs降低，或產生與鄰接像素之混色。
本技術係鑒於此種狀況而完成者，其可穩定地進行來自PD之溢流，可抑制Qs之降低或混色之產生。
本技術之第1態樣之固體攝像元件係於半導體基板內之受光面側包含：電荷保持部，其對應入射光產生電荷並予以保持；OFD部，其 排出上述電荷保持部中飽和之上述電荷；及電位障壁部，其成為自上述電荷保持部向上述OFD部流出之上述電荷之障壁；上述OFD部係包含同類型雜質之濃度不同之低濃度OFD部及高濃度OFD部；且上述高濃度OFD部與上述電位障壁部係隔開間隔形成。
上述電荷保持部與上述低濃度OFD部中，同類型雜質之濃度可相等。
本技術之第1態樣之固體攝像元件可進而包含第1垂直型電晶體，該第1垂直型電晶體係自上述半導體基板之與上述受光面為相反之面起形成，且與上述高濃度OFD部相接。
上述第1垂直型電晶體與上述電位障壁部可隔開間隔形成。
本發明之第1態樣之固體攝像元件可於形成於上述半導體基板之像素電晶體與上述電荷保持部之間，進而包含自上述第1垂直型電晶體朝橫向延伸之汲極層。
上述汲極層可自與上述電荷保持部為同類型之雜質之擴散層起形成。
本技術之第1態樣之固體攝像元件可進而包含阱分離層，該阱分離層係使上述半導體基板之阱區域中之特定之像素電晶體之下部區域與其他區域電性分離，且自上述第1垂直型電晶體朝橫向延伸。
被上述阱分離層電性分離之、上述特定之像素電晶體之上述下部區域之電位可低於上述其他區域之電位。
上述特定之像素電晶體可設為AMP電晶體及SEL電晶體。
成為作為上述特定之像素電晶體之上述AMP電晶體之輸入電壓之RST電位可低於上述AMP電晶體之汲極電壓。
上述特定之像素電晶體可設為RST電晶體。
本技術之第1態樣之固體攝像元件可進而包含第2垂直型電晶體，該第2垂直型電晶體係自上述半導體基板之與上述受光面為相反 之面起形成，且自上述電荷保持部讀取上述電荷。
對上述高濃度OFD部，可施加相較電荷累積於上述電荷保持部時上述電荷保持部中所產生之電壓更高之電壓。
對上述高濃度OFD部，可施加下述電壓，即，該電壓係經由自上述半導體基板之與上述受光面為相反之面起貫通上述半導體基板之貫通電極而供給，且相較電荷累積於上述電荷保持部時上述電荷保持部中所產生之電壓更高。
上述貫通電極可設置於複數個像素之各者，且由上述複數個像素所共用。
本技術之第1態樣之固體攝像元件可進而包含控制上述電位障壁部之電勢之控制部。
上述高濃度OFD部可由上述複數個像素所有共用。
上述電荷保持部可於上述半導體基板內積層有複數層。
本技術之第1態樣之固體攝像元件可進而包含形成於上述半導體基板之上述受光面之外側之光電轉換膜。
本技術之第2態樣之電子裝置係搭載有固體攝像元件之電子裝置，上述固體攝像元件係於半導體基板內之受光面側包含：電荷保持部，其對應入射光產生電荷並予以保持；OFD部，其排出上述電荷保持部中飽和之上述電荷；及電位障壁部，其成為自上述電荷保持部向上述OFD部流出之上述電荷之障壁；上述OFD部係包含同類型雜質之濃度不同之低濃度OFD部及高濃度OFD部；且上述高濃度OFD部與上述電位障壁部係隔開間隔形成。
根據本技術之第1態樣，可穩定地進行來自電荷保持部之溢流，可抑制Qs之降低或混色之產生。
根據本技術之第2態樣，可抑制固體攝像元件之Qs之降低及混色 之產生。
10‧‧‧CIS
11‧‧‧Si基板
12‧‧‧PD
13‧‧‧垂直型電晶體
14‧‧‧FD
15‧‧‧電位障壁部
16‧‧‧OFD
30‧‧‧固體攝像元件
31‧‧‧電荷保持部
32‧‧‧電位障壁部
33‧‧‧低濃度OFD
34‧‧‧高濃度OFD
41‧‧‧Si薄膜(SOI)
42‧‧‧Si部
51‧‧‧垂直型電晶體
52‧‧‧OFD
71‧‧‧電源
72‧‧‧配線
73‧‧‧貫通電極
74‧‧‧配線
81‧‧‧閘極電極
82‧‧‧垂直型電晶體
91‧‧‧PD
92‧‧‧光電轉換膜
101‧‧‧光電轉換膜
103‧‧‧FD
104‧‧‧RST電晶體
105‧‧‧GND端子
106‧‧‧汲極層
107‧‧‧P型阱接觸器
111‧‧‧絕緣部
112‧‧‧AMP電晶體
113‧‧‧SEL電晶體
114‧‧‧絕緣部
115‧‧‧阱分離層
Qs‧‧‧飽和電荷量
圖1A、B係表示先前之CIS之構成之一例之圖。
圖2係表示應用本技術之固體攝像元件之第1構成例之剖視圖。
圖3係表示第1構成例之PD周邊之電勢之圖。
圖4A-D係用於說明固體攝像元件之第1構成例之製造方法之圖。
圖5係表示應用本技術之固體攝像元件之第2構成例之剖視圖。
圖6係表示第2構成例之PD周邊之電勢之圖。
圖7A-C係用於說明固體攝像元件之第2構成例之製造方法之圖。
圖8係表示應用本技術之固體攝像元件之第3構成例之剖視圖。
圖9係表示於每個像素設置有貫通電極之情形時之構成例之剖視圖。
圖10係表示由複數個像素共用貫通電極之情形時之構成例之剖視圖。
圖11係與圖10所示之構成例對應之俯視圖。
圖12A、B係表示用於電位障壁部之電勢控制之構成例之剖視圖。
圖13係由複數個像素共用高濃度OFD之情形時之構成例之剖視圖。
圖14A-C係與圖13所示之構成例對應之俯視圖。
圖15係表示對第1構成例追加積層PD之變化例之剖視圖。
圖16係表示對第1構成例追加光電轉換膜之變化例之剖視圖。
圖17係表示對第2構成例追加汲極層之變化例之剖視圖。
圖18係表示對第2構成例追加阱分離層之變化例之剖視圖。
圖19係表示具有阱分離層之構成例之剖視圖。
圖20係表示具有阱分離層之構成例之剖視圖。
圖21係表示具有阱分離層之構成例之剖視圖。
圖22係表示不使用阱分離層而獲得相同效果之構成例的剖視圖。
圖23係表示對第2構成例追加有汲極層及阱分離層之變化例之剖視圖。
圖24係圖23所示之變化例之俯視圖。
圖25係表示由複數個像素共用垂直型電晶體之情形時之構成例之俯視圖。
圖26係表示本技術之實施形態之固體攝像元件之使用例之圖。
以下，就用於實施本技術之最佳之形態(以下，稱為實施形態)，一面參照圖式，一面進行詳細說明。
<本技術之實施形態之固體攝像元件之第1構成例>
圖2係表示本技術之實施形態之固體攝像元件之第1構成例之方塊剖視圖。再者，圖2圖示有1個像素，由於對與圖1所示之先前之CIS共通之構成要件附加相同之符號，故適當省略其說明。
該固體攝像元件30之第1構成例係具有形成於Si基板11之背面附近之PD(電荷保持部)31，對應自背面側照射之光輸出像素信號，即所謂背面照射型CIS。
於固體攝像元件30之第1構成例中，相對於Si基板11於垂直方向(縱向)形成垂直型電晶體13，於正面側形成FD14，於PD31轉換並累積之電荷經垂直型電晶體13傳送至FD14。
PD31例如為形成於Si基板11之P型阱之N+區域(N型雜質濃度為IE16至IE18/cm3)，以不接觸Si基板11之背面之方式，自該背面隔開特定間隔形成於Si基板11之內部。
又，於固體攝像元件30中，形成有：電位障壁部32，其包含於 PD31之橫向鄰接而形成之N-區域(P型雜質濃度為IE16至IE18/cm3)；及低濃度OFD33，其包含與於電位障壁部32之橫向鄰接而形成之PD31為相同之濃度之N+區域(N型雜質濃度為IE16至IE18/cm3)。關於電位障壁部32之電勢控制，將參照圖12於後敍述。
進而，於固體攝像元件30中，與低濃度OFD33重疊地，於自電位障壁部32起隔開間隔之位置，以接觸Si基板11之背面側之方式，形成有包含較低濃度OFD33為高濃度之N+區域(N型雜質濃度IE18至IE20/cm3)之高濃度OFD34。高濃度OFD34係固定為較電荷累積於PD31時之PD31中所產生之電位高之電壓(細節將參照圖9至圖11後述)。
圖3表示固體攝像元件30之第1構成例之PD31周邊之電勢。如該圖所示，於PD31中之電荷累積時間中飽和之電荷將越過電位障壁部32而流向低濃度OFD33，進而向高濃度OFD34排出。
<固體攝像元件30之第1構成例之製造方法>
其次，說明固體攝像元件30之第1構成例之製造方法。圖4表示固體攝像元件30之第1構成例之製造過程。
首先，如該圖A所示，藉由對Si薄膜(SOI)41注入N型離子，形成PD(電荷保持部)31及低濃度OFD33。然而，PD31與低濃度33包含相同之素材，於該階段，兩者未被區分而一體地形成。其次，如該圖B所示，藉由對PD31與低濃度OFD33之間注入P型離子，形成電位障壁部32。藉由形成電位障壁部32而將PD31與低濃度OFD33予以區分。
其次，如該圖C所示，藉由以與Si薄膜41及低濃度OFD重疊之方式注入N型離子，形成高濃度OFD34。此時，以與低濃度OFD33重疊地，於自電位障壁部32起隔開間隔之位置，以接觸Si薄膜41之背面側之方式形成高濃度OFD34。再者，可於形成電位障壁部32之前形成高濃度OFD34，亦可於形成高濃度OFD34之後形成電位障壁部32。
最後，如該圖D所示，藉由自Si薄膜41起使Si磊晶成長而形成Si部42，於Si部42，形成垂直型電晶體13或FD14等。再者，亦可對PD31與Si薄膜41之背面之間注入P型離子。
於如以上般產生之固體攝像元件30之第1構成例中，於讀取由PD31產生之電荷之情形時，該電荷係經垂直型電晶體13傳送至FD14。又，於PD31所產生之電荷飽和之情形時，飽和之電荷將越過電位障壁部32而流向低濃度OFD33，並向高濃度OFD34排出。
如此，固體攝像元件30之第1構成例中，因讀取電荷時之路徑與排出飽和電荷時之路徑不同，故與例如亦利用自PD31讀取電荷時之路徑進行電荷排出之構成相比，可更穩定地排出電荷。
又，固體攝像元件30之第1構成例中，因高濃度OFD34並未直接與電位障壁部32相接而形成，故可抑制高濃度OFD34對電位障壁部32之電勢高度產生影響。由此，可抑制Qs之降低或與鄰接像素之混色之產生。
<本技術之實施形態之固體攝像元件之第2構成例>
圖5係表示本技術之實施形態之固體攝像元件之第2構成例之方塊剖視圖。再者，圖5圖示有1個像素，由於對與圖2所示之第1構成例共通之構成要素附加相同之符號，故其說明予以適當省略。
該固體攝像元件30之第2構成例與第1構成例同樣地為背面照射型CIS，且係去除第1構成例之高濃度OFD34而設置有垂直型電晶體(VG)51及OFD52者。
垂直型電晶體51係相對於Si基板11沿垂直方向(縱向)形成於與低濃度OFD33相接且未與電位障壁部32相接之位置。垂直型電晶體51係固定為較電荷累積於PD31時之PD31中所產生之電位更高之電壓。OFD52形成於Si基板11之正面側。
圖6表示固體攝像元件30之第2構成例之PD31周邊之電勢。
如該圖所示，於PD31中之電荷累積時間中飽和之電荷將越過電位障壁部32而流向低濃度OFD33，並進而經垂直型電晶體51向OFD52排出。
<固體攝像元件30之第2構成例之製造方法>
其次，說明固體攝像元件30之第2構成例之製造方法。圖7表示固體攝像元件30之第2構成例之製造過程。
首先，如該圖A所示，藉由對Si薄膜(SOI)41注入N型離子，形成PD(電荷保持部)31及低濃度OFD33。然而，PD31與低濃度OFD33包含相同之素材，於該階段，兩者未被區分而一體地形成。其次，如該圖B所示，藉由對PD31與低濃度OFD33之間注入P型離子，形成電位障壁部32。藉由形成電位障壁部32，將PD31與低濃度OFD33予以區分。
最後，如該圖C所示，藉由自Si薄膜41起使Si磊晶成長而形成Si部42，於Si部42中，除形成垂直型電晶體51及OFD52之外，亦形成垂直型電晶體13或FD14。再者，亦可對PD31與Si薄膜41之背面之間注入P型離子。
如以上般，固體攝像元件30之第2構成例與第1構成例相比，可利用較少之步驟製造。
於所產生之固體攝像元件30之第2構成例中，於讀取由PD31產生之電荷之情形時，該電荷係經垂直型電晶體13傳送至FD14。又，於PD31所產生之電荷飽和之情形時，飽和之電荷將越過電位障壁部32而流向低濃度OFD33，並經垂直型電晶體51向OFD52排出。
如此，固體攝像元件30之第2構成例中，因讀取電荷時之路徑與排出飽和電荷時之路徑不同，故與例如亦利用自PD31讀取電荷時之路徑進行電荷排出之構成相比，可更穩定地排出電荷。
又，固體攝像元件30之第2構成例中，因垂直型電晶體51並未直 接與電位障壁部32相接而形成，故可抑制施加至垂直型電晶體51之電壓對電位障壁部32之電勢高度之影響。由此，可抑制Qs之降低或與鄰接像素之混色之產生。
<本技術之實施形態之固體攝像元件之第3構成例>
圖8係表示本技術之實施形態之固體攝像元件之第3構成例之方塊剖視圖。再者，圖8圖示有1個像素，由於對與圖2所示之第1構成例或圖5所示之第2構成例共通之構成要素附加相同之符號，故其說明予以適當省略。
該固體攝像元件30之第3構成例，係對第1構成例追加有第2構成例之垂直型電晶體51及OFD52者。垂直型電晶體51連接於高濃度OFD34。
於固體攝像元件30之第3構成例中，於讀取在PD31產生之電荷之情形時，該電荷經垂直型電晶體13傳送至FD14。又，於PD31所產生之電荷飽和之情形時，該飽和之電荷將越過電位障壁部32而流向低濃度OFD33，並向高濃度OFD34排出，或經垂直型電晶體51向OFD52排出。
如此，於固體攝像元件30之第3構成例中，因讀取電荷時之路徑與排出飽和電荷時之路徑不同，故與例如亦利用自PD31讀取電荷時之路徑進行電荷排出之構成相比，可更穩定地排出電荷。
又，固體攝像元件30之第3構成例中，因高濃度OFD34及垂直型電晶體51並未直接與電位障壁部32相接而形成，故可抑制該等對電位障壁部32之電勢高度之影響。由此，可抑制Qs之降低及與鄰接像素之混色之產生。
<高濃度OFD34之電位固定方法>
如上所述，於PD31之飽和之電荷之排出目的地即高濃度OFD34，必須固定在較電荷累積於PD31時之PD31中所產生之電位高 之電壓。因此，於高濃度OFD34之電極位於Si基板11之背面側之情形時，只要於Si基板11設置貫通電極而使正面側之電源與高濃度OFD34電性連接即可。
圖9係於每個像素設置有貫通電極之情形時之構成例。於該情形時，高電壓之電源71與高濃度OFD34係經配線72、貫通電極73及配線74而連接，高濃度OFD34固定在高電壓。
圖10及圖11係複數個像素共用貫通電極之情形時之構成例，圖10表示剖視圖，圖11表示俯視圖。於該情形時，與對每個像素設置貫通電極73之情形相比，可將各像素所佔據之面積減小貫通電極73之大小。
<電位障壁部32之電勢控制>
其次，圖12表示用於控制電位障壁部32之電勢之構成例。該圖A係於Si基板11之背面側設置閘極電極81而與電位障壁部32連接之構成例。於該情形時，可藉由自閘極電極81施加特定之電壓而控制電位障壁部32之電勢。該圖B係與自Si基板11之正面側起設置有垂直型電晶體82而與電位障壁部32連接之構成例。於該情形時，可藉由自垂直型電晶體82施加特定之電壓，而控制電位障壁部32之電勢。
<本技術之實施形態之固體攝像元件之第1構成例之變化例>
其次，圖13及圖14係作為圖2所示之固體攝像元件之第1構成例之變化例(第1變化例)，由複數個像素共用高濃度OFD34之情形時之構成例。圖13表示剖視圖，圖14表示俯視圖。再者，圖14A及圖14B係示出由2像素共用高濃度OFD34之情形之例，圖14C係示出由4像素共用高濃度OFD34之情形之例。
藉由使鄰接之複數個像素共用高濃度OFD34，與對每個像素設置高濃度OFD34之情形相比，可減小各像素中高濃度OFD34所佔據之面積。
圖15表示作為固體攝像元件之第1構成例之另一變化例(第2變化例)而於Si基板11內追加積層有PD91之構成例之剖視圖。
如該圖所示，於Si基板11內形成有複數個PD(像素保持部31與PD91)之情形時，靠近背面側之PD31係主要光電轉換短波長側之光，較遠之PD91係主要光電轉換長波長側之光。藉由使複數個PD對應不同波長之光進行光電轉換，可進行分光。又，只要組合複數個PD之輸出，擴大Qs便成為可能。再者，亦可於Si基板11內形成3層以上PD。
圖16係表示作為固體攝像元件之第1構成例之進而另一變化例(第3變化例)，而對圖15之第2變化例追加有於與Si基板11之背面隔開之外側進而追加有機光電轉換膜等光電轉換膜92之構成例之剖視圖。
如該圖所示，於設置光電轉換膜92之情形時，可將經光電轉換膜92光電轉換後之成分作為輸出取出，且可由PD31、91之各者光電轉換透過光電轉換膜92後之光。若由複數個PD31、91與光電轉換膜92對應不同波長之光進行光電轉換，則可進行分光。
<本技術之實施形態之固體攝像元件之第2構成例之變化例>
其次，圖17表示圖5所示之固體攝像元件之第2構成例之變化例(第4變化例)。
該第4變化例係對圖5之第2構成例，於與Si基板11之正面隔開之外側追加有機光電轉換膜等光電轉換膜101，且於Si基板11之正面內，追加有用於累積光電轉換膜101所產生之電荷之FD103。
進而，作為光電轉換膜101之暗電流對策，於FD103中，經RST電晶體104連接有GND端子105。再者，GND端子105之電壓並非僅限於0V者，而只要為低於VDD之電壓即可。其他構成例或變化例亦為同樣之情形。
再者，進而，於FD103及GND端子105與電荷保持部31之間，形成包含沿橫向伸長之N型擴散層之汲極層106，並使之連接於垂直型 電晶體51。
於第4變化例中，藉由利用來自連接於電源之垂直型電晶體51之電力使N型擴散層之汲極層106一直接通，汲極層106作為用於回收自FD103或GND端子105之像素電晶體、P型阱接觸器107等洩漏之電荷之汲極發揮功能。因此，可抑制電荷保持部31之暗電流之劣化。又，於被供給電力之垂直型電晶體51中，與汲極層106同樣地，可期待作為用於回收洩漏之電荷之汲極發揮作用。於即使作為垂直型電晶體51之汲極，作用亦具有效果之情形時，亦可省略汲極層106。
再者，上述第4變化例亦可應用於圖8所示之第3構成例。
<本技術之實施形態之固體攝像元件之第2構成例之其他變化例>
其次，圖18表示圖5所示之固體攝像元件之第2構成例之其他變化例(第5變化例)。
該第5變化例係對圖5之第2構成例，於與Si基板11之正面隔開之外側追加有機光電轉換膜等光電轉換膜101，且於Si基板11之正面內，追加有用於累積光電轉換膜101所產生之電荷之FD103。
進而，作為光電轉換膜101之暗電流對策，於FD103中，經RST電晶體104連接有GND端子105。
又，於第5變化例中，圖示有至此處為止所說明之構成例或變化例中被省略之AMP電晶體112及SEL電晶體113。
該第5變化例係將AMP電晶體112及SEL電晶體113夾於之間而於Si基板11內形成有絕緣部111、114。
又，於AMP電晶體112及SEL電晶體113之下方，形成有包含沿橫向伸長之N型擴散層之阱分離層115。阱分離層115係自垂直型電晶體51向橫向延伸，且與絕緣部111、114兩者相接。
根據此種構造，阱區域中之AMP電晶體112及SEL電晶體113之下 方區域與其他區域(形成有重設FD103之RST電晶體104)等之區域)電性分離，兩區域之電位不同。於第5變化例之情形時，AMP電晶體112及SEL電晶體113之下方區域係電位低於其他阱區域。
藉此，因可不拘泥於AMP電晶體112之輸入電壓而任意設定FD103之重設電位，故可抑制起因於AMP電晶體112之動作點之隨機雜訊或驅動能力(gm)等攝像特性之劣化。
再者，於僅著眼於藉由將AMP電晶體112及SEL電晶體113之下方區域與形成有RST電晶體104等之區域之電位設為不同者而獲得之上述效果之情形時，阱分離層115可並未連接於垂直型電晶體51。此時，可考慮以下所說明之圖19至圖22所示之構成例。
即，圖19所示之構成例係自連接於汲極(Drain)之N型區域121起使阱分離層115延伸至AMP電晶體112及SEL電晶體113之下方者。即使於該情形時，AMP電晶體112及SEL電晶體113之下方區域之電位仍低於其他阱區域，且可獲得上述效果。
圖20所示之構成例係藉由自連接於汲極之N型區域121起使阱分離層115延伸至RST電晶體104之下方，於阱區域中，RST電晶體104之下方區域與其他區域(形成有AMP電晶體112及SEL電晶體113等之區域)電性分離，兩區域之電位不同。於該情形時，RST電晶體104之下方區域之電位高於其他阱區域，可獲得上述效果。
再者，亦可與圖20之構成例同樣地變更圖18所示之第5變化例，藉由自垂直型電晶體51起延伸之阱分離層115使RST電晶體104之下方區域與其他區域(形成有AMP電晶體112及SEL電晶體113等之區域)電性分離。
圖21所示之構成例係將圖20所示之構成例之各半導體之導電性反轉者。於該情形時，RST電晶體104之下方區域之電位低於其他阱區域，可獲得上述效果。
圖22所示之構成例係由PMOS形成AMP電晶體112及SEL電晶體113，由N型之阱區域形成其下部。藉此，無需形成阱分離層115即可使AMP電晶體112及SEL電晶體113之下方區域與形成有RST電晶體104等之其他區域電性分離，而使兩區域之電位成為不同者。於該情形時，AMP電晶體112及SEL電晶體113之下方區域之電位高於其他阱區域，可獲得上述效果。
<本技術之實施形態之固體攝像元件之第2構成例之進而另一變化例>
其次，圖23係圖5所示之固體攝像元件之第2構成例之進而另一變化例(第6變化例)。具體而言，其係組合圖17所示之第4變化例與圖18所示之第5變化例而成者。圖24係圖23所示之第6變化例之俯視圖。
於該第6變化例中，藉由利用來自連接於電源之垂直型電晶體51之電力使汲極層106一直接通，汲極層106作為用於回收自FD103及GND端子105洩漏之電荷之汲極發揮功能。因此，可抑制電荷保持部31之暗電流之劣化。
又，阱分離層115使阱區域中之AMP電晶體112及SEL電晶體113之下方區域與其他區域電性分離，兩區域之電位變得不同。藉此，因可不拘泥於AMP電晶體112之輸入電壓而任意設定FD103之重設電位，故可抑制起因於AMP電晶體112之動作點之隨機雜訊或驅動能力(gm)等攝像特性之劣化。
再者，上述第6變化例亦可應用於圖8所示之第3構成例。
其次，圖25表示由複數個像素共用圖23所示之第6變化例之垂直型電晶體51之情形時之構成例之俯視圖。於該情形時，與於每個像素設置垂直型電晶體51之情形相比，可縮小各像素所佔據之面積。
<固體攝像元件30之使用例>
圖26表示本技術之實施形態之固體攝像元件30之使用例。
固體攝像元件30例如可使用於如以下般之感測可見光、紅外光、紫外光、X射線等光之各種例中。
．數位相機或附相機功能之攜帶機器等之供鑒賞用之拍攝圖像之裝置
．為自動停止等之安全駕駛，或為識別駕駛者之狀態等而拍攝汽車之前方、後方、周圍、車內等之車載用感測器、監視行進車輛或道路之監視相機、或進行車輛間等之測距之測距感測器等供交通用之裝置
．拍攝使用者之動作，進行跟隨該動作之機器操作，供TV、冰箱、空調等家電用之裝置
．內視鏡、或藉由紅外光之接收而進行血管拍攝之裝置等供醫療或保健用之裝置
．防範用途之監視相機、人物認證用途之相機等供保全用之裝置
．拍攝皮膚之皮膚測定器或拍攝頭皮之顯微鏡等供美容用之裝置
．用於運動用途等之運動攝影機(action camera)或可穿戴型相機(wearable camera)等供運動用之裝置
．用於監視農田或作物之狀態之相機等供農業用之裝置
再者，本技術之實施形態並非限定於上述實施形態者，可於不脫離本技術之主旨之範圍內進行各種變更。
本技術亦可採用如下構成。
(1)
一種固體攝像元件，其係於半導體基板內之受光面側包含：電荷保持部，其對應入射光產生電荷並予以保持；OFD部，其排出上述電荷保持部中飽和之上述電荷；及 電位障壁部，其成為自上述電荷保持部向上述OFD部流出之上述電荷之障壁；上述OFD部係包含同類型雜質之濃度不同之低濃度OFD部及高濃度OFD部；且上述高濃度OFD部與上述電位障壁部係隔開間隔形成。
(2)
如上述(1)之固體攝像元件，其中上述電荷保持部與上述低濃度OFD部中，同類型雜質之濃度相等。
(3)
如上述(1)或(2)之固體攝像元件，其進而包含第1垂直型電晶體，該第1垂直型電晶體係自上述半導體基板之與上述受光面為相反之面起形成，且與上述高濃度OFD部相接。
(4)
如上述(3)之固體攝像元件，其中上述第1垂直型電晶體與上述電位障壁部係隔開間隔形成。
(5)
如上述(3)之固體攝像元件，其中於形成於上述半導體基板之像素電晶體與上述電荷保持部之間，進而包含自上述第1垂直型電晶體沿橫向延伸之汲極層。
(6)
如上述(5)之固體攝像元件，其中上述汲極層係自與上述電荷保持部為同類型雜質之擴散層起形成。
(7)
如上述(3)至(6)中任一項之固體攝像元件，其進而包含阱分離層，該阱分離層使上述半導體基板之阱區域中之特定之像素電晶體之下部區域與其他區域電性分離，且自上述第1垂直型電晶體沿橫向延 伸。
(8)
如上述(7)之固體攝像元件，其中被上述阱分離層電性分離之上述特定之像素電晶體之上述下部區域之電位低於上述其他區域之電位。
(9)
如上述(7)或(8)之固體攝像元件，其中上述特定之像素電晶體係AMP電晶體及SEL電晶體。
(10)
如上述(9)之固體攝像元件，其中成為作為上述特定之像素電晶體之上述AMP電晶體之輸入電壓之RST電位低於上述AMP電晶體之汲極電壓。
(11)
如上述(7)之固體攝像元件，其中上述特定之像素電晶體係RST電晶體。
(12)
如上述(1)至(11)中任一項之固體攝像元件，其進而包含第2垂直型電晶體，該第2垂直型電晶體係自上述半導體基板之與上述受光面為相反之面起形成，自上述電荷保持部讀取上述電荷。
(13)
如上述(1)至(12)中任一項之固體攝像元件，其中對上述高濃度OFD部，施加相較電荷累積於上述電荷保持部時上述電荷保持部中所產生之電壓更高之電壓。
(14)
如上述(1)至(13)中任一項之固體攝像元件，其中對上述高濃度OFD部，施加下述電壓，該電壓係經由自上述半導體基板之與上述受 光面為相反之面起貫通上述半導體基板之貫通電極而供給，且相較電荷累積於上述電荷保持部時上述電荷保持部中所產生之電壓更高。
(15)
如上述(14)之固體攝像元件，其中上述貫通電極設置於複數個像素之各者，且由上述複數個像素所共用。
(16)
如上述(1)至(15)中任一項之固體攝像元件，其進而包含控制上述電位障壁部之電勢之控制部。
(17)
如上述(1)至(16)中任一項之固體攝像元件，其中上述高濃度OFD部係由上述複數個像素所共用。
(18)
如上述(1)至(17)中任一項之固體攝像元件，其中上述電荷保持部係於上述半導體基板內積層有複數層。
(19)
如上述(1)至(18)中任一項之固體攝像元件，其進而包含形成於上述半導體基板之上述受光面之外側之光電轉換膜。
(20)
一種電子裝置，其搭載有固體攝像元件；上述固體攝像元件係於半導體基板內之受光面側包含：電荷保持部，其對應入射光產生電荷並予以保持；OFD部，其排出上述電荷保持部中飽和之上述電荷；及電位障壁部，其成為自上述電荷保持部向上述OFD部流出之上述電荷之障壁；上述OFD部係包含同類型雜質之濃度不同之低濃度OFD部及高濃度OFD部；且 上述高濃度OFD部與上述電位障壁部係隔開間隔形成。
11‧‧‧Si基板
13‧‧‧垂直型電晶體
14‧‧‧FD
30‧‧‧固體攝像元件
31‧‧‧電荷保持部
32‧‧‧電位障壁部
33‧‧‧低濃度OFD
34‧‧‧高濃度OFD

Claims (19)

  1. 一種固體攝像元件，其係於半導體基板內之受光面側包含：電荷保持部，其對應入射光產生電荷並予以保持；OFD部，其排出上述電荷保持部中飽和之上述電荷；及電位障壁部，其成為自上述電荷保持部向上述OFD部流出之上述電荷之障壁；上述OFD部係包含同類型雜質之濃度不同之低濃度OFD部及高濃度OFD部；且上述高濃度OFD部與上述電位障壁部係隔開間隔形成；上述固體攝像元件進而包含：第1垂直型電晶體，其係自上述半導體基板之與上述受光面為相反之面形成，且與上述高濃度OFD部相接。
  2. 如請求項1之固體攝像元件，其中上述電荷保持部與上述低濃度OFD部中，同類型雜質之濃度相等。
  3. 如請求項1之固體攝像元件，其中上述第1垂直型電晶體與上述電位障壁部係隔開間隔形成。
  4. 如請求項1之固體攝像元件，其中於形成於上述半導體基板之像素電晶體與上述電荷保持部之間，進而包含自上述第1垂直型電晶體沿橫向延伸之汲極層。
  5. 如請求項4之固體攝像元件，其中上述汲極層係由與上述電荷保持部為同類型雜質之擴散層形成。
  6. 如請求項1之固體攝像元件，其進而包含阱分離層，該阱分離層使上述半導體基板之阱區域中之特定之像素電晶體之下部區域與其他區域電性分離，且自上述第1垂直型電晶體沿橫向延伸。
  7. 如請求項6之固體攝像元件，其中利用上述阱分離層電性分離之 上述特定之像素電晶體之上述下部區域之電位係低於上述其他區域之電位。
  8. 如請求項6之固體攝像元件，其中上述特定之像素電晶體係AMP電晶體及SEL電晶體。
  9. 如請求項8之固體攝像元件，其中成為作為上述特定之像素電晶體之上述AMP電晶體的輸入電壓之RST電位係低於上述AMP電晶體之汲極電壓。
  10. 如請求項6之固體攝像元件，其中上述特定之像素電晶體係RST電晶體。
  11. 如請求項2之固體攝像元件，其進而包含第2垂直型電晶體，該第2垂直型電晶體係自上述半導體基板之與上述受光面為相反之面起形成，且自上述電荷保持部讀取上述電荷。
  12. 如請求項2之固體攝像元件，其中對上述高濃度OFD部施加電壓，該電壓較電荷累積於上述電荷保持部時上述電荷保持部中所產生之電壓高。
  13. 如請求項12之固體攝像元件，其中對上述高濃度OFD部施加電壓，該電壓係經由自上述半導體基板之與上述受光面為相反之面起貫通上述半導體基板之貫通電極而供給，且較電荷累積於上述電荷保持部時上述電荷保持部所產生之電壓高。
  14. 如請求項13之固體攝像元件，其中上述貫通電極設置於複數個像素之各者，且由上述複數個像素所共用。
  15. 如請求項2之固體攝像元件，其進而包含控制上述電位障壁部之電勢(potential)之控制部。
  16. 如請求項2之固體攝像元件，其中上述高濃度OFD部係由上述複數個像素所共用。
  17. 如請求項2之固體攝像元件，其中上述電荷保持部係於上述半導 體基板內積層有複數層。
  18. 如請求項2之固體攝像元件，其進而包含形成於上述半導體基板之上述受光面之外側之光電轉換膜。
  19. 一種電子裝置，其搭載有固體攝像元件；上述固體攝像元件於半導體基板內之受光面側包含：電荷保持部，其對應入射光產生電荷並予以保持；OFD部，其排出上述電荷保持部中飽和之上述電荷；及電位障壁部，其成為自上述電荷保持部向上述OFD部流出之上述電荷之障壁；且上述OFD部係包含同類型雜質之濃度不同之低濃度OFD部及高濃度OFD部；上述高濃度OFD部與上述電位障壁部係隔開間隔形成；上述固體攝像元件進而包含：第1垂直型電晶體，其係自上述半導體基板之與上述受光面為相反之面形成，且與上述高濃度OFD部相接。
TW104142340A 2014-12-18 2015-12-16 固體攝像元件及電子裝置 TWI708378B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014-256043 2014-12-18
JP2014256043 2014-12-18
JP2015-239945 2015-12-09
JP2015239945 2015-12-09

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201626554A TW201626554A (zh) 2016-07-16
TWI708378B true TWI708378B (zh) 2020-10-21

Family

ID=56126586

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104142340A TWI708378B (zh) 2014-12-18 2015-12-16 固體攝像元件及電子裝置

Country Status (6)

Country Link
US (2) US10109669B2 (zh)
JP (4) JP6701529B2 (zh)
KR (3) KR102510580B1 (zh)
CN (2) CN107004689B (zh)
TW (1) TWI708378B (zh)
WO (1) WO2016098696A1 (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016098696A1 (ja) * 2014-12-18 2016-06-23 ソニー株式会社 固体撮像素子、および電子装置
JP6987562B2 (ja) * 2017-07-28 2022-01-05 キヤノン株式会社 固体撮像素子
CN108259792A (zh) * 2018-01-16 2018-07-06 德淮半导体有限公司 图像传感器单元
JP7267940B2 (ja) 2018-02-01 2023-05-02 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器
JP2020043413A (ja) * 2018-09-07 2020-03-19 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置および電子機器
JP2023055062A (ja) * 2021-10-05 2023-04-17 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005052666A1 (ja) * 2003-11-27 2005-06-09 Ibiden Co., Ltd. Ｉｃチップ実装用基板、マザーボード用基板、光通信用デバイス、ｉｃチップ実装用基板の製造方法、および、マザーボード用基板の製造方法
TW200735734A (en) * 2005-11-08 2007-09-16 Nxp Bv Producing a covered through substrate via using a temporary cap layer
EP2259668A1 (en) * 2008-03-27 2010-12-08 Ibiden Co., Ltd. Method for manufacturing multilayer printed wiring board
WO2011043432A1 (ja) * 2009-10-09 2011-04-14 国立大学法人静岡大学 半導体素子及び固体撮像装置
US20120013392A1 (en) * 2009-05-29 2012-01-19 Life Technologies Corporation Methods and apparatus for measuring analytes
CN102917179A (zh) * 2011-08-04 2013-02-06 索尼公司 固体摄像元件及电子装置
TW201404251A (zh) * 2012-07-02 2014-01-16 Seiko Epson Corp 基座基板之製造方法、電子裝置之製造方法、基座基板及電子機器
TW201405962A (zh) * 2012-07-24 2014-02-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 電子裝置
US20140268275A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Pixtronix, Inc. Display apparatus incorporating an interconnect-supporting elevated aperture layer
WO2014156353A1 (ja) * 2013-03-27 2014-10-02 株式会社村田製作所 カメラモジュール

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62230273A (ja) * 1986-03-31 1987-10-08 Toshiba Corp 固体撮像装置
US5235196A (en) * 1992-07-24 1993-08-10 Eastman Kodak Company Transfer region design for charge-coupled device image sensor
JP3154204B2 (ja) * 1993-04-13 2001-04-09 ソニー株式会社 Ｃｃｄ固体撮像素子
DE69637636D1 (de) * 1995-12-06 2008-09-25 Sony Corp Aus einer Fotodiode und einem bipolaren Element bestehende Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung
JP2004335803A (ja) * 2003-05-08 2004-11-25 Fuji Photo Film Co Ltd Ｍｏｓ型固体撮像装置とその駆動方法
JP2007096271A (ja) * 2005-09-05 2007-04-12 Toshiba Corp 固体撮像装置及びその製造方法
JP5369505B2 (ja) * 2008-06-09 2013-12-18 ソニー株式会社 固体撮像装置、及び電子機器
JP5326507B2 (ja) * 2008-11-06 2013-10-30 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法、及び電子機器
TWI445166B (zh) * 2008-11-07 2014-07-11 Sony Corp 固態成像裝置，製造固態成像裝置之方法、及電子設備
JP5482025B2 (ja) * 2009-08-28 2014-04-23 ソニー株式会社 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器
JP5505709B2 (ja) * 2010-03-31 2014-05-28 ソニー株式会社 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器
JP2013016675A (ja) * 2011-07-05 2013-01-24 Sony Corp 固体撮像装置、電子機器、及び、固体撮像装置の製造方法
JP5995457B2 (ja) * 2012-02-17 2016-09-21 キヤノン株式会社 撮像装置、撮像システム、および撮像装置の駆動方法。
JP2014127519A (ja) * 2012-12-25 2014-07-07 Sony Corp 固体撮像素子、及び、電子機器
JP6221341B2 (ja) * 2013-05-16 2017-11-01 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法および電子機器
US9369648B2 (en) * 2013-06-18 2016-06-14 Alexander Krymski Image sensors, methods, and pixels with tri-level biased transfer gates
US9479717B2 (en) * 2014-02-18 2016-10-25 Semiconductor Components Industries, Llc Image sensor array with external charge detection circuitry
JP2015153962A (ja) * 2014-02-18 2015-08-24 ソニー株式会社 固体撮像素子および製造方法、並びに電子機器
WO2016098696A1 (ja) * 2014-12-18 2016-06-23 ソニー株式会社 固体撮像素子、および電子装置

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005052666A1 (ja) * 2003-11-27 2005-06-09 Ibiden Co., Ltd. Ｉｃチップ実装用基板、マザーボード用基板、光通信用デバイス、ｉｃチップ実装用基板の製造方法、および、マザーボード用基板の製造方法
TW200735734A (en) * 2005-11-08 2007-09-16 Nxp Bv Producing a covered through substrate via using a temporary cap layer
EP2259668A1 (en) * 2008-03-27 2010-12-08 Ibiden Co., Ltd. Method for manufacturing multilayer printed wiring board
US20120013392A1 (en) * 2009-05-29 2012-01-19 Life Technologies Corporation Methods and apparatus for measuring analytes
WO2011043432A1 (ja) * 2009-10-09 2011-04-14 国立大学法人静岡大学 半導体素子及び固体撮像装置
CN102917179A (zh) * 2011-08-04 2013-02-06 索尼公司 固体摄像元件及电子装置
TW201404251A (zh) * 2012-07-02 2014-01-16 Seiko Epson Corp 基座基板之製造方法、電子裝置之製造方法、基座基板及電子機器
TW201405962A (zh) * 2012-07-24 2014-02-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 電子裝置
US20140268275A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Pixtronix, Inc. Display apparatus incorporating an interconnect-supporting elevated aperture layer
WO2014156353A1 (ja) * 2013-03-27 2014-10-02 株式会社村田製作所 カメラモジュール

Also Published As

Publication number Publication date
JP2022016576A (ja) 2022-01-21
US10629645B2 (en) 2020-04-21
JP7279768B2 (ja) 2023-05-23
TW201626554A (zh) 2016-07-16
JP2020113798A (ja) 2020-07-27
KR20170096110A (ko) 2017-08-23
CN107004689A (zh) 2017-08-01
CN112201666A (zh) 2021-01-08
KR20230041083A (ko) 2023-03-23
US10109669B2 (en) 2018-10-23
JP2023099596A (ja) 2023-07-13
US20190006411A1 (en) 2019-01-03
WO2016098696A1 (ja) 2016-06-23
KR102510580B1 (ko) 2023-03-16
KR20220158286A (ko) 2022-11-30
CN107004689B (zh) 2020-09-18
JPWO2016098696A1 (ja) 2017-09-28
KR102472247B1 (ko) 2022-12-01
US20170338272A1 (en) 2017-11-23
JP6984687B2 (ja) 2021-12-22
JP6701529B2 (ja) 2020-05-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI708378B (zh) 固體攝像元件及電子裝置
US11411032B2 (en) Sensor chip and electronic device
US10805562B2 (en) Imaging device, manufacturing method, semiconductor device, and electronic device
WO2017169884A1 (ja) 固体撮像素子、センサ装置、および電子機器
JP6732730B2 (ja) 固体撮像素子、駆動方法、および電子機器
JP2016103541A (ja) 固体撮像装置
US11670649B2 (en) Sensor chip and electronic device
JP2016162917A (ja) 固体撮像素子および電子機器
KR102656724B1 (ko) 촬상 소자 및 전자 기기
US10396108B2 (en) Solid-state imaging element, solid-state imaging element manufacturing method, and electronic apparatus
WO2017043330A1 (ja) 固体撮像装置および電子機器
JP2017098424A (ja) 半導体装置、製造方法