JPS62230273A - 固体撮像装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は、例えば、カメラの自動焦点装置（Ａ　Ｆ　＝
Ａｕｔｏ　ＦＯＣＬＩＳ）の受光素子その他ニ用イられ
る電荷結合素子（ＣＯＤ）を用いた固体撮像装置に関す
る。

（従来の技術） 固体撮像装置の一利用形態として、例えばカメラの自動
焦点装置の受光素子としての固体ライン廿ンサがある。

第１４図から第１９図に従来の固体ラインセンサの一例
についての構成、電位分布、および印加パルスのタイミ
ングを示す。

第１４図及び第１５図において、感光画素領域１は入射
光量に応じた信号電荷を発生し、この感光画素領域１は
、第１５図に示すように、例えばＰ形の半導体基板２に
形成されたＮ形の不純物領域である。感光画素領域１で
発生した信号電荷が所定の母を越えたときには、その信
号電荷は制御電極３を介して蓄積部４に流入づ゛る（第
１６図参照）。制御電極３には一定の電圧が印加されて
おり、この一定電圧により感光画素領域１から蓄積部４
に流入する信号電荷のスレッショルド値が一義的に決め
られる。また、蓄積部４における信号電荷の蓄積量は蓄
積部４に設りられた蓄積電極５に印加される一定電圧値
により一義的に決められる。

蓄積部４に蓄積された信号電荷はシフトゲート６を介し
て所定のタイミングでＣＣＤ型の転送レジスタ７に流入
する。このようにして複数の感光画素領域１から転送レ
ジスタ７に並列に信号電荷が流入する。

転送レジスタフには転送ゲート８およびＮ形の埋め込み
チャンネル９が設【ノられており、転送ゲート８に所定
の転送用パルスが印加されると出力バッファ１０から所
望の出力信号が得られるようになっている。

なお、制御電極３、蓄積電極５、シフトゲート６、およ
び転送ゲート８は半導体基板２上に絶縁層６１を介して
設けられたポリシリコン層等により構成される。

また、第１７図に示すように、蓄積部４には積分クリア
ゲート６２を介してオーバーフロードレイン領域６３が
隣接して設【プられている。第１８図に示すように、積
分クリアグー１−６２に所定の信号パルスが印加される
ことにより、蓄積部４から前記パルスが印加されること
ににす、蓄積部４から前記オーバーフロードレイン領域
６３へと不要電荷が排出される。この前記オーバーフロ
ートレイン領域６３は例えばＮ形の不純物領域に構成さ
れる。

第１９図に積分クリアゲート６２およびシフトゲート６
に印加される信号パルスを示り一６感光画素領域１で得
られた信号電荷を蓄積部４に流入さＵるに先立って、ま
ず、積分クリアゲート６２をオンして前記蓄積部４から
前記オーバーフロートゲレイン領域６３へと不要電荷を
排出させる。

次に、前記積分クリアゲート６２をオフして蓄積期間Ｔ
ｓだけ信号電荷を蓄積部４に蓄積させる。

この蓄積電荷はシフトゲート６に期間ｌｓｈだりパルス
を印加することにより、転送レジスタ７に転送される。

転送レジスタ７は例えば２相りロック駆動方式により駆
動され、信号電荷が転送されるときには転送ゲート９に
は信号パルスが印加されてハイレベル状態になっている
。また、このとき、第１６図に示すうに、感光画素領域
１は浮遊状態になっており、その電位は制ｍ＋ｉ極３下
の電位と等しくなっている。

（発明が解決しようと覆る問題点） しかしながら、このような従来の固体撮像装置にあって
は、次のような問題点がある。

まず、第１の問題点は、被写体が暗くて感光画素領域１
で得られる信号電荷量が少ないときに暗電流（光電変換
減少以外の主として熱的原因により半導体基板２内で発
生した再結合電流）の割合が無視できない程大きくなり
、ＡＦｌｆ！Ｊ能が十分に働かなくなってしまうことで
ある。

また、第２の問題点は、被写体が非常に明るいときにも
、ＡＦＩａ能が十分に働かなくなってしまうことである
。

即ち、蓄積部４への信号電荷の蓄積が終了したと判断さ
れた後にシフトゲ−１−〇に時間Ｔｓｈだ【プパルスが
印加されるが、期間１−ｓｂの間にも感光画素領域では
電荷が発生している。この間の電荷が、被写体が非常に
明るいときには、制御Ｉ電極３を介して蓄積部４へと流
入し、ざらに、転送レジスタ７へと流入した後に出力部
１０から出力されてしまうこととなる。

このような自体の発生を抑えるために全蓄積期間ＴＳに
占める期間ＴＳｈの割合を通常は１０％以下に設定して
いるが、規格ＴＳ１１の最短時間についでも限界があり
、そのため、被写体が非常に明るいときには、出力信号
が飽和してしまい、ＡＦＩｆｉ能が十分に働かなくなっ
てしまうのである。

本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、暗電流
が信号電荷に占める割合を制御して入射光量が少ない場
合でも極めて多い場合でも適切な出力信号を得ることが
できる固体撮像装置を提供することを目的とする。

〔発明の椛成〕

（問題点を解決するための手段） 上記目的を達成するため、本発明による固体撮像装置は
、入射光を受光して当該入射量に応じた信号電荷を発生
する感光画素領域と、この感光画素領域から流入する信
号電荷を一時的に蓄積１′る一時蓄積部と、この一時蓄
積部からの信号電荷量に応じた出力信号を発生ずる出力
部と、前記感光領域から前記一時蓄積部への信号蓄積部
から前記出力部への信号電荷の転送を制御する第２の制
御手段と、前記入射光量が所定値に達しているか否かを
判断するモニタ手段と、このモニタ手段の判断結果に応
じて前記信号電荷の蓄積場所を前記感光画素領域または
前記一時蓄積部のいずれかに切り換えるよう前記第１お
よび第２の制御手段を操作する操作部とを備えたことを
！ｌｈ徴とする。

（作　用） 本発明による固体撮像装置によれば、モニタ手段により
入射光量が少ない（イバ照度）と判断されたときには信
号電荷の蓄積場所を感光画素領域とすることにより暗電
流（主どして一時蓄積部で発生する暗電流）が信号電荷
に占める割合を制御して適切な出力信号を得ることがで
きるとともに、−しニタ手段により入射光間が多い（高
照度）と判断されたときには信号電荷の蓄積場所を一時
蓄積部とすることにより第１の制御手段を操作するだり
で蓄積を終了させることにより信号電荷の蓄積動作を高
速度で行うことを可能にして適切な出力信号を得ること
ができる。

（実施例） 以下、本発明を図示する実施例に基づいて詳述する。

第１図から第６図に本発明の第１の実施例ににる固体撮
像装置を示す。第１図および第２図において、′Ｐ型の
半導体基板１１上には複数の感光画素領域１２が形成さ
れ、これら感光画素領域１２により入射光量に応じた信
号電荷が得られるようになっている。感光画素領域１２
は、第２図の示すように、半導体基板１１（Ｐ形）と、
この半導体基板１１と逆導電形（Ｎ形第１不純物層１３
と、この第１不純物層１３上に形成され且つ半導体基板
１１と同導電形（Ｐ＋形）の第２不純物層１４と、から
成る三層構造を有している。この三層構造は埋め込み感
光ダイオード（３ｕｒｉｃｄ　ｐ　ｈｏｔ。

［）　１ｏｄｅ・・・ＢＰＤ）と呼ばれ、第１不純物層
１３が空乏化されてその空乏化容Ｍに信号電荷が蓄積さ
れるように各層１３．’１４の濃度および厚ざが決めら
れでいる。また、第２不純物層１’／Ｉは設置されてお
り、感光画素領域１２の半導体基板１１の表面での暗電
流の発生が制御されている。各感光画素領域１２には、
第１の制御手段としての制御グー１〜１５を介して、一
時蓄積部１６が隣接して設けられ、この一時蓄積部１６
の電位は蓄積電極１６Δに印加される電圧により一定に
保たれている。各一時蓄積部１６は各感光画素領域１２
から流入する信号電荷を一時的に蓄積し、また制御グー
１〜１５は感光画素領域１２から一時蓄積部１６への信
号電荷の流入を制御するようになっている。

また、各−一蓄積部１６にはシフトグー１へ１７を介し
て共通の転送レジスタ１８が隣接して設【プられ、シフ
トゲート１７おにび転送レジスタ１８により第２の制御
手段１９が構成されている。複数の一時蓄積部１６から
転送レジスタ１８へは並列的に信号電荷が流入し、シフ
トゲ−１−１７はこの際の信号電荷の流入を制御ザる。

また、転送レジスタ１８には転送ゲート２０　Ｊ′３．
Ｊ：びＮ形の埋め込みチャンネル２１が設（）られてい
る。転送レジスタ１８には出力部２２が接続され、この
出力部２２は転送レジスタ１８からの信号電荷Ｍｌに応
じ　　　　５、た出力信号を発生するようになっている
。

また、一時蓄積部１６には、積分クリアーゲート２４を
介して、一時蓄積部用オーバーフロードレイン領域２５
が隣接して設【ノられ、一時蓄積部の不要電荷が積分ク
リアグー１〜の制御下で一時蓄積部用オーバーフロード
レイン領域２５へと排出されるようになっている。

さらに、制御ゲート１５、シフトゲート１７、転送レジ
スタ１８、および積分クリアゲート２４の各々は操作部
２６に接続され、この操作部２６によって感光画素領域
１２で発生した信号電荷の蓄積場所が感光画素領域１２
または一時蓄積部１６のいずれかに切り換えるようにし
て信号電荷が出力部２２へと転送されるようになってい
る□。

また、操作部２６にはモニタ手段２７が接続されている
。このモニタ手段２７は、感光画素領域の入射光量が所
定の値に達しているか否かを判断し、その判断結果に応
じて操作部２６が信号電荷の蓄積場所を前記感光画素領
域１２または前記一時蓄積部１６のいずれかに切り換え
るようになっている。

なお、制御ゲート１５、？ｂ槓電極１６Δ、シフトゲー
ト１７、転送ゲート２０、および積分クリアゲート２４
は半導体基板１１上に絶縁層２８を介して設けられたポ
リシリコン層により構成される。

次に、本実施例の動作につき第３図から第６図を参照し
て説明する。

まず、モニタ手段２７が低照度であると判断したときの
動作につぎ説明する。このときの動作を感光画素領域蓄
積モードと呼ぶ。

この感光画素領域蓄積モードは、制御ゲート１５と積分
クリフゲート２４とを同時にオンして（第４図中の期”
間Ｔ”　ａ参照）、感光画素領域１２と一□時蓄積部１
６の電荷をすべて一時蓄積部用オーバーフロートレイン
領域２５へと排出することにより始まる。ついで、制御
グー１〜１５と積分クリアゲート２４とをオフして感光
画素領域１２に信号電荷を蓄積させる（第４図中の期間
Ｔｂ）。

蓄積期間が収量すると、積分クリツプ−１〜２４を一旦
オンして（第４図中の期間Ｔｃ　）一時蓄積部１６の不
要電荷（主として暗電流）を再び排出した後、制御ゲー
ト１５を一旦オンして（第４図中のｍ間Ｔｄ　）感光画
素領域１２から一時蓄積部１６へと信号電荷を転瑳Ｊる
。なお、制御ゲー１−１５がオン状態のときは、制御ゲ
ート１５下の電位は感光画素領域１２と一時蓄積部１６
の中間の電位にある。

このような感光画素領域蓄積モードで【ま、感光画素領
域１２で信号電荷を蓄積さぼるため、切言ずれば、全蓄
積期間Ｔｓ、、（第４図参照）のうちの大部分である期
間Ｔｂについては一時蓄積部１６で発生した暗電流が信
号電荷に全く混入することがないため、暗電流が信号電
荷に占める割合を制御できる。したがって、低照度の場
合でも適切な出力信号を得ることができる。

なお、蓄積収蚤の際に、積分り２リアゲート２４をオン
し始めてから制御ゲート１５０オン状態が終了するまで
の期間ＴＯが誤差発生の原因どなる。

しかし、感光画素領域蓄積モードは低照度で動作させる
ものであり、全蓄積期間Ｔｓは長く、全蓄積期間７ｓに
占める期間Ｔｏの割合が低く、大きな、誤差を生じさせ
ることとはならない、。　　　。

次に、モニタ手ｇ２２７が高熱１哀であると判断したと
きの動作につき、第３図および第５図を参照して、説明
する。このときの動作を一時蓄積部蓄積モードと呼ぶ。

この一時蓄積部蓄積モードにおいては、制御ゲート１５
をオンした状態で積分クリアゲ−１−２４をオンして（
第５図中の期間Ｔａ）、感光画素領域１２と一時蓄積部
１６の電荷を１−べて一時蓄積部用オーバーフロードレ
イン領域２５へと排出することにより始まる。ちいで、
積分クリアゲート２４のりをオフし、制御グー１−１５
のオン状態は雛持する。制御ゲー１へ１５がオン状態の
ときは、制御ゲート１５下の電位は感光画素領域１２と
一時蓄積部１６の中間の電位にあり、感光画素領域１２
で発生した信号電荷は次々に一時蓄積部１６へと流入し
ていく。蓄積期間が終了したときは、制御ゲート１５を
オフする。このときの全蓄積期間は第５図中の期間ＴＳ
である。

この一時蓄積部蓄積モードでは、制御グー１〜１５をオ
フするだりで蓄積の終了を完了することができるので、
蓄積の終了を判断してから実際に蓄積を終了させるまで
の時間的ずれを原理的に零。

とすることができる。したがって、最短蓄積期間を大幅
に短縮させることができる。蓄積期間が短縮されればさ
れる程、それに比例して受光可能な照度の大きさが増す
ため、この−ような最短蓄積期間の大幅な短縮により、
受光可能な最大照度が大幅に向上することとなる。

なお、このような一時蓄積モードでは、感、元画素領域
１２での光電変換中に一時蓄積部１６で発生する暗電流
が信号電荷にそのまま含まれ灸こととなる。しかし、暗
電流の発生量は時間に比例し、この一時蓄積部蓄積モー
ドでは高照度であるため、蓄積期間は極めて短い。その
ため、蓄積モードでの信号電荷中に含まれる暗電流の割
合は低く問題はない４゜　　　　　　　　　　　　　　
　　１第６図はモード切り換え動作時のパルスタイミン
グを示していφ。゛しニタ手段２７のモニタ出力が所定
のレベルに達しないときく低照度時）は、感光画素領域
モードどなる。図中、期間Ｔｓｌの問にモニタ出力が所
定のレベルを越える（高照度時）と、モード切り換えが
行われて一時蓄積部蓄積モードとなり、止金Ｔ　ｓ、　
２の間蓄積が行われるようになる。

なお、両モード共に蓄ｆｆｔ　ＪＪＪ間の終了後には信
号電荷は一時蓄積部に一時的に蓄えられ、その後、シフ
トゲート１７を期間Ｔｓｈだ（プＡンして転送レジスタ
１８に信号を転送する。

このような第１の実施例によれば、感光画素領１域１２
が前記の三層構造を有しているため、単なるＰ　Ｎ、接
合型の感光画素領域に比較して感光画素領域１２自体の
暗電流も大幅に減少する。

次に１．前記以外の実施例りつき説明するが、第７図か
ら第１０図を用いて本発明の第２の実施例による固体撮
像装置を説明づ−る。前記実施例と同一もしくは近似す
る部分は同一符号を用いて年明を省略する。

本実施例では、第７図に示すように、一時蓄積部１６の
蓄積電極１６Ａは負荷抵抗３１を介して電源側に接続さ
れるとともに並列接続されたトランジスタ３２，３３を
介してアース側にも接続されている。これらトランジス
タ３２．３３のうちの一方のトランジスタ３２のグー１
〜は積分クリアゲート２４に接続され、他方の］・ラン
ジスタ３３のゲートはシフトゲート１７に接続されてい
る。

この付加回路により蓄積゛電極１６Δには、シフトゲー
ト１７および積分クリアゲート２４が共にオフ状態のと
きにはハイレベル電圧（電源電圧）が印加され、シフト
ゲート１７あるいき積分クリアゲート２４のいずれか一
方がオン状態のときにきローレベル電圧（接地電圧）が
印加されることとなる。したがって、第８図、第９図に
示すように、一時蓄積部１６に信号電荷を蓄積させると
きには一時蓄積部１６の電位井戸が深くなる。

前出の第１の実施例では制御ゲート１５下の電位を感光
画素領域１２と一時蓄積部１６の電位の中間の値とし且
つ各電位間の段差をある程度以上確保しなりればならな
い。そのため、第１の実施例では各電極（ゲート）に印
加する電圧条件が複雑となり、印加パルスのタイミング
も高精度が要求されることとなる。これに対して、本実
施例では、一時蓄積部１６の電位を可変とすることによ
り信号電荷の流出入や蓄積が確実で容易となる。

次に、本発明の第３の実施例による固体撮像装置を第１
１図および第１２図を用いで説明する。

本実施例では、感光画素領域１２の不要電荷を排出する
だめの感光画素領域用オーバーフロードレイン領域４１
が、電位障壁領域４２を介して、感光画素領域１２に隣
接して設置ノられている。感光画素領域用オーバーフロ
ートレイン領域４１は高濃度のＮ影領域であり、正電圧
が印加されている。

また、電位障壁領域４２は感光画素領域１２よりも浅い
電位井戸が形成されるように第１の不純物１３よりも低
濃度に形成されている。

このにうな本実施例によれば、制御ゲート１５がオフし
ている間、感光画素領域１２で発生した電荷が感光画素
領域１２を溢れ出して一時蓄槓部１６に流入することを
防止することができるという効果がある。

第１３図に本発明の第４の実施例による固体銀＝　　１
９　− 像装置を示す。本実施例では、制御ゲート１５の不要電
荷を排出するだめの第１の制御手段用オーバーフロード
レイン領域としての制御ゲート用オーバーフロートレイ
ン領域５１が、電位障壁５２を介して、制御ゲート１５
に隣接して設りられている。

本実施例は第１〜３の実施例をさらに改良したものであ
る。即ち、第１〜３実施例では感光画素領域１２と一時
蓄積１６の電荷をすべて同時に排出させたいときには制
御ゲート１５はハイレベルで蓄積電極１６Δはローレベ
ルとなり、制御ゲート１５の印加電圧によっては制御ゲ
ート１５下の電位の方が一時蓄積部１６の電位よりも深
くなり（第８図参照）、電荷を一時蓄積部１６から積分
クリアゲート２４へと排出できなくなるおそれがある。

しかしながら、本実施例では、このようなときにも制御
ゲート用オーバーフロードレイン領域５１から確実に“
電荷を排出できる。

さらに、上記各実施例では、信号電荷が感光画素領域１
２に蓄積されるときの出力部２２の利得が、信号電荷が
一時蓄積部１６に蓄積されるときの出力部２２の利得よ
りも大きくなるよう構成されていることが好ましい。こ
のにうに構成された出力部２２を用いるとすれば、最短
蓄積期間で扱える電荷ｍを大きくすることが可能となり
、受光可能最大照痕を一層大きくすることができる。

また、上記各実施例は本発明がＡＦ装置として用いられ
る場合につき説明したが、本発明による固体撮像装置は
以外の装置にも適用しうろことはいうまでもない。

〔発明の効果〕

以上の通り、本発明によれば、暗電流が信号電荷に占め
る割合を抑制して入射光量が少ない場合にも適切な出力
信号を得ることができるとともに、信号電荷の蓄積動作
を高速度で行うことを可能にして入射光量が極めて多い
場合にも適切な出力信号を得ることができる。例えば、
ＡＦ装置として用いられるときには、暗い被写体から明
るい被写体までの広い範囲にわたりＡＦＩｉ能を十分に
果たすことのできる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例による固体撮像装置の平
面図、第２図は同固体撮像装置のＩＩ　−ＩＩ線断面図
、第３図は第２図の電位を示す電位状態図、第４図、第
５図、第０図はそれぞれ同固体撮像装置における感光画
素領域蓄積モード、一時蓄積部蓄積モード、およびモー
ド切り換え時のパルスタイミングを示すタイムチャート
、第７図は本発明の第２の実施例による固体撮像装置を
示ず平面図、第８図および第９図は同固体撮像装置にお
（）る電位を示す電位状ｒフ図、第１０図は同固体撮像
装置おけるパルスタイミングを示すタイムチャート、第
１１図および第１２図は本発明の第３の実施例による固
体撮像装置の断面図および電位を示す電位状態図、第１
３図は本願の第４の実施例による固体撮像装置を示す平
面図、第１４図は従来の固体撮像装置の一例を示Ｊ平面
図、第１５図は従来の固体撮像装置のｘｖ−ｘｖ線断面
図、第１６図は第１５図の電位を示づ一電位状態図、第
１７図は従来の固体撮像装置の断面図、第１８図は第１
７図の電位を示す電位状態図、第１９図は従来の固体撮
像装置のパルスタイミングを示り゛タイムチャートであ
る。 １１・・・半導体基板、１２・・・感光画素領域、１３
・・・第１不純物層、１４・・・第２不純物層、１５・
・・第１の制御手段としての制御グー１〜．１６・・・
一時蓄積部、１６Ａ・・・蓄積電極、１７・・・シフト
ゲート、１８・・・転送レジスタ、１９・・・第２の接
触手段、２０・・・転送ゲート、２１・・・埋め込みチ
ャンネル、２２・・・出力部、２４・・・積分クリアグ
ー１〜．２６・・・操作部、２７・・・モニタ手段、２
８・・・絶縁層、３１・・・負荷抵抗、３２．３３・・
・トランジスタ、４１・・・感光画素領域用オーバーフ
ロートレイン領域、４２．５２・・・電位障壁領域、５
１・・・制御ゲート用オーバーフロードレイン領域。 出願人代理人　　佐　　藤　　−雄 第１図 第２図 旧 第３図 第４図 シフトゲート Ｔ。 第５図 第７図 Ｏ 第９・図 第１０図 １　＼ｈ　　　　　　　　礪１＾ 〃／ 、４１ 簗１４図 第１５図 檗１７図 第１８図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、入射光を重厚して当該入射量に応じた信号電荷を発
   生する感光画素領域と、この感光画素領域から流入する
   信号電荷を一時的に蓄積する一時蓄積部と、この一時蓄
   積部からの信号電荷量に応じた出力信号を発生する出力
   部と、前記感光画素領域から前記一時蓄積部への信号電
   荷の流入を制御する第１の制御手段と、前記一時蓄積部
   から前記出力部への信号電荷の転送を制御する第２の制
   御手段と、前記入射光量が所定値に達しているか否かを
   判断するモニタ手段と、このモニタ手段の判断結果に応
   じて前記信号信号電荷の蓄積場所を前記感光画素領域ま
   たは前記一時蓄積部のいずれかに切り換えるよう前記第
   １および第２の制御手段を操作する操作部とを備えたこ
   とを特徴とする固体撮像装置。 ２、特許請求の範囲第１項記載の装置において、前記感
   光画素領域は、半導体基板と、この半導体基板と逆導電
   形の第１の不純物層と、この第１の不純物層上に形成さ
   れ且つ前記半導体基板と同導電形の第１の不純物層とか
   ら成る三層構造を有することを特徴とする固体撮像装置
   。 ３、特許請求の範囲第１項または第２項記載の装置にお
   いて、前記一時蓄積部の不要電荷を排出するための一時
   蓄積部用オーバーフロードレイン領域が、積分クリアゲ
   ートを介して、前記一時蓄積部に隣接して設けられてい
   ることを特徴とする固体撮像装置。 ４、特許請求の範囲第１項乃至第３項のいずれかに記載
   の装置において、前記第２の制御手段は、前記一時蓄積
   部の信号電荷を前記出力部に転送する電荷転送部と、前
   記一時蓄積部から前記電荷転送部への電荷の流入を制御
   するシフトゲートとを有することを特徴とする固体撮像
   装置。 ５、特許請求の範囲第３項または第４項記載の装置にお
   いて、前記一時蓄積部は、前記一時蓄積部の電位井戸を
   制御する蓄積電極を有し、この蓄積電極には、前記シフ
   トゲートおよび前記積分クリアゲートが共にオフ状態の
   ときにはハイレベル電圧が印加され、前記シフトゲート
   あるいは前記積分クリアゲートのいずれか一方がオン状
   態のときにはローレベル電圧が印加されることを特徴と
   する固体撮像装置。 ６、特許請求の範囲第１項乃至第５項のいずれかに記載
   の装置において、前記感光画素領域の不要電荷を排出す
   るための感光画素領域用オーバーフロードレイン領域が
   、前記感光画素領域に隣接して設けられていることを特
   徴とする固体撮像装置。 ７、特許請求の範囲第１項乃至第６項のいずれかに記載
   の装置において、前記第１の制御手段の不要電荷を排出
   するための第１の制御手段用オーバーフロードレイン領
   域が、前記第１の制御手段に隣接して設けられているこ
   とを特徴とする固体撮像装置。 ８、特許請求の範囲第１項乃至第７項のいずれかに記載
   の装置において、信号電荷が前記感光画素領域に蓄積さ
   れるときの前記出力部の利得が、信号電荷が前記一時蓄
   積部に蓄積されるときの前記出力部の利得よりも大きい
   ことを特徴とする固体撮像装置。