TWI705995B - 液晶聚合物薄膜的加工方法及其裝置 - Google Patents

Abstract

液晶聚合物薄膜的加工方法，包括以下步驟：提供金屬基板、提供液晶聚合物薄膜、壓合液晶聚合物薄膜和金屬基板，以形成複合板、在特定溫度下加熱複合板、以及將加熱後之液晶聚合物薄膜從複合板分離，獲得加工後之液晶聚合物薄膜。本發明同時提供液晶聚合物的加工裝置，包含壓合組件、輸送組件、加熱組件、以及分離組件。

Description

液晶聚合物薄膜的加工方法及其裝置

本揭示內容係關於一種液晶聚合物薄膜的加工方法及裝置，具體來說，係關於提升液晶聚合物薄膜的熔點溫度或液晶態過渡溫度的加工方法及裝置。

由於液晶聚合物薄膜具有優良的低吸濕性、耐熱性、耐化學試劑性及介電性質，其作為印製電路板等中的介電材料可以減少阻容延遲(RC delay)所產生的不良影響，因此液晶聚合物薄膜的商品化正迅速地發展。然而，在製作多層板時，由於每一疊層中的介電層與熱源的距離不同，所以在歷經高溫壓合時所受的熱則會不一致，在相同介電層熔點(或液晶態過渡溫度)之下，將造成介電層之間性質的差異。因此，如何提升液晶聚合物薄膜熔點(或液晶態過渡溫度)，取得不同熔點(或液晶態過渡溫度)的液晶聚合物薄膜，是待改進的問題。

為了達到上述目的，本揭示內容之一目的在於 提供液晶聚合物薄膜的加工方法，包括以下步驟：提供基板、提供液晶聚合物薄膜、壓合液晶聚合物薄膜和基板，以形成複合板、在特定溫度下加熱複合板、以及將加熱後之液晶聚合物薄膜從複合板分離，獲得加工後之液晶聚合物薄膜。

根據本揭示內容一實施方式，基板包含表面平整且沒有經過圖案化處理的金屬基板。

根據本揭示內容一實施方式，金屬基板包含圖案化金屬基板。

根據本揭示內容一實施方式，圖案化金屬基板包含凹槽以及兩個條狀平台，條狀平台分別凸設於凹槽的兩側。

根據本揭示內容一實施方式，圖案化金屬基板步驟更包含多個開口位於凹槽的兩側，開口與凹槽連通且凹陷於此些條狀平台。

根據本揭示內容一實施方式，壓合液晶聚合物薄膜和金屬基板步驟包括將液晶聚合物薄膜壓合於圖案化金屬基板的該凹槽中。

根據本揭示內容一實施方式，壓合後之液晶聚合物薄膜低於條狀平台的頂表面。

根據本揭示內容一實施方式，壓合液晶聚合物薄膜和金屬基板步驟之後，加工方法更包含將複合板滾成捲。

根據本揭示內容一實施方式，壓合液晶聚合物薄膜和金屬基板、在特定溫度下加熱複合板步驟、以及將加 熱後之液晶聚合物薄膜從複合板分離的步驟之間，以連續式輸送複合板。

根據本揭示內容一實施方式，壓合液晶聚合物薄膜和金屬基板步驟以及在特定溫度下加熱複合板步驟為同時進行。

根據本揭示內容一實施方式，在特定溫度下加熱複合板步驟中，加熱時間介於1小時至24小時之間。

根據本揭示內容一實施方式，在特定溫度下加熱複合板步驟，特定溫度低於加熱前之液晶聚合物薄膜的熔點溫度或液晶態過渡溫度。

根據本揭示內容一實施方式，在特定溫度下加熱複合板步驟更包含在特定溫度下連續多階段的加熱複合板。

根據本揭示內容一實施方式，連續多階段的加熱步驟中，每一次的加熱溫度高於前一次的加熱溫度。

根據本揭示內容一實施方式，將加熱後之液晶聚合物薄膜從複合板分離步驟中，包含使用剝離輥，利用上下剝離輥，從複合板將液晶聚合物薄膜分離出來。

為了達到上述目的，本揭示內容之另一目的在於提供液晶聚合物的加工裝置，包含壓合組件、輸送組件、加熱組件、以及分離組件。壓合組件配置以壓合液晶聚合物薄膜和基板，以形成複合板。輸送組件用以經由一路徑輸送複合板，其中路徑以壓合組件作為起始位。加熱組件，設置於壓合組件之中，或是輸送複合板之路徑的至少一側或其組合，並 用以在特定溫度下加熱複合板。分離組件，位於輸送組件輸送複合板之路徑終端，用以將加熱後之液晶聚合物薄膜從複合板分離。

根據本揭示內容一實施方式，液晶聚合物薄膜包含熱塑性液晶聚合物薄膜或可溶性液晶聚合物薄膜。

根據本揭示內容一實施方式，可溶性液晶聚合物包括如下式(I)所示的重複單元：

其中Ar可為1,4-伸苯基(1,4-phenylene)、1,3-伸苯基(1,3-phenylene)、2,6-萘基(2,6-naphthalene)、或4,4'-亞聯苯基(4,4'-biphenylene)；Y可為O或NH；且X可為氨基(amino)、醯胺基(amide group)、亞胺基(imido或imino)、脒基(amidino)、氨基羰基氨基(aminocarbonylamino)、氨基硫代羰基(aminothiocarbonyl)、氨基羰基氧基(aminocarbonyloxy)、氨基磺醯基(aminosulfonyl)、氨基磺醯氧基(aminosulfonyloxy)、氨基磺醯基氨基(aminosulfonylamino)、羧酸酯(carboxyl ester)、(羧酸酯)氨基((carboxyl ester)amino)、(烷氧基羰基)氧基((alkoxycarbonyl)oxy)、烷氧基羰基(alkoxycarbonyl)、羥胺基(hydroxyamino)、烷氧基氨基(alkoxyamino)、氰氧基(cyanato)、異氰酸基(isocyanato)或其組合。

根據本揭示內容一實施方式，基板包含金屬基板。

根據本揭示內容一實施方式，基板為表面平整且沒有經過圖案化處理的金屬基板。

根據本揭示內容一實施方式，壓合組件包含上輥輪及下輥輪。

根據本揭示內容一實施方式，輸送組件包含輥輪組。

根據本揭示內容一實施方式，加熱組件包含紅外線燈管。

根據本揭示內容一實施方式，加熱組件沿著路徑中相對於壓合組件由近至遠依序分布，形成多個加熱區域，個別加熱區域具有不同之特定溫度，當加熱區域越接近路徑終端，則加熱區域的特定溫度越高。

根據本揭示內容一實施方式，特定溫度低於加熱前之液晶聚合物薄膜的熔點溫度或液晶態過渡溫度。

根據本揭示內容一實施方式，分離組件包含剝離輥。

上述發明內容旨在提供本揭示內容的簡化摘要，以使閱讀者對本揭示內容具備基本的理解。此發明內容並非本揭示內容的完整概述，且其用意並非在指出本發明實施例的重要/關鍵特徵或界定本發明的範圍。

110‧‧‧圖案化金屬基板

110T‧‧‧厚度

112‧‧‧凹槽

112D‧‧‧深度

113‧‧‧條狀平台

114‧‧‧開口

120‧‧‧液晶聚合物薄膜

130‧‧‧第一複合板

140‧‧‧金屬基板

150‧‧‧第二複合板

160‧‧‧壓合組件

r1‧‧‧上輥輪

r2‧‧‧下輥輪

170‧‧‧輸送組件

180‧‧‧加熱組件

Z1‧‧‧第一加熱區域

Z2‧‧‧第二加熱區域

Z3‧‧‧第三加熱區域

Z4‧‧‧第四加熱區域

Z5‧‧‧第五加熱區域

182‧‧‧紅外線燈管

190‧‧‧分離組件

r3‧‧‧上剝離輥

r4‧‧‧下剝離輥

為讓本揭示內容之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之說明如下：

第1A圖至第4圖為繪示本揭示內容之一實施方式之製造液晶聚合物薄膜在製程不同階段中的側視示意圖。

第5圖為繪示本揭示內容之另一實施方式之製造液晶聚合物薄膜的側視示意圖。

為了使本揭示內容的敘述更加詳盡與完備，下文針對了本揭示內容的實施態樣與具體實施例提出了說明性的描述；但這並非實施或運用本揭示內容具體實施例的唯一形式。以下所揭露的各實施例，在有益的情形下可相互組合或取代，也可在一實施例中附加其他的實施例，而無須進一步的記載或說明。除非內容中有其他清楚的指稱，本文所使用的單數詞包含複數的指稱對象。透過參考「一實施方式」這樣特定的指稱，在至少其中之一的本案揭示內容的實施方式中，表示一種特定的特徵、結構或特色，因此在各處的「在一實施方式」，這樣的片語透過特別的指稱出現時，並不需要參考相同的實施方式，更進一步，在一或多實施方式中，這些特別的特徵、結構、或特色可以依合適的情況相互組合。

在以下描述中，將詳細敘述許多特定細節以使讀者能夠充分理解以下的實施例。然而，可在無此等特定細節之情況下實踐本揭示內容之實施例。在其他情況下，為簡化圖式，熟知的結構與裝置僅示意性地繪示於圖中。

於本文中通篇所使用之詞彙一般代表其通常的意涵，至於一些特殊詞彙會在下文中具體定義，以提供實踐者額外的指引。為了方便起見，某些詞彙可能被特別標示，例如使用斜體與/或引號。不論它是否被特別標示，其詞彙之範圍和含義不受任何影響，與平常詞彙的範圍和含義是相同的。相同的事情可以被一種以上的方式所描述是可以被理解的。因此，用於一個或多個的術語的替代語言與同義詞可能會在本文中所使用，而其不是要闡述一個詞彙在本文所論述的內容有其任何特殊的意義。某些詞彙的同義詞將被使用，重複的使用一個或多個同義詞，並不會排除使用其他同義詞。本說明書內所討論的任何例證只用來作解說的用途，並不會以任何方式限制的本揭示內容或其例證之範圍和意義。同樣地，本揭示內容並不受限於本說明書中所提出的各種實施例。

於本文中，除非內文中對於冠詞有所特別限定，否則『一』與『該』可泛指單一個或多個。將進一步理解的是，本文中所使用之『包含』、『包括』、『具有』及相似詞彙，指明其所記載的特徵、整數、步驟、與/或操作，但不排除其所述或額外的其一個或多個其它特徵、整數、步驟、與/或操作。

關於本文中所使用之『約』一般通常係指數值之誤差或範圍約百分之二十以內，較好地是約百分之十以內，而更佳地則是約百分之五以內。文中若無明確說明，其所提及的數值皆視作為近似值，即如『約』所表示的誤差或 範圍。

在本揭示內容中，對於本揭示內容所使用的液晶聚合物薄膜不作特別的限定，舉例來說，液晶聚合物薄膜可為熱塑性液晶聚合物和/或可溶性液晶聚合物。

在多個實施例中，熱塑性液晶聚合物的原料成分具體可以分類成以下四類：

第一類：芳香族或脂肪族二羧酸(請參照下表一)

第二類：芳香族羥基羧酸(請參照下表二)

第三類：芳香族或脂肪族二羥基化合物(請參照下表三)

第四類：芳香族二胺、芳香族羥基胺或芳香族氨基羧酸(請參照下表四)

由上述表一至表四的原料化合物獲得的液晶高分子的代表例可列舉具有如下表五所繪示之結構單元的共聚物(a)至(e)。

在多個實施例中，可溶性液晶聚合物包括如下式(I)所示的重複單元：

其中Ar可為1,4-伸苯基(1,4-phenylene)、1,3-伸苯基 (1,3-phenylene)、2,6-萘基(2,6-naphthalene)、或4,4'-亞聯苯基(4,4'-biphenylene)；Y可為O或NH；且X可為氨基(amino)、醯胺基(amide group)、亞胺基(imido或imino)、脒基(amidino)、氨基羰基氨基(aminocarbonylamino)、氨基硫代羰基(aminothiocarbonyl)、氨基羰基氧基(aminocarbonyloxy)、氨基磺醯基(aminosulfonyl)、氨基磺醯氧基(aminosulfonyloxy)、氨基磺醯基氨基(aminosulfonylamino)、羧酸酯(carboxyl ester)、(羧酸酯)氨基((carboxyl ester)amino)、(烷氧基羰基)氧基((alkoxycarbonyl)oxy)、烷氧基羰基(alkoxycarbonyl)、羥胺基(hydroxyamino)、烷氧基氨基(alkoxyamino)、氰氧基(cyanato)、異氰酸基(isocyanato)或其組合，但並不以此為限。

本揭示內容之一態樣是提供液晶聚合物薄膜的加工方法，包括以下步驟：提供基板；提供液晶聚合物薄膜；壓合液晶聚合物薄膜和基板，以形成複合板；在特定溫度下加熱複合板；以及將加熱後之液晶聚合物薄膜從複合板分離，獲得加工後之液晶聚合物薄膜。加熱後之液晶聚合物薄膜的熔點高於加熱前之液晶聚合物薄膜的熔點，藉由此加工方法，以得到具有不同熔點(或液晶態過渡溫度)的液晶聚合物薄膜，即可應用於接收不同熱量的介電層，以提升各疊層介電層間的性質穩定度。第1A圖、第1B圖、第2圖、第3圖及第4圖係根據本揭示內容之一實施方式之製造液晶聚合物薄膜 在製程不同階段中的側視示意圖，第5圖係根據本揭示內容之另一實施方式之製造液晶聚合物薄膜的側視示意圖。

請參閱第1A圖、第1B圖以及第5圖，在本揭示內容之一些實施例中，基板可包含金屬基板140(例如：表面平整且沒有經過圖案化處理的金屬基板)或是圖案化金屬基板110，請再參閱第1A圖及第1B圖。具體的說，圖案化金屬基板110具有一凹槽112。應注意，凹槽112並不會穿透圖案化金屬基板110，且凹槽112係沿著圖案化金屬基板110的長邊延伸並用以置放後續製程中的液晶聚合物薄膜。在一些實施例中，圖案化金屬基板110可以為銅基板、鋁基板、鎳基板、鈀基板或錫基板，但不以此為限。圖案化金屬基板110的厚度110T沒有特別的限定，舉例來說厚度110T可為100μm至500μm，例如為150μm、200μm、250μm、300μm、350μm、400μm或450μm。凹槽112的深度112D亦沒有特別的限定，舉例來說深度112D可為50μm至250μm，例如為75μm、100μm、125μm、150μm、175μm、200μm或250μm。可以理解的是，圖案化金屬基板110的厚度110T及凹槽112的深度112D可依據在後續製程中的液晶聚合物薄膜的厚度而調整。

在一實施例中，提供圖案化金屬基板110之前，可以在一表面平整的金屬基板上形成第一光阻，並藉由微影蝕刻製程去除金屬基板中央的部分金屬以形成如第1A圖所繪示的圖案化金屬基板110。也就是說，第1A圖所繪示之圖案化金屬基板110包含一凹槽112以及兩個條狀平台 113，條狀平台113分別凸設於凹槽112的兩側。

在另一實施例中，可以在一表面平整的金屬基板上形成第二光阻，並藉由微影蝕刻製程去除金屬基板中央及兩側的部分金屬以形成如第1B圖所繪示的圖案化金屬基板110。也就是說，第1B圖所繪示的圖案化金屬基板110除了包含有凹槽112之外，還包含多個開口114位於凹槽112的兩側，且開口114與凹槽112連通。在某些實例中，位於凹槽112的兩側的開口114可以對稱設置也可以不對稱設置。

本揭示內容之一些實施例中，壓合液晶聚合物薄膜120和圖案化金屬基板110，以形成第一複合板130，請參閱第2圖。具體的說，液晶聚合物薄膜120係壓合於圖案化金屬基板110的凹槽112中。在一些實施例中，液晶聚合物薄膜120可以為熱塑性液晶聚合物薄膜或可溶性液晶聚合物薄膜。應注意，在此步驟中所使用之尚未進行任何加工處理前的熱塑性液晶聚合物薄膜或可溶性液晶聚合物薄膜各自具有一熔點或液晶態過渡(Liquid Crystal Transition)溫度。須說明的是，此熔點和液晶態過渡溫度皆可利用差示掃描量熱計對出現主吸熱峰的溫度進行測定而求得。在一些實施例中，壓合液晶聚合物薄膜和金屬基板步驟以及在特定溫度下加熱複合板步驟係為同時進行，如第2圖所示，可以藉由壓合組件160，例如上輥輪r1對下輥輪r2(roll-to-roll)之方式輸送，一邊加熱一邊使其通過一對之加壓上輥輪r1和下輥輪r2之間而連續地進行熱壓合的方 式。在一些實施例中，請參閱第3圖，壓合液晶聚合物薄膜和金屬基板步驟之後可更包含將壓合後的第一複合板130滾成捲，以利轉移至下一熱處理製程中。此外，由於液晶聚合物薄膜120位於圖案化金屬基板110的凹槽112中，因此成捲的第一複合板130可以藉由兩側凸起的部分將液晶聚合物薄膜120彼此分離。

在另一實施例中，若選擇壓合具有約50微米厚度的液晶聚合物薄膜120，則可使用厚度約為150微米的圖案化金屬基板110並蝕刻出具有約75微米深度的凹槽112。在另一實施例中，若選擇壓合具有約80微米厚度的液晶聚合物薄膜120，則可使用厚度約為200微米的圖案化金屬基板110並蝕刻出具有約100微米深度的凹槽112。應注意，壓合後，位於凹槽112中的液晶聚合物薄膜120需低於條狀平台113的頂表面，以避免成捲的第一複合板130於後續加熱時，液晶聚合物薄膜120沾黏至圖案化金屬基板110。以上僅為示例，可以根據液晶聚合物薄膜120的厚度來搭配不同的圖案化金屬基板110的厚度及其凹槽112的深度。

本揭示內容之一些實施例中，在特定溫度下加熱複合板步驟，加熱時間介於1小時至24小時之間，其中特定溫度為低於加熱前之液晶聚合物薄膜120的熔點溫度或液晶態過渡溫度。應注意，此步驟可以提高複合板中液晶聚合物薄膜120的熔點或液晶態過渡溫度。在一些實施例中，可以加熱1小時、2小時、3小時、4小時、5小時、6小時、7小時、8小時、9小時、10小時、11小時、12小時、13小時、 14小時、15小時、16小時、17小時、18小時、19小時、20小時、21小時、22小時、23小時或24小時。藉由這樣長時間的熱處理，可以增加液晶聚合物薄膜內的分子量，進而提升液晶聚合物薄膜的熔點或液晶態過渡溫度。因此，可以理解的是，加熱的時間越長，複合板中加熱後之液晶聚合物薄膜的熔點或液晶態過渡溫度提升的越高。

在一些實施例中，可以在加熱組件(例如，熱風循環爐、陶瓷加熱器或烘箱)中執行加熱複合板步驟。請參閱第3圖，在實際操作上，由於部分加熱組件180(例如，烘箱)的空間有限，因此可直接將成捲的第一複合板130置於加熱組件180中進行長時間加熱。可以理解的是，為了讓成捲的液晶聚合物薄膜120內外皆平均受熱，圖案化金屬基板110成為了良好的熱傳導媒介，使得中心處與外圍的液晶聚合物薄膜120之間的溫差縮小。須強調的是，若第一複合板130中的圖案化金屬基板110如第1B圖以及第2圖所繪示，則熱空氣可以藉由開口114直接進入凹槽112並加熱液晶聚合物薄膜120，這種設計可以使得中心處與外圍的液晶聚合物薄膜120之間的溫差更小。

在一實施例中，請繼續參閱第3圖，特定溫度可以是低於加熱前液晶聚合物薄膜120熔點(或液晶態過渡溫度)30℃、低於加熱前液晶聚合物薄膜120熔點(或液晶態過渡溫度)25℃、低於加熱前液晶聚合物薄膜120熔點(或液晶態過渡溫度)20℃、低於加熱前液晶聚合物薄膜120熔點(或液晶態過渡溫度)15℃、低於加熱前液晶聚合物薄膜120熔 點(或液晶態過渡溫度)10℃或低於加熱前液晶聚合物薄膜120熔點(或液晶態過渡溫度)5℃，但不以此為限。應注意，特定溫度不可以超過加熱前液晶聚合物薄膜120的熔點或液晶態過渡溫度。

在另一實施例中，可以對複合板進行連續多階段的加熱處理。舉例來說，第一次：使用低於加熱前液晶聚合物薄膜120熔點(或液晶態過渡溫度)30℃的溫度加熱複合板約2小時；第二次：使用低於加熱前液晶聚合物薄膜120熔點(或液晶態過渡溫度)20℃的溫度加熱複合板約3小時；以及第n次：使用低於加熱前液晶聚合物薄膜120熔點(或液晶態過渡溫度)5℃的溫度加熱複合板約1小時。應注意，在連續多階段的加熱處理中，每一次的加熱溫度需高於前一次的加熱溫度，但是，加熱時間則可以根據需求而調整。

本揭示內容之一些實施例中，將加熱後之液晶聚合物薄膜120從複合板分離出來之步驟，請參閱第4圖。在一實施例中，分離的方法不做特別的限定，但如第4圖所示，可以使用剝離輥190，即利用上下剝離輥r3和r4從第一複合板130將加熱後液晶聚合物薄膜120分離出來。須說明的是，加熱後之液晶聚合物薄膜120的熔點或液晶態過渡溫度係高於加熱前之液晶聚合物薄膜120的熔點或液晶態過渡溫度。

本揭示內容之一些實施例中，加工方法可連續式的進行。即，在壓合液晶聚合物薄膜和金屬基板步驟、特定溫度下加熱複合板步驟、以及將加熱後之液晶聚合物薄膜從 複合板分離的步驟之間，以連續式輸送複合板。請參考第5圖，首先，壓合液晶聚合物薄膜120和金屬基板140，以形成第二複合板150。接著，在特定溫度下加熱第二複合板150。而後，將加熱後之液晶聚合物薄膜120從第二複合板150分離，獲得加工後之液晶聚合物薄膜120。在前述步驟間，使用輸送組件170以連續式輸送第二複合板150。需注意的是，非連續式進行與連續式進行的不同之處在於：連續式進行之每一步驟都可以在同一個加工裝置下連續製造。另外，在一些實施例中，金屬基板140為表面平整且沒有經過圖案化處理。

本揭示內容之另一態樣是提供液晶聚合物的加工裝置，可連續式的進行液晶聚合物的加工，加工裝置包含壓合組件160、輸送組件170、加熱組件180、以及分離組件190(如第5圖所示)。壓合組件160用以壓合液晶聚合物薄膜120和基板(例如金屬基板140)，以形成複合板。輸送組件170，用以經由路徑輸送複合板，而路徑以壓合組件160作為起始位。加熱組件180，設置於壓合組件160之中，或是輸送複合板之路徑的至少一側或其組合，並用以在特定溫度下加熱複合板。分離組件190，位於輸送組件170輸送複合板之路徑終端，用以將加熱後之液晶聚合物薄膜120從複合板分離。

在本揭示內容的一些實施例中，首先，壓合組件160可壓合液晶聚合物薄膜120和金屬基板140，以形成複合板。在一些實施例中，液晶聚合物薄膜120可以為熱塑性液晶聚合物薄膜或可溶性液晶聚合物薄膜。基板用以支撐液晶聚合物薄膜，可以為金屬基板(例如：銅基板、鋁基板、 鎳基板、鈀基板或錫基板)，但不以此為限。應注意，在此步驟中所使用之尚未進行任何加工處理前的熱塑性液晶聚合物薄膜或可溶性液晶聚合物薄膜各自具有一熔點或液晶態過渡(LC Transition)溫度。須說明的是，此熔點和液晶態過渡溫度皆可利用差示掃描量熱計對出現主吸熱峰的溫度進行測定而求得。在一些實施例中，請參閱第5圖，金屬基板140為表面平整且沒有經過圖案化處理，在壓合液晶聚合物薄膜120和表面平整且沒有經過圖案化處理的金屬基板140後，形成第二複合板150。在一些實施例中，壓合組件160包含上輥輪及下輥輪，如第5圖所示，壓合組件160可以藉由上輥輪r1對下輥輪r2(roll-to-roll)之方式輸送，一邊加熱一邊使其通過一對加壓輥輪(即r1和r2)之間而連續地進行熱壓合。

在本揭示內容的一些實施例中，輸送組件170經由一路徑輸送複合板，其中路徑涵蓋範圍包含壓合組件160、加熱組件180及分離組件190。在一些實施例中，輸送組件170包含輸送台或輥輪組，如第5圖所示，輥輪組經由旋轉牽動第二複合板150，沿前述路徑輸送第二複合板150。

在本揭示內容的一些實施例中，如第5圖所示，加熱組件180包含一紅外線燈管182，加熱組件180可利用紅外線燈管182對第二複合板150進行熱處理。在一些實施例中，加熱組件180在特定溫度下加熱複合板的加熱時間介於1至24小時之間，其中特定溫度為低於加熱前之液晶聚合物薄膜120的熔點或液晶態過渡溫度溫度。應注意，此步驟可 以提高複合板中液晶聚合物薄膜120的熔點或液晶態過渡溫度。在一些實施例中，可以加熱1小時、2小時、3小時、4小時、5小時、6小時、7小時、8小時、9小時、10小時、11小時、12小時、13小時、14小時、15小時、16小時、17小時、18小時、19小時、20小時、21小時、22小時、23小時或24小時。藉由這樣長時間的熱處理，可以增加液晶聚合物薄膜120內的分子量，進而提升液晶聚合物薄膜120的熔點或液晶態過渡溫度。因此，可以理解的是，加熱的時間越長，複合板中加熱後之液晶聚合物薄膜120的熔點或液晶態過渡溫度提升的越高。

在一些實施例中，加熱組件沿著路徑中相對於壓合組件由近至遠依序分布，形成至少一加熱區域。在一些實施例中，可形成多個加熱區域，如第5圖所示，此連續式的加工裝置依序包含五個加熱區域Z1、Z2、Z3、Z4和Z5。更具體的說，每個加熱區域(Z1、Z2、Z3、Z4和Z5)包含多個紅外線燈管182。

在一些實施例中，如第5圖所示，每個加熱區域(Z1、Z2、Z3、Z4和Z5)皆使用特定溫度加熱第二複合板150，舉例來說，此特定溫度可以是低於加熱前液晶聚合物薄膜120熔點(或液晶態過渡溫度)30℃、低於加熱前液晶聚合物薄膜120熔點(或液晶態過渡溫度)25℃、低於加熱前液晶聚合物薄膜120熔點(或液晶態過渡溫度)20℃、低於加熱前液晶聚合物薄膜120熔點(或液晶態過渡溫度)15℃、低於加熱前液晶聚合物薄膜120熔點(或液晶態過渡溫度)10℃ 或低於加熱前液晶聚合物薄膜120熔點(或液晶態過渡溫度)5℃，但不以此為限。應注意，特定溫度不可以超過加熱前液晶聚合物薄膜120的熔點或液晶態過渡溫度。

在一些實施例中，如第5圖所示，多個加熱區域可以對第二複合板150進行連續多階段的加熱處理。舉例來說，第一加熱區域Z1：使用低於加熱前液晶聚合物薄膜120熔點(或液晶態過渡溫度)30℃的溫度加熱第二複合板150約4小時；第二加熱區域Z2：低於加熱前液晶聚合物薄膜120熔點(或液晶態過渡溫度)25℃的溫度加熱第二複合板150約6小時；第三加熱區域Z3：使用低於加熱前液晶聚合物薄膜120熔點(或液晶態過渡溫度)20℃的溫度加熱第二複合板150約2小時；第四加熱區域Z4：使用低於加熱前液晶聚合物薄膜120熔點(或液晶態過渡溫度)15℃的溫度加熱第二複合板150約3小時；以及第五加熱區域Z5：使用低於加熱前液晶聚合物薄膜120熔點(或液晶態過渡溫度)10℃的溫度加熱第二複合板150約1小時。應注意，在連續多階段的加熱處理中，每一次的加熱溫度需高於前一次的加熱溫度，但是，加熱時間則可以根據需求而調整。也就是，個別加熱區域具有不同之特定溫度，當加熱區域越接近路徑終端(即路徑中相對於壓合組件160的較遠端)，則加熱區域的特定溫度越高。

在本揭示內容的一些實施例中，分離組件190可將加熱後之液晶聚合物薄膜120從複合板分離出來。在一些實施例中，分離的方法不做特別的限定，但如第5圖所 示，分離組件19可使用剝離輥，即，上下剝離輥r3和r4從第二複合板150將加熱後液晶聚合物薄膜120分離出來。應注意，加熱後之液晶聚合物薄膜120的熔點高於加熱前之液晶聚合物薄膜120的熔點。

值得注意的是，本揭示內容中之液晶聚合物薄膜的加工方法可依據使用需求，以連續式或非連續式的方式進行，而本揭示內容中液晶聚合物薄膜的加工裝置的每一步驟都可以連續式地進行。

綜上所述，本揭示內容提供如上所述之提升液晶聚合物薄膜熔點(或液晶態過渡溫度)的方法以及裝置，以得到具有不同熔點(或液晶態過渡溫度)的液晶聚合物薄膜。在應用上，如製作多層板，越靠近芯層(core layer)的介電層可以使用熔點越低的液晶聚合物薄膜，反之，遠離芯層的介電層可以使用熔點(或液晶態過渡溫度)越高的液晶聚合物薄膜。換句話說，即便每一疊層中的液晶聚合物薄膜所接受的熱皆不一致，但是，由於每一疊層中的液晶聚合物薄膜具有不同的熔點(或液晶態過渡溫度)，因此，各層介電層仍可以發揮其優點。

雖然本揭示內容已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本揭示內容，任何熟習此技藝者，在不脫離本揭示內容之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本揭示內容之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

120‧‧‧液晶聚合物薄膜

140‧‧‧金屬基板

150‧‧‧第二複合板

160‧‧‧壓合組件

r1‧‧‧上輥輪

r2‧‧‧下輥輪

170‧‧‧輸送組件

180‧‧‧加熱組件

Z1‧‧‧第一加熱區域

Z2‧‧‧第二加熱區域

Z3‧‧‧第三加熱區域

Z4‧‧‧第四加熱區域

Z5‧‧‧第五加熱區域

182‧‧‧紅外線燈管

190‧‧‧分離組件

r3‧‧‧上剝離輥

r4‧‧‧下剝離輥

Claims (23)

1. 一種液晶聚合物薄膜的加工方法，包括以下步驟：提供一基板，其中該基板包含一圖案化金屬基板；提供一液晶聚合物薄膜；壓合該液晶聚合物薄膜和該基板，以形成一複合板；在一溫度下加熱該複合板；以及將加熱後之該液晶聚合物薄膜從該複合板分離，獲得加工後之該液晶聚合物薄膜，其中在壓合該液晶聚合物薄膜和該基板、在該溫度下加熱該複合板步驟、以及將加熱後之該液晶聚合物薄膜從該複合板分離的步驟之間，係以連續式輸送該複合板。
2. 如請求項1所述之加工方法，其中該基板包含一表面平整且沒有經過圖案化處理的金屬基板。
3. 如請求項1所述之加工方法，其中該圖案化金屬基板包含一凹槽以及兩個條狀平台，該些條狀平台分別凸設於該凹槽的兩側。
4. 如請求項3所述之加工方法，其中該圖案化金屬基板更包含複數個開口位於該凹槽的兩側，該開口與該凹槽連通且凹陷於該些條狀平台。
5. 如請求項3所述之加工方法，其中壓合該液晶聚合物薄膜和該基板步驟包括將該液晶聚合物薄膜壓合於該圖案化金屬基板的該凹槽中。
6. 如請求項5所述之加工方法，其中壓合後之該液晶聚合物薄膜低於該些條狀平台的頂表面。
7. 如請求項3所述之加工方法，其中壓合該液晶聚合物薄膜和該基板步驟之後，該方法更包含將該複合板滾成捲。
8. 如請求項1所述之加工方法，其中壓合該液晶聚合物薄膜和該基板步驟以及在該溫度下加熱該複合板步驟係為同時進行。
9. 如請求項1所述之加工方法，其中在該溫度下加熱該複合板步驟中，加熱時間介於1小時至24小時之間。
10. 如請求項1所述之加工方法，其中在該溫度下加熱該複合板步驟，該溫度低於加熱前之該液晶聚合物薄膜的熔點溫度或一液晶態過渡溫度。
11. 如請求項10所述之加工方法，其中在該 溫度下加熱該複合板步驟更包含在該溫度下連續多階段的加熱該複合板。
12. 如請求項11所述之加工方法，其中在該溫度下連續多階段的加熱該複合板步驟中，每一次的加熱溫度高於前一次的加熱溫度。
13. 如請求項1所述之加工方法，其中將加熱後之該液晶聚合物薄膜從該複合板分離步驟中，包含使用一剝離輥，該剝離輥具有上下剝離輥，並利用上下剝離輥從該複合板將該液晶聚合物薄膜分離出來。
14. 一種液晶聚合物的加工裝置，包含：一壓合組件，配置以壓合一液晶聚合物薄膜和一基板，以形成一複合板；一輸送組件，配置以經由一路徑輸送該複合板，其中該路徑以該壓合組件作為起始端，其中該輸送組件包含一輥輪組；一加熱組件，設置於該壓合組件之中，或是設置於輸送該複合板之該路徑的至少一側或其組合，並配置以在一溫度下加熱該複合板；以及一分離組件，位於該輸送組件輸送該複合板之該路徑終端，配置以將加熱後之該液晶聚合物薄膜從該複合板分離。
15. 如請求項14所述之加工裝置，其中該液 晶聚合物薄膜包含熱塑性液晶聚合物薄膜或可溶性液晶聚合物薄膜。
16. 如請求項15所述之加工裝置，其中該可溶性液晶聚合物包括如下式(I)所示的重複單元：

    

    其中Ar可為1,4-伸苯基(1,4-phenylene)、1,3-伸苯基(1,3-phenylene)、2,6-萘基(2,6-naphthalene)、或4,4'-亞聯苯基(4,4'-biphenylene)；Y可為O或NH；且X可為氨基(amino)、醯胺基(amide group)、亞胺基(imido或imino)、脒基(amidino)、氨基羰基氨基(aminocarbonylamino)、氨基硫代羰基(aminothiocarbonyl)、氨基羰基氧基(aminocarbonyloxy)、氨基磺醯基(aminosulfonyl)、氨基磺醯氧基(aminosulfonyloxy)、氨基磺醯基氨基(aminosulfonylamino)、羧酸酯(carboxyl ester)、(羧酸酯)氨基((carboxyl ester)amino)、(烷氧基羰基)氧基((alkoxycarbonyl)oxy)、烷氧基羰基(alkoxycarbonyl)、羥胺基(hydroxyamino)、烷氧基氨基(alkoxyamino)、氰氧基(cyanato)、異氰酸基(isocyanato)或其組合。
17. 如請求項14所述之加工裝置，其中該基板包含金屬基板。
18. 請求項17所述之加工裝置，其中該金屬基板為表面平整且沒有經過圖案化處理的金屬基板。
19. 如請求項14所述之加工裝置，其中該壓合組件包含上輥輪及下輥輪。
20. 如請求項14所述之加工裝置，其中該加熱組件包含一紅外線燈管。
21. 如請求項14所述之加工裝置，其中該加熱組件沿著該路徑中相對於該壓合組件由近至遠依序分布，形成複數個加熱區域，各該加熱區域具有不同之該溫度，當該些加熱區域越接近該路徑終端，則該加熱區域的該溫度越高。
22. 如請求項14所述之加工裝置，其中該溫度低於加熱前之該液晶聚合物薄膜的熔點溫度或液晶態過渡溫度。
23. 如請求項14所述之加工裝置，其中該分離組件包含一剝離輥。

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