TWI704548B - 顯示裝置 - Google Patents
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- G09G3/3266—Details of drivers for scan electrodes
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- G09G3/3275—Details of drivers for data electrodes
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- G09G3/3275—Details of drivers for data electrodes
- G09G3/3283—Details of drivers for data electrodes in which the data driver supplies a variable data current for setting the current through, or the voltage across, the light-emitting elements
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
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- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
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- H—ELECTRICITY
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
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- G06F2203/04111—Cross over in capacitive digitiser, i.e. details of structures for connecting electrodes of the sensing pattern where the connections cross each other, e.g. bridge structures comprising an insulating layer, or vias through substrate
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Abstract
本發明揭露一種具有簡化配置的顯示裝置。該顯示裝置可以包括:閘極線,通過基板的顯示區域;資料線,通過基板的顯示區域;像素驅動電力線,通過基板的顯示區域;複數個像素,具有安裝於界定在基板上的至少一個像素區域中並連接到相鄰的閘極線和資料線的像素驅動晶片、以及連接到像素驅動晶片的發光部分;閘極驅動晶片陣列部分,安裝在基板的非顯示區域中並連接到閘極線;以及資料驅動晶片陣列部分,安裝在基板的非顯示區域中並連接到資料線。
Description
本發明涉及一種顯示裝置。
一般而言,顯示裝置用作各種產品的顯示螢幕,例如:電視、筆記型電腦、和監視器,以及便攜式電子裝置,例如:電子筆記本、電子書(e-book)、便攜式多媒體播放器(PMP)、導航裝置、超級行動個人電腦(ultra mobile personal computer,UMPC)、行動電話、智慧型手機、平板電腦、和手錶型電話。
一般的顯示裝置包括:具有複數個像素的顯示面板;以及用於驅動複數個像素的面板驅動電路。
複數個像素中的每一個包括通過薄膜電晶體製造過程設置在基板上的一個電容器和開關薄膜電晶體以及驅動薄膜電晶體。最近,四個或更多個薄膜電晶體設置在像素中,並且可以設置多達七個薄膜電晶體。
面板驅動電路包括:控制板,包含時序控制器、被配置以產生各種電力的電力管理積體電路等,該時序控制器被配置以從顯示驅動系統或顯示器組接收影像資料並處理影像資料,以產生適用於顯示面板的數位資料信號;複數個資料驅動積體電路,用於將數位資料信號轉換為類比資料信號,並將類比資料信號提供給顯示面板的資料線;複數個可撓性電路膜,用於將複數個資料驅動積體電路連接到顯示面板;源極印刷電路板,被配置以將控制板的輸出信號傳遞到複數個可撓性電路膜;信號電纜,被配置以將控制板連接到源極印刷電路板;以及複數個閘極驅動電路,被配置以驅動顯示面板的閘極線。
由於面板驅動電路設置在顯示面板的外部,這種一般的顯示裝置具有複雜的配置的問題。
因此,本發明旨在提供一種顯示裝置,其基本上消除了由於先前技術的限制和缺點導致的一個或多個問題。
本發明的一個態樣旨在提供一種具有簡化配置的顯示裝置。
本發明的其他優點和特徵將部分地在下面的描述中闡述,並且部分地對於所屬領域中具有通常知識者在研究以下內容時將變得顯而易見,或者可以從本發明的實踐中獲知。本發明的目的和其他優點可以通過書面描述及其申請專利範圍以及附圖中特別指出的結構來實現和獲得。
為了實現這些和其他優點並且根據本發明的目的,如本文所體現和廣泛描述的,提供一種顯示裝置,包括:一基板,包含具有複數個像素區域的一顯示區域以及圍繞該顯示區域的一非顯示區域;第一閘極線至第n閘極線,通過該基板的該顯示區域;第一資料線至第m資料線,通過該基板的該顯示區域;第一像素驅動電力線至第m像素驅動電力線,通過該基板的該顯示區域;複數個像素,每個像素具有安裝在該基板上的至少一個像素區域中並連接到相鄰閘極線以及資料線的一像素驅動晶片、以及連接到該像素驅動晶片的一發光部分;一閘極驅動晶片陣列部分,安裝在該基板的該非顯示區域中,並連接到該第一閘極線至第n閘極線;以及一資料驅動晶片陣列部分,安裝在該基板的該非顯示區域中,並連接到該第一資料線至第m資料線。
應當理解的是,本發明前述的一般描述和以下的詳細描述都是示例性和解釋性的,並且旨在提供對要求保護的本發明的進一步說明。
100‧‧‧顯示面板
110‧‧‧基板
111‧‧‧緩衝層
112‧‧‧凹入部分
113‧‧‧第一平坦層
114‧‧‧絕緣層
115‧‧‧第二平坦層
117‧‧‧密封層(封裝層)
118‧‧‧觸控絕緣層
119‧‧‧保護層
120‧‧‧像素驅動晶片
1200‧‧‧閘極驅動晶片陣列部分、像素驅動晶片
1301‧‧‧資料驅動晶片組
130m‧‧‧資料驅動晶片組
1300‧‧‧資料驅動晶片陣列部分
13001‧‧‧資料驅動晶片組
1300m‧‧‧資料驅動晶片組
13201~1320i‧‧‧第一資料鎖存器組~第i資料鎖存器組
140‧‧‧分隔壁部分
141‧‧‧分隔壁支撐部分
143‧‧‧分隔壁
150‧‧‧透明黏合層
1500‧‧‧時序控制器晶片陣列部分
1510‧‧‧影像信號接收晶片陣列
15101~1510i‧‧‧第一影像信號接收晶片~第i影像信號接收晶片
1530‧‧‧影像品質改進晶片陣列
15301~1530i‧‧‧第一影像品質改進晶片~第i影像品質改進晶片
1550‧‧‧資料控制晶片陣列
15501~1550i‧‧‧第一資料控制晶片~第i資料控制晶片
1570‧‧‧閘極控制晶片
1600‧‧‧電力管理晶片陣列部分
1610‧‧‧邏輯電力晶片
1630‧‧‧驅動電力晶片
1650‧‧‧伽瑪電壓產生晶片
1670‧‧‧序列通訊晶片
170‧‧‧阻擋圖案
190‧‧‧對向基板
191‧‧‧阻擋層
193‧‧‧黑色矩陣
195‧‧‧彩色濾光片層
197‧‧‧光學黏合構件
200‧‧‧閘極驅動晶片陣列部分
201‧‧‧閘極起動訊號線
202‧‧‧閘極時脈線
210‧‧‧閘極驅動晶片
211‧‧‧偏移暫存器
213‧‧‧閘極脈衝調變器
215‧‧‧位準偏移器
217‧‧‧時脈延遲
219‧‧‧時脈緩衝器
250‧‧‧閘極緩衝晶片
251‧‧‧第一反相器
253‧‧‧第二反相器
300‧‧‧資料驅動晶片陣列部分
3001‧‧‧第一資料驅動晶片組
300m‧‧‧第m資料驅動晶片組
310‧‧‧資料接收晶片陣列
3101~310i‧‧‧第一資料接收晶片~第i資料接收晶片
3201~320i‧‧‧第一資料鎖存群組~第i資料鎖存群組
400‧‧‧控制板
500‧‧‧時序控制器
510‧‧‧使用者連接器
530‧‧‧信號電纜
600‧‧‧電力管理電路
700‧‧‧顯示驅動系統
710‧‧‧介面電纜
800‧‧‧觸控感測晶片陣列部分
810‧‧‧觸控感測晶片
811‧‧‧感測時序控制電路
812‧‧‧開關部分
813‧‧‧感測積體電路
814‧‧‧類比至數位轉換電路
815‧‧‧比較電路
816‧‧‧選擇電路
817‧‧‧先進先出記憶體
818‧‧‧信號傳輸電路
820‧‧‧觸控資料傳輸線
830‧‧‧觸控處理晶片
A1~Am‧‧‧第一資料放大器晶片~第m資料放大器晶片
AE‧‧‧陽極電極
B1‧‧‧第一凸塊(閘極凸塊)
B2‧‧‧第二凸塊(資料凸塊)
B3‧‧‧第三凸塊(電力輸入凸塊)
B4‧‧‧第四凸塊(輸出凸塊)
BL‧‧‧堤岸層
CA‧‧‧電路區域
CCE‧‧‧陰極連接電極
CE‧‧‧陰極電極(第二電極)
CH1‧‧‧第一晶片接觸孔
CH2‧‧‧第二晶片接觸孔
CH3‧‧‧陽極接觸孔
CH4‧‧‧陰極接觸孔
CHb1‧‧‧第一凸塊接觸孔
CHb2‧‧‧第二凸塊接觸孔
CPLa‧‧‧突起電極
CPL‧‧‧陰極供電線
CSB1‧‧‧第一公共序列資料匯流排
CSBi‧‧‧第i公共序列資料匯流排
CSCP‧‧‧陰極子接觸部分
Cst‧‧‧電容器
D1~Dm‧‧‧第一數位至類比轉換器晶片~第m數位至類比轉換器晶片
DA‧‧‧顯示區域
DL、DL1~DLm‧‧‧資料線
DSL1‧‧‧第一資料起動訊號線
DSLi‧‧‧第i資料起動訊號線
DSS‧‧‧資料選擇信號
DT‧‧‧驅動電晶體
EA‧‧‧發光區域
EEP‧‧‧電極暴露部分
ELP1‧‧‧第一發光部分
ELP2‧‧‧第二發光部分
ELP3‧‧‧第三發光部分
ELP4‧‧‧第四發光部分
ELP5‧‧‧第五發光部分
ELP6‧‧‧第六發光部分
ELP‧‧‧發光部分
EL‧‧‧發光層
GCLK‧‧‧閘極時脈
GLa‧‧‧第一部分線
GLb‧‧‧第二部分線
GL、GL~GLn‧‧‧閘極線
GMS‧‧‧閘極調變信號
GND‧‧‧接地電壓
GP‧‧‧閘極脈衝
Idata‧‧‧輸入數位資料信號
L1~Lm‧‧‧第一資料鎖存晶片至第m資料鎖存晶片
ML1‧‧‧第一金屬線
ML2‧‧‧第二金屬線
NDA‧‧‧非顯示區域
PA‧‧‧像素區域
PC‧‧‧像素驅動電路(內部像素驅動電路)
PG‧‧‧單元像素組
PLa‧‧‧突起電極
PL‧‧‧像素驅動電力線
PP‧‧‧焊墊部分
PSL‧‧‧像素驅動電壓供應線
P‧‧‧像素
RCL1‧‧‧第一公共參考時脈線
RCLi‧‧‧第i公共參考時脈線
RCTL‧‧‧參考時脈傳輸線
RGVL‧‧‧參考伽瑪電壓供應線
RL‧‧‧觸控佈線
SCS‧‧‧感測開關控制信號
Sdata‧‧‧數位感測資料
SDTL‧‧‧序列資料傳輸線
Simage‧‧‧影像信號
SPI‧‧‧序列外圍介面
SSS‧‧‧感測採樣信號
ST‧‧‧開關電晶體
T1‧‧‧第一終端
T2‧‧‧第二終端
T3‧‧‧第三終端
T4‧‧‧第四終端
T5‧‧‧第五終端
T6‧‧‧第六終端
T7‧‧‧第七終端
T8‧‧‧第八終端
TCH‧‧‧觸控接觸孔
TDD‧‧‧觸控存在資料
TDRS‧‧‧控資料報告信號
TE‧‧‧觸控電極
TMD‧‧‧觸控地圖資料
TRL‧‧‧觸控報告線
TSL‧‧‧觸控感測層
UP、UP1、UP2‧‧‧單元像素
Vcc‧‧‧電晶體邏輯電壓
Vdata‧‧‧資料電壓
Vdd‧‧‧像素驅動電力
Vgpm‧‧‧閘極脈衝調變電壓
Vin‧‧‧輸入電力
Voff‧‧‧閘極關閉電壓
Von‧‧‧閘極導通電壓
Vout‧‧‧輸出信號
Vpre‧‧‧預充電電壓
Vss‧‧‧陰極電力、閘極關閉電壓
Vst‧‧‧閘極起動信號
本說明書包括附圖以提供對本發明的進一步理解,並且附圖被併入且構成本說明書的一部分,其說明本發明的實施例,並且與說明書一起用於解釋本發明的原理。在圖式中:圖1為說明根據本發明一實施例之顯示裝置的示意圖;圖2為說明圖1中所示之基板的平面圖;圖3為說明圖2中所示之一個像素的示意圖;圖4為沿圖1中所示之I-I'線所截取的剖面圖;圖5為說明根據本發明一實施例之在陰極電極與陰極電極供電線之間的連接結構的示意圖; 圖6為沿圖1中所示之I-I'線所截取的另一個剖面圖;圖7為沿圖1中所示之I-I'線所截取的又另一個剖面圖;圖8為說明圖2中所示之閘極驅動晶片陣列部分的示意圖;圖9為說明圖8中所示之一個閘極驅動晶片的示意圖;圖10為說明圖8所示之閘極驅動晶片陣列部分的輸入信號和輸出信號的波形圖;圖11為說明根據本發明一實施例之顯示裝置的閘極緩衝晶片的示意圖;圖12為說明圖11中所示之閘極緩衝晶片的結構的示例性示意圖;圖13為沿圖11中所示之II-II'線所截取的剖面圖;圖14為說明圖2中所示之資料驅動晶片陣列部分的示意圖;圖15為沿圖1中所示之I-I'線所截取的又另一個剖面圖;圖16為說明圖15中所示之觸控感測晶片陣列部分、閘極驅動晶片陣列部分、和觸控電極的示意圖;圖17為圖16中所示之A部分的局部放大圖;圖18為說明圖16和圖17中所示之觸控感測晶片的示意圖;圖19為沿圖1中所示之I-I'線所截取的又另一個剖面圖;圖20為說明根據本發明另一實施例之顯示裝置的示意圖;圖21為說明圖20中所示之基板的示意圖;圖22為說明圖20和圖21中所示之電力管理晶片陣列部分的方塊圖;圖23為說明圖20和圖21中所示之時序控制器晶片陣列部分和資料驅動晶片陣列部分的示意圖;圖24為說明根據本發明又另一實施例之顯示裝置的單元像素的示意圖;以及圖25為說明根據本發明再另一實施例之顯示裝置的單元像素的示意圖。
現在將詳細參考本發明的示例性實施例,其示例在附圖中示出。盡可能地,在整個圖式中將使用相同的元件編號來表示相同或相似的部分。
通過參考附圖描述的以下實施例,將闡明本發明的優點和特徵及其實現方法。然而,本發明可以以不同的形式實施,並且不應該被解釋為限於 此處所闡述的實施例。相反地,提供這些實施例是為了使本發明詳盡和完整,並且將本發明的範圍完全傳達給所屬領域中具有通常知識者。此外,本發明僅由申請專利範圍的範圍限定。
用於描述本發明實施例的圖式中所揭露的形狀、尺寸、比例、角度、和數量僅僅是示例,因此,本發明不限於所示出的細節。相同的元件符號始終代表相同的元件。在以下描述中,當判定為相關已知技術的詳細描述而會不必要地模糊本發明的重點時,將省略詳細描述。
在使用本說明書中描述的「包括」、「具有」和「包含」的情況下,可以添加其他部分,除非使用「僅…」。除非另有相反的說明,否則單數形式的術語可包括複數形式。
在建構元件時,儘管沒有明確的描述,該元件被解釋為包括誤差範圍。
在描述位置關係時,例如,當二者的位置關係被描述為「…上」、「在…之上」、「…下」、「在…之下」、和「相鄰於…」時,除非使用「僅」或「直接」,可以在兩個部分之間佈置一個或多個部分。
在描述時間關係時,例如,當時間順序被描述為「…後」、「隨後…」、「接著…」、和「…之前」時,可以包括不連續的情況,除非使用「正好」或「直接」。
應當理解,儘管此處可以使用術語「第一」、「第二」等來描述各種元件,但是這些元件不應受這些術語所限制。這些術語僅用於區分一個元件與另一個元件。例如,第一元件可以被稱為第二元件,並且同樣地,第二元件可以被稱為第一元件,而不脫離本發明的範圍。
「至少一個」的術語應該被理解為包括一個或多個相關所列項目的任何和所有組合。例如,「第一項、第二項、和第三項中的至少一個」的含義表示從第一項、第二項和第三項中的兩個或更多個提出的所有項目的組合以及第一項、第二項、或第三項。
本發明各種實施例的特徵可以部分地或整個地彼此耦合或組合,並且如所屬領域中具有通常知識者可以充分理解的,可以與彼此互相不同地操作,並技術地被驅動。本發明的實施例可以彼此獨立地執行,或者可以以互相依賴的關係一起執行。
在下文中,將參照附圖詳細描述根據本發明之顯示裝置的實施例。在向每一個圖式的元件添加元件符號時,儘管在其他圖式中示出了相同的元件,但是相同的元件符號可以代表相同的元件。在以下描述中,當判定為相關已知功能或配置的詳細描述而會不必要地模糊本發明的重點時,將省略詳細描述。
圖1為說明根據本發明一實施例之顯示裝置的示意圖;圖2為說明圖1中所示之基板的平面圖;以及圖3為說明圖2中所示之一個像素的示意圖。
參照圖1至圖3,根據本發明一實施例的顯示裝置可以包括:顯示面板100;以及安裝在顯示面板100上的閘極驅動晶片陣列部分200和資料驅動晶片陣列部分300。
顯示面板100可以包括彼此面對的基板110和對向基板190。基板110可以是像素陣列基板。對向基板190可以是包括有彩色濾光片的彩色濾光片陣列基板。基板110具有比對向基板190更大的尺寸,因此基板110的一個側邊緣可以不被對向基板190覆蓋,因而可以暴露該側邊緣。
作為基座基底的基底110可以由諸如玻璃、石英、陶瓷、或塑膠的絕緣材料形成。例如,當基板110由塑膠形成時,基板110可以是聚醯亞胺膜以及耐熱聚醯亞胺膜,其可以承受由高溫沉積製程引起的高溫。基板110可以包括非顯示區域NDA和具有複數個像素區域的顯示區域DA。顯示區域DA可以界定為要顯示影像的區域,而沒有顯示影像的區域為非顯示區域NDA可以界定為基板的邊緣以圍繞顯示區域。
根據實施例,基板110可以包括:第一閘極線到第m閘極線GL,在第一方向X上穿過顯示區域DA;以及第一資料線至第n資料線DL,在與第一方向X交叉的第二方向Y上穿過顯示區域DA。並且,基板110可以包括分別與第一資料線至第n資料線DL平行佈置的第一像素驅動電力線至第n像素驅動電力線PL。透過彼此相交的第一閘極線至第m閘極線GL和第一資料線至第n資料線DL,複數個像素區域界定在顯示區域DA中。
根據實施例,基板110包括用於顯示影像的複數個像素P。
複數個像素P中的每一個可以包括像素驅動晶片120和發光部分ELP。
像素驅動晶片120安裝在每一個像素區域中並且連接到其相鄰的閘極線GL、資料線DL、和像素驅動電力線PL,並且還連接到發光部分ELP。複數個像素驅動晶片120中的每一個皆是微晶片或單個晶片組的最小單元,且其可以是具有兩個或更多個電晶體和一個或更多個電容器的單個小尺寸的半導體封裝裝置。基於從像素驅動電力線PL提供的像素驅動電力Vdd,複數個像素驅動晶片120中的每一個藉由向發光部分ELP提供對應於從資料線DL提供的資料電壓Vdata的資料電流而控制發光部分ELP的發光,以響應從閘極線GL提供的閘極脈衝GP。
根據一實施例,複數個像素驅動晶片120中的每一個可以包括第一凸塊B1至第四凸塊B4和像素驅動電路PC。
第一凸塊B1(或閘極凸塊)電性連接到其相鄰的閘極線GL,以從閘極線GL接收閘極脈衝GP。第二凸塊B2(或資料凸塊)電性連接到其相鄰的資料線DL,以從資料線DL接收資料電壓Vdata。第三凸塊B3(或電力輸入凸塊)電性連接到其相鄰的像素驅動電力線PL,以從像素驅動電力線PL接收像素驅動電力Vdd。第四凸塊B4(或輸出凸塊)電性連接到發光部分ELP,以向發光部分ELP提供資料電流。
像素驅動電路PC連接到第一凸塊B1至第四凸塊B4,並且被配置以基於通過第三凸塊B3提供的像素驅動電力Vdd,向第四凸塊B4輸出與通過第二凸塊B2提供的資料電壓Vdata相對應的資料電流,以響應通過第一凸塊B1提供的閘極脈衝。
根據一實施例,像素驅動電路PC(或內部像素驅動電路)可以包括:開關電晶體ST;驅動電晶體DT;以及電容器Cst。
開關電晶體ST可以包括:閘極電極,連接到第一凸塊B1;第一源極/汲極電極,連接到第二凸塊B2;以及第二源極/汲極電極,連接到驅動電晶體DT的閘極電極。在這種情況下,根據電流的方向,開關電晶體ST的第一源極/汲極電極和第二源極/汲極電極可以是源極電極或汲極電極。可以根據通過第一凸塊B1提供的閘極脈衝來切換開關電晶體ST,以向驅動電晶體DT提供通過第二凸塊B2提供的資料電壓。
驅動電晶體DT包括:閘極電極,連接到開關電晶體ST的第二電極;汲極電極,被配置以通過第三凸塊B3接收像素驅動電力Vdd;以及源極 電極,連接到第四凸塊B4。基於從開關電晶體ST提供的資料電壓Vdata,驅動電晶體DT可以藉由控制通過第四凸塊B4從第三凸塊B3流到發光部分ELP的資料電流來控制發光部分ELP的發光。
電容器Cst可以設置在驅動電晶體DT的閘極電極與源極電極之間的重疊區域中,並且可以被配置以儲存提供給驅動電晶體DT的閘極電極的資料電壓,並以所儲存的電壓開啟驅動電晶體DT。
可選擇地,像素驅動電路PC可以進一步包括至少一個補償電晶體,用於補償驅動電晶體DT的臨界電壓的變化。此外,像素驅動電路PC可以進一步包括至少一個輔助電容器。根據電晶體的數量和輔助電容器的數量,可以另外對像素驅動電路PC提供補償的電力,例如初始化電壓。因此,根據該示例的像素驅動電路PC可以改變為公知的發光顯示裝置的像素驅動電路PC,以使發光部分ELP能夠通過電流驅動的方式發光。在這種情況下,根據電源的數量和像素驅動電路PC的電晶體的數量,複數個像素驅動晶片120中的每一個可以進一步包括至少一個凸塊。另外,對應於電源的電力線可以另外顯示在基板110上。
發光部分ELP可以通過從像素驅動晶片120提供的資料電流發光。通過發光部分ELP的發光所產生的光可以通過對向基板190或基板110發射到外部。
根據一實施例,發光部分ELP可以包括:陽極電極(或第一電極),連接到像素驅動晶片120的第四凸塊B4;發光層,連接到陽極電極;以及陰極電極CE(或第二電極),連接到發光層。發光層可以包括有機發光層、無機發光層、和量子點發光層中的任一種,或者可以包括有機發光層(或無機發光層)和量子點發光層的堆疊或混合的結構。
對向基板190可以覆蓋設置在基板110上的複數個像素P。例如,對向基板190可以是玻璃基板、可撓性基板、或塑膠膜。例如,對向基板190可以是聚對苯二甲酸乙二酯膜或透明聚醯亞胺膜。可以通過透明黏合層將對向基板190黏合到基板110。
閘極驅動晶片陣列部分200安裝在基板110的非顯示區域NDA中,並連接到第一閘極線至第n閘極線GL。閘極驅動晶片陣列部分200依序地將閘極脈衝GP提供給閘極線GL,以響應通過焊墊部分PP提供的閘極時脈和閘 極起動信號,該焊墊部分PP顯示在基板110的第一非顯示區域(或上部非顯示區域)中。例如,閘極驅動晶片陣列部分200可以包括一對一地連接至第一閘極線至第n閘極線GL的第一閘極驅動晶片至第n閘極驅動晶片210。
作為示例,閘極驅動晶片陣列部分200可以安裝在基板110的第二非顯示區域(或左非顯示區域)或第三非顯示區域(或右非顯示區域)中,並且可以以單饋電(single feeding)的方式操作以依序地將閘極脈衝GP提供給第一閘極線至第n閘極線GL。
作為另一示例,閘極驅動晶片陣列部分200可以安裝在基板110的第二非顯示區域(或左非顯示區域)或第三非顯示區域(或右非顯示區域)中,並且可以以雙饋電的方式操作以依序地將閘極脈衝GP提供給第一閘極線至第n閘極線GL。
作為另一示例,閘極驅動晶片陣列部分200可以安裝在基板110的第二非顯示區域(或左非顯示區域)或第三非顯示區域(或右非顯示區域)中,並且可以以交錯雙饋電的方式操作,以依序地將閘極脈衝GP提供給第一閘極線至第n閘極線GL。
資料驅動晶片陣列部分300安裝在基板110的非顯示區域NDA中,並連接到第一資料線至第n資料線DL。資料驅動晶片陣列部分300將通過設置在基板110的第一非顯示區域(或上部非顯示區域)中的焊墊部分PP提供的資料信號轉換為資料電壓Vdata,接著將資料電壓Vdata提供給第一資料線至第n資料線DL。例如,資料驅動晶片陣列部分300可以包括複數個資料驅動晶片,用於提供與第一資料線至第m資料線DL中的每一個相對應的資料電壓Vdata。
根據本發明一實施例的顯示裝置可以包括:控制板400;時序控制器500;電力管理電路600;以及顯示驅動系統700。
控制板400可以通過信號電纜530連接到設置在基板110的非顯示區域一側的焊墊部分PP。
時序控制器500可以安裝在控制板400上,並且可以被配置以通過影像信號的信號處理產生數位資料信號,並且可以將數位資料信號提供給資料驅動晶片陣列部分300,並且還可以產生閘極時脈和閘極起動信號,並可以將閘極時脈和閘極起動信號提供給閘極驅動晶片陣列部分200。也就是說,時序控 制器500可以通過設置在控制板400中的使用者連接器510接收從顯示驅動系統700提供的影像信號和時序同步信號。時序控制器500可以基於時序同步信號適當地校準顯示區域DA的像素佈置結構的影像信號,以產生數位資料信號,並且可以將所產生的數位資料信號提供給資料驅動晶片陣列部分300。此外,時序控制器500可以產生閘極時脈和閘極起動信號,並且可以將閘極時脈和閘極起動信號提供給閘極驅動晶片陣列部分200。根據一實施例,時序控制器500可以通過高速序列介面的方式,例如:嵌入式點對點介面(embedded point to point interface,EPI)的方式、低電壓差分信令(low-voltage differential signaling,LVDS)介面的方式、或者微(mini)LVDS介面的方式,向資料驅動晶片陣列部分300提供數位資料信號、參考時脈、和資料起動信號。
電力管理電路600可以基於從顯示驅動系統700的電源所提供的輸入電力產生電晶體邏輯電壓、接地電壓、像素驅動電力、和至少一個參考伽瑪電壓。電晶體邏輯電壓和接地電壓可以用作時序控制器500、閘極驅動晶片陣列部分200、資料驅動晶片陣列部分300等的驅動電力。接地電壓和像素驅動電力Vdd可以用於複數個像素P、閘極驅動晶片陣列部分200、和資料驅動晶片陣列部分300。資料驅動晶片陣列部分300可以使用複數個參考伽瑪電壓以將數位資料轉換為類比資料電壓。
顯示驅動系統700可以通過介面電纜710連接到控制板400的使用者連接器510。顯示驅動系統700可以從影像來源產生影像信號,並將產生的影像信號提供給時序控制器500。在這種情況下,可以通過例如V對一(V-by-One)介面方式的高速序列介面方式將影像信號提供給時序控制器500。
圖4為沿圖1中之I-I'線所截取的剖面圖。該剖面圖為設置在圖1中所示之顯示面板上的三個相鄰的像素。
參照圖1至圖4,根據本發明一實施例的顯示裝置可以包括:基板110;緩衝層111;複數個像素驅動晶片120;閘極驅動晶片陣列部分200;資料驅動晶片陣列部分300;第一平坦層113;線路層(line layer);第二平坦層115;發光部分ELP;以及密封層117(或封裝層)。
作為像素陣列基板的基底110可以由諸如玻璃、石英、陶瓷、或塑膠的絕緣材料形成。基板110可以包括複數個像素區域PA,每一個像素區域PA具有發光區域EA和電路區域CA。
緩衝層111可以設置在基板110上。緩衝層111可以被配置以防止水通過基板110滲透到發光部分ELP中。根據實施例,緩衝層111可以包括由無機材料形成的至少一個無機層。例如,緩衝層111是交替地堆疊有氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)、氧氮化矽(SiON)、氧化鈦(TiOx)、和氧化鋁(AlOx)中的任一種無機層的多層。
複數個像素驅動晶片120中的每一個可以通過晶片安裝(或轉移)過程安裝在複數個像素區域PA中的每一個的電路區域CA中的緩衝層111上。複數個像素驅動晶片120中的每一個可以具有1至100微米的尺寸。然而,本發明不限於此,並且相較於發光區域EA,複數個像素驅動晶片120中的每一個可以佔據比較小的面積,並且發光區域EA指的是除了電路區域CA之外的像素區域PA。如上所述,複數個像素驅動晶片120中的每一個可以包括第一凸塊B1至第四凸塊B4以及像素驅動電路PC,因此將省略其重複描述。
複數個像素驅動晶片120可以藉由黏合層附著到緩衝層111上。黏合層可以形成在複數個像素驅動晶片120中的每一個的背面(或後表面)上。在這種情況下,在晶片安裝過程中,具有塗覆有黏合層的背面(或後表面)的像素驅動晶片120可以通過真空吸附到真空吸附噴嘴上,接著安裝在(或轉移到)相應像素區域PA的緩衝層111上。同時,複數個像素驅動晶片120可以附著到設置在緩衝層111的整個上表面上的黏合層。
可選擇地,複數個像素驅動晶片120可以安裝於形成在複數個像素區域PA中的每一個的電路區域CA中的複數個凹入部分112上。
複數個凹入部分112可以凹入地形成於出現在電路區域CA中的緩衝層111的前表面上。例如,複數個凹入部分112可以具有諸如凹槽或杯子的形狀,其距離緩衝層111的前表面具有一定深度。複數個凹入部分112可以相應地容納和固定複數個像素驅動晶片120,因此可以最小化由複數個像素驅動晶片120的厚度(或高度)所引起之顯示裝置的厚度增加。
根據一實施例,複數個凹入部分112可以凹入地形成為具有以特定角度傾斜的表面,同時具有與像素驅動晶片120的形狀對應的形狀。因此,在像素驅動晶片120安裝在緩衝層111上的安裝過程中,可以最小化電路區域CA與像素驅動晶片120之間的偏差。
根據一實施例,複數個像素驅動晶片120可以通過塗覆在複數個凹入部分112上的黏合層附接到複數個凹入部分112的底表面。根據另一實施例的複數個像素驅動晶片120可以通過塗覆在包含有複數個凹入部分112的緩衝層111的整個前表面上的黏合層附接到複數個凹入部分112的底表面。
閘極驅動晶片陣列部分200可以包括第一閘極驅動晶片至第n閘極驅動晶片210,安裝在基板110的非顯示區域NDA中,並且一對一地連接到第一閘極線至第n閘極線GL。與像素驅動晶片120相同,第一閘極驅動晶片至第n閘極驅動晶片210中的每一個可以安裝在(或轉移到)相應像素區域PA的緩衝層111上,或者可以通過黏合劑設置在設置於相應像素區域PA的緩衝層111中的凹入部分112上。
資料驅動晶片陣列部分300可以包括第一資料驅動晶片組3001至第m資料驅動晶片組300m,安裝在基板110的非顯示區域NDA中,並且一對一地連接到第一資料線至第m資料線DL。第一資料驅動晶片組3001至第m資料驅動晶片組300m中的每一組可以包括至少一個資料驅動晶片。與像素驅動晶片120相同,資料驅動晶片可以安裝在(或轉移到)相應像素區域PA的緩衝層111上,或者可以通過黏合劑設置在設置於相應像素區域PA的緩衝層111中的凹入部分112上。
第一平坦層113可以設置在基板的前表面上,以覆蓋複數個像素驅動晶片120和第一閘極驅動晶片至第n閘極驅動晶片210。也就是說,通過覆蓋所有設置在基板110上的緩衝層111、複數個像素驅動晶片120、和第一閘極驅動晶片至第n閘極驅動晶片210,第一平坦層113將平坦化的表面提供到緩衝層111、複數個像素驅動晶片120、以及第一閘極驅動晶片至第n閘極驅動晶片210上,並且固定複數個像素驅動晶片120和第一閘極驅動晶片至第n閘極驅動晶片210。例如,第一平坦層113可以由丙烯酸樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂、聚醯胺樹脂、或聚醯亞胺樹脂形成。
線路層可以包括:第一金屬線ML1;絕緣層114;以及第二金屬線ML2。
第一金屬線ML1設置在第一平坦層113上,以在第一方向X上或在第二方向Y上通過顯示區域DA。第一金屬線ML1可以用作閘極線GL或用作資料線DL和像素驅動電力線PL。例如,第一金屬線ML1可以用作閘極線 GL。在這種情況下,由第一金屬線ML1組成的閘極線GL在每一個像素區域PA的電路區域CA上延伸或突出,因此通過設置在第一平坦層113上的第一晶片接觸孔CH1電性連接到對應的像素驅動晶片120的第一凸塊B1,因此,閘極脈衝GP提供給像素驅動晶片120的第一凸塊B1。
絕緣層114可以設置在基板110上,以覆蓋第一金屬線ML1。例如,絕緣層114可以是氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)、氮氧化矽(SiON)、或其多層。
第二金屬線ML2可以設置在絕緣層114上,以在與第一金屬線ML1相交的方向上通過顯示區域DA。第二金屬線ML2可以用作閘極線GL,或者用作資料線DL和像素驅動電力線PL。例如,當第一金屬線ML1可以用作閘極線時,第二金屬線ML2可以用作資料線DL和像素驅動電力線PL。在這種情況下,由第二金屬線ML2組成的資料線DL在每一個像素區域PA的電路區域CA上延伸或突出,因此通過設置在第一平坦層113和絕緣層114上的第二晶片接觸孔CH2電性連接到對應的像素驅動晶片120的第二凸塊B2,因此,資料電壓提供給像素驅動晶片120的第二凸塊B2。此外,由第二金屬線ML2組成的像素驅動電力線PL在每一個像素區域PA的電路區域CA上延伸或突出,因此通過設置在第一平坦層113和絕緣層114上的第三晶片接觸孔電性連接到對應的像素驅動晶片120的第三凸塊B3,因此,像素驅動電力Vdd提供給像素驅動晶片120的第三凸塊B3。在這種情況下,第三晶片接觸孔可以與第二晶片接觸孔CH2一起形成。
第一金屬線ML1和第二金屬線ML2可以由鉬(Mo)、鋁(Al)、銀(Ag)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銅(Cu)、或其合金形成,並且可以形成為單層的金屬或合金,或者形成為兩層或更多層的多層。
第二平坦層115設置在基板110上,以覆蓋線路層。也就是說,藉由形成在基板110上以覆蓋第二金屬線ML2和絕緣層114的第二平坦層115,可以在第二金屬線ML2和絕緣層114上提供平坦化的表面。例如,第二平坦層115可以由丙烯酸樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂、聚醯胺樹脂、或聚醯亞胺樹脂形成,但是本發明不限於此。
發光部分ELP可以包括:複數個陽極電極AE;堤岸層BL;發光層EL;以及陰極電極CE。
對於每一個像素區域PA,可以將複數個陽極電極AE中的每一個分別圖案化。複數個陽極電極AE中的每一個可以通過設置在相應像素區域PA中的第二平坦層115上的陽極接觸孔CH3電性連接到對應像素驅動晶片120的第四凸塊B4,因此資料電流通過像素驅動晶片120的第四凸塊B4提供到陽極電極AE。根據實施例,複數個陽極電極AE可以包含具有高反射率的金屬材料。例如,複數個陽極電極AE可以形成為多層結構,例如:鋁(Al)和鈦(Ti)的堆疊結構(Ti/Al/Ti)、鋁(Al)和氧化錫銦(ITO)的堆疊結構(ITO/Al/ITO)、以及APC合金和ITO的堆疊結構(ITO/APC/ITO),或者可包括由銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Mo)、金(Au)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、和鋇(Ba)中的任何一種材料或兩種材料的合金形成的單層結構。
界定複數個像素區域PA中的每一個的發光區域EA的堤岸層BL也可稱為像素界定層(或分離膜)。堤岸層BL可以設置在第二平坦層115和複數個陽極電極AE的邊緣上,以與像素區域PA的電路區域CA重疊。因此,堤岸層BL可以界定每一個像素區域PA的發光區域EA。作為示例,堤岸層BL可以由有機材料形成,有機材料為丙烯酸樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹、苯環丁烯樹脂、和含氟樹脂中的任一種。作為另一示例,堤岸層BL可以由包括黑色色素的感光材料形成。在這種情況下,堤岸層BL可以用作遮蓋圖案。
發光層EL可以設置在複數個陽極電極AE的發光區域EA中。
根據一實施例的發光層EL包括用於發射白光的兩個或更多個子發光層。例如,發光層EL可以包括第一子發光層和第二子發光層,以藉由混合第一光和第二光來發射白光。在這種情況下,發射第一光的第一子發光層可以包括藍色發光層、綠色發光層、紅色發光層、黃色發光層、和黃綠色發光層中的任一個。第二子發光層可以包括發射與第一光的顏色互補的顏色的光的發光層,其選自藍色發光層、綠色發光層、紅色發光層、黃色發光層、和黃綠色發光層。由於發光層EL發射白光,因此發光層EL不需要針對每一個像素區域PA分別地圖案化,並且可以形成在基板110上以覆蓋複數個陽極電極AE和堤岸層BL。
另外,發光層EL可以另外包括至少一個或多個功能層,以提高發光層EL的發光效率及/或壽命。
可以設置陰極電極CE以覆蓋發光層EL。根據另一實施例的陰極電極CE可以由氧化錫銦(ITO)或氧化銦鋅(IZO)形成,其為透明導電材料,例如透明導電氧化物(TCO),使得從發光層發射的光EL可以朝向對向基板190傳遞。
密封層117可以設置在基板110上以覆蓋發光部分ELP。根據一實施例的密封層117可以被配置以防止氧氣或水滲透到發光部分ELP的發光層EL中。根據實施例,密封層117可以包括無機材料,其為氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)、氮氧化矽(SiON)、氧化鈦(TiOx)、和氧化鋁(AlOx)中的任一種。
在光學上,密封層117可以進一步包括至少一個有機層。有機層可以形成為足夠的厚度,以防止顆粒通過密封層117滲透到發光裝置層中。作為示例,密封層117的有機層可以由有機材料形成,有機材料為丙烯酸樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹、苯環丁烯樹脂、和含氟樹脂中的任一種。
根據本發明一實施例,基板110可以包括複數條陰極電力線,在絕緣層114上彼此平行設置以穿過顯示區域DA,至少一條資料線DL***其間。
複數條陰極電力線可以通過焊墊部分PP從電力管理電路600接收例如接地電壓的陰極電力。複數條陰極電力線可以從第二金屬線ML2中選擇。也就是說,一些第二金屬線ML2可以用作複數條陰極電力線。複數條陰極電力線在顯示區域DA中電性連接到陰極電極CE。為此,如圖5所示,堤岸層BL可以包括複數個陰極子接觸部分CSCP,複數條陰極電力線CPL和陰極電極CE電性連接到複數個陰極子接觸部分CSCP。
複數個陰極子接觸部分CSCP可以包括複數個陰極連接電極CCE和複數個電極暴露部分EEP。
複數個陰極連接電極CCE以分隔區(island)的形式設置在與堤岸層BL重疊的第二平坦層115上,並且由與陽極電極AE相同的材料一起形成。除了陰極連接電極CCE的中心部分之外的邊緣可以被堤岸層BL圍繞,使得陰極連接電極CCE可以與其相鄰的陽極電極AE分離並且電性隔離。每一個陰極 連接電極通過設置在第二平坦層115上的陰極接觸孔CH4電性連接到對應的陰極電力線CPL。在這種情況下,一條陰極電力線CPL可以通過至少一個陰極接觸孔CH4電性連接到至少一個陰極連接電極CCE。
複數個電極暴露部分EEP可以設置在與複數個陰極連接電極CCE重疊的堤岸層上,以暴露複數個陰極連接電極CCE。因此,陰極電極CE可以通過複數個陰極連接電極CCE電性連接到通過複數個電極暴露部分EEP暴露的複數個陰極連接電極CCE並且電性連接到複數條陰極電力線CPL,因此可以具有相對低的電阻。具體地說,藉由從複數條陰極電力線CPL通過複數個陰極連接電極CCE接收陰極電力,可以防止由於提供給陰極電極CE的陰極電壓的電壓降(IR降)所引起的亮度不均勻。
另外,根據本發明的一實施例,基板110可以進一步包括分隔壁部分140。
分隔壁部分140可包括:分隔壁支撐部分141,出現在複數個陰極連接電極CCE的每一個中;以及分隔壁143,設置在分隔壁支撐部分141上。
分隔壁支撐部分141可以形成為錐形結構,該錐形結構在複數個陰極連接電極CCE中的每一個的中心處具有梯形的剖面。
分隔壁143可以形成在分隔壁支撐部分141上,以具有下表面比上表面窄的倒錐形結構,從而覆蓋相應的電極暴露部分EEP。例如,分隔壁143可以包括:具有第一寬度且由分隔壁支撐部分141支撐的下表面;具有大於第一寬度並且大於或等於電極暴露部分EEP的第二寬度的上表面;以及設置在下表面與上表面之間的傾斜表面,以覆蓋電極暴露部分EEP。通過形成為大於或等於電極暴露部分EEP的尺寸的分隔壁143的上表面以覆蓋電極暴露部分EEP,在沉積發光層EL期間,可以防止發光材料滲透到暴露於電極暴露部分EEP的陰極連接電極CCE中。因此,在陰極電極CE沉積的期間,陰極電極材料可以電性連接到陰極連接電極CCE,且其中,陰極電極材料暴露於電極暴露部分EEP。可以在分隔壁143的傾斜表面與暴露於電極暴露部分EEP的陰極連接電極CCE之間提供穿透空間(或空隙),並且陰極電極CE的邊緣通過穿透空間電性連接到暴露於電極暴露部分EEP的陰極連接電極CCE。
再次參照圖1至圖4,對向基板190可以定義為彩色濾光片陣列基板。作為示例,對向基板190包括:阻障層191;黑色矩陣193;以及彩色濾光片層195。
阻障層191可以形成在對向基板190面對於基板110的整個表面上,以防止外部水分或溼氣的滲透。作為示例,阻障層191可以包括由無機材料形成的至少一個無機層。例如,阻障層191可以形成為交替地堆疊有氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)、氧氮化矽(SiON)、氧化鈦(TiOx)、和氧化鋁(AlOx)中的任一種無機層的多層。
通過將黑色矩陣193設置在阻障層191上以與設置在基板110上的堤岸層BL重疊,黑色矩陣193可以界定與每一個像素區域PA的發光區域EA重疊的複數個透射部分。作為示例,黑色矩陣193可以由樹脂材料或諸如鉻Cr或CrOx的不透明金屬材料形成,或者可以由光吸收材料形成。
彩色濾光片層195可以設置在由黑色矩陣193提供的複數個透射部分中的每一個中。作為示例,彩色濾光片層195可以包括紅色彩色濾光片、綠色彩色濾光片、和藍色彩色濾光片中的任一種。紅色彩色濾光片、綠色彩色濾光片、和藍色彩色濾光片可以在第一方向X上重複地設置。
可選擇地,彩色濾光片層195可以包括量子點,該量子點具有一尺寸,以根據從發光層EL入射的光藉由再發射(re-emission)發出預定顏色的光。在這種情況下,量子點可以選自CdS、CdSe、CdTe、CdZnSeS、ZnS、ZnSe、GaAs、GaP、GaAs-P、Ga-Sb、InAs、InP、InSb、AlAs、AlP、AlSb等。例如,紅色彩色濾光片可以包括發射紅光的CdSe或InP的量子點,綠色彩色濾光片可以包括發射綠光的CdZnSeS的量子點,並且藍色彩色濾光片可以包括發射藍光的ZnSe的量子點。如上所述,藉由包括有量子點的彩色濾光片層195,可以增加色域。
可以藉由透明黏合層150將對向基板190黏合到基板110。
透明黏合層150可以稱為填料。作為示例,透明黏合層150由能夠填充基板110與對向基板190之間的間隙的材料以及能夠透射光的透明環氧樹脂材料形成,但是本發明不限於此。透明黏合層150可以通過諸如噴墨、狹縫塗佈、或螢幕印刷的製程形成在基板110上,但是本發明不限於此。透明黏合層150可以形成在對向基板190上。
另外,根據本發明的一實施例,顯示裝置可以進一步包括圍繞透明黏合層150的外側的阻擋圖案170。
阻擋圖案170可以以閉環的形式設置在對向基板190的邊緣處。作為示例,阻擋圖案170可以被設置以在設置於對向基板190中的阻障層191的邊緣處具有一定高度。阻擋圖案170可以被配置以阻擋透明黏合層150的擴散或溢出,並且還將基板110接合到對向基板190。作為示例,阻擋圖案170可以由高黏度的樹脂形成,例如:環氧樹脂材料,該樹脂可以通過諸如紫外線的光固化。此外,阻擋圖案170可以由包含能夠吸附水及/或氧氣的吸氣材料的環氧樹脂材料形成,但是本發明不限於此。阻擋圖案170可以阻擋外部水及/或氧氣滲透到彼此接合的基板110與對向基板190之間的間隙中,以保護發光層EL。因此,可以提高發光層EL的可靠性,同時防止發光層EL的壽命因水及/或氧氣而降低。
如圖6所示,圖4所示的阻障層191、黑色矩陣193、和彩色濾光片層195可以設置在基板110的密封層117上,而不是設置在對向基板190上。
如圖6所示,藉由將黑色矩陣193直接設置在密封層117的前表面上以與設置在基板110中的堤岸層BL重疊,黑色矩陣193可以界定與每一個像素區域PA的發光區域EA重疊的複數個透射部分。
彩色濾光片層195可以形成在由黑色矩陣193提供的複數個透射部分暴露的密封層117的前表面上。除了在密封層117上形成彩色濾光片層195之外,彩色濾光片層195與上述相同,因此將省略其重複的描述。
作為示例,阻障層191可以形成在密封層的前表面上以覆蓋彩色濾光片層195和黑色矩陣193,並且可以在黑色矩陣193和彩色濾光片層195上提供平坦化表面。在這種情況下,當可以通過高溫製程形成阻障層191時,出現在基板110上的發光層EL等可能由於高溫而損壞。因此,較佳地,阻障層191可以由諸如丙烯酸基、環氧基、或矽氧烷基有機絕緣材料的有機材料形成,其可以在100℃或更低的低溫下形成,以防止易受高溫影響的發光層(EL)損壞。
對向基板190可以藉由光學黏合構件197而不是透明黏合層150附接到阻障層191的前表面。在這種情況下,光學黏合劑構件197可以是光學透明黏合劑(OCA)、光學透明樹脂(OCR)、或壓敏膠(PSA)。
由於對向基板190可以通過光學黏合構件197附接到阻障層191的前表面,因此可以省略上述阻擋圖案170。
而且,如圖7所示,圖6中所示的彩色濾光片層195可以設置在陽極電極AE與基板110之間,以與每一個像素區域PA的發光區域EA重疊。例如,彩色濾光片層195可以設置在緩衝層111或第二平坦層115上,以與每一個像素區域PA的發光區域EA重疊。在這種情況下,陽極電極AE可以由透明導電材料形成,並且陰極電極CE可以由具有高反射率的金屬材料形成,使得從發光層EL發射的光可以依次通過彩色濾光片層195和基板110傳遞到外部。當可以應用彩色濾光片層195的佈置結構時,可以通過光學黏合構件197將對向基板190附著到密封層117,並且可以省略阻障層191和黑色矩陣193。
圖8為說明圖2中所示之閘極驅動晶片陣列部分的示意圖;圖9為說明圖8中所示之一個閘極驅動晶片的示意圖;以及圖10為說明圖8中所示之閘極驅動晶片陣列部分的輸入信號和輸出信號的波形圖。
參考圖8至圖10,根據本發明的一實施例,閘極驅動晶片陣列部分200可以包括一對一地連接到第一閘極線GL1至第n閘極線GLn的第一閘極驅動晶片至第n閘極驅動晶片210。在這種情況下,第一閘極驅動晶片至第n閘極驅動晶片210中的每一個都是微晶片或單個晶片組的最小單元,並且可以是包含電晶體的單個小尺寸半導體封裝裝置。
第一閘極驅動晶片至第n閘極驅動晶片210可以彼此疊接(cascade)地連接,使得第一閘極驅動晶片至第n閘極驅動晶片210依序地操作,以依序地向第一閘極線GL1至第n閘極線GLn提供閘極脈衝GP。
第一閘極驅動晶片至第n閘極驅動晶片210中的每一個可以根據閘極時脈GCLK將閘極起動信號Vst輸出到對應的閘極線GL作為閘極脈衝GP,並且可以將輸出信號Vout和閘極時脈GCLK提供給設置在下一級的閘極驅動晶片210。在這種情況下,閘極起動信號Vst可以由時序控制器通過單個閘極起動訊號線201提供給第一閘極驅動晶片210。閘極時脈GLCK可以通過單個閘極時脈線202提供給第一閘極驅動晶片210。
根據一實施例的第一閘極驅動晶片至第n閘極驅動晶片210中的每一個可以包括偏移暫存器211和位準偏移器215。例如,第一閘極驅動晶片至第n閘極驅動晶片210中的每一個可以包括第一終端T1至第八終端T8。
根據通過第二終端T2提供的閘極時脈GCLK,第一閘極驅動晶片210的偏移暫存器211使通過第一終端T1提供的閘極起動信號Vst偏移,接著輸出偏移信號。例如,每當閘極時脈GCLK上升時,偏移暫存器211可以輸出具有與閘極起動信號Vst的電壓位準相對應的電壓位準的偏移信號。
藉由使用閘極導通電壓Von和閘極關閉電壓Vss,第一閘極驅動晶片210的位準偏移器215將從偏移暫存器211輸出的偏移信號位準偏移到具有閘極導通電壓Von或閘極關閉電壓Vss的閘極脈衝GP,接著輸出閘極脈衝GP。閘極脈衝GP可以通過第五終端T5提供給第一閘極線GL1,也可以通過第八終端T8提供給第二閘極驅動晶片210的第一終端T1,以作為閘極起動信號Vst。並且,通過第一閘極驅動晶片210的第二終端T2提供的閘極時脈GCLK可以通過第七終端T7提供給第二閘極驅動晶片210的第二終端T2。在這種情況下,為從電力管理電路600提供的像素驅動電壓的閘極導通電壓Von可以通過第四終端T4提供給位準偏移器215,並且為從電力管理電路600提供的接地電壓的閘極關閉電壓Voff可以通過第六終端T6提供給位準偏移器。
第二閘極驅動晶片至第n閘極驅動晶片210的偏移暫存器通過第一終端T1接收從前一級的閘極驅動晶片210的第八終端T8和第七終端T7提供的閘極起動信號Vst和閘極時脈GCLK,並且根據所接收的閘極時脈GCLK輸出閘極起動信號Vst作為偏移信號。
藉由使用閘極導通電壓Von和閘極關閉電壓Vss,第二閘極驅動晶片210的位準偏移器215可以將從偏移暫存器211輸出的偏移信號位準偏移到具有閘極導通電壓Von或閘極關閉電壓Vss的閘極脈衝GP,接著可以輸出閘極脈衝GP。在這種情況下,從第二閘極驅動晶片至第n閘極驅動晶片210中的每一個的位準偏移器215輸出的閘極脈衝GP提供給相應的閘極線,且還重新提供作為下一級的閘極驅動晶片的閘極起動信號,並且,提供給第二閘極驅動晶片至第n閘極驅動晶片210中的每一個的閘極時脈GCLK可以重新提供作為下一級的閘極驅動晶片210的閘極時脈GCLK。
另外,第一閘極驅動晶至第n閘極驅動晶片210中的每一個還可以包括設置在第五終端T5與位準偏移器215的輸出終端之間的緩衝器。
緩衝器是反相器型緩衝器,可以包括彼此串聯(series)連接的偶數個反相器,並且設置在第五終端T5與位準偏移器215的輸出終端之間。通 過這樣的緩衝器,使用閘極導通電壓和閘極關閉電壓Vss緩衝從位準偏移器215輸出的閘極脈衝GP,並將緩衝的閘極脈衝GP輸出到第五終端T5,由於閘極線GL的整個負載,可以最小化閘極線GL的位置特定閘極脈衝GP之間的輪詢(polling)時間變化。
根據該示例,第一閘極驅動晶片至第n閘極驅動晶片210可以彼此疊接連接,以將閘極起動信號和閘極時脈以疊接的方式傳輸到設置在下一級的閘極驅動晶片210。因此,可以減少閘極驅動晶片陣列部分200所需線路的數量。
根據該示例,第一閘極驅動晶片至第n閘極驅動晶片210中的每一個可以進一步包括閘極脈衝調變器213。
閘極脈衝調變器213根據通過第三終端T3提供的閘極調變信號GMS將從偏移暫存器211輸出的偏移信號的閘極導通電壓Von調變為閘極脈衝調變電壓Vgpm。在這種情況下,由時序控制器通過第三終端T3提供給閘極脈衝調變器213的閘極調變信號GMS為一種用於防止當配置在像素驅動晶片中的開關電晶體被偏移信號關閉時,調變斜率或時間從閘極導通電壓Von減小到閘極脈衝調變電壓Vgpm而產生的反沖(kick-back)電壓所造成的影像品質惡化的信號。因此,通過閘極脈衝調變器213根據閘極調變信號將從偏移暫存器211輸出的偏移信號的閘極導通電壓Von調變為閘極脈衝調變電壓Vgpm,可以防止由於反沖電壓而導致的影像品質惡化。
可選擇地,根據該示例的第一閘極驅動晶片至第n閘極驅動晶片210中的每一個可以進一步包括閘極調變信號產生單元,被配置以不接收通過第三終端T3提供的閘極調變信號GMS,而是基於通過第二終端T2輸入的閘極時脈GCKL自主地產生閘極調變信號GMS。
作為示例,閘極調變信號產生單元可以包括RC延遲電路。RC延遲電路可以根據與預定電阻器值和電容器值對應的RC時間常數來延遲閘極時脈GCLK,以產生閘極調變信號GMS。
作為另一示例,閘極調變信號產生單元可以包括:內部振盪器,被配置以產生內部時脈信號,以響應通過第一終端T1輸入的閘極起動信號Vst;以及內部計數器,被配置以對內部時脈信號進行計數以產生閘極調變信號GMS。
藉由使用閘極導通電壓Von和閘極關閉電壓Vss,第一閘極驅動晶片210的位準偏移器215可以將從閘極脈衝調變器213輸出的調變偏移信號位準偏移到具有閘極導通電壓Von或閘極關閉電壓Vss的閘極脈衝GP,接著可以輸出閘極脈衝GP。
另外,根據該示例的第一閘極驅動晶片至第n閘極驅動晶片210中的每一個可以進一步包括時脈延遲217。
時脈延遲217可以將從位準偏移器215輸入的閘極脈衝GP延遲預定時間,並且通過第八終端T8輸出延遲的閘極脈衝GP。例如,時脈延遲217可以實現為使用RC時間常數的RC電路。因此,在第一閘極驅動晶片至第n閘極驅動晶片210中的每一個中,作為下一級的閘極驅動晶片的閘極起動信號Vst傳輸(或傳輸)的閘極脈衝GP的輸出時間可以比閘極時脈GCLK的輸出時間延遲。也就是說,根據該示例,藉由將閘極驅動晶片210輸出的閘極起動信號Vst的輸出時間設定為晚於閘極時脈GCLK的輸出時間,可以確保在下一級提供給閘極驅動晶片210的閘極起動信號Vst的穩定上升時間。
根據該示例的第一閘極驅動晶片至第n閘極驅動晶片210中的每一個可以進一步包括時脈緩衝器219。
時脈緩衝器219可以緩衝通過第二終端T2輸入的閘極時脈GCLK,並且通過第七終端T7輸出緩衝的閘極時脈GCLK。例如,作為反相器型緩衝器的時脈緩衝器219可以包括彼此串聯連接的偶數個反相器,並且設置在第二終端T2與第七終端T7之間。藉由時脈緩衝器219使用閘極導通電壓Von和閘極關閉電壓Vss緩衝通過第二終端T2輸入的閘極時脈GCLK並將緩衝的閘極時脈GCLK輸出到第七終端T7,可以最小化在閘極時脈GCLK以疊接方式傳輸時所發生的閘極時脈GCLK的電壓降。
可選擇地,時脈緩衝器219可以包括時脈延遲電路。時脈延遲電路可以將通過第二終端T2輸入的閘極時脈GCLK或緩衝的閘極時脈GCLK延遲預定時間,並且可以通過第七終端T7輸出延遲的閘極時脈GCLK。因此,藉由將閘極驅動晶片210輸出的閘極時脈GCLK的輸出時間設定為晚於閘極起動信號Vst的輸出時間,可以確保在下一級提供給閘極驅動晶片210的閘極起動信號Vst的穩定上升時間。當時脈緩衝器219包括時脈延遲電路時,將省略上述時脈延遲217。
圖11為說明根據本發明一實施例之顯示裝置的閘極緩衝晶片的示意圖;圖12為說明圖11中所示之一個閘極驅動晶片的示例性示意圖;以及圖13為沿圖11中所示之II-II’線所截取的剖面圖。
參照圖11至圖13,根據本發明一實施例的顯示裝置可以進一步包括閘極緩衝晶片250,其安裝在基板的顯示區域DA中,並且連接到第一閘極線GL1至第n閘極線GLn。在這種情況下,作為微晶片或單個晶片組的最小單元的閘極緩衝器晶片250可以是具有包含電晶體的積體電路的單個小尺寸半導體封裝裝置。
首先,包含有高解析度大面積顯示面板的顯示裝置可以以120Hz或更高的訊幀頻率高速驅動。因此,根據閘極線GL的整個負載,施加到一條閘極線GL的閘極脈衝具有不同的位置特定輪詢時間,因此由於顯示面板的左側與右側之間的亮度偏差,可能發生影像品質的惡化。因此,根據該示例,通過在第一閘極線GL1至第n閘極線GLn上放置至少一個閘極緩衝晶片250,可以防止由於閘極線GL之間的負載偏差所導致的影像品質惡化。
第一閘極線GL1至第n閘極線GLn中的每一個可以通過設置在顯示區域DA上的分離部分分成第一部分線GLa和第二部分線GLb。每一個第一閘極線GL1至第n閘極線GLn的第一部分線GLa和第二部分線GLb可以是設置在第一平坦層113上的第一金屬線ML1。
閘極緩衝晶片250可以安裝在緩衝層111上,或設置在緩衝層111上的凹入部分112上,以與位於每一條第一閘極線GL1至第n閘極線GLn的第一部分線GLa和第二部分線GLb之間的分離部分重疊,並且可以被配置以電性連接第一部分線GLa和第二部分線GLb、可以緩衝通過第一部分線GLa提供的閘極脈衝、並可以將緩衝的閘極脈衝提供給第二部分線GLb。
根據一實施例,閘極緩衝器晶片250可以包括:第一凸塊B1至第四凸塊B4;以及第一反相器251和第二反相器253,彼此串聯連接。
第一凸塊B1電性連接到第一部分線GLa,以從第一部分線GLa接收閘極脈衝。例如,第一凸塊B1可以通過設置在第一平坦層113上與第一部分線GLa重疊的第一凸塊接觸孔CHb1電性連接到第一部分線GLa。
第二凸塊B2電性連接到第二部分線GLb,並且將從偶數個反相器251和253輸出的閘極脈衝輸出到第二部分線GLb。例如,第二凸塊B2可以 通過設置在第一平坦層113上與第二部分線GLb重疊的第二凸塊接觸孔CHb2電性連接到第二部分線GLb。
第三凸塊B3電性連接到其相鄰的像素驅動電力線PL,以從像素驅動電力線PL接收像素驅動電力Vdd。例如,通過設置在第一平坦層113上的第三凸塊接觸孔和與從相鄰的像素驅動電力線PL突出的突起電極PLa重疊的絕緣層114,第三凸塊B3可以電性連接到像素驅動電力線PL。
第四凸塊B4電性連接到其相鄰的陰極供電線CPL,並從陰極供電線接收陰極電力(閘極關閉電壓)Vss。例如,通過設置在第一平坦層113上的第四凸塊接觸孔和與從相鄰的陰極供電線CPL突出的突起電極CPLa重疊的絕緣層114,第四凸塊B4可以電性連接到陰極供電線CPL。可選擇地,根據閘極緩衝器晶片250的安裝位置,第四凸塊B4可以通過複數個陰極連接電極CCE直接連接到陰極電極CE,如圖5所示,而非不與陰極供電線CPL電性連接。
第一反相器251使用通過第三凸塊B3提供的像素驅動電力Vdd和通過第四凸塊B4提供的陰極電力Vss邏輯地反轉從第一部分線GLa通過第一凸塊B1提供的閘極脈衝,接著輸出被邏輯地反轉的閘極脈衝到第二反相器253。
第二反相器253使用通過第三凸塊B3提供的像素驅動電力Vdd和通過第四凸塊B4提供的陰極電力Vss邏輯地重新反轉從第一反相器251提供的該邏輯地反轉的閘極脈衝,接著輸出被邏輯地重新反轉的閘極脈衝到第二凸塊B2。
另外,圖11示出了一個閘極緩衝器晶片250連接到第一閘極線GL1至第n閘極線GLn中的每一個,但是本發明不限於此。可以基於閘極線GL的整個負載將兩個或更多個閘極緩衝器晶片250連接到第一閘極線GL1至第n閘極線GLn中的每一個。
這種作為反相型緩衝器的閘極緩衝器晶片250使用像素驅動電力Vdd和陰極電力Vss緩衝提供給相應閘極線GL1至閘極線GLn的閘極脈衝。因此,可以根據閘極線GL的整個負載最小化閘極線GL的位置特定閘極脈衝GP的輪詢時間之間的偏差,並且防止由於閘極線GL之間的負載偏差所導致的影像品質惡化。在這種情況下,內置在第一閘極驅動晶片至第n閘極驅動晶片210中的每一個中的緩衝器可以被省略,或者具有相對小的尺寸。因此,根據該示例,通過閘極緩衝晶片250設置在設置在顯示區域DA上的每一個閘極線GL 上,可以減小第一閘極驅動晶片至第n閘極驅動晶片210中的每一個的尺寸,並且還可以通過僅使用第一閘極驅動晶片至第n閘極驅動晶片210來驅動設置在超大型顯示面板上的閘極線。
設置在顯示區域DA上的閘極緩衝晶片250可以連接到陰極供電線或陰極電極CE以接收陰極電力Vss,使得提供給陰極電極CE的陰極電力Vss可以根據閘極緩衝器晶片250的操作而改變。然而,藉由複數條陰極供電線(圖5中的CPL)將陰極電力Vss穩定且均勻地提供給陰極電極CE,可以防止施加到陰極電極CE的陰極電力Vss根據閘極緩衝器晶片250的操作而改變。
圖14為說明圖2中所示之資料驅動晶片陣列部分的示意圖。
參考圖14並結合圖1和圖2,根據該示例的資料驅動晶片陣列部分300可以包括:資料接收晶片陣列310;第一資料鎖存晶片L1至第m資料鎖存晶片Lm;第一數位至類比轉換器晶片D1至第m數位至類比轉換器晶片Dm;以及第一資料放大器晶片A1至第m資料放大器晶片Am。在這種情況下,第一數位至類比轉換器晶片D1至第m數位至類比轉換器晶片Dm和第一資料放大器晶片A1至第m資料放大器晶片Am中的每一個是微晶片或單晶片組的最小單元,且可以是具有包含電晶體的積體電路的單個小尺寸半導體封裝裝置。
資料接收晶片陣列310接收輸入數位資料信號Idata,並輸出至少一個水平線單元的像素資料。資料接收晶片陣列310根據高速序列介面的方式,例如:嵌入式點對點介面(embedded point to point interface,EPI)的方式、低電壓差分信號(low-voltage differential signaling,LVDS)介面的方式、或Mini LVDS介面的方式,接收對應於從時序控制器500發送的差分信號的數位資料信號,並產生基於所接收的數位資料信號的至少一個水平線單元的像素資料,並且從差分信號產生參考時脈和資料起動信號。
根據一實施例,資料接收晶片陣列310可以包括第一資料接收晶片3101至第i資料接收晶片310i(此處,i是大於或等於2的自然數)。在這種情況下,第一資料接收晶片3101至第i資料接收晶片310i中的每一個都是微晶片或單個晶片組的最小單元,並且可以是具有包含電晶體的積體電路的單個小尺寸半導體封裝裝置。
第一資料接收晶片3101至第i資料接收晶片310i中的每一個在從時序控制器500通過單個介面電纜530發送的差分信號中,分別接收要提供給 j個像素(其中,j是2或更大的自然數)的數位資料信號、基於所接收的數位資料信號分別產生要提供給j像素的像素資料、以及從差分信號中分別產生參考時脈和資料起動信號。例如,當介面電纜530具有第一對至第i對時,第一資料接收晶片3101分別從時序控制器通過第一對介面電纜530發送的差分信號接收對應於第一像素至第i像素的數位資料信號、基於所接收的數位資料信號分別產生對應於第一像素至第j像素的像素資料、以及從差分信號中分別產生參考時脈和資料起動信號。並且,第i資料接收晶片310i分別從通過第i對介面電纜530從時序控制器500發送的差分信號接收對應於第m-j+1像素至第m像素的數位資料信號、基於所接收的數位資料信號分別產生對應於第m-j+1像素至第m像素的像素資料、以及從差分信號中分別產生參考時脈和資料起動信號。
第一資料接收晶片3101至第i資料接收晶片310i使用每一個都具有對應於像素資料的位元數的資料匯流排的第一公共序列資料匯流排CSB1至第i公共序列資料匯流排CSBi通過序列資料通訊方式分別輸出像素資料、將參考時脈分別輸出到第一公共參考時脈線RCL1至第i公共參考時脈線RCLi、以及將資料起動信號分別輸出到第一資料起動訊號線DSL1至第i資料起動訊號線DSLi。例如,第一資料接收晶片3101可以通過第一公共序列資料匯流排CSB1、第一公共參考時脈線RCL1、和第一資料起動訊號線DSL1發送相應的像素資料、相應的參考時脈、和相應的資料起動信號。並且,第i資料接收晶片310i可以通過第i公共序列資料匯流排CSBi、第i公共參考時脈線RCLi、和第i資料起動訊號線DSLi發送相應的像素資料、相應的參考時脈、和相應的資料起動信號。
根據一實施例,資料接收晶片陣列310可以僅由一個資料接收晶片組成。也就是說,第一資料接收晶片3101至第i資料接收晶片310i可以被配置為單個一體化的資料接收晶片。
第一資料鎖存晶片L1至第m資料鎖存晶片Lm中的每一個根據基於資料起動信號的參考時脈採樣和鎖存(或保持)從資料接收晶片陣列310發送的像素資料,並通過序列資料通訊方式輸出所接收的參考時脈和所鎖存的像素資料。
第一資料鎖存晶片L1至第m資料鎖存晶片Lm可以分組為第一資料鎖存群組3201至第i資料鎖存群組320i,且每一資料鎖存群組由j個資料鎖存晶片組成。
在群組的基礎上,分組為第一資料鎖存群組3201至第i資料鎖存群組320i的資料鎖存晶片共同地連接至第一公共序列資料匯流排CSB1至第i公共序列資料匯流排CSBi。例如,分組成第一資料鎖存器組3201的第一資料鎖存晶片L1至第j資料鎖存晶片Lj中的每一個可以通過第一公共序列資料匯流排CSB1、第一公共參考時脈線RCL1、和第一資料起動訊號線DSL1接收相應的像素資料、相應的參考時脈、和相應的起動信號。並且,分組成第i個資料鎖存器組320i的第m-j+1資料鎖存晶片Lm-j+1至第m資料鎖存晶片Lm中的每一個可以通過第i公共序列資料匯流排CSBi、第i公共參考時脈線RCLi、和第i資料起動訊號線DSLi接收相應的像素資料、相應的參考時脈、和相應的資料起動信號。
當對具有相應位元數的像素資料進行採樣和鎖存時,第一資料鎖存晶片L1至第m資料鎖存晶片Lm中的每一個通過序列資料通訊方式輸出所接收的參考時脈和所鎖存的像素資料。
根據一實施例,第一資料鎖存晶片L1至第m資料鎖存晶片Lm中的每一個可以包括:鎖存電路,被配置以根據參考時脈對通過對應的公共序列資料匯流排CSB輸入的像素資料進行採樣和鎖存,以響應資料起動信號;計數器電路,被配置以對參考時脈進行計數並產生資料輸出信號;以及時脈旁路電路,被配置以將所接收的參考時脈旁路。
第一數位至類比轉換器晶片D1至第m數位至類比轉換器晶片Dm一對一地連接至第一資料鎖存晶片L1至第m資料鎖存晶片Lm,並且共同地連接到至少一條參考伽瑪電壓供應線RGVL,且電源電路通過該參考伽瑪電壓供應線RGVL提供至少一個參考伽瑪電壓Vgam。在這種情況下,數位至類比轉換器晶片D1至數位至類比轉換器晶片Dm中的一個通過單個序列資料傳輸線SDTL和單個參考時脈傳輸線RCTL連接到資料鎖存晶片L1至資料鎖存晶片Lm中的一個。第一數位至類比轉換器晶片D1至第m數位至類比轉換器晶片Dm根據從相應的資料鎖存晶片L1至資料鎖存晶片Lm提供的參考時脈傳輸線RCTL,在序列通訊方式中通過序列資料傳輸線SDTL接收和平行化從相應資料 鎖存晶片L1至資料鎖存晶片Lm輸入的像素資料。接著,第一數位至類比轉換器晶片D1至第m數位至類比轉換器晶片Dm基於通過參考伽瑪電壓供應線RGVL提供的參考伽瑪電壓將平行像素資料轉換為資料電壓,並輸出資料電壓。
根據一實施例,第一數位至類比轉換器晶片D1至第m數位至類比轉換器晶片Dm可以包括:資料平行化電路,被配置以根據參考時脈接收和平行化以序列資料通訊方式輸入的像素資料;灰階電壓產生電路,被配置以根據像素資料的位元數分配參考伽瑪電壓並產生與複數個灰階值對應的複數個灰階電壓;時脈計數器,用於對參考時脈進行計數以產生平行資料輸出信號;以及灰階電壓選擇單元,被配置以從複數個灰階級電壓中選擇與平行像素資料的灰階值對應的一個灰階電壓作為資料電壓。
可選擇地,第一數位至類比轉換器晶片D1至第m數位至類比轉換器晶片Dm中的每一個的灰階電壓產生電路可以分配從電力管理電路600提供的像素驅動電壓Vdd而非參考伽瑪電壓,以產生複數個不同的灰階電壓。在這種情況下,省略了設置在基板的非顯示區域中的至少一條參考伽瑪電壓供應線RGVL,因此可以增加基板的非顯示區域的空間利用率。
根據該示例,藉由以序列資料通訊方式從資料鎖存晶片L1至資料鎖存晶片Lm接收像素資料,第一數位至類比轉換器晶片D1至第m數位至類比轉換器晶片Dm具有用於接收像素資料的最小數量的終端,因此可以減小尺寸。隨著數位至類比轉換器晶片D1至數位至類比轉換器晶片Dm與資料鎖存晶片L1至資料鎖存晶片Lm之間的資料傳輸線的數量增加,可以增加基板的非顯示區域的空間利用率。
第一資料放大器晶片A1至第m資料放大器晶片Am一對一地連接至第一數位至類比轉換器晶片D1至第m數位至類比轉換器晶片Dm,且一對一地連接至第一資料線DL1至第m資料線DLm。而且,第一資料放大器晶片A1至第m資料放大器晶片Am共同地連接至像素驅動電壓供應線PSL,電力管理電路600通過該像素驅動電壓供應線PSL提供像素驅動電壓Vdd,並且第一資料放大器晶片A1至第m資料放大器晶片Am共同地連接到接地電壓線,電力管理電路600通過該接地電壓線提供接地電壓。第一資料放大器晶片A1至第m資料放大器晶片Am基於像素驅動電壓Vdd緩衝從相應的數位至類比轉換器晶片D1至數位至類比轉換器晶片Dm提供的資料電壓,並且將緩衝的資料電壓提 供給相應的資料線DL1至資料線DLm。例如,第一資料放大器晶片A1至第m資料放大器晶片Am中的每一個可以基於根據資料線的線負載設定的增益值來緩衝和輸出資料電壓。
另外,用於向一條資料線提供資料電壓的一個資料接收晶片、一個資料鎖存晶片、和一個數位至類比轉換器晶片構成資料驅動晶片組1301至資料驅動晶片組130m中的每一組,且其可以被配置為單個資料驅動晶片。在這種情況下,連接到每一條第一資料線DL1至第m資料線DLm的晶片的數量可以減少1/3。
根據該示例的資料驅動晶片陣列部分300安裝在基板的非顯示區域中,以將從外部輸入的數位資料轉換為資料電壓,並將資料電壓提供給資料線DL1至資料線DLm。因此,可以省略設置在顯示裝置中的源極印刷電路板和可撓性電路膜,從而簡化顯示裝置的配置。而且,根據該示例,藉由在資料鎖存晶片L1至資料鎖存晶Lm與數位至類比轉換器D1至數位至類比轉換器Dm之間應用序列資料通訊,可以減少每一個資料鎖存晶片L1至資料鎖存晶片Lm和數位至類比轉換器D1至數位至類比轉換器Dm的終端的數量,並可以促進作為微晶片的每一個資料鎖存晶片L1至資料鎖存晶片Lm和數位至類比轉換器D1至數位至類比轉換器Dm的製程,並且可以減小由基板的非顯示區域中的資料驅動晶片陣列部分300佔據的基板的區域,以最小化由於將資料驅動晶片陣列部分300安裝在基板上而導致的顯示裝置的邊框寬度的增加。
圖15為沿圖1中之I-I'線所截取的又另一個剖面圖;圖16為說明圖15中所示之觸控感測晶片陣列部分、閘極驅動晶片陣列部分、和觸控電極的示意圖;圖17為圖16中之A部分的局部放大圖;以及圖18為說明圖16和圖17中所示之觸控感測晶片的示意圖。此處藉由將觸控電極和觸控感測晶片陣列部分添加到圖1至圖14中所示之顯示裝置的顯示面板來配置。因此,下面僅描述觸控電極、觸控感測晶片陣列部分、及其相關元件,並且將省略對其餘元件的重複描述。
參照圖15至圖18並結合圖1和圖2,根據該示例的顯示裝置可以進一步包括:觸控感測層TSL,具有複數個觸控電極TE和複數條觸控佈線(routing line)RL;以及觸控感測晶片陣列部分800。
複數個觸控電極TE中的每一個可以設置在設置於基板110的密封層117上,並且可以用作用於感測由觸控物體產生的觸控的觸控感測器,因此可以由透明導電材料形成。在這種情況下,觸控物體可以定義為使用者的手指或諸如主動式觸控筆的觸控筆。
根據一實施例,複數個觸控電極TE中的每一個可以具有矩形、八邊形、圓形、或菱形的形狀。
複數條觸控佈線RL可以分別連接到複數個觸控電極TE。根據一實施例,複數條觸控佈線RL中的每一條可以設置在密封層117的前表面上,以與堤岸層BL重疊。例如,複數條觸控佈線RL可以設置為在第一方向X上穿過顯示區域。
複數條觸控佈線RL可以覆蓋有觸控絕緣層118。因此,複數條觸控佈線RL可以設置在複數個觸控電極下方,並且被觸控絕緣層118覆蓋。
觸控絕緣層118可以直接形成在密封層117的前表面上,以覆蓋複數條觸控佈線RL。觸控絕緣層118可以由有機材料或無機材料形成。當觸控絕緣層118可以由有機材料形成時,可以通過以有機材料塗覆密封層117的製程和在100攝氏或更低的溫度下固化有機材料的製程來設置觸控絕緣層118。當觸控絕緣層118可以由無機材料形成時,可以由通過交替地執行兩次或者更多次低溫化學氣相沉積和清潔製程沉積在密封層117上的無機材料來設置觸控絕緣層。
由於複數個觸控電極TE中的每一個用作自電容型觸控感測器,因此每一個觸控電極TE的尺寸應該大於觸控物體和顯示面板100之間的最小接觸面積。因此,複數個觸控電極TE中的每一個可以形成在觸控絕緣層118上以具有與一個或多個像素P對應的尺寸,並且可以通過設置在觸控絕緣層118中與相應的觸控佈線RL重疊的觸控接觸孔TCH電性連接到對應的觸控佈線RL。
作為示例,複數個觸控電極TE可以在第一方向X上和在第二方向Y上以固定的間隔佈置。例如,一個觸控電極TE沿第一方向X排列,30個像素P沿第二方向Y排列,且一個觸控電極TE可以與30個像素P重疊,但本發明不限於此,並且可以根據顯示裝置的解析度及/或觸控解析度來改變。
複數個觸控電極TE可以被保護層119覆蓋。保護層119形成在複數個觸控電極TE和觸控絕緣層118上,以覆蓋複數個觸控電極TE。可選擇 地,可以省略保護層119。在這種情況下,複數個觸控電極TE可以被透明黏合層150覆蓋。
在根據該示例的顯示裝置中,黑色矩陣和彩色濾光片層可以設置在密封層117的前表面上,如圖6所示。在這種情況下,黑色矩陣和彩色濾光片層可以設置在密封層117與包含複數條觸控佈線RL、觸控絕緣層118和複數個觸控電極TE的觸控感測層TSL之間,或者可以設置在觸控感測層TSL與對向基板190之間。
可選擇地,根據另一實施例的觸控感測層TSL可以設置在基板110與緩衝層111之間,如圖19所示。在這種情況下,複數條觸控電極TE可以設置在基板110上並且被觸控絕緣層118覆蓋,並且複數條觸控佈線RL中的每一條可以設置在觸控絕緣層118上並通過觸控接觸孔TCH電性連接到對應的觸控電極TE。觸控感測層TSL可以被緩衝層111覆蓋。當觸控感測層TSL設置在基板110與緩衝層111之間時,由每一個像素的發光層EL發射的光可以依序地通過由透明導電材料形成的陽極電極AE、彩色濾光片層195、觸控感測層TSL、及基板110發射到外部,但本發明不限於此。根據圖15所示的結構,每一個像素的發光層EL發射的光可以通過透明陰極電極CE、密封層117、彩色濾光片層195、和對向基板190發射到外部。
參照圖15至圖18並結合圖1和圖2,觸控感測晶片陣列部分800可以安裝在基板110的非顯示區域中,並且可以通過複數條觸控佈線RL連接到複數個觸控電極TE。觸控感測晶片陣列部分800感測複數個觸控電極TE中的每一個的電容變化,並產生關於觸控物體的觸控資訊,並且將觸控資訊提供給時序控制器500或顯示驅動系統700。因此,時序控制器500或顯示驅動系統700可以執行與觸控資訊對應的應用。
根據實施例,觸控感測晶片陣列部分800可以包括複數個觸控感測晶片810和觸控處理晶片830。
複數個觸控感測晶片810中的每一個設置在第一閘極驅動晶片至第n閘極驅動晶片210中的任意兩個之間,並且通過對應的觸控佈線RL連接到對應的觸控電極TE,以基於對應的觸控電極TE的電容變化輸出觸控存在資料。
根據通過閘極起動訊號線201提供的閘極起動信號Vst和通過單個閘極時脈線202提供的閘極時脈GCLK,第一閘極驅動晶片至第n閘極驅動晶片210中的每一個將閘極脈衝輸出到與閘極起動信號對應的閘極線GL,並且將閘極時脈GCLK和閘極脈衝作為閘極起動信號Vst提供給設置在下一級的閘極驅動晶片或觸控感測晶片。
複數個觸控感應晶片810中的每一個從設置在前一級的閘極驅動晶片210接收閘極起動信號Vst和閘極時脈GCLK、根據閘極時脈GCLK基於在對應觸控電極TE中的電容變化產生觸控存在資料TDD、以及將觸控存在資料TDD提供給觸控處理晶片830,接著將閘極時脈GCLK和閘極起動信號Vst提供給設置在下一級的閘極驅動晶片210。在複數個觸控感測晶片810中的每一個觸控感測晶片的前一級和下一級處,設置閘極驅動晶片210。並且,複數個觸控感測晶片810透過複數條觸控資料傳輸線820彼此疊接連接,用於觸控存在資料的序列資料傳輸。
根據一實施例,複數個觸控感測晶片810中的每一個可以包括感測時序控制電路811、開關部分812、感測積體電路813、類比至數位轉換電路814、比較電路815、選擇電路816、和先進先出(first-in first-out,FIFO)記憶體817。
感測時序控制電路811可以基於閘極時脈GCLK產生感測開關控制信號SCS、感測採樣信號SSS、資料選擇信號DSS、和觸控資料報告信號TDRS。例如,根據基於預定感測時序所計數的數量,感測時序控制電路811可以通過對閘極時脈GCLK進行計數來產生感測開關控制信號SCS、感測採樣信號SSS、資料選擇信號DSS、和觸控資料報告信號TDRS。
開關部分812通過對應的觸控佈線RL將預充電電壓Vpre提供給觸控電極TE,以響應感測開關控制信號SCS,以將觸控感測器的電容器預充電,並將預充電的對應觸控佈線RL連接到感測積體電路813。在這種情況下,開關部分812可以接收像素驅動電壓並使用所接收的像素驅動電壓作為預充電電壓Vpre,但是本發明不限於此。開關部分812可以通過單獨的供電線而不是像素驅動電壓直接從電力管理電路600接收預充電電壓Vpre。
感測積體電路813根據開關部分812的切換選擇性地連接到對應的觸控佈線RL,以累積感測電容器中的觸控電極TE的電容的變化至少一次。
類比至數位轉換電路814將在感測電容器中累積的電容轉換為數位感測資料Sdata,接著輸出數位感測資料Sdata,以響應感測採樣信號SSS。
比較電路815藉由將從類比至數位轉換電路814提供的數位感測資料Sdata與參考資料進行比較來產生觸控存在資料TDD。例如,當數位感測資料Sdata小於參考資料時,比較電路815可以產生具有數位值「0」的觸控存在資料TDD,並且當數位感測資料Sdata大於或等於參考資料時,可以產生具有數位值「1」的觸控存在資料TDD。在這種情況下,觸控存在資料TDD可以由一個位元的數位資料組成。
根據資料選擇信號DSS,選擇電路816通過觸控資料傳輸線820選擇性地輸出從比較電路815提供的觸控存在資料TDD或從設置在下一級的觸控感測晶片810發送的觸控存在資料TDD。例如,選擇電路816可以包括:控制終端,用於接收資料選擇信號DSS;第一輸入終端,連接到比較電路815的輸出終端;以及第二輸入終端,連接到觸控資料傳輸線820。選擇電路816可以根據具有第一邏輯狀態的資料選擇信號DSS輸出通過第一輸入終端接收的觸控存在資料TDD,並且可以根據具有第二邏輯狀態的資料選擇信號DSS輸出從位於下一級的觸控感測晶片通過第二輸入端發送的觸控存在資料TDD。
FIFO記憶體817以FIFO的方法儲存從選擇電路816提供的觸控存在資料TDD,並根據觸控資料報告信號TDRS以FIFO的方法輸出儲存的觸控存在資料TDD。
另外,複數個觸控感測晶片810中的每一個可以進一步包括信號傳輸電路818,其被配置以將所接收的閘極起動信號Vst和閘極時脈GCLK發送到設置在下一級的閘極驅動晶片210。信號傳輸電路811可以包括緩衝電路,該緩衝電路被配置以緩衝並輸出閘極起動信號Vst和閘極時脈GCLK。
觸控處理晶片830收集由複數個觸控感測晶片810提供的觸控存在資料TDD、產生觸控地圖資料TMD、並且通過觸控報告線TRL將產生的觸控地圖資料TMD提供給顯示驅動系統。因此,顯示驅動系統700接收由觸控處理晶片830提供的觸控地圖資料TMD,並執行與觸控資訊對應的應用。
根據一實施例,觸控處理晶片830可以通過觸控資料傳輸線820連接到第一觸控感測晶片810。並且,觸控處理晶片830可以根據對應於閘極時脈GCLK的觸控資料報告信號、根據複數個觸控感測晶片810之間的FIFO資料 傳輸,依序地收集經由至少一個觸控感測晶片810發送的複數個觸控感測晶片810中的每一個的觸控存在資料,並且當由最後的觸控感測晶片810產生的觸控存在資料也以FIFO的方式收集時,可以基於為所有觸控電極收集的觸控存在資料產生觸控地圖資料TMD。
根據該示例,通藉由與閘極驅動晶片陣列部分200協調地操作觸控感測晶片陣列部分800,可以減少用於驅動觸控感測晶片陣列部分800的線路和終端的數量。因此,可以將觸控感測晶片810實現為微晶片,並顯著地減小觸控感測晶片陣列部分800在基板的非顯示區域中佔據的面積,並且最小化由於將觸控感測晶片陣列部分800安裝在基板上而導致的顯示裝置的邊框寬度的增加。
藉由共享用於閘極驅動晶片陣列部分200的操作的閘極時脈GCLK,觸控感測晶片陣列部分800可以在沒有單獨的觸控驅動信號的情況下感測觸控。然而,閘極時脈GCLK可以具有1個水平週期。因此,由於在感測到觸控時基於閘極時脈GCLK的相對低的觸控感測頻率,可能減小觸控靈敏度。
為了防止觸控靈敏度降低,上述時序控制器可以產生具有比第一閘極時脈的預定參考週期快至少兩倍的週期的第二閘極時脈,並向閘極驅動晶片陣列部分200提供第二閘極時脈,第一閘極驅動晶片至第n閘極驅動晶片210中的每一個可以將第二閘極時脈恢復回第一閘極時脈並使用第一閘極時脈,並且觸控感測晶片陣列部分800可以使用第二閘極時脈執行觸控感測操作。例如,當第二閘極時脈的頻率比第一閘極時脈高10倍時,第一閘極驅動晶片至第n閘極驅動晶片210中的每一個可以包括配置以接收第二閘極時脈的時脈恢復電路,並向偏移暫存器提供第二閘極時脈,該偏移暫存器被配置以將第二閘極時脈恢復回第一閘極時脈。在這種情況下,輸入到第一閘極驅動晶片至第n閘極驅動晶片210中的每一個的第二閘極時脈傳輸到觸控感測晶片810或者設置在下一級的閘極驅動晶片,以作為第二閘極時脈輸入至時脈恢復電路。
如上所述,根據本發明的一實施例,藉由將用於驅動顯示面板100的每一個像素的資料驅動電路和閘極驅動電路實現作為微晶片並將微晶片安裝在基板110上,則不需要形成用於一般顯示面板的每一個像素的至少一個電晶體的製程。並且,由於在顯示面板的基板110上沒有設置或形成電晶體, 因此可以防止由於在像素之間出現的驅動電晶體的臨界電壓偏差引起的亮度不均勻而導致的品質劣化。
圖20為說明根據本發明另一實施例之顯示裝置的示意圖;以及圖21為說明圖20中所示之基板的示意圖。在圖中,圖1至圖19中所示之顯示裝置的時序控制器和電力管理電路實現為微晶片並安裝在顯示面板的基板上。
參照圖20至圖21,根據本發明另一實施例的顯示裝置可包括顯示面板100、閘極驅動晶片陣列部分1200、資料驅動晶片陣列部分1300、時序控制器晶片陣列部分1500、和電力管理晶片陣列部分1600。
顯示面板100可以包括基板110和對向基板190,並且與根據本發明一實施例的顯示裝置的顯示面板相同。因此,相同的元件符號被分配給顯示面板100,並且將省略其重複描述。
閘極驅動晶片陣列部分1200、資料驅動晶片陣列部分1300、時序控制器晶片陣列部分1500、和電力管理晶片陣列部分1600通過晶片接合製程或者晶片轉移製程安裝在顯示面板100的第一基板110上。
閘極驅動晶片陣列部分1200可以包括安裝在基板110的非顯示區域NDA中且連接到第一閘極線至第n閘極線GL的第一閘極驅動晶片至第n閘極驅動晶片210。除了閘極驅動晶片陣列部分1200依序地向閘極線GL提供閘極脈衝以響應從安裝在基板110上的時序控制器晶片陣列部分1500直接提供的閘極起動信號和閘極時脈之外,包含第一閘極驅動晶片至第n閘極驅動晶片210的閘極驅動晶片陣列部分1200與根據本發明一實施例之顯示裝置的閘極驅動晶片陣列部分200相同,並且將省略其重複描述。
資料驅動晶片陣列部分1300可以安裝在基板110的第一非顯示區域(或上部非顯示區域)中,以將從時序控制器晶片陣列部分1500提供的像素資料轉換為資料電壓,並且可以將資料電壓提供給第一資料線至第n資料線DL中相應的一條。例如,資料驅動晶片陣列部分1300可以包括安裝在第一非顯示區域中的複數個資料驅動晶片,其界定在顯示區域DA與基板110的焊墊部分PP之間,以向第一資料線至第m資料線DL中的每一條提供相應的資料電壓。
時序控制器晶片陣列部分1500可以安裝在第一非顯示區域中,以基於從顯示驅動系統700通過焊墊部分PP提供的影像信號(或差分信號)產生數位資料信號,並可以將數位資料信號提供給資料驅動晶片陣列部分1300, 並且可以將閘極時脈和閘極起動信號提供給閘極驅動晶片陣列部分1200。也就是說,時序控制器晶片陣列部分1500可以接收通過焊墊部分PP輸入的差分信號,並且可以從差分信號產生基於訊幀的數位資料信號、參考時脈、和資料起動信號。此外,時序控制器晶片陣列部分1500可以以訊幀為單位執行用於對數位資料信號的影像品質改進的影像處理,並可以以至少1水平線為單位對基於訊幀的數位資料信號進行分段,並且可以提供分段的數位資料信號到資料驅動晶片陣列部分1300。此外,時序控制器晶片陣列部分1500可以基於參考時脈產生閘極起動信號和閘極時脈,並且可以將產生的閘極起動信號和閘極時脈提供給閘極驅動晶片陣列部分1200。
電力管理晶片陣列部分1600可以安裝在基板110的非顯示區域中,並且可以基於從顯示驅動系統700通過設置在基板110中的焊墊部分PP提供的輸入電力,輸出用於向顯示面板100的每一個像素P顯示影像的各種電壓。根據一實施例,電力管理晶片陣列部分1600可以基於輸入電力產生電晶體邏輯電壓、像素驅動電力、陰極電力、和至少一個參考伽瑪電壓。
圖22為說明圖20和圖21中所示之電力管理晶片陣列部分的方塊圖。
參考圖22並結合圖20和圖21,根據該示例的顯示裝置的電力管理晶片陣列部分1600可以包括直流轉換器晶片陣列部分(DC-DC converter chip array part),其安裝在基板110的非顯示區域NDA中,以對從外部接收的輸入電力Vin執行直流轉換(DC-DC conversion),並輸出轉換後的輸入電力。
直流轉換器晶片陣列部分可以包括邏輯電力晶片1610、驅動電力晶片1630、和伽瑪電壓產生晶片1650。在這種情況下,邏輯電力晶片1610、驅動電力晶片1630、和伽瑪電壓產生晶片1650中的每一個為微晶片或單個晶片組的最小單元,並且可以是具有包含電晶體的積體電路的單個小尺寸半導體封裝裝置。
邏輯電力晶片1610可以基於輸入電力Vin產生電晶體邏輯電壓Vcc,並且可以將電晶體邏輯電壓Vcc提供給需要電晶體邏輯電壓Vcc的微晶片。例如,邏輯電力晶片1610可以減小(降壓)輸入電力Vin以產生3.3V的電晶體邏輯電壓Vcc。而且,邏輯電力晶片1610可以基於輸入電力Vin產生接地電壓GND,並且可以將接地電壓GND提供給需要接地電壓GND的微晶片。在 這種情況下,接地電壓GND可以用作陰極電力Vss提供給設置在顯示面板100上的陰極電極CE。根據一實施例,邏輯電力晶片1610可以是直流轉換器,例如差動(step-down)轉換器晶片或降壓(buck)轉換器晶片,但是本發明不限於此。
驅動電力晶片1630可以基於輸入電力Vin產生像素驅動電力Vdd,並且可以將像素驅動電力Vdd提供給每一個像素P和需要像素驅動電力Vdd的微晶片。例如,驅動電力晶片1630可以產生12V的像素驅動電力Vdd。根據一實施例,驅動電力晶片1630可以是直流轉換器,例如倍壓(step-up)轉換器晶片或升壓(boost)轉換器晶片,但是本發明不限於此。
伽瑪電壓產生晶片1650可以從邏輯電力晶片1610接收電晶體邏輯電壓Vcc、可以從驅動電力晶片1630接收像素驅動電力Vdd、可以產生至少一個參考電壓Vgam、以及可以將參考伽瑪電壓Vgam提供給資料驅動晶片陣列部分1300。例如,通過使用在低電位終端與高電位終端之間串聯連接的複數個分壓電阻器的電壓分佈,其中,對低電位終端提供電晶體邏輯電壓Vcc,而對高電位終端提供像素驅動電源Vdd,作為參考伽瑪電壓Vgam的伽瑪電壓產生晶片1650可以輸出複數個分壓電阻器之間的電壓分佈節點的分配電壓。
根據該示例的電力管理晶片陣列部分1600可以進一步包括序列通訊晶片1670。在這種情況下,作為微晶片或單個晶片組的最小單元的序列通訊晶片1670可以是具有包含電晶體的積體電路的單個小尺寸半導體封裝裝置。
序列通訊晶片1670可以通過連接器連接到顯示驅動系統700,與設置在基板110上的焊墊部分PP分開,且該連接器附接到設置在基板110的非顯示區域一側的序列通訊焊墊。序列通訊晶片1670通過序列外圍介面(serial peripheral interface,SPI)接收從顯示驅動系統700提供的電壓調諧信號,並將接收的電壓調諧信號恢復回電壓調諧資料,並且將電壓調諧資料傳輸到直流轉換器晶片陣列部分。例如,電壓調諧信號可以是用於調諧伽瑪電壓的信號。在這種情況下,可以將與電壓調諧信號對應的電壓調諧資料提供給伽瑪電壓產生晶片1650,並且伽瑪電壓產生晶片1650可以根據電壓調諧資料調諧提供給高電位終端的像素驅動電力Vdd的電壓位準或者調諧複數個分壓電阻器中的至少一個的電阻。
另外,序列通訊晶片1670可以向顯示驅動系統700發送從圖16和圖17中所示之觸控感測晶片陣列部分800的觸控處理晶片830提供的觸控地圖資料TMD。在這種情況下,由觸控處理晶片830產生的觸控地圖資料TMD可以在沒有單獨的觸控資料傳輸信號電纜的情況下發送到顯示驅動系統700。也就是說,根據本發明的另一實施例,通過將具有序列通訊晶片1670的電力管理晶片陣列部分1600安裝在基板110上並在電力管理晶片陣列部分1600與觸控感測晶片陣列部分800之間共享序列通訊晶片1670,可以移除用於將觸控地圖資料TMD發送到顯示驅動系統700的單獨信號電纜,從而進一步簡化顯示裝置的配置。與此不同的是,根據本發明的另一實施例,為了將觸控地圖資料TMD傳輸到顯示驅動系統700,觸控資料傳輸晶片可以安裝在基板110上,並配置用於觸控感應晶片陣列部分800,並且觸控感測晶片陣列部分800和電力管理晶片陣列部分1600可以被配置以共享觸控資料傳輸晶片。
圖23為說明圖20和圖21中所示之時序控制器晶片陣列部分和資料驅動晶片陣列部分的示意圖。
參考圖23並結合圖20和圖21,根據該示例的顯示裝置的時序控制器晶片陣列部分1500可以包括影像信號接收晶片陣列1510、影像品質改進晶片陣列1530、資料控制晶片陣列1550、以及閘極控制晶片1570。
影像信號接收晶片陣列1510可以基於通過焊墊部分PP從顯示驅動系統700輸入的影像信號Simage在一個訊幀中產生數位資料信號、參考時脈、和資料起動信號。在這種情況下,可以通過例如V-by-One介面方式的高速序列介面方式將影像信號Simage提供給影像信號接收晶片陣列1510。在這種情況下,影像信號接收晶片陣列1510可以通過V-by-One介面方式接收與從顯示驅動系統700輸入的影像信號的差分信號對應的數位資料信號、可以基於所接收的數位資料信號產生至少一個水平線單元的像素資料、以及可以從差分信號產生參考時脈和資料起動信號。
根據一實施例,影像信號接收晶片陣列1510可以包括第一影像信號接收晶片15101至第i影像信號接收晶片1510i(此處,i是大於或等於2的自然數)。在這種情況下,第一影像信號接收晶片15101至第i影像信號接收晶片1510i中的每一個都是微晶片或單個晶片組的最小單元,並且可以是具有包含電晶體的積體電路的單個小尺寸半導體封裝裝置。
為了在第一影像信號接收晶片15101至第i影像信號接收晶片1510i之間執行同步和資料通信,第一影像信號接收晶片15101可以程式化為主控(master)以控制影像信號接收晶片陣列1510中的整體操作和功能,並且第二影像信號接收晶片15102到第i影像信號接收晶片1510i中的每一個可以程式化為從屬(slave)以與第一影像信號接收晶片15101同步地操作。
第一影像信號接收晶片15101至第i影像信號接收晶片1510i中的每一個可以分別接收要提供給用於通過介面電纜710從顯示驅動系統700發送的影像信號Simage的差分信號中的j個像素的數位資料信號、可以基於所接收的數位資料信號分別產生要提供給j像素的像素資料、以及可以從用於影像信號Simage的差分信號分別產生參考時脈和資料起動信號。例如,當介面電纜710具有第一通道至第i通道時,第一影像信號接收晶片15101可以從用於通過介面電纜710的第一通道從顯示驅動系統700發送的影像信號Simage的差分信號分別接收對應於第一像素至第i像素的數位資料信號、可以基於所接收的數位資料信號分別產生對應於第一像素至第j像素的像素資料、以及可以從用於影像信號Simage的差分信號分別產生參考時脈和資料起動信號。此外,第i影像信號接收晶片1510i可以從通過介面電纜710的第i個通道從顯示驅動系統700發送的影像信號Simage的差分信號中分別接收對應於第m-j+1像素至第m像素的數位資料信號、可以基於所接收的數位資料信號分別產生對應於第m-j+1像素至第m像素的像素資料、以及可以從用於影像信號Simage的差分信號分別產生參考時脈和資料起動信號。
第一影像信號接收晶片15101至第i影像信號接收晶片1510i中的每一個可以從通過介面電纜710輸入的第一訊幀的差分信號產生用於時序控制器晶片陣列部分1500的顯示設置資料、可以將顯示設置資料儲存在內部記憶體中、以及可以從用於通過介面電纜710依序輸入的訊幀的差分信號產生數位資料信號、參考時脈、和資料起動信號。
根據一實施例,影像信號接收晶片陣列1510可以僅由一個影像信號接收晶片組成。也就是說,第一影像信號接收晶片15101至第i影像信號接收晶片1510i可以被配置為單個一體化的資料接收晶片。
影像品質改進晶片陣列1530可以從影像信號接收晶片陣列1510接收基於訊幀的數位資料信號,並且可以執行預定的影像品質改進演算法以改善與基於訊幀的數位資料信號對應的影像的品質。
根據一實施例,影像品質改進晶片陣列1530可以包括一對一地連接至第一影像信號接收晶片15101至第i影像信號接收晶片1510i的第一影像品質改進晶片15301至第i影像品質改進晶片1530i。第一影像品質改進晶片15301至第i影像品質改進晶片1530i可以相應地從影像信號接收晶片15101至影像信號接收晶片1510i接收數位資料信號,並且可以執行預定影像品質改進演算法以根據基於訊幀的數位資料信號改善影像品質。在這種情況下,第一影像品質改進晶片15301至第i影像品質改進晶片1530i中的每一個都是微晶片或單個晶片組的最小單元,並且可以是具有包含電晶體的積體電路的單個小尺寸半導體封裝裝置。
為了在第一影像品質改進晶片15301至第i影像品質改進晶片1530i之間執行同步和資料通信,第一影像品質改進晶片15301可以程式化為主控以控制影像品質改進晶片陣列1530中的整體操作和功能,並且第二影像品質改進晶片15302到第i影像品質改進晶片1530i中的每一個可以程式化為從屬以與第一影像品質改進晶片15301同步地操作。
同時,當影像信號接收晶片陣列1510被配置為單個一體化的資料接收晶片時,第一影像品質改進晶片15301至第i影像品質改進晶片1530i可以被配置為連接至一體化的資料接收晶片的單個一體化的影像品質改進晶片。
基於從影像信號接收晶片陣列1510提供的參考時脈和資料起動信號,資料控制晶片陣列1550可以佈置和輸出具有被影像品質改進晶片陣列1530改進的影像品質的數位資料信號作為基於1水平線的像素資料。
作為一示例,資料控制晶片陣列1550可以包括一對一地連接至第一影像品質改進晶片15301至第i影像品質改進晶片1530i的第一資料控制晶片15501至第i資料控制晶片1550i。第一資料控制晶片15501至第i資料控制晶片1550i可以從影像品質改進晶片15301至影像品質改進晶片1530i接收具有改善的影像品質的數位資料信號,並且可以根據從影像信號接收晶片陣列1510提供的參考時脈和資料起動信號,分配並輸出數位資料信號作為像素資料。在這種情況下,第一資料控制晶片15501至第i資料控制晶片1550i中的每一個都是 微晶片或單個晶片組的最小單元,並且可以是具有包含電晶體的積體電路的單個小尺寸半導體封裝裝置。
為了在第一資料控制晶片15501至第i資料控制晶片1550i之間執行同步和資料通信,第一資料控制晶片15501可以程式化為主控以控制資料控制晶片陣列1550中的整體操作和功能,並且第二資料控制晶片15502到第i資料控制晶片1550i中的每一個可以程式化為從屬以與第一資料控制晶片15501同步地操作。
第一資料控制晶片15501至第i資料控制晶片1550i可以使用每一個都具有對應於像素資料的位元數的資料匯流排的第一公共序列資料匯流排CSB1至第i公共序列資料匯流排CSBi通過序列資料通訊方式分別輸出像素資料、可以將參考時脈分別輸出到第一公共參考時脈線RCL1至第i公共參考時脈線RCLi、以及可以將資料起動信號分別輸出到第一資料起動訊號線DSL1至第i資料起動訊號線DSLi。例如,第一影像信號接收晶片15101可以通過第一公共序列資料匯流排CSB1、第一公共參考時脈線RCL1、和第一資料起動訊號線DSL1發送相應的像素資料、相應的參考時脈、和相應的資料起動信號。並且,第i影像信號接收晶片1510i可以通過第i公共序列資料匯流排CSBi、第i公共參考時脈線RCLi、和第i資料起動訊號線DSLi發送相應的像素資料、相應的參考時脈、和相應的資料起動信號。
同時,當影像信號接收晶片陣列1510可以被配置為單個一體化的資料接收晶片並且影像品質改進晶片陣列1530可以被配置為單個一體化的影像品質改進晶片時,第一資料控制晶片15501至第i資料控制晶片1550i可以被配置為連接至一體化的資料接收晶片的單個一體化的資料控制晶片。
閘極控制晶片1570可以基於從資料控制晶片陣列1550輸出的參考時脈產生閘極時脈GCLK和閘極起動信號Vst,並且可以將所產生的閘極時脈GCLK和閘極起動信號Vst提供給閘極驅動晶片陣列部分1200。例如:閘極控制晶片1570可以從連接到資料控制晶片陣列1550的第一資料控制晶片至第i資料控制晶片中之最鄰近的資料控制晶片15501的資料起動訊號線DSL1和公共參考時脈線RCL1接收資料起動信號和參考時脈,並且可以基於所接收的資料起動信號計數參考時脈,以產生閘極時脈GCLK和閘極起動信號Vst。閘極起動信號Vst可以通過設置在基板上的單個閘極起動訊號線201提供給閘極驅動晶片陣列 部分1200的第一閘極驅動晶片210,並且閘極時脈GCLK也可以通過設置在基板上的單個閘極時脈線202提供給閘極驅動晶片陣列部分1200的第一閘極驅動晶片210。
如上所述,藉由將時序控制器晶片陣列部分1500安裝在顯示面板100的基板110上並通過單個介面電纜710連接到顯示驅動系統700,可以簡化顯示面板100與顯示驅動系統700之間的連接結構。
根據該示例,顯示裝置的資料驅動晶片陣列部分1300可以包括第一資料鎖存晶片L1至第m資料鎖存晶片Lm、第一數位至類比轉換器晶片D1至第m數位至類比轉換器晶片Dm、以及第一資料放大器晶片A1至第m資料放大器晶片Am。在這種情況下,第一數位至類比轉換器晶片D1至第m數位至類比轉換器晶片Dm以及第一資料放大器晶片A1至第m資料放大器晶片Am中的每一個是微晶片或單晶片組的最小單元,且可以是具有包含電晶體的積體電路的單個小尺寸半導體封裝裝置。
第一資料鎖存晶片L1至第m資料鎖存晶片Lm中的每一個可以根據基於資料起動信號的參考時脈採樣和鎖存(或保持)從時序控制器晶片陣列部分1500的資料控制晶片陣列1550發送的像素資料,並可以輸出所接收的參考時脈和通過序列資料通訊方式鎖存的像素資料。
第一資料鎖存晶片L1至第m資料鎖存晶片Lm可以分組為第一資料鎖存器組13201至第i資料鎖存器組1320i,且每一資料鎖存器組由j個資料鎖存晶片組成。在群組的基礎上,第一資料鎖存器組13201至第i資料鎖存器組1320i可以一對一地連接至第一資料控制晶片15501至第i資料控制晶片1550i。
在群組的基礎上,分組為第一資料鎖存器組13201至第i資料鎖存器組1320i的資料鎖存晶片可以共同地連接至第一公共序列資料匯流排CSB1至第i公共序列資料匯流排CSBi。例如,分組成第一資料鎖存器組13201的第一資料鎖存晶片L1至第j資料鎖存晶片Lj中的每一個可以通過第一公共序列資料匯流排CSB1、第一公共參考時脈線RCL1、和第一資料起動訊號線DSL1接收相應的像素資料、相應的參考時脈、和相應的起動信號。並且,分組成第i個資料鎖存器組1320i的第m-j+1資料鎖存晶片Lm-j+1至第m資料鎖存晶片Lm中的每一個可以通過第i公共序列資料匯流排CSBi、第i公共參考時脈線RCLi、 和第i資料起動訊號線DSLi接收相應的像素資料、相應的參考時脈、和相應的資料起動信號。
當對具有相應位元數的像素資料進行採樣和鎖存時,第一資料鎖存晶片L1至第m資料鎖存晶片Lm中的每一個通過序列資料通訊方式輸出所接收的參考時脈和鎖存的像素資料。
根據一實施例,第一資料鎖存晶片L1至第m資料鎖存晶片Lm中的每一個可以包括:鎖存電路,被配置以根據參考時脈對通過對應的公共序列資料匯流排CSB輸入的像素資料進行採樣和鎖存,以響應資料起動信號;計數器電路,被配置以對參考時脈進行計數並產生資料輸出信號;以及時脈旁路電路,被配置以將所接收的參考時脈旁路。
第一數位至類比轉換器晶片D1至第m數位至類比轉換器晶片Dm可以一對一地連接至第一資料鎖存晶片L1至第m資料鎖存晶片Lm,並且可以共同地連接到至少一條參考伽瑪電壓供應線RGVL,且電源電路通過該參考伽瑪電壓供應線RGVL提供至少一個參考伽瑪電壓Vgam。在這種情況下,數位至類比轉換器晶片D1至數位至類比轉換器晶片Dm中的一個可以通過單個序列資料傳輸線SDTL和單個參考時脈傳輸線RCTL連接到資料鎖存晶片L1至資料鎖存晶片Lm中的一個。第一數位至類比轉換器晶片D1至第m數位至類比轉換器晶片Dm可以根據從相應的資料鎖存晶片L1至資料鎖存晶片Lm提供的參考時脈傳輸線RCTL,在序列通訊方式中通過序列資料傳輸線SDTL接收和平行化從相應資料鎖存晶片L1至資料鎖存晶片Lm輸入的像素資料。接著,第一數位至類比轉換器晶片D1至第m數位至類比轉換器晶片Dm可以基於通過參考伽瑪電壓供應線RGVL提供的參考伽瑪電壓將平行像素資料轉換為資料電壓,並可以輸出資料電壓。
根據一實施例,第一數位至類比轉換器晶片D1至第m數位至類比轉換器晶片Dm可以包括:資料平行化電路,被配置以根據參考時脈接收和平行化以序列資料通訊方式輸入的像素資料;灰階電壓產生電路,被配置以根據像素資料的位元數分配參考伽瑪電壓並產生與複數個灰階值對應的複數個灰階電壓;以及時脈計數器,用於對參考時脈進行計數以產生平行資料輸出信號。
可選擇地,第一數位至類比轉換器晶片D1至第m數位至類比轉換器晶片Dm中的每一個的灰階電壓產生電路可以分配從電源電路提供的像素 驅動電壓Vdd而非參考伽瑪電壓,以產生複數個不同的灰階電壓。在這種情況下,省略了設置在基板的非顯示區域中的至少一個參考伽瑪電壓供應線RGVL,因此可以增加基板的非顯示區域的空間利用率。
根據該示例,藉由以序列資料通訊方式從資料鎖存晶片L1至資料鎖存晶片Lm接收像素資料,第一數位至類比轉換器晶片D1至第m數位至類比轉換器晶片Dm具有用於接收像素資料的最小數量的終端,因此可以減小尺寸。隨著數位至類比轉換器晶片D1至數位至類比轉換器晶片Dm與資料鎖存晶片L1至資料鎖存晶片Lm之間的資料傳輸線的數量增加,可以增加基板的非顯示區域的空間利用率。
第一資料放大器晶片A1至第m資料放大器晶片Am可以一對一地連接至第一數位至類比轉換器晶片D1至第m數位至類比轉換器晶片Dm,並且可以一對一地連接至第一資料線DL1至第m資料線DLm。而且,第一資料放大器晶片A1至第m資料放大器晶片Am可以共同地連接至像素驅動電壓供應線PSL,且電源電路通過該像素驅動電壓供應線PSL提供像素驅動電壓Vdd,並且第一資料放大器晶片A1至第m資料放大器晶片Am可以共同地連接到接地電壓線,且電源電路通過該接地電壓線提供接地電壓。第一資料放大器晶片A1至第m資料放大器晶片Am可以基於像素驅動電壓Vdd緩衝從相應的數位至類比轉換器晶片D1至Dm提供的資料電壓,並且可以將緩衝的資料電壓提供給相應的資料線DL1至DLm。例如,第一資料放大器晶片A1至第m資料放大器晶片Am中的每一個可以根據相應的資料線的線負載設定的增益值來緩衝和輸出資料電壓。
另外,用於向一條資料線提供資料電壓的一個資料鎖存晶片、一個數位至類比轉換器晶片、和一個資料放大器晶片組成資料驅動晶片組13001至資料驅動晶片組1300m中的每一組,其可以被配置為單個資料驅動晶片。在這種情況下,連接到每一條第一資料線DL1至第m資料線DLm的晶片的數量可以減少1/3。
如上所述,根據本發明另一實施例的顯示裝置具有與圖1至圖19中所示之顯示裝置相同的效果,並且通過用於在以微晶片實現並安裝在基板110上的顯示面板100上顯示對應於從顯示驅動系統700提供的影像信號的影像的所有電路元件,可促進微晶片的簡化和整合。此外,根據本發明另一實施例 的顯示裝置可以藉由僅通過一條或兩條信號電纜710直接連接到顯示驅動系統700,因此其具有與顯示驅動系統700的簡單連接結構並且還具有單個板形狀。
圖24為說明根據本發明又另一實施例之顯示裝置的單元像素的示意圖,其通過改變圖1至圖23中所示之顯示裝置的像素驅動晶片來配置。因此,以下僅描述像素驅動晶片及其相關元件,並且將省略對其他元件的重複描述。
參照圖24,對於根據本發明又另一實施例的顯示裝置,像素驅動晶片1200被設置以驅動一個單元像素UP,其具有在閘極線GL1的方向上設置的三個相鄰像素。
像素驅動晶片1200可以安裝在界定於基板上的單元像素區域中,並且可以連接到三條相鄰的資料線DL1、資料線DL2、和資料線DL3、一條閘極線GL1、和一條像素驅動電力線PL,並且還可以連接第一發光部分ELP1、第二發光部分ELP2、和第三發光部分ELP3。基於從像素驅動電力線PL提供的像素驅動電力,像素驅動晶片1200可以藉由向第一發光部分ELP1、第二發光部分ELP2、和第三發光部分ELP3提供對應於第一資料電壓至第三資料電壓的第一資料電流至第三資料電流來控制第一發光部分ELP1、第二發光部分ELP2、和第三發光部分ELP3的發光,以響應從閘極線GL1提供的閘極脈衝。
作為示例,像素驅動晶片1200可以包括:閘極凸塊,連接到閘極線GL;第一資料凸塊至第三資料凸塊,連接到第一資料線DL1、第二資料線DL2、和第三資料線DL3;電力輸入凸塊,連接到像素驅動電力線PL;第一輸出凸塊至第三輸出凸塊,連接到第一發光部分ELP1、第二發光部分ELP2、和第三發光部分ELP3;第一像素驅動電路,被配置以輸出到第一輸出凸塊;第一資料電流,對應於通過第一資料凸塊提供的第一資料電壓,以響應通過閘極凸塊提供的閘極脈衝;第二像素驅動電路,被配置以輸出到第二輸出凸塊;第二資料電流,對應於通過第二資料凸塊提供的第二資料電壓,以響應通過閘極凸塊提供的閘極脈衝;以及第三像素驅動電路,被配置以向第三輸出凸塊輸出對應於通過第三資料凸塊提供的第三資料電壓的第三資料電流,以響應通過閘極凸塊提供的閘極脈衝。
根據該示例的第一像素驅動電路至第三像素驅動電路具有與圖3中所示之像素驅動電路相同的配置,因此將省略其描述。
根據本發明的又一實施例,藉由通過一個像素驅動晶片1200將一個單元像素UP向上驅動,可以將安裝在基板上的像素驅動晶片1200的數量減少1/3,從而減少像素驅動晶片1200的安裝製程時間,以增加顯示裝置的產量。
根據該示例的一個像素驅動晶片1200可以被設置以驅動兩個單元像素,該單元像素具有六個設置在閘極線GL1方向上的相鄰的像素。在這種情況下,一個像素驅動晶片1200可以進一步包括第四像素驅動電路至第六像素驅動電路,共同地連接到閘極線GL和像素驅動電力線PL,並且以一對一的方式連接到第四資料線到第六條資料線。
圖25為說明根據本發明再另一實施例之顯示裝置的單元像素的示意圖,其通過改變圖1至圖23中所示的顯示裝置的像素驅動晶片來配置。因此,以下僅描述像素驅動晶片及其相關元件,並且將省略對其他元件的重複描述。
參照圖25,對於根據本發明再另一實施例的顯示裝置,像素驅動晶片1200被設置以驅動單元像素組PG,該單元像素組PG具有連接到兩條相鄰閘極線GL1和閘極線GL2的兩個垂直相鄰的單元像素UP1和單元像素UP2。
像素驅動晶片1200可以安裝在界定於基板上的單元像素區域中,並且可以連接到三條相鄰的資料線DL1、資料線DL2、和資料線DL3、兩條相鄰的閘極線GL1和閘極線GL2、和一條像素驅動電力線PL,並且還可以連接第一發光部分ELP1至第六發光部分ELP6。根據一實施例,像素驅動晶片1200可以包括:第一閘極凸塊和第二閘極凸塊,連接到第一閘極線GL和第二閘極線GL2;第一資料凸塊至第三資料凸塊,連接到第一資料線DL1、第二資料線DL2、和第三資料線DL3;電力輸入凸塊,連接到像素驅動電力線PL;第一輸出凸塊至第三輸出凸塊,連接到第一發光部分ELP1、第二發光部分ELP2、和第三發光部分ELP3;第一像素驅動電路至第三像素驅動電路,共同連接至第一閘極凸塊和電力輸入凸塊、分別連接至第一資料凸塊至第三資料凸塊、並分別連接至第一輸出凸塊至第三輸出凸塊;以及第四像素驅動電路至第六像素驅動電路,共同連接到第二閘極凸塊和電力輸入凸塊、分別連接到第一資料凸塊至第三資料凸塊、並分別連接到第一輸出凸塊至第三輸出凸塊。根據該示例的第一像素 驅動電路至第六像素驅動電路具有與圖3中所示之像素驅動電路相同的配置,因此將省略其描述。
根據該示例,基於從像素驅動電力線PL提供的像素驅動電力,像素驅動晶片1200可以藉由向第一發光部分ELP1、第二發光部分ELP2、和第三發光部分ELP3提供對應於第一資料電壓至第三資料電壓的第一資料電流至第三資料電流來控制第一發光部分ELP1、第二發光部分ELP2、和第三發光部分ELP3的發光,以響應從第一閘極線GL1提供的閘極脈衝。此外,基於從像素驅動電力線PL提供的像素驅動電力,像素驅動晶片1200可以通過向第一發光部分ELP1、第二發光部分ELP2、和第三發光部分ELP3提供對應於第一資料電壓至第三資料電壓的第一資料電流至第三資料電流來控制第一發光部分ELP1、第二發光部分ELP2、和第三發光部分ELP3的發光,以響應從第一閘極線GL1提供的閘極脈衝。此外,基於從像素驅動電力線PL提供的像素驅動電力,像素驅動晶片1200可以藉由向第四發光部分ELP4、第五發光部分ELP5、和第六發光部分ELP6提供對應於從第一發光部分ELP1、第二發光部分ELP2、和第三發光部分ELP3提供的第四資料電壓至第六資料電壓的第四資料電流至第六資料電流來控制第四發光部分ELP4、第五發光部分ELP5、和第六發光部分ELP6的發光,以響應從第二閘極線GL2提供的閘極脈衝。
根據本發明的再另一實施例,藉由通過一個像素驅動晶片1200驅動具有兩個相鄰單元像素UP1和單元像素UP2的一個單元像素組PG,可以將安裝在基板上的像素驅動晶片1200的數量減少1/6,從而減少像素驅動晶片1200的安裝製程時間,以增加顯示裝置的產量。
根據該示例,一個像素驅動晶片1200可以被設置以通過兩條閘極線和六條資料線驅動總計12個像素。在這種情況下,一個像素驅動晶片1200可以包括總共12個像素驅動電路。可以將安裝在基板上的像素驅動晶片1200的數量減少1/12,從而減少像素驅動晶片的安裝製程時間,以增加顯示裝置的產量。
根據本發明,可以簡化顯示驅動系統與顯示面板之間的連接結構,從而增加顯示裝置的美學設計性。
此外,根據本發明,藉由將用於驅動顯示面板的每一個像素的資料驅動電路和閘極驅動電路實現作為微晶片並將微晶片安裝在基板上,可以省略了形成用於一般顯示面板的每一個像素的至少一個薄膜電晶體的製程。
在本發明的以上示例中描述的特徵、結構、和效果被結合到本發明的至少一個實施例中,但是不僅限於一個示例。此外,在本發明的至少一個實施例中示例的特徵、結構、和效果可以輕易地組合和修改而用於其他示例,接著被所屬領域中具有通常知識者執行。因此,這些組合和修改應被解釋為落入本發明的範圍內。
本發明不限於前述實施例和附圖,並且對於所屬領域中具有通常知識者顯而易見的是,在不脫離本發明的技術精神的情況下,可以進行各種替換、修改、和改變。因此,本發明的範圍由所附的申請專利範圍限定,並且從申請專利範圍的含義和範疇及其均等物得出的所有改變或修改應被解釋為包括在本發明的範圍內。
本發明主張2017年12月29日提交的韓國專利申請第10-2017-0184757號的權益,其通過引用結合於此,如同在此完全闡述一樣。
110‧‧‧基板
111‧‧‧緩衝層
112‧‧‧凹入部分
113‧‧‧第一平坦層
114‧‧‧絕緣層
115‧‧‧第二平坦層
117‧‧‧密封層(封裝層)
120‧‧‧像素驅動晶片
150‧‧‧透明黏合層
170‧‧‧阻擋圖案
190‧‧‧對向基板
191‧‧‧阻擋層
193‧‧‧黑色矩陣
195‧‧‧彩色濾光片層
200‧‧‧閘極驅動晶片陣列部分
210‧‧‧閘極驅動晶片
AE‧‧‧陽極電極
BL‧‧‧堤岸層
CA‧‧‧電路區域
CE‧‧‧陰極電極(第二電極)
CH1‧‧‧第一晶片接觸孔
CH2‧‧‧第二晶片接觸孔
CH3‧‧‧陽極接觸孔
EA‧‧‧發光區域
ELP‧‧‧發光部分
EL‧‧‧發光層
ML1‧‧‧第一金屬線
ML2‧‧‧第二金屬線
PA‧‧‧像素區域
Claims (31)
- 一種顯示裝置,包括:一基板,包含具有複數個像素區域的一顯示區域和圍繞該顯示區域的一非顯示區域;第一閘極線至第n閘極線,通過該基板的該顯示區域;第一資料線至第m資料線,通過該基板的該顯示區域;第一像素驅動電力線至第m像素驅動電力線,通過該基板的該顯示區域;複數個像素,每一個該像素包含:一像素驅動晶片,安裝在該基板的該複數個像素區域的至少一個中,並且分別連接到該第一閘極線至該第n閘極線、該第一資料線至該第m資料線、以及該第一像素驅動電力線至該第m像素驅動電力線之中與該像素驅動晶片相鄰的一像素驅動電力線;以及一發光部分,連接到該像素驅動晶片;一閘極驅動晶片陣列部分,安裝在該基板的該非顯示區域中,並連接到該第一閘極線至該第n閘極線;以及一資料驅動晶片陣列部分,安裝在該基板的該非顯示區域中,並連接到該第一資料線至該第m資料線,其中,該閘極驅動晶片陣列部分包含:一對一地連接至該第一閘極線至該第n閘極線的第一閘極驅動晶片至第n閘極驅動晶片,以及該第一閘極驅動晶片至第n閘極驅動晶片彼此以疊接的方式連接,其中,該第一閘極驅動晶片至該第n閘極驅動晶片中的每一個根據一閘極時脈將一閘極起動信號輸出到一條對應的閘極線作為一閘極脈衝,並且將一輸出信號和該閘極時脈提供給設置在下一級的一閘極驅動晶片,以及其中,用於提供該閘極時脈的一閘極時脈線係配置以僅連接至疊接的該第一閘極驅動晶片至第n閘極驅動晶片中的該第一閘極驅動晶片。
- 根據申請專利範圍第1項所述的顯示裝置,其中,該像素驅動晶片包含:至少一個閘極凸塊,連接到該第一閘極線至該第n閘極線中的至少一條相鄰的閘極線; 至少一個資料凸塊,連接到該第一資料線至該第m資料線中的至少一條相鄰的資料線;至少一個電力輸入凸塊,連接到該第一像素驅動電力線至該第m像素驅動電力線中的至少一條相鄰的像素驅動電力線;以及一輸出凸塊,連接到至少一個發光部分。
- 根據申請專利範圍第1項所述的顯示裝置,其中,在該第一閘極驅動晶片至該第n閘極驅動晶片的每一個中,該閘極脈衝的一輸出時間延遲於該閘極時脈的一輸出時間。
- 根據申請專利範圍第1項所述的顯示裝置,進一步包括:一閘極緩衝晶片,安裝在該基板的該顯示區域中,並連接到該第一閘極線至該第n閘極線,其中,該第一閘極線至該第n閘極線中的每一條透過設置在該顯示區域中的一分離部分而分為一第一部分線和一第二部分線,以及該閘極緩衝晶片設置在該分離部分上,且電性連接於該第一部分線與該第二部分線之間。
- 根據申請專利範圍第4項所述的顯示裝置,其中,該閘極緩衝晶片包含:一第一凸塊,連接到該第一部分線;一第二凸塊,連接到該第二部分線;一第三凸塊,連接到一條相鄰的像素驅動電力線;以及一第四凸塊,被配置以接收陰極的電力。
- 根據申請專利範圍第1項所述的顯示裝置,其中,該資料驅動晶片陣列部分包含:一資料接收晶片陣列,被配置以接收一輸入數位資料信號,並輸出像素資料的一個1水平線單元;第一資料鎖存晶片至第m資料鎖存晶片,連接到該資料接收晶片陣列;第一數位至類比轉換器晶片至第m數位至類比轉換器晶片,一對一地連接到該第一資料鎖存晶片至該第m資料鎖存晶片;以及 第一資料放大器晶片至第m資料放大器晶片,一對一地連接到該第一數位至類比轉換器晶片至該第m數位至類比轉換器晶片,並且一對一地連接到該第一資料線至該第m資料線。
- 根據申請專利範圍第6項所述的顯示裝置,其中,該第一資料鎖存晶片至該第m資料鎖存晶片中的每一個通過序列資料通訊的方式輸出一參考時脈和被鎖存的像素資料,以及該第一數位至類比轉換器晶片至該第m數位至類比轉換器晶片中的每一個根據該參考時脈接收並且平行化通過該序列資料通訊的方式所輸入的該像素資料,接著基於至少一個參考伽瑪電壓將平行化的該像素資料轉換為一資料電壓。
- 根據申請專利範圍第6項所述的顯示裝置,其中,該第一資料鎖存晶片至該第m資料鎖存晶片分組成第一資料鎖存群組至第i資料鎖存群組,每一個該資料鎖存群組由j個資料鎖存晶片組成(j是大於或等於2的自然數),以及該資料接收晶片陣列包括第一資料接收晶片至第i資料接收晶片,該第一資料接收晶片至該第i資料接收晶片被配置以從該第一資料鎖存群組至該第i資料鎖存群組接收對應的資料信號,並將對應的像素資料輸出至該第一資料鎖存群組至該第i資料鎖存群組。
- 根據申請專利範圍第1項所述之顯示裝置,進一步包括:一焊墊部分,設置在該基板的該非顯示區域的一側;一控制板,通過一信號電纜連接到該焊墊部分;以及一時序控制器,安裝在該控制板上,且被配置以藉由處理一輸入影像信號產生一數位資料信號、將所產生的該數位資料信號提供給該資料驅動晶片陣列部分、以及向該閘極驅動晶片陣列部分提供一閘極時脈和一閘極起動信號。
- 根據申請專利範圍第9項所述的顯示裝置,其中,該影像信號通過一V對一(V-by-One)介面的方式提供給該時序控制器,以及該數位資料信號通過一嵌入式點對點介面(embedded point to point interface,EPI)的方式提供給該資料驅動晶片陣列部分。
- 根據申請專利範圍第1項所述之顯示裝置,進一步包括:複數個觸控電極,設置在該基板的該顯示區域中,並與至少一個像素重疊;複數條觸控佈線,一對一地連接到該複數個觸控電極;以及一觸控感測晶片陣列部分,安裝在該基板的該非顯示區域中,並連接到該複數條觸控佈線。
- 根據申請專利範圍第11項所述的顯示裝置,其中,該觸控感應晶片陣列部分包含:複數個觸控感測晶片,每一個該觸控感測晶片設置在該第一閘極驅動晶片至該第n閘極驅動晶片中相鄰的兩個閘極驅動晶片之間、通過該複數條觸控佈線連接至該複數個觸控電極、並被配置以基於對應於該觸控電極的電容變化產生觸控存在資料;以及一觸控處理晶片,被配置以收集從該複數個觸控感應晶片所提供的該觸控存在資料、產生觸控地圖資料、以及將該產生的觸控地圖資料提供給一顯示驅動系統。
- 根據申請專利範圍第12項所述的顯示裝置,其中,該複數個觸控感應晶片中的每一個從設置在前一級的該閘極驅動晶片接收該閘極起動信號和該閘極時脈、根據該閘極時脈基於一對應觸控電極的電容變化產生觸控存在資料、將該觸控存在資料提供給該觸控處理晶片、以及將所接收的該閘極時脈和該閘極起動信號提供給設置在下一級的該閘極驅動晶片。
- 根據申請專利範圍第13項所述的顯示裝置,其中,該觸控處理晶片根據該複數個觸控感測晶片之間的先進先出(first-input first-output,FIFO)資料傳輸,收集經由至少一個觸控感測晶片所發送的該複數個觸控感測晶片的該觸控存在資料。
- 根據申請專利範圍第1項所述的顯示裝置,進一步包括:一時序控制器晶片陣列部分,安裝在該基板的該非顯示區域中,且被配置以基於一輸入影像信號產生一數位資料信號、將該數位資料信號提供給該資料驅 動晶片陣列部分、以及向該閘極驅動晶片陣列部分提供該閘極時脈和該閘極起動信號。
- 根據申請專利範圍第15項所述的顯示裝置,其中,該時序控制器晶片陣列部分包含:一影像信號接收晶片陣列,具有至少一個影像信號接收晶片,並且該影像信號接收晶片被配置以基於該輸入影像信號產生用於一訊框的一數位資料信號和一參考時脈;一影像品質改進晶片陣列,具有至少一個影像品質改進晶片,用於改進對應於該訊框的該數位資料信號的影像的品質;一資料控制晶片陣列,具有至少一個資料控制晶片,該資料控制晶片被配置以基於該參考時脈校準並輸出具有被該影像品質改進晶片陣列改進的品質的該數位資料信號作為像素資料的一個1水平線單元;以及一閘極控制晶片,被配置以基於該參考時脈產生該閘極時脈和該閘極起動信號,並將該閘極時脈和該閘極起動信號提供給該閘極驅動晶片陣列部分。
- 根據申請專利範圍第16項所述的顯示裝置,其中,通過一V對一介面的方法將該影像信號提供給該影像信號接收晶片陣列。
- 根據申請專利範圍第16項所述的顯示裝置,其中,該資料驅動晶片陣列部分包含:第一資料鎖存晶片至第m資料鎖存晶片,連接到該資料控制晶片陣列;第一數位至類比轉換器晶片至第m數位至類比轉換器晶片,一對一地連接到該第一資料鎖存晶片至該第m資料鎖存晶片;以及第一資料放大器晶片至第m資料放大器晶片,一對一地連接到該第一數位至類比轉換器晶片至該第m數位至類比轉換器晶片,並且一對一地連接到該第一資料線至該第m資料線。
- 根據申請專利範圍第16項所述的顯示裝置,其中,該影像信號接收晶片陣列包含:一第一影像信號接收晶片,操作作為一主控;以及 第二影像信號接收晶片至第i影像信號接收晶片(i是大於或等於2的自然數),每一個該影像信號接收晶片操作作為與該第一影像信號接收晶片同步的一從屬;該影像品質改進晶片陣列包含:一第一影像品質改進晶片,連接到該第一影像信號接收晶片,以操作作為一主控;以及第二影像品質改進晶片至第i影像品質改進晶片,一對一地連接到該第二影像信號接收晶片至該第i影像信號接收晶片,每一個該影像信號接收晶片操作作為與該第一影像品質改進晶片同步的一從屬;以及該資料控制晶片陣列包含:一第一資料控制晶片,連接到該第一影像品質改進晶片,以操作作為一主控;以及第二資料控制晶片至第i資料控制晶片,一對一地連接到該第二影像品質改進晶片至該第i影像品質改進晶片,每一個該影像品質改進晶片操作作為與該第一資料控制晶片同步的一從屬。
- 根據申請專利範圍第19項所述的顯示裝置,其中,該資料驅動晶片陣列部分包含:第一資料鎖存晶片至第m資料鎖存晶片,連接到該資料控制晶片陣列;第一數位至類比轉換器晶片至第m數位至類比轉換器晶片,一對一地連接到該第一資料鎖存晶片至該第m資料鎖存晶片;以及第一資料放大器晶片至第m資料放大器晶片,一對一地連接到該第一數位至類比轉換器晶片至該第m數位至類比轉換器晶片,並且一對一地連接到該第一資料線至該第m資料線,以及該第一資料鎖存晶片至該第m資料鎖存晶片以j個資料鎖存晶片為單位分組,並按照組別連接到該第一資料控制晶片至該第i資料控制晶片。
- 根據申請專利範圍第20項所述的顯示裝置,其中,該第一資料鎖存晶片至該第m資料鎖存晶片中的每一個通過序列資料通訊的方式輸出該參考時脈和被鎖存的像素資料,以及 該第一數位至類比轉換器晶片至該第m數位至類比轉換器晶片中的每一個根據該參考時脈接收並且平行化通過該序列資料通訊的方式所輸入的該像素資料,接著基於複數個參考伽瑪電壓將平行化的該像素資料轉換為一資料電壓。
- 根據申請專利範圍第15項所述的顯示裝置,進一步包括:一電力管理晶片陣列部分,安裝在該基板的該非顯示區域中,並被配置以對來自一外部來源的電力輸入執行直流轉換,並輸出轉換後的電力。
- 根據申請專利範圍第22項所述的顯示裝置,其中,該電力管理晶片陣列部分包含:一邏輯電力晶片,被配置以基於該輸入的電力產生一電晶體邏輯電壓和陰極電力;一驅動電力晶片,被配置以根據該輸入的電力產生像素驅動電壓;以及一伽瑪電壓產生晶片,被配置以使用該電晶體邏輯電壓和該像素驅動電壓產生至少一個參考伽瑪電壓。
- 根據申請專利範圍第15項至第21項中任一項所述之顯示裝置,進一步包括:複數個觸控電極,設置在該基板的該顯示區域中,並與至少一個像素重疊;複數條觸控佈線,一對一地連接到該複數個觸控電極;以及一觸控感測晶片陣列部分,安裝在該基板的該非顯示區域中,並連接到該複數條觸控佈線。
- 根據申請專利範圍第24項所述的顯示裝置,其中,該觸控感測晶片陣列部分包含:複數個觸控感測晶片,每一個該觸控感測晶片設置在該第一閘極驅動晶片至該第n閘極驅動晶片中相鄰的兩個閘極驅動晶片之間、通過該複數條觸控佈線連接至該複數個觸控電極、並被配置以基於對應於該觸控電極的電容變化產生觸控存在資料;以及一觸控處理晶片,被配置為收集從該複數個觸控感測晶片提供的該觸控存在資料、產生觸控地圖資料、以及將該產生的觸控地圖資料提供給一顯示驅動系統。
- 根據申請專利範圍第25項所述的顯示裝置,其中,該複數個觸控感應晶片中的每一個從設置在前一級的該閘極驅動晶片接收該閘極起動信號和該閘極時脈、根據該閘極時脈基於一對應觸控電極的電容變化產生觸控存在資料、將該觸控存在資料提供給該觸控處理晶片、以及將所接收的該閘極時脈和該閘極起動信號提供給設置在下一級的該閘極驅動晶片。
- 根據申請專利範圍第26項所述的顯示裝置,其中,該觸控處理晶片根據該複數個觸控感測晶片之間的FIFO資料傳輸,收集經由至少一個觸控感測晶片發送的該複數個觸控感測晶片的該觸控存在資料。
- 根據申請專利範圍第25項所述的顯示裝置,進一步包括:一電力管理晶片陣列部分,安裝在該基板的該非顯示區域中,並被配置為對來自一外部來源的電力輸入執行直流轉換,並將從該觸控處理晶片提供的該觸控地圖資料發送到該顯示驅動系統。
- 根據申請專利範圍第28項所述的顯示裝置,其中,該電力管理晶片陣列部分包含:一直流轉換器晶片陣列部分,被配置以基於該輸入的電力執行直流轉換;以及一序列通訊晶片,被配置以接收從該顯示驅動系統輸入的一電壓調諧信號、將該電壓調諧信號傳遞至該直流轉換器晶片陣列部分、並且將從該觸控處理晶片提供的該觸控地圖資料發送到該顯示驅動系統。
- 根據申請專利範圍第29項所述的顯示裝置,其中,該直流轉換器晶片陣列部分包含:一邏輯電力晶片,被配置以基於該輸入的電力產生一電晶體邏輯電壓和陰極電力;一驅動電力晶片,被配置以根據該輸入的電力產生像素驅動電壓;以及一伽瑪電壓產生晶片,被配置以使用該電晶體邏輯電壓和該像素驅動電壓產生至少一個參考伽瑪電壓。
- 根據申請專利範圍第24項所述之顯示裝置,進一步包括: 一密封層,設置在該基板上,被配置以覆蓋設置在該複數個像素區域中的該發光部分;複數個觸控佈線,設置在該密封層上,並連接至該觸控感測晶片陣列部分;以及一觸控絕緣層,被配置以覆蓋該複數條觸控佈線,其中,該複數個觸控電極設置在該觸控絕緣層上,並且一對一地連接到該複數條觸控佈線。
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