TWI702391B - 繞射光學組件、鐳射投射模組、深度相機和電子裝置 - Google Patents

繞射光學組件、鐳射投射模組、深度相機和電子裝置 Download PDF

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Abstract

本申請公開了一種繞射光學組件、鐳射投射模組、深度相機和電子裝置。繞射光學組件包括密封組件和繞射光學元件。密封組件包括透光的第一密封板、透光的第二密封板、和間隔物。第一密封板與第二密封板相對設置。間隔物間隔第一密封板和第二密封板。第一密封板、第二密封板及間隔物共同形成封閉的容置腔。繞射光學元件收容在容置腔內。繞射光學元件包括透光的繞射本體及形成在繞射本體上的複數繞射結構。

Description

繞射光學組件、鐳射投射模組、深度相機和電子裝置
本申請涉及成像技術領域，特別涉及一種繞射光學組件、鐳射投射模組、深度相機和電子裝置。
鐳射投射模組由光源、準直元件和繞射光學元件(diffractive optical elements，DOE)組成。DOE的表面通常為非常精細的繞射表面。
本申請實施方式提供一種繞射光學組件、鐳射投射模組、深度相機和電子裝置。
本申請實施方式的繞射光學組件，包括密封組件和繞射光學元件；所述密封組件包括透光的第一密封板、透光的第二密封板、和間隔物，所述第一密封板與所述第二密封板相對設置，所述間隔物間隔所述第一密封板和所述第二密封板，所述第一密封板、所述第二密封板及所述間隔物共同形成封閉的容置腔；所述繞射光學元件收容在所述容置腔內，所述繞射光學元件包括透光的繞射本體及形成在所述繞射本體上的複數繞射結構。
本申請實施方式的鐳射投射模組包括基板組件、鏡筒組件、光源、準直元件和上述實施方式所述的繞射光學組件；所述鏡筒組件設置在所述基板組件上並與所述基板組件共同形成收容腔；所述光源設置在所述基板組件上並收容在所述收容腔內；所述準直元件收容在所述收容腔內；所述繞射光學組件收容在所述收容腔內，所述準直元件、所述第一密封板、所述繞射光學元件及所述第二密封板依次設置在所述光源的光路上。
本申請實施方式的深度相機包括上述實施方式所述的鐳射投射模組、圖像採集器和處理器；所述圖像採集器用於採集經所述繞射光學元件後向目標空間中投射的鐳射圖案；所述處理器分別與所述鐳射投射模組、及所述圖像採集器連接，所述處理器用於處理所述鐳射圖案以獲得深度圖像。
本申請實施方式的電子裝置包括殼體和上述實施方式所述的深度相機，所述深度相機設置在所述殼體上並從所述殼體上暴露以獲取所述深度圖像。
本申請實施方式的附加方面和優點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或藉由本申請的實踐瞭解到。
以下結合附圖對本申請的實施方式作進一步說明。附圖中相同或類似的標號自始至終表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。
另外，下面結合附圖描述的本申請的實施方式係示例性的，僅用於解釋本申請的實施方式，而不能理解為對本申請的限制。
在本申請中，除非另有明確的規定和限定，第一特徵在第二特徵“上”或“下”可以係第一和第二特徵直接接觸，或第一和第二特徵藉由中間媒介間接接觸。而且，第一特徵在第二特徵“之上”、“上方”和“上面”可係第一特徵在第二特徵正上方或斜上方，或僅僅表示第一特徵水平高度高於第二特徵。第一特徵在第二特徵“之下”、“下方”和“下面”可以係第一特徵在第二特徵正下方或斜下方，或僅僅表示第一特徵水平高度小於第二特徵。
請參閱圖5，本申請實施方式的繞射光學組件60包括密封組件62和繞射光學元件64。密封組件62包括透光的第一密封板622、透光的第二密封板624、和間隔物626。第一密封板622與第二密封板624相對設置。間隔物626間隔第一密封板622和第二密封板624。第一密封板622、第二密封板624及間隔物626共同形成封閉的容置腔628。繞射光學元件64收容在容置腔628內。繞射光學元件64包括透光的繞射本體642及形成在繞射本體642上的複數繞射結構644。
請參閱圖5和圖8，在某些實施方式中，第一密封板622包括與第二密封板624相對的第一抵觸面6222，第二密封板624包括與第一密封板622相對的第二抵觸面6242。繞射光學元件64的數量為一個，繞射光學元件64與第一抵觸面6222及第二抵觸面6242抵觸；或者繞射光學元件64的數量為至少兩個，至少兩個繞射光學元件64中的兩個繞射光學元件64分別與第一抵觸面6222及第二抵觸面6242抵觸。
請參閱圖8和圖10，在某些實施方式中，繞射光學元件64的數量為至少兩個，相鄰的兩個繞射光學元件64抵觸；或相鄰的兩個繞射光學元件64相互間隔。
請參閱圖5和圖8，在某些實施方式中，繞射光學元件64的數量為一個，繞射本體642包括相背的繞射入射面6422與繞射出射面6424，繞射結構644形成在繞射入射面6422或/和繞射出射面6424上；或繞射光學元件64的數量為至少兩個，每個繞射光學元件64的繞射本體642包括相背的繞射入射面6422與繞射出射面6424，每個繞射光學元件64的繞射結構644形成在對應的繞射入射面6422或/和繞射出射面6424上。
請參閱圖1，本申請實施方式的鐳射投射模組100包括基板組件10、鏡筒組件20、光源40、準直元件50和繞射光學組件60。鏡筒組件20設置在基板組件10上並與基板組件10共同形成收容腔21。光源40設置在基板組件10上並收容在收容腔21內。準直元件50收容在收容腔21內。繞射光學組件60收容在收容腔21內。準直元件50、第一密封板622、繞射光學元件64及第二密封板624依次設置在光源40的光路上。
請參閱圖1和圖2，在某些實施方式中，光源40為邊發射鐳射器。光源40包括發光面41，發光面41朝向準直元件50。
請參閱圖1，在某些實施方式中，發光面41與準直元件50的準直光軸垂直。
請參閱圖1，在某些實施方式中，邊發射鐳射器為分佈回饋式鐳射器。
請參閱圖1，在某些實施方式中，光源40為垂直腔面發射鐳射器。
請參閱圖1，在某些實施方式中，鏡筒組件20包括鏡筒20a。鏡筒20a包括相背的頂部22及底部23。鏡筒20a形成有貫穿頂部22及底部23的通孔24。底部23承載在基板組件10上。鏡筒20a的內壁向通孔24的中心延伸有環形承載台25。繞射光學組件60承載在承載台25上。
請參閱圖1，在某些實施方式中，基板組件10包括電路板12，光源40及鏡筒組件20設置在電路板12上。
請參閱圖1，在某些實施方式中，基板組件10包括基板11及承載在基板11上的電路板12。電路板12開設有過孔121，光源40承載在基板11上並收容在過孔121內。
請參閱圖1，在某些實施方式中，基板11開設有散熱孔111。
請參閱圖1，在某些實施方式中，準直元件50包括一個或複數透鏡，一個或複數透鏡設置在光源40的發光光路上。
請參閱圖1，在某些實施方式中，透鏡由玻璃材質製成；或者透鏡由塑膠材質製成。
請參閱圖17，本申請實施方式的深度相機400包括鐳射投射模組100、圖像採集器200和處理器300。圖像採集器200用於採集經繞射光學元件64後向目標空間中投射的鐳射圖案。處理器300分別與鐳射投射模組100、及圖像採集器200連接，處理器300用於處理鐳射圖案以獲得深度圖像。
請參閱圖18，本申請實施方式的電子裝置1000包括殼體500和深度相機400。深度相機400設置在殼體500上並從殼體500上暴露以獲取深度圖像。
請參閱圖1，本申請實施方式的鐳射投射模組100包括基板組件10、鏡筒組件20、光源40、準直元件50和繞射光學組件60。鏡筒組件20設置在基板組件10上並與基板組件10共同形成收容腔21。光源40、準直元件50、及繞射光學組件60均收容在收容腔21內。光源40設置在基板組件10上，準直元件50和繞射光學組件60依次設置在光源40的光路上。
基板組件10包括基板11及承載在基板11上的電路板12。基板11的材料可以為塑膠，例如，聚對苯二甲酸乙二醇酯（Polyethylene Glycol Terephthalate，PET）、聚甲基丙烯酸甲酯（Polymethyl Methacrylate，PMMA）、聚碳酸酯（Polycarbonate，PC）、聚醯亞胺（Polyimide，PI）中的任意一種或複數種。如此，基板11的品質較輕且具有足夠的支撐強度。電路板12可以係硬板、軟板或軟硬結合板。電路板12上開設有過孔121。光源40藉由過孔121固定在基板11上並與電路板12電連接。基板11上可以開設有散熱孔111，光源40或電路板12工作產生的熱量可以由散熱孔111散出，散熱孔111內還可以填充導熱膠，以進一步提高基板組件10的散熱性能。
鏡筒組件20包括鏡筒20a，鏡筒20a包括相背的頂部22及底部23。鏡筒20a形成有貫穿頂部22及底部23的通孔24。底部23承載在基板組件10上，具體可藉由膠水固定在電路板12上或者藉由卡合、焊接、螺紋連接等方式固定在電路板12上。鏡筒20a的內壁向通孔24的中心延伸有環形承載台25，繞射光學組件60承載在承載台25上。承載台25形成與收容腔21連通的通光孔26。
光源40用於發射鐳射。光源40可以係垂直腔面發射鐳射器(Vertical Cavity Surface Emitting Laser，VCSEL)或者邊發射鐳射器（edge-emitting laser，EEL）。在如圖1所示的實施例中，光源40為邊發射鐳射器，具體地，光源40可以為分佈回饋式鐳射器（Distributed Feedback Laser，DFB）。光源40用於向收容腔21內發射鐳射。請結合圖2，光源40整體呈柱狀，光源40遠離基板組件10的一個端面形成發光面41，鐳射從發光面41發出，發光面41朝向準直元件50且發光面41與準直元件50的準直光軸垂直，準直光軸穿過發光面41的中心。光源40固定在基板組件10上，具體地，光源40可以藉由封膠70粘結在基板組件10上，例如光源40的與發光面41相背的一面粘接在基板組件10上。請結合圖1和圖3，光源40的側面42也可以粘接在基板組件10上，封膠70包裹住四周的側面42，也可以僅粘結側面42的某一個面與基板組件10或粘結某幾個面與基板組件10。此時封膠70可以為導熱膠，以將光源40工作產生的熱量傳導至基板組件10中。
上述的鐳射投射模組100的光源40採用邊發射鐳射器，一方面邊發射鐳射器較VCSEL陣列的溫漂較小，另一方面，由於邊發射鐳射器為單點發光結構，無需設計陣列結構，製作簡單，鐳射投射模組100的光源40成本較低。
分佈回饋式鐳射器的鐳射在傳播時，經過光柵結構的回饋獲得功率的增益。要提高分佈回饋式鐳射器的功率，需要藉由增大注入電流和/或增加分佈回饋式鐳射器的長度，由於增大注入電流會使得分佈回饋式鐳射器的功耗增大並且出現發熱嚴重的問題，因此，為了保證分佈回饋式鐳射器能夠正常工作，需要增加分佈回饋式鐳射器的長度，導致分佈回饋式鐳射器一般呈細長條結構。當邊發射鐳射器的發光面41朝向準直元件50時，邊發射鐳射器呈豎直放置，由於邊發射鐳射器呈細長條結構，邊發射鐳射器容易出現跌落、移位或晃動等意外，因此藉由設置封膠70能夠將邊發射鐳射器固定住，防止邊發射鐳射器發生跌落、位移或晃動等意外。
在某些實施方式中，光源40也可以採用如圖4所示的固定方式固定在基板組件10上。具體地，鐳射投射模組100包括複數彈性的支撐塊80，支撐塊80可以固定在基板組件10上，複數支撐塊80共同包圍光源40，在安裝時可以將光源40直接安裝在複數支撐塊80之間。在一個例子中，複數支撐塊80共同夾持光源40，以進一步防止光源40發生晃動。
準直元件50用於準直光源40發射的鐳射。準直元件50包括光學部52和環繞光學部52的安裝部54，安裝部54用於與鏡筒20a的內壁結合以使準直元件50固定在鏡筒20a上，承載台25位於準直元件50與繞射光學組件60之間。在本實施方式中，光學部52包括位於準直元件50相背兩側的兩個曲面。安裝部54與承載台25抵觸，光學部52的其中一個曲面伸入通光孔26內。如此，在不增加鐳射投射模組100的厚度的同時，環形承載台25既可以承載繞射光學組件60，也可以間隔準直元件50與繞射光學組件60。
在某些實施方式中，準直元件50可包括一個或複數透鏡，一個或複數透鏡共軸依次設置在光源40的發光光路上。每個透鏡的面型可以為非球面、球面、菲涅爾面、二元光學面中的任意一種。透鏡可均由玻璃材質製成，以解決環境溫度變化時透鏡會產生溫漂現象的問題；或者透鏡均由塑膠材質製成，以使得成本較低、便於量產。
請一併參閱圖1及圖5，繞射光學組件60包括密封組件62和繞射光學元件64。
密封組件62包括第一密封板622、第二密封板624、和間隔物626。第一密封板622與第二密封板624相對設置。間隔物626間隔第一密封板622和第二密封板624。間隔物626可以為環狀。第一密封板622、第二密封板624及間隔物626共同形成封閉的容置腔628。第一密封板622承載在承載台25上，第一密封板622的底部可藉由膠合的方式與承載台25結合，第一密封板622的側壁、第二密封板624的側壁、和間隔物626的側壁也均可藉由膠合的方式與頂部22的內壁結合。第一密封板622和第二密封板624可以由透光材料製成，例如玻璃、聚甲基丙烯酸甲酯（Polymethyl Methacrylate，PMMA）、聚碳酸酯（Polycarbonate，PC）、聚醯亞胺（Polyimide，PI）等。由於玻璃、PMMA、PC、及PI等透光材料均具有優異的透光性能，第一密封板622和第二密封板624不會由於遮擋光線而影響鐳射投射模組100的正常工作。間隔物626的材質可以為環氧樹脂、聚醯亞胺等聚合材料，或者金屬、金屬合金、玻璃等。
繞射光學元件64收容在容置腔628內，準直元件50、第一密封板622、繞射光學元件64及第二密封板624依次設置在光源40的光路上。繞射光學元件64用於繞射準直元件50準直後的鐳射以形成鐳射圖案。第一密封板622包括與第二密封板624相對的第一抵觸面6222，第二密封板624包括與第一密封板622相對的第二抵觸面6242。繞射光學元件64位於第一抵觸面6222與第二抵觸面6242之間。繞射光學元件64包括透光的繞射本體642及形成在繞射本體642上的複數繞射結構644。繞射光學元件64可以由玻璃或複合塑膠（如PET)製成。繞射結構644可藉由蝕刻、納米壓印等方式形成在繞射本體642上。繞射結構644朝向光源40或準直元件50。
可以理解，DOE的表面通常為非常精細的繞射表面，然而在鐳射投射模組的生產或者使用過程中，水分或其他污染物可能會粘附到DOE的表面，使得DOE的繞射效率降低，甚至導致DOE沿預期之外的方向繞射光束，灼傷用戶的眼睛。本申請實施方式中，繞射光學元件64收容在封閉的容置腔628內，可以對繞射光學元件64起到保護的作用，防止水分或其他污染物損壞繞射光學元件64。另外，密封良好的繞射光學組件60使得鐳射投射模組100能夠在高水分和/或氣載顆粒環境中使用，而不會使用戶的眼睛受傷或降低鐳射投射模組100的光學性能。
在製造上述繞射光學組件60時，可以先將繞射光學元件64設置第一密封板622上，然後再將間隔物626設置在第一密封板622上並使得間隔物626環繞繞射光學元件64，再將第二密封板624設置在間隔物626上以實現繞射光學元件64的密封；或者，先將繞射光學元件64設置第二密封板624上，然後再將間隔物626設置在第二密封板624上並使得間隔物626環繞繞射光學元件64，再將第一密封板622設置在間隔物626上以實現繞射光學元件64的密封。
請一併參閱圖5至圖7，繞射光學元件64的數量可以為一個。繞射本體642包括相背的繞射入射面6422與繞射出射面6424。繞射光學元件64與第一抵觸面6222及第二抵觸面6242抵觸。具體地，繞射入射面6422與第一抵觸面6222抵觸，繞射出射面6424與第二抵觸面6242抵觸。
進一步地，請參閱圖5，在某些實施方式中，繞射結構644形成在繞射出射面6424上。第二抵觸面6242上形成有與繞射結構644咬合的凹凸結構，以使第二密封板624與繞射光學元件64緊密相接，第一抵觸面6222與繞射入射面6422可藉由光學膠結合。此時，繞射光學元件64與第一密封板622之間沒有空隙，繞射光學元件64與第二密封板624之間也沒有空隙。
請參閱圖6，在某些實施方式中，繞射結構644可形成在繞射入射面6422上。第一抵觸面6222上形成有與繞射結構644咬合的凹凸結構，以使第一密封板622與繞射光學元件64緊密相接，第二抵觸面6242與繞射出射面6424可藉由光學膠結合。此時，繞射光學元件64與第一密封板622之間沒有空隙，繞射光學元件64與第二密封板624之間也沒有空隙。
請參閱圖7，在某些實施方式中，繞射結構644形成在繞射入射面6422和繞射出射面6424上。第一抵觸面6222上形成有與繞射入射面6422的繞射結構644咬合的凹凸結構，以使第一密封板622與繞射光學元件64緊密相接，第二抵觸面6242上形成有與繞射出射面6424的繞射結構644咬合的凹凸結構，以使第二密封板624與繞射光學元件64緊密相接。此時，繞射光學元件64與第一密封板622之間沒有空隙，繞射光學元件64與第二密封板624之間也沒有空隙。
請一併參閱圖8至圖15，繞射光學元件64的數量可以為至少兩個，例如三個、四個、六個、八個等。每個繞射光學元件64的繞射本體642包括相背的繞射入射面6422與繞射出射面6424。至少兩個繞射光學元件64中的兩個繞射光學元件64分別與第一抵觸面6222及第二抵觸面6242抵觸。下面以繞射光學元件64的數量為兩個為例進行說明，繞射光學元件64包括第一繞射光學元件64a和第二繞射光學元件64b。準直元件50、第一密封板622、第一繞射光學元件64a、第二繞射光學元件64b、及第二密封板624依次設置在光源40的光路上。第一繞射光學元件64a包括透光的第一繞射本體642a及形成在第一繞射本體642a上的複數繞射結構644，第二繞射光學元件64b包括透光的第二繞射本體642b及形成在第二繞射本體642b上的複數繞射結構644。第一繞射本體642a包括相背的第一繞射入射面6422a與第一繞射出射面6424a，第二繞射本體642b包括相背的第二繞射入射面6422b與第二繞射出射面6424b。
進一步地，請參閱圖8，在某些實施方式中，第一繞射光學元件64a的繞射結構644形成在第一繞射入射面6422a上，第二繞射光學元件64b的繞射結構644形成在第二繞射入射面6422b上。第一抵觸面6222上形成有與第一繞射入射面6422a的繞射結構644咬合的凹凸結構，以使第一密封板622與第一繞射光學元件64a緊密相接，第二抵觸面6242與第二繞射出射面6424b可藉由光學膠結合。此時，第一繞射光學元件64a與第一密封板622之間沒有空隙，第二繞射光學元件64b與第二密封板624之間也沒有空隙。第一繞射光學元件64a與第二繞射光學元件64b相互間隔。
請一併參閱圖9及圖10，在某些實施方式中，第一繞射光學元件64a的繞射結構644形成在第一繞射入射面6422a上，第二繞射光學元件64b的繞射結構644形成在第二繞射出射面6424b上。第一抵觸面6222上形成有與第一繞射入射面6422a的繞射結構644咬合的凹凸結構，以使第一密封板622與第一繞射光學元件64a緊密相接，第二抵觸面6242上形成有與第二繞射出射面6424b的繞射結構644咬合的凹凸結構，以使第二密封板624與第二繞射光學元件64b緊密相接，此時，第一繞射光學元件64a與第一密封板622之間沒有空隙，第二繞射光學元件64b與第二密封板624之間也沒有空隙。第一繞射光學元件64a與第二繞射光學元件64b可以係相互間隔的（如圖9所示）；或者，第一繞射光學元件64a與第二繞射光學元件64b抵觸，具體為第一繞射出射面6424a與第二繞射入射面6422b抵觸（如圖10所示）。
請一併參閱圖11及圖12，在某些實施方式中，第一繞射光學元件64a的繞射結構644形成在第一繞射出射面6424a上，第二繞射光學元件64b的繞射結構644形成在第二繞射入射面6422b上。第一抵觸面6222與第一繞射入射面6422a可藉由光學膠結合，第二抵觸面6242與第二繞射出射面6424b可藉由光學膠結合，此時，第一繞射光學元件64a與第一密封板622之間沒有空隙，第二繞射光學元件64b與第二密封板624之間也沒有空隙。第一繞射光學元件64a與第二繞射光學元件64b可以係相互間隔的（如圖11所示）；或者，第一繞射光學元件64a與第二繞射光學元件64b抵觸，具體為第一繞射出射面6424a的繞射結構644與第二繞射入射面6422b的繞射結構644咬合（如圖12所示）。
請參閱圖13，在某些實施方式中，第一繞射光學元件64a的繞射結構644形成在第一繞射出射面6424a上，第二繞射光學元件64b的繞射結構644形成在第二繞射出射面6424b上。第一抵觸面6222與第一繞射入射面6422a可藉由光學膠結合，第二抵觸面6242上形成有與第二繞射出射面6424b的繞射結構644咬合的凹凸結構，以使第二密封板624與第二繞射光學元件64b緊密相接，此時，第一繞射光學元件64a與第一密封板622之間沒有空隙，第二繞射光學元件64b與第二密封板624之間也沒有空隙。第一繞射光學元件64a與第二繞射光學元件64b相互間隔。
請參閱圖14，在某些實施方式中，第一繞射光學元件64a的繞射結構644形成在第一繞射入射面6422a和第一繞射出射面6424a上，第二繞射光學元件64b的繞射結構644形成在第二繞射入射面6422b上。第一抵觸面6222上形成有與第一繞射入射面6422a的繞射結構644咬合的凹凸結構，以使第一密封板622與第一繞射光學元件64a緊密相接，第二抵觸面6242與第二繞射出射面6424b可藉由光學膠結合。此時，第一繞射光學元件64a與第一密封板622之間沒有空隙，第二繞射光學元件64b與第二密封板624之間也沒有空隙。第一繞射光學元件64a與第二繞射光學元件64b可以係相互間隔的；或者，第一繞射光學元件64a與第二繞射光學元件64b抵觸，具體為第一繞射出射面6424a的繞射結構644與第二繞射入射面6422b的繞射結構644咬合（如圖14所示）。
在某些實施方式中，第一繞射光學元件64a的繞射結構644形成在第一繞射入射面6422a和第一繞射出射面6424a上，第二繞射光學元件64b的繞射結構644形成在第二繞射出射面6424b上。第一抵觸面6222上形成有與第一繞射入射面6422a的繞射結構644咬合的凹凸結構，以使第一密封板622與第一繞射光學元件64a緊密相接，第二抵觸面6242上形成有與第二繞射出射面6424b的繞射結構644咬合的凹凸結構，以使第二密封板624與第二繞射光學元件64b緊密相接。此時，第一繞射光學元件64a與第一密封板622之間沒有空隙，第二繞射光學元件64b與第二密封板624之間也沒有空隙。第一繞射光學元件64a與第二繞射光學元件64b相互間隔。
在某些實施方式中，第一繞射光學元件64a的繞射結構644形成在第一繞射入射面6422a上，第二繞射光學元件64b的繞射結構644形成在第二繞射入射面6422b和第二繞射出射面6424b上。第一抵觸面6222上形成有與第一繞射入射面6422a的繞射結構644咬合的凹凸結構，以使第一密封板622與第一繞射光學元件64a緊密相接，第二抵觸面6242上形成有與第二繞射出射面6424b的繞射結構644咬合的凹凸結構，以使第二密封板624與第二繞射光學元件64b緊密相接。此時，第一繞射光學元件64a與第一密封板622之間沒有空隙，第二繞射光學元件64b與第二密封板624之間也沒有空隙。第一繞射光學元件64a與第二繞射光學元件64b相互間隔。
請參閱圖15，在某些實施方式中，第一繞射光學元件64a的繞射結構644形成在第一繞射出射面6424a上，第二繞射光學元件64b的繞射結構644形成在第二繞射入射面6422b和第二繞射出射面6424b上。第一抵觸面6222與第一繞射入射面6422a可藉由光學膠結合，第二抵觸面6242上形成有與第二繞射出射面6424b的繞射結構644咬合的凹凸結構，以使第二密封板624與第二繞射光學元件64b緊密相接。此時，第一繞射光學元件64a與第一密封板622之間沒有空隙，第二繞射光學元件64b與第二密封板624之間也沒有空隙。第一繞射光學元件64a與第二繞射光學元件64b可以係相互間隔的；或者，第一繞射光學元件64a與第二繞射光學元件64b抵觸，具體為第一繞射出射面6424a的繞射結構644與第二繞射入射面6422b的繞射結構644咬合（如圖15所示）。
在某些實施方式中，第一繞射光學元件64a的繞射結構644形成在第一繞射入射面6422a和第一繞射出射面6424a上，第二繞射光學元件64b的繞射結構644形成在第二繞射入射面6422b和第二繞射出射面6424b上。第一抵觸面6222上形成有與第一繞射入射面6422a的繞射結構644咬合的凹凸結構，以使第一密封板622與第一繞射光學元件64a緊密相接，第二抵觸面6242上形成有與第二繞射出射面6424b的繞射結構644咬合的凹凸結構，以使第二密封板624與第二繞射光學元件64b緊密相接。此時，第一繞射光學元件64a與第一密封板622之間沒有空隙，第二繞射光學元件64b與第二密封板624之間也沒有空隙。第一繞射光學元件64a與第二繞射光學元件64b可以係相互間隔的；或者，第一繞射光學元件64a與第二繞射光學元件64b抵觸，具體為第一繞射出射面6424a的繞射結構644與第二繞射入射面6422b的繞射結構644咬合。
上述各實施方式中，間隔物626與繞射本體642可以相互間隔的；或者，間隔物626與繞射本體642抵觸（如圖8至圖15所示）。
需要指出的係，當繞射光學元件64的數量大於兩個時，其結構與繞射光學元件64的數量為兩個時的結構類似，在此不再詳細說明。
在其他實施方式中，當繞射光學元件64的數量為一個或者至少兩個時，繞射光學元件64也可與第一抵觸面6222及第二抵觸面6242間隔設置，也即係說，繞射光學元件64既不與第一抵觸面6222抵觸，也不與第二抵觸面6242抵觸。此時，繞射光學元件64可以藉由繞射本體642的側壁安裝在間隔物626上，以實現固定收容在容置腔628內（如圖16所示）。在製造繞射光學組件60時，可先將繞射光學元件64安裝在間隔物626上使得間隔物626環繞繞射光學元件64，再分別將第一密封板622和第二密封板624設置在間隔物626的相對兩側以實現繞射光學元件64的密封。
在組裝上述鐳射投射模組100時，沿著光路從鏡筒20a的底部23依次向通孔24內放入準直元件50、及安裝好光源40的基板組件10。光源40可以先安裝在基板組件10上，然後再將安裝有光源40的基板組件10與底部23固定。逆著光路的方向從頂部22將繞射光學組件60放入通孔24並承載在承載台25上，並使得第一密封板622與承載台25抵觸。鐳射投射模組100的結構簡單，組裝方便。
請參閱圖17，本申請實施方式的深度相機400包括上述任一實施方式的鐳射投射模組100、圖像採集器200、及處理器300。圖像採集器200用於採集經繞射光學元件64後向目標空間中投射的鐳射圖案。處理器300分別與鐳射投射模組100、及圖像採集器200連接。處理器300用於處理鐳射圖案以獲得深度圖像。
具體地，鐳射投射模組100藉由投射視窗401向外投射向目標空間中投射的鐳射圖案，圖像採集器200藉由採集視窗402採集被目標物體調製後的鐳射圖案。圖像採集器200可為紅外相機，處理器300採用圖像匹配演算法計算出該鐳射圖案中各畫素點與參考圖案中的對應各個畫素點的偏離值，再根據該偏離值進一步獲得該鐳射圖案的深度圖像。其中，圖像匹配演算法可為數位圖像相關（Digital Image Correlation，DIC）演算法。當然，也可以採用其它圖像匹配演算法代替DIC演算法。
請參閱圖18，本申請實施方式的電子裝置1000包括殼體500及上述實施方式的深度相機400。深度相機400設置在殼體500內並從殼體500暴露以獲取深度圖像。電子裝置1000包括但不限於為手機、平板電腦、筆記型電腦、智慧手環、智慧手錶、智能頭盔、智能眼鏡等。殼體500可以給深度相機400提供防塵、防水、防摔等保護。
在本說明書的描述中，參考術語“某些實施方式”、“一個實施方式”、“一些實施方式”、“示意性實施方式”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”的描述意指結合所述實施方式或示例描述的具體特徵、結構、材料或者特點包含於本申請的至少一個實施方式或示例中。在本說明書中，對上述術語的示意性表述不一定指的係相同的實施方式或示例。而且，描述的具體特徵、結構、材料或者特點可以在任何的一個或複數實施方式或示例中以合適的方式結合。
此外，術語“第一”、“第二”僅用於描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術特徵的數量。由此，限定有“第一”、“第二”的特徵可以明示或者隱含地包括至少一個所述特徵。在本申請的描述中，“複數”的含義係至少兩個，例如兩個，三個，除非另有明確具體的限定。
儘管上面已經示出和描述了本申請的實施例，可以理解的係，上述實施例係示例性的，不能理解為對本申請的限制，本領域的普通技術人員在本申請的範圍內可以對上述實施例進行變化、修改、替換和變型，本申請的範圍由權利要求及其等同物限定。
100‧‧‧鐳射投射模組 10‧‧‧基板組件 11‧‧‧基板 111‧‧‧散熱孔 12‧‧‧電路板 121‧‧‧過孔 20‧‧‧鏡筒組件 20a‧‧‧鏡筒 21‧‧‧收容腔 22‧‧‧頂部 23‧‧‧底部 24‧‧‧通孔 25‧‧‧承載台 26‧‧‧通光孔 40‧‧‧光源 41‧‧‧發光面 42‧‧‧側面 50‧‧‧準直元件 52‧‧‧光學部 54‧‧‧安裝部 60‧‧‧繞射光學組件 62‧‧‧密封組件 622‧‧‧第一密封板 6222‧‧‧第一抵觸面 624‧‧‧第二密封板 6242‧‧‧第二抵觸面 626‧‧‧間隔物 628‧‧‧容置腔 64‧‧‧繞射光學元件 64a‧‧‧第一繞射光學元件 64b‧‧‧第二繞射光學元件 642‧‧‧繞射本體 642a‧‧‧第一繞射本體 642b‧‧‧第二繞射本體 6422‧‧‧繞射入射面 6422a‧‧‧第一繞射入射面 6422b‧‧‧第二繞射入射面 6424‧‧‧繞射出射面 6424a‧‧‧第一繞射出射面 6424b‧‧‧第二繞射出射面 644‧‧‧繞射結構 70‧‧‧封膠 80‧‧‧支撐塊 400‧‧‧深度相機 401‧‧‧投射窗口 402‧‧‧採集窗口 200‧‧‧圖像採集器 300‧‧‧處理器 1000‧‧‧電子裝置 500‧‧‧殼體
本申請的上述和/或附加的方面和優點可以從結合下面附圖對實施方式的描述中將變得明顯和容易理解，其中： 圖1係本申請某些實施方式的鐳射投射模組的結構示意圖； 圖2至圖4係本申請某些實施方式的鐳射投射模組的部分結構示意圖； 圖5至圖16係本申請某些實施方式的繞射光學組件的結構示意圖； 圖17係本申請某些實施方式的深度相機的結構示意圖； 圖18係本申請某些實施方式的電子裝置的結構示意圖。
100‧‧‧鐳射投射模組
10‧‧‧基板組件
11‧‧‧基板
111‧‧‧散熱孔
12‧‧‧電路板
121‧‧‧過孔
20‧‧‧鏡筒組件
20a‧‧‧鏡筒
21‧‧‧收容腔
22‧‧‧頂部
23‧‧‧底部
24‧‧‧通孔
25‧‧‧承載台
26‧‧‧通光孔
40‧‧‧光源
41‧‧‧發光面
50‧‧‧準直元件
52‧‧‧光學部
54‧‧‧安裝部
60‧‧‧繞射光學組件
62‧‧‧密封組件
64‧‧‧繞射光學元件

Claims (15)

  1. 一種鐳射投射模組，其改進在於，所述鐳射投射模組包括：基板組件；鏡筒組件，所述鏡筒組件設置在所述基板組件上並與所述基板組件共同形成收容腔，所述鏡筒組件包括鏡筒，所述鏡筒包括相背的頂部及底部，所述鏡筒形成有貫穿所述頂部及所述底部的通孔，所述底部承載在所述基板組件上，所述鏡筒的內壁向所述通孔的中心延伸有環形承載台；光源，所述光源設置在所述基板組件上並收容在所述收容腔內；準直元件，所述準直元件收容在所述收容腔內，所述準直元件包括光學部和環繞所述光學部的安裝部，所述安裝部與所述承載台抵觸；和繞射光學組件，所述繞射光學組件收容在所述收容腔內且承載在所述承載臺上；所述繞射光學組件包括：密封組件，所述密封組件包括透光的第一密封板、透光的第二密封板、和間隔物，所述第一密封板與所述第二密封板相對設置，所述間隔物間隔所述第一密封板和所述第二密封板，所述第一密封板、所述第二密封板及所述間隔物共同形成封閉的容置腔；和繞射光學元件，所述繞射光學元件收容在所述容置腔內，所述繞射光學元件包括透光的繞射本體及形成在所述繞射本體上的複數繞射結構；所述準直元件、所述第一密封板、所述繞射光學元件及所述第二密封板依次設置在所述光源的光路上，所述第一密封板的底部與所述承載台結合，所述第一密封板的側壁、所述第二密封板的側壁、和所述間隔物的側壁與所述頂部的內壁結合。
  2. 根據申請專利範圍第1項所述的鐳射投射模組，其中，所述第一密封板包括與所述第二密封板相對的第一抵觸面，所述第二密封板包括與所述第一密封板相對的第二抵觸面；所述繞射光學元件的數量為一個，所述繞射光學元件與所述第一抵觸面及所述第二抵觸面抵觸；或者所述繞射光學元件的數量為至少兩個，至少兩個所述繞射光學元件中的兩個所述繞射光學元件分別與所述第一抵觸面及所述第二抵觸面抵觸。
  3. 根據申請專利範圍第2項所述的鐳射投射模組，其中，所述繞射光學元件的數量為至少兩個，相鄰的兩個所述繞射光學元件抵觸；或相鄰的兩個所述繞射光學元件相互間隔。
  4. 根據申請專利範圍第1項所述的鐳射投射模組，其中，所述繞射光學元件的數量為一個，所述繞射本體包括相背的繞射入射面與繞射出射面，所述繞射結構形成在所述繞射入射面或/和所述繞射出射面上；或所述繞射光學元件的數量為至少兩個，每個所述繞射光學元件的繞射本體包括相背的繞射入射面與繞射出射面，每個所述繞射光學元件的繞射結構形成在對應的所述繞射入射面或/和所述繞射出射面上。
  5. 根據申請專利範圍第1項所述的鐳射投射模組，其中，所述光源為邊發射鐳射器，所述光源包括發光面，所述發光面朝向所述準直元件。
  6. 根據申請專利範圍第5項所述的鐳射投射模組，其中，所述發光面與所述準直元件的準直光軸垂直。
  7. 根據申請專利範圍第5項所述的鐳射投射模組，其中，所述邊發射鐳射器為分佈回饋式鐳射器。
  8. 根據申請專利範圍第1項所述的鐳射投射模組，其中，所述光源為垂直腔面發射鐳射器。
  9. 根據申請專利範圍第1項所述的鐳射投射模組，其中，所述基板組件包括電路板，所述光源及所述鏡筒組件設置在所述電路板上。
  10. 根據申請專利範圍第1項所述的鐳射投射模組，其中，所述基板組件包括基板及承載在所述基板上的電路板，所述電路板開設有過孔，所述光源承載在所述基板上並收容在所述過孔內。
  11. 根據申請專利範圍第10項所述的鐳射投射模組，其中，所述基板開設有散熱孔。
  12. 根據申請專利範圍第1項所述的鐳射投射模組，其中，所述準直元件包括一個或複數透鏡，一個或複數所述透鏡設置在所述光源的發光光路上。
  13. 根據申請專利範圍第12項所述的鐳射投射模組，其中，所述透鏡由玻璃材質製成；或者所述透鏡由塑膠材質製成。
  14. 一種深度相機，其改進在於，所述深度相機包括：申請專利範圍第1項至第13項中任意一項所述的鐳射投射模組；圖像採集器，所述圖像採集器用於採集經所述繞射光學元件後向目標空間中投射的鐳射圖案；和分別與所述鐳射投射模組、及所述圖像採集器連接的處理器，所述處理器用於處理所述鐳射圖案以獲得深度圖像。
  15. 一種電子裝置，其改進在於，所述電子裝置包括：殼體；和申請專利範圍第14項所述的深度相機，所述深度相機設置在所述殼體上並從所述殼體上暴露以獲取所述深度圖像。
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