TWI701736B - 利用氣化原料供給裝置的基板處理裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種氣化原料供給裝置，其具備：一氣化原料產生機構，使固體或液體原料氣化而產生氣化原料；複數之分歧配管，連接於該氣化原料產生機構，使得所產生的該氣化原料分歧地流到複數之系統；及複數之流量控制器，個別地設在各該分歧配管。
Description
本揭示發明係依據在2016年3月3日申請之日本專利申請案第2016-041317號而主張優先權，並在此載入該日本申請案之全部內容作為參考文獻。
本發明係關於氣化原料供給裝置及利用該氣化原料供給裝置的基板處理裝置。
自以往，有一種氣化器及成膜裝置，其在氣化器使得液體原料之一部分已經氣化的氣液混合流體氣化，而得到氣化原料氣體，並且將「使得氣化原料氣體所含之處理氣體與水氣兩者分離而得到的處理氣體」供給到成膜處理部時，係藉由具備複數之噴吐口的流體供給部，將氣液混合流體供給到構成氣化器的筒狀部之內，並在氣液混合流體擴散之狀態下，使其遍及筒狀部整體內，而成為容易熱交換的狀態，可確保較高的氣化效率。依此構成，由於在氣化器使處
理氣體與水氣兩者分離，並且排出所分離的水氣，因此可以僅將不含水氣的處理氣體供給到成膜裝置。又，在使用此氣化器的成膜裝置中，因為可將流量較大的處理氣體供給到成膜處理部，故可提高處理效率。
近年來，在成膜處理等之基板處理中，有人從提高成膜之面內均一性的觀點，依處理室內的區域，而對注入器的氣體吐出孔之孔徑或位置作調整。也就是說，於例如成膜裝置中，在沉積速度有變慢之傾向的區域，使氣體吐出孔之孔徑較大，或者增加其數量。反之，在沉積速度有相較於周圍變快之傾向的區域，則使氣體吐出孔之孔徑較小，或者降低其密度等。
在上述氣化器及成膜裝置中，雖未揭示此種注入器的調整，但是可對於注入器進行此種調整。
然而，在上述氣化器及成膜裝置的構成中，即便在預定之流量下對注入器進行此種調整，在所調整之流量以外的流量下，注入器之內壓仍舊依流量的增減而變化。因此，各個區域之流量比將和調整時之流量比不同。於是，即使進行注入器的調整，當製程不同，供給處理氣體之流量成為和調整時不同的設定時，將無法得到如同調整內容的結果，為其問題。
本發明提供一種氣化原料供給裝置及利用該氣化原料供給裝置的基板處理裝置，其可對複數之區域逐一調整處理氣體的流量，以較高精度進行所希望之基板處理。
依本發明之一態樣的氣化原料供給裝置，具備：一氣化原料產生機構，使固體或液體原料氣化而產生氣化原料；複數之分歧配管，連接於該氣化原料產生機構，使得所產生的該氣化原料分歧地流到複數之系統；及複數之流量控制器，個別地設在各該分歧配管。
依本發明之另一態樣的基板處理裝置，具備：該氣化原料供給裝置；處理容器，可收納基板；及注入器，在該處理容器內的複數之區域逐一設有氣體導入口和氣體吐出孔。其中，該氣化原料供給裝置的該複數之分歧配管，以一對一對應之方式連接於在該複數之區域逐一設有的各該氣體導入口。
1:處理容器
2:旋轉台
4:凸狀部
5:突出部
7:加熱器單元
10:搬運臂
11:頂板
12:容器本體
12a:突出部
13:密封構件
14:底部
15:搬運口
20:殼體
21:核心部
22:旋轉軸
23:驅動部
24:凹部
32:反應氣體噴嘴
33:氣體吐出孔
41、42:分離氣體噴嘴
42h:氣體吐出孔
32a、41a、42a:氣體導入埠
43:溝槽部
44:第一頂棚面
45:第二頂棚面
51:分離氣體供給管
52:空間
71:覆蓋構件
72、73:吹淨氣體供給管
100:控制部
101:記憶部
102:媒體
111、112、111a、112a、111b、112b:孔口
121、122、121a、122a、121b、122b、121c、122c、121d、122d:分隔壁
1210、1220、1211、1221、1213、1223、1214、1224、1215、1225、1216、1226:分隔壁之一部分
131~133、130、130B、130C、130D、130E、131D~133D:注入器
131a~133a、131b~133b、131c~133c:區室
141~143、141a~143a、141b~143b、141c~143c:氣體導入口
151~153:氣體吐出孔
160:加熱槽
161:儲存槽
162:加熱器
163:氣化空間
170、170A:注入器
170a、170b、170c:區室
171~173:流量控制器
180:主配管
181~183:分歧配管
191:原料配管
192:吹淨配管
201、202、203:開閉閥
210:原料
220:殼體
250:氣化原料供給裝置
300、301、302、303、304、305:基板處理裝置
422:處理容器
424:內管
426:外管
428:歧管
430、438:密封構件
432:支撐台
434:晶圓舟
436:蓋部
440:保溫筒
442:平台
444:旋轉軸
446:磁性流體密封件
448:升降機構
450:臂部
456:反應氣體供給源
458:吹淨氣體供給源
464、468:氣體噴嘴
464A、468A:氣體噴射孔
472:氣體流通孔
474:間隙
476:排氣口
478:排氣系統
480:配管
480B:壓力調整閥
481、482:空間
483:真空泵
610:第一排氣口
620:第二排氣口
630:排氣管
640:真空泵
650:壓力調整器
1130:氣體導入埠
H:分離空間
P1:第一處理區域
P2:第二處理區域
W:晶圓
下述附加圖式係納入為本說明書一部分以顯示本揭示發明之實施態樣者，用以和上述一般性說明及後述詳細實施態樣一起說明本揭示發明之概念。
〔圖1〕係顯示依本發明第1實施態樣的氣化原料供給裝置及基板處理裝置之一例的圖式。
〔圖2〕係更詳細地顯示依本發明第1實施態樣的氣化原料供給裝置之一例的圖式。
〔圖3〕係顯示依本發明第2實施態樣的基板處理裝置之一例的圖式。
〔圖4〕係顯示依本發明第3實施態樣的基板處理裝置之一例的圖式。
〔圖5〕係顯示依本發明第3實施態樣的基板處理裝置其處理容器從注入器沿著旋轉台之同心圓到反應氣體噴嘴之剖面的圖式。
〔圖6〕係沿著圖4之I-I'線的剖面圖，亦為顯示設有頂棚面之區域的剖面圖。
〔圖7〕係顯示依本發明第4實施態樣的基板處理裝置之一例的圖式。
〔圖8〕係依本發明第4實施態樣的基板處理裝置之注入器的側剖面圖。
〔圖9〕係顯示依本發明第5實施態樣的基板處理裝置之注入器一例的圖式。
〔圖10〕係顯示依本發明第6實施態樣的基板處理裝置之一例的圖式。
〔圖11〕係顯示依本發明第6實施態樣的基板處理裝置之注入器一例之剖面構成的圖式。
〔圖12〕係顯示依本發明第7實施態樣的基板處理裝置之注入器一例的圖式。
〔圖13〕係顯示依本發明第8實施態樣的基板處理裝置之一例的圖式。
〔圖14〕係顯示依本發明第8實施態樣的基板處理裝置之注入器一例之構成的剖面圖。
〔圖15〕係顯示依本發明第9實施態樣的基板處理裝置之注入器一例的圖式。
〔圖16〕係顯示依本發明第10實施態樣的基板處理裝置之注入器一例的圖式。
以下，參照圖式，針對用以實施本發明之態樣進行說明。在以下的詳細說明中，舉出多種具體的詳細內容，俾能夠充分理解本揭示發明。然而，本技術領域具有通常知識者可在沒有此種詳細說明內容之情況下完成本揭示發明，係顯而易見。在其他例子中，為了避免導致各種實施態樣不容易理解，對於公知的方法、順序、系統或構成要素則未作詳細的揭示。
圖1係顯示依本發明第1實施態樣的氣化原料供給裝置及基板處理裝置之一例的圖式。在圖1中，顯示氣化原料供給裝置250、及包含該氣化原料供給裝置250的基板處理裝置300。
氣化原料供給裝置250用以將固體或液體原料加熱而產生氣化原料，並且將所產生的氣化原料供給到基板處理裝置300之注入器131~133。氣化原料供給裝置250具備加熱槽160、流量控制器(質量流量控制器)171~173、主配管180、分歧配管181~183、及殼體220。
加熱槽160係一種氣化原料產生機構，在儲存固體或液體原料之狀態下將其加熱而氣化，並產生氣化原料。加熱槽160包含儲存槽161及加熱器162。
儲存槽161係儲存固體或液體之原料210的機構。因此，儲存槽16構成可儲存固體或液體狀態之原料210的容器。儲存槽161在原料210因為加熱而氣化，並且產生氣化原料時，必須將氣化原料預留在氣化空間163。因此，儲存槽161構成可密閉的容器。又，儲存槽161因為會受到加熱器162的加熱，故以具有足夠之耐熱性的材料構成。
又，原料210可採用在氣化狀態下可作為成膜處理等的基板處理之原料的各種固體或液體材料。例如，在使用於含矽膜之成膜處理的情形，可採用3DMAS(Tris(dimethylamino)silane，參(二甲胺基)矽烷)等。又，粉體亦包含在固體。
加熱器162係用以從外側對儲存槽161進行加熱，使得所儲存之原料210氣化的加熱機構。加熱器162只要能將原料210加熱而使其氣化，並產生氣化原料，可採用各種構造。例如，加熱器162可由電熱線構成，亦可用板片狀的加熱板構成。
流量控制器171~173係用以設定而調整欲供給的氣化原料之流量的流量調整機構。流量控制器171~173設在複數之系統，在圖1中，設於三個系統。如上述，藉由設置複數之流量控制器171~173，可在複數之系統對「供給到基板處理裝置300之處理容器1內作為處理氣體的氣化原料之流量」進行控制，且可在複數之區域設定不同的流量時，個別地進行流量控制。
流量控制器171~173藉由和其分別對應的分歧配管181~183連接於主配管180，主配管180則連接於加熱槽160之頂面。在加熱槽160內所氣化的氣化原料，雖然充滿在加熱槽160內的上部之氣化空間163，但是因為主配管180連接於加熱槽160之頂面，故氣化原料從主配管180流出。在主配管180，由於連接有分歧成複數系統的分歧配管181~183，因此氣化原料分歧地流到各分歧配管181~183，並且藉由各流量控制器171~173控制各系統的流量，而經由設在氣化原料供給裝置250之外側的分歧配管181~183供給到處理容器1內。
在此，流量控制器171~173只要能調整氣體之流量，可採用各種的流量控制器(質量流量控制器)。流量控制器171~173不須採用相同的流量控制器171~173，亦可依各系統之用途而使用彼此不同的流量控制器171~173。尤其，在各系統之設定流量大不相同的情形，依設定流量，而使用能力也就是最大設定流量不同的流量控制器171~173亦可。一般而言，可用流量控制器171~173高精
度地進行調整的流量，為最大設定流量之10%程度以上的流量，未滿最大設定流量之10%的較小流量則難以高精度地進行調整。因此，對於設定流量本身較小的系統，使用最大設定流量較小的流量控制器171~173，對於設定流量較大的系統，則相應地使用最大設定流量較大的流量控制器171~173，係屬較佳。只要依各系統之設定流量，以避免需要調整的流量未滿最大設定流量之10%(在10%以上)的方式選擇流量控制器171~173，即可進行精度非常高的流量控制。
在此，複數之分歧配管181~183從主配管180分歧出來，但是複數之分歧配管181~183分別直接地連接於加熱槽160亦可。
又，加熱槽160、流量控制器171~173、主配管180及分歧配管181~183收納於殼體220而一體構成亦可。藉由將各零件收納在殼體220，可輕易地進行氣化原料供給裝置250的設置及移動。
在此，流量控制器171~173係設有複數個，但是加熱槽160只要設置一個即可。在分成複數之系統，而對其等個別地供給氣化原料時，複數之系統亦可分別包含該加熱槽及該流量控制器。但是，如此一來，加熱槽160所需要的空間變大，而氣化原料控制裝置將變得過大。又，由於加熱槽160將需要複數個，故也造成成本的增加。
在依本實施態樣之氣化原料供給裝置250中，加熱槽160僅設置一個，只有流量控制器171~173設置複數個。因此，可達到空間精簡化，同時在複數之區域進行正確的流量控制。
基板處理裝置300係用以對基板進行成膜等之處理的裝置，至少具備處理容器1、注入器131~133。處理容器1係用以收納作為處理對象之基板的容器。在圖1中，採用半導體晶圓W作為基板。以下，舉出採用晶圓W作為處理對象基板的情形為例，進行說明。
注入器131~133係用以供給處理氣體到晶圓W的處理氣體供給機構。注入器131~133形成噴嘴狀。噴嘴狀可為圓筒形狀，亦可為四角柱等之角柱形狀。因此，將注入器131~133稱作氣體噴嘴131~133亦可。又，在本實施態樣中，處理氣體係採用令固體或液體之原料210氣化而產生的氣化原料。
注入器131~133為了供給氣化原料到處理容器1內的複數之區域、或晶圓W上的複數之區域，一個一個地和處理容器1內的複數之區域逐一對應而設置。因此，注入器131~133係整體設有複數支。複數之注入器131~133分別具有一個氣體導入口141~143、及至少一個氣體吐出孔151~153。通常而言，氣體吐出孔151~153係在每一區域各設置複數個。在圖1中，示意地顯示在各注入器131~133各設置三個的例子。實際上，較多係在各支注入器131~133分別設置數十個。
複數之注入器131~133，係和氣化原料供給裝置250的複數之各個流量控制器171~173一對一對應而設置。因此，可藉由和各支注入器131~133逐一對應的流量控制器171~173進行流量控制。在圖1之例子中，注入器131對應於流量控制器171，注入器132對應於流量控制器172，注入器133則對應於流量控制器173。
在圖1中，複數之注入器131~133分別設在處理容器1內之不同區域，可供給氣化原料到晶圓W上之不同區域。依包含處理容器1等的基板處理裝置300之構造，有對於晶圓W的特定區域進行之基板處理不足或過度的情形。此時，藉由將氣化原料流量在各個區域逐一進行不同的設定，可改正過度或不足的情況，而在晶圓W之整面進行均一性更高的基板處理。依本實施態樣之氣化原料供給裝置及基板處理裝置在進行此種調整上即非常適合。
在圖1中，以箭頭的大小示意地顯示流量的大小。如圖1所示，將來自左側的注入器133之流量設定成最小，將來自右側的注入器131之流量設定成最大，而將來自中央的注入器132之流量設定在兩者的中間。以下針對此一情形進行說明。
在此情形，連接於注入器133的流量控制器173之流量設定值最小，連接於注入器131的流量控制器171之流量設定值最大，連接於注入器132的流量控制器172之流量設定值則為兩者的中間值，係屬當然。在此，即使變更各支注入器131~133的設定流量，由於注入器131~133個別地由各流量控制器171~173進行流量控制，因此仍然可設定而變更為任意的流量。如上述，在以一支注入器於各個區域逐一變更而設定氣體吐出孔之配置或大小的情形，當設定流量變化時，各區域之間的關係混亂，不能充分因應流量的變更。依本實施態樣之氣化原料供給裝置250及基板處理裝置300則可充分地因應流量的變更，沒有任何問題。
又，即便是注入器131~133的氣體吐出孔151~153之精度發生問題，而在各區域之流量比並非如同原本設計的情形，在依本實施態樣之氣化原料供給裝
置250及基板處理裝置300中，由於同樣可控制最後的輸出亦即從氣體吐出孔151~153所供給的氣化原料之流量，因此不會發生任何問題。
而且，即使是氣體吐出孔151~153發生堵塞等，而流量有所變化的情形，因為只要依此情形而利用流量控制器171~173將流量調整成最後的輸出亦即流量一定即可，故同樣可因應此種歷時性變化，沒有任何問題。
如上述，將流量控制器171~173以一對一之方式對應於複數系統的各支注入器131~133而設置，藉此可彈性地因應各種變化，以所希望之流量供給氣化原料。
又，在圖1舉三個系統為例，但只要是複數之系統，則依用途而設置成幾個系統皆可。
在圖1中，複數的注入器131~133彼此之間沒有重疊的區域，將氣化原料供給到全部不同的區域。但是，將複數之注入器131~133配置成例如相鄰接的區域彼此之間部分重疊亦可。
在圖1中，顯示基板處理裝置300的最小限度之構成要素。但是，亦可依所需，而設置進行基板處理需要的各種構成要素。例如，載置晶圓W的載置台、將處理容器1內抽真空的真空排氣機構等。
接著，使用圖2，更詳細地說明氣化原料供給裝置250之構成。圖2係更詳細地顯示氣化原料供給裝置250之一例的圖式。
如圖2所示，在殼體220內收納有加熱槽160、複數之流量控制器171~173、主配管180、及分歧配管181~183的構成係和圖1相同。但是，在殼體220內更設有原料配管191、吹淨配管192、及開閉閥201~203，此一構成則不同於圖1。
原料配管191係用以將原料210供給到加熱槽160的配管。在原料210為液體原料的情形，可使用原料配管191將原料210供給到加熱槽160內。在圖2中，顯示以3DMAS作為原料210的例子。又，開閉閥201係用以進行原料配管191之開閉及流量調整的閥。
吹淨配管192用以在未將氣化原料供給到處理容器1時，將吹淨氣體供給到主配管180及分歧配管181~183而使其等清淨化。吹淨氣體可依用途而使用Ar、He等之稀有氣體、或者N2等之非活性氣體。在圖2中，顯示以N2作為吹淨氣體的例子。又，開閉閥202係用以進行吹淨配管192之開閉及流量調整的閥，在實施基板處理時關閉，在基板處理結束，且未將氣化原料供給到處理容器1時則開啟。
開閉閥203係用以進行主配管180之開閉及流量調整的閥。在從加熱槽160供給氣化原料到流量控制器171~173時，也就是在基板處理中開啟，在基板處理待機中或停止中則關閉。
開閉閥201~203可為手動閥，亦可為電磁閥。但是，較佳係設置電磁閥或氣動閥，俾可以從殼體220之外部進行操作。
至於其他的構成要素，則如同在圖1所說明，故對於相對應的構成要素附加同一參照符號而省略其說明。
圖3係顯示依本發明之第2實施態樣的基板處理裝置301之一例的圖式。至於氣化原料供給裝置250，由於和依第1實施態樣之氣化原料供給裝置250相同，故對於各構成要素附加同一參照符號而省略其說明。
在依第2實施態樣之基板處理裝置301中，注入器130的構成和依第1實施態樣的複數之注入器131~133不同。在依第2實施態樣之基板處理裝置301中，採用一支注入器130，而非複數之注入器131~133。一支注入器130係在其內部設有複數之分隔壁121、122，將注入器130內分隔成三個區室131a~133a。而且，在分隔壁121、122設有孔口111、112，三個區室131a~133a可互相連通。
相同於第1實施態樣，以最小流量供給氣化原料到區室133a，以最大流量供給氣化原料到區室131a，並以兩者之間的流量供給氣化原料到區室132a。在此，以此情形為例進行說明。
在此情形，於各區室131a~133a之間設有流量差，而從對應的流量控制器171~173供給氣化原料，係屬當然。但是，由於在將區室131a與區室132a分隔的分隔壁121形成有孔口111，且在將區室132a與區室133a分隔的分隔壁122形成有孔口112，因此流入到區室131a之氣化原料可藉由孔口111流入到區室132a，而流入到區室132a的氣化原料可藉由孔口112流入到區室133a。於是，從氣體吐出孔151~153供給的氣化原料係於整個區域中，以流量平順地分布的狀態供給，而非於
三個區域中階段性地變化。在圖3中，氣體吐出孔151~153的下方之箭頭示意地顯示其平順的分布。也就是說，從各氣體導入口141~143所供給的流量，如同以三個箭頭所示般，為預定的三個階段之流量。從複數之氣體吐出孔151~153所噴吐的氣化原料，則如同以十個階段的箭頭所示般，形成更平順的流量比。
如上述，依第2實施態樣之基板處理裝置301，利用分隔壁121、122將一支注入器130之內部分隔成對應於各區域的區室131a~133a，並且藉由在分隔壁121、122設置可發揮作為連通口之功能的孔口111、112，可設定平順的流量差，而將氣化原料供給到晶圓W。
在以下之實施態樣中，將在第1及第2實施態樣中所說明的氣化原料供給裝置250及基板處理裝置300、301適用於更具體之基板處理裝置。在此，針對此例子進行說明。依第3實施態樣之基板處理裝置302，為ALD(Atomic Layer Deposition，原子層成膜方法)成膜裝置，以ALD法進行成膜。
圖4係顯示依本發明之第3實施態樣的基板處理裝置302之一例的圖式。在圖4中，顯示基板處理裝置302的處理容器1內之內部構造。又，處理容器1形成和依第1及第2實施態樣的基板處理裝置300、301之處理容器1相同的形狀，故使用同一參照符號。
圖4顯示：在從處理容器1取下頂板時，構成處理容器1之側面及底面的容器本體12。在相較於容器本體12內之底面更上方處，設有圓盤狀的旋轉台2。
如圖4所示，在旋轉台2之表面，沿著旋轉方向(周向)而設有用以載置複數(在圖示之例子為五片)之晶圓W的圓狀凹部24。在圖4中，為方便說明起見，僅在一個凹部24顯示晶圓W。此凹部24，具有相較於晶圓W之直徑(例如300mm)僅稍微大例如4mm的內徑、以及和晶圓W之厚度大致相等的深度。因此，當將晶圓W載置在凹部24時，晶圓W之表面與旋轉台2之表面(未載置晶圓W的區域)兩者形成相同的高度。
於旋轉台2之上方，配置有分別由例如石英所構成的注入器131~133、反應氣體噴嘴32、及分離氣體噴嘴41、42。於圖示之例子中，在處理容器1之周向上隔開間隔，而從搬運口15(後述)開始，沿著順時針方向(旋轉台2之旋轉方向)依序配置有分離氣體噴嘴41、注入器131~133、分離氣體噴嘴42、及反應氣體噴嘴32。注入器131~133係在第1實施態樣所說明的複數之各區域逐一個別獨立而設置的注入器131~133。在圖4中，於旋轉台2之半徑方向上，在旋轉台2之外周側區域設有注入器131，在旋轉台2之中心側(內側)區域設有注入器133，在旋轉台2之半徑方向上的正中間區域則設有注入器132。藉由旋轉台2之旋轉，載置於旋轉台2上的晶圓W沿著旋轉方向而移動。藉由從注入器131~133之氣體吐出孔151~153噴吐氣化原料，依序供給氣化原料到複數片(在圖4為五片)的晶圓W之表面。因此，藉由利用三支注入器131~133覆蓋晶圓W之直徑整體，以對晶圓W之整面供給氣化原料。注入器131~133係基本上在旋轉台2之半徑方向上，互不重疊而覆蓋外周側、中央區域、中心側的不同區域。但是，在鄰接的注入器131、132彼此之間、及注入器132、133彼此之間，端部的區域相互重疊。藉由設置此種重疊的部分，將使得晶圓W上沒有不被供給氣化原料的區域，如此可將氣化原料供給到晶圓W之整面。
氣化原料對各注入器131~133的供給，係藉由分歧配管181~183，以從氣化原料供給裝置250分別供給到氣體導入口141~143之方式進行。如圖1及3所示，將分歧配管181~183從處理容器1之頂面導入，並且將氣化原料導入到各注入器131~133之各氣體導入口141~143。
又，當旋轉台2旋轉時，由於外周側一邊其移動距離相較於中心側更大，故外周側之移動速度相較於中心側更快。因此，在旋轉台2之外周側，有時候氣化原料吸附至晶圓W之時間會不夠充分，於是有將外周側之流量設定成相較於內周側之流量較多的情形。本實施態樣也配合此一傾向，以注入器131、注入器132、注入器133的順序，由大而小地設定流量。
注入器131~133以外的其他噴嘴32、41、42，係藉由將各自的基端部亦即氣體導入埠32a、41a、42a固定在容器本體12之外周壁，以從處理容器1之外周壁導入到處理容器1內，並且沿著容器本體12之半徑方向，和旋轉台2對向而平行延伸。
此等噴嘴32、41、42分別連接著氣體供給源、以及依所需而設置的流量控制器，並且依處理製程而供給各種氣體即可。
例如，為了使3DMAS氧化而產生SiO2，反應氣體噴嘴32經由開閉閥及流量調整器(皆未圖示)，而連接著供給臭氧(O3)氣體的供給源(未圖示)亦可。
又，分離氣體噴嘴41、42經由開閉閥及流量調整器(皆未圖示)，而連接著Ar或He等之稀有氣體、或氮氣等的非活性氣體之供給源亦可。又，圖4顯示使用N2氣體作為非活性氣體的例子。
圖5顯示：處理容器1從注入器131~133沿著旋轉台2之同心圓到反應氣體噴嘴32的剖面。如圖5所示，注入器131~133貫通處理容器1之頂板11，而連接著分歧配管181~183，讓氣化原料供給到氣體導入口141~143。在各注入器131~133之底面，形成有氣體吐出孔151~153。
又，在反應氣體噴嘴32，沿著反應氣體噴嘴32之縱長方向，配置有「朝向旋轉台2而在反應氣體噴嘴32之下方形成開口」的複數之氣體吐出孔33。注入器131~133之下方區域係第一處理區域P1，用以使3DMAS氣體等之氣化原料吸附到晶圓W。反應氣體噴嘴32之下方區域係第二處理區域P2，用以使得在第一處理區域P1吸附到晶圓W之氣化原料氧化。
參照圖4及圖5，在處理容器1內設有兩個凸狀部4。凸狀部4形成其頂部切割成圓弧狀的大致扇型平面狀。在本實施態樣中，凸狀部4配置成：內圓弧連結到突出部5(後述)，而外圓弧沿著處理容器1的容器本體12之內周面。如圖示，凸狀部4安裝在頂板11之背面。因此，在處理容器1內，存在有：頂棚面44(第一頂棚面)，為凸狀部4之底面，較平坦且較低；及頂棚面45(第二頂棚面)，位在該頂棚面44的周向上之兩側，相較於第一頂棚面44較高。
又，如圖5所示，在凸狀部4其周向上的中央，形成有溝槽部43。溝槽部43沿著旋轉台2之半徑方向延伸。在溝槽部43，收納有分離氣體噴嘴42。在另一個
凸狀部4同樣形成有溝槽部43，並且在此收納有分離氣體噴嘴41。又，在分離氣體噴嘴42也形成有氣體吐出孔42h。
在第二頂棚面45之下方空間，分別設有注入器131~133及反應氣體噴嘴32。該等注入器131~133及反應氣體噴嘴32，以和第二頂棚面45隔開之方式設在晶圓W之附近。
第一頂棚面44以和旋轉台2對向之方式，形成有狹小的分離空間H。當從分離氣體噴嘴42供給N2氣體時，此N2氣體通過分離空間H，往空間481及空間482流動。此時，由於分離空間H之容積相較於空間481及482之容積較小，因此藉由N2氣體，可使得分離空間H之壓力比起空間481及482之壓力較大。也就是說，在空間481與482之間，分離空間H形成了壓力障壁。因此，來自第一處理區域P1的3DMAS等之氣化原料、與來自第二處理區域P2的O3氣體兩者由分離空間H分開。如此一來，在處理容器1內，可抑制氣化原料與O3氣體混合而產生反應的情形。
圖6係沿著圖4之I-I'線的剖面圖，亦為顯示設有第二頂棚面45之區域的剖面圖。
如圖6所示，基板處理裝置302包含：處理容器1，呈扁平狀，形成大致圓形的平面狀；旋轉台2，設在該處理容器1內，在處理容器1之中心具有旋轉中心。處理容器1具有：容器本體12，形成設有底部的圓筒形狀；頂板11，和容器本體12之頂面對向，藉由例如O型環等之密封構件13(圖6)，以可拆卸方式氣密性地配置。
旋轉台2在中心部固定於圓筒狀之核心部21。此核心部21固定於沿著鉛直方向延伸的旋轉軸22之上端。旋轉軸22貫通於處理容器1之底部14，且旋轉軸22之下端安裝在令旋轉軸22(圖6)繞著鉛直軸旋轉的驅動部23。旋轉軸22及驅動部23收納在頂面形成開口的筒狀之殼體20內。設於殼體20之頂面的凸緣部分氣密性地安裝於處理容器1的底部14之底面，此殼體20將殼體20之內部環境氣體和外部環境氣體隔離。
在旋轉台2與容器本體12的內周面之間形成：和空間481相連通之第一排氣口610、以及和空間482相連通之第二排氣口620。如圖6所示，第一排氣口610及第二排氣口620分別藉由排氣管630連接於真空排氣機構，例如真空泵640。又，在排氣管630設有壓力調整器650。
在旋轉台2與處理容器1的底部14兩者之間的空間，如圖6所示，設有加熱機構亦即加熱器單元7，並且隔著旋轉台2，將旋轉台2上之晶圓W加熱到製程配方所設定的溫度(例如450℃)。在旋轉台2的周緣附近之下方側，設有環狀之覆蓋構件71，以便抑制氣體侵入到旋轉台2的下方空間。
如圖6所示，底部14在「相較於設有加熱器單元7之空間更靠近旋轉中心的部位」，以接近「旋轉台2的底面之中心部附近的核心部21」的方式，往上方側突出而形成突出部12a。此突出部12a與核心部21之間為狹小的空間。又，貫通於底部14的旋轉軸22之貫通孔的內周面與旋轉軸22之間的間隙狹小，此等狹小的空間連通於殼體20。另外，在殼體20設有吹淨氣體供給管72，用以將吹淨氣體亦即N2氣體供給到狹小的空間內加以吹淨。而且，處理容器1之底部14其在加熱
器單元7之下方，以預定之角度間隔，沿著周向而設有複數之吹淨氣體供給管73，用以將加熱器單元7之配置空間吹淨(在圖6顯示兩支吹淨氣體供給管73)。
又，在處理容器1的頂板11之中心部，連接有分離氣體供給管51，用以將分離氣體亦即N2氣體供給到頂板11與核心部21之間的空間52。
而且，如圖4所示，在處理容器1之側壁設有搬運口15，用於在外部的搬運臂10與旋轉台2之間進行基板亦即晶圓W之傳遞。
又，在依本實施態樣之基板處理裝置302中，如圖6所示般設有由電腦構成的控制部100，用以進行裝置整體的動作之控制。在此控制部100之記憶體內收納有程式，該程式在控制部100之控制下，令成膜裝置實施後述的成膜方法。此程式儲存在硬碟、光碟、磁光碟、記憶卡、軟性磁碟等之媒體102，由預定之讀取裝置讀取而寫入到記憶部101，並且安裝在控制部100內。
如上述，氣化原料供給裝置250可適當地運用在進行成膜處理的基板處理裝置302。藉此，可正確地控制「設有注入器131~133的處理容器1內之各區域的氣化原料流量」，而進行面內均一性良好的成膜處理。
圖7係顯示依本發明之第4實施態樣的基板處理裝置303之一例的圖式。在圖7中，連接於氣化原料供給裝置250之注入器170變成一支，注入器170有三個區域亦即區室170a、170b、170c。
圖8為注入器170之側剖面圖。同樣地，如圖8所示，注入器170之內部藉由分隔壁121、122分隔，且分隔成三個區室170a、170b、170c。在分隔壁121、122形成有作為連通口之孔口111、112，各區室170a、170b、170c之間可互相連通。也就是說，此為將依第2實施態樣之基板處理裝置301適用於具體裝置的例子。如上述，依第4實施態樣之基板處理裝置303，能夠以平順的流量分布，對處理容器1內之各區域供給氣化原料，而進行ALD成膜處理。
其他的構成要素則和依第3實施態樣之基板處理裝置302相同，故省略其說明。
圖9係顯示依本發明之第5實施態樣的基板處理裝置之注入器170A一例的圖式。依第5實施態樣之基板處理裝置，具有和圖7所示依第4實施態樣之基板處理裝置303同樣的平面構成，僅有注入器170A之構造有所不同。
如圖9所示，依第5實施態樣的基板處理裝置之注入器170A，在分隔壁121a、122a未形成孔口111、112，乃是各區室170a~170c完全分開。就此點而言，和依第4實施態樣的基板處理裝置303之注入器170不同。
如上述，不在分隔壁121a、122a設置孔口111、112，而將各區室170a~170c完全分開亦可。依此構成，相較於設置三支個別獨立之注入器131~133的情形，可省下空間，並以低成本構成注入器170A。
至於其他的構成要素，均和依第3及第4實施態樣之基板處理裝置302、303相同，故省略其說明。
圖10係顯示依本發明第6實施態樣之基板處理裝置304一例的圖式。在依第6實施態樣之基板處理裝置304中，注入器130B只有一支，這一點和依第4及第5實施態樣之基板處理裝置303共通。氣體導入埠1130係在容器本體12之外周僅設置一支，這一點則和依第4及第5實施態樣之基板處理裝置303不同。
在此情形，氣化原料係從氣體導入埠1130一處供給。注入器130B從容器本體12之外周壁導入到處理容器1內，係以和旋轉台2平行之方式，從外周側朝向中心側水平延伸。
圖11係顯示注入器130B一例之剖面構成的圖式。如圖11所示，注入器130B之分隔壁121b、122b具有：部分1210、1220，垂直於注入器130B之縱長方向，而沿著縱長方向分隔各區室131b~133b；及部分1211、1221，沿著縱長方向延伸，形成三重管等之同心管構造，並且沿著注入器130B之徑向，而分隔各區室131b~133b。伴隨於此，各區室131b~133b之氣體導入口141a~143a在注入器130B之縱長方向上移動，並且設於縱長方向上的不同位置。具體而言，最右內側(前端側)的區室133b之氣體導入口143a移動到右內側，第二個區室132b之氣體導入口142a位在相較於正中間稍微左側(靠近入口側)，入口側的區室131b之氣體導入口141a則和注入器130B整體之氣體導入口相同，也位在最靠近入口一側。
如上述，使用具有同心管狀之部分1211、1221的分隔壁121b、122b，將注入器130B之內部構成三重管亦可。在此情形，和其他噴嘴32、41、42相同，也可從容器本體12之外周壁導入氣化原料。
至於其他構成要素，均和依第3至第5實施態樣之基板處理裝置302、303相同，故省略其說明。
圖12係顯示依第7實施態樣的基板處理裝置之注入器130C一例的圖式。依第7實施態樣之基板處理裝置，具有和圖10所示的依第6實施態樣之基板處理裝置304同樣的平面構成，僅注入器130C之構造不同。
如圖12所示，依第7實施態樣的基板處理裝置之注入器130C，其分隔壁121c、122c包含：部分1213、1223，沿著縱長方向分隔各區室131b~133b；及部分1214、1224，沿著縱長方向延伸，並且形成三重管等之同心管構造，沿著注入器130C之徑向分隔各區室131b~133b。就此點而言，和依第6實施態樣的基板處理裝置304之注入器130B共通。另一方面，在分隔壁121c、122c其沿著徑向延伸之部分1213、1223形成有孔口111a、112a，區室131b~133b可彼此連通。就此點而言，則和依第6實施態樣的基板處理裝置304之注入器130B不同。
如上述，在分隔壁121c、122c之一部分設置孔口111a、112a，而使得各區室131b~133b彼此連通亦可。依此構成，相較於設置三支個別獨立之注入器131~133的情形，可省下空間，並以低成本構成注入器130C。此外，還可使得來自氣
體吐出孔151~153之噴吐量平順地分布，以更高的精度進行流量控制。又，只要各區室131b~133b彼此之間可以連通，孔口111a、112a之位置即非所問。
至於其他構成要素，均和依第3至第6實施態樣之基板處理裝置302、303、304相同，故省略其說明。
圖13係顯示依本發明第8實施態樣的基板處理裝置之一例的圖式。依第8實施態樣之基板處理裝置305，係將氣化原料供給裝置250適用於立式熱處理裝置之例子。在此，針對此例進行說明。
圖13係顯示依本發明第8實施態樣的基板處理裝置305之一例的整體構成圖。如圖示，基板處理裝置305具備可收納複數片晶圓W的處理容器422。此處理容器422由具有頂棚且形成圓筒體形狀的縱長型內管424、及具有頂棚且形成圓筒體形狀的縱長型外管426所構成。外管426係以在內管424的外周與外管426的內周之間隔開預定間隔的方式，包圍內管424。又，內管424與外管426皆由例如石英形成。
在外管426之下端部，藉由O型環等之密封構件430，氣密性地連接有形成圓筒體形狀之例如不鏽鋼製的歧管428，並且由此歧管428支撐外管426之下端部。歧管428則利用未圖之底板支撐。又，在歧管428之內壁，設有形成環狀的支撐台432。藉由此支撐台432，支撐住內管424之下端部。
在處理容器422之內管424內，收納有晶圓舟434作為晶圓固持部。在晶圓舟434，以預定之間距固持複數之晶圓W。在本實施態樣中，藉由晶圓舟434，以大致相等之間距，多段性地固持具有300mm之直徑的晶圓W，達例如50~100片的程度。晶圓舟434可進行升降，係通過歧管428之下部開口，而從處理容器422之下方往內管424內收納，並且從內管424取出。又，晶圓舟434由例如石英構成。
又，在收納有晶圓舟434時，處理容器422之下端亦即歧管428之下部開口係藉著由例如石英或不銹鋼板構成的蓋部436加以密閉。在處理容器422的下端部與蓋部436之間夾設例如O型環等之密封構件438，用以維持氣密性。晶圓舟434隔著石英製的保溫筒440載置於平台442上。此平台442被支撐在旋轉軸444之上端部。該旋轉軸444貫通於令歧管428之下端開口開閉的蓋部436。
在旋轉軸444、與蓋部436其中由旋轉軸444貫通的孔兩者之間，設有例如磁性流體密封件446。藉此，旋轉軸444氣密性地被密封，同時以可旋轉方式受支撐。旋轉軸444被安裝在由例如晶圓舟升降機等之升降機構448所支撐的臂部450之前端，可使得晶圓舟434及蓋部436等一體升降。又，將平台442固定到蓋部436側而設置，並且在不令晶圓舟434旋轉的狀態下，對晶圓W進行成膜處理亦可。
又，在處理容器422之側部，設置包圍處理容器422且由例如碳鋼絲製之加熱器所構成的加熱部(未圖示)。藉此，對於位在其內側之處理容器422和其中的晶圓W進行加熱。
又，在基板處理裝置305設有：氣化原料供給裝置250，供給氣化原料；反應氣體供給源456，供給反應氣體；及吹淨氣體供給源458，供給非活性氣體作為吹淨氣體。
氣化原料供給裝置250儲存例如3DMAS等之液體或固體原料而使其氣化，並且藉由設有流量控制器171~173及開閉閥201~203之主配管180及分歧配管181~183，而連接於注入器130D。注入器130D氣密性地貫通於歧管428，並在處理容器422內彎曲成L字形，經過內管424內其在高度方向上的整個區域而延伸。在注入器130D，以預定之間距形成有複數之氣體吐出孔151~153，可從橫向對由晶圓舟434所支撐之晶圓W供給原料氣體。又，注入器130D可使用例如石英製作而成。
反應氣體供給源456儲存例如氨(NH3)氣，藉由設有流量控制器及開閉閥(未圖示)的配管，而連接於氣體噴嘴464。氣體噴嘴464氣密性地貫通於歧管428，並在處理容器422內彎曲成L字形，經過內管424內其在高度方向上的整個區域而延伸。在氣體噴嘴464，以預定之間距形成有複數之氣體噴射孔464A，可從橫向對由晶圓舟434所支撐之晶圓W供給反應氣體。又，氣體噴嘴464可使用例如石英製作而成。
吹淨氣體供給源458儲存吹淨氣體，藉由設有流量控制器及開閉閥(未圖示)的配管，而連接於氣體噴嘴468。氣體噴嘴468氣密性地貫通於歧管428，並在處理容器422內彎曲成L字形，經過內管424內其在高度方向上的整個區域而延伸。在氣體噴嘴468，以預定之間距形成有複數之氣體噴射孔468A，可從橫向對由晶圓舟434所支撐之晶圓W供給吹淨氣體。氣體噴嘴468可使用例如石英製作而
成。又，作為吹淨氣體，可使用例如Ar、He等之稀有氣體或氮氣等之非活性氣體。
又，注入器130D及各氣體噴嘴464、468係集中於內管424內之一側而設置(在圖示之例中，因為空間上的關係，而將氣體噴嘴468記載於和其他注入器130D及氣體噴嘴464對向的相反側)。在和該注入器130D及各氣體噴嘴464、468對向的內管424之側壁，沿著上下方向形成有複數之氣體流通孔472。因此，從注入器130D、及氣體噴嘴464、468所供給的氣體係通過晶圓之間，而沿著水平方向流動，並且通過氣體流通孔472，而被引導至內管424與外管426之間的間隙474。
又，在歧管428之上部側，形成有和內管424與外管426之間的間隙474連通的排氣口476。此排氣口476連接著將處理容器422排氣的排氣系統478。
排氣系統478具有和排氣口476連接的配管480。在配管480之中途依序設有：壓力調整閥480B，可調整閥體之開度，藉由改變該閥體之開度，以調整處理容器422內的壓力；及真空泵483。藉此，可對處理容器422內之環境氣體進行壓力調整，同時加以排氣達到預定之壓力。
圖14係顯示注入器130D一例之構成的剖面圖。如圖14所示，縱長形注入器130D之內部藉由分隔壁121c、122c分隔成三個區室131c~133c。在分隔壁121c、122c未形成孔口，各區室131c~133c完全分離。又，分隔壁121c、122c由和注入器130D之縱長方向垂直的部分1215、1225、以及和縱長方向平行的部分1216、1226所構成。其中，和縱長方向平行的部分1216、1226呈同心狀延伸，而整體構成三重管。
各區室131c~133c之氣體導入口141b~143b，從在鉛直方向上較高的位置開始，以氣體導入口141b、142b、143b之順序，沿著注入器130D的縱長方向(鉛直方向)而配置。
氣體吐出孔151~153沿著鉛直方向配置，朝向位於其內側的晶圓W一邊，除了這一點之外，均和目前為止所述的構成相同。
如上述，在立式熱處理裝置中，亦可使用依本實施態樣之氣化原料供給裝置250，而在高度方向上高精度地調整氣化原料之流量比，並且提高疊層的晶圓W之間的面內均一性。
圖15係顯示依本發明第9實施態樣的基板處理裝置之注入器130E一例的圖式。依第9實施態樣的基板處理裝置，具有和圖13所示的依第8實施態樣之基板處理裝置305同樣的整體構成，只有注入器130E的構造不同。
依第9實施態樣的基板處理裝置之注入器130E，如圖15所示，在分隔壁121d、122d之一部分形成孔口111b、112b，區室131c~133c可互相連通。就此點而言，和依第8實施態樣的基板處理裝置305之注入器130D不同。
如上述，在分隔壁121d、122d之一部分分別設置孔口111b、112b，而使得各區室131c~133c互相連通亦可。依此構成，相較於設置三支個別獨立之注入器131~133的情形，可省下空間，並以低成本構成注入器130E。此外，還可使得
來自氣體吐出孔151~153之噴吐量平順地分布，以更高的精度進行流量控制。又，只要各區室131c~133c彼此之間可以連通，孔口111b、112b之位置即非所問。
至於其他的構成要素，均和依第8實施態樣的基板處理裝置305相同，故省略其說明。
圖16係顯示依本發明第10實施態樣的基板處理裝置之注入器131D~133D一例的圖式。依第10實施態樣的基板處理裝置，具有和圖13所示的依第8實施態樣之基板處理裝置305類似的整體構成。但是，如圖16所示，供給氣化原料之注入器131D~133D增加為複數支，並且設有氣體吐出孔151~153，俾各注入器131D~133D可將氣化原料供給到處理容器422其在高度方向上不同的區域。就這點而言，則和依第8及第9實施態樣的基板處理裝置305不同。
自氣化原料供給裝置250之分歧配管181~183開始，以一對一的方式連接於各注入器131D~133D之氣體導入口141c~143c，且各支注入器131D~133D以個別設定之流量供給氣化原料到處理容器422內。依第10實施態樣的基板處理裝置，可說是將依第1實施態樣之基板處理裝置300適用於立式熱處理裝置而構成者。
如上述，使用完全獨立的複數支注入器131D~133D，以個別設定之流量供給氣化原料到處理容器422內的複數之區域亦可。
如以上所說明，依本發明之實施態樣的氣化原料供給裝置，藉由和可對處理容器內之複數區域進行供給的注入器組合，可構成各種態樣之基板處理裝置，而能夠各區域逐一高精度地進行流量控制，且以更高之精度進行基板處理。
又，在第1至第10實施態樣中，以成膜處理為例進行說明。但是，依本發明之實施態樣的基板處理裝置，只要是使用氣化原料，例如蝕刻氣體等的基板處理裝置，即可適用在各種基板處理裝置。又，注入器之構成亦不限於實施態樣的例子，可適用在各種態樣之注入器。
本發明之目的為：提供一種氣化原料供給裝置及利用該氣化原料供給裝置的基板處理裝置，其可達到空間精簡化，同時在複數之各個系統進行流量調整。
以上，已針對本發明之較佳實施態樣進行詳細的說明。但是，本發明不受限於上述實施態樣，在不脫離本發明範圍的情況下，可在上述實施態樣加入各種的變形和置換。
1:處理容器
131~133:注入器
141~143:氣體導入口
151~153:氣體吐出孔
160:加熱槽
161:儲存槽
162:加熱器
163:氣化空間
171~173:流量控制器
180:主配管
181~183:分歧配管
210:原料
220:殼體
250:氣化原料供給裝置
300:基板處理裝置
W:晶圓
Claims (17)
- 一種基板處理裝置，具備：氣化原料供給裝置，具備：一氣化原料產生機構，使原料氣化而產生氣化原料；複數之分歧配管，連接於該氣化原料產生機構，使得所產生的該氣化原料分歧地流到複數之系統；及複數之流量控制器，個別地設在各該分歧配管；處理容器，可收納基板；及注入器，在該處理容器內的複數之區域逐一設有氣體導入口和氣體吐出孔；其中，該氣化原料供給裝置的該複數之分歧配管，以一對一對應之方式連接於在該複數之區域逐一設置的該氣體導入口中的各該氣體導入口，該注入器在其內部具有複數之區室，該等區室係在該複數之區域逐一地藉由分隔壁分隔而成，在該分隔壁之一部分設有連通口，使該複數之區室彼此之間可以連通。
- 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，該氣化原料產生機構具備：儲存槽，儲存該原料；及加熱機構，對該儲存槽加熱，而使得該原料氣化。
- 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，該儲存槽由密閉容器構成，可將所產生的該氣化原料保存在該儲存槽內。
- 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，該複數之分歧配管藉由一支主配管連接於該氣化原料產生機構。
- 如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其中，在該主配管設有閥。
- 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，該複數之分歧配管分別直接地連接於該氣化原料產生機構。
- 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，在該複數之分歧配管分別設有閥。
- 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其更具備殼體，該殼體將該氣化原料產生機構、該複數之分歧配管及該複數之流量控制器加以一體收納。
- 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，該氣體吐出孔係在該複數之區域逐一設有複數個。
- 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，該注入器包含複數之注入器，該等注入器個別獨立設置在該複數之區域的各區域。
- 如申請專利範圍第10項之基板處理裝置，其中，該複數之區域包含彼此之間互不重疊的區域。
- 如申請專利範圍第11項之基板處理裝置，其中，相鄰接的該複數之區域包含彼此之間互相重疊的區域。
- 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，該複數之區室沿著該注入器之縱長方向配置。
- 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，該複數之氣體導入口設在該注入器之側面。
- 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，該分隔壁包含有在該注入器內沿著縱長方向延伸成同心狀的部分，且該氣體導入口設在該注入器內。
- 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，該複數之流量控制器分別對應於藉由該複數之分歧配管所連接的該複數之區域的各區域，而逐一設定該氣化原料之流量。
- 如申請專利範圍第16項之基板處理裝置，其中，該複數之流量控制器係依在該複數之區域逐一設定的該流量，而使用最大設定流量之不同的流量控制器。
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| JP7273079B2 (ja) * | 2021-02-15 | 2023-05-12 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび基板処理方法 |
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Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5958140A (en) * | 1995-07-27 | 1999-09-28 | Tokyo Electron Limited | One-by-one type heat-processing apparatus |
| US20070235085A1 (en) * | 2006-03-30 | 2007-10-11 | Norman Nakashima | Chemical delivery apparatus for CVD or ALD |
| US20140290575A1 (en) * | 2013-03-29 | 2014-10-02 | Tokyo Electron Limited | Source gas supply unit, film forming apparatus and source gas supply method |
Family Cites Families (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60184679A (ja) * | 1984-03-01 | 1985-09-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 多層薄膜形成法及びそれに用いる装置 |
| JPS61254242A (ja) * | 1985-05-01 | 1986-11-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 原料供給装置 |
| JP2668687B2 (ja) * | 1987-11-27 | 1997-10-27 | 富士通株式会社 | Ｃ ｖ ｄ 装 置 |
| JPH02205316A (ja) * | 1989-02-03 | 1990-08-15 | Sumitomo Metal Ind Ltd | エピタキシャル気相成長装置 |
| JPH04214870A (ja) * | 1990-05-08 | 1992-08-05 | Nec Corp | 化学気相成長装置 |
| EP0502209B1 (en) * | 1990-09-21 | 1997-05-14 | Fujitsu Limited | Method and apparatus for growing compound semiconductor crystals |
| JP3128586B2 (ja) * | 1992-05-15 | 2001-01-29 | 東芝機械株式会社 | 薄膜成長装置 |
| JPH06295862A (ja) * | 1992-11-20 | 1994-10-21 | Mitsubishi Electric Corp | 化合物半導体製造装置及び有機金属材料容器 |
| WO2002008487A1 (en) * | 2000-07-24 | 2002-01-31 | The University Of Maryland, College Park | Spatially programmable microelectronics process equipment using segmented gas injection showerhead with exhaust gas recirculation |
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| US20060124169A1 (en) * | 2004-12-09 | 2006-06-15 | Tokyo Electron Limited | Gas supply unit, substrate processing apparatus, and supply gas setting method |
| JP4718274B2 (ja) * | 2005-08-25 | 2011-07-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体製造装置，半導体製造装置の流量補正方法，プログラム |
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| US8304328B2 (en) * | 2006-03-20 | 2012-11-06 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Manufacturing method of semiconductor device and substrate processing apparatus |
| JP5192214B2 (ja) * | 2007-11-02 | 2013-05-08 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス供給装置、基板処理装置および基板処理方法 |
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| JP5350824B2 (ja) * | 2009-02-03 | 2013-11-27 | 株式会社フジキン | 液体材料の気化供給システム |
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| JP5689294B2 (ja) * | 2010-11-25 | 2015-03-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
| JP5755958B2 (ja) * | 2011-07-08 | 2015-07-29 | 株式会社フジキン | 半導体製造装置の原料ガス供給装置 |
| JP2013115208A (ja) * | 2011-11-28 | 2013-06-10 | Tokyo Electron Ltd | 気化原料供給装置、これを備える基板処理装置、及び気化原料供給方法 |
| JP2013197249A (ja) * | 2012-03-19 | 2013-09-30 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び流量制御方法 |
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| CN103924214B (zh) * | 2014-04-25 | 2016-11-16 | 安徽亚格盛电子新材料有限公司 | 一种蒸汽输送mo源连续供应*** |
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5958140A (en) * | 1995-07-27 | 1999-09-28 | Tokyo Electron Limited | One-by-one type heat-processing apparatus |
| US20070235085A1 (en) * | 2006-03-30 | 2007-10-11 | Norman Nakashima | Chemical delivery apparatus for CVD or ALD |
| US20140290575A1 (en) * | 2013-03-29 | 2014-10-02 | Tokyo Electron Limited | Source gas supply unit, film forming apparatus and source gas supply method |
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