TWI700497B - 測試裝置 - Google Patents

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TWI700497B TW108117589A TW108117589A TWI700497B TW I700497 B TWI700497 B TW I700497B TW 108117589 A TW108117589 A TW 108117589A TW 108117589 A TW108117589 A TW 108117589A TW I700497 B TWI700497 B TW I700497B
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Abstract

揭露一種用於測試高頻高速半導體的測試裝置。所述測試裝置包括:探針支撐區塊,沿測試方向形成有管容納部;可導電的屏蔽管,容納於所述管容納部中;以及探針,以不接觸的方式容納並支撐於所述屏蔽管中,所述管容納部包括用於將接地訊號傳輸至所述屏蔽管的導電接觸部。當測試高頻高速半導體或類似受試者時,所述測試裝置輕易地且廉價地防止相鄰訊號探針之間發生串擾並改善阻抗特性。

Description

測試裝置
本揭露是有關於一種用於高頻高速半導體的測試裝置。
已使用高頻探針作為用於高頻或高速半導體的測試裝置。此種高頻探針太昂貴而無法用於低價位的及中等價位的測試裝置中。
用於高頻或高速半導體的測試裝置包括導電區塊,導電區塊以不接觸的方式安裝有欲被屏蔽以免受來自相鄰訊號探針的雜訊影響的訊號探針。在此種情形中,訊號探針穿透導電區塊而不接觸探針孔的內壁,且單一探針的兩端支撐於在導電區塊的相對兩側處設置的絕緣板上。然而,此種傳統測試裝置的缺點在於應用一個導電區塊來進行屏蔽導致其材料成本高,且當訊號探針以精密節距進行配置時在加工方面存在困難。此外,導電區塊的經加工孔具有低的精度及粗糙的內表面,且因此存在從中穿過的訊號探針在阻抗特性方面劣化的問題。
本揭露的態樣旨在解決傳統問題,並提供一種用於高頻高速半導體的測試裝置,其中相鄰訊號探針之間的雜訊被簡單的 結構有效地阻擋。
本揭露的另一態樣欲提供一種用於高頻高速半導體的測試裝置,其在加工及裝配方面有所改善並利用低價位材料降低了成本。
根據本揭露的實施例,提供一種測試裝置。所述測試裝置包括:探針支撐區塊,沿測試方向形成有管容納部;導電屏蔽管,容納於所述管容納部中;以及探針,以不接觸的方式容納並支撐於所述屏蔽管中,所述管容納部包括用於將接地訊號傳輸至所述屏蔽管的導電接觸部。
所述探針支撐區塊可包括:導電區塊,包括與所述屏蔽管接觸的導電接觸部;絕緣區塊,堆疊於所述導電區塊的一側上並支撐所述屏蔽管以及所述探針的第一端部;以及絕緣覆蓋區塊,覆蓋所述導電區塊的後側並支撐所述探針的第二端部。
所述探針支撐區塊可包括:導電區塊,包括與所述屏蔽管接觸的導電接觸部;以及一對絕緣區塊,所述一對絕緣區塊之間配置有所述導電區塊,並支撐所述屏蔽管的兩端及所述探針的兩端。
所述探針支撐區塊可包括:導電區塊,包括與所述屏蔽管接觸的導電接觸部;以及一對絕緣覆蓋區塊,所述一對絕緣覆蓋區塊之間配置有所述導電區塊,並支撐所述探針的兩端。
所述絕緣覆蓋區塊可包括:覆蓋主體,所述覆蓋主體的形狀類似於板;以及探針固持器,自所述覆蓋主體突出,***所 述屏蔽管中並在所述屏蔽管內支撐所述探針的兩端。
1、2、3:測試裝置
100:探針支撐區塊
102:訊號探針孔
103:管容納部
104:接地探針孔
105:接地筒孔
106:功率探針孔
107:功率筒通孔
108:功率筒容納孔
110:導電區塊
112:凸緣孔
113:階梯部
114:管主體孔
115:導電接觸部
120:絕緣區塊
121:第一訊號探針支撐孔
122:第一訊號筒端支撐孔
123:第一訊號柱塞通孔
124:第一接地探針支撐孔
125:第一接地筒端支撐孔
126:第一接地柱塞通孔
127:第一功率探針支撐孔
128:第一功率筒端支撐孔
129:第一功率柱塞通孔
130:絕緣覆蓋區塊
130-1:第一絕緣覆蓋區塊
130-2:第二絕緣覆蓋區塊
131:第二訊號探針支撐孔
132:訊號筒移動孔
133:第二訊號柱塞通孔
134:第二接地探針支撐孔
135:接地筒移動孔
136:第二接地柱塞通孔
137:第二功率探針支撐孔
138:功率筒移動孔
139:第二功率柱塞通孔
140-1:第一覆蓋主體
140-2:第二覆蓋主體
142-1:第一探針固持器
142-2:第二探針固持器
200:屏蔽管
210:凸緣
220:管主體
300:探針
310:訊號探針
312、322、332:筒
314、324、334:上柱塞
316、326、336:下柱塞
318、328、338:彈簧
320:接地探針
330:功率探針
400:***件
結合附圖閱讀以下示例性實施例的說明,以上及/或其他態樣將變得顯而易見且更易於理解,在附圖中:圖1至圖3是根據本揭露第一實施例的測試裝置的立體圖、分解立體圖及局部剖視圖。
圖4為圖3所示探針支撐區塊的局部剖視圖。
圖5是根據本揭露第二實施例的測試裝置的局部剖視圖。
圖6是根據本揭露第三實施例的測試裝置的局部剖視圖。
以下,將參照附圖詳細闡述根據本揭露實施例的測試裝置1。
圖1至圖4是根據本揭露的測試裝置的立體圖、分解立體圖及局部剖視圖以及圖3所示探針支撐區塊的剖視圖。如圖中所示,測試裝置1包括探針支撐區塊100、屏蔽管200、探針300及用以容納待測試的半導體或類似受試者的***件400。探針300包括用於傳輸測試訊號的訊號探針310、用於傳輸接地訊號的接地探針320以及用於供應電功率的功率探針330。
如圖1至圖4中所示,探針支撐區塊100包括管容納部103及設置於管容納部103中的導電接觸部115。探針支撐區塊100包括具有導電接觸部115的導電區塊110、耦合至導電區塊110的頂部的絕緣區塊120以及耦合至導電區塊110的底部的絕緣覆蓋 區塊130。
導電區塊110由例如黃銅等導電金屬製成。導電區塊110可由表面鍍覆有金屬的絕緣體製成。導電區塊110接觸接地探針320並保持接地。
絕緣區塊120由例如聚碳酸酯、聚醯亞胺、聚丙烯酸、陶瓷等絕緣體製成。絕緣區塊120耦合至導電區塊110的頂部。絕緣區塊120與導電區塊110及絕緣覆蓋區塊130一起容納並支撐屏蔽管200、訊號探針310、接地探針320及功率探針330。
絕緣覆蓋區塊130由例如聚碳酸酯、聚醯亞胺、聚丙烯酸、聚乙烯醇等絕緣體製成。絕緣覆蓋區塊130與導電區塊110及絕緣區塊120一起容納並支撐屏蔽管200、訊號探針310、接地探針320及功率探針330。
探針支撐區塊100包括多個訊號探針孔102、多個接地探針孔104及多個功率探針孔106。
訊號探針孔102包括遍及經耦合的導電區塊110與絕緣區塊120而形成且容納屏蔽管200的管容納部103以及第一訊號探針支撐孔121及第二訊號探針支撐孔131。此處,第一訊號探針支撐孔121及第二訊號探針支撐孔131用以支撐穿過容納於管容納部103中的屏蔽管200的內部中心的訊號探針310。
管容納部103自底部至頂部穿透導電區塊110並朝絕緣區塊120的頂部延伸。管容納部103被形成為在不穿透絕緣區塊120的條件下盡可能長。管容納部103包括凸緣孔112及管主體孔 114,凸緣孔112形成於導電區塊110的下端部中且容納屏蔽管200的凸緣210(隨後欲闡述),管主體孔114容納屏蔽管200的管主體220。凸緣孔112具有較管主體孔114大的直徑。因此,在凸緣孔112與管主體孔114之間形成階梯部113。容納於管容納部103中的屏蔽管200在其中以不接觸的方式容納訊號探針310的筒312。
第一訊號探針支撐孔121包括第一訊號筒端支撐孔122及半徑自第一訊號筒端支撐孔122減小的第一訊號柱塞通孔123,第一訊號筒端支撐孔122與絕緣區塊120中的管容納部103連通並容納訊號探針310的筒312的第一端部,第一訊號柱塞通孔123穿透絕緣區塊120的頂部並在其中容納訊號探針310的上柱塞314。第一訊號筒端支撐孔122傾斜地形成為半徑自管主體孔114至第一訊號柱塞通孔123減小。第一訊號筒端支撐孔122容納並支撐訊號探針310的筒312。第一訊號柱塞通孔123被形成為容許訊號探針310的上柱塞314從中穿過並穿透絕緣區塊120的頂部。
第二訊號探針支撐孔131包括訊號筒移動孔132及半徑在訊號筒移動孔132中減小的第二訊號柱塞通孔133,訊號筒移動孔132與絕緣覆蓋區塊130中的管容納部103連通並容許訊號探針310的筒312可在測試時上下移動,第二訊號柱塞通孔133穿透絕緣覆蓋區塊130的底部並在其中容納訊號探針310的下柱塞316。第二訊號柱塞通孔133被形成為容許訊號探針310的下柱塞 316從中穿過並穿透絕緣覆蓋區塊130的底部。
接地探針孔104包括遍及經耦合的導電區塊110與絕緣區塊120而形成且容納接地探針320的筒322的接地筒孔105以及第一接地探針支撐孔124及第二接地探針支撐孔134。
接地筒孔105具有與接地探針320的筒322的外徑對應的內徑。接地筒孔105自底部至頂部穿透導電區塊110並朝絕緣區塊120的頂部延伸。接地筒孔105被形成為在不穿透絕緣區塊120的條件下盡可能長。接地探針320***接地筒孔105中,並接觸導電區塊110的接地筒孔105的內壁,藉此使導電區塊110接地。
第一接地探針支撐孔124包括第一接地筒端支撐孔125及半徑在第一接地筒端支撐孔125中減小的第一接地柱塞通孔126,第一接地筒端支撐孔125與絕緣區塊120中的接地筒孔105連通並容納接地探針320的筒322的第一端部,第一接地柱塞通孔126穿透絕緣區塊120的頂部並容納接地探針320的上柱塞324。第一接地筒端支撐孔125傾斜地形成為半徑自接地筒孔105至第一接地柱塞通孔126減小。第一接地筒端支撐孔125容納並支撐接地探針320的筒322的第一端部。第一接地柱塞通孔126被形成為容許接地探針320的上柱塞324從中穿過並穿透絕緣區塊120的頂部。
第二接地探針支撐孔134包括接地筒移動孔135及半徑在接地筒移動孔135中減小的第二接地柱塞通孔136,接地筒移動 孔135與絕緣覆蓋區塊130中的接地筒孔105連通並容許接地探針320的筒322可在測試時上下移動,第二接地柱塞通孔136穿透絕緣覆蓋區塊130的底部並容納接地探針320的下柱塞326。第二接地柱塞通孔136被形成為容許接地探針320的下柱塞326從中穿過並穿透絕緣覆蓋區塊130的底部。
功率探針孔106包括形成於導電區塊110中的功率筒通孔107、形成於絕緣區塊120中的功率筒容納孔108、以及第一功率探針支撐孔127及第二功率探針支撐孔137。
功率筒通孔107具有較功率探針330的筒332的外徑大的直徑。功率探針330的筒332以不接觸的方式穿過功率筒通孔107。功率筒通孔107自底部至頂部穿過導電區塊110。
功率筒容納孔108具有與功率探針330的筒332的外徑對應的內徑。功率筒容納孔108與功率筒通孔107連通,且被形成為在不穿透絕緣區塊120的底部的條件下盡可能長。
第一功率探針支撐孔127包括第一功率筒端支撐孔128及半徑在第一功率筒端支撐孔128中減小的第一功率柱塞通孔129,第一功率筒端支撐孔128與絕緣區塊120中的功率筒容納孔108連通並容納功率探針330的筒332的第一端部,第一功率柱塞通孔129穿透絕緣區塊120的頂部並容納功率探針330的上柱塞334。第一功率筒端支撐孔128傾斜地形成為半徑自功率筒容納孔108至第一功率柱塞通孔129減小。第一功率筒端支撐孔128容納並支撐功率探針330的筒332的第一端部。第一功率柱塞通孔129 被形成為容許功率探針330的上柱塞334從中穿過並穿透絕緣區塊120的頂部。
第二功率探針支撐孔137包括功率筒移動孔138及半徑在功率筒移動孔138中減小的第二功率柱塞通孔139,功率筒移動孔138與絕緣覆蓋區塊130中的功率筒通孔107連通並容許功率探針330的筒332可在測試時移動,第二功率柱塞通孔139穿透絕緣覆蓋區塊130的底部並容納功率探針330的下柱塞336。第二功率柱塞通孔139被形成為容許功率探針330的下柱塞336從中穿過並穿透絕緣覆蓋區塊130的底部。
訊號探針310包括:筒312,筒312為彈針型(pogo pin type),形狀類似於圓柱形管道;上柱塞314,局部地***筒312的第一側端部中;下柱塞316,局部地***筒312的第二側端部中;以及彈簧318,在筒312內夾置於上柱塞314與下柱塞316之間,以使上柱塞314及下柱塞316中的至少一者可在筒312內彈性滑動。訊號探針310不限於彈針型,而是可採用任何探針,只要其可為可彈性伸縮的即可。訊號探針310以與屏蔽管200的內壁間隔開的方式容納於探針支撐區塊100中並支撐於探針支撐區塊100中。
接地探針320包括:筒322,筒322如訊號探針310一樣為彈針型,形狀類似於圓柱形管道;上柱塞324,局部地***筒322的第一側端部中;下柱塞326,局部地***筒322的第二側端部中;以及彈簧328,在筒322內夾置於上柱塞324與下柱塞326 之間,以使上柱塞324及下柱塞326中的至少一者可在筒322內彈性滑動。接地探針320不限於彈針型,而是可採用任何探針,只要其可為可彈性伸縮的即可。接地探針320在接觸導電區塊110的同時支撐於探針支撐區塊100中。
功率探針330包括:筒332,筒332如訊號探針310或接地探針320一樣為彈針型,形狀類似於圓柱形管道;上柱塞334,局部地***筒332的第一側端部中;下柱塞336,局部地***筒332的第二側端部中;以及彈簧338,在筒332內夾置於上柱塞334與下柱塞336之間,以使上柱塞334及下柱塞336中的至少一者可在筒332內彈性滑動。功率探針330不限於彈針型,而是可採用任何探針,只要其可為可彈性伸縮的即可。功率探針330在與導電區塊110間隔開的同時支撐於探針支撐區塊100中。
屏蔽管200是作為具有良好導電性的金屬管道而提供且被製造成具有較訊號探針310的筒312足夠大的直徑。屏蔽管200接觸用於經由導電區塊110自接地探針320傳輸接地訊號的導電接觸部115,藉此保持接地狀態。因此,屏蔽管200使穿過導電區塊110及絕緣區塊120的所述多個訊號探針310被屏蔽而免受其之間的雜訊影響。
此時,藉由將導電區塊110形成為最小尺寸且將絕緣區塊120形成為最大尺寸,穿過絕緣區塊120的經接地屏蔽管200屏蔽相鄰訊號探針310以使其免受其之間的串擾影響,藉此降低材料成本並降低製造成本。
以上所闡述的訊號探針310、接地探針320及功率探針330中的所有者是藉由通用彈針型探針而非藉由傳統特定高頻專用探針測試待測試的高頻高速半導體或類似受試者來實施,藉此降低製造成本。
圖5是根據本揭露第二實施例的測試裝置2的局部剖視圖。如圖中所示,測試裝置2包括探針支撐區塊100、屏蔽管200、訊號探針310、接地探針320及功率探針330。
探針支撐區塊100包括導電區塊110、耦合至導電區塊110的頂部的第一絕緣覆蓋區塊130-1以及耦合至導電區塊110的底部的第二絕緣覆蓋區塊130-2。
導電區塊110由例如黃銅等導電金屬製成。導電區塊110可由表面鍍覆有金屬的絕緣體製成。導電區塊110接觸接地探針320並保持接地。
第一絕緣覆蓋區塊130-1及第二絕緣覆蓋區塊130-2由例如聚碳酸酯、聚醯亞胺、聚丙烯酸、聚乙烯醇等絕緣體製成。其之間配置有導電區塊110的第一絕緣覆蓋區塊130-1與第二絕緣覆蓋區塊130-2支撐訊號探針310的兩端、接地探針320的兩端及功率探針330的兩端。
屏蔽管200、訊號探針310、接地探針320及功率探針330等同於根據第一實施例的測試裝置1的屏蔽管200、訊號探針310、接地探針320及功率探針330,因此將不再對其予以贅述。
在根據第二實施例的前述測試裝置2中,屏蔽管200插 入遍及導電區塊110的訊號探針孔102中,且訊號探針310以不接觸的方式穿過屏蔽管200的中心。屏蔽管200具有均勻的內壁表面,以使訊號探針310可與屏蔽管200均勻地間隔開,藉此表現出良好的阻抗特性。
圖6是根據本揭露第三實施例的測試裝置3的局部放大剖視圖。以下,與根據圖3中所示第二實施例的測試裝置2的元件相同的元件將被賦予相同的參考編號,且將不再對其予以贅述。
如圖中所示,測試裝置3包括探針支撐區塊100、屏蔽管200、訊號探針310、接地探針320及功率探針330。測試裝置3可包括***件以容納待測試的半導體或類似受試者。
探針支撐區塊100包括導電區塊110、耦合至導電區塊110的頂部的第一絕緣覆蓋區塊130-1以及耦合至導電區塊110的底部的第二絕緣覆蓋區塊130-2。
導電區塊110由例如黃銅等導電金屬製成。導電區塊110可由表面鍍覆有金屬的絕緣體製成。導電區塊110接觸接地探針320並保持接地。
第一絕緣覆蓋區塊130-1及第二絕緣覆蓋區塊130-2由例如聚碳酸酯、聚醯亞胺、聚丙烯酸、聚乙烯醇等絕緣體製成。其之間配置有導電區塊110的第一絕緣覆蓋區塊130-1與第二絕緣覆蓋區塊130-2支撐訊號探針310的兩端、接地探針320的兩端及功率探針330的兩端。
第一絕緣覆蓋區塊130-1及第二絕緣覆蓋區塊130-2分 別包括形狀類似於板的第一覆蓋主體140-1及第二覆蓋主體140-2,以及自第一覆蓋主體140-1及第二覆蓋主體140-2一體地突出的第一探針固持器142-1及第二探針固持器142-2。第一探針固持器142-1及第二探針固持器142-2***屏蔽管200中並固持訊號探針310的兩端,而不接觸屏蔽管200的內壁。
形狀類似於板的第一覆蓋主體140-1及第二覆蓋主體140-2可薄於根據第二實施例的測試裝置2的第一絕緣覆蓋區塊130-1及第二絕緣覆蓋區塊130-2。此是可能的,乃因訊號探針310的兩端由***屏蔽管200中的第一探針固持器142-1及第二探針固持器142-2支撐。因此,屏蔽管200被形成為相對於探針支撐區塊100的整個厚度而言儘可能長,藉此使相鄰訊號探針310之間的串擾最小化。
此外,第一探針固持器142-1及第二探針固持器142-2被強制地配合至屏蔽管200的兩端並用於將第一絕緣覆蓋區塊130-1及第二絕緣覆蓋區塊130-2固持並支撐於導電區塊110的頂部及底部上。當然,第一絕緣覆蓋區塊130-1及第二絕緣覆蓋區塊130-2可藉由螺釘、黏合劑等附接至導電區塊110的頂部及底部。儘管未示出,然而在圖3至圖5中所示絕緣覆蓋區塊130中可形成有第一探針固持器142-1及第二探針固持器142-2。
在根據本揭露的測試裝置中,例如彈針等通用訊號探針以不接觸的方式穿過形狀類似於管道的導電屏蔽管的內部,藉此提供以下優點。
第一,訊號探針與導電屏蔽管的內壁均勻地間隔開,藉此表現出良好的阻抗特性。
第二,在導電區塊變薄且絕緣區塊變厚的狀態下,藉由向上延伸至絕緣區塊的導電屏蔽管達成屏蔽,藉此降低製造成本。
第三,導電屏蔽管被設置成遍及支撐區塊的整個厚度,藉此完美地減小相鄰訊號探針之間的串擾。
第四,所述高頻高速半導體專用測試裝置中使用通用彈針,藉此降低製造成本並改善測試裝置的裝配特性。
儘管藉由幾個示例性實施例及圖式闡述了本揭露,然而本發明不限於前述示例性實施例,且此項技術中具有通常知識者將理解,可相對於該些實施例作出各種潤飾及改變。
因此,本揭露的範圍必須由所附申請專利範圍及其等效範圍而非示例性實施例來界定。
100‧‧‧探針支撐區塊
110‧‧‧導電區塊
115‧‧‧導電接觸部
120‧‧‧絕緣區塊
130‧‧‧絕緣覆蓋區塊
200‧‧‧屏蔽管
210‧‧‧凸緣
220‧‧‧管主體
310‧‧‧訊號探針
312、322、332‧‧‧筒
314、324、334‧‧‧上柱塞
316、326、336‧‧‧下柱塞
318、328、338‧‧‧彈簧
320‧‧‧接地探針
330‧‧‧功率探針

Claims (5)

  1. 一種測試裝置,包括:探針支撐區塊,具有沿測試方向形成的管容納部與設置在所述管容納部中的導電接觸部;可導電的屏蔽管,容納於所述管容納部中且電性連接至所述導電接觸部;訊號探針,容納於所述屏蔽管中,其中所述訊號探針的兩端沿所述測試方向暴露於所述探針支撐區塊,且所述訊號探針以不接觸的方式支撐於所述屏蔽管中;以及接地探針,支撐於所述探針支撐區塊中並同時與所述探針支撐區塊接觸,其中所述探針支撐區塊包括具有所述導電接觸部的導電區塊,所述接地探針支撐於所述導電區塊並同時與所述導電區塊接觸,且所述接地探針、所述導電區塊、所述導電接觸部以及所述屏蔽管藉由彼此接觸以形成接地路徑。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的測試裝置,其中所述探針支撐區塊更包括:絕緣區塊,堆疊於所述導電區塊的一側上並支撐所述屏蔽管以及所述探針的第一端部;以及絕緣覆蓋區塊,覆蓋所述導電區塊的後側並支撐所述探針的第二端部。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的測試裝置,其中所述探針 支撐區塊更包括:一對絕緣區塊,所述一對絕緣區塊之間配置有所述導電區塊,並支撐所述屏蔽管的兩端及所述探針的兩端。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的測試裝置,其中所述探針支撐區塊更包括:一對絕緣覆蓋區塊,所述一對絕緣覆蓋區塊之間配置有所述導電區塊,並支撐所述探針的兩端。
  5. 如申請專利範圍第2項所述的測試裝置,其中所述絕緣覆蓋區塊包括:覆蓋主體,所述覆蓋主體的形狀類似於板;以及探針固持器,自所述覆蓋主體突出,***所述屏蔽管中並在所述屏蔽管內支撐所述探針的兩端。
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