TWI692135B - 有機發光顯示裝置 - Google Patents
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Abstract
一種有機發光顯示裝置,包括:一反射電極,位於一基板上的一像素區域中,且包含界定一凹槽的一凹入部分;一第一填充圖案,填充該凹槽;一第一電極,位於該第一填充圖案上且位於圍繞該第一填充圖案之該反射電極的一部分上;一有機發光層,位於該第一電極上;以及一第二電極,位於該有機發光層上。
Description
本發明涉及一種有機發光顯示裝置。
近來,具有薄型、量輕、和低功耗優異性能的平板顯示裝置已經開發且廣泛地使用。
在平板顯示裝置中,稱為有機電致發光顯示裝置的有機發光顯示裝置(OLED)為一種顯示裝置,其中,將來自陰極的電子和來自陽極的電洞注入陰極和陽極之間的發光層以產生電子-電洞對,並藉由電子-電洞對結合消失以發光。
一般而言,頂部發光型OLED包含位於有機發光層下方且呈平坦狀態的反射電極,並且從有機發光層發出且向下行進的光被反射電極反射。
然而,相對於反射電極而言具有大入射角的光被輸出到相鄰像素區域以造成光色混合。此外,光在有機發光面板內部被全反射並被橫向引導以造成光損失。
因此,本發明涉及一種有機發光顯示裝置(OLED),其基本上消除了由於先前技術的限制和缺點而導致的一個以上的問題。
本發明的一個目的是提供一種可以改善(或減少)光色混合或光損耗的OLED。
本發明的附加特徵和優點將在以下的描述中闡述,其中一部分優點透過描述為顯而易見的,或者可以透過本發明的實踐來習得。本發明的優點將透過說明書及申請專利範圍以及附圖中特別指出的結構來實現和獲得。
為了實現這些和其他優點,並且根據本發明的目的,如本文具體且廣泛地描述,一種有機發光顯示裝置,包括:一反射電極,位於一基板上的一像素區域中,且包含界定一凹槽的一凹入部分;一第一填充圖案,填充該凹槽;一第一電極,位於該第一填充圖案上且位於該反射電極圍繞該第一填充圖案的一部分上;一有機發光層,位於該第一電極上;以及一第二電極,位於該有機發光層上。
一種有機發光顯示裝置,包括:一反射電極,位於一基板上的一像素區域中,且包含界定一凹槽的一凹入部分;一第一圖案,位於該反射電極上;一第一電極,位於該第一圖案上,且與該凹入部分對應的該第一電極的一部分基本上是平坦的,並且該第一電極與該反射電極電性連接;一有機發光層,位於該第一電極上;以及一第二電極,位於該有機發光層上。
應當理解的是,前述概括描述和以下詳細描述都是示例性和解釋性的,並且旨在提供對要求保護的本發明進行進一步說明。
100‧‧‧OLED
101‧‧‧第一基板
112‧‧‧半導體層
115‧‧‧閘極絕緣層
120‧‧‧閘極電極
125‧‧‧層間絕緣層
126a‧‧‧第一接觸孔
126b‧‧‧第二接觸孔
131‧‧‧源極電極
133‧‧‧汲極電極
140‧‧‧第一鈍化層
141‧‧‧第二鈍化層
141a‧‧‧頂表面、凹面
142‧‧‧汲極接觸孔
144‧‧‧凹槽
150‧‧‧反射電極
150a‧‧‧第一層
150b‧‧‧第二層
151‧‧‧凹入部分
155‧‧‧第一填充圖案
156‧‧‧第二填充圖案
165‧‧‧第一電極
166‧‧‧堤部(分隔壁)
167‧‧‧有機發光層
169‧‧‧第二電極
170‧‧‧第三鈍化層
181‧‧‧第二基板
183‧‧‧黏合層
190‧‧‧彩色濾光層
190b‧‧‧藍色濾光片圖案
190g‧‧‧綠色濾光片圖案
190r‧‧‧紅色濾光片圖案
195‧‧‧黑色矩陣
B‧‧‧藍色
G‧‧‧綠色
Li‧‧‧光
Lr‧‧‧光
OD‧‧‧有機發光二極體
P‧‧‧像素區域
R‧‧‧紅色
Td‧‧‧驅動TFT
θi‧‧‧入射角
θr‧‧‧反射角
本說明書包含附圖以提供對本發明的進一步理解,且附圖被併入且構成本說明書的一部分,其說明本發明的實施例,並且與說明書一起用於解釋本發明的原理。在圖式中:圖1為示意性地說明根據本發明一實施例之OLED的平面圖;圖2為沿圖1之II-II線所截取的剖面圖;圖3為說明根據本發明一實施例之雙層結構的反射電極的剖面圖;圖4為說明根據本發明一實施例被反射電極反射的光的路徑的視圖;以及圖5為說明根據本發明一實施例之OLED所輸出的光輪廓的模擬結果的視圖。
以下將詳細參考實施例,其示例藉由附圖說明。在整個圖式中可以使用相同或相似的元件符號來表示相同或相似的部分。
圖1為示意性地說明根據本發明一實施例之OLED的平面圖;以及圖2為沿圖1之II-II線所截取的剖面圖。
參照圖1,該實施例的OLED 100包含顯示區域中的複數個像素區域P,用以顯示影像,並且複數個像素區域P以陣列形式排列。
複數個像素區域P可以包含:紅色(R)像素區域P、綠色(G)像素區域P、和藍色(B)像素區域P,以分別顯示紅色、綠色、和藍色。紅色(R)像素區域P、綠色(G)像素區域P、和藍色(B)像素區域P可以沿著一方向交替地地排列。
參照圖2,進一步更詳細地解釋OLED 100的結構。
OLED 100可以包含兩個彼此面對的基板,亦即,第一基板101和第二基板181。
第一基板101可以是陣列基板,並且包含控制每個像素區域P的驅動元件。
第二基板181是與第一基板101相對的基板。第二基板181可以作為封裝基板以封裝第一基板101。或者,可以省略第二基板181。
OLED 100可以是一頂部發光型OLED。
在此情況下,光從第一基板101向上發射,使得第二基板181的外表面作為顯影面(或光輸出表面)。
儘管在圖中未顯示,但可以將圓形偏光片附著於第二基板181的外表面上,以改善外部光的反射。
在第一基板101的每個像素區域P中,可以設置開關薄膜電晶體(TFT)、驅動TFT Td、以及位於開關TFT和驅動TFT Td上並連接到驅動TFT Td的有機發光二極體(OD)。
更詳細地說,半導體層112可以形成在第一基板101的內表面上。半導體層112可以由例如多晶矽製成,但不限於此。
可以在半導體層112上形成絕緣層,例如閘極絕緣層115。閘極絕緣層115可以完全地形成在第一基板101上方。
閘極絕緣層115可以由無機絕緣材料製成,例如,氧化矽或氮化矽。
閘極電極120可以位於閘極絕緣層115上並且對應於半導體層112的中心部分。閘極電極120可以由導電材料製成,例如,金屬材料。
連接到開關TFT的閘極電極的閘極線可以形成在閘極絕緣層115上。
可以在閘極電極120上形成絕緣層,例如層間絕緣層125。層間絕緣層125可以完全地形成在第一基板101上方。
層間絕緣層125可以由無機絕緣材料製成,例如氧化矽或氮化矽;或有機絕緣材料製成,例如苯環丁烯或感光性丙烯酸類材料(photo acryl)。
層間絕緣層125可以包含分別暴露半導體層112兩側的第一接觸孔126a和第二接觸孔126b。
第一接觸孔126a和第二接觸孔126b位於閘極電極120兩側並與閘極電極120隔開。第一接觸孔126a和第二接觸孔126b也可以形成在閘極絕緣層115中。
源極電極131和汲極電極133可以形成在層間絕緣層125上。源極電極131和汲極電極133可以由導電材料製成,例如,金屬材料。
資料線可以形成在層間絕緣層125上。資料線與閘極線相交並連接到開關TFT的源極電極。
源極電極131和汲極電極133彼此隔開,且閘極電極120位於其間。源極電極131和汲極電極133可以分別通過第一接觸孔126a和第二接觸孔126b接觸半導體層112兩側。
半導體層112、閘極電極120、以及源極電極131和汲極電極133形成驅動TFT Td。
或者,驅動TFT Td可以具有反相的交錯結構,其中閘極電極形成在半導體層下方,且源極電極和汲極電極形成在半導體層上方。在這種情況下,半導體層可以由例如非晶矽製成。
即使在圖中未顯示,開關TFT也可以形成為具有與驅動TFT Td相同的結構。
可以在源極電極131和汲極電極133上形成作為絕緣層的第一鈍化層140。第一鈍化層140可以完全地形成在第一基板101上方。
第一鈍化層140可以由無機絕緣材料製成,例如,氧化矽或氮化矽。
可以在第一鈍化層140上形成作為絕緣層的第二鈍化層141。第二鈍化層141可以完全地形成在第一基板101上方。
第二鈍化層141可以由有機絕緣材料製成,例如,苯環丁烯或感光性丙烯酸類材料。
第一鈍化層140和第二鈍化層141可以包含暴露汲極電極133的汲極接觸孔142。
或者,可以在驅動TFT Td上施加具有第二鈍化層的單層鈍化結構。
在每個像素區域P中,第二鈍化層141可以包含凹洞。
在這方面,對應於有機發光二極體OD形成在像素區域P中的發光區域的第二鈍化層141的部分具有向下(亦即,朝向第一基板101)凹陷的頂表面141a,以具有凹面彎曲的形狀。該凹陷的表面141a稱為凹面141a。
凹面141a上的凹陷形狀的空間為凹槽144。因此,由凹面141a界定(亦即,由凹面141a圍繞)的凹槽144可以配置在第二鈍化層141中。
第二鈍化層141圍繞(或環繞)凹槽144的部分可以具有平坦的(或均勻的)狀態。換句話說,第二鈍化層141圍繞凹槽144的部分可以具有平坦的頂表面。
第二鈍化層141可以通過例如使用半色調光罩(half tone mask)的光刻製程(photolithography process)形成。
反射電極150形成在每個像素區域P中的第二鈍化層141上。
反射電極150可以通過汲極接觸孔142連接到汲極電極133。
反射電極150位於汲極接觸孔142中的部分可以沿汲極接觸孔142的內表面延伸,以連接汲極電極133。
根據第二鈍化層141的凹槽144可以形成反射電極150。
因此,反射電極150形成在凹槽144中的部分可以基本上具有與凹面141a相同的形狀。
換句話說,反射電極150在凹槽144中的部分可以沿著凹面141a形成,以基本上具有與凹面141a相同的形狀。反射電極150在凹槽144中的部分稱為凹入部分151。
因此,第二鈍化層141的凹槽144可以保留在反射電極150的凹入部分151上。
換句話說,反射電極150還可以包含位於凹入部分151上的凹槽144。也就是說,反射電極150的凹入部分151可以界定凹槽144。
此外,反射電極150可以形成在第二鈍化層141圍繞凹面141a的部分的平坦表面上。位於第二鈍化層141圍繞凹面141a的部分的平坦表面上的反射電極150的部分基本上具有平坦的形狀。
反射電極150可以由具有高反射率的金屬材料製成,例如銀(Ag)。
反射電極150可以具有單層或多層結構。
在反射電極150為多層結構的情況下,反射電極150的頂層可以由具有反射能力的金屬材料製成,並且反射電極150的底層可以由具有高黏著性質的導電材料製成,例如ITO。
在這方面,圖3示出了作為多層結構示例的雙層結構的反射電極150。該反射電極150可以包含作為下層的第一層150a和作為上層的第二層150b,且第一層150a由諸如ITO的透明導電材料製成,而第二層150b由諸如Ag的反射金屬材料製成。
第一填充圖案155可以形成在反射電極150上。詳細地說,第一填充圖案155可以位於反射電極150的凹入部分151上並覆蓋凹入部分151。
第一填充圖案155可以被配置以完全地填充其中形成有反射電極150的凹槽144。
因此,在形成第一填充圖案155的狀態下,凹槽144和凹槽144周圍的第一基板101的表面可以是基本上平坦的狀態。
換句話說,由於第一填充圖案155形成為覆蓋凹入部分151並填充凹槽144,因此第一填充圖案155的平坦頂表面和圍繞第一填充圖案155的反射電極150的平坦頂表面可以基本上具有相同的高度。
此外,第二填充圖案156可以形成在汲極接觸孔142中的反射電極150上,以填充汲極接觸孔142。
因此,在形成第二填充圖案156的狀態下,汲極接觸孔142和圍繞汲極接觸孔142的第一基板101的表面可以是基本上平坦的。
換句話說,由於第二填充圖案156形成為填充汲極接觸孔142,因此第二填充圖案156的平坦頂表面和圍繞第二填充圖案156的反射電極150的平坦頂表面可以基本上具有相同的高度。
第一填充圖案155和第二填充圖案156可以由有機絕緣材料製成,例如,苯環丁烯或感光性丙烯酸類材料。
第一電極165可以形成在具有第一填充圖案155和第二填充圖案156的第一基板101上的每個像素區域P中。
第一電極165可以由透明導電材料製成,例如ITO。
第一電極165可以接觸第一填充圖案155和反射電極150圍繞第一填充圖案155的部分。
當第一電極165形成為接觸沒有被第一填充圖案155覆蓋(或者暴露在第一填充圖案155的周圍)的反射電極150的部分的頂表面時,第一電極165能夠通過反射電極150電性連接到汲極電極133。
此外,第一電極165可以接觸第二填充圖案156和反射電極150圍繞第二填充圖案156的部分。
如上所述,由於具有第一填充圖案155和第二填充圖案156的第一基板101基本上具有平坦表面,因此第一電極165可以形成為基本上平坦的。
堤部(或分隔壁)166可以沿每個像素區域P的邊界形成在第一電極165上並圍繞每個像素區域P。
堤部166可以具有在每個像素區域P中暴露第一電極165的開口並且覆蓋第一電極165的邊緣部分。
換句話說,第一電極165的邊緣部分和反射電極150的邊緣部分可以位於堤部166下方以被堤部166覆蓋,第一電極165和反射電極150的邊緣部分可以不暴露,因而不會接觸有機發光層167。
堤部166可以形成為遮蔽(或覆蓋)反射電極150的凹槽144的邊緣部分。在這方面,當凹槽144的邊緣部分沒有被堤部166遮蔽並且位於堤部166內側時,可能發生光彎折至相鄰像素區域並且可能引起光色混合。
有機發光層167可以形成在通過堤部166的開口暴露的第一電極165上。有機發光層167可以是包含發光材料層的多層結構。
由於第一電極165基本上是平坦的,因此第一電極165上的有機發光層167可以形成為平坦的狀態。
形成在紅色像素區域P、綠色像素區域P、和藍色像素區域P中的每一個的有機發光層167可以是發出白光之白色有機發光層。或者,分別形成在紅色像素區域P、綠色像素區域P、和藍色像素區域P中每一個的有機發光層167可以是分別發出紅光、綠光、和藍光之紅色有機發光層、綠色有機發光層、和藍色有機發光層。
在該實施例中,作為示例,在紅色像素區域P、綠色像素區域P、和藍色像素區域P的每一個中的有機發光層167皆使用白色有機發光層。
或者,有機發光層167可以對應於所有像素區域P形成。換句話說,有機發光層167可以在所有像素區域P上連續地形成。
第二電極169可以形成在有機發光層167上,且完全地在第一基板101上方。
第二電極169可以配置為透射的(或透明的)電極。在這種情況下,第二電極169可以由透明導電材料製成,例如ITO。
或者,第二電極169可以配置為半透射的(或半透明的)電極。在這種情況下,可以實現微腔效應(micro cavity effect),以提高發光效率。在這種情況下,第二電極169可以由金屬材料製成,例如:鎂(Mg)、銀(Ag)、或鎂和銀的合金,並且可以薄厚度來形成這樣的金屬材料,以便實現半透明的性質。
由於有機發光層167形成為平坦的,因此第二電極169在有機發光層167上的部分可以是平坦的。
第一電極165、有機發光層167、和第二電極169在像素區域P中形成有機發光二極體OD。第一電極和第二電極其中一個用作陽極,而另一個用作陰極。
第三鈍化層170可以形成在第二電極169上,且完全地在第一基板101上方。第三鈍化層170可用於防止外部水氣或氧氣的滲透,並提高可靠性。
第三鈍化層170可以由無機絕緣材料製成,例如,氧化矽或氮化矽。此外,第三鈍化層170可以形成為具有包含氧化矽或氮化矽中的至少一種的多層結構。
第二基板181可以位於第三鈍化層170上。
黏合層183可以形成在第三鈍化層170的內表面和第二基板181的內表面之間。
彩色濾光層190可以位於第二基板181的外表面上,以實現每個像素區域P的顏色。
彩色濾光層190可以包含例如分別對應於紅色像素區域P、綠色像素區域P、和藍色像素區域P的紅色濾光片圖案190r、綠色濾光片圖案190g、和藍色濾光片圖案190b。
因此,來自發射白光的有機發光二極體OD的白光穿過相對應的紅色濾光片圖案190r、綠色濾光片圖案190g、和藍色濾光片圖案190b中的每一個,因而可以輸出紅色、綠色、和藍色中的每一種。
此外,可以沿著第二基板181的外表面上的每個像素區域P的邊界形成黑色矩陣195。
如上所述,在本實施例中,具有凹面結構的反射電極150形成在發光區域中有機發光二極體OD的下方。
因此,反射電極150用作為凹面鏡,因此可以在向上的方向上基本垂直地輸出入射光。
此處進一步參照圖4,圖4為說明根據本發明一實施例被反射電極反射的光的路徑的視圖。在圖4中,出於解釋的目的,省略了OLED 100的一些組件。
進一步參照圖4,由有機發光層167產生並向下行進的光被反射電極150反射。
反射電極150具有向下凹陷的凹面結構,因此可作為凹面鏡。
因此,即使光Li的入射角θ i相對於基板的表面的法線方向較大,由於對於光Li的反射電極150具有凹面鏡的功能,反射角θ r相對於法線方向變小。
因此,由反射電極150反射的光Lr被集中,並且基本上往在OLED100的前面方向上輸出。
如此,由於反射光Lr基本上在每個像素區域P內輸出,因此可以防止由於光行進到相鄰像素區域而造成的光色混合。
此外,由於反射光Lr的反射角θ r變小,因此可以防止(或減少)由於在具有不同折射率之堆疊層之間的界面處被全反射橫向引導的光所致之光損耗。
在這方面,例如,由於第二電極169的折射率大於位於第二電極169上的第三鈍化層170的折射率,因此在如同先前技術一般反射光的反射角大的情況下,可能會發生全反射。
然而,在該實施例中,由於凹面的反射電極150,反射光Lr的反射角θ r變小。因此,可以改善由於全反射而引起的光損耗。
此外,在該實施例中,具有所述之反射電極150的凹槽144被第一填充圖案155填充,使得發光區域中基板的表面基本上是平坦的。
因此,有機發光層167基本上具有一致的厚度。
因此,一致的電場施加到整個有機發光層167,亮度的一致性可以被實現。
此處進一步參照圖5,圖5為說明根據本發明一實施例之OLED所輸出之光輪廓的模擬結果的視圖。
如上所述,在本實施例中,其中形成有反射電極150的凹槽144以第一填充圖案155填充,因此發光區域中的基板表面基本上是平坦的,因此有機層發光層167基本上具有一致的厚度。因此,參照圖5,可以看出,從像素區域P輸出的光的輪廓基本上是一致的,因此亮度的一致性可以被實現。
根據上述實施例,有機發光二極體下方的反射電極形成為凹面的形狀。
因此,反射電極可以作為凹面鏡,並使反射光的反射角變小。因此,可以改善由於光行進到相鄰像素區域而導致的顏色混合,並且可以改善由於被全反射而橫向引導的光所引起的光損耗。
此外,形成有反射電極的凹槽以填充圖案填充,使得基板的表面基本上是平坦的。
因此,有機發光層167基本上具有一致的厚度,因此亮度的一致性可以被實現。
如上所述,描述了以第一填充圖案155填充其中形成有反射電極150的凹槽144的實施例。然而,本發明不限於此。在一些實施例中,第一圖案 可以在反射電極上。第一電極可以在第一圖案上,並且由於第一圖案,第一電極對應於凹入部分的部分可以基本上是平坦的。
第一電極可以電性連接到反射電極。具體地說,第一電極可以通過設置在第一圖案中的接觸孔電性連接到反射電極,或者第一電極可以直接地與反射電極接觸。
在第一電極直接地與反射電極接觸的情況下,第一圖案的頂表面可以具有與除了凹入部分之外的反射電極的部分之頂表面相同的高度。因此,第一電極僅與除了凹入部分之外的反射電極的一部分接觸。或者,第一圖案的頂表面可以低於除了凹入部分之外的反射電極的部分的頂表面。因此,除了凹入部分之外的反射電極的部分以外,第一電極還可以進一步與反射電極的凹入部分的部分接觸。
對於所屬技術領域中具有通常知識者顯而易見的是,在不脫離本發明的精神或範疇的情況下,可以在本發明中進行各種修改和變化。因此,本發明旨在涵蓋落入所附申請專利範圍及其均等範疇內的本發明的修改和變化。
本發明主張於2017年12月22日提交之韓國專利申請第10-2017-0177829號的優先權,其全部內容透過引用結合於此,用於所有目的,如同在此完全闡述一樣。
100‧‧‧OLED
101‧‧‧第一基板
112‧‧‧半導體層
115‧‧‧閘極絕緣層
120‧‧‧閘極電極
125‧‧‧層間絕緣層
126a‧‧‧第一接觸孔
126b‧‧‧第二接觸孔
131‧‧‧源極電極
133‧‧‧汲極電極
140‧‧‧第一鈍化層
141‧‧‧第二鈍化層
141a‧‧‧頂表面、凹面
142‧‧‧汲極接觸孔
144‧‧‧凹槽
150‧‧‧反射電極
151‧‧‧凹入部分
155‧‧‧第一填充圖案
156‧‧‧第二填充圖案
165‧‧‧第一電極
166‧‧‧堤部(分隔壁)
167‧‧‧有機發光層
169‧‧‧第二電極
170‧‧‧第三鈍化層
181‧‧‧第二基板
183‧‧‧黏合層
190‧‧‧彩色濾光層
190b‧‧‧藍色濾光片圖案
190g‧‧‧綠色濾光片圖案
190r‧‧‧紅色濾光片圖案
195‧‧‧黑色矩陣
B‧‧‧藍色
G‧‧‧綠色
OD‧‧‧有機發光二極體
P‧‧‧像素區域
R‧‧‧紅色
Td‧‧‧驅動TFT
Claims (13)
- 一種有機發光顯示裝置,包括:一反射電極,位於一基板上的一像素區域中,且包含界定一凹槽的一凹入部分;一第一填充圖案,填充該凹槽;一第一電極,位於該第一填充圖案上且位於該反射電極圍繞該第一填充圖案的一部分上;一有機發光層,位於該第一電極上;一第二電極,位於該有機發光層上;一鈍化層,該鈍化層位於該反射電極下方,並且包含一凹面,在該凹面上形成該反射電極的該凹入部分;以及一第二填充圖案,填充該鈍化層的一汲極接觸孔,其中,在該像素區域中的一薄膜電晶體的一汲極電極和該反射電極通過該汲極接觸孔連接。
- 根據申請專利範圍第1項所述的有機發光顯示裝置,其中,該第一填充圖案的一頂表面具有與該反射電極圍繞該第一填充圖案的該部分的一頂表面相同的高度。
- 根據申請專利範圍第1項所述的有機發光顯示裝置,其中,該有機發光層發出白光,以及其中,一彩色濾光片圖案位於該第二電極上。
- 根據申請專利範圍第1項所述的有機發光顯示裝置,其中,該第二電極為透射的或半透射的。
- 一種有機發光顯示裝置,包括:一反射電極,位於一基板上的一像素區域中,且包含界定一凹槽的一凹入部分;一第一圖案,位於該反射電極上;一第一電極,位於該第一圖案上,與該凹入部分對應的該第一電極的一部分基本上是平坦的,且該第一電極與該反射電極電性連接; 一有機發光層,位於該第一電極上;一第二電極,位於該有機發光層上;一鈍化層,該鈍化層位於該反射電極下方,並且包含一凹面,在該凹面上形成該反射電極的該凹入部分;以及一第二圖案,填充該鈍化層的一汲極接觸孔,其中,在該像素區域中的一薄膜電晶體的一汲極電極和該反射電極通過該汲極接觸孔連接。
- 根據申請專利範圍第5項所述的有機發光顯示裝置,其中,該第一電極通過設置在該第一圖案中的一接觸孔電性連接到該反射電極。
- 根據申請專利範圍第5項所述的有機發光顯示裝置,其中,該第一電極直接地與該反射電極接觸。
- 根據申請專利範圍第7項所述的有機發光顯示裝置,其中,該第一電極僅與除了該凹入部分之外的該反射電極的一部分接觸。
- 根據申請專利範圍第7項所述的有機發光顯示裝置,其中,該第一電極與該反射電極的該凹入部分的一部分接觸。
- 根據申請專利範圍第8項所述的有機發光顯示裝置,其中,該第一圖案的一頂表面具有與除了該凹入部分之外的該反射電極的該部分的一頂表面相同的高度。
- 根據申請專利範圍第9項所述的有機發光顯示裝置,其中,該第一圖案的一頂表面低於除了該凹入部分之外的該反射電極的該部分的一頂表面。
- 根據申請專利範圍第1項或第5項所述的有機發光顯示裝置,其中,該反射電極包含由反射金屬材料製成的一頂層、以及由具有高黏著性質的導電材料製成的一底層。
- 根據申請專利範圍第1項或第5項所述的有機發光顯示裝置,其中,進一步包括圍繞每個像素區域的一堤部,該堤部形成為遮蔽該凹槽的一邊緣部分。
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