TWI691069B - 有機發光二極體顯示器 - Google Patents

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Abstract

根據本發明的例示性實施例之有機發光二極體顯示器包括：基板；彼此絕緣且在基板上相互交叉的掃描線和數據線；在基板上並連接到掃描線和數據線的第一電晶體；連接到第一電晶體的第二電晶體；連接到第二電晶體並具有切口的第一電極；在第一電極上的有機發光層；和於有機發光層上的第二電極，其中切口是在對應於數據線的位置。

Description

有機發光二極體顯示器
本發明實施例的態樣涉及一種顯示裝置。
有機發光二極體顯示器包括兩個電極和設置其間的有機發光層。從是電極的陰極注入的電子和從是另一個電極的陽極注入的電洞，在有機發光層中相互結合，以形成激子。光在激子釋放能量時發射。
有機發光二極體顯示器包括複數個像素，其中包括由陰極、陽極和有機發光層所構成的有機發光二極體。用於驅動有機發光二極體的複數個薄膜電晶體和電容器形成在每個像素中。
像素缺陷可能由於在每個像素中之電晶體及電容器的特性偏差或佈線短路或斷開而產生。在這種情況下，於缺陷像素的像素電路部分和有機發光二極體之間的連接佈線可被斷開成為黑像素，並且因此不被識別為亮點。
連接到故障像素的所有訊號線可以被斷開，且連接到有缺陷的像素的數據線也可以斷開以創建黑像素。然而，因為數據線連接到複數個正常的像素以及有缺陷的像素，連接到有缺陷的像素的數據線可被斷開，並且然後可以形成使數據訊號繞道之迂迴路徑，使得數據訊號可被施加到正常或無缺陷的像素。
例如，連接施加有恆定電壓之訊號線的一部分的連接橋和數據線的斷開部分可以形成迂迴路徑。此種連接橋可以透過濺射鎢或其類似物而形成。然而，當鎢被過度沉積時，連接橋可能被形成為比其其部分更為凸出。由於過度沉積造成的凸出可能提高與其其金屬或導電材料短路的可能性，如提高與位在連接橋上的像素電極短路的可能性，從而導致新的像素缺陷。
在此先前技術部分所公開的上述訊息只是為了增強對本發明背景的理解，因此其可能包含不構成先前技術的訊息。
本發明的實施例的態樣涉及一種顯示裝置和有機發光二極體顯示器。
根據本發明的實施例的態樣，即使在形成連接橋與數據線時，有過度沉積的導電材料況下，仍可以防止或降低在有機發光二極體顯示器中具有重疊導電層而短路的情況。
根據本發明的一些例示性實施例，有機發光二極體顯示器包括：基板；彼此絕緣並相互交錯在基板上的掃描線和數據線；在基板上並連接到掃描線和數據線的第一電晶體；連接到第一電晶體的第二電晶體；連接到第二電晶體並具有切口的第一電極；在第一電極上的有機發光層；和於有機發光層上的第二電極，其中切口是在對應於數據線的位置。
有機發光二極體顯示器可以進一步包括：在第二電晶體上且具有暴露第一電極之開口的像素限定層，其中像素限定層與切口重疊且有機發光層位在開口中。
切口可為從第一電極的一個邊緣朝向第一電極的中央之凹口。
切口的邊界線可以是在第一電極的邊界線。
有機發光二極體顯示器可以進一步包括：於基板上且於平行於數據線方向延伸的驅動電壓線或初始化電壓線，其中切口對應於驅動電壓線或初始化電壓線。
驅動電壓線或初始化電壓線可形成為網狀結構。
根據本發明一些例示性實施例，有機發光二極體顯示器包括：包括複數個像素之基板；彼此絕緣並相互交錯在基板上的掃描線和數據線；形成在像素中且分別連接到掃描線和數據線的第一電晶體；與掃描線和數據線分離，並排列為網格形狀的驅動電壓線；形成在每個像素中，並連接到第一電晶體和驅動電壓線的第二電晶體；連接到第二電晶體且於對應於數據線的位置具有切口的第一電極；在第一電極上的有機發光層；和於有機發光層上的第二電極，其中像素中之至少其一的第一電極與第二電晶體電性絕緣，重疊第一電極之數據線具有設置以透過雷射分割之第一位置及第二位置，連接到第二電晶體的驅動電壓線具有設置以透過雷射分割之第三位置及第四位置，且位於第三位置和第四位置之間的迂迴圖案的兩端分別設置以透過第一連接橋和第二連接橋電連接位於第一位置及第二位置的數據線的端部。
連接橋可以鎢形成。
其中連接橋的一端與數據線的一端設置以連接的部分可以是在切口。
根據本發明一些實施例的態樣，透過在陽極中形成切口，當透過使用連接橋形成迂迴路徑時，即使迂迴路徑的金屬或導電材料可能為過度沉 積，仍可減少或防止過度沉積的材料和有機發光二極體顯示器的陽極之間的短路情況。
61、62、63、64、65、66、67、68、69、81:接觸孔
70:切口
77:迂迴圖案
51、91、93、95、97:開口
99:像素限定層
100:基板
120:緩衝層
130:半導體
138:第二儲存電極
141:第一閘極絕緣層
142:第二閘極絕緣層
151、152、153、158、171、172、178:訊號線
154:儲存線
157:水平初始化電壓線
160:層間絕緣層
174:驅動連接部件
176:初始化連接部件
179:發光控制連接部件
180:鈍化層
190:像素限定層
260:封裝件
502:第一連接橋
504:第二連接橋
711、713、715、710A、710B:第一電極
720:有機發光層
730:第二電極
BP:旁路訊號
Cst、Cst2:儲存電容器
C1:第一位置
C2:第二位置
C3:第三位置
C4:第四位置
C5:第五位置
CH1:驅動線路
CH2:開關線路
Cst1:端
Dm:數據訊號
D1、D2、D3、D4、D5、D6、D7:汲極電極
ELVDD:驅動電壓
EM:發光控制訊號
ELVSS:公共電壓
G1、G2、G3、G4、G5、G6、G7:閘極電極
GS:第一訊號線
Id:驅動電流
Ioled:發光電流
Ibp:旁路電流
LD:有機發光二極體
PX:像素
Px1:第一像素
Px2:第二像素
Px3:第三像素
Ts:開關電晶體
S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7:源極電極
T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7:電晶體
Td:驅動電晶體
Sn、Sn-1:掃描訊號
W1、W2:寬度
Vint:初始化電壓
Vg:閘極電壓
第1圖是根據本發明一些例示性實施例的有機發光二極體顯示器的複數個像素的示意性佈局圖。
第2圖至第5圖是根據本發明一些例示性實施例的有機發光二極體顯示器的像素的示意性佈局圖。
第6圖是根據本發明一些例示性實施例的有機發光二極體顯示器的一個像素的等效電路圖。
第7圖是施加到根據本發明一些例示性實施例的有機發光二極體顯示器的一個像素的訊號的時序圖。
第8A圖是根據本發明一些例示性實施例的複數個有機發光二極體顯示器的佈局圖。
第8B圖是第8A圖所示之半導體及訊號線的一部分的佈局圖。
第9圖是沿第8A圖的線IX-IX所截取的剖視圖。
第10圖是根據本發明一些例示性實施例的有機發光二極體顯示器的佈局圖。
第11圖是解釋根據本發明一些例示性實施例的修復缺陷像素的方法圖。
根據本發明的幾個例示性實施例，在下文中參照附圖詳細描述，以使在本領域中的通常知識者容易理解。本發明可以幾個不同的形式實施，並且不限於在此描述的例示性實施例。
為了闡明本發明，將省略與詳細描述無關聯之本發明的一些態樣，且在整篇說明書中相同元件或均等物以相同的參考符號表示。
此外，在附圖中所示的每個元件的尺寸和厚度可任意地示出，以易於理解和便於描述，但本發明不限於此。在附圖中，層、膜、面板、區域等的厚度，為清楚起見而放大。在附圖中，誇大了一些層和區域的厚度以更易於理解和便於描述。
此外，除非有明確相反之描述，詞彙「包含(comprise)」及其變化形如「包含(comprises)」或「包含(comprising)」將被理解為包括所述元件而不排除還有其他元件。應理解，當元件(諸如層、膜、區或基板)被稱為在另一元件「上」時，其可直接在另一元件上，或亦可存在中間元件。另外，在說明書中，詞彙「上」是指定在物件部分的上方或下方，而不必然表示以重力方向為基礎地位在物件部分的上側。
此外，薄膜電晶體(TFTs)和電容器的數量不限於在附圖中所示出的數量及可以各種結構來形成有機發光二極體顯示器，其中一個像素可包括複數個電晶體和至少一電容器，並且進一步設置獨立佈線或不包括現有的佈線。這裡，像素是指用於顯示圖像的最小單元，且有機發光裝置透過複數個像素來顯示圖像。
另外，在本說明書中，片語“在平面上”指的是從頂部觀看目標部分，和片語“在橫截面上”指的是從側面觀看垂直切割目標部分所形成的橫截面。
此後，根據本發明例示性實施例的有機發光二極體顯示器將參照附圖進行說明。
第1圖是根據本發明例示性實施例的有機發光二極體顯示器的複數個像素的示意性佈局圖。
如第1圖所示，根據本發明例示性實施例的有機發光二極體顯示器的像素以矩陣排列。下文中，為了便於解釋，X軸方向稱為列，以及Y軸方向稱為行。
像素可以包括發射紅色、綠色和藍色中之一色之第一像素Px1、第二像素Px2，及第三像素Px3，例如，第一像素Px1可為紅色像素、第二像素Px2可為藍色像素、而第三像素Px3可為綠色像素。
第一像素Px1、第二像素Px2，及第三像素Px3分別包括連接到第一訊號線GS和第二訊號線S1的開關電晶體Ts和連接到第三訊號線S2的驅動電晶體Td，以及電性連接到驅動電晶體Td之有機發光元件。有機發光元件包括透過接觸孔連接到電晶體之第一電極711、713和715，形成在第一電極上的有機發光層，以及形成在有機發光層上的第二電極。此外，每個像素可以包括儲存電容器Cst(參見，如第6圖)。
第一像素Px1、第二像素Px2、及第三像素Px3的第一電極711、713和715的平面形狀可以是具有實質上長行方向形狀之四邊形。
第一電極711、713和715可以重疊的至少一訊號線，例如，施加有數據訊號之第二訊號線S1。第1圖中顯示施加有相應的數據訊號之對應數據線，然而其不限於此，其可重疊施加有其其像素的數據訊號的數據線。
此外，根據一些實施例，第一電極711、713和715可重疊施加有驅動電壓的第三訊號線S2。施加有恆定電壓，例如驅動電壓的第三訊號線S2可由網狀結構形成。此將參考第8圖來描述。
根據第1圖中所示的實施例，第三訊號線S2施加有驅動電壓，然而其不限於此，其可為施加有初始化電壓之初始化電壓線。
第一電極711、713和715有露出重疊第一電極711、713和715之訊號線之切口70。在第1圖中，重疊施加有數據訊號之第一訊號線S1，然而其不限於此，並且可重疊驅動電壓線和/或初始化電壓線。
切口70可以形成為從第一電極711、713和715之任一邊緣朝向第一電極711、713和715的中心之凹口。例如，切口可形成為從第一電極711、713和715垂直於訊號線(x軸方向)之一個邊緣朝向平行於訊號線之方向(y軸方向)之凹口。
根據一些實施例，切口的寬度W1可大於訊號線的寬度W2。切口70的平面形狀可以是具有平行於訊號線的邊緣的四邊形。
第2圖至第5圖是根據本發明另一例示性實施例的有機發光二極體顯示器的像素的示意性佈局圖。
在第2圖至第5圖中所示的有機發光二極體顯示器的像素相似或相同於第1圖的像素，因此將僅對一些差別進行詳細說明。
如第2圖至第4圖所示，根據本發明例示性實施例的有機發光二極體顯示器的像素可以包括發射紅色、綠色和藍色中之一色之第一像素Px1、第二像素Px2，及第三像素Px3，例如，第一像素Px1可為紅色像素、第二像素Px2可為藍色像素、而第三像素Px3可為綠色像素。
在第一行中，第一像素Px1和第二像素Px2根據行以預定間隔交替排列(例如，以交替順序排列)，在第二行中，而第三像素Px3以預定間隔在行方向上排列。
第一像素Px1、第二像素Px2、及第三像素Px3分別包括電晶體和電性連接到電晶體之有機發光元件。有機發光元件包括透過接觸孔連接到電晶體之第一電極711、713和715，形成在第一電極上的有機發光層，以及形成在有機發光層上的第二電極。
有機發光層設置在暴露第一電極之像素限定層之開口91、93及95內。
第一像素Px1和第二像素Px2的第一電極711和713的平面形狀可為具有實質上長行方向之四邊形，而第三像素Px3的第一電極715的平面形狀可為具有實質上長行方向的四邊形。
每個像素的第一電極711、713和715可透過接觸孔電性連接到電晶體，並且可具有方便連接之從第一電極711、713和715延伸的突出部。
第一像素Px1的突出部和第二像素Px2的突出部可突出至彼此面對，而第三像素Px3的突出部可以朝向第二像素Px2突出。
因此，大多數的第三像素Px3的第一電極715可以形成為交替地面對第一像素Px1的第一電極711和第二像素Px2的第一電極713。
同時，如第1圖所示，第一電極711、713和715可重疊形成在行方向的至少一訊號線S1和S2，且第一電極711、713和715有露出重疊第一電極711、713和715的訊號線的切口70。在這種情況下，訊號線S1和S2可以是數據線、驅動電壓線、或者初始化電壓線中之其一。像素限定層可以進一步包括重疊切口70的部分。
參照第2圖，切口70可形成為從第一電極711、713和715之任何一個邊緣朝向第一電極711、713和715的中心之凹口。例如，切口可形成為從第一電極711、713和715垂直於訊號線(x軸方向)之一個邊緣朝向平行於訊號線之方向(y軸方向)之凹口。
根據一些實施方式，切口的寬度可大於訊號線的寬度。切口的平面形狀可以是具有平行於訊號線的邊緣的四邊形。
另外，參考第3圖，切口70可形成為從平行於訊號線S1和S2(y軸方向)之任何一個邊緣朝向垂直於訊號線S1和S2之方向(x軸方向)之凹口。
在上述例示性實施例中，切口形成為具有從第一電極711、713和715的任何一個邊緣朝向中心之凹口形狀，然而其不限於此，並且如第4圖所示，切口70可設置在第一電極711、713和715的邊界線內。
在第2圖至第4圖中，切口70位在重疊訊號線S1和S2的區域且切口70的平面形狀形成為具有平行於訊號線S1的邊緣，以使切口70是大致為四邊形。然而，其不限於此，並且切口70可具有多邊形的各種平面形狀，例如圓形或三角形以暴露訊號線的邊界線。
同時，參考第5圖，像素可排列形成為Pentile矩陣。
第5圖之像素以矩陣配置，第一像素Px1和第二像素Px2根據行以預定間隔於第一行中交替排列(例如，以交替順序排列)，和根據在第二列中的列，而第三像素Px3可根據行以預定間隔於第二行中連續排列。
第一至第三像素Px1、Px2和Px3可以是紅色像素、藍色像素和綠色像素中的一個像素，且相同顏色的像素可以相對於位在第二列中的第三像素Px3對角線地設置。
例如，第一像素Px1可位於第三像素Px3的左上側和右下側而第二像素Px2可位於右上側和左下側。在這種情況下，第三像素Px3可為綠色像素、第一像素Px1可為紅色像素、而第二像素Px2可為藍色像素。
此種像素排列結構稱為pentile矩陣，且當共享相鄰像素時，施予表示顏色之渲染驅動(rendering driving)，由此透過小數目的像素實現高分辨率。
在第5圖中所示像素的第一電極711、713和715可能會重疊訊號線S1和S2中之至少其一，且在第5圖中，兩條訊號線一起重疊。
第一電極711、713和715有露出重疊第一電極711、713和715的訊號線S1和S2的切口70。在這種情況下，訊號線S1和S2可以是數據線、驅動電壓線、或者初始化電壓線中之其一。
切口70包括位在重疊訊號線的區域並暴露訊號線的邊界線。切口70的邊界線位於第一電極711、713和715的邊界線內，且切口的平面形狀可為具有平行於訊號線的邊緣的四邊形，然而其不限於此，並且其可以各種形狀形成。
如第1圖至第4圖所示，切口70可為從第一電極711、713和715之任何一個邊緣朝向第一電極711、713和715的中心之凹口的形狀。
在第2圖至第5圖的例示性實施例中所示之切口70可重疊像素限定層。即，如第1圖到第3圖所示，像素限定層的部分突出到開口的側邊以重疊切口70，並且如第4圖和第5圖所示，分離的島狀像素限定層99可以在開口91、93和95之內存在。如第1圖到第3圖所示，當像素限定層突出時，由於該突出，開口91、93和95包括根據切口70之形狀的凹口部分。
如上所述，作為本發明的例示性實施例，如果第一電極711、713和715形成為具有露出重疊第一電極711、713和715之訊號線之切口70，則可以防止第一電極711、713和715及用於修復的金屬層於修復過程中因為在製造過程中訊號線短路所致之短路，這將在下文中更詳細地描述。
接著，所述的有機發光二極體顯示器的像素將參照附圖更詳細地說明。
第6圖是根據本發明例示性實施例的有機發光二極體顯示器的一個像素的等效電路圖。
如第6圖所示，根據本發明例示性實施例的有機發光二極體顯示器包含複數個訊號線151、152、153、158、171、172和178，以及連接到複數個訊號線且實質上以矩陣形式排列之複數個像素PX。
一個像素PX包括複數個電晶體T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7；其連接到複數個訊號線151、152、153、158、171、172和178；儲存電容器Cst；和有機發光二極體LD。
電晶體T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7包含驅動電晶體T1、開關電晶體T2、補償電晶體T3、初始化電晶體T4、操作控制電晶體T5、發光控制電晶體T6、和旁路電晶體T7。
訊號線151、152、153、158、171、172和178包括傳送掃描訊號Sn之掃描線151、傳送前一掃描訊號Sn-1到初始化電晶體T4之前一掃描線152、傳送發光控制訊號EM到操作控制電晶體T5和發光控制電晶體T6之發光控制線153、傳送旁路訊號BP到旁路電晶體T7之旁路控制線158、與掃描線151交錯並傳送數據訊號Dm的數據線171、傳輸驅動電壓ELVDD且形成為實質上與數據線171平行之驅動電壓線172和傳送用於初始化驅動電晶體T1之初始化電壓Vint的初始化電壓線178。
驅動電晶體T1的閘極電極G1連接儲存電容器Cst的一端Cst1，驅動電晶體T1的源極電極S1經由操作控制電晶體T5與驅動電壓線172連接，而驅動電晶體T1的汲極電極D1經由發光控制電晶體T6與有機發光二極體LD的陽極電性連接。驅動電晶體T1根據開關電晶體T2的開關操作接收數據訊號Dm，以提供驅動電流Id至有機發光二極體LD。
開關電晶體T2的閘極電極G2與掃描線151相連，開關電晶體T2的源極電極S2與數據線171相連，而開關電晶體T2的汲極電極D2與驅動電晶體T1的源極電極S1連接並經由操作控制電晶體T5與驅動電壓線172連接。開關電晶體T2是根據透過掃描線151接收之掃描訊號Sn開啟，以執行將傳送至數據線171之數據訊號Dm傳輸至驅動電晶體T1的源極電極的開關操作。
補償電晶體T3的閘極電極G3直接與掃描線151相連，補償電晶體T3的源極電極S3連接到驅動電晶體T1的汲極電極D1並透過發光控制電晶體T6與有機發光二極體LD的陽極連接，而補償電晶體T3的汲極電極D3與驅動電晶體T1的閘極電極G1一起連接儲存電容器Cst的一端Cst1和初始化電晶體T4的汲極 電極D4。補償電晶體T3根據透過掃描線151接收之掃描訊號Sn開啟，以連接驅動電晶體T1的閘極電極G1和汲極電極D1並二極體連接驅動電晶體T1。
初始化電晶體T4的閘極電極G4與前一掃描線152相連，初始化電晶體T4的源極電極S4與初始化電壓線178相連，而初始化電晶體T4的汲極電極D4與儲存電容器Cst的一端Cst1連接並透過補償電晶體T3的汲極電極D3與驅動電晶體T1的閘極電極G1連接在一起。初始化電晶體T4根據透過前一掃描線152接收之前一掃描訊號Sn-1開啟，以傳輸初始化電壓Vint到驅動電晶體T1的閘極電極G1，然後執行驅動電晶體T1的閘極電極G1的初始化電壓的初始化操作。
操作控制電晶體T5的閘極電極G5與發光控制線153相連，操作控制電晶體T5的源極電極S5與驅動電壓線172相連，而操作控制電晶體T5的汲極電極D5與驅動電晶體T1的源極電極S1和開關電晶體T2的汲極電極D2連接。
發光控制電晶體T6的閘極電極G6連接到發光控制線153，發光控制電晶體T6的源極電極S6連接到驅動電晶體T1的汲極電極D1和補償電晶體T3的源極電極S3，而發光控制電晶體T6的汲極電極D6電性連接到有機發光二極體LD的陽極。操作控制電晶體T5和發光控制電晶體T6是根據傳輸到發光控制線153的發光控制訊號EM來同步開啟，使得驅動電壓ELVDD透過二極體連接的驅動電晶體T1補償，並且傳輸到有機發光二極體LD。
旁路電晶體T7的閘極電極G7連接到旁路控制線158，旁路電晶體T7的源極電極S7與有機發光二極體LD的陽極一起連接到發光控制電晶體T6的汲極電極D6，而旁路電晶體T7的汲極電極D7與初始化電晶體T4的源極電極S4一起連接到初始化電壓線178。
在這種情況下，旁路控制線158連接到前一掃描線152，使得旁路訊號BP與前一掃描訊號Sn-1一樣。此外，旁路訊號BP可以連接到前二掃描線Sn-2，使得可輸入與前二掃描線相同的掃描訊號，或者可輸入獨立的旁路訊號。如果旁路電晶體T7被開啟，流到有機發光元件的第一電極的剩餘電流透過旁路電晶體T7排出到初始化電晶體T4，抑制了有機發光元件由於剩餘的電流流到有機發光元件的第一電極所致的非預期發光。
儲存電容器Cst的另一端Cst2與驅動電壓線172相連接，而有機發光二極體LD的陰極與傳送公共電壓ELVSS之第二電極相連接。
同時，在本發明例示性實施例中，示出包括旁路電晶體T7之七電晶體和一個電容器的結構，但本發明不限於此，以及電晶體的數量和電容器的數量可進行各種變化。
下文中，根據本發明例示性實施方式的有機發光二極體顯示器的一個像素的詳細操作過程，將會參考第7圖更詳細地描述。
第7圖是施加到根據本發明例示性實施例的有機發光二極體顯示器的一個像素的訊號的時序圖。
如第7圖所示，首先，於初始化期間，具有低位準的前一掃描訊號Sn-1，透過前一掃描線152提供。然後，初始化電晶體T4響應於具有低位準的前一掃描訊號Sn-1而開啟，初始化電壓Vint透過初始化電晶體T4從初始化電壓線178供給至驅動電晶體T1的閘極電極G1，然後驅動電晶體T1被初始化電源Vint初始化。
此後，於數據編程期間，具有低位準的掃描訊號Sn透過掃描線151提供。然後，開關薄膜電晶體T2和補償電晶體T3響應於具有低位準的掃描訊號 Sn而開啟。此時，驅動電晶體T1透過開啟的補償電晶體T3來二極體連接且為順向偏壓。
然後，為從數據線171供給的數據訊號Dm減去驅動電晶體T1的閾值電壓Vth的補償電壓Dm+Vth(Vth為負值(-))被施加到驅動電晶體T1的閘極電極G1。也就是說，施加到驅動電晶體T1的閘極電極G1的閘極電壓Vg成為補償電壓(Dm+Vth)。驅動電壓ELVDD和補償電壓(Dm+Vth)被施加到儲存電容器Cst的兩端，且對應於兩端之間的電壓差的電荷被儲存在儲存電容器Cst中。
接著，在發光期間，從發光控制線153提供的發光控制訊號EM從高位準變為低位準。因而，操作控制電晶體T5和發光控制電晶體T6於發光期間藉由低位準的發光控制訊號EM而開啟。
因此，驅動電流Id係根據驅動電晶體T1的閘極電極G1的閘極電壓和驅動電壓ELVDD之間的電壓差而產生，且驅動電流Id透過發光控制電晶體T6被提供到有機發光二極體LD。驅動電晶體T1的閘-源電壓Vgs於發光期間藉由儲存電容器Cst保持為“(Dm+Vth)-ELVDD”，且根據驅動電晶體T1的電流-電壓關係，驅動電流Id正比於源-閘電壓減去閾值電壓而獲得的值的平方“(Dm-ELVDD)2”。因此，驅動電流Id的確定與驅動電晶體T1的閾值電壓Vth無關。
在這種情況下，旁路電晶體T7傳送來自旁路控制線158的旁路訊號BP。因此，驅動電流Id的一部分透過旁路電晶體T7排出作為旁路電流Ibp。
當顯示黑色圖像的驅動電晶體T1的最小電流作為驅動電流流動時，如果有機發光二極體(OLED)也發光時，則不正常地顯示黑色圖像。因此，根據本發明例示性實施例的有機發光二極體顯示的旁路電晶體T7可分散驅動電 晶體T1的部分最小電流作為通過有機發光二極體側之電流通路以外的電流通路之旁路電流Ibp。
於此，驅動電晶體T1的最小電流是指驅動電晶體T1因為驅動電晶體T1的閘-源電壓Vgs小於閾值電壓Vth而關閉的條件下之電流。在驅動電晶體T1關閉之條件下之最小驅動電流(例如，10pA以下的電流)被傳輸到有機發光二極體LD，以表現為具有黑色亮度的圖像。
當用於表示黑色圖像的最小驅動電流流動時，則對於旁路電流Ibp的旁路轉換可能有較大影響，但是，當表示像是正常圖像或白色圖像之圖像的較大驅動電流流動時，則對於旁路電流Ibp可為較小。
因此，當顯示黑色圖像的驅動電流流動時，則減去透過旁路電晶體T7從驅動電流Id流出之旁路電流Ibp的電流量之有機發光二極體LD的發光電流Ioled具有最小電流量，其作為可以精確地(或更精確地)表示黑色圖像的程度。因此，黑色亮度圖像可以透過使用旁路電晶體T7來確切地(或更精確地)實現，從而改善對比度。在第7圖中，旁路訊號BP是前一掃描訊號Sn-1，但是其不限於此。
以下，根據本發明例示性實施例的有機發光二極體顯示器的層狀結構將參照附圖進行說明。
第8A圖是根據本發明例示性實施例的複數個有機發光二極體顯示器的佈局圖，第8B圖是第8A圖所示之半導體及訊號線的一部分的佈局圖，而第9圖是沿第8A圖的線IX-IX所截取的剖視圖。
在下文中，根據本發明例示性實施例的有機發光二極體顯示器的詳細平面結構將首先參考第8A圖和第8B圖來進行詳細描述，而詳細的截面結構將參照第9圖進行詳細說明。
第8B圖僅示出半導體130和沿第8A圖的列方向形成的掃描線151、前一掃描線152、發光控制線153、水平初始化電壓線157、和旁路控制線158，且與第8A圖相同的參考符號係示於第8B圖中。
首先，如第8A圖和第8B圖所示，根據本發明例示性實施例的有機發光二極體顯示器包括掃描線151、前一掃描線152、發光控制線153、水平初始化電壓線157、和旁路控制線158，其分別施加掃描訊號Sn、前一掃描訊號Sn-1、發光控制訊號EM、初始化電壓Vint、及旁路訊號BP，並根據列方向形成。
此外，包括與掃描線151、前一掃描線152、發光控制線153、水平初始化電壓線157、和旁路控制線158交錯，並分別施加數據訊號Dm、驅動電壓ELVDD和初始化電壓Vint至像素PX的數據線171、驅動電壓線172、以及初始化電壓線178。在這種情況下，初始化電壓線178透過接觸孔連接到水平初始化電壓線157並由網格狀結構形成。另外，初始化電壓Vint經由初始化電晶體T4從初始化電壓線178傳輸至補償電晶體T3。
此外，在像素PX中形成驅動電晶體T1、開關電晶體T2、補償電晶體T3、初始化電晶體T4、操作控制電晶體T5、發光控制電晶體T6、旁路電晶體T7、儲存電容器Cst、以及有機發光二極體LD。有機發光二極體LD由第一電極710A和710B、有機發光層720、及第二電極730形成。在這種情況下，補償電晶體T3和初始化電晶體T4可設置為具有用於阻斷電流洩漏的雙閘結構的電晶體。
於一個連接之半導體130內形成驅動電晶體T1、開關電晶體T2、補償電晶體T3、初始化電晶體T4、操作控制電晶體T5、發光控制電晶體T6，及旁路電晶體T7中之每一個的通道，並且半導體130可以各種形式形成為彎曲的。
半導體130可由多晶矽或氧化物半導體形成。氧化物半導體可包括具有鈦(Ti)、鉿(Hf)、鋯(Zr)、鋁(Al)、鉭(Ta)、鍺(Ge)、鋅(Zn)、鎵(Ga)、錫(Sn)、或銦(In)作為基礎的氧化物，以及其複合氧化物中之任一，其複合氧化物如銦鎵鋅氧化物(InGaZnO4)、銦鋅氧化物(Zn-In-O)、鋅-錫氧化物(Zn-Sn-O)、銦-鎵氧化物(In-Ga-O)、銦-錫氧化物(In-Sn-O)、銦-鋯氧化物(In-Zr-O)、銦-鋯-鋅氧化物(In-Zr-Zn-O)、銦-鋯-錫氧化物(In-Zr-Sn-O)、銦-鋯-鎵氧化物(In-Zr-Ga-O)、銦-鋁氧化物(In-Al-O)、銦-鋅-鋁氧化物(In-Zn-Al-O)、銦-錫-鋁氧化物(In-Sn-Al-O)、銦-鋁-鎵氧化物(In-Al-Ga-O)、銦-鉭氧化物(In-Ta-O)、銦-鉭-鋅氧化物(In-Ta-Zn-O)、銦-鉭-錫氧化物(In-Ta-Sn-O)、銦-鉭-鎵氧化物(In-Ta-Ga-O)、銦-鍺氧化物(In-Ge-O)、銦-鍺-鋅氧化物(In-Ge-Zn-O)、銦-鍺-錫氧化物(In-Ge-Sn-O)、銦-鍺-鎵氧化物(In-Ge-Ga-O)、鈦-銦-鋅氧化物(Ti-In-Zn-O)，和鉿-銦-鋅氧化物(Hf-In-Zn-O)。當半導體130由氧化物半導體形成時，則可以添加獨立的鈍化層以保護氧化物半導體，氧化物半導體在外部環境中，如高溫環境下脆弱。
半導體130包括摻雜有N型雜質或P型雜質的通道，及形成在通道兩側且具有比摻雜在通道中的摻雜雜質更高的摻雜濃度的源極摻雜區和汲極摻雜區。
在本例示性實施例中，源極摻雜區和汲極摻雜區分別對應於源極電極和汲極電極。形成在半導體130中的源極電極和汲極電極可以僅由摻雜對應區域來形成。另外，在半導體130中不同電晶體的汲極電極和源極電極之間的區域也被摻雜，使源極電極和汲極電極可以彼此電性連接。
形成在半導體130中的通道包括形成在驅動電晶體T1的驅動通道、形成在開關電晶體T2的開關通道、形成在補償電晶體T3的補償通道、形成在初始化電晶體T4的初始化通道、形成在操作控制電晶體T5的操作控制通道、形成在發光控制電晶體T6的發光控制通道、和形成在旁路電晶體T7的旁路通道。
在這種情況下，通道可形成在重疊於電晶體的閘極電極的半導體130中。
驅動電晶體T1包括驅動半導體，其包括驅動通道CH1、驅動閘極電極G1、驅動源極電極S1和驅動汲極電極D1。驅動通道可為彎曲的，並可以具有曲折的形狀(例如，非線性或彎曲的形狀)或Z字形形狀。如上所述，驅動通道以彎曲形狀形成，使得能夠在狹窄空間內延長驅動通道。
因此，於驅動閘極電極G1和驅動源極電極S1之間的驅動閘-源電壓Vgs的驅動範圍透過延長之驅動通道而加寬。因此，由於驅動閘-源電壓Vgs的驅動範圍加寬，使得從有機發光二極體LD發射的光灰度可透過改變施加到驅動閘極電極G1的閘極電壓Vg的大小而被更精細地控制，並因此，有能夠增加有機發光二極體顯示器的分辨率並改善顯示品質。驅動通道的各種例示性實施例可以透過變化地改變驅動通道的形狀來實施，如“反S”的形狀、“S”的形狀、“M”的形狀，和“W”的形狀。
驅動閘極電極G1重疊驅動通道，且驅動源極電極S1和驅動汲極電極D1分別形成在鄰近於驅動通道兩側的半導體130中。驅動閘極電極G1透過接觸孔61連接到驅動連接部件174。
開關電晶體T2包括開關通道CH2、開關閘極電極G2、開關源極電極S2和開關汲極電極D2。從掃描線151向下延伸之開關閘極電極G2重疊開關通道CH2，且開關源極電極S2和開關汲極電極D2分別形成在相鄰於開關通道兩側的半導體130中。開關源極電極S2透過接觸孔62連接到數據線171。
補償電晶體T3包括補償通道、補償閘極電極G3、補償源極電極S3和補償汲極電極D3。
形成兩個補償閘極電極G3，以防止電流洩漏，且兩個補償閘極電極G3可以由是掃描線151的一部分的閘極電極，以及從掃描線151分離，然後再次連接到掃描線151之閘極電極形成。補償閘極電極G3重疊補償通道，且補償源極電極S3和補償汲極電極D3形成於相鄰補償通道兩側的半導體130中。補償汲極電極D3透過接觸孔63連接到驅動連接部件174。
初始化電晶體T4包括初始化通道、初始化閘極電極G4、初始化源極電極S4和初始化汲極電極D4。形成兩個初始化閘極電極G4，以防止電流洩漏且兩個初始化閘極電極G4可以由是前一掃描線152的一部分的閘極電極，以及從前一掃描線152延伸並向下突出的閘極電極形成。
初始化閘極電極G4重疊初始化通道且初始化源極電極S4和初始化汲極電極D4分別形成在相鄰的初始化通道兩側的半導體130中。初始化源極電極S4透過接觸孔64連接到初始化連接部件176，且初始化汲極電極D4連接到補償汲極電極D3。初始化連接部件176透過接觸孔68連接到水平初始化電壓線157。
操作控制電晶體T5包括操作控制通道、操作控制閘極電極G5、操作控制源極電極S5和操作控制汲極電極D5。為發光控制線153的部分之操作控制閘極電極G5重疊操作控制通道，且操作控制源極電極S5和操作控制汲極電極D5分別形成在鄰近於操作控制通道兩側的半導體130中。操作控制源極電極S5透過接觸孔65連接到驅動電壓線172的一部分。
發光控制電晶體T6包括發光控制通道、發光控制閘極電極G6、發光控制源極電極S6和發光控制汲極電極D6。為發光控制線153的一部分之發光控制閘極電極G6重疊發光控制通道，且發光控制源極電極S6和發光控制汲極電極D6分別形成在相鄰於發光控制通道兩側的半導體130中。發光控制汲極電極D6透過接觸孔66連接到發光控制連接部件179。
旁路電晶體T7包括旁路通道、旁路閘極電極G7、旁路源極電極S7及旁路汲極電極D7。旁路閘極電極G7為旁路控制線路158的一部分並重疊旁路通道，且旁路源極電極S7和旁路汲極電極D7分別形成在相鄰於旁路通道兩側的半導體中。旁路源極電極S7透過接觸孔81連接到發光控制連接部件179，且旁路汲極電極D7直接連接到初始化源極電極S4。
驅動電晶體T1的驅動通道的一端連接到開關汲極電極D2和操作控制汲極電極D5，並且驅動通道的另一端連接到補償源極電極S3和發光控制源極電極S6。
儲存電容器Cst包括第一儲存電極和第二儲存電極138及於其間的第二閘極絕緣層142。第一儲存電極對應於驅動閘極電極G1，且為從儲存線154延伸的一部分的第二儲存電極138佔據比驅動閘極電極G1更寬的區域，並覆蓋整個驅動閘極電極G1。於此，第二閘極絕緣層142可為介電材料且儲存電容是透過 充入儲存電容器Cst中的電荷和兩個電極之間的電壓來決定。如此一來，驅動閘極電極G1被用作為第一儲存電極，且由於驅動通道於像素內佔據大面積，因此在狹窄的空間中可以確保其中可形成儲存電容器的空間。
驅動連接部件174係於幾乎平行於數據線171的方向上延伸，並以與數據線171相同之層形成。驅動連接部件174的另一端透過接觸孔63連接到補償電晶體T3的補償汲極電極D3和初始化電晶體T4的初始化汲極電極D4。因此，驅動連接部件174連接至驅動閘極電極G1及補償電晶體T3的補償汲極電極D3和4初始化電晶體T4的初始化汲極電極D至彼此。
儲存線154透過接觸孔69連接到驅動電壓線172。因此，電容器Cst儲存對應於透過驅動電壓線172和儲存線154傳送到第二儲存電極138的驅動電壓ELVDD和驅動閘極電極G1的驅動閘極電壓Vg之間的差之儲存電容。
平行於數據線171延伸的初始化電壓線178透過接觸孔67連接到水平初始化電壓線157和透過初始化連接部件176和接觸孔64和68連接到初始化源極電極S4。
第8A圖和第8B圖所示之於複數個像素之間之一個像素的層狀結構，將參照第9圖以及第8A圖和第8B圖進行說明。
在這種情況下，主要說明驅動電晶體T1、開關電晶體T2和發光控制電晶體T6，因為補償電晶體T3、初始化電晶體T4和操作控制電晶體T5具有與驅動電晶體T1、開關電晶體T2和發光控制電晶體T6幾乎相同的層狀結構，所以省略其詳細描述。
緩衝層120形成在基板100上。基板100可以由玻璃、石英、陶瓷、塑料和其類似物製成的絕緣基板來形成，且緩衝層120可藉由在形成多晶矽的結 晶期間阻擋透過基板100雜質以提高多晶矽的特性，並減少施加到基板100的應力。
包括驅動通道、開關通道、補償通道、初始化通道、操作控制通道、發光控制通道及旁路通道之半導體130形成在緩衝層120上。
於半導體130之中，驅動源極電極S1和驅動汲極電極D1形成於驅動通道兩側，且開關源極電極S2和開關汲極電極D2形成於開關通道兩側。另外，補償源極電極S3和補償汲極電極D3形成在補償通道兩側，且初始化源極電極S4和初始化汲極電極D4形成在初始化通道兩側。另外，操作控制源極電極S5和操作控制汲極電極D5形成在操作控制通道兩側，且發光控制源極電極S6和發光控制汲極電極D6形成在發光控制通道兩側。另外，旁路源極電極S7和旁路汲極電極D7形成在旁路通道兩側。
為第一絕緣層第一閘極絕緣層141形成在半導體130上，以覆蓋半導體130。第一閘極線151、152、153和158，包括具有開關閘極電極G2和補償閘極電極G3之掃描線151、具有初始化閘極電極G4之前一掃描線152、具有操作控制閘極電極G5和發光控制閘極電極G6之發光控制線153、具有旁路閘極電極G7之旁路控制線158、和連接到第一儲存電極Cst1之驅動閘極電極G1形成在第一閘極絕緣層141上。
第一閘極線151、152、153和158可以由包括鉬(Mo)和鉬合金中之其一的金屬層來形成。
形成為第二絕緣層之第二閘極絕緣層142，其覆蓋第一閘極線151、152、153和158及第一閘極絕緣層141。第一閘極絕緣層141和第二閘絕緣層142可以由氮化矽(SiNx)或二氧化矽(SiO2)來形成。
第二閘極線154、157和159，包括形成平行於掃描線151的儲存線154、為從儲存線154延伸的部分之第二儲存電極Cst2、及平行於掃描線151的水平初始化電壓線157，形成在第二閘極絕緣層142上。
為第三絕緣層之層間絕緣層160形成在第二閘極絕緣層142和第二閘極線154、157和159上。層間絕緣層160可以由氮化矽(SiNx)或二氧化矽(SiO2)來形成。
層間絕緣層160具有接觸孔67、68，和69，層間絕緣層160和第二閘極絕緣層142具有接觸孔61和64，且層間絕緣層160、第二閘極絕緣層142和第一閘極絕緣層141具有接觸孔62、63、65和66。形成在層間絕緣層160上之數據線171、172、174、176、178和179，包括數據線171、驅動電壓線172、驅動連接部件174、初始化連接部件176、初始化電壓線178、以及發光控制連接部件179。
數據線171透過接觸孔62連接到開關源極電極S2，驅動連接部件174的一端透過接觸孔61連接到與第一儲存電極連接之驅動閘極電極G1，而補償汲極電極D3和初始化汲極電極D4透過接觸孔63連接到驅動連接部件174。
初始化電壓線178透過接觸孔67連接到水平初始化電壓線157，以及初始化連接部件176透過接觸孔64和68連接到水平初始化電壓線157和初始化源極電極S4。
此外，發光控制連接部件179透過接觸孔66連接到發光控制汲極電極D6。
數據線171、172、174、176、178和179可以由鈦/鋁/鈦(Ti/Al/Ti)、鉬/鋁/鉬((Mo/Al/Mo)或鉬/銅/鉬(Mo/Cu/Mo)的三層來形成。
形成覆蓋數據線171、172、174、176、178和179以及層間絕緣層160的鈍化層180。鈍化層180可由有機層來形成。
第一電極710A和710B形成在鈍化層180上。發光控制連接部件179透過形成在鈍化層180中的接觸孔81連接到第一電極710A和710B。第一電極710A和710B可以配置為具有第4圖的第一電極，且第8圖之第一電極710A和710B可以是第4圖的第一像素和第二像素的第一電極711和713。
形成覆蓋鈍化層180的邊緣和第一電極710A及710B之像素限定層(PDL)190，且像素限定層190具有露出第一電極710A和710B之像素開口97。像素限定層190可以由聚丙烯酸酯樹脂和聚醯亞胺樹脂或二氧化矽類之無機材料製成。
有機發光層720形成在由像素開口97露出的第一電極710A和710B上，且第二電極730形成在有機發光層720上。第二電極730也形成在像素限定層190上，從而在整個複數個像素上形成。如上所述，形成包括第一電極710A和710B、有機發光層720和第二電極730之有機發光二極體LD。
於此，第一電極710A和710B是陽極，其為電洞注入電極，而第二電極730是陰極，其為電子注入電極。然而，根據本發明的例示性實施例不必局限於此，且根據有機發光二極體顯示器的驅動方法，第一電極710A和710B可以是陰極而第二電極730可以是陽極。當電洞和電子分別從第一電極710A和710B以及第二電極730注入到有機發光層720，且透過組合注入之電洞和電子獲得的激子從激發態掉到基態時，則發光。
有機發光層720由低分子有機材料或高分子有機材料如聚(3,4-乙撐二氧噻吩)(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)，PEDOT)製成。此外，有機發 光層720可形成為具有多個層，其包括發光層、電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)、和電子注入層(EIL)中之其一。當有機發光層720包括所有的層時，則電洞注入層排列在為正電極之第一電極710A和710B上，而電洞輸送層、發光層、電子輸送層和電子注入層依次層疊在其上。
有機發光層720可包括發射紅色光之紅色有機發光層、發射綠色光之綠色有機發光層、和發射藍色光之藍色有機發光層，且紅色有機發光層、綠色有機發光層、以及藍色有機發光層分別形成於紅色像素、綠色像素和藍色像素，以實現彩色圖像。
另外，在有機發光層720中，所有的紅色有機發光層、綠色有機發光層和藍色有機發光層一起層疊在紅色像素、綠色像素和藍色像素上，且每一個像素地形成紅色濾色器、綠色濾色器和藍色濾色器，以實現彩色圖像。
作為另一個實施例，發射白光之白色有機發光層形成在紅色像素、綠色像素和藍色像素中之所有像素上，並每一個像素地形成紅色濾色器、綠色濾色器和藍色濾色器，以實現彩色圖像。當彩色圖像透過使用白色有機發光層和濾色器來實施時，則可不使用用於在各像素(例如，紅色像素、綠色像素和藍色像素)上沉積紅色有機發光層、綠色有機發光層及藍色有機發光層之沉積遮罩。
在另一實例中所述的白色有機發光層可以形成為一個有機發光層，並且可以包括透過層疊複數個有機發光層來發射白光的結構。例如，白色有機發光層可以包括透過組合至少一黃色有機發光層和至少一藍色有機發光層來發射白光的結構、透過組合至少一青色有機發光層和至少一紅色有機發光層 來發射白色光的結構、透過組合至少一洋紅色有機發光層和至少一綠色有機發光層來發射白色光的結構、及其類似的結構。
保護有機發光二極體LD的封裝件260可以在共同電極730上形成，且封裝件260可以透過密封件來密封至基板100並且可由各種材料形成，例如，玻璃、石英、陶瓷、塑料和金屬。另一方面，封裝件260可透過沉積無機層及有機層且使用密封劑而在第二電極730上形成。
第10圖是根據本發明另一例示性實施例的有機發光二極體顯示器的佈局圖。
第10圖所示的有機發光二極體顯示器大部分與第8A圖、第8B圖和第9圖大致相同，因此省略重複之描述。
如第10圖所示，根據本發明例示性實施例的有機發光二極體顯示器包括複數個訊號線和連接到複數個訊號線的複數個像素，並大致以矩陣形狀排列，並且每個像素包括複數個電晶體、儲存電容器、和連接到複數個訊號線的有機發光二極體LD。有機發光二極體包括第一電極、形成在第一電極上的有機發光層、和形成在有機發光層上的第二電極。在這種情況下，第一電極，如第5圖所示，由排列成pentile矩陣的第一電極711、713和715組成。
電晶體T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7包括驅動電晶體T1、開關電晶體T2、補償電晶體T3、初始化電晶體T4、操作控制電晶體T5、發光控制電晶體T6、和旁路電晶體T7。
驅動電晶體T1、開關電晶體T2、補償電晶體T3、初始化電晶體T4、操作控制電晶體T5、發光控制電晶體T6、及旁路電晶體T7中之每一的通道形成於一個連接的半導體130內，並且半導體130可以形成各種形式之彎曲。
訊號線包括掃描線151、前一掃描線152、發光控制線153、旁路控制線158、和水平初始化電壓線157，其分別施加掃描訊號Sn、前一掃描訊號Sn-1、發光控制訊號EM、旁路訊號BP、及初始化電壓Vint，並根據列方向形成。
此外，亦包括與掃描線151、前一掃描線152、發光控制線153、水平初始化電壓線157、和旁路控制線158交錯，並分別施加數據訊號Dm、驅動電壓ELVDD和初始化電壓Vint至像素PX的數據線171、驅動電壓線172、以及初始化電壓線178。在這種情況下，初始化電壓線178透過接觸孔67連接到水平初始化電壓線157並由網格狀結構形成。
同時，水平初始化電壓線157可以由與半導體130之相同材料和層來形成，且半導體130可以連接到水平初始化電壓線157。
水平初始化電壓線157可沿源極區和汲極區形成且摻雜有與源極區和汲極區相同的雜質以成為重摻雜區。因此，初始化源極電極S4可以直接連接到水平初始化電壓線157，而不須獨立的初始化連接部件。
第二儲存電極138可形成為重疊驅動閘極電極G1。因此，當第二儲存電極重疊驅動閘極電極時，第二儲存電極138可以具有露出驅動閘極電極G1之開口51以透過接觸孔61連接驅動閘極電極G1及驅動連接部件174。
驅動連接部件174透過接觸孔61和開口51連接到驅動閘極電極G1，且根據一些例示性實施例，開口51形成為大於接觸孔61。
接著，修復所述之有機發光二極體顯示器的方法將參照附圖描述。
第11圖是示出根據本發明例示性實施例修復缺陷像素的方法圖。
根據本發明的修復方法為阻擋施加到缺陷像素的訊號以使缺陷像素成為黑色像素。在第11圖中，描述第8A圖和第8B圖所示出的像素排列為例子，在這種情況下，與連接到右邊像素之第一電極710A連接的像素被稱為缺陷像素。
如第11圖所示，在第一電極710A中，切口70的邊界線位於第一電極710A的邊界線內。切出70重疊數據線171和驅動電壓線172。
此外，驅動電壓線172透過接觸孔連接到儲存線154，從而形成網格形狀。
具有上述像素排列的有機發光二極體顯示器的維修方法首先於形成數據線以測試像素的缺陷之後，施加於訊號。在這種情況下，數據線171和下層之儲存線154可能短路，從而產生缺陷像素，或數據線和相鄰的驅動電壓線可能由於顆粒而短路且變成缺陷。
於此態樣，如果缺陷像素被確認，則連接到缺陷像素的訊號線斷開，以不施加訊號來驅動像素，從而執行維修過程，使缺陷像素變成黑色像素。
例如，為了使缺陷像素變成黑像素，首先例如，透過使用雷射，將連接到缺陷像素的數據線171斷開。在這種情況下，斷開連接位於鄰近第一電極710A之第一位置C1和第二位置C2，以隔離與缺陷像素的第一電極710A交錯的數據線171。
此外，為了不將訊號施加到連接第一電極710A的發光控制電晶體，例如，透過使用雷射，將連接到發光控制電晶體的汲極電極D6之第三位置C3斷開。
因此，如果第一至第三位置C1、C2和C3被斷開，則完全阻斷了施加於缺陷像素的訊號，使得缺陷像素進一步不發射而成為黑色像素。
接下來，透過使用驅動電壓線172的部分來修復缺陷像素，形成傳遞數據訊號的迂迴路徑以連接所劃分的數據線。
也就是，透過斷開位於缺陷像素附近的驅動電壓線172的第四位置C4和第五位置C5，形成其中部分的驅動電壓線與驅動電壓線分開以之迂迴圖案77。
由於驅動電壓線電性連接到水平驅動電壓線以成為網格狀，雖然形成迂迴圖案77，但是驅動電壓沿著網格狀結構的水平驅動電壓線(L1)移動，從而驅動電壓可以施加到缺陷像素以外的其他像素。
接著，形成連接迂迴圖案77及數據線171的第一連接橋502和第二連接橋504。第一連接橋502和第二連接橋504可以透過濺射鎢來形成。在這種情況下，第一連接橋502形成以連接到透過第一電極710A之切口70露出之數據線171。
因此，透過形成第一連接橋502和第二連接橋504，沿著數據線171傳送的數據訊號不施加到缺陷像素，然後數據訊號透過第一連接橋502、迂迴圖案77和第二連接橋504(L2)傳送到於缺陷像素旁邊的像素。
如果完成缺陷像素的修復過程，則形成具有接觸孔的鈍化層180，及在鈍化層上形成第一電極。
在這種情況下，第一電極710A的切口70形成為對應其中第一連接橋502和數據線171連接的部分。
如上所述，透過將第一電極710A的切口70置於數據線171和第一連接橋502重疊之部分，即使第一連接橋502被過度沉積，使其變得突出，仍可防止第一電極710A和第一連接橋502短路。如果第一連接橋502由於過度沉積而突出，則第一電極710A和第一連接橋502為短路，使得數據訊號直接施加到第一電極710A，從而缺陷像素可為亮點。
然而，如在本發明的描述中，透過形成切口70、第一電極710A和第一連接橋502不短路，使得其可以防止或減少缺陷像素成為亮點的情況。
儘管本發明已經結合當前被認為實際的例示性實施例進行了描述，但是應當理解，本發明不限於公開的實施例，而是與此相反，意在涵蓋包含於所附申請專利範圍的精神和範圍內之各種修改和等同配置，及其均等物。
70:切口
711、713、715:第一電極
GS:第一訊號線
S1、S2:訊號線
Px1:第一像素
Px2:第二像素
Px3:第三像素
W1、W2:寬度
Td:驅動電晶體
Ts:開關電晶體

Claims (9)

  1. 一種有機發光二極體顯示器，其包含：一基板；一掃描線和一數據線，彼此絕緣且相互交錯在該基板上；一第一電晶體，於該基板上且連接到該掃描線和該數據線；一第二電晶體，連接到該第一電晶體；一第一電極，連接到該第二電晶體並具有一切口；一有機發光層，於該第一電極上；以及一第二電極，於該有機發光層上，其中該切口是在對應於該數據線的位置，且該切口之寬度係大於該數據線之寬度以延伸跨越該數據線。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，進一步包含：一像素限定層，在該第二電晶體上並具有暴露該第一電極之一開口。其中該像素限定層重疊該切口且該有機發光層位在該開口中。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中該切口為從該第一電極的一個邊緣朝向該第一電極中央之凹口。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中該切口的一邊界線是在該第一電極的一邊界線中。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其進一步包含： 一驅動電壓線或一初始化電壓線，於該基板上且平行於該數據線方向延伸，其中該切口對應於該驅動電壓線或該初始化電壓線。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之有機發光二極體顯示器，其中該驅動電壓線或該初始化電壓線形成為一網狀結構。
  7. 一種有機發光二極體顯示器包括：一基板，包括複數個像素；一掃描線和一數據線，彼此絕緣且相互交錯在該基板上；一第一電晶體，形成在該複數個像素中之每一個像素中並在該像素中分別連接到該掃描線和該數據線；一驅動電壓線，與該掃描線和該數據線分離，並排列為一網格形狀；一第二電晶體，形成在該複數個像素中之每一個像素中，並連接到該第一電晶體和該驅動電壓線；一第一電極，連接到該第二電晶體並在對應於該數據線的位置具有一切口；一有機發光層，於該第一電極上；以及一第二電極，於該有機發光層上，其中該複數個像素中之至少一個像素的該第一電極與該第二電晶體電性絕緣，重疊該第一電極之該數據線具有設置以透過雷射分割之一第一位置及一第二位置，連接到該第二電晶體的該驅動電壓線具有設置以透過雷射分割之一第三位置及一第四位置，且位於該第三位置和該第四位置之間的一迂迴圖案的兩端分別設置 以透過一第一連接橋和一第二連接橋電連接到位於該第一位置及該第二位置的該數據線的端部。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之有機發光二極體顯示器，其中該第一連接橋和該第二連接橋係以鎢形成。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之有機發光二極體顯示器，其中該第一連接橋的一端與該數據線的一端設置以連接的部分是在該切口。
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