TWI688970B

TWI688970B - 生理健康檢測的操作方法和裝置

Info

Publication number: TWI688970B
Application number: TW107119278A
Authority: TW
Inventors: 黃建東
Original assignee: 上海耕岩智能科技有限公司
Priority date: 2017-08-30
Filing date: 2018-06-05
Publication date: 2020-03-21
Also published as: CN109427244B; US11911133B2; TW201913429A; CN109427244A; US20200229709A1; WO2019041810A1

Abstract

本發明提供了一種生理健康檢測的操作方法和裝置，通過在顯示單元上設置身體部分識別區，並在所述身體部分識別區下方設置傳感單元，使得使用者將身體部分靠近身體部分識別區時，傳感單元可以捕捉到身體部分反射的光訊號資訊，處理單元可以根據身體部分反射的光訊號資訊，得到該身體部分對應的生理健康資訊，並在顯示單元上顯示所述生理健康資訊。相較於現有移動設備在顯示幕區域之外額外設置感測器的方式，本發明一方面方便了用戶操作，提升了用戶體驗，另一方面可以有效縮小移動設備的整體厚度，使得移動設備更加輕薄、滿足市場的需求。

Description

生理健康檢測的操作方法和裝置

本發明是有關於電子設備應用領域，且特別是有關於一種生理健康檢測的操作方法和操作裝置。

隨著科技的發展和技術的進步，觸控顯示面板已經廣泛應用在需要進行人機交互介面的裝置中，如工業電腦的操作螢幕、平板電腦、智慧手機的觸控螢幕等等。

液晶顯示(LCD)屏或主動矩陣式有機發光二極體(AMOLED)顯示幕，皆是以薄膜電晶體(TFT)結構掃描並驅動單一畫素，以實現屏上畫素陣列之顯示功能。形成TFT開關功能的主要結構為半導體場效電晶體 (FET)，其中熟知的半導體層主要材料有非晶矽、多晶矽、氧化銦鎵鋅(IGZO)、或是混有碳納米材料之有機化合物等等。由於光偵測二極體(Photo Diode)的結構亦可採用此類半導體材料製備，且生產設備也相容於TFT陣列的生產設備，因此近年來TFT驅動與掃描的光偵測二極體開始以TFT陣列製備方式作生產，並廣泛應用在X光感測平板元件，如中華人民共和國專利CN103829959B、CN102903721B所描述。

實際上在光偵測的應用上，TFT結構即具備光敏功能的特性：一般藉由閘極電壓控制TFT操作在關閉狀態時，源極到汲極之間不會有電流通過；然而當TFT受光源照射時，由於光的能量在半導體激發出電子-電洞對，TFT結構的場效應作用會使電子-電洞對分離，進而使TFT產生漏電流。這樣的漏電流特性讓TFT陣列逐漸被應用在光偵測或紅外光偵測之技術上，例如中華人民共和國專利CN100568072C、CN105044952A所描述。若將此類熟知的TFT光感測陣列薄膜配置在顯示幕結構內，可作為將光偵測功能集成在顯示幕之一種實現方案。

傳統的TFT元件結構設計在光偵測應用上，仍有必須要改善的特性：正常環境光的照明可能包含從最暗區域到最亮區域的3個數量級以上（60 dB）的變化，使用操作在關閉區的TFT漏電流進行紅外光偵測應用，需要增加TFT的光敏感度 (photosensitivity)、提高元件的訊號雜訊比（SNR），並避免增加了整體系統的複雜性以及功耗。

綜上，針對穿戴式電子裝置而言，人機交互介面技術仍有眾多進步空間。以生理健康資料檢測為例，目前主要依賴於終端與物聯網設備交互來完成，其需要使用者佩戴額外的物聯網設備（如智慧手環、智慧手錶等），以便對使用者的生理健康資料進行檢測，增加了設備成本。而若要在終端設備上直接實現生理健康資料檢測功能，則需要在終端的螢幕區域以外額外置於相應的感測器（如光敏感測器），這種設置方式一方面增加了終端加工安裝的難度，另一方面也增加了終端整體的厚度，限制了終端螢幕薄型化及可捲曲式應用的發展。

為此，需要提供一種生理健康檢測的技術方案，用於解決現有的終端在實現生理健康資料檢測時，由於需要在顯示幕之外的區域額外設置感測器，導致終端安裝難度增加、限制了終端螢幕薄型化及可捲曲式應用的發展等問題。

為實現上述目的，發明人提供了一種生理健康檢測的操作方法，所述方法應用於生理健康檢測的操作裝置，所述裝置包括顯示單元、傳感單元和處理單元；所述顯示單元上設置有身體部分識別區，所述傳感單元設置於所述身體部分識別區的下方；所述方法包括以下步驟：

傳感單元在接收到光源觸發訊號時，發出光訊號，以及接收使用者身體部分反射的光訊號，捕捉使用者的身體部分資訊，並記錄身體部分反射的光訊號資訊；

處理單元根據身體部分反射的光訊號資訊，得到該身體部分對應的生理健康資訊，並在顯示單元上顯示所述生理健康資訊。

在本發明的一實施例中，所述捕捉使用者的身體部分資訊包括：當檢測到身體部分與傳感單元之間的距離小於預設距離時，捕捉身體部分資訊。

在本發明的一實施例中，所述接收使用者身體部分反射的光訊號，捕捉使用者的身體部分資訊包括：

傳感單元接收偵測觸發訊號，處於光偵測狀態，並接收使用者身體部分反射的光訊號以捕捉使用者的身體部分資訊；光源觸發訊號與偵測觸發訊號交替切換，並符合一預設頻率。

在本發明的一實施例中，所述捕捉使用者的身體部分資訊包括：

根據捕捉到的使用者的身體部分資訊計算其特徵值，並與預設身體部分資訊的特徵值進行對比；當誤差小於預設值時，判定為捕捉到身體部分資訊匹配成功，否則判定為捕捉到的身體部分資訊匹配失敗。

在本發明的一實施例中，所述方法還包括步驟：

當判定捕捉到的身體部分資訊匹配失敗時，發出提示資訊。

在本發明的一實施例中，所述提示資訊包括聲音提示資訊、圖像提示資訊、光線提示資訊、視頻提示資訊中的一種或多種。

在本發明的一實施例中，所述傳感單元包括TFT影像感測陣列薄膜，所述TFT影像感測陣列薄膜包括光敏二極體或光敏電晶體所形成的陣列。

在本發明的一實施例中，所述光敏二極體或光敏電晶體所形成的陣列，其光偵測波長範圍包含可見光波段或是紅外光波段。

在本發明的一實施例中，所述TFT影像感測陣列薄膜為光敏二極體所形成的陣列，所述光敏二極體所形成的陣列包括光敏二極體感應區，所述光敏二極體感應區包括光敏二極體層，所述光敏二極體層包括p型半導體層、i型半導體層、n型半導體層，p型半導體層、i型半導體層、n型半導體層自上而下堆疊設置，所述i型半導體層為微晶矽結構或非結晶矽化鍺結構。

在本發明的一實施例中，所述微晶矽結構為矽烷與氫氣通過化學氣相沉積成膜的半導體層，微晶矽的結構的結晶度大於40%，且其禁帶寬度小於1.7 eV。

在本發明的一實施例中，所述非結晶矽化鍺結構為矽烷、氫氣與鍺烷通過化學氣相沉積成膜的非結晶半導體層，且其禁帶寬度小於1.7 eV。

在本發明的一實施例中，所述p型半導體層的上端面設置有第一光學元件，所述第一光學元件用於降低光線在p型半導體層的上端面的反射率、或是減小光線在p型半導體層的折射角度以增加光入射量。

在本發明的一實施例中，所述n型半導體層的下端面還設置有第二光學元件，所述第二光學元件用於提高光線在n型半導體層的下端面的反射率。

在本發明的一實施例中，所述TFT影像感測陣列薄膜為光敏電晶體所形成的陣列，所述光敏電晶體所形成的陣列包括光敏電晶體感應區，所述光敏電晶體感應區設置有光敏薄膜電晶體，所述光敏薄膜電晶體包括閘極、源極、汲極、絕緣層、光吸收半導體層；所述光敏薄膜電晶體為倒立共平面式結構，所述倒立共平面式結構包括：所述閘極、絕緣層、源極縱向自下而上設置，所述汲極與所述源極橫向共面設置；絕緣層包裹所述閘極，以使得閘極與源極、閘極與汲極之間均不接觸；源極和汲極之間間隙配合，源極和汲極橫向之間形成光敏漏電流通道，所述光吸收半導體層設置於光敏漏電流通道內。

在本發明的一實施例中，所述源極和汲極的數量均為多個，源極和源極之間相互並聯，汲極和汲極之間相互並聯；所述源極和汲極之間間隙配合，源極和汲極橫向之間形成光敏漏電流通道包括：相鄰的源極之間形成第一間隙，一個汲極置於所述第一間隙內，相鄰的汲極之間形成第二間隙，一個源極置於所述第二間隙內，源極和汲極之間交錯設置且間隙配合。

在本發明的一實施例中，所述顯示單元乃是以主動矩陣薄膜電晶體作為掃描驅動與傳輸資料的顯示幕，包括：AMOLED顯示幕、LCD液晶顯示幕、微發光二極體顯示幕、量子點顯示幕、或是電子墨水顯示幕。

在本發明的一實施例中，當所述顯示單元為LCD液晶顯示幕或電子墨水顯示幕時，所述傳感單元的下方還設置有背光單元，所述傳感單元設置於背光單元和LCD液晶顯示幕之間。

在本發明的一實施例中，所述身體部分識別區包括多個身體部分識別子區域，每一身體部分識別子區域的下方對應設置一傳感單元。

在本發明的一實施例中，所述裝置還包括傳感單元控制電路，所述方法還包括：

接收對身體部分識別子區域的啟動指令，傳感單元控制電路開啟所述身體部分識別子區域的下方的傳感單元，以及接收對身體部分識別子區域的關閉指令，傳感單元控制電路關閉所述身體部分識別子區域的下方的傳感單元。

在本發明的一實施例中，所述生理健康資訊包括血壓指數、血量、體脂含量、血氧飽和度、脈率、心肺指數、心電圖中的任意一種或多種。

發明人還提供了一種生理健康檢測的操作裝置，所述裝置包括顯示單元、傳感單元和處理單元；所述顯示單元上設置有身體部分識別區，所述傳感單元設置於所述身體部分識別區的下方；

所述傳感單元用於在接收到光源觸發訊號時，發出光訊號，以及用於接收使用者身體部分反射的光訊號，捕捉使用者的身體部分資訊，並記錄身體部分反射的光訊號資訊；

所述處理單元用於根據身體部分反射的光訊號資訊，得到該身體部分對應的生理健康資訊，並在顯示單元上顯示所述生理健康資訊。

在本發明的一實施例中，傳感單元用於捕捉使用者的身體部分資訊包括：傳感單元用於在檢測到身體部分與傳感單元之間的距離小於預設距離時，捕捉身體部分資訊。

在本發明的一實施例中，傳感單元用於接收使用者身體部分反射的光訊號，捕捉使用者的身體部分資訊包括：

傳感單元用於接收偵測觸發訊號，處於光偵測狀態，並用於接收使用者身體部分反射的光訊號以捕捉使用者的身體部分資訊；光源觸發訊號與偵測觸發訊號交替切換，並符合一預設頻率。

處理單元用於根據傳感單元捕捉到的使用者的身體部分資訊計算其特徵值，並與預設身體部分資訊的特徵值進行對比；當誤差小於預設值時，判定為傳感單元捕捉到身體部分資訊匹配成功，否則判定為傳感單元捕捉到的身體部分資訊匹配失敗。

在本發明的一實施例中，所述裝置包括提示單元，所述處理單元用於在處理單元判定捕捉到的身體部分資訊匹配失敗時，發出提示資訊。

在本發明的一實施例中，所述裝置還包括傳感單元控制電路，所述傳感控制電路用於接收對身體部分識別子區域的啟動指令，開啟身體部分識別子區域的下方的傳感單元；以及用於接收對身體部分識別子區域的關閉指令，關閉所述身體部分識別子區域的下方的傳感單元。

基於上述，本發明具有以下優點：通過在顯示單元上設置身體部分識別區，並在所述身體部分識別區下方設置傳感單元，使得使用者將身體部分靠近身體部分識別區時，處理單元可以根據身體部分反射的光訊號資訊，得到該身體部分對應的生理健康資訊，並在顯示單元上顯示所述生理健康資訊。相較於現有移動設備在顯示幕區域之外額外設置感測器的方式，本發明一方面方便了用戶操作，提升了用戶體驗，另一方面可以有效縮小移動設備的整體厚度，使得移動設備更加輕薄、滿足市場的需求。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

為詳細說明技術方案的技術內容、構造特徵、所實現目的及效果，以下結合具體實施例並配合附圖詳予說明。

請參閱圖1，為本發明一實施方式涉及的生理健康檢測的操作方法的流程圖。所述方法應用於生理健康檢測的操作裝置，所述裝置包括顯示單元、傳感單元和處理單元；所述顯示單元上設置有身體部分識別區，所述傳感單元設置於所述身體部分識別區的下方。所述裝置為具有觸摸顯示幕的電子設備，如是手機、平板電腦、個人數位助理等智慧移動設備，還可以是個人電腦、工業裝備用電腦等電子設備。所述方法包括以下步驟：

首先進入步驟S101傳感單元在接收到光源觸發訊號時，發出光訊號，以及接收使用者身體部分反射的光訊號，捕捉使用者的身體部分資訊，並記錄身體部分反射的光訊號資訊。所述使用者身體部分顧名思義，為使用者身體的一部分，包括頭部、胸部、手部、腳部等，具體可以根據實際需要進行選擇。例如用戶想要獲得當前自身的脈率，則只需將脈搏部位靠近身體部分識別區即可。

而後進入步驟S102處理單元根據身體部分反射的光訊號資訊，得到該身體部分對應的生理健康資訊，並在顯示單元上顯示所述生理健康資訊。所述生理健康資訊包括血壓指數、血量、體脂含量、血氧飽和度、脈率、心肺指數、心電圖中的任意一種或多種。在本實施方式中，所述顯示單元乃是以主動矩陣薄膜電晶體作為掃描驅動與傳輸資料的顯示幕，包括：AMOLED顯示幕、LCD液晶顯示幕、微發光二極體顯示幕、量子點顯示幕、或是電子墨水顯示幕。

當光線穿過人體皮膚進入到體表以下人體其他組織時，有些光線將被吸收，有些光線會發生反射、散射等情況，光路的變化取決於皮膚以下組織的構造。一般情況下，人體血液可以吸收比周圍組織更多的光，因而當光訊號遇到更多的血液時，反射回的光訊號就越少。因此可以通過檢測身體部分反射回的光訊號資訊，得到使用者對應的血量資訊。

對於脈率而言，人體的血液體積一般隨著脈搏的每次跳動增加或減少，因而處理單元也可以對反射的光訊號資訊進行分析，得到使用者血液體積的變化資訊，進而獲得脈率資料並在顯示單元上進行顯示。至於血壓指數、體脂含量、血氧飽和度、心肺指數、心電圖等，同理可得，此處不再贅述。簡言之，通過傳感單元發出光訊號以及檢測反射回的光訊號資訊，可以獲得當前人體的一些組織結構資訊，再經過處理單元進一步分析轉換，即可得到對應的生理健康資訊。

在某些實施例中，所述捕捉使用者的身體部分資訊包括：當檢測到身體部分與傳感單元之間的距離小於預設距離時，捕捉身體部分資訊。傳感單元可以通過檢測發出光訊號以及接收到反射回的光訊號的時間差，來判斷當前使用者的身體部分與傳感單元之間的距離。在另一些實施例中，傳感單元還可以通過感知周圍環境光強變化來判斷身體部分與傳感單元之間的距離是否小於預設距離。只有在身體部分與傳感單元之間的距離小於預設距離時，傳感單元才對身體部分資訊進行捕捉，可以有效避免用戶的誤操作，更加符合用戶的使用習慣，提高用戶的感官體驗。

在某些實施例中，所述捕捉使用者的身體部分資訊包括：根據捕捉到的使用者的身體部分資訊計算其特徵值，並與預設身體部分資訊的特徵值進行對比；當誤差小於預設值時，判定為捕捉到身體部分資訊匹配成功，否則判定為捕捉到的身體部分資訊匹配失敗。

在本發明的一實施例中，所述方法還包括步驟：當判定捕捉到的身體部分資訊匹配失敗時，發出提示資訊。所述提示資訊包括聲音提示資訊、圖像提示資訊、光線提示資訊、視頻提示資訊中的一種或多種。所述聲音提示資訊包括提示使用者再次將身體部分靠近識別區的語音提示資訊，所述圖像提示資訊包括提示使用者再次將身體部分靠近識別區的彈窗提示資訊，所述視頻提示資訊包括提示使用者再次將身體部分靠近識別區的動畫提示資訊，光線提示資訊包括改變螢幕亮度或者讓顯示幕發出不同顏色的光線等。簡言之，提示資訊主要是起到警示作用，告知使用者傳感單元並未捕捉到身體部分資訊，以便使用者及早發現進行處理。

在某些實施例中，所述傳感單元包括TFT影像感測陣列薄膜，所述TFT影像感測陣列薄膜包括光敏二極體或光敏電晶體所形成的陣列。所述光敏二極體或光敏電晶體所形成的陣列，其光偵測波長範圍包含可見光波段或是紅外光波段。所述TFT影像感測陣列薄膜由MxN個TFT影像感測薄膜組成，每一TFT影像感測薄膜對應偵測一個像素，因而TFT影像感測陣列薄膜可以用於偵測MxN個像素，以形成相應影像。

對於每一個TFT影像感測薄膜而言，有以下幾種實現方式：

實施例一：

所述TFT影像感測陣列薄膜為光敏二極體所形成的陣列，所述光敏二極體所形成的陣列包括光敏二極體感應區。現有的液晶顯示(LCD)面板或有機發光二極體(OLED)顯示面板，皆是以TFT結構驅動掃描單一像素，以實現面板上像素陣列的顯示功能。形成TFT開關功能的主要結構為半導體場效電晶體 (FET)，其中熟知的半導體層材料主要有非晶矽、多晶矽、氧化銦鎵鋅(IGZO)、或是混有碳納米材料之有機化合物等等。由於光感測二極體的結構亦可採用此類半導體材料製備，且生產設備也相容於TFT陣列的生產設備，因此近年來TFT光偵測二極體（即光敏二極體）開始以TFT陣列製備方式進行生產。現有的光敏二極體的具體結構可以參考美國專利US6943070B2、中華人民共和國專利 CN204808361U中對傳感單元結構的描述。TFT影像感測陣列薄膜的生產工藝與顯示面板TFT結構不同的是：原本在顯示面板的像素開口區域，在生產工藝上改為光感測區域。其TFT製備方式可以採用薄型玻璃為基材，亦可採用耐高溫塑性材料為基材，如美國專利US6943070B2所述。

現有的TFT影像感測陣列薄膜易受周圍環境光或者顯示幕像素所發出的可見光的反射、折射等因素影響，造成光學幹擾，嚴重影響內嵌於顯示面板下方的TFT影像感測陣列薄膜的訊號雜訊比（SNR），為了提高訊號雜訊比，如圖2所示，本發明的傳感單元做了進一步改進，使得TFT影像感測陣列薄膜可以偵測識別使用者身體部分反射回的紅外訊號。具體結構如下：

所述光敏二極體層包括p型半導體層、i型半導體層、n型半導體層，p型半導體層、i型半導體層、n型半導體層自上而下堆疊設置，所述i型半導體層為微晶矽結構或非結晶矽化鍺結構。所述微晶矽結構為矽烷與氫氣通過化學氣相沉積成膜的半導體層，微晶矽的結構的結晶度大於40%，且其禁帶寬度小於1.7 eV。所述非結晶矽化鍺結構為矽烷、氫氣與鍺烷通過化學氣相沉積成膜的非結晶半導體層，且其禁帶寬度小於1.7 eV。

禁帶寬度(Band gap)是指一個帶隙寬度(單位是電子伏特(eV))，固體中電子的能量是不可以連續取值的，而是一些不連續的能帶，要導電就要有自由電子存在，自由電子存在的能帶稱為導帶（能導電），被束縛的電子要成為自由電子，就必須獲得足夠能量從價帶躍遷到導帶，這個能量的最小值就是禁帶寬度。禁帶寬度是半導體的一個重要特徵參量，其大小主要決定於半導體的能帶結構，即與晶體結構和原子的結合性質等有關。

在室溫下（300K），鍺的禁帶寬度約為0.66ev，矽烷中含有鍺元素，當摻入鍺元素後，會使得i型半導體層的禁帶寬度下降，當滿足小於1.7 eV時，說明i型半導體層可以接收可見光至紅外光（或近紅外光）波長範圍內的光訊號。通過調整化學氣象沉積的GeH₄ 濃度，可以將含有非晶或微晶矽化鍺結構的光敏二極體的操作波長範圍擴展到光波長 600nm 到2000 nm 的範圍。

實施例二：

在採用實施例一的基礎上，為了提高光電轉換之量子效率，非晶矽光電二極體也可採用雙結以上p型/i型/n型結構堆疊形成。該光電二極體第一結層p型/i型/n型材料仍然為非晶矽結構，第二結層以上p型/i型/ n型材料可以為微晶結構、多晶結構或是摻有可擴展光敏波長範圍之化合物材料。簡言之，可以採用多組p型/i型/n型結構上下堆疊來實現組成光敏二極體結構，對於每一個p型/i型/n型結構，則採用實施例一所描述的光敏二極體結構。

實施例三：

在採用實施例一或二的基礎上，對於每一個p型/i型/n型結構而言，其中的p型半導體層可以為大於兩層的多層結構。例如p型半導體層為三層結構，自上而下包括第一p型半導體層（p1層）、第二p型半導體層（p2層）、第三p型半導體層（p3層）。其中，p1層可以採用非結晶結構且重摻雜硼（含硼濃度為標準工藝的兩倍以上）；p2和p3採用微晶結構，且正常摻雜硼（按照標準工藝濃度摻雜），依靠厚度減薄的 p2 層和p3層減少對光線的吸收，使得光線盡可能多地進入i層並被i層所吸收，提高光電轉換率；另一方面p2 層和p3層採用正常的硼摻雜可以有效避免由於p1 層的重摻雜導致劣化內建電位。當p型半導體層包括為其他層數的多層結構與此類似，此處不再贅述。

同樣的，n型半導體層也可以為大於兩層的多層結構。例如n型半導體層為三層結構，自上而下包括第一n型半導體層（n1層）、第二n型半導體層（n2層）、第三n型半導體層（n3層）。其中，n3層可以採用非結晶結構且重摻雜磷（含磷量為標準工藝兩倍以上）；n1和n2採用微晶結構，且正常摻雜磷（按照標準生產工藝），依靠厚度減薄的 n1 層和n2層減少對光線的吸收，使得光線盡可能多地進入i層並被i層所吸收，提高光電轉換率；另一方面n1 層和n2層採用正常的磷摻雜可以有效避免由於n3 層的重摻雜導致劣化內建電位。當n型半導體層包括為其他層數的多層結構與此類似，此處不再贅述。

實施例四：

本實施例是針對實施例一或二或三的進一步改進，如圖7中的（a）所示，具體包括：在所述p型半導體層的上端面設置有第一光學元件，所述第一光學元件用於降低光線在p型半導體層的上端面的反射率、或是減小光線在p型半導體層的折射角度以增加光入射量。減小光線在p型半導體層的折射角度，可以讓光線盡可能地以接近於垂直方向射入p型半導體層，使得光線盡可能地被p型半導體層下方的i型半導體層所吸收，從而進一步提高光敏二極體的光電轉換率。當p型半導體層為多層結構時，第一光學元件設置於最上方的一層p型半導體層的上端面。

所述第一光學元件包括折射率呈週期性變化的光子晶體結構或微透鏡陣列結構、或是折射率呈非週期性變化的漫散射結構。所述第一光學元件的折射率小於p型半導體層的折射率，可以使得光線在第一光學元件發生折射後，入射角小於折射角，即光線盡可能地以接近於垂直方向射入p型半導體層。

實施例五：

本實施例是針對實施例一或二或三或四的進一步改進，如圖7中的（b）所示，所述n型半導體層的下端面還設置有第二光學元件，所述第二光學元件用於提高光線在n型半導體層的下端面的多重反射率。所述多重反射率是指光線在經過第二光學元件反射後進入i型半導體層，再次被i型半導體層所吸收，吸收後的光線又再次經過第二光學元件反射後進入i型半導體層，如此反復多次，提高i型半導體層的光電轉換率。當n型半導體層為多層結構時，第二光學元件設置於最下方的一層n型半導體層的下端面。

所述第二光學元件包括折射率呈週期性變化的光子晶體結構、或是折射率呈非週期性變化的漫散射結構，且所述第二光學元件的折射率小於n型半導體層的折射率。這樣，可以使得光線在n型半導體層的下端面盡可能發生反射，以便反射後的光線再次被i型半導體層所吸收，進而適量放大屬於i型半導體層可吸收的光波長範圍內的訊號，提高該波長範圍內的光電流量。

實施例六：

如圖3所示，所述TFT影像感測陣列薄膜為光敏電晶體所形成的陣列，所述光敏電晶體所形成的陣列包括光敏電晶體感應區，所述光敏電晶體感應區設置有光敏薄膜電晶體，所述光敏薄膜電晶體包括閘極1、源極2、汲極3、絕緣層4、光吸收半導體層5；所述光敏薄膜電晶體為倒立共平面式結構，所述倒立共平面式結構包括：所述閘極1、絕緣層4、源極2縱向自下而上設置，所述汲極3與所述源極2橫向共面設置；絕緣層4包裹所述閘極1，以使得閘極1與源極2、閘極1與汲極3之間均不接觸；源極2和汲極3之間間隙配合，源極2和汲極3橫向之間形成光敏漏電流通道，所述光吸收半導體層5設置於光敏漏電流通道內。

一般藉由閘極電壓控制TFT操作在關閉狀態時，源極到汲極之間不會有電流通過；然而當TFT受光源照射時，由於光的能量在半導體激發出電子-電洞對，TFT結構的場效應作用會使電子-電洞對分離，進而使TFT產生光敏漏電流。這樣的光敏漏電流特性讓TFT陣列可應用在光偵測或光偵測之技術上。相較於一般採用TFT漏電流作光敏薄膜電晶體之元件，本發明以倒立共平面型場效電晶體結構將光吸收半導體層配置于最上方吸光層，大幅增加了光電子的激發，提高了光電轉換效率。

如圖8所示，為本發明一實施方式涉及的光偵測薄膜的製備方法的流程圖。所述方法用於製備實施例六的光敏薄膜電晶體（即光偵測薄膜），具體包括以下步驟：

首先進入步驟S801在像素薄膜電晶體的基材上通過化磁控濺射鍍膜出閘極。像素薄膜電晶體的基材可以採用硬板，也可以採用柔性材料（如聚醯亞胺）；

而後進入步驟S802在所述閘極的上方通過化學氣相沉積或是磁控濺射鍍膜出絕緣層；

而後進入步驟S803在所述絕緣層的上方通過化學氣相沉積鍍膜出源極和汲極的n型摻雜半導體層，並通過磁控濺射鍍膜出源極和汲極的金屬層，通過黃光蝕刻工藝定義出預設結構的源極和汲極，得到源極和汲極橫向共面，且間隙配合，並使得源極和汲極橫向之間形成光敏漏電流通道；

而後進入步驟S804在所述光敏漏電流通道內化學氣相沉積鍍膜出光吸收半導體層。

實施例七：

以熟知的場效電晶體結構而言，作為掃描驅動與資料傳輸開關的TFT 不需特別針對源極和汲極之間收集光電流的結構作設計；然而對場效電晶體應用在光敏漏電流的偵測上，如果被光線激發的電子-電洞對被場效分離後，受電場驅動的飄移(Drift)路徑太長，極有可能在光電子未能順利抵達電極之前，就已經與電洞作再結合(Recombination)，或是被光吸收半導體層本身的懸空鍵結(Dangling Bond)缺陷給捕獲，無法有效地貢獻作光偵測的光電流輸出。

為了改善光敏漏電流受源極與汲極之間通道長度的影響，以達到可增加吸收光半導體面積卻不致於劣化光電轉換效率的目的，本實施例中對實施例四的源極和汲極進行一步改進，提出了一源極與汲極的新型結構。

如圖4所示，所述源極和汲極的數量均為多個，源極和源極之間相互並聯，汲極和汲極之間相互並聯；所述源極和汲極之間間隙配合，源極和汲極橫向之間形成光敏漏電流通道包括：相鄰的源極之間形成第一間隙，一個汲極置於所述第一間隙內，相鄰的汲極之間形成第二間隙，一個源極置於所述第二間隙內，源極和汲極之間交錯設置且間隙配合。每一源極與相鄰的汲極之間的距離小於電子飄移距離，所述電子飄移距離為電子在場效作用下能夠生存的距離。這樣，在每一個偵測像素裡，所屬同一像素的多個源極都相互並聯，且所屬同一像素的多個汲極也都相互並聯，可以有效降低光激發電子與電洞再複合的機率，提高了場效應作用下電極收集光電子的成功機率，最大化地改善了TFT漏電流光敏薄膜電晶體的光敏度。

如圖9至12所示，為逐步製備實施例七的光敏薄膜電晶體（即光偵測薄膜）的過程，其大體步驟與製備實施例六的光敏薄膜電晶體類似。區別在於，在製備源極和汲極時，步驟S803中“通過黃光蝕刻工藝定義出預設結構的源極和汲極，得到源極和汲極橫向共面，且間隙配合，並使得源極和汲極橫向之間形成光敏漏電流通道”包括：通過黃光蝕刻工藝定義出源極電極組和汲極電極組，每一個源極電極組包括多個源極，源極和源極之間相互並聯；每一個汲極電極組包括多個汲極，汲極和汲極之間相互並聯；相鄰的源極之間形成第一間隙，一個汲極置於所述第一間隙內，相鄰的汲極之間形成第二間隙，一個源極置於所述第二間隙內，源極和汲極之間交錯設置且間隙配合。

在某些實施例中，所述接收使用者身體部分反射的光訊號，捕捉使用者的身體部分資訊包括：傳感單元接收偵測觸發訊號，處於光偵測狀態，並接收使用者身體部分反射的光訊號以捕捉使用者的身體部分資訊；光源觸發訊號與偵測觸發訊號交替切換，並符合一預設頻率。以傳感單元為光敏二極體所形成的陣列為例，在實際應用過程中，可借由TFT作掃描驅動外加一偏壓（包括正向偏壓，或零偏壓或負偏壓）在p型/i型/ n型光電二極體之間，實現TFT影像感測陣列薄膜發出紅外光功能。

具體地，可交替在p型/i型/ n型紅外光敏二極體之間施加正向偏壓，或零偏壓或負偏壓，以觸發所述第一觸發訊號或第二觸發訊號。以紅外光敏二極體所形成的陣列有10列像素點陣為例，在第一週期內對p型/i型/ n型紅外光敏二極體施加正向偏壓，使得10列像素點陣均處於發出紅外光狀態；在第二週期內對p型/i型/ n型紅外光敏二極體施加零偏壓或負偏壓，使得10列像素點陣均處於紅外光偵測狀態，用於捕捉使用者眼球反射回的紅外光資訊，並生成相應的紅外圖像輸出；在第三週期內又對p型/i型/ n型紅外光敏二極體施加正向偏壓，使得10列像素點陣均處於發出紅外光狀態，反復交替，以此類推。在本發明的一實施例中，光源觸發訊號（即第一觸發訊號）與偵測觸發訊號（即第二觸發訊號）交替切換，切換的頻率符合一預設頻率。相鄰的週期之間的時間間隔可以根據實際需要而設置，優選時間間隔可以設置為TFT陣列驅動掃描每一幀 (Frame) 紅外光敏二極體陣列至少能接收到一幀完整的影像訊號所需的時間，即預設頻率為每經過上述時間間隔進行一次切換。

如圖6所示，當所述顯示單元為LCD液晶顯示幕或電子墨水顯示幕時，所述傳感單元（即圖6中的TFT影像感測陣列薄膜）的下方還設置有背光單元，所述傳感單元設置於背光單元和LCD液晶顯示幕之間。由於LCD液晶顯示幕不屬於自發光元件，因而在安裝時需要在傳感單元的下方增加背光單元。背光單元可以為LCD背光模組，也可以為其他具有自發光功能的電子元件。在另一些實施例中，當所述顯示單元為AMOLED顯示幕時，由於OLED顯示幕屬於自發光元件，因而無需設置背光單元。通過上述兩種方案的設置，可以有效滿足不同廠家的生產需求，提高終端的適用範圍。

在某些實施例中，所述身體部分識別區包括多個身體部分識別子區域，每一身體部分識別子區域的下方對應設置一傳感單元。所述裝置還包括傳感單元控制電路，所述方法還包括：接收對身體部分識別子區域的啟動指令，傳感單元控制電路開啟所述身體部分識別子區域的下方的傳感單元，以及接收對身體部分識別子區域的關閉指令，傳感單元控制電路關閉所述身體部分識別子區域的下方的傳感單元。

以身體部分識別子區域的數量為兩個為例，兩個身體部分識別子區域可以一上一下或一左一右均勻分佈於螢幕中，也可以以其他排列方式分佈於螢幕中。下面對具有兩個身體部分識別子區域的終端的應用過程做具體說明：在使用過程中，接收使用者觸發的啟動訊號，將兩個身體部分識別子區域下方的光偵測元件（即傳感單元）都設置成開啟狀態。優選的實施例中，兩個身體部分識別子區域構成的範圍覆蓋了整個顯示幕，這樣可以保證當兩個身體部分識別子區域下方的光偵測元件都設置成開啟狀態時，進入顯示幕的光訊號可以被下方的TFT影像感測陣列薄膜（即傳感單元）所吸收，從而捕捉到使用者的指紋資訊。

在其他實施例中，兩個身體部分識別子區域構成的範圍也可以占整個顯示幕面積的2/3、3/4等。當然，使用者也可以根據自身喜好，設置某一個身體部分識別子區域下方的光偵測元件開啟，另一個身體部分識別子區域下方的光偵測元件關閉。在不需要對終端進行操作時，還可以將兩個身體部分識別子區域下方的光偵測元件均設置為關閉狀態。簡言之，各個身體部分識別子區域下方的光偵測元件下方處於開啟或關閉，可以根據使用者自身喜好進行設置。

如圖5所示，為本發明一實施方式涉及的生理健康檢測的操作裝置的示意圖。所述裝置包括顯示單元101、傳感單元102和處理單元104；所述顯示單元101上設置有身體部分識別區，所述傳感單元102設置於所述身體部分識別區的下方；

所述傳感單元102用於在接收到光源觸發訊號時，發出光訊號，以及用於接收使用者身體部分反射的光訊號，捕捉使用者的身體部分資訊，並記錄身體部分反射的光訊號資訊；

所述處理單元104用於根據身體部分反射的光訊號資訊，得到該身體部分對應的生理健康資訊，並在顯示單元101上顯示所述生理健康資訊。

在某些實施例中，所述裝置包括提示單元105，所述處理單元用於在處理單元判定捕捉到的身體部分資訊匹配失敗時，發出提示資訊。所述提示資訊包括聲音提示資訊、圖像提示資訊、光線提示資訊、視頻提示資訊中的一種或多種。

在本實施方式中，所述顯示單元乃是以主動矩陣薄膜電晶體作為掃描驅動與傳輸資料的顯示幕，包括：AMOLED顯示幕、LCD液晶顯示幕、微發光二極體顯示幕、量子點顯示幕、或是電子墨水顯示幕。如圖6所示，在某些實施例中，當所述顯示單元為LCD液晶顯示幕或電子墨水顯示幕時，所述傳感單元的下方還設置有背光單元，所述傳感單元設置於背光單元和LCD液晶顯示幕之間。由於LCD液晶顯示幕不屬於自發光元件，因而在安裝時需要在傳感單元的下方增加背光單元。背光單元可以為LCD背光模組，也可以為其他具有自發光功能的電子元件。在另一些實施例中，當所述顯示單元為AMOLED顯示幕時，由於OLED顯示幕屬於自發光元件，因而無需設置背光單元。通過上述兩種方案的設置，可以有效滿足不同廠家的生產需求，提高終端的適用範圍。

綜上所述，本發明本發明具有以下優點：通過在顯示單元上設置身體部分識別區，並在所述身體部分識別區下方設置傳感單元，使得使用者將身體部分靠近身體部分識別區時，處理單元可以根據身體部分反射的光訊號資訊，得到該身體部分對應的生理健康資訊，並在顯示單元上顯示所述生理健康資訊。相較於現有移動設備在顯示幕區域之外額外設置感測器的方式，本發明一方面方便了用戶操作，提升了用戶體驗，另一方面可以有效縮小移動設備的整體厚度，使得移動設備更加輕薄、滿足市場的需求。

需要說明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關係術語僅僅用來將一個實體或者操作與另一個實體或操作區分開來，而不一定要求或者暗示這些實體或操作之間存在任何這種實際的關係或者順序。而且，術語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者終端設備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者終端設備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括……”或“包含……”限定的要素，並不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者終端設備中還存在另外的要素。此外，在本文中，“大於”、“小於”、“超過”等理解為不包括本數；“以上”、“以下”、“以內”等理解為包括本數。

本領域內的技術人員應明白，上述各實施例可提供為方法、裝置、或電腦程式產品。這些實施例可採用完全硬體實施例、完全軟體實施例、或結合軟體和硬體方面的實施例的形式。上述各實施例涉及的方法中的全部或部分步驟可以通過程式來指令相關的硬體來完成，所述的程式可以儲存於電腦設備可讀取的儲存介質中，用於執行上述各實施例方法所述的全部或部分步驟。所述電腦設備，包括但不限於：個人電腦、伺服器、通用電腦、專用電腦、網路設備、嵌入式設備、可程式設計設備、智慧移動終端、智慧家居設備、穿戴式智慧設備、車載智慧設備等；所述的儲存介質，包括但不限於：RAM、ROM、磁碟、磁帶、光碟、快閃記憶體、USB記憶體、移動硬碟、儲存卡、記憶棒、網路服務器儲存、網路雲儲存等。

上述各實施例是參照根據實施例所述的方法、設備(系統)、和電腦程式產品的流程圖和／或方框圖來描述的。應理解可由電腦程式指令實現流程圖和／或方框圖中的每一流程和／或方框、以及流程圖和／或方框圖中的流程和／或方框的結合。可提供這些電腦程式指令到電腦設備的處理器以產生一個機器，使得通過電腦設備的處理器執行的指令產生用於實現在流程圖一個流程或多個流程和／或方框圖一個方框或多個方框中指定的功能的裝置。

這些電腦程式指令也可儲存在能引導電腦設備以特定方式工作的電腦設備可讀記憶體中，使得儲存在該電腦設備可讀記憶體中的指令產生包括指令裝置的製造品，該指令裝置實現在流程圖一個流程或多個流程和／或方框圖一個方框或多個方框中指定的功能。

這些電腦程式指令也可裝載到電腦設備上，使得在電腦設備上執行一系列操作步驟以產生電腦實現的處理，從而在電腦設備上執行的指令提供用於實現在流程圖一個流程或多個流程和／或方框圖一個方框或多個方框中指定的功能的步驟。

儘管已經對上述各實施例進行了描述，但本領域內的技術人員一旦得知了基本創造性概念，則可對這些實施例做出另外的變更和修改，所以以上所述僅為本發明的實施例，並非因此限制本發明的專利保護範圍，凡是利用本發明說明書及附圖內容所作的等效結構或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關的技術領域，均同理包括在本發明的專利保護範圍之內。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

1‧‧‧閘極2‧‧‧源極3‧‧‧汲極4‧‧‧絕緣層5‧‧‧光吸收半導體層101‧‧‧顯示單元102‧‧‧傳感單元103‧‧‧背光單元104‧‧‧處理單元105‧‧‧提示單元S101、S102、S801、S802、S803、S804‧‧‧步驟

圖1為本發明一實施方式涉及的生理健康檢測的操作方法的流程圖。圖2為本發明一實施方式涉及的TFT影像感測薄膜的結構示意圖。圖3為本發明另一實施方式涉及的TFT影像感測薄膜的結構示意圖。圖4為本發明一實施方式涉及的源極和汲極結構配合的示意圖。圖5為本發明一實施方式涉及的生理健康檢測的操作裝置的示意圖。圖6為本發明一實施方式涉及的生理健康檢測的操作裝置的應用場景的示意圖。圖7為本發明一實施方式涉及的光學元件的分佈方式的示意圖。圖8為本發明一實施方式涉及的光偵測薄膜的製備方法的流程圖。圖9為本發明一實施方式所述的光偵測薄膜製備過程中的示意圖。圖10為本發明另一實施方式所述的光偵測薄膜製備過程中的示意圖。圖11為本發明另一實施方式所述的光偵測薄膜製備過程中的示意圖。圖12為本發明另一實施方式所述的光偵測薄膜製備過程中的示意圖。

S101、S102‧‧‧步驟

Claims

一種生理健康檢測的操作方法，包括所述方法應用於生理健康檢測的操作裝置，所述裝置包括顯示單元、傳感單元和處理單元；所述顯示單元上設置有身體部分識別區，所述傳感單元設置於所述身體部分識別區的下方；所述方法包括以下步驟：所述傳感單元在接收到光源觸發訊號時，發出光訊號，以及接收使用者身體部分反射的光訊號，以捕捉使用者的身體部分資訊，並記錄所述身體部分反射的光訊號資訊；所述處理單元根據所述身體部分反射的光訊號資訊，得到所述身體部分對應的生理健康資訊，並在所述顯示單元上顯示所述生理健康資訊。
如專利申請範圍第1項所述的生理健康檢測的操作方法，其中所述捕捉使用者的身體部分資訊包括：當檢測到身體部分與所述傳感單元之間的距離小於預設距離時，捕捉身體部分資訊。
如專利申請範圍第1項所述的生理健康檢測的操作方法，其中所述接收使用者身體部分反射的光訊號，以捕捉使用者的身體部分資訊包括：所述傳感單元接收偵測觸發訊號，處於光偵測狀態，並接收使用者身體部分反射的光訊號以捕捉使用者的身體部分資訊；所述光源觸發訊號與所述偵測觸發訊號交替切換，並符合一預設頻率。
如專利申請範圍第1項所述的生理健康檢測的操作方法，其中所述捕捉使用者的身體部分資訊包括：根據捕捉到的使用者的身體部分資訊計算其特徵值，並與預設身體部分資訊的特徵值進行對比；當誤差小於預設值時，判定為捕捉到身體部分資訊匹配成功，否則判定為捕捉到的身體部分資訊匹配失敗。
如專利申請範圍第4項所述的生理健康檢測的操作方法，其中所述方法還包括步驟：當所述判定捕捉到的身體部分資訊匹配失敗時，發出提示資訊。
如專利申請範圍第5項所述的生理健康檢測的操作方法，其中所述提示資訊包括聲音提示資訊、圖像提示資訊、光線提示資訊、視頻提示資訊中的一種或多種。
如專利申請範圍第1項所述的生理健康檢測的操作方法，其中所述傳感單元包括TFT影像感測陣列薄膜，所述TFT影像感測陣列薄膜包括光敏二極體或光敏電晶體所形成的陣列。
如專利申請範圍第7項所述的生理健康檢測的操作方法，其中所述光敏二極體或所述光敏電晶體所形成的陣列，其光偵測波長範圍包含可見光波段或是紅外光波段。
如專利申請範圍第7或8項所述的生理健康檢測的操作方法，其中所述TFT影像感測陣列薄膜為光敏二極體所形成的陣列，所述光敏二極體所形成的陣列包括光敏二極體感應區，所述光敏二極體感應區包括光敏二極體層，所述光敏二極體層包括p型半導體層、i型半導體層、n型半導體層，p型半導體層、i型半導體層、n型半導體層自上而下堆疊設置，所述i型半導體層為微晶矽結構或非結晶矽化鍺結構。
如專利申請範圍第9項所述的生理健康檢測的操作方法，其中所述微晶矽結構為矽烷與氫氣通過化學氣相沉積成膜的半導體層，所述微晶矽結構的結晶度大於40%，且其禁帶寬度小於1.7 eV。
如專利申請範圍第9項所述的生理健康檢測的操作方法，其中所述非結晶矽化鍺結構為矽烷、氫氣與鍺烷通過化學氣相沉積成膜的非結晶半導體層，且其禁帶寬度小於1.7 eV。
如專利申請範圍第9項所述的生理健康檢測的操作方法，其中所述p型半導體層的上端面設置有第一光學元件，所述第一光學元件用於降低光線在所述p型半導體層的上端面的反射率、或是減小光線在所述p型半導體層的折射角度以增加光入射量。
如專利申請範圍第9項所述的生理健康檢測的操作方法，其中所述n型半導體層的下端面還設置有第二光學元件，所述第二光學元件用於提高光線在所述n型半導體層的下端面的反射率。
如專利申請範圍第7或8項所述的生理健康檢測的操作方法，其中所述TFT影像感測陣列薄膜為光敏電晶體所形成的陣列，所述光敏電晶體所形成的陣列包括光敏電晶體感應區，所述光敏電晶體感應區設置有光敏薄膜電晶體，所述光敏薄膜電晶體包括閘極、源極、汲極、絕緣層、光吸收半導體層；所述光敏薄膜電晶體為倒立共平面式結構，所述倒立共平面式結構包括：所述閘極、所述絕緣層、所述源極縱向自下而上設置，所述汲極與所述源極橫向共面設置；所述絕緣層包裹所述閘極，以使得所述閘極與所述源極、所述閘極與所述汲極之間均不接觸；所述源極和所述汲極之間間隙配合，所述源極和所述汲極橫向之間形成光敏漏電流通道，所述光吸收半導體層設置於所述光敏漏電流通道內。
如專利申請範圍第14項所述的生理健康檢測的操作方法，其中所述源極和所述汲極的數量均為多個，所述源極之間相互並聯，所述汲極之間相互並聯；所述源極和所述汲極之間間隙配合，所述源極和所述汲極橫向之間形成所述光敏漏電流通道包括：相鄰的所述源極之間形成第一間隙，一個所述汲極置於所述第一間隙內，相鄰的所述汲極之間形成第二間隙，一個所述源極置於所述第二間隙內，所述源極和所述汲極之間交錯設置且間隙配合。
如專利申請範圍第1項所述的生理健康檢測的操作方法，其中所述顯示單元乃是以主動矩陣薄膜電晶體作為掃描驅動與傳輸資料的顯示幕，包括：AMOLED顯示幕、LCD液晶顯示幕、微發光二極體顯示幕、量子點顯示幕、或是電子墨水顯示幕。
如專利申請範圍第16項所述的生理健康檢測的操作方法，其中當所述顯示單元為所述LCD液晶顯示幕或所述電子墨水顯示幕時，所述傳感單元的下方還設置有背光單元，所述傳感單元設置於所述背光單元和所述LCD液晶顯示幕之間。
如專利申請範圍第1項所述的生理健康檢測的操作方法，其中所述身體部分識別區包括多個身體部分識別子區域，每一身體部分識別子區域的下方對應設置一所述傳感單元。
如專利申請範圍第18項所述的生理健康檢測的操作方法，其中所述裝置還包括傳感單元控制電路，所述方法還包括：接收對身體部分識別子區域的啟動指令，所述傳感單元控制電路開啟所述身體部分識別子區域的下方的所述傳感單元，以及接收對身體部分識別子區域的關閉指令，所述傳感單元控制電路關閉所述身體部分識別子區域的下方的所述傳感單元。
如專利申請範圍第1項所述的生理健康檢測的操作方法，其中所述生理健康資訊包括血壓指數、血量、體脂含量、血氧飽和度、脈率、心肺指數、心電圖中的任意一種或多種。
一種生理健康檢測的操作裝置，其中所述裝置包括顯示單元、傳感單元和處理單元；所述顯示單元上設置有身體部分識別區，所述傳感單元設置於所述身體部分識別區的下方；所述傳感單元用於在接收到光源觸發訊號時，發出光訊號，以及用於接收使用者身體部分反射的光訊號，捕捉使用者的身體部分資訊，並記錄身體部分反射的光訊號資訊；所述處理單元用於根據所述身體部分反射的光訊號資訊，得到所述身體部分對應的生理健康資訊，並在所述顯示單元上顯示所述生理健康資訊。
如專利申請範圍第21項所述的生理健康檢測的操作裝置，其中所述傳感單元用於捕捉使用者的身體部分資訊包括：所述傳感單元用於在檢測到身體部分與所述傳感單元之間的距離小於預設距離時，捕捉身體部分資訊。
如專利申請範圍第21項所述的生理健康檢測的操作裝置，其中所述傳感單元用於接收使用者身體部分反射的光訊號，捕捉使用者的身體部分資訊包括：所述傳感單元用於接收偵測觸發訊號，處於光偵測狀態，並用於接收使用者身體部分反射的光訊號以捕捉使用者的身體部分資訊；光源觸發訊號與偵測觸發訊號交替切換，並符合一預設頻率。
如專利申請範圍第21項所述的生理健康檢測的操作裝置，其中所述捕捉使用者的身體部分資訊包括：所述處理單元用於根據所述傳感單元捕捉到的使用者的身體部分資訊計算其特徵值，並與預設身體部分資訊的特徵值進行對比；當誤差小於預設值時，判定為所述傳感單元捕捉到身體部分資訊匹配成功，否則判定為所述傳感單元捕捉到的身體部分資訊匹配失敗。
如專利申請範圍第24項所述的生理健康檢測的操作裝置，其中所述裝置包括提示單元，所述處理單元用於在所述處理單元判定捕捉到的身體部分資訊匹配失敗時，發出提示資訊。
如專利申請範圍第25項所述的生理健康檢測的操作裝置，其中所述提示資訊包括聲音提示資訊、圖像提示資訊、光線提示資訊、視頻提示資訊中的一種或多種。
如專利申請範圍第21項所述的生理健康檢測的操作裝置，其中所述傳感單元包括TFT影像感測陣列薄膜，所述TFT影像感測陣列薄膜包括光敏二極體或光敏電晶體所形成的陣列。
如專利申請範圍第27項所述的生理健康檢測的操作裝置，其中所述光敏二極體或光敏電晶體所形成的陣列，其光偵測波長範圍包含可見光波段或是紅外光波段。
如專利申請範圍第27或28項所述的生理健康檢測的操作裝置，其中所述TFT影像感測陣列薄膜為光敏二極體所形成的陣列，所述光敏二極體所形成的陣列包括光敏二極體感應區，所述光敏二極體感應區包括光敏二極體層，所述光敏二極體層包括p型半導體層、i型半導體層、n型半導體層，所述p型半導體層、所述i型半導體層、所述n型半導體層自上而下堆疊設置，所述i型半導體層為微晶矽結構或非結晶矽化鍺結構。
如專利申請範圍第29項所述的生理健康檢測的操作裝置，其中所述微晶矽結構為矽烷與氫氣通過化學氣相沉積成膜的半導體層，所述微晶矽的結構的結晶度大於40%，且其禁帶寬度小於1.7 eV。
如專利申請範圍第29項所述的生理健康檢測的操作裝置，其中所述非結晶矽化鍺結構為矽烷、氫氣與鍺烷通過化學氣相沉積成膜的非結晶半導體層，且其禁帶寬度小於1.7 eV。
如專利申請範圍第29項所述的生理健康檢測的操作裝置，其中所述p型半導體層的上端面設置有第一光學元件，所述第一光學元件用於降低光線在所述p型半導體層的上端面的反射率、或是減小光線在所述p型半導體層的折射角度以增加光入射量。
如專利申請範圍第29項所述的生理健康檢測的操作裝置，其中所述n型半導體層的下端面還設置有第二光學元件，所述第二光學元件用於提高光線在所述n型半導體層的下端面的反射率。
如專利申請範圍第27或28項所述的生理健康檢測的操作裝置，其中所述TFT影像感測陣列薄膜為光敏電晶體所形成的陣列，所述光敏電晶體所形成的陣列包括光敏電晶體感應區，所述光敏電晶體感應區設置有光敏薄膜電晶體，所述光敏薄膜電晶體包括閘極、源極、汲極、絕緣層、光吸收半導體層；所述光敏薄膜電晶體為倒立共平面式結構，所述倒立共平面式結構包括：所述閘極、所述絕緣層、所述源極縱向自下而上設置，所述汲極與所述源極橫向共面設置；所述絕緣層包裹所述閘極，以使得所述閘極與所述源極、所述閘極與所述汲極之間均不接觸；所述源極和所述汲極之間間隙配合，所述源極和所述汲極橫向之間形成光敏漏電流通道，所述光吸收半導體層設置於所述光敏漏電流通道內。
如專利申請範圍第34項所述的生理健康檢測的操作裝置，其中所述源極和汲極的數量均為多個，所述源極之間相互並聯，所述汲極之間相互並聯；所述源極和所述汲極之間間隙配合，所述源極和所述汲極橫向之間形成所述光敏漏電流通道包括：相鄰的所述源極之間形成第一間隙，一個所述汲極置於所述第一間隙內，相鄰的所述汲極之間形成第二間隙，一個源所述極置於所述第二間隙內，所述源極和所述汲極之間交錯設置且間隙配合。
如專利申請範圍第21項所述的生理健康檢測的操作裝置，其中所述顯示單元乃是以主動矩陣薄膜電晶體作為掃描驅動與傳輸資料的顯示幕，包括：AMOLED顯示幕、LCD液晶顯示幕、微發光二極體顯示幕、量子點顯示幕、或是電子墨水顯示幕。
如專利申請範圍第36項所述的生理健康檢測的操作裝置，其中當所述顯示單元為LCD液晶顯示幕或電子墨水顯示幕時，所述傳感單元的下方還設置有背光單元，所述傳感單元設置於所述背光單元和所述LCD液晶顯示幕之間。
如專利申請範圍第21項所述的生理健康檢測的操作裝置，其中所述身體部分識別區包括多個身體部分識別子區域，每一身體部分識別子區域的下方對應設置一所述傳感單元。
如專利申請範圍第38項所述的生理健康檢測的操作裝置，其中所述裝置還包括傳感單元控制電路，所述傳感控制電路用於接收對身體部分識別子區域的啟動指令，開啟身體部分識別子區域的下方的所述傳感單元；以及用於接收對身體部分識別子區域的關閉指令，關閉所述身體部分識別子區域的下方的所述傳感單元。
如專利申請範圍第21項所述的生理健康檢測的操作裝置，其中所述生理健康資訊包括血壓指數、血量、體脂含量、血氧飽和度、脈率、心肺指數、心電圖中的任意一種或多種。